CN106104765A - 晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及薄型晶片的制造方法 - Google Patents

晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及薄型晶片的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明是一种晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上，所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于，具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘着层，其积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘着层，其积层于该第二暂时粘着层上，并能够可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。由此，提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用它们的薄型晶片的制造方法，所述晶片加工体，暂时粘着和剥离较为容易，CVD耐受性优异，能够提高薄型晶片的生产率。

Description

晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及薄型晶片的制造 方法
技术领域
本发明涉及一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及薄型晶片的制造方法，所述晶片加工体可以有效获得薄型晶片。
背景技术
为了实现更进一步的高密度、大容量化，三维半导体安装是必不可少的。三维安装技术是指以下的半导体制造技术：将一个半导体芯片薄型化，再利用硅通孔(throughsilicon via，TSV)电极将此半导体芯片接线，并积层成多层。为了实现此项技术，需要以下步骤：通过磨削非电路形成面(也称为“背面”)，将形成有半导体电路的基板薄型化，进一步在背面上形成包含TSV的电极。以往，在硅基板的背面磨削步骤中，在磨削面的相反侧粘着有背面保护胶带，以防止磨削时损坏晶片。但是，所述胶带是将有机树脂薄膜用作支撑基材，虽然具有柔软性，但强度和耐热性不充分，并不适合实行TSV形成步骤和背面上的配线层形成步骤。
因此，提出一种系统，其是通过使半导体基板隔着粘着层接合于硅、玻璃等支撑体上，而可以充分耐受背面磨削、形成TSV和背面电极等步骤。此时，将基板接合于支撑体上时的粘着层非常重要。其需要充分的耐久性，以便能够将基板无缝接合于支撑体上，并耐受后续步骤，进一步要求最终能够从支撑体上简便地剥离薄型晶片。这样一来，从最终进行剥离这一点来看，在本说明书中，将所述粘着层称作暂时粘着层(或暂时粘着材料层)。
作为目前公知的暂时粘着层以及其剥离方法，提出以下技术：通过对包含光吸收性物质的粘着材料照射高强度的光分解粘着剂层，以便从支撑体上剥离粘着材料层(专利文献1)；以及，将热熔融性的烃系化合物用作粘着材料，并于加热熔融状态下进行接合、剥离(专利文献2)。前者的技术需要激光等高价装置，并存在每1片基板的处理时间变长等问题。并且，后者的技术由于仅通过加热即可控制，较为简便，但由于超过200℃的高温时的热稳定性不充分，因此适用范围较窄。进一步地，如果是这种暂时粘着层，也不适用于高段差基板形成均匀的膜厚以及对支撑体的完全粘着。
还提出了以下技术：将硅酮粘着剂用于暂时粘着层(专利文献3)。此技术是使用加成固化型硅酮粘着剂，将基板接合于支撑体上，剥离时浸渍于能够将硅酮树脂溶解或分解的药剂，将基板从支撑体上分离。因此，剥离需要很长的时间，难以应用于实际的制造工序中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-64040号公报；
专利文献2：日本特开2006-328104号公报；
专利文献3：美国专利第7541264号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是基于以上问题点而完成的，其目的在于，提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用所述晶片加工用暂时粘着材料而进行的薄型晶片的制造方法，容易暂时粘着，并且能够在高段差(台阶)基板上形成均匀的膜厚，适合形成TSV、晶片背面配线步骤，进一步地，在被称为化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)的晶片热工艺中的耐性(以下，有时称为“CVD耐性”)优异，易于剥离，能够提高薄型晶片的生产性。
解决问题的技术方案
为了解决上述课题，本发明提供一种晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上，所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于，具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：
第一暂时粘着层，其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘着层，其积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘着层，其积层于该第二暂时粘着层上，并能够可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。
而且，本发明提供一种晶片加工体，是在支撑体上形成有暂时粘着材料层，并且在暂时粘着材料层上积层有表面具有电路面且背面需加工的晶片而成，所述晶片加工体的特征在于，所述暂时粘着材料层具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：
第一暂时粘着层，其可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘着层，其积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘着层，其积层于该第二暂时粘着层上，并可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。
如果使用这种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料，晶片与支撑体的暂时粘着较容易，并且，能够在高段差基板上形成均匀的膜厚，适合形成TSV、晶片背面配线步骤，进一步地，在CVD等热工序中的耐受性也良好且剥离也容易，能够提高薄型晶片的生产率。
而且此时优选为，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)是一种组合物的固化物层，所述组合物含有：
(B-1)在1分子中具有2个以上链烯基的有机聚硅氧烷；
(B-2)在1分子中含有2个以上键结于硅原子上的氢原子(Si-H基)的有机氢聚硅氧烷：相对于所述(B-1)成分中的链烯基，(B-2)成分中的Si-H基的摩尔比是0.3～10的量；以及，
(B-3)铂类催化剂。
如果是这种热固化性硅氧烷聚合物层(B)，由于CVD耐受性更为优异，因而优选。
此时优选为，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)，进一步含有反应控制剂来作为(B-4)成分：相对于所述(B-1)及所述(B-2)成分的合计100质量份，所述反应控制剂为0.1～10质量份。
如果是这种热固化性硅氧烷聚合物层(B)，在加热固化前可以使处理液(组合物)不会发生增粘和凝胶化。
而且，此时优选为，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)的热固化后的宽度为25mm的试片的180°剥落剥离力为2gf以上且50gf以下。
如果是具有这种剥落剥离力的热固化性硅氧烷聚合物层(B)，由于晶片磨削时不用担心晶片会产生偏移且剥离较容易，因而优选。
进一步地，此时优选为，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)是一种组合物的固化物层，所述组合物，相对于具有由下述通式(1)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000，优选为10000～100000的100质量份的含硅氧烷键聚合物，作为交联剂，含有0.1～50质量份的选自下述任意1种以上：由甲醛或甲醛-乙醇改性而成的氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂；在1分子中平均具有2个以上羟甲基或烷氧羟甲基的苯酚化合物；以及，在1分子中平均具有2个以上环氧基的环氧化合物；
式(1)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；其中，A+B＝1；X是由下述通式(2)表示的2价有机基团；
式(2)中，Z是选自下述任一种的2价有机基团，
N是0或1；并且，R5、R6分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，可彼此相同或不同；k是0、1以及2中的任一种。
如果是这种热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)，由于耐热性更为优异，因而优选。
进一步地，此时优选为，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)是一种组合物的固化物层，所述组合物，相对于具有由下述通式(3)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000的100质量份的含硅氧烷键聚合物，作为交联剂，含有0.1～50质量份的选自下述任意1种以上：在1分子中平均具有2个以上的苯酚基的苯酚化合物以及在1分子中平均具有2个以上环氧基的环氧化合物；
