KR102026842B1 - 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 - Google Patents

직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102026842B1
KR102026842B1 KR1020187002436A KR20187002436A KR102026842B1 KR 102026842 B1 KR102026842 B1 KR 102026842B1 KR 1020187002436 A KR1020187002436 A KR 1020187002436A KR 20187002436 A KR20187002436 A KR 20187002436A KR 102026842 B1 KR102026842 B1 KR 102026842B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
rolling
led
film sheet
semi
cured
Prior art date
Application number
KR1020187002436A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180022862A (ko
Inventor
진화 허
Original Assignee
장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 filed Critical 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드
Publication of KR20180022862A publication Critical patent/KR20180022862A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102026842B1 publication Critical patent/KR102026842B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B32B2037/1253—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives curable adhesive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2309/00—Parameters for the laminating or treatment process; Apparatus details
    • B32B2309/02—Temperature
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/0046—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by constructional aspects of the apparatus
    • B32B37/0053—Constructional details of laminating machines comprising rollers; Constructional features of the rollers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/08—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the cooling method
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 있어서, 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계, 반경화 광 변환 필름시트의 가경화 단계, LED 플립칩 어레이 필름시트의 준비 단계, LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계, LED 패키지 소자의 경화 단계 및 LED 패키지 소자의 절단 단계로 구성된 흐름식 연속 공정을 포함하고, 연속적인 롤링 공정에 의해 LED를 본딩 패키징하는 뚜렷한 장점이 있고, 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 조건의 요구를 만족시킬 수 있어, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율 및 수율을 향상시킨다.

Description

직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법
본 발명은 광 변환체로 LED를 패키징하는 기술분야에 관한 것으로, 특히 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 관한 것이다.
LED는 휘도가 높고, 열량이 적고, 수명이 길고, 환경친화적이고, 재활용이 가능한 장점을 보유하고 있어, 21세기 가장 발전 전망이 있는 차세대 녹색 광조사로 불린다. 현재, LED의 이론적 수명은 100000시간 이상에 도달할 수 있으나, 실제 사용 시, 칩 오류, 패키징 오류, 열 과응력 오류, 전기적 과응력 오류 및/또는 조립 오류 등 다양한 요인의 제한을 받게 되고, 특히 패키징 오류로 인하여, LED의 광 감쇠 또는 광 오류 현상이 빨리 나타나게 되고, 이는 새로운 에너지 절약 광조사광원으로서의 LED의 발전속도를 방해한다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 업계의 많은 학자들이 관련 연구를 진행하였고, LED 광효율 및 실제 사용 수명을 향상시킬 수 있는 일부 개선조치를 제시했다. 예를 들면 최근 몇 년 동안 새롭게 개발된 플립형 LED는 종래의 일반형(正裝) LED에 비해, 광 효율이 높고, 신뢰도가 높으며 집적이 용이한 장점이 있고, 또한 패키징 재료가 크게 간소화되었고, 예컨대 종래의 일반형 LED 패키징의 금 와이어(金線), 다이 본딩 접착제, 지지체 등 재료가 모두 더 이상 필요 없게 되었고, 패키징 공정의 절차도 크게 간소화되었고, 예컨대 종래의 일반형 LED 패키징 공정의 다이 본딩, 용접 와이어, 심지어 분광 등이 모두 더 이상 필요하지 않게 되어, 플립형 LED가 점점 광범위하게 사용되고 있다. 그러나 동시에, 종래의 플립형 LED 패키징 기술은 대부분 유기 실리콘 수지계 광 변환체와 플립형 LED 칩을 본딩하는 캐스팅(流延) 공정, 스크린 인쇄 공정, 상하 평판 몰드 공정, 단일 롤러 압착 공정 등을 사용했고, 이러한 공정 및 이와 결합된 패키징 장비는 모두 유기 실리콘 수지계 광 변환체에 존재하는 기공, 두께 불균일 등의 결함을 잘 해결할 수 없어 광 변환체 LED 패키징의 수율이 낮아지고, 동시에 낮은 생산 효율로 인해 제품 비용이 높다.
