CN111592832A - Daf膜及其制备方法、芯片封装结构 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种DAF膜及其制备方法、芯片封装结构，所述DAF膜包括第一胶面、第二胶面和中间高导热层，中间高导热层中设置有支撑体，用于防止芯片发生倾斜。本申请通过在DAF膜中添加支撑体，支撑体提供了有效地支撑，保证芯片在受力挤压DAF膜时，避免了由于受力不均匀而导致芯片倾斜。本发明的DAF膜通过支撑体的加入，实现了装片时，芯片始终保持水平，且不改变本身的黏著性，可用于高速晶圆贴覆处理，提高了芯片封装质量和效率。

Description

DAF膜及其制备方法、芯片封装结构
技术领域
本发明一般涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种DAF膜及其制备方法、芯片封装结构。
背景技术
在芯片封装过程中，DAF膜(Die attach film，晶片黏结薄膜)是常用到的关键材料。DAF膜用于在芯片封装过程中雷射切割时，晶片可一起切割与分离，进行剥离，使切割完后的晶片(Die)，都还可粘着在薄膜上，不会因切割而造成散乱排列。晶片粘接过程中，通过吸嘴吸片后，通过DAF膜粘接在基板上。
现有的DAF膜包括第一胶面、第二胶面和中间层高导热树脂层，第一胶面与芯片粘接，第二胶面与基板粘接。在装片过程中手设备、治具等因素的影响，很难控制芯片保持水平。例如：如图1所示，由于吸嘴吸片后，芯片22通过DAF膜11粘接在基板33上，在装片过程中，吸嘴与芯片局部接触时施压力F给芯片导致芯片受力不均匀，导致芯片和DAF膜之间发生倾斜，影响芯片封装质量。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种DAF膜及其制备方法、芯片封装结构，能够实现在芯片粘接过程中，芯片与基板之间始终保持平行，不发生倾斜。
第一方面，本发明提供的一种DAF膜，适用于芯片贴覆处理，包括：
第一胶面、第二胶面和中间高导热层，中间高导热层包括支撑体，用于防止芯片发生倾斜。
作为可选的方案，支撑体包括多个高导热性球体，且多个高导热性球体的形状和尺寸均相同。
作为可选的方案，支撑体包括多个形状和尺寸均相同的树脂球。
作为可选的方案，支撑体均匀铺设在第一胶面和第二胶面之间
作为可选的方案，支撑体的熔点不低于150℃且不高于200℃。
第二方面，本发明提供一种DAF膜的制备方法，用于制备第一方面所述的DAF膜，包括：
在中间高导热层中加入支撑体，形成中间层；
将第一胶面铺在中间层表面，得到DAF膜。
作为可选的方案，在中间高导热层中加入支撑体，形成中间层的过程，包括：
在第二胶面上平铺上支撑体；
在支撑体缝隙中灌入高导热树脂液，得到中间层。
作为可选的方案，在中间高导热层中加入支撑体，形成中间层的过程，具体包括：
在第二胶面铺一层高导热树脂液，得到第一子中间层；
在第一子中间层上铺上支撑体，得到第二子中间层；
在第二中间层中灌入高导热树脂液，得到中间层。
作为可选的方案，在中间高导热层中加入支撑体，形成中间层的过程，具体包括：
将支撑体加入高导热树脂液中并混合均匀，得到混合物；
将混合物均匀铺设在第二胶面上，得到中间层。
第三方面，本发明提供一种芯片封装结构，包括第一方面所述的DAF膜、芯片和基板，芯片通过DAF膜粘接在基板上。
本发明的一种DAF膜及其制备方法、芯片封装结构，通过在DAF膜中添加支撑体，保证芯片在受力挤压DAF膜时，DAF膜能够提供有效支撑，防止由于受力不均匀而导致芯片倾斜。本发明的DAF膜通过支撑体的加入，实现了装片时，芯片始终保持水平，且不改变DAF膜本身的黏著性，可用于高速晶圆贴覆处理，提高了芯片封装质量和效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为现有DAF膜与芯片粘接后的结构示意图；