式(3)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；其中，A+B＝1；进一步地，Y是由下述通式(4)表示的2价有机基团；
式(4)中，V是选自下述任一种的2价有机基团，
p是0或1；并且，R7、R8分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h是0、1、2中的任一种。
如果是这种热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)，由于耐热性更为优异，因而优选。
进一步本发明提供一种薄型晶片的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤(a)，隔着由用于上述本发明的晶片加工用暂时粘着材料中的所述非硅酮热塑性树脂层(A)、所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)以及所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成的暂时粘着材料层，将表面具有电路形成面及背面具有电路非形成面的晶片的所述电路形成面，接合于支撑体，此时，在形成于所述支撑体上的所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)上形成所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)之后，在真空下，对形成有该聚合物层(C)与(B)的支撑体以及形成有所述树脂层(A)的带电路晶片实施贴合；
步骤(b)，使所述聚合物层(B)和(C)热固化；
步骤(c)，对已与所述支撑体接合的所述晶片的电路非形成面进行磨削或研磨；
步骤(d)，对所述晶片的电路非形成面实施加工；以及，
步骤(e)，从所述支撑体上，剥离所述已实施加工的晶片。
如果是这种薄型晶片的制造方法，通过将由本发明中的3层体系构成的暂时粘着材料层，用于晶片与支撑体的接合，能够使用此暂时粘着材料层来容易制造具有通孔电极结构及凸块结构结构的薄型晶片。
发明效果
本发明中的暂时粘着材料层，具有3层结构，尤其是通过使用热固化性硅氧烷改性树脂(聚合物层(C))作为基板接合用支撑层，由于不仅不会产生树脂的热解，更不会产生200℃以上的高温时的树脂的流动，耐热性较高，因此，能够应用于广泛的半导体成膜工序，即便对于具有段差的晶片，仍能够形成膜厚均匀性较高的粘着材料层，由于此膜厚均匀性而可以容易获得50μm以下的均匀薄型晶片，进一步地，由于在制造薄型晶片后，可以在例如室温从支撑体将此晶片容易剥离，因此，能够容易地制造薄型晶片，所述薄型晶片容易碎裂。进一步地，本发明中，由于含有热固化性硅氧烷聚合物层(B)作为聚合物层(B)，因此，CVD耐受性更为优异。
附图说明
图1是表示本发明的晶片加工体的一个实例的剖面图。
具体实施方式
以下，更详细地说明本发明。
如上所述，需要一种晶片加工用暂时粘着材料，所述晶片加工用暂时粘着材料的暂时粘着较为容易，并且能够在高段差基板上形成均匀的膜厚，适合形成TSV、晶片背面配线步骤，并且在被称为CVD的晶片热工艺中的耐性优异，剥离也较容易，能够提高薄型晶片的生产性。
本发明人为了实现上述目的而努力研究，结果发现：在晶片与支撑体的接合中，通过使用由(A)、(B)、(C)这3层体系构成的暂时粘着材料层，作为从晶片侧按照(A)、(B)、(C)的顺序形成的结构，可以简单地制造出一种具有通孔电极结构和凸块连接结构的薄型晶片，其中，
所述3层体系是由下述粘着层组成：
由(A)非硅酮热塑性树脂层构成的热塑性暂时粘着层；
由(B)热固化性硅氧烷聚合物层构成的热固化性暂时粘着层；以及，
由(C)热固化性硅氧烷改性聚合物层构成的热固化性暂时粘着层。
图1是表示本发明的晶片加工体的一个实例的剖面图。如图1所示，本发明的晶片加工体具备：晶片(器件晶片)1，其表面具有电路面，且背面需加工；支撑体3，其在加工晶片1时支撑晶片1；以及，暂时粘着材料层2，其介于这些晶片1与支撑体3之间；并且，此暂时粘着材料层2由非硅酮热塑性树脂层(A)(第一暂时粘着层)、热固化性硅氧烷聚合物层(B)(第二暂时粘着层)以及热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)(第三暂时粘着层)的3层结构构成，第一暂时粘着层可剥离地粘着于晶片1的表面上，第三暂时粘着层可剥离地粘着于支撑体3上。
此外，本发明的晶片加工用暂时粘着材料由上述(A)、(B)和(C)的积层体构成。
以下，进一步详细说明本发明，但本发明并非限定于以下说明。
[暂时粘着材料层]
—第一暂时粘着层(A)/非硅酮热塑性树脂层(不含热塑性有机聚硅氧烷聚合物层)—
第一暂时粘着层(A)由不具有有机聚硅氧烷的热塑性树脂所构成。从对具有段差的硅晶片等的适用性来说，具有良好旋涂性的热塑性树脂，可以适用于形成第一暂时粘着层(A)的材料，尤其优选为玻璃化转变温度为-80～120℃左右的热塑性树脂，可以列举例如烯烃类热塑性弹性体、聚丁二烯类热塑性弹性体、苯乙烯类热塑性弹性体、苯乙烯/丁二烯类热塑性弹性体以及苯乙烯/聚烯烃类热塑性弹性体等，尤其适合为耐热性优异的氢化聚苯乙烯类弹性体。具体来说可以列举：Tuftec(商品名：旭化成化学股份有限公司(AsahiKasei Chemicals，Co.,Ltd.))、ESPOLEX SB系列(商品名：住友化学股份有限公司(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.))、RABALON(商品名：三菱化学股份有限公司(MitsubishiChemical Corporation))、Septon(商品名：可乐丽股份有限公司(Kurary CO.,Ltd.))以及DYNARON(商品名：JSR股份有限公司(JSR Corporation))等。此外可以列举以ZEONEX(商品名：日本瑞翁股份有限公司(Zeon Corporation))为代表的环烯烃聚合物及以TOPAS(商品名：日本宝理股份有限公司(POLYPLASTICS CO.,LTD.))为代表的环烯烃共聚物。
如上所述，非硅酮热塑性树脂层(A)优选为非硅酮热塑性弹性体。
如果是这种材料，由于在制造薄型晶片后，能够容易地将此晶片从支撑体上剥离，因此，能够更容易地处理易碎裂的薄型晶片。
将此非硅酮热塑性树脂层，溶解于溶剂，并利用旋涂和喷涂等方法，形成在硅晶片等半导体基板等上。作为溶剂，可以列举烃类溶剂，优选为，壬烷、对薄荷烷(p-menthane)、蒎烯(pinene)以及异辛烷等，但从其涂布性来说，更优选为壬烷、对薄荷烷以及异辛烷。此时，所形成的膜厚并无限制，但期望为结合其基板上的段差而形成树脂被膜，适合为0.5微米～50微米，进一步优选为形成0.5～10μm的膜厚。此外，对此热塑性树脂，可以添加抗氧化剂以提高其耐热性，可以添加表面活性剂以提高涂布性。作为抗氧化剂的具体例，适合使用二叔丁基苯酚等。作为表面活性剂的一个实例，适合使用氟硅类表面活性剂X-70-1102(信越化学工业股份有限公司(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)制)等。
—第二暂时粘着层(B)/热固化性硅氧烷聚合物层(热固化性硅酮聚合物层)—
本发明的晶片加工体和晶片加工用暂时粘着材料的构成要素也就是热固化性硅氧烷聚合物层(B)没有特别限制，由热固化性的硅氧烷聚合物构成即可。优选为例如，含有下述(B-1)～(B-3)成分并且根据需要含有(B-4)成分的组合物的固化物层。
(B-1)在1分子中具有2个以上链烯基的有机聚硅氧烷；
(B-2)在1分子中含有2个以上键结于硅原子上的氢原子(Si-H基)的有机氢聚硅氧烷：相对于(B-1)成分中的链烯基，(B-2)成分中的Si-H基的摩尔比是0.3～10的量；以及，
(B-3)铂类催化剂。
此时优选为，热固化性硅氧烷聚合物层(B)，进一步含有反应控制剂来作为(B-4)成分：相对于(B-1)和(B-2)成分的合计100质量份，所述反应控制剂为0.1～10质量份。
以下，对各成分进行说明。
[(B-1)成分]
(B-1)成分，是在1分子中具有2个以上链烯基的有机聚硅氧烷。(B-1)成分优选为，在1分子中含有2个以上的链烯基的直链状或支链状的二有机聚硅氧烷。尤其是优选为，在1分子中含有0.3～10mol％，尤其是0.6mol％(链烯基摩尔数/Si摩尔数)～9mol％的链烯基的二有机聚硅氧烷。
作为这种二有机聚硅氧烷，具体来说，可以列举由下述式(5)和/或(6)表示的二有机聚硅氧烷。
R9 (3-a)XaSiO-(R9XSiO)m-(R9 2SiO)n-SiR9 (3-a)Xa…(5)
R9 2(HO)SiO-(R9XSiO)m+2-(R9 2SiO)n-SiR9 2(OH)…(6)
式(5)、式(6)中，R9各自独立为不具有脂肪族不饱和键的1价烃基，X各自独立为含链烯基的1价有机基团，a是0～3的整数。此外，式(5)中，2a+m是在1分子中的链烯基的含量为0.3～10mol％的数。式(6)中，m+2是在1分子中的链烯基的含量为0.3～10mol％的数。m是0或10以下的正数，n是1～1000的正数。
上述式(5)、式(6)中，作为R9，优选为碳原子数1～10的1价烃基，可以举例：甲基、乙基、丙基及丁基等烷基；环己基等环烷基；以及，苯基、甲苯基等芳基等；尤其优选为甲基等烷基、或苯基。
X也就是含链烯基1价有机基团，优选为碳原子数2～10的有机基团，可以列举：乙烯基、烯丙基、己烯基以及丁烯基等链烯基；丙烯酰基丙基、丙烯酰基甲基以及甲基丙烯酰基丙基等(甲基)丙烯酰基烷基；丙烯酰氧基丙基、丙烯酰氧基甲基、甲基丙烯酰氧基丙基、甲基丙烯酰氧基甲基等(甲基)丙烯酰氧基烷基；以及，环己烯基乙基、乙烯氧丙基等含链烯基1价烃基；工业上，尤其优选为乙烯基。
上述通式(5)中，a是0～3的整数，如果a是1～3，由于分子链末端由链烯基封端，因此，利用反应性较好的此分子链末端链烯基，能够在短时间内完成反应，因而优选。进一步地，从成本方面考虑，工业上优选为a＝1。含有此链烯基的二有机聚硅氧烷的性状，优选为油状或生胶状。此含有链烯基的二有机聚硅氧烷可以是直链状也可以是支链状。