중국 특허출원 제201010204860.9호는 “플립형 LED 칩의 패키징 방법”을 공개했고, (a) 스크린 인쇄를 통해 광 변환체를 LED 칩 표면에 코팅하고, 광 변환체를 가열하여 경화시는 단계; (b) LED 칩을 칩 기판 상에 고정하여, LED 칩 전극과 칩 기판 전극을 결합(鍵合)시키는 단계; (c) LED 칩 및 칩 기판을 지지체 반사컵의 컵 바닥에 고정시키는 단계; (d) 도선을 이용하여, 고정된 칩 기판의 양의 전극과 음의 전극을 지지체의 양의 전극과 음의 전극에 각각 연결시키는 단계; (e) 패키징 몰드 또는 렌즈를 LED 칩 및 칩 기판이 고정되어 있는 지지체에 커버한 후, 실리카겔을 충진시키는 단계; (f) 전체 구조를 가열하여 경화시키는 단계;를 포함한다. 비록 상기 방법은 스크린 인쇄 공정을 통해 광 변환체 코팅 두께의 균일성을 향상시키고, 형광분말 입자의 분포 균일성을 높여, 수율을 향상시키는 목적에 도달하였으나, 여전히 아래와 같은 명백한 단점이 존재한다. 첫째, 스크린 인쇄는 유기 실리콘 수지계의 광 변환체를 LED 칩 표면에 코팅한 후, 가열 및 경화하는 과정에서 열 과응력 영향을 받게 되어 여전히 광 변환체 코팅층과 LED 칩의 코팅면 층에 부분적으로 기포가 발생하여 고르지 못한 결함을 형성하게 되고, 둘째, 패키징 몰드 또는 렌즈 커버에 실리카겔을 충진시켜 광 변환체가 코팅되어 있는 LED 칩과 패키징한 후 전체 구조를 가열 및 경화하는 과정에서 열 과응력 영향을 받게 되므로, 여전히 패키징 몰드 또는 렌즈 커버 중의 실리카겔 표면층에 부분적으로 기포가 발생하여 고르지 못한 결함을 형성하게 된다. LED 칩의 패키징 과정에서 열 과응력 영향을 받는 것을 해결할 수 없다면, 필연적으로 LED의 광 효율 감소로 이어지고, 셋째는 전체 LED 칩 패키징 공정에서 지능형 제어 시스템이 없이 제어를 할 경우, 수율의 향상에 직접적으로 영향을 준다.
중국 특허출원 제201310270747.4호는 “광 변환체층이 피복된 LED 및 이의 제조방법 및 LED 장치”를 공개했고, 상기 방안은, 지지 시트의 두께 방향의 한쪽 면에 LED를 배치하는 LED 배치 공정; 활성 에너지선의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지 및 광 변환체를 함유하는 형광 수지 조성물로 형성되는 광 변환체층을 LED를 피복하도록 지지 시트의 두께 방향의 한쪽 면에 배치하는 층 배치 공정; 활성 에너지선을 광 변환체층에 조사하여 광 변환체층을 경화시키는 경화 공정; LED에 대응하게 광 변환체층을 절단하여, LED와 LED를 피복하는 광 변환체층을 구비하는 광 변환체층이 피복된 LED를 얻는 절단 공정; 및 절단 공정 후에, 광 변환체층이 피복된 LED를 지지 시트로부터 박리하는 LED 박리 공정;을 포함한다. 상기 방법의 목적은 손상을 방지하도록 LED의 주위에 광 변환체를 균일하게 배치시켜, 광 변환체층이 피복된 LED를 얻는 방법 및 상기 광 변환체층이 피복된 LED를 구비하는 LED 장치를 제공하는 것이다. 그러나 여전히 아래와 같은 명백한 단점이 존재한다. 첫째, 광 변환체의 형광 수지 조성물은 경화과정에서, 열 과응력 영향을 받아, 여전히 광 변환체 표면층에 부분적으로 기포가 발생하여 고르지 못한 결함을 형성하게 되고, 둘째, 광 변환체층이 피복된 LED는, 여전히 열 과응력 영향을 받아, LED 사용 시 광 효율이 감소되고, 셋째, 전체 패키징 공정에서 공정 절차가 비교적 복잡하여, LED 패키징의 생산 효율이 높지 않고, 넷째, 상하 평판 몰드 공정으로 인해 플립 칩에 변위가 발생하게 되고, 또한 정확한 제어를 위한 지능형 제어 시스템이 없으므로, 필연적으로 수율이 낮아진다.
