CN106134288B - 电子元件封装用层叠片以及电子器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的电子元件封装用层叠片(1A)的结构具备:长尺寸的第一剥离片(11a);多个封装材料(12),其在第一剥离片(11a)上的宽度方向中央部的长度方向上,层叠于彼此不同的位置;保护材料(13),其层叠于第一剥离片(11a)上的宽度方向两侧部;以及第二长尺寸的剥离片(11b),其层叠于封装材料(12)及保护材料(13)的与第一剥离片(11a)侧相反的一侧。根据该电子元件封装用层叠片(1A),能够高效地制造可靠性高的电子器件。

Description

电子元件封装用层叠片以及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于封装电子元件的电子元件封装用层叠片以及电子器件的制造方法。
背景技术
近年来,作为电子器件的显示器装置,有机EL(Electro Luminescence)显示装置被广泛使用。通常,该有机EL显示装置是通过用封装材料封装基板上的有机EL元件来制造的。
例如,在专利文献1中所记载的方法中,在形成有多个有机EL元件的整个玻璃基板上,粘贴具有光硬化性树脂层的板片状封装材料,并通过紫外线照射使光硬化性树脂硬化。然后,按各有机EL元件进行分割,获得由已硬化的光硬化性树脂来封装有机EL元件的有机EL显示装置。
并且,例如,专利文献2中所记载的方法中,在形成有多个有机EL元件的整个基板上制作封装膜,接着,通过激光的照射来去除与有机EL元件的端子部对应的部份的封装膜。然后,按各有机EL元件进行分割,获得由封装膜来封装有机EL元件的有机EL显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利公开2004-139977号公报
专利文献2:日本专利公开2006-66364号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
在专利文献1中记载的方法中,需要另外去除与有机EL元件的端子部对应的部份的封装材料。另外,由于封装材料整体形成于玻璃基板上,因此按各有机EL元件进行分割时,有可能损伤封装材料。
另一方面,在专利文献2中记载的方法中,通过激光照射而去除与有机EL元件的端子部对应的部份的封装膜,但该方法中,有可能损伤有机EL元件的端子部,或者封装膜有可能残留于有机EL元件的端子部,从而在有机EL显示装置的可靠性方面存在问题。进而,由于需要激光照射工序,因此制造成本提高。进一步地,由于封装膜整体形成于玻璃基板上,因此按各有机EL元件进行分割时,有可能损伤封装膜。
上述的问题并不限定于有机EL显示装置,在需要封装的其它种类的显示装置、其它电子器件,例如太阳能电池模块等中也同样构成问题。
本发明是鉴于这种实际情况而完成的,其目的在于提供一种能够高效地制造可靠性高的电子器件的方法。
(二)技术方案
为了实现上述目的,本发明的第一方式提供一种电子元件封装用层叠片(发明1),其特征在于,具备:长尺寸的剥离片;以及封装材料,其在所述长尺寸的剥离片上、多个层叠于彼此不同的位置,且具有对应于被封装件即电子元件的形状(发明1)。另外,在本说明书中,“板片”包含胶带的概念。
根据上述发明(发明1),能够使用预先形成为与电子元件对应的形状的封装材料来封装该电子元件,因此例如,无需去除与有机EL元件等电子元件的端子部对应的部份的封装材料,不会因去除操作而损伤电子元件的端子部,且封装材料也不会残留于电子元件的端子部,另外,将在基材上被封装的多个电子元件,按各电子元件进行分割时,也不会损伤封装材料。从而,根据上述发明(发明1),能够高效地制造可靠性高的电子器件。
上述发明(发明1)中,优选在所述长尺寸的剥离片的宽度方向两侧部设置有保护材料,所述封装材料设置于所述长尺寸的剥离片上的、与所述保护材料不同的位置(发明2)。
上述发明(发明2)中,优选所述保护材料的厚度与所述封装材料的厚度相同,或者比所述封装材料厚(发明3)。
上述发明(发明2、3)中,优选所述保护材料由与所述封装材料相同的材料构成(发明4)。
上述发明(发明1)中,也可以在所述封装材料的、与所述剥离片侧相反的一侧,层叠具有与被封装件即电子元件对应的形状的阻气性薄膜(发明5)。
上述发明(发明5)中,优选在所述长尺寸的剥离片的宽度方向两侧部设置有保护材料,所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体设置于所述长尺寸的剥离片上的、与所述保护材料不同的位置(发明6)。
上述发明(发明6)中,优选所述保护材料的厚度与所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体的厚度相同,或者比所述层叠体厚(发明7)。
上述发明(发明6、7)中,优选所述保护材料由与所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体相同的材料构成(发明8)。
上述发明(发明1~4)中,优选在所述封装材料的、与所述剥离片侧相反的一侧,层叠第二长尺寸的剥离片(发明9)。
上述发明(发明1~9)中,优选所述封装材料至少在所述长尺寸的剥离片的长度方向上设置有多个(发明10)。
上述发明(发明10)中,所述封装材料也可以在所述长尺寸的剥离片的宽度方向上设置有多个(发明11)。
上述发明(发明1~11)中,优选被封装件即所述电子元件为有机EL元件(发明12)。
上述发明(发明1~12)中,优选所述封装材料由选自酸改性聚烯烃类树脂、硅烷改性聚烯烃类树脂、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以及橡胶类树脂的组中的至少一种构成(发明13)。
上述发明(发明1~13)中,优选所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体,在厚度50μm换算的、温度40℃、相对湿度90%RH的环境下的水蒸气透过率为20g/(m2·day)以下(发明14)。