[(B-2)成分]
(B-2)成分是交联剂，是在1分子中含有2个以上键结于硅原子上的氢原子(Si-H基)的有机氢聚硅氧烷。(B-2)成分是在1分子中至少具有2个、优选为3个以上键结于硅原子上的氢原子(SiH基)的有机氢聚硅氧烷，可以使用直链状、支链状、或环状的有机氢聚硅氧烷。
(B-2)成分的有机氢聚硅氧烷在25℃中的粘度，优选为1～5000mPa.s，进一步优选为5～500mPa.s。此有机氢聚硅氧烷也可以是2种以上的混合物。
(B-2)成分是按照以下方式来调配，也就是(B-2)成分中的Si-H基相对于(B-1)成分中的链烯基的摩尔比(SiH基/链烯基)为0.3～10，尤其优选为1.0～8.0的范围。如果此SiH基与链烯基的摩尔比是0.3以上，交联密度不会变低，也不会发生粘着剂层不固化等问题。如果是10以下，交联密度也不会变得过高，可以获得充分的粘着力和粘性。此外，如果上述的摩尔比是10以下，可以延长处理液的可使用时间。
[(B-3)成分]
(B-3)成分是铂类催化剂(也就是，铂族金属催化剂)，可以列举例如：氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、氯铂酸与乙醇的反应物、氯铂酸与烯烃化合物的反应物以及氯铂酸与含乙烯基硅氧烷的反应物等。
(B-3)成分的添加量为有效量，通常相对于(B-1)和(B-2)的合计(含有下述所示的(B-4)成分时，(B-1)、(B-2)和(B-4)的合计)，铂的分量(质量换算)为1～5000ppm，优选为5～2000ppm。如果是1ppm以上，组合物的固化性不会降低，交联密度不会降低，保持力也不会降低。如果是0.5％以下，可以延长处理浴的可使用时间。
[(B-4)成分]
(B-4)成分是反应控制剂，是为了在调和组合物并涂布至基材时，避免在加热固化前产生处理液增粘和凝胶化而根据需要任意添加的成分。
作为具体例，可以列举3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、1-乙炔环己醇、3-甲基-3-三甲基硅氧基-1-丁炔、3-甲基-3-三甲基硅氧基-1-戊炔、3,5-二甲基-3-三甲基硅氧基-1-己炔、1-乙炔-1-三甲基硅氧基环己烷、双(2,2-二甲基-3-丁炔醇)二甲基硅烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷以及1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙烯基二硅氧烷等，优选为1-乙炔环己醇以及3-甲基-1-丁炔-3-醇。
当组合物中含有(B-4)成分时，其调配量优选为，相对于(B-1)和(B-2)成分的合计100质量份，为0.1～10质量份。更优选为0.1～8.0质量份，尤其优选为0.1～2.0质量份。如果是10质量份以下，硅酮粘着剂组合物的固化性不会降低；而如果是0.1质量份以上，会充分发挥反应控制的效果。
此外，也可以在热固化性硅氧烷聚合物层(B)中添加聚有机硅氧烷，所述聚有机硅氧烷含有R10 3SiO0.5单元(式中，R10独立为碳原子数1～10的取代或未被取代的一价烃基)和SiO2单元，且R10 3SiO0.5单元/SiO2单元的摩尔比为0.3～1.8。作为添加量，优选为热固化性硅氧烷聚合物层(B)中的(B-1)成分的0～30质量％。
热固化性硅氧烷聚合物层(B)，可以利用旋涂、滚压涂布机等方法，在形成于支撑体上的未固化的热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)上，形成其溶液来使用。当利用旋涂等方法，将热固化性硅氧烷聚合物层(B)形成在积层于支撑体上的热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)上时，优选为将聚合物层(B)以溶液的形式涂布，但此时，适合使用戊烷、己烷、环己烷、异辛烷、壬烷、癸烷、对薄荷烷、蒎烯、异十二烷以及苎烯等烃类溶剂。而且，还可以对此聚合物层(B)的溶液添加公知的抗氧化剂，以提高耐热性。
而且优选为，热固化性硅氧烷聚合物层(B)，其以膜厚0.1～30μm，优选为1.0～15μm之间形成并使用。如果膜厚是0.1μm以上，当涂布至热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)上时，可以整体涂布而不会产生无法涂布的部分。另一方面，如果膜厚是30μm以下，可以经受得住形成薄型晶片时的磨削步骤。另外，可以对此热固化性硅氧烷聚合物层(B)，相对于聚合物层(B)100质量份，添加50质量份以下的氧化硅等填料，以进一步提高耐热性。
此外，热固化性硅氧烷聚合物层(B)，其热固化后的宽度为25mm的试片(例如，聚酰亚胺试片)的180°剥落剥离力通常为2gf以上且50gf以下，优选为3gf以上且30gf以下，进一步优选为5gf以上且20gf以下。如果是2gf以上，在磨削晶片时，不用担心晶片会产生偏移；而如果是50gf以下，由于容易剥离晶片，因而优选。
—第三暂时粘着层(C)/热固化性硅氧烷改性聚合物层—
本发明的晶片加工体和晶片加工用暂时粘着材料的构成要素也就是热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)没有特别限制，是热固化性硅氧烷改性聚合物层即可，但优选为以由下述通式(1)或者(3)表示的热固化性硅氧烷改性聚合物作为主要成分的热固化性组合物的固化物的层。
通式(1)的聚合物(酚性硅氧烷聚合物)：
具有由下述通式(1)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000，优选为10000～100000的含硅氧烷键聚合物；
式(1)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；X是由下述通式(2)表示的2价有机基团；
此时，其中，A+B＝1；并且，优选为A是0～0.9，B是0.1～1，而且添加A时，优选为A是0.1～0.7，B是0.3～0.9；
式(2)中，Z是选自下述任一种的2价有机基团，
N是0或1；并且，R5、R6分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k是0、1、2中的任一种。
此时，作为R1～R4的具体例，可以列举甲基、乙基以及苯基等，m优选为3～60，更优选为8～40的整数。此外，B/A是0～20，尤其是0.5～5。
通式(3)的聚合物(环氧改性硅氧烷聚合物)：
具有由下述通式(3)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000的含硅氧烷键聚合物；
式(3)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；进一步地，Y是由下述通式(4)表示的2价有机基团；
此时，其中，A+B＝1；并且，优选为A是0～0.9，B是0.1～1，而且添加A时，优选为A是0.1～0.7，B是0.3～0.9；
式(4)中，V是选自下述任一种的2价有机基团，
p是0或1；并且，R7、R8分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h是0、1、2中的任一种。
此时，R1～R4、m的具体例与上述通式(1)相同。
以上述通式(1)或(3)的热固化性硅氧烷改性聚合物作为主要成分的热固化性组合物，为了进行其热固化，在通式(1)的酚性硅氧烷聚合物的情况下，含有选自下述任意1种以上交联剂：由甲醛或甲醛-乙醇改性而成的氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂；在1分子中平均具有2个以上羟甲基或烷氧羟甲基的苯酚化合物；以及，在1分子中平均具有2个以上环氧基的环氧化合物。
这里，作为由甲醛或甲醛-乙醇改性而成的氨基缩合物、三聚氰胺树脂以及尿素树脂，可以列举以下组合物。例如，可以将由甲醛或甲醛-乙醇改性而成的三聚氰胺树脂(缩合物)、改性三聚氰胺单体(例如三甲氧基甲基单羟甲基三聚氰胺)、或它们的多聚物(例如二聚物、三聚物等低聚物)按照公知的方法，与甲醛进行加成缩聚，直至成为所需分子量。另外，可以混合使用它们中的1种或2种以上。
此外，由甲醛或甲醛-乙醇改性的尿素树脂(缩合物)的制备，例如可按照公知的方法，利用甲醛对所需分子量的尿素缩合物进行羟甲基化来改性，或用乙醇进一步进行烷氧化来改性。作为由甲醛或甲醛-乙醇改性的尿素树脂的具体例，可以列举例如：甲氧基甲基化尿素缩合物、乙氧基甲基化尿素缩合物以及丙氧基甲基化尿素缩合物等。另外，可以混合使用它们中的1种或2种以上。
此外，作为在1分子中平均具有2个以上羟甲基或烷氧羟甲基的苯酚化合物，可以列举例如(2-羟基-5-甲基)-1,3-苯二甲醇以及2,2’,6,6’-四甲氧基甲基双酚A等。另外，可以混合使用这些苯酚化合物的1种或2种以上。
另一方面，在通式(3)的环氧改性硅氧烷聚合物的情况下，作为交联剂，含有下述中的任1种以上：在1分子中平均具有2个以上环氧基的环氧化合物、或在1分子中平均具有2个以上的苯酚基的苯酚化合物。
这里，作为用于通式(1)和(3)的具有多官能环氧基的环氧化合物，并无特别限制，尤其是双官能、三官能以及四官能以上的多官能环氧树脂，可以含有例如日本化药股份有限公司(Kayaku Co.,Ltd.)制造的EOCN-1020、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000(商品名)以及如下述的交联剂。
在上述通式(3)的环氧改性硅氧烷聚合物的情况下，作为热固化性硅氧烷改性聚合物的交联剂，可以列举：间类甲酚酚醛清漆树脂、对类甲酚酚醛清漆树脂，例如旭有机材工业(ASAHI YUKIZAI CORPORATION)制造的EP-6030G(商品名)；三官能苯酚化合物，例如本州化学(Honshu Chemical Industry Co.,Ltd.)制造的Tris-P-PA(商品名)；以及，四官能性苯酚化合物，例如旭有机材工业制造的TEP-TPA(商品名)等。