중국 특허출원 제201380027218.X호는 “수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법”을 공개했고, 상기 방안에서 설명한 수지 시트 적층체는 기재 상에 형광체 함유 수지층이 설치되어 있는 것이고, 기재는 길이 방향과 폭 방향을 갖고, 상기 형광체 함유 수지층은 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루고 있는 복수의 블록을 구비한다. 비록 상기 방안의 발명의 목적은, 상기 수지 시트 적층체를 통해, 형광체 함유 수지층이 부착된 반도체 발광소자의 색이나 휘도의 균일성, 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 향상시키는 것이지만 여전히 아래와 같은 명백한 단점이 존재한다. 첫째, 사용된 형광체 수지 시트는 경화된 형광체 수지 시트이므로 내부에 잔존하는 기공, 고르지 않은 문제 또는 기타 가공 결함 등을 효과적으로 해소할 수 없고, 둘째, 접착공정에서, 가압 도구는 반도체 발광소자로부터 측 방향으로 가압하므로 반도체 발광소자를 손상시키고, 셋째, 형광체 수지층에 접착제를 함유하는 접착 공정을 이용하면, 접착 후의 반도체 발광소자 중의 잔류물을 제거하기 어렵고, 접착 과정에서 기공이 발생하기 쉬우므로 수율이 낮아지고, 동시에, 접착층의 존재로 인해 LED 소자의 출광 효율을 더 감소시키고, 넷째, 반도체 발광소자의 발광면에 접착된 형광체 수지 시트의 기재가 박리되지 않아, 반도체 발광소자의 광 효율에 직접적으로 영향을 미치고, 다섯째, 형광체 수지층은 복수의 블록이 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루는 방식으로 형성되는데, 상기 형광체 수지층의 복수의 블록의 배치를 실현하는 실제 조작 절차가 복잡하여 전체 소자의 패키징 효율에 영향을 미치고, 복수의 블록의 위치 상의 배치 오차는 후속 발광소자와의 부착의 정밀도에 직접적으로 영향을 미치고, 복수의 블록 간의 크기 및 두께의 일치성 요구를 또한 만족시키지 못할 경우, 심각한 제품 일치성 문제를 초래할 수 있다.
결론적으로, 종래기술에 존재하는 단점을 극복하는 것은 현재 광 변환체로 LED를 패키징하는 기술분야에서 시급히 해결해야 할 중요한 문제 중 하나가 되었다.
본 발명의 목적은 종래 기술에 존재하는 단점을 극복하기 위한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법을 제공하는 것이고, 본 발명은 연속적인 롤링 공정을 응용하여 LED를 본딩 패키징하는 뚜렷한 장점이 있고, 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 조건의 요구를 만족시킬 수 있어, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율 및 수율을 향상시킨다.