本发明的第二方式提供一种所述电子元件封装用层叠片(发明4)的制造方法,其特征在于,在所述长尺寸的剥离片的一面,以与所述剥离片大致相同的大小,形成由构成所述封装材料的材料构成的封装材料层,并将所述封装材料层进行半切,去除多余的部份,以形成所述封装材料及所述保护材料(发明15)。
本发明的第三方式提供一种所述电子元件封装用层叠片(发明8)的制造方法,其特征在于,在所述长尺寸的剥离片的一面,以与所述剥离片大致相同的大小,将由构成所述封装材料的材料构成的封装材料层和由构成所述阻气性薄膜的材料构成的阻气材料层按上述顺序层叠形成,并将所述阻气材料层以及封装材料层进行半切,去除多余的部份,以形成所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体、以及所述保护材料(发明16)。
本发明的第四方式是提供一种电子器件的制造方法,其特征在于,在所述电子元件封装用层叠片(发明1~4)中的所述封装材料的与所述剥离片侧相反的一侧,层叠具有与被封装件即电子元件对应的形状的阻气性薄膜,并从所述剥离片剥离所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体,以使所述封装材料接触到被封装件即电子元件的方式,将所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件(发明17)。
本发明的第五方式提供一种电子器件的制造方法,其特征在于,将所述电子元件封装用层叠片(发明1~4)中的所述封装材料叠加于被封装件即电子元件,并在任意阶段从所述封装材料剥离所述剥离片,在所述封装材料的与所述电子元件侧相反的一侧,层叠具有与被封装件即电子元件对应的形状的阻气性薄膜,并封装所述电子元件(发明18)。
本发明的第六方式提供一种电子器件的制造方法,其特征在于,准备阻气性薄膜层叠片,该阻气性薄膜层叠片通过具有与被封装件即电子元件对应的形状的阻气性薄膜,以与所述电子元件封装用层叠片(发明1~4)中的所述长尺寸的剥离片上的所述封装材料相同地排列,并多个层叠于长尺寸的支撑片上而成,层叠所述电子元件封装用层叠片中的所述长尺寸的剥离片上的所述封装材料和所述阻气性薄膜层叠片中的所述长尺寸的支撑片上的所述阻气性薄膜,从所述封装材料剥离所述剥离片,以使所述封装材料接触到被封装件即电子元件的方式,将所述支撑片上的所述阻气性薄膜及所述封装材料的层叠体叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件,在任意阶段从所述阻气性薄膜剥离所述支撑片(发明19)。
本发明的第七方式提供一种电子器件的制造方法,其特征在于,在所述电子元件封装用层叠片(发明1~4)中的所述封装材料的与所述剥离片侧相反的一侧层叠长尺寸的阻气性薄膜,并从所述封装材料剥离所述剥离片,将所述长尺寸的阻气性薄膜上的所述封装材料叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件,将所述长尺寸的阻气性薄膜切割成对应于所述电子元件的形状,并去除不需要的部份(发明20)。
本发明的第八方式提供一种电子器件的制造方法,其特征在于,从所述剥离片剥离所述电子元件封装用层叠片(发明5~8)中的所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体,以使所述封装材料接触到被封装件即电子元件的方式,将所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件(发明21)。
(三)有益效果
根据本发明的电子元件封装用层叠片及电子器件的制造方法,能够高效地制造可靠性高的电子器件。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的电子元件封装用层叠片的立体图。
图2中,(a)是本发明的第一实施方式的电子元件封装用层叠片的平面图,(b)是同一电子元件封装用层叠片的剖面图((a)的A-A剖面图)。
图3是本发明的第二实施方式的电子元件封装用层叠片的立体图。
图4中,(a)是本发明的第二实施方式的电子元件封装用层叠片的平面图,(b)是同一电子元件封装用层叠片的剖面图((a)的B-B剖面图)。
图5是本发明的其它实施方式的电子元件封装用层叠片的平面图。
图6是对本发明的一个实施方式的电子器件的制造方法进行说明的图。
图7是对本发明的其它实施方式的电子器件的制造方法进行说明的图。
图8是对本发明的其它实施方式的电子器件的制造方法进行说明的图。
图9是对本发明的其它实施方式的电子器件的制造方法进行说明的图。
图10是对本发明的其它实施方式的电子器件的制造方法进行说明的图。
具体实施方式
下面,对本发明的实施方式进行说明。
在此,在本发明的实施方式中,将电子元件作为被封装件。作为电子元件的种类,只要是成为封装对象者,则并无特别限定,例如可列举有机EL元件、液晶元件、发光二极体(LED元件)、电子纸用元件、太阳能电池元件等。另外,本发明的实施方式中所制造的电子器件为通过封装如上所述的电子元件而成的电子器件,例如可列举出显示装置用模块、太阳能电池模块等。
[第一实施方式]
如图1及图2所示,本发明的第一实施方式的电子元件封装用层叠片1A构成为,具备:长尺寸的第一剥离片11a;多个封装材料12,其层叠于第一剥离片11a上的宽度方向中央部的长度方向上的彼此不同的位置;保护材料13,其层叠于第一剥离片11a上的宽度方向两侧部;第二长尺寸的剥离片11b,其层叠于封装材料12及保护材料13的与第一剥离片11a侧相反的一侧。另外,在此“长尺寸”是指表示相对于宽度的长度为10倍以上的情况。
本实施方式的电子元件封装用层叠片1A为长尺寸,通常,从卷曲成卷状的状态放出使用(参照图1)。
(1)封装材料