相对于热固化性硅氧烷改性聚合物100质量份，交联剂的调配量为0.1～50质量份，优选为0.1～30质量份，进一步优选为1～20质量份，还可以混合调配2种或3种以上。
此外，相对于热固化性硅氧烷改性聚合物100质量份，还可以含有10质量份以下的酸酐等固化催化剂。
此外，也可将此组合物(热固化性硅氧烷改性聚合物)溶解于溶液，并利用涂布，具体来说为旋涂、滚压涂布机及模具涂布等方法，形成于支撑体上。此时，可以列举例如：环己酮、环戊酮、甲基-2-正戊基甲酮等甲酮类；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等醇类；丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚等醚类；以及，丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸叔丁酯、丙酸叔丁酯、丙二醇单叔丁醚乙酸酯以及γ-丁内酯等酯类等；可以单独使用其中1种，或并用2种以上。
另外，为了进一步提高耐热性，还可以相对于热固化性硅氧烷改性聚合物100质量份，添加50质量份以下的公知的抗氧化剂、氧化硅等填料。进一步地，为了提高涂布均匀性，还可以添加表面活性剂。
作为可以添加至聚合物层(C)中的抗氧化剂的具体例，可以列举四[亚甲基-(3,5-二-叔丁基-4-羟基氢化桂皮酸)]甲烷(Tetrakis[methylene(3,5-di-t-butyl-4-hydrocinnamate)]methan)(商品名：Adekastab AO-60)等受阻酚类化合物。
根据晶片侧的段差，由上述的热固化性硅氧烷改性聚合物构成的热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)在固化时，膜厚优选为15～150μm，进一步优选为20～120μm来成膜。如果膜厚是15μm以上，可以充分经受得住晶片薄型化的磨削步骤；而如果是150μm以下，由于在TSV形成步骤等热处理步骤中，不用担心树脂发生变形，可以经受得住实际使用，因而优选。
[薄型晶片的制造方法]
本发明的薄型晶片的制造方法的特征在于，使用含有非硅酮热塑性树脂层(A)、热固化性硅氧烷聚合物层(B)与热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)的3层的复合暂时粘着材料层，来作为具有半导体电路等的晶片与支撑体的粘着层。利用本发明的制造方法所获得的薄型晶片的厚度，典型的是5～300μm，更典型的是10～100μm。
本发明的薄型晶片的制造方法具有步骤(a)～(e)。此外，根据需要，还具有步骤(f)～(i)。
[步骤(a)]
步骤(a)为以下步骤：隔着由用于上述本发明的晶片加工用暂时粘着材料中的非硅酮热塑性树脂层(A)、热固化性硅氧烷聚合物层(B)以及热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成的暂时粘着材料层，将表面具有电路形成面及背面具有电路非形成面的晶片的电路形成面接合于支撑体上，此时，在形成于支撑体上的热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)上形成热固化性硅氧烷聚合物层(B)之后，在真空下，对形成有此聚合物层(C)与(B)的支撑体以及形成有树脂层(A)的带电路晶片实施贴合。
具有电路形成面及电路非形成面的晶片，是一面为电路形成面，另一面为电路非形成面的晶片。本发明可应用的晶片通常是半导体晶片。作为该半导体晶片的一个实例，除了硅晶片，还可以列举锗晶片、镓-砷晶片、镓-磷晶片以及镓-砷-铝晶片等。该晶片的厚度并无特别限制，典型的是600～800μm，更典型的是625～775μm。
作为支撑体，没有任何限制，可以使用硅晶片、玻璃板和石英晶片等基板。本发明中，不需要隔着支撑体对暂时粘着材料层照射辐射能线，支撑体可以不具备透光性。
暂时粘着层(A)、(B)和(C)可以分别以薄膜的形式形成于晶片和支撑体上，或者可以通过利用旋涂、滚压涂布机等方法将各自的溶液形成于晶片和支撑体上。此时，在旋涂后，根据其溶剂的挥发条件，以80～200℃，优选为以100～180℃的温度，预先进行预焙后，以供使用。
形成有暂时粘着层(A)层、(B)层与(C)层的晶片及支撑体，是以隔着(A)、(B)和(C)层被接合的基板的形式而形成。此时，优选为以40～200℃，更优选为以60～180℃的温度范围，在此温度进行减压，将此基板均匀压接，从而形成由晶片与支撑体接合的晶片加工体(积层体基板)。
作为晶片贴合装置，可以列举市售的晶片接合装置，例如EVG公司的EVG 520IS、850TB；以及SUSS公司的XBC300等。
[步骤(b)]
步骤(b)是使聚合物层(B)和(C)热固化的步骤。在形成上述晶片加工体(积层体基板)后，以120～220℃，优选为以150～200℃加热10分钟～4小时，优选为加热30分钟～2小时，来进行聚合物层(B)和(C)的固化。
[步骤(c)]
步骤(c)是对已与支撑体接合的晶片的电路非形成面进行磨削或研磨的步骤，即对步骤(a)中贴合而得的晶片加工体的晶片背面侧进行磨削，使该晶片的厚度变薄。晶片背面的磨削加工的方式并无特别限制，是采用公知的磨削方式。优选为一边泼水冷却晶片与磨石(金刚石等)一边进行磨削。作为磨削加工晶片背面的装置，可以列举例如股份有限公司迪思科(DISCO Corporation)制造的DAG-810(商品名)等。而且，还可以化学机械磨削(chemical mechanical polishing，CMP)晶片背面侧。
[步骤(d)]
步骤(d)是对磨削了电路非形成面的晶片加工体，也就是对利用背面磨削而薄型化的晶片加工体的电路非形成面实施加工的步骤。此步骤中包括晶片水平所使用的各种工序。作为一个实例，可以列举电极形成、金属配线形成及保护膜形成等。更具体来说，可以列举以往公知的工序：用于形成电极等的金属溅镀、蚀刻金属溅镀层的湿式蚀刻、通过对用于作为形成金属配线的掩膜的抗蚀剂进行涂布、曝光以及显影而形成图案、抗蚀剂的剥离、干式蚀刻、金属电镀的形成、用于形成TSV的硅蚀刻、硅表面的氧化膜形成等。
[步骤(e)]
步骤(e)是从支撑体将已在步骤(d)中实施了加工的晶片加以剥离的步骤，即对薄型化了的晶片实施了各种加工后，在切割之前将晶片从支撑体上剥离。此剥离步骤可以列举以下方法：一般在室温至60℃左右的较低温条件下实施，将晶片加工体的晶片或支撑体中的一个水平固定，将另一个与水平方向成一定角度地抬起；以及，在磨削后的晶片的磨削面上粘贴保护薄膜，通过剥落方式将晶片与保护薄膜从晶片加工体上剥离等。
可以对本发明应用这些剥离方法中的任一种。当然不限定于上述方法。这些剥离方法通常是在室温下实施。
此外优选为，将已实施上述(e)加工的晶片从支撑体上剥离的步骤，包含以下步骤：
(f)在已实施加工的晶片的晶片面上粘着切割胶带；
(g)将切割胶带面真空吸附于吸附面；以及，
(h)在吸附面的温度为10℃～100℃的温度范围内，利用撕拉(peal off)的方式，将支撑体从已实施加工的晶片剥离。这样一来，可以容易地将支撑体从已实施加工的晶片剥离，而且，可以容易进行后续切割步骤。
此外，在将实施了上述(e)加工的晶片从支撑体上剥离的步骤之后，优选为进行步骤(i)，去除已剥离的晶片的电路形成面上残存的暂时粘着材料层。在利用步骤(e)而从支撑体上剥离的晶片的电路形成面上，会残存部分暂时粘着层(A)，该暂时粘着层(A)的去除，可以利用例如清洗晶片来进行。
在此步骤(i)中，如果是溶解暂时粘着材料层中的(A)层也就是非硅酮热塑性树脂层的清洗液，就都可以使用，具体来说可以列举：戊烷、己烷、环己烷、癸烷、异壬烷、对薄荷烷、蒎烯、异十二烷以及苎烯等。这些溶剂，可以单独使用1种或组合2种以上使用。此外，难以去除时，可以向上述溶剂中添加碱类以及酸类。作为碱类的一个实例，可以使用：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、胺等氨类；以及，氢氧化四甲铵等铵盐类。作为酸类，可以使用：乙酸、草酸、苯磺酸及十二烷基苯磺酸等有机酸。添加量按照清洗液中浓度为0.01～10质量％，优选为0.1～5质量％。此外，为了提高残存物的去除性，还可以添加现有的表面活性剂。作为清洗方法，可以使用上述液体并利用搅棒进行清洗，利用喷雾器喷雾的方式来清洗，或浸渍于清洗液槽。适宜的温度为10～80℃，优选为15～65℃，必要时，可以通过在用这些溶解液来溶解(A)层后，最终进行水洗或用乙醇进行冲洗，进行干燥处理，来获得薄型晶片。
[实施例]
以下，示出实施例和比较例，更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。
[树脂合成例1]
向具备搅拌机、温度计、氮取代装置以及回流冷却器的烧瓶内，装入9,9’-双(3-丙烯基-4-羟基苯)芴(M-1)43.1g、由平均结构式(M-3)表示的有机氢硅氧烷29.5g、甲苯135g以及氯铂酸0.04g，升温至80℃。然后，经1小时将1,4-双(二甲基硅烷基)苯(M-5)17.5g滴入烧瓶内。此时，烧瓶内温度上升至85℃。滴入完成后，进一步以80℃熟化2小时后，馏去甲苯，并添加环己酮80g，获得以树脂固体成分浓度50质量％的环己酮作为溶剂的树脂溶液。利用GPC测定此溶液的树脂分的分子量，以聚苯乙烯换算，重量平均分子量为45000。进一步地，向此树脂溶液50g中，添加7.5g的环氧交联剂EOCN-1020(商品名：日本化药股份有限公司制造)作为交联剂，添加0.2g的和光纯药工业股份有限公司(Wako Pure ChemicalIndustries,Ltd)制造的BSDM(商品名：双(叔丁基磺酰基)重氮甲烷)作为固化催化剂，进一步添加0.1g的四[亚甲基-(3,5-二-叔丁基-4-羟基氢化桂皮酸)]甲烷(商品名：AdekastabAO-60)作为抗氧化剂，利用1μm的膜滤器进行过滤，获得树脂溶液(C-1)。
[树脂合成例2]