본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 있어서, 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계, 반경화 광 변환 필름시트의 가경화(pseudo-curing) 단계, LED 플립칩 어레이 필름시트의 준비 단계, LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계, LED 패키지 소자의 경화 단계 및 LED 패키지 소자의 절단 단계로 구성된 흐름식 연속 공정을 포함하고, 상기 공정방법의 기본 단계는,
단계 1, 제1 보호필름, 반경화 광 변환 필름 및 제2 보호필름으로 구성된 반경화 광 변환 필름시트를 얻고, 상기 반경화 광 변환 필름은 반경화 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료를 포함하는, 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계;
단계 2, 진공 조건에서, 저온 냉동 방식으로, 단계 1에서 얻은 반경화 광 변환 필름시트를 가경화시켜, 가경화 광 변환 필름시트를 얻는, 반경화 광 변환 필름시트의 가경화 단계;
단계 3, LED 플립칩 어레이 필름시트를 얻고, 상기 LED 플립칩 어레이 필름시트 중의 LED 플립칩을 어레이 방식으로 캐리어 필름시트 상에 배열하고, 그 중 LED 플립칩을 어레이 방식으로 배열하는 것은, 단일 LED 플립칩을 단위로 하여 어레이로 배열하거나 LED 플립칩 어셈블리를 단위로 하여 어레이로 배열하는 것 중 하나를 의미하고; 상기 LED 플립칩 어셈블리는 2개 이상의 단일 LED 플립칩으로 조성되는 LED 플립칩 어레이 필름시트의 준비 단계;
단계 4, 진공 조건에서, 단계 2에서 설명한 가경화 광 변환 필름시트의 제2 보호필름을 박리하여, 일측에 보호필름이 포함되지 않은 가경화 광 변환 필름시트를 얻은 후, 가온 및/또는 광조사 방식으로 가경화 광 변환 필름시트를 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시키고, 이후 반경화 광 변환 필름시트와 LED 플립칩 어레이 필름시트에 대해 쌍롤러 롤링 본딩을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 반경화 광 변환 필름시트 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻는 LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계;
단계 5, 진공 조건에서, 가온 및/또는 광 경화 방식으로, LED 패키지 소자를 경화시켜 경화된 LED 패키지 소자를 얻는 LED 패키지 소자의 경화 단계;
단계 6, 단계 5의 경화된 LED 패키지 소자의 제1 보호필름을 박리시키고, 경화된 LED 패키지 소자를 절단하여, 단일 LED 패키지 소자로 분할하는 절단 슬릿이 구비된 LED 패키지 소자 완성품을 얻는 LED 패키지 소자의 절단 단계;를 포함한다.
본 발명의 실현원리는 다음과 같다. 본 발명은 종래의 LED 플립칩 패키징 공정에 존재하는 문제점을 더 잘 해결하기 위하여, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 새로운 공정을 독창적으로 설계했다. 본 발명의 롤링 본딩 패키징 원리는 한편으로는, 쌍롤러로 롤링하여 반경화 유기 실리콘 수지 광 변환 필름시트 중 고르지 못한 부분에 흐름이 생기도록 하여, 반경화 유기 실리콘 광 변환 필름시트에 잔존할 수 있는 기공, 고르지 못한 부분 또는 기타 가공 결함 등을 제거하여, 기공이 없고, 평탄하고 두께가 균일한 정제 반경화 유기 실리콘 광 변환 필름시트를 얻는 것이고; 다른 한편으로는, 저온 냉동 방식으로, 가경화된 유기 실리콘 수지 광 변환 필름시트를 얻은 다음 제2 보호필름을 박리하고, 이후 직접 가온 및/또는 광조사 가온 방식으로, 제2 보호필름이 포함되지 않은 반경화 광 변환 필름시트를 얻고, 상기 반경화 광 변환 필름시트와 LED 플립칩 어레이 필름시트에 대해 롤링 본딩을 진행하여, LED 패키지 소자를 얻는 것이고; 또 한편으로는, 본 발명은 연속적인 공정으로서, LED 패키지 소자를 대량 생산하기 위한 가공조건 및 규격크기의 완전 일치를 만족시키는데 유리하고, LED 패키지 소자의 생산 효율을 향상시킬 뿐만 아니라, 동시에 LED 패키지 소자 완성품의 광색의 일치성을 향상시키고, 우수 제품 비율을 크게 향상시킨다.