在本实施方式的电子元件封装用层叠片1A中,封装材料12具有与被封装件即电子元件对应的形状。在此,“与电子元件对应的形状”优选具有封装电子元件时足够的大小、且在封装之后无需去除封装材料12的形状。若通过具有该形状的封装材料12来封装电子元件,则例如无需去除与有机EL元件等电子元件的端子部对应的部份的封装材料,能够简化工序,并且不会因去除操作而损伤电子元件的端子部,且封装材料不会残留于电子元件的端子部。并且,将在基材上被封装的多个电子元件按各电子元件进行分割时,不会损伤封装材料。从而,根据本实施方式的电子元件封装用层叠片1A,能够高效地制造可靠性高的电子器件。
在本实施方式中,封装材料12在俯视时呈四边形,但并不限定于此,按照被封装件即电子元件的形状能够设为所希望的形状。例如,封装材料12在俯视时可以是圆形,也可以是所希望的多边形,还可以是从该些形状切出一部份的形状。
在本实施方式中,仅在电子元件封装用层叠片1A的长度方向上连续地设置有多个封装材料12,但并不限定于此,例如,如图5所示,不仅可设置在电子元件封装用层叠片1A的长度方向上,也可以在宽度方向上设置多个。
构成封装材料12的材料,只要按照被封装件即电子元件的种类而适当地选择即可,可由单层构成,也可由多层构成。作为构成封装材料12的材料,通常可以使用热塑性树脂、热硬化性树脂、能量线硬化性树脂等。
作为热塑性树脂,例如可列举酸改性聚烯烃类树脂、硅烷改性聚烯烃类树脂、离聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚酯类树脂、聚氨酯类树脂、聚氨酯类树脂、丙烯类树脂、酰胺类树脂、苯乙烯类树脂、硅烷类树脂、橡胶类树脂等。其中,优选粘合力高、水蒸气透过率比较低的酸改性聚烯烃类树脂、硅烷改性聚烯烃类树脂、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以及橡胶类树脂。该些可单独使用1种,或者能够混合2种以上使用。另外,在本说明书中,(甲基)丙烯酸类表示丙烯酸以及甲基丙烯酸酸两者。其它类似用语也是同样的。
封装材料12的厚度只要是能够封装被封装件即电子元件的厚度即可,按照电子元件的厚度或形状可适当地确定。一般来说,封装材料12的厚度优选为1~500μm,尤其优选为5~300μm,进一步优选为10~100μm。
封装材料12对玻璃板(钠钙玻璃)的粘合力优选为3N/25mm以上,尤其优选为5N/25mm以上,进一步优选为10N/25mm以上。由于粘合力在上述范围内,因此经由封装材料12,将玻璃板或树脂薄膜等基材和电子元件牢固地贴合,能够可靠地封装电子元件,并且水份不会浸入到基材与封装材料12之间,并且能够防止于封装材料12与电子元件之间产生浮起或剥离等。此外,粘合力的上限并无特别限定,通常优选为500N/25mm以下。
在此,将粘合力设定为,当贴合之后,在23℃、50%RH的环境下放置24小时后,在相同环境下,使用拉伸试验机(ORIENTEC CO.,Ltd制,Tensilon),以剥离速度300mm/分钟、剥离角度180°的条件进行剥离试验所测定的值。
(2)保护材料
本实施方式的电子元件封装用层叠片1A在其宽度方向两侧部具有保护材料13。由于电子元件封装用层叠片1A具有这种保护材料13,因此,即使在以卷状卷曲电子元件封装用层叠片1A的情况下,也能够减小施加在封装材料12上的卷压,并能够抑制在封装材料12产生卷痕(叠加卷曲的其它封装材料12的轮廊的压痕)或褶皱。
在本实施方式中,保护材料13呈长尺寸的带状,但并不限定于该形状。例如,根据长尺寸的带部,也可以为具有进入到多个封装材料12彼此之间的突起部的形状。另外,也可以为间断的带状。另外,在本发明中,保护材料13并非必需的结构要素,也可以从电子元件封装用层叠片1A省略保护材料13。
构成保护材料13的材料只要发挥上述效果则并无特别限定。例如,可以由与封装材料12相同的材料构成,也可以由可涂布或印刷的所希望的材料构成,还可以由所希望的基材以及粘着剂层所构成的粘着片构成。优选地,若考虑制造的简易性,则由与封装材料12相同的材料构成,且在形成封装材料12的同时形成。关于该制造方法将进行后述。
优选地,保护材料13的厚度与封装材料12的厚度相同,或者比封装材料12厚。由此,能够有效地抑制在封装材料12上产生卷痕或褶皱。
(3)剥离片
作为第一剥离片11a及第二剥离片11b,只要能够支撑封装材料12、且能够从封装材料12容易剥离者即可,并无特别限定。
作为第一剥离片11a及第二剥离片11b,例如可使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯薄膜、离聚物树脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、氟树脂薄膜以及它们的交联薄膜等。另外,也可以为它们的层叠薄膜。
优选在上述第一剥离片11a及第二剥离片11b中的封装材料12侧的面实施剥离处理。作为剥离处理中使用的剥离剂,例如可列举有醇酸类、硅酮类、氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类、石蜡类的剥离剂。
当使用电子元件封装用层叠片1A时,在第二剥离片11b首先被剥离,且随后第一剥离片11a被剥离的情况下,优选将第二剥离片11b设为剥离力较小的轻剥离型剥离片,且将第一剥离片11a设为剥离力较大的重剥离型剥离片。
关于第一剥离片11a及第二剥离片11b的厚度并无特别限制,通常为10~200μm左右,优选为20~100μm左右。
另外,本发明中第二剥离片11b并非必需的结构要素,也可以从电子元件封装用层叠片1A省略第二剥离片11b。在该情况下,优选地,当放出呈卷状卷曲的电子元件封装用层叠片1A时,为了避免封装材料12附着于第一剥离片11a的背面(未卷曲状态的电子元件封装用层叠片1A中第一剥离片11a的与封装材料12侧的面相反一侧的面),对第一剥离片11a的背面也实施剥离处理,或者在封装材料12的表面(未卷曲状态的电子元件封装用层叠片1A中封装材料12的与第一剥离片11a侧的面相反一侧的面)形成凹凸,并减小封装材料12与第一剥离片11a的背面的接触面积。例如,能够通过压花加工而形成该封装材料12的表面凹凸。只要封装材料12未附着在第一剥离片11a的背面,则凹凸形状并无特别限定。