向具备搅拌机、温度计、氮取代装置以及回流冷却器的5L烧瓶内，将环氧化合物(M-2)84.1g溶解于甲苯600g后，加入化合物(M-3)294.6g、化合物(M-4)25.5g，加温至60℃。然后，投入碳载铂催化剂(5质量％)1g，确认内部反应温度升温至65～67℃后，进一步地，升温至90℃，熟化3小时。接着冷却至室温后，加入甲基异丁基酮(methyl isobutyl ketone，MIBK)600g，利用过滤器将本反应溶液进行加压过滤，来去除铂催化剂。将此树脂溶液中的溶剂减压馏去，并添加丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene glycol monomethyl etheracetate，PGMEA)270g，获得以固体成分浓度60质量％的PGMEA作为溶剂的树脂溶液。利用GPC测定此树脂溶液中的树脂的分子量后，以聚苯乙烯换算，重量平均分子量为28000。进一步地，向此树脂溶液100g中，添加四官能苯酚化合物TEP-TPA(商品名：旭有机材工业制造)9g、四氢苯酐(新日本理化股份有限公司(New Japan Chemical co.,ltd.)制造，RIKACIDHH-A(商品名))0.2g，利用1μm的膜滤器进行过滤，获得树脂溶液(C-2)。
[树脂溶液制造例1]
将氢化聚苯乙烯类热塑性树脂Septon 4033(商品名：可乐丽股份有限公司制造)24g溶解于异壬烷176g中，获得12质量百分比的Septon 4033的异壬烷溶液。将所获得的溶液利用0.2μm的膜滤器进行过滤，获得非硅酮热塑性树脂的异壬烷溶液(A-1)。
[树脂溶液制造例2]
向由80质量份的分子侧链具有0.5摩尔％的乙烯基且数平均分子量(Mn)为3万的聚二甲基硅氧烷和400质量份的异十二烷所组成的溶液中，添加并混合由下述式(M-6)表示的有机氢聚硅氧烷3.0份和乙炔环己醇0.7份。进一步地，添加铂催化剂CAT-PL-5(商品名：信越化学工业股份有限公司制造)0.5份，利用0.2μm的膜滤器进行过滤，获得热固化性硅氧烷聚合物溶液(B-1)。
[树脂溶液制造例3]
向由60质量份的分子侧链具有0.5摩尔％的乙烯基且数平均分子量(Mn)为3万的聚二甲基硅氧烷、20质量份的两末端链具有0.15摩尔％的乙烯基且数平均分子量(Mn)为6万的聚二甲基硅氧烷以及400质量份的异十二烷所组成的溶液中，添加并混合由(M-6)表示的有机氢聚硅氧烷2.5份和乙炔环己醇0.7份。进一步地，添加铂催化剂CAT-PL-5(商品名：信越化学工业股份有限公司制造)0.5份，利用0.2μm的膜滤器进行过滤，获得热固化性硅氧烷聚合物溶液(B-2)。
[树脂溶液制造例4]
向80质量份的由两末端及侧链具有5摩尔％的乙烯基且数平均分子量(Mn)为3万的聚二甲基硅氧烷和400质量份的异十二烷所组成的溶液中，添加并混合由(M-6)表示的有机氢聚硅氧烷7.5份和乙炔环己醇0.7份。进一步地，添加铂催化剂CAT-PL-5(商品名：信越化学工业股份有限公司制造)0.5份，利用0.2μm的膜滤器进行过滤，获得热固化性硅氧烷聚合物溶液(B-3)。
[比较合成例1]
在四口烧瓶中，在900份的甲苯中溶解：90份的由下述式(7)表示的分子链两末端由羟基封端的生胶状二甲基聚硅氧烷，且其30％甲苯溶液在25℃中的粘度为98000mPa.s；以及，10份的由0.75摩尔的(CH3)3SiO1/2单元与1摩尔的SiO4/2单元的比例所组成且在固体部分100份中含有1.0摩尔％的羟基的甲基聚硅氧烷树脂。向所获得的溶液中，添加1份28％的氨水，在室温搅拌24小时后进行缩合反应。接下来，在减压状态下加热至180℃，去除甲苯、缩合水以及胺等，获得固化后的部分缩合物。向此100份的部分缩合物中，加入900份的甲苯，并使其溶解。向此溶液中加入20份六甲基二硅氮烷，以130℃搅拌3小时以将残存的羟基封端。接着，在减压状态下加热至180℃，去除溶剂等，获得固化后的非反应性部分缩合物。进一步地，向100份的上述非反应性部分缩合物中，加入900份己烷并使其溶解后，将其投入2000份的丙酮中，回收析出的树脂，然后，在真空下去除己烷等，获得分子量740以下的低分子量成分为0.05质量％且重量平均分子量为900000的二甲基聚硅氧烷聚合物。
将此聚合物20g溶解于异十二烷80g，利用0.2μm的膜滤器进行过滤，获得二甲基聚硅氧烷聚合物的异十二烷溶液(D-1)。
[实施例1～3及比较例1]
向整个表面上形成有高度10μm且直径40μm的铜柱(copper post)的直径200mm硅晶片(厚度：725μm)上进行旋涂后，利用加热板，以180℃加热5分钟，由此将与(A)层相对应的材料按照表1所示的膜厚，成膜于晶片凸块形成面上。另一方面，将直径200mm(厚度：500μm)的玻璃板作为支撑体，首先将相当于(C)层的聚合物溶液，旋涂于此支撑体上，并利用加热板仍然以150℃加热5分钟，由此按照表1中所述的膜厚，形成于玻璃支撑体上。然后，将相当于(B)层的热固化性硅氧烷聚合物的溶液，仍然旋涂于形成于玻璃支撑体上的(C)层上，由此按照表1中的膜厚来形成。进一步然后，在加热板上以150℃加热3分钟。这样一来，在真空贴合装置内，按照表1所示的条件，分别以树脂面相合的方式，将由具有此非硅酮热塑性树脂层(A)的硅晶片和由热固化性硅氧烷改性聚合物层构成的(C)层，与在该(C)层上具有(B)层的玻璃板贴合，来制造晶片加工体。
另外，这里，为了以目测来判别基板粘着后的异常，使用玻璃板来作为支撑体，但也可以使用晶片等不透光的硅基板。
然后，对此接合后的基板进行下述试验，将实施例及比较例的结果示于表1。此外，按照下述的顺序实施评价。
—粘着性试验—
200mm的晶片接合是使用EVG公司的晶片接合装置EVG 520IS(型号)来进行。接合温度为表1所述的值，按照接合时的腔室内压力为10-3mbar以下，载荷为5kN来实施。接合后，先暂时使用烤炉以180℃加热基板1小时，实施(B)层及(C)层的固化后，冷却至室温，以目测确认后续界面的粘着状况，当界面上未发生气泡等异常时评价为良好并标示为“○”；当发生异常时评价为不良并标示为“×”。
—背面磨削耐受性试验—
在磨床(DISCO股份有限公司制造，DAG 810(型号))上利用金刚石磨石对硅晶片的背面进行磨削。最后将基板厚度磨至50μm后，利用光学显微镜(100倍)来检查有无裂纹、剥离等异常。当未发生异常时评价为良好并标示为“○”；当发生异常时评价为不良并标示为“×”。
—CVD耐受性试验—
将硅晶片经过背面磨削后的加工体导入CVD装置，进行2μm的SiO2膜的生成实验，检查此时有无外观异常。当外观未发生异常时评价为良好并标示为“○”；当发生空隙、晶片鼓起、晶片破损等外观异常时评价为不良并标示为“×”。CVD耐受性试验的条件，如下所示。
装置名：等离子体CVD PD270STL(SAMCO股份有限公司制造)
RF500W、内压40Pa
TEOS(商品名：正硅酸乙酯)：O2＝20sccm：680sccm
—剥离性试验—
利用以下方法来评价支撑体的剥离性。首先，使用切割框(dicing frame)，向完成CVD耐受性试验后薄型化至50μm的晶片侧粘贴切割胶带，通过真空吸附将此切割胶带面配置于吸附板上。然后，在室温下，通过利用镊子将玻璃基板的1点抬起，来剥离玻璃基板。当可以在不破坏的前提下使50μm的晶片剥离时标示为“○”；当发生破坏等异常时评价为不良并标示为“×”。
—清洗去除性试验—
对于上述剥离性试验结束后的隔着切割胶带装配于切割框上的200mm晶片(暴露于CVD耐受性试验条件)，使粘着层朝上地配置于旋涂机，将对薄荷烷作为清洗溶剂喷雾5分钟后，一边让晶片旋转，一边喷雾异丙酮(isopropyl alcohol；IPA)来进行冲洗。然后，观察外观，以目测核对有无残存的粘着材料树脂。当看不到树脂残存时评价为良好并标示为“○”；当看到树脂残存时评价为不良并标示为“×”。
—剥落剥离力试验—
对直径200mm硅晶片(厚度：725μm)旋涂后，利用加热板，以150℃加热5分钟，由此将与(A)层相对应的材料按照表1所示的膜厚，成膜于晶片凸块形成面上。然后，将与相当于(B)层的热固化性硅氧烷聚合物的溶液，仍然旋涂于形成于硅晶片上的(A)层上，进一步然后，在加热板上以150℃加热3分钟，形成2μm的膜厚。进一步在(B)层上旋涂与(C)层对应的聚合物溶液，并仍然利用加热板，以150℃加热5分钟，由此以50μm膜厚，形成于硅晶片上。然后使用烤炉以180℃经1小时使其固化。
然后，在上述晶片的(C)层上贴设5条长150mm×宽25mm的聚酰亚胺胶带，并去除未被胶带覆盖的部分的暂时粘着材料层。使用岛津制作所公司(Shimadzu Corporation)的AUTOGRAPH(AG-1)，按照300mm/分钟的速度从胶带的一端以180°剥离来揭下120mm，将此时耗费的平均力(120mm冲程×5次)，作为其(B)暂时粘着层的剥离力。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 比较例1
树脂层(A) A-1 A-1 A-1 A-1
(A)层膜厚 5μm 5μm 5μm 5μm
树脂层(B) B-1 B-2 B-3 D-1
(B)层膜厚 5μm 10μm 15μm 2μm
(B)层剥落剥离力 5gf 10gf 30gf 5gf
树脂层(C) C-1 C-1 C-2 C-1
(C)层膜厚 60μm 60μm 50μm 60μm
粘着温度 120℃ 120℃ 140℃ 120℃
粘着性 〇 〇 〇 〇
背面磨削耐受性 〇 〇 〇 〇
CVD耐受性 〇 〇 〇 ×
剥离性 〇 〇 〇 〇
清洗去除性 〇 〇 〇 〇
如表1所示可知，在满足本发明的要件的实施例1～3中，暂时粘着和剥离较容易，尤其是CVD耐受性优异。另一方面，在(B)层不满足本发明的要件的比较例1中，CVD耐受性恶化。
而且，本发明并非限定于上述实施方式。上述实施方式仅为示例，具有和本发明的权利要求中所述的技术思想实质上相同的结构且起到相同作用效果的技术方案，均包含于本发明的技术范围内。

Claims (13)

1.一种晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上，所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于，具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：