종래 기술에 비해 본 발명의 뚜렷한 장점은 다음과 같다.
첫째, 본 발명은 흐름식 직렬 롤링방식에 기반하여 LED를 본딩 패키징하는 새로운 제조 공정을 제공하여, 종래의 캐스팅 공정, 스크린 인쇄 공정, 상하 평판 몰드 공정 및 단일 롤러 압착 공정 등 구식 공정에 존재하는 본딩 패키징한 LED의 출광 효율, 생산 효율 및 우수 제품 비율이 현저히 부족한 문제를 극복했고, 본 발명은 반경화 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 요구를 만족시킬 수 있어, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율 및 우수 제품 비율을 향상시켰다.
둘째, 본 발명은 흐름식 직렬 롤링에 기반하여 LED를 본딩 패키징하는 새로운 공정을 제공하여, 반경화 유기 실리콘 수지 광 변환 필름시트에 잔존할 수 있는 기공, 고르지 못한 부분 및 기타 가공 결함 등을 효과적으로 제거하여, LED 패키지 소자 완성품의 광색의 일치성을 현저히 향상시킬 수 있고, 본 발명에 따라 제조된 LED 패키지 소자의 우수 제품 비율은 종래의 동일한 종류의 제품에 비해 현저히 향상되었다.
셋째, 본 발명에서 제공한 저온 냉동 방식은, 먼저 가경화된 유기 실리콘 수지 광 변환 필름시트를 얻은 다음 제2 보호필름을 박리하고, 이후 직접 가온 및/또는 광조사 가온 방식으로, 제2 보호필름이 포함되지 않은 반경화 유기 실리콘 수지 광 변환 필름시트를 얻고, 상기 반경화 유기 실리콘 수지 광 변환 필름시트와 LED 플립칩 어레이 필름시트를 롤링 본딩하여, LED 패키지 소자를 얻는 것으로, 종래의 공정에서 반경화 유기 실리콘 수지 광 변환 필름시트의 보호필름을 박리할 수 없었던 중요한 문제점을 잘 해결했다.
넷째, 본 발명에서 제공한 LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계의 구체적인 실시방안에서는, 종래의 공정에서의 접착층을 제거하여 공정을 간소화시켰을 뿐만 아니라, LED 패키지 소자 완성품의 광색의 일치성을 크게 상승시켰고, 또한 연속 공정의 장비 시스템을 결합시키고 지능형 제어를 실시하기에 적합하여 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 요구를 만족시키고, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율을 현저히 향상시킨다.
다섯째, 본 발명에서 제공한 공정방법은 유기 실리콘 수지 광 변환체와 전력 크기가 다양한 LED 플립칩의 본딩-패키징 공정에 널리 사용될 수 있고, 산업화 대규모 LED 패키징 과정에서 제품 생산 가공에 대한 정밀 가공 요구를 완전히 만족시킨다.
도 1은 본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 흐름을 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 흐름 배치 구조 개략도이다.
도 3은 본 발명의 도 2에 도시된 반경화 광 변환 필름시트를 준비하는 공정 개략도이다.
도 4는 본 발명의 도 2에 도시된 반경화 광 변환 필름시트를 가경화하는 공정 개략도이다.
도 5는 본 발명의 도 2에 도시된 LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형에서 반경화 광 변환 필름시트 중의 제2 보호필름을 박리하는 공정 개략도이다.
도 6은 본 발명의 도 2에 도시된 LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형에서 가경화 광 변환 필름시트를 온도회복에 의해 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시키는 공정 개략도이다.
도 7은 본 발명의 도 2에 도시된 LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형에서 롤링 본딩하는 공정 개략도이다.
도 8a는 본 발명에 따라 제조된 LED 패키지 소자 완성품의 평면 구조 개략도이다.