(4)电子元件封装用层叠片的制造
作为电子元件封装用层叠片1A的优选的制造方法的一例,首先,在第一剥离片11a的一个表面即具有剥离性的面(剥离面),以与该第一剥离片11a大致相同的大小,形成由构成封装材料12的材料所构成的封装材料层。
封装材料层的形成方法只要按照构成封装材料12的材料的种类适当地选择即可,例如可列举有熔融挤出法、压延法、干式法、溶液法等。在溶液法的情况下,将构成封装材料12的材料溶解于有机溶剂的溶液,通过公知的涂布方法进行涂布,并适当地干燥所获得的涂膜即可。
接着,以形成所述形状的封装材料12及保护材料13的方式半切封装材料层。即,以不切断第一剥离片11a的方式仅切断封装材料层。此时,只要不切断第一剥离片11a,切口也可以进入到第一剥离片11a。只要通过通常的方法进行上述半切即可,例如,能够使用冲孔装置等进行。
然后,去除在进行半切时生成的封装材料层的多余部份,具体而言,去除封装材料12与保护材料13之间的部份以及多个封装材料12彼此之间的部份。由此,可获得在第一剥离片11a的剥离面层叠有多个封装材料12及保护材料13的层叠体。
最后,以该第二剥离片11b的剥离面与封装材料12及保护材料13接触的方式,将第二剥离片11b层叠于上述封装材料12及保护材料13的露出面(与第一剥离片11a侧相反一侧的面),获得电子元件封装用层叠片1A。
通过上述制造方法而获得的电子元件封装用层叠片1A中,保护材料13由与封装材料12相同的材料构成。
作为电子元件封装用层叠片1A的制造方法,并未限定于上述方法。例如,也可以将构成封装材料12的材料涂布或印刷于第一剥离片11a的剥离面,以形成所述形状的封装材料12及保护材料13,并将第二剥离片11b层叠于所形成的封装材料12及保护材料13上。该方法中,可通过涂布或印刷与构成封装材料12的材料不同的材料而形成保护材料13,也可以通过粘着胶带等形成。
(5)电子器件的制造
作为使用电子元件封装用层叠片1A来制造电子器件的方法,可列举各种方法,例如能够例示以下方法。
(5-1)
如图6中的(a)所示,除了电子元件封装用层叠片1A之外,还准备具有对应于被封装件即电子元件3的形状,例如具有与封装材料12几乎相同形状的阻气性薄膜14。并且,剥离电子元件封装用层叠片1A中的第二剥离片11b。然后,如图6中的(b)所示,将上述阻气性薄膜14层叠于封装材料12的与第一剥离片11a侧的相反一侧。
另一方面,如图6中的(c)所示,准备多个电子元件3形成于基材2上的结构。作为基材2,可以是玻璃板、塑料板、陶瓷板等硬质材质,也可以是树脂薄膜等柔性材质。
如图6中的(c)所示,从第一剥离片11a剥离出封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体,并以封装材料12与电子元件3接触的方式,将上述层叠体叠加于电子元件3。能够通过公知方法进行该工序。例如,使第一剥离片11a在电子元件3上的附近呈锐角折弯并移动,由此在电子元件3上,从第一剥离片11a剥离上述层叠体,并使用辊等向电子元件3侧推压上述层叠体,以使该层叠体叠加于电子元件3。
然后,如图6中的(d)所示,通过加热加压或真空层叠等,并由上述封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体来封装电子元件3。最后按各电子元件3将基材2进行分割。由此,获得由封装材料12及阻气性薄膜14来封装电子元件3而成的电子器件。
由于上述封装材料12及阻气性薄膜14具有对应于电子元件3的形状,因此无需去除与电子元件3的端子部对应的部份的封装材料12及阻气性薄膜14,能够简化工序,并且不会因去除操作而损伤电子元件3的端子部,且封装材料12或阻气性薄膜14不会残留于电子元件3的端子部。并且,按各电子元件3,对于基材2上被封装的多个电子元件3进行分割时,也不会损伤封装材料12及阻气性薄膜14。从而,根据本实施方式的电子元件封装用层叠片1A,能够高效地制造可靠性高的电子器件。
(5-2)
如图7中的(a)所示,剥离电子元件封装用层叠片1A中的第二剥离片11b。然后,如图7中的(b)所示,准备多个电子元件3形成于基材2上的结构,并将层叠于第一剥离片11a上的封装材料12以该状态叠加于电子元件3。另一方面,准备具有对应于被封装件即电子元件3的形状的阻气性薄膜14。
其次,如图7中的(c)所示,从封装材料12剥离第一剥离片11a,在露出的封装材料12上层叠上述阻气性薄膜14。然后,如图7中的(d)所示,通过加热加压或真空层叠等,由上述封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体来封装电子元件3。最后,按各电子元件3将基材2进行分割。由此,可获得由封装材料12及阻气性薄膜14来封装电子元件3而成的电子器件。通过本制造方法,也能够以与上述制造方法相同的方式高效地制造可靠性高的电子器件。
另外,在上述制造方法中,在封装材料12叠加于电子元件3之后剥离第一剥离片11a,但并非限定于此,也可以一边剥离第一剥离片11a,一边将封装材料12叠加于电子元件3(参照(5-1)的制造方法)。
(5-3)
如图8中的(a)所示,除了电子元件封装用层叠片1A之外,还准备阻气性薄膜层叠片4,该阻气性薄膜层叠片4通过具有对应于被封装件即电子元件3的形状的阻气性薄膜14以与电子元件封装用层叠片1A中的第一剥离片11a上的封装材料12相同的方式排列,并在长尺寸的支撑片41上层叠多个而成。另外,剥离电子元件封装用层叠片1A中的第二剥离片11b。
其次,如图8中的(b)所示,将电子元件封装用层叠片1A中的第一剥离片11a上的封装材料12和阻气性薄膜层叠片4中的支撑片41上的阻气性薄膜14进行层叠。