图2为本发明的一个实施例DAF膜的结构示意图；
图3为本发明的DAF膜与芯片粘接后的结构示意图；
图4为本发明的另一个实施例的DAF制备方法流程图。
图中，1.第一胶面，2.第二胶面，3.中间高导热层，4.支撑体；
11.DAF膜，22.芯片，33.基板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
将芯片和DAF膜粘接在一起为DAF贴片，现有DAF贴片由于芯片背面具有DAF膜，可以直接与基片进行粘接。但是现有的DAF膜在粘接过程中，由于芯片受力不均匀导致芯片相对基板发生倾斜。降低了芯片封装质量，降低成品率和封装效率。
基于上述问题，本申请的一个实施例提供一种DAF膜，适用于芯片粘接，如图2所示，包括：
第一胶面1、第二胶面2和中间高导热层3，中间高导热层3设置有支撑体4，用于防止芯片发生倾斜。
需要说明的是：
DAF膜是一种晶片黏结薄膜，芯片通过外部作用，放置于通过DAF膜粘接在基板上，如图3所示，本实施方式中的DAF膜的中间高导热层中添加支撑体，能够保证芯片22在受力不均匀的情况下，通过DAF膜粘接在基板33上后，仍然保持和基板之间水平平行的关系，不发生任何倾斜。本实施方式中的支撑体能够保证芯片不发生倾斜的原因在于，DAF膜在外力挤压下会发生变形，加入支撑体后，能够克服由于外力挤压形成的不平衡，在粘接芯片的过程中，支撑体限制了芯片与基板之间的位置关系，且支撑体不会因为芯片局部受力而发生形变，因此支撑体能够保证芯片不会发生倾斜。本实施例的DAF膜相比现有DAF膜，有利于控制芯片的水平度，提高芯片的封装质量。
本实施例中的支撑体4可以是一个整体，还可以是由多个规格相同的单体组成。当支撑体是一个整体时，支撑体的表面积应当第一胶面和第二胶面的面积相同，并与第一胶面和第二胶面完全接触，以使在吸嘴吸片装片过程中，芯片与第一胶面接触后受到来自于支撑体的支撑力各处均匀。支撑体为多个规格相同的单体时，支撑体均匀铺设在第一胶面和第二胶面之间，每个单体之间可以相互紧挨排列，也可以间隔排列。此处的规格相同指的是，每个单体的形状、大小均相同。支撑体的形状不做限定，可以是正方体，球体，圆柱体等。
作为优选地的实施方式，支撑体4包括多个高导热性球体，支撑体的高导热性便于在雷射切割时，DAF贴片受热均匀；球体有利于支撑体在芯片施加压力后，各处受力均匀，不容易发生倾斜。
作为可实现的方式，支撑体4的熔点不低于150℃且不高于200℃。本实施方式有利于在雷射切割过程中DAF膜不会熔化，在芯片后续高温处理时，支撑体4熔化与第一胶面、第二胶面融为一体，不产生分层。其中，支撑体4可以是高分子树脂球，还可以是橡胶球，或塑料球。
作为优选的实施方式，支撑体均匀铺设在第一胶面和第二胶面之间。
作为优选的实施方式，支撑体4包括多个形状和尺寸相同的树脂球。
作为可实现的实施方式，树脂球均匀的铺设在第一胶面1和第二胶面2之间。树脂球的均匀铺设有利于芯片与DAF膜粘接后，使得各处受力均匀，保持芯片平齐，不发生倾斜。
DAF膜的厚度取决于树脂球的直径大小。还可以理解的是，根据需要的DAF膜的厚度，限定树脂球的大小。
一方面，本申请的另一个实施例公开了一种DAF膜的制备方法，如图4所示，具体包括如下：
S100、在所述中间高导热层中加入所述支撑体，形成中间层；
S200、将所述第一胶面铺在所述中间层表面，得到所述DAF膜。
本实施例的制备方法，过程简单，操作方便。
作为可实现的方式，在中间高导热层中加入支撑体，形成中间层的过程，具体包括：
在第二胶面上平铺上支撑体；
在支撑体缝隙中灌入高导热树脂液，得到中间层。
该实施方式中先铺上支撑体方便操作，并且支撑体还具有定位作用，再通过在支撑体的缝隙中灌入高导热树脂液，用于填充支撑体之间的空隙，使得中间层相对稳定，各处受力均匀。
作为可实现的方式，在中间高导热层中加入支撑体，形成中间层的过程，具体包括：
在第二胶面铺一层高导热树脂液，得到第一子中间层；