도 8b는 본 발명에 따라 연신을 통해 제조된 단일 LED 패키지 소자 완성품의 평면 구조 개략도이다.
이하, 도면 및 실시예를 결합하여 본 발명의 구체적인 실시방식에 대해 더 자세히 설명한다.
실시예 1:
도 1을 결합하면, 본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 있어서, 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계, 반경화 광 변환 필름시트의 가경화(pseudo-curing) 단계, LED 플립칩 어레이 필름시트의 준비 단계, LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계, LED 패키지 소자의 경화 단계 및 LED 패키지 소자의 절단 단계로 구성된 흐름식 연속 공정을 포함하고, 상기 공정방법의 기본단계는,
단계 1, 제1 보호필름, 반경화 광 변환 필름 및 제2 보호필름으로 구성된 반경화 광 변환 필름시트를 얻고, 상기 반경화 광 변환 필름은 반경화 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료를 포함하는, 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계;
단계 2, 진공 조건에서, 저온 냉동 방식으로, 단계 1에서 얻은 반경화 광 변환 필름시트를 가경화시켜, 가경화 광 변환 필름시트를 얻는, 반경화 광 변환 필름시트의 가경화 단계;
단계 3, LED 플립칩 어레이 필름시트를 얻고, 상기 LED 플립칩 어레이 필름시트 중의 LED 플립칩을 어레이 방식으로 캐리어 필름시트 상에 배열하고, 그 중 LED 플립칩을 어레이 방식으로 배열하는 것은, 단일 LED 플립칩을 단위로 하여 어레이로 배열하거나 LED 플립칩 어셈블리를 단위로 하여 어레이로 배열하는 것 중 하나를 의미하고; 상기 LED 플립칩 어셈블리는 2개 이상의 단일 LED 플립칩으로 조성되는 LED 플립칩 어레이 필름시트의 준비 단계;
단계 4, 진공 조건에서, 단계 2에서 설명한 가경화 광 변환 필름시트의 제2 보호필름을 박리하여, 일측에 보호필름이 포함되지 않은 가경화 광 변환 필름시트를 얻은 후, 가온 및/또는 광조사 방식으로 가경화 광 변환 필름시트를 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시키고, 이후 반경화 광 변환 필름시트와 LED 플립칩 어레이 필름시트에 대해 쌍롤러 롤링 본딩을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 반경화 광 변환 필름시트 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻는 LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계;
단계 5, 진공 조건에서, 가온 및/또는 광 경화 방식으로, LED 패키지 소자를 경화시켜 경화된 LED 패키지 소자를 얻는 LED 패키지 소자의 경화 단계;
단계 6, 단계 5의 경화된 LED 패키지 소자의 제1 보호필름을 박리시키고, 경화된 LED 패키지 소자를 절단하여, 단일 LED 패키지 소자로 분할하는 절단 슬릿이 구비된 LED 패키지 소자 완성품을 얻는 LED 패키지 소자의 절단 단계;를 포함한다.
특별히 설명드릴 것은,
본 발명은 LED 플립칩과 구조가 동일한 광전소자 또는 전자부품의 생산과 가공에 적용된다.
투광율이 높고, 내온성이 좋은 종래의 유기 실리콘 수지는 모두 본 발명의 공정방법에 사용될 수 있고, 일반 LED 패키지 소자의 사용 시 리플로우 솔더링 온도조건 및 장기 사용 시의 열, 광 등 내성 조건을 만족시키기 위하여, 본 발명은 메틸 비닐 유기 실리콘 수지를 사용하는 것이 바람직하고; 종래의 양자점 형광체, 형광분말은 모두 본 발명의 공정방법에 사용될 수 있다.
일반적으로, 본 발명에서 사용한 혼합 슬러리에는 접착제를 포함할 필요가 없고, 극단적인 조건에서의 LED 패키지 소자 완성품의 사용을 선택하여, 광 변환체와 LED 플립칩 사이의 접착력을 추가로 증강시켜야 할 경우에는, 본 발명에서 사용한 혼합 슬러리에 접착제를 포함시킬 수 있다.