另一方面,如图8中的(c)所示,准备多个电子元件3形成于基材2上的结构。并且,如图8中的(c)所示,从封装材料12剥离第一剥离片11a,并以封装材料12接触到电子元件3的方式,将支撑片41上的阻气性薄膜14及封装材料12的层叠体叠加于电子元件3。
然后,如图8中的(d)所示,通过加热加压或真空层叠等,并由上述封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体来封装电子元件3,从阻气性薄膜14剥离支撑片41。最后,按各电子元件3将基材2进行分割。由此,可获得由封装材料12以及阻气性薄膜14来封装电子元件3而成的电子器件。通过本制造方法,仍与上述制造方法相同地,能够高效地制造可靠性高的电子器件。
另外,在上述制造方法中,在封装之后,从阻气性薄膜14剥离支撑片41,但并非限定于此,也可以从于封装之前从阻气性薄膜14进行剥离。
(5-4)
如图9中的(a)所示,除了电子元件封装用层叠片1A之外,还准备长尺寸的阻气性薄膜14’。并且,剥离电子元件封装用层叠片1A中之第二剥离片11b。
其次,如图9中的(b)所示,在电子元件封装用层叠片1A中的第一剥离片11a上的封装材料12上,层叠上述长尺寸的阻气性薄膜14’。
另一方面,准备如图9中的(c)所示的在基材2上形成有多个电子元件3的结构。并且,如图9中的(c)所示,从上述封装材料12剥离第一剥离片11a,并将长尺寸的阻气性薄膜14’上的封装材料12叠加于电子元件3。
然后,如图9中的(d)所示,通过加热加压或真空层叠等,由上述封装材料12及长尺寸的阻气性薄膜14’的层叠体来封装电子元件3。并且,如图9中的(e)所示,将长尺寸的阻气性薄膜14’切成对应于电子元件3的形状,并去除不需要的部份。最后,按各电子元件3将基材2进行分割。由此,可获得由封装材料12及阻气性薄膜14封装电子元件3而成的电子器件。
由于上述封装材料12具有对应于电子元件3的形状,因此无需去除与电子元件3的端子部对应的部份的封装材料12,能够简化工序,并且不会因去除操作而损伤电子元件3的端子部,且封装材料12不会残留于电子元件3的端子部。另外,按各电子元件3将在基材2上被封装的多个电子元件3进行分割时,也不会损伤封装材料12。因此,根据本实施方式的电子元件封装用层叠片1A,能够高效地制造可靠性高的电子器件。
[第二实施方式]
图3及图4所示,本发明的第二实施方式的电子元件封装用层叠片1B构成为,具备:长尺寸的剥离片11;多个封装材料12,其在剥离片11上的宽度方向中央部的长度方向上,层叠于彼此不同的位置;阻气性薄膜14,其层叠于封装材料12的与剥离片11侧相反的一侧;保护材料13,其层叠于剥离片11上的宽度方向两侧部。
本实施方式的电子元件封装用层叠片1B为长尺寸板片,通常,由呈卷状卷曲的状态放出而被使用(参照图3)。
本实施方式的电子元件封装用层叠片1B中的剥离片11及封装材料12,分别具有与所述电子元件封装用层叠片1A中的第一剥离片11a及封装材料12相同的构成。
(1)阻气性薄膜
阻气性薄膜14用于对所获得的电子器件赋予阻气性,且防止/抑制气体到达电子元件。应阻隔的气体种类由电子元件的种类而定,优选在多数电子元件中阻隔水蒸气。
在本实施方式中,阻气性薄膜14具有与封装材料12大致相同的大小及形状。然而,并非限定于此,当封装电子元件时,只要是正常地发挥阻气性的大小及形状即可,例如,也可以形成比封装材料12稍大。
作为阻气性薄膜14的结构并无特别的限定,例如,能够使用于基材薄膜的单面或两面直接或经由其它层形成阻气层者,以及在基材薄膜的中间设置阻气层者等。其中,阻气性薄膜14优选在基材薄膜的单面或两面直接或经由其它层形成阻气层。
作为所使用的基材薄膜并无特别限定,例如,可列举由环烯烃树脂、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯等聚酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸类树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、ABS树脂、离聚物树脂等树脂构成的树脂薄膜,或者它们的层叠薄膜等。基材薄膜可以是延伸薄膜,也可以是无延伸薄膜。并且,基材薄膜也可以包含紫外线吸收剂等各种添加剂。
作为上述阻气层的材料,只要能够抑制气体(水蒸气)透过即可,例如铝、镁、锌、锡等金属、氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、聚硅氮烷化合物、聚碳硅烷化合物、聚硅烷化合物、聚有机硅氧烷化合物、四有机硅烷化合物等硅烷化合物、氧化铝、氧氮化铝等铝化合物、氧化镁、氧化锌、氧化铟、氧化锡等无机酸化物、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚三氟氯乙烯等树脂等。上述材料可单独使用1种,或者能够组合2种以上使用。另外,阻气层可由单层构成,也可由多层构成,当由多层构成的情况下,各层也可由不同的材料构成。
阻气性薄膜14的厚度并无特别的限制,从操作容易度观点来看,优选为0.5~500μm,更优选为1~200μm,进一步优选为5~100μm。
此外,如图5所示,封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体不仅可以设置在电子元件封装用层叠片1B的长度方向上,而且在宽度方向上也可以设置多个。
在此,封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体,在厚度50μm换算(将层叠体的厚度设为50μm时)的、温度40℃、相对湿度90%RH的环境下的水蒸气透过率W(JIS K7129A法)优选为20g/(m2·day)以下为较佳,15g/(m2·day)以下,进一步优选为10g/(m2·day)以下。由于水蒸气透过率W于上述范围内,因此在封装电子元件时,来自外部的水蒸气在上述层叠体被有效阻断,从而能够防止/抑制所述水蒸气到达电子元件,且电子元件不易受到水分的不良影响。