第一暂时粘着层，能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；
第二暂时粘着层，积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，
第三暂时粘着层，积层于该第二暂时粘着层上，并能够可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。
2.如权利要求1所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)是一种组合物的固化物层，所述组合物含有：
(B-1)在1分子中具有2个以上链烯基的有机聚硅氧烷；
(B-2)在1分子中含有2个以上键结于硅原子上的氢原子，即，Si-H基的有机氢聚硅氧烷：相对于所述(B-1)成分中的链烯基，(B-2)成分中的Si-H基的摩尔比是0.3～10的量；以及，
(B-3)铂类催化剂。
3.如权利要求2所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)，进一步含有反应控制剂来作为(B-4)成分：相对于所述(B-1)及所述(B-2)成分的合计100质量份，所述反应控制剂为0.1～10质量份。
4.如权利要求1至3中任一项所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)的热固化后的宽度为25mm的试片的180°剥落剥离力为2gf以上且50gf以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)是一种组合物的固化物层，所述组合物，相对于具有由下述通式(1)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000的100质量份的含硅氧烷键聚合物，作为交联剂，含有0.1～50质量份的选自下述任意1种以上：由甲醛或甲醛-乙醇改性而成的氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂；在1分子中平均具有2个以上的羟甲基或烷氧羟甲基的苯酚化合物；以及，在1分子中平均具有2个以上环氧基的环氧化合物；
式(1)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；其中，A+B＝1；X是由下述通式(2)表示的2价有机基团；
式(2)中，Z是选自下述任一种的2价有机基团，
N是0或1；并且，R5、R6分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k是0、1以及2中的任一种。
6.如权利要求1至4中任一项所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)是一种组合物的固化物层，所述组合物，相对于具有由下述通式(3)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000的100质量份的含硅氧烷键聚合物，作为交联剂，含有0.1～50质量份的选自下述任意1种以上：在1分子中平均具有2个以上的苯酚基的苯酚化合物和在1分子中平均具有2个以上的环氧基的环氧化合物；
式(3)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；其中，A+B＝1；进一步地，Y是由下述通式(4)表示的2价有机基团；
式(4)中，V是选自下述任一种的2价有机基团，
p是0或1；并且，R7、R8分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h是0、1以及2中的任一种。
7.一种薄型晶片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤(a)，隔着由用于权利要求1至6中任一项所述的晶片加工用暂时粘着材料中的所述非硅酮热塑性树脂层(A)、所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)以及所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成的暂时粘着材料层，将表面具有电路形成面及背面具有电路非形成面的晶片的所述电路形成面，接合于支撑体上，此时，在形成于所述支撑体上的所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)上形成所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)之后，在真空下，对形成有该聚合物层(C)与(B)的支撑体以及形成有所述树脂层(A)的带电路晶片实施贴合；
步骤(b)，使所述聚合物层(B)和(C)热固化；
步骤(c)，对已与所述支撑体接合的所述晶片的电路非形成面进行磨削或研磨；
步骤(d)，对所述晶片的电路非形成面实施加工；以及，
步骤(e)，从所述支撑体上，剥离所述已实施加工的晶片。
8.一种晶片加工体，是在支撑体上形成有暂时粘着材料层，并且在暂时粘着材料层上积层有表面具有电路面且背面需加工的晶片而成，所述晶片加工体的特征在于，所述暂时粘着材料层具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：
第一暂时粘着层，可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；
第二暂时粘着层，积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，
第三暂时粘着层，积层于该第二暂时粘着层上，并可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。
9.如权利要求8所述的晶片加工体，其中，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)是一种组合物的固化物层，所述组合物含有：
(B-1)在1分子中具有2个以上链烯基的有机聚硅氧烷；
(B-2)在1分子中含有2个以上键结于硅原子上的氢原子，即，Si-H基的有机氢聚硅氧烷：相对于所述(B-1)成分中的链烯基，(B-2)成分中的Si-H基的摩尔比是0.3～10的量；以及，
(B-3)铂类催化剂。
10.如权利要求9所述的晶片加工体，其中，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)，进一步含有反应控制剂来作为(B-4)成分：相对于所述(B-1)及所述(B-2)成分的合计100质量份，所述反应控制剂为0.1～10质量份。
11.如权利要求8至10中任一项所述的晶片加工体，其中，所述热固化性硅氧烷聚合物层(B)的热固化后的宽度为25mm的试片的180°剥落剥离力为2gf以上且50gf以下。
12.如权利要求8至11中任一项所述的晶片加工体，其中，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)是一种组合物的固化物层，所述组合物，相对于具有由下述通式(1)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000的100质量份的含硅氧烷键聚合物，作为交联剂，含有0.1～50质量份的选自下述任意1种以上：由甲醛或甲醛-乙醇改性而成的氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂；在1分子中平均具有2个以上的羟甲基或烷氧羟甲基的苯酚化合物；以及，在1分子中平均具有2个以上环氧基的环氧化合物；
式(1)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；其中，A+B＝1；X是由下述通式(2)表示的2价有机基团；
式(2)中，Z是选自下述任一种的2价有机基团，
N是0或1；并且，R5、R6分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k是0、1以及2中的任一种。
13.如权利要求8至11中任一项所述的晶片加工体，其中，所述热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)是一种组合物的固化物层，所述组合物，相对于具有由下述通式(3)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000的100质量份的含硅氧烷键聚合物，作为交联剂，含有0.1～50质量份的选自下述任意1种以上：在1分子中平均具有2个以上的苯酚基的苯酚化合物以及在1分子中平均具有2个以上的环氧基的环氧化合物；
式(3)中，R1～R4表示可相同或不同的碳原子数1～8的1价烃基；并且，m是1～100的整数，B是正数，A是0或正数；其中，A+B＝1；进一步地，Y是由下述通式(4)表示的2价有机基团；
式(4)中，V是选自下述任一种的2价有机基团，
p是0或1；并且，R7、R8分别是碳原子数1～4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h是0、1、2中的任一种。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110391167A (zh) * 2018-04-16 2019-10-29 信越化学工业株式会社 带电路基板加工体及带电路基板的加工方法
CN110556329A (zh) * 2018-06-04 2019-12-10 信越化学工业株式会社 薄型基板的制造方法
CN111592832A (zh) * 2020-05-29 2020-08-28 南通通富微电子有限公司 Daf膜及其制备方法、芯片封装结构
CN113165344A (zh) * 2018-11-28 2021-07-23 日产化学株式会社 粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体形成基板的薄化方法