본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 추가적인 바람직한 방안은 다음과 같다.
단계 1에서 설명한 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계는, 진공 조건에서, 제1 보호필름 및 제2 보호필름 사이에 적어도 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료를 포함하여 조성된 반경화 혼합 슬러리를 넣고, 단일 세트의 쌍롤러 또는 복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형을 거쳐, 제1 보호필름, 반경화 광 변환 필름 및 제2 보호필름으로 구성된 반경화 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미한다.
단계 1에서 설명한 광 변환 재료는 양자점 형광체 또는 형광분말이다.
단계 1에서 설명한 단일 세트의 쌍롤러 또는 복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형 단계에 있어서,
단일 세트의 쌍롤러 롤링 성형은 제1 보호필름, 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료로 조성된 반경화 혼합 슬러리 및 제2 보호필름을 단일 세트의 활면 쌍롤러 롤링 장치를 통해 롤링 성형하는 것을 의미하고,
복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형은 제 보호필름, 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료로 조성된 반경화 슬러리 및 제2 보호필름을 한 세트의 활면 쌍롤러 롤링 장치를 통해 롤링 성형하여, 조제(粗製) 반경화 광 변환 필름시트를 얻은 다음, 얻어진 조제 반경화 광 변환 필름시트를 다시 한 세트, 2세트 이상의 활면 쌍롤러 롤링 장치를 통해 롤링 성형하여, 정제(精製) 반경화 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하고,
설명드릴 것은, 도 3을 참조하면, 단계 1에서 한 세트의 활면 제1 쌍롤러 롤링 장치의 2개의 단일 롤러(1-1 및 1-2)를 통해 제1 보호필름(9-2), 반경화 슬러리(9-1) 및 제2 보호필름(9-3)을 롤링하여, 조제 광 변환 필름시트(9-4)를 얻은 다음, 한 세트의 활면 제2 쌍롤러 롤링 장치의 2개의 단일 롤러(1-3 및 1-4)를 통해 조제 광 변환 필름시트(9-4)를 롤링하여, 정제 광 변환 필름시트(9-5)를 얻는다.
상기 조제 반경화 광 변환 필름시트의 두께는 850㎛ 이내이고, 가장 바람직한 조제 광 변환 필름시트의 두께는 150~300㎛이고, 상기 정제 반경화 광 변환 필름시트의 두께는 800㎛ 이내이고, 가장 바람직한 정제 광 변환 필름시트의 두께는 150~250㎛이다.
단계 1에서 설명한 제1 보호필름 및 제2 보호필름의 재질은 폴리에스테르, 폴리올레핀 또는 폴리에테르이다.
상기 단일 세트의 쌍롤러 또는 복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형을 거치는 온도는 50℃~120℃이고, 가장 바람직한 롤링 성형 온도는 80℃~100℃이다.
단계 2에서 설명한 저온 냉동 온도는 -5℃ 내지 -40℃이고, 바람직한 냉동 온도는 -10℃ 내지 -20℃이다.
단계 2에서 설명한 가경화 광 변환 필름시트는, 단계 1에서 얻은 반경화 광 변환 필름시트가 물리적 형태의 경화만 발생한 것을 의미한다.
설명드릴 것은, 도 4를 참조하면, 단계 2는 단계 1에서 얻은 광 변환 필름시트에 대해 온도가 -5℃ 내지 -40℃인 냉동 부재의 제1 냉동 단일 롤러(2-1) 및 제2 냉동 단일 롤러(2-2)를 통해 가경화를 진행하여, 가경화 광 변환 필름시트(9-6)를 얻는 것이다.