(2)保护材料
本实施方式中的保护材料13,作为其一个例子,通过将第一保护构件13a和第二保护构件13b层叠而成,但并非限定于此,例如,可以由单层构成,也可以由基材及粘着剂层该2层构成。在本实施方式中,第一保护构件13a优选由与封装材料12相同的材料构成,第二保护构件13b优选由与阻气性薄膜14相同的材料构成。由此,通过后述方法能够简单地制造电子元件封装用层叠片1B。
在电子元件封装用层叠片1B中,仍与电子元件封装用层叠片1A相同地,保护材料13并非必需的结构要素,也可以从电子元件封装用层叠片1B省略保护材料13。
(3)电子元件封装用层叠片的制造
作为电子元件封装用层叠片1B的优选的制造方法的一个例子,首先,在剥离片11的一个表面且是具有剥离性的面(剥离面),以与该剥离片11大致相同的大小,由构成封装材料12的材料所构成的封装材料层、以及由构成阻气性薄膜14的材料所构成的阻气材料层按该顺序层叠形成。
封装材料层以及阻气材料层也可以共挤出成形,也可以在通过与电子元件封装用层叠片1A的制造方法中说明的方法相同的方法形成封装材料层之后,以相同的方法形成阻气材料层,也可以预先层叠呈长尺寸的薄膜状的阻气材料层。
接着,以形成所述形状的封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体、以及保护材料13(第一保护构件13a及第二保护构件13b的层叠体)的方式,半切阻气材料层及封装材料层。即,以不切断剥离片11的方式,仅切断阻气材料层及封装材料层。此时,只要不切断剥离片11,则切口也可以进入到剥离片11。
然后,去除在半切时所生成的阻气材料层及封装材料层的多余部份,具体而言,去除封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体与保护材料13之间的部份、以及多个阻气性薄膜14及封装材料12的层叠体彼此之间的部份。由此,可获得在剥离片11的剥离面层叠有多个封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体、以及第一保护构件13a及第二保护构件13b的层叠体即保护材料13的电子元件封装用层叠片1B。
在通过上述制造方法而获得的电子元件封装用层叠片1B中,第一保护构件13a由与封装材料12相同的材料构成,第二保护构件13b由与阻气性薄膜14相同的材料构成。
作为电子元件封装用层叠片1B的制造方法并非限定于上述方法。例如,将构成封装材料12的材料,以形成所述形状的封装材料12及第一保护构件13a的方式涂布或印刷于剥离片11a的剥离面之后,在这些封装材料12及第一保护构件13a上,涂布或印刷构成阻气性薄膜14的材料,或者也可以粘贴构成阻气性薄膜14的薄膜。该方法中,保护材料13也可以通过涂布或印刷与构成封装材料12及阻气性薄膜14的材料不同的材料而形成。另外,例如,将构成封装材料12的材料,以形成所述形状的封装材料12的方式涂布或印刷于剥离片11a的剥离面,另一方面,也可以形成所述形状的保护材料13的方式涂布或印刷所希望的材料,或者粘贴粘着胶带。
(4)电子器件的制造
作为使用电子元件封装用层叠片1B而制造电子器件的方法,例如,能够例示以下方法。
如图10中的(a)所示,准备电子元件封装用层叠片1B,并且准备图10中的(b)所示的、在基材2上形成有多个电子元件3的结构。然后,如图10中的(b)所示,从剥离片11剥离封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体,并以使封装材料13接触到电子元件3的方式将上述层叠体叠加于电子元件3。
接着,如图10中的(c)所示,通过加热加压或真空层叠等,由上述封装材料12及阻气性薄膜14的层叠体来封装电子元件3。最后,按各电子元件3将基材2进行分割。由此,获得由封装材料12及阻气性薄膜14来封装电子元件3而成的电子器件。
上述封装材料12及阻气性薄膜14具有对应于电子元件3的形状,因此无需去除与电子元件3的端子部对应的部份的封装材料12及阻气性薄膜14就能够简化工序,并且,不会因去除操作而损伤电子元件3的端子部,且封装材料12或阻气性薄膜14不会残留于电子元件3的端子部。另外,将在基材2上被封装的多个电子元件3按各电子元件3进行分割时,也不会损伤封装材料12及阻气性薄膜14。另外,在电子元件封装用层叠片1B中,无需如电子元件封装用层叠片1A那样另外准备阻气性薄膜14或长尺寸的阻气性薄膜14’。从而,根据本实施方式的电子元件封装用层叠片1B,能够非常高效地制造可靠性高的电子器件。
以上电子元件封装用层叠片1A、1B能够应用于显示装置用模块、太阳能电池模块等通过封装电子元件而成的电子器件的制造中,也可以应用于作为形成电子元件的基材而使用树脂薄膜的柔性电子器件中。
以上说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的,并不是为了限定本发明而记载的。从而,上述实施方式中公开的各要素的主要内容也包括属于本发明的技术范围的所有设计变更或等同物。
工业实用性
本发明的电子元件封装用层叠片及电子器件的制造方法,例如在适合于制造通过封装有机EL元件等而成的显示装置用模块。
附图标记说明
1A、1B—电子元件封装用层叠片
11—剥离片
11a—第一剥离片
11b—第二剥离片
12—封装材料
13—保护材料
13a—第一保护构件
13b—第二保护构件
14—阻气性薄膜
14’—长尺寸的阻气性薄膜
2—基材
3—电子元件
4—阻气性薄膜层叠片
41—支撑片

Claims (19)

1.一种电子元件封装用层叠片,其特征在于,具备:
长尺寸的剥离片;
封装材料,其在所述长尺寸的剥离片上、多个层叠于彼此不同的位置,且具有与作为被封装件的电子元件对应的形状;以及
保护材料,其设置于所述长尺寸的剥离片的宽度方向两侧部,
所述封装材料设置于所述长尺寸的剥离片上的、与所述保护材料不同的位置。