CN114096633A (zh) * 2019-07-11 2022-02-25 信越化学工业株式会社 基板加工用临时粘合材料及层叠体的制造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
CN204014250U (zh) * 2014-05-16 2014-12-10 奥特斯(中国)有限公司 用于生产电子元件的连接系统的半成品
JP6193813B2 (ja) * 2014-06-10 2017-09-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6325432B2 (ja) * 2014-12-25 2018-05-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6443241B2 (ja) * 2015-06-30 2018-12-26 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP2017092138A (ja) * 2015-11-05 2017-05-25 Jsr株式会社 基材の処理方法、積層体、半導体装置およびその製造方法、ならびに仮固定用組成物
JP6610510B2 (ja) * 2015-11-26 2019-11-27 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
US10074626B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method
US10332740B2 (en) * 2016-12-14 2019-06-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and a cleaning composition for an adhesive layer
JP6644719B2 (ja) 2017-01-19 2020-02-12 Ｊｆｅケミカル株式会社 フルオレニリデンジアリルフェノール類の製造方法およびフルオレニリデンジアリルフェノール類
JP6788549B2 (ja) * 2017-06-05 2020-11-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法
JP6947132B2 (ja) * 2018-07-13 2021-10-13 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体、ウエハ積層体の製造方法、及び薄型ウエハの製造方法
JP7220135B2 (ja) * 2018-11-01 2023-02-09 信越化学工業株式会社 積層体の製造方法、及び基板の製造方法
CN116731617A (zh) * 2019-02-21 2023-09-12 耐克创新有限合伙公司 包括结合层的复合结构和制造该复合结构的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110136321A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing lamination type semiconductor integrated device
CN103180394A (zh) * 2010-12-22 2013-06-26 迈图高新材料日本合同公司 热固化型聚有机硅氧烷组合物及其使用
US20130280886A1 (en) * 2012-04-24 2013-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
CN103403855A (zh) * 2011-02-28 2013-11-20 道康宁公司 晶片结合系统及其结合与剥离的方法

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3528940A (en) * 1966-12-15 1970-09-15 Gen Electric Silicone pressure-sensitive adhesive of improved strength
US3983298A (en) * 1975-04-18 1976-09-28 Dow Corning Corporation Polyorganosiloxane pressure sensitive adhesives and articles therefrom
US5216069A (en) * 1987-08-12 1993-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone self-adhesives comprising modified organopolysiloxanes and self-adhesive tapes
US5290882A (en) * 1991-08-13 1994-03-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermosetting resin compositions
JP3580358B2 (ja) * 2000-06-23 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
JP3580366B2 (ja) * 2001-05-01 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP4936667B2 (ja) * 2002-11-29 2012-05-23 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ
JP5068674B2 (ja) 2005-03-01 2012-11-07 ダウ・コーニング・コーポレイション 半導体加工のための一時的なウェハ結合法
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
JP2007150065A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ
JP5063016B2 (ja) * 2006-03-23 2012-10-31 リンテック株式会社 粘着シート及び剥離シート
JP5117713B2 (ja) * 2006-12-25 2013-01-16 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン系感圧接着剤組成物および粘着テープ
WO2008098404A2 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 ETH Zürich Method for manufacturing a single-crystal film, and integrated optical device comprising such a single-crystal film
JP5283346B2 (ja) * 2007-04-10 2013-09-04 信越化学工業株式会社 熱伝導性硬化物及びその製造方法
KR100910672B1 (ko) * 2007-08-03 2009-08-04 도레이새한 주식회사 내열성 점착시트
WO2009060924A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Lintec Corporation 剥離シート及び粘着体
US20100310808A1 (en) * 2007-11-26 2010-12-09 Lintec Corporation Release sheet and pressure-sensitive adhesive article
JP2009256400A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体素子用シリコーン接着剤
KR101597860B1 (ko) * 2008-12-31 2016-02-26 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 디바이스의 성분을 제조하는 방법 및 정해지지 않은 길이의 가요성 웨브 기판의 주요 표면으로부터 입자를 세정하는 방법
JP5413340B2 (ja) * 2009-09-30 2014-02-12 信越化学工業株式会社 エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
JP2012033737A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハの取り扱い方法
US8530027B2 (en) * 2010-12-15 2013-09-10 The Boeing Company Fibers with interlocking shapes
JP5348147B2 (ja) 2011-01-11 2013-11-20 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP5409695B2 (ja) 2011-04-26 2014-02-05 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン、オルガノポリシロキサンを含む仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
JP5846060B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US20130084459A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 3M Innovative Properties Company Low peel adhesive