在第一子中间层上铺上支撑体，得到第二子中间层；
在第二子中间层中灌入高导热树脂液，得到中间层。
该实施方式中第一次铺上高导热树脂液有利于很好地将支撑体粘接在第二胶面上，第二次铺高导热树脂液进一步的填充缝隙保证中间层相对稳定，受力均匀。
作为可实现的方式，在中间高导热层中加入支撑体，形成中间层的过程，具体包括：
将支撑体加入高导热树脂液中，混合均匀得到混合物；
将混合物平铺在第二胶面上，得到中间层。
本实施方式操作简便，一次成型，并且制备的中间层更加稳定。
第三方面，本申请的另一个实施例公开了一种芯片封装结构，包括第一方面的DAF膜和基板，芯片通过DAF膜粘接在基板上。
本实施例的芯片封装结构，DAF膜使得芯片在受力下压的过程中，芯片即使受力不均匀，也不发生倾斜的情况，芯片和基板始终保平行。DAF膜中的支撑体有利于缓解芯片由于局部受力造成受力不均匀，同时支撑体能够解决高导热树脂液在压力下容易变形的问题。本实施例的芯片封装结构保证了芯片更可靠的封装，提高生产加工效率。
综上所述，本发明的一种DAF膜及其制备方法、芯片封装结构，通过在DAF膜中添加支撑体，保证芯片在受力挤压DAF膜时，DAF膜能够提供有效支撑，防止由于受力不均匀而导致芯片倾斜。本发明的DAF膜通过支撑体的加入，实现了装片时，芯片始终保持水平，且不改变DAF膜的黏著性，可用于高速晶圆贴覆处理，提高了芯片封装质量和效率。本发明的DAF膜的制备方法简单，易操作。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种DAF膜，适用于芯片贴覆处理，其特征在于，包括：
第一胶面、第二胶面和中间高导热层，所述中间高导热层中设置有支撑体，用于防止芯片发生倾斜。
2.根据权利要求1所述的DAF膜，其特征在于，所述支撑体包括多个高导热性球体，且多个所述高导热性球体的形状和尺寸均相同。
3.根据权利要求1所述的DAF膜，其特征在于，所述支撑体包括多个形状和尺寸均相同的树脂球。
4.根据权利要求1-3任一项所述的DAF膜，其特征在于，所述支撑体均匀铺设在所述第一胶面和所述第二胶面之间。
5.根据权利要求1-3任一项所述的DAF膜，其特征在于，所述支撑体的熔点不低于150℃且不高于200℃。
6.一种DAF膜的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-5任一项所述的DAF膜，包括：
在所述中间高导热层中加入所述支撑体，形成中间层；
将所述第一胶面铺在所述中间层表面，得到所述DAF膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述中间高导热层中加入所述支撑体，形成中间层的过程，包括：
在所述第二胶面上平铺上所述支撑体；
在所述支撑体缝隙中灌入高导热树脂液，得到所述中间层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述中间高导热层中加入所述支撑体，形成中间层的过程，具体包括：
在所述第二胶面铺一层高导热树脂液，得到第一子中间层；
在所述第一子中间层上铺上所述支撑体，得到第二子中间层；
在所述第二中间层中灌入高导热树脂液，得到所述中间层。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述中间高导热层中加入支撑体，形成中间层的过程，具体包括：
将所述支撑体加入高导热树脂液中并混合均匀，得到混合物；
将所述混合物均匀铺设在所述第二胶面上，得到所述中间层。
10.一种芯片封装结构，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的DAF膜、芯片和基板，所述芯片通过所述DAF膜粘接在所述基板上。
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