2.根据权利要求1所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述保护材料的厚度与所述封装材料的厚度相同,或者比所述封装材料厚。
3.根据权利要求1所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述保护材料由与所述封装材料相同的材料构成。
4.根据权利要求1所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,在所述封装材料的、与所述剥离片侧相反的一侧,层叠具有与作为被封装件的电子元件对应的形状的阻气性薄膜。
5.根据权利要求4所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述保护材料的厚度与所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体的厚度相同,或者比所述层叠体厚。
6.根据权利要求4所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述保护材料由与所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体相同的材料构成。
7.根据权利要求1所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,在所述封装材料的、与所述剥离片侧相反的一侧,层叠有第二长尺寸的剥离片。
8.根据权利要求1所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述封装材料至少在所述长尺寸的剥离片的长度方向上设置有多个。
9.根据权利要求8所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述封装材料在所述长尺寸的剥离片的宽度方向上设置有多个。
10.根据权利要求1所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,作为被封装件的所述电子元件为有机EL元件。
11.根据权利要求1所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述封装材料由选自酸改性聚烯烃类树脂、硅烷改性聚烯烃类树脂、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以及橡胶类树脂的组中的至少一种构成。
12.根据权利要求4所述的电子元件封装用层叠片,其特征在于,所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体,在厚度50μm换算的、温度40℃、相对湿度90%RH的环境下的水蒸气透过率为20g/(m2·day)以下。
13.一种电子元件封装用层叠片的制造方法,其是权利要求3所述的电子元件封装用层叠片的制造方法,其特征在于,
在所述长尺寸的剥离片的一面,以与所述剥离片大致相同的大小,形成由构成所述封装材料的材料所构成的封装材料层;
将所述封装材料层进行半切,并去除多余的部份,以形成所述封装材料及所述保护材料。
14.一种电子元件封装用层叠片的制造方法,其是权利要求6所述的电子元件封装用层叠片的制造方法,其特征在于,
在所述长尺寸的剥离片的一面,以与所述剥离片大致相同的大小,将由构成所述封装材料的材料所构成的封装材料层和由构成所述阻气性薄膜的材料所构成的阻气材料层按该顺序层叠形成;
将所述阻气材料层及封装材料层进行半切,并去除多余的部份,以形成所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体、以及所述保护材料。
15.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
在权利要求1至3中任一项所述的电子元件封装用层叠片中的所述封装材料的与所述剥离片侧相反的一侧,层叠具有与作为被封装件的电子元件对应的形状的阻气性薄膜;
从所述剥离片剥离所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体;
以使所述封装材料接触到作为被封装件的电子元件的方式,将所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件。
16.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
将权利要求1至3中任一项所述的电子元件封装用层叠片中的所述封装材料叠加于作为被封装件的电子元件;
在任意阶段,从所述封装材料剥离所述剥离片;
在所述封装材料的与电子元件侧相反的一侧,层叠具有与作为被封装件的电子元件对应的形状的阻气性薄膜;
封装所述电子元件。
17.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
准备阻气性薄膜层叠片,该阻气性薄膜层叠片通过具有与作为被封装件的电子元件对应的形状的阻气性薄膜,以与权利要求1至3中任一项所述的电子元件封装用层叠片中的所述长尺寸的剥离片上的所述封装材料相同地排列,并多个层叠于长尺寸的支撑片上而成;
层叠所述电子元件封装用层叠片中的所述长尺寸的剥离片上的所述封装材料和所述阻气性薄膜层叠片中的所述长尺寸的支撑片上的所述阻气性薄膜;
从所述封装材料剥离所述剥离片;
以使所述封装材料接触到作为被封装件的电子元件的方式,将所述支撑片上的所述阻气性薄膜及所述封装材料的层叠体叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件;
在任意阶段,从所述阻气性薄膜剥离所述支撑片。
18.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
在权利要求1至3中任一项所述的电子元件封装用层叠片中的所述封装材料的与所述剥离片侧相反的一侧,层叠长尺寸的阻气性薄膜;