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5767159B2 (ja) * 2012-04-27 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US8999817B2 (en) 2012-02-28 2015-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer process body, wafer processing member, wafer processing temporary adhesive material, and method for manufacturing thin wafer
JP5783128B2 (ja) * 2012-04-24 2015-09-24 信越化学工業株式会社 加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物
JP5767161B2 (ja) * 2012-05-08 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法
JP5937426B2 (ja) * 2012-05-30 2016-06-22 帝人株式会社 接着用構成体
US9583453B2 (en) * 2012-05-30 2017-02-28 Ormet Circuits, Inc. Semiconductor packaging containing sintering die-attach material
US20130334366A1 (en) * 2012-06-14 2013-12-19 The Boeing Company Formation of a shaped fiber with simultaneous matrix application
US9114589B2 (en) * 2012-06-14 2015-08-25 The Boeing Company Bicomponent fibers containing nano-filaments for use in optically transparent composites
US20140120356A1 (en) * 2012-06-18 2014-05-01 Ormet Circuits, Inc. Conductive film adhesive
JP6277616B2 (ja) * 2012-07-23 2018-02-14 セントラル硝子株式会社 接着性組成物およびその接着方法、および接着後の剥離方法
US8941215B2 (en) * 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
JP5975528B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6059631B2 (ja) * 2012-11-30 2017-01-11 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR102077248B1 (ko) * 2013-01-25 2020-02-13 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
JP6405556B2 (ja) * 2013-07-31 2018-10-17 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
EP3059768A4 (en) * 2013-10-17 2017-05-03 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, and optical semiconductor device
JP6217590B2 (ja) * 2013-11-05 2017-10-25 信越化学工業株式会社 紫外線硬化性接着性オルガノポリシロキサン組成物
EP3070137B1 (en) * 2013-11-12 2023-12-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone adhesive composition and solid-state imaging device
KR102204589B1 (ko) * 2013-11-26 2021-01-18 제이에스알 가부시끼가이샤 적층체, 기재의 처리 방법, 가고정용 조성물 및 반도체 장치
KR102268248B1 (ko) * 2014-01-29 2021-06-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법
KR20150092675A (ko) * 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
JP6168002B2 (ja) * 2014-02-27 2017-07-26 信越化学工業株式会社 基材密着性に優れるシリコーン粘着剤組成物及び粘着性物品
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6156443B2 (ja) * 2014-08-13 2017-07-05 Jsr株式会社 積層体および基材の処理方法
US10072126B2 (en) * 2014-09-23 2018-09-11 The Boeing Company Soluble nanoparticles for composite performance enhancement
US9587076B2 (en) * 2014-09-23 2017-03-07 The Boeing Company Polymer nanoparticles for controlling resin reaction rates
US9327458B2 (en) * 2014-09-30 2016-05-03 The Boeing Company In-situ annealing of polymer fibers
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6325432B2 (ja) * 2014-12-25 2018-05-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6443241B2 (ja) * 2015-06-30 2018-12-26 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP6589766B2 (ja) * 2015-08-18 2019-10-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用接着材、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法
JP6588404B2 (ja) * 2015-10-08 2019-10-09 信越化学工業株式会社 仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6502824B2 (ja) * 2015-10-19 2019-04-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6791086B2 (ja) * 2016-10-11 2020-11-25 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体、その製造方法、及びウエハ積層用接着剤組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110136321A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing lamination type semiconductor integrated device
CN103180394A (zh) * 2010-12-22 2013-06-26 迈图高新材料日本合同公司 热固化型聚有机硅氧烷组合物及其使用
CN103403855A (zh) * 2011-02-28 2013-11-20 道康宁公司 晶片结合系统及其结合与剥离的方法
US20130280886A1 (en) * 2012-04-24 2013-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110391167A (zh) * 2018-04-16 2019-10-29 信越化学工业株式会社 带电路基板加工体及带电路基板的加工方法
CN110556329A (zh) * 2018-06-04 2019-12-10 信越化学工业株式会社 薄型基板的制造方法
CN113165344A (zh) * 2018-11-28 2021-07-23 日产化学株式会社 粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体形成基板的薄化方法
CN113165344B (zh) * 2018-11-28 2023-09-12 日产化学株式会社 粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体形成基板的薄化方法
CN114096633A (zh) * 2019-07-11 2022-02-25 信越化学工业株式会社 基板加工用临时粘合材料及层叠体的制造方法
CN111592832A (zh) * 2020-05-29 2020-08-28 南通通富微电子有限公司 Daf膜及其制备方法、芯片封装结构

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