从所述封装材料剥离所述剥离片;
将所述长尺寸的阻气性薄膜上的所述封装材料叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件;
将所述长尺寸的阻气性薄膜切割成与所述电子元件对应的形状,并去除不需要的部份。
19.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
从所述剥离片剥离权利要求4至6中任一项所述的电子元件封装用层叠片中的所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体;
以所述封装材料接触到作为被封装件的电子元件的方式,将所述封装材料及所述阻气性薄膜的层叠体叠加于所述电子元件,并封装所述电子元件。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102597464B1 (ko) 2016-06-10 2023-11-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6804923B2 (ja) * 2016-10-17 2020-12-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106374055B (zh) * 2016-10-19 2019-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法
CN110709485B (zh) * 2017-05-31 2022-06-28 琳得科株式会社 片状粘接剂、阻气层叠体及密封体
JP7153034B2 (ja) * 2018-01-24 2022-10-13 リンテック株式会社 長尺積層シートおよびその巻収体
WO2019146604A1 (ja) * 2018-01-24 2019-08-01 リンテック株式会社 長尺積層シートの巻収体
EP3806579A4 (en) * 2018-05-30 2022-03-16 Lintec Corporation HEAT GENERATION SHEET
WO2020205917A1 (en) * 2019-04-01 2020-10-08 First Solar, Inc. Photovoltaic devices with encapsulation layers and systems and methods for forming the same
CN114822246A (zh) * 2022-04-02 2022-07-29 昆山国显光电有限公司 一种支撑模组
TWI823757B (zh) * 2023-01-18 2023-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN116100656B (zh) * 2023-03-28 2023-07-25 铜陵优必胜新材料科技有限公司 一种陶瓷片覆膜定型装置、生产线及定型方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102326449A (zh) * 2009-02-05 2012-01-18 株式会社日立工业设备技术 基板表面的封闭装置和有机el面板的制造方法
CN102593148A (zh) * 2011-01-04 2012-07-18 三星移动显示器株式会社 平板显示器装置和有机发光显示器装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5852896U (ja) * 1981-09-25 1983-04-09 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 電界発光灯の封止構体
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
JP4419012B2 (ja) 2002-09-27 2010-02-24 株式会社スリーボンド 有機el素子用封止材及び有機el素子の封止方法
JP4325248B2 (ja) * 2003-03-31 2009-09-02 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP3921482B2 (ja) 2004-07-28 2007-05-30 トッキ株式会社 有機el素子の製造装置並びに有機el素子
US7834543B2 (en) * 2007-07-03 2010-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same
JP5382119B2 (ja) * 2009-06-24 2014-01-08 三菱化学株式会社 有機電子デバイス及びその製造方法
JP2012089339A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Lintec Corp 封止用治具及びデバイス封止方法
TWI522438B (zh) * 2010-11-02 2016-02-21 Lg化學股份有限公司 黏著層及利用其封裝有機電子裝置之方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102326449A (zh) * 2009-02-05 2012-01-18 株式会社日立工业设备技术 基板表面的封闭装置和有机el面板的制造方法
CN102593148A (zh) * 2011-01-04 2012-07-18 三星移动显示器株式会社 平板显示器装置和有机发光显示器装置

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