단계 3에서 설명한 캐리어 필름시트는 신축성 캐리어 필름이고, 상기 신축성 캐리어 필름시트의 재질은 고온 폴리에스테르 또는 폴리디메틸실록산, 폴리염화비닐로부터 선택된 1종이다.
단계 4에서 설명한 가온 및/또는 광조사 방식으로 가경화 광 변환 필름시트를 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시키는 온도는 50℃~120℃이고, 바람직한 온도는 80℃~100℃이고,
설명드릴 것은, 도 5를 참조하면, 단계 4는 먼저 단계 2에서 얻은 가경화 광 변환 필름시트(9-6)에 대해 견인 부재의 제1 견인 단일 롤러(3-1) 및 제2 견인 단일 롤러(3-2)를 통해 제2 보호필름(9-3)을 박리하고, 박리된 제2 보호필름(9-3)은 필름 수납 롤러(8-1)에 수납되고, 도 6을 참조하면, 단계 4는 가경화 광 변환 필름시트(9-6)에 대해 제2 보호필름(9-3)을 박리한 다음, 온도회복 부재의 제1 온도회복 단일 롤러(4-1) 및 제2 온도회복 단일 롤러(4-2)를 통해 가온 방식으로 가경화 광 변환 필름시트를 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시켜, 제2 보호필름이 박리된 반경화 광 변환 필름시트(9-7)를 얻는다.
단계 4에서 설명한 쌍롤러 롤링 본딩 성형의 본딩 온도는 50℃~120℃이고, 가장 바람직한 본딩 성형 온도는 80℃~100℃이고,
설명드릴 것은, 도 7을 참조하면, 단계 4는 마지막에 제2 보호필름이 박리된 반경화 광 변환 필름시트(9-7)와 단계 3에서 얻은 LED 플립칩어레이 필름시트에 대해 제3 쌍롤러 롤링 장치의 제1 활면 본딩 단일 롤러(5-1) 및 제3 쌍롤러 롤링 장치의 제2 활면 본딩 단일 롤러(5-2)를 통해 서로 마주하게 정렬되는 롤링을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 반경화 광 변환 필름시트(9-7) 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻는다.
단계 5에서 설명한 광 경화 방식은 활성 에너지선의 조사에 의한 경화이고, 상기 가온 경화 방식의 경화 온도는 140℃~180℃이고, 경화 시간은 1h 이상이고, 가장 바람직한 경화 온도는 150℃~160℃이고, 경화 시간은 2h이다.
단계 6에서 설명한 경화된 LED 패키지 소자에 대한 절단은, 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재 및 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재로 조성된 장치를 통해 경화된 LED 패키지 소자를 롤링 절단하여, 단일 LED 패키지 소자로 분할하는 절단 슬릿이 구비된 LED 패키지 소자 완성품을 얻는 것을 의미하고,
상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재는 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 단일 롤러 또는 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 평면 전송장치이고, 상기 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재는 활면 제2 롤링 절단 단일 롤러 또는 활면 제2 롤링 절단 평면 전송장치이고, 상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재 및 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재 중 적어도 하나는 단일 롤러이고,
상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재 중의 어레이 블레이드는 어레이 직사각형 격자가 구비된 블레이드이고, 상기 직사각형 격자의 크기는 단일 LED 패키지 소자 완성품의 크기와 동일하고,
상기 단일 롤러와 단일 롤러 또는 단일 롤러와 평면 전송장치의 간격은 상기 LED 플립칩 어레이 필름시트 중 캐리어 필름의 두께를 초과하지 않는다.
단계 6에서 설명한 절단 슬릿의 슬릿 폭은 20㎛ 이내이고, 가장 바람직한 절단 슬릿의 슬릿 폭은 15㎛이다.
단계 6에서 LED 패키지 소자 완성품을 얻은 후, 연신기를 통해 신축성 캐리어 필름시트를 연신시켜, 연신 후 LED 패키지 소자 완성품을 절단 슬릿을 따라 분할함으로써, 단일 LED 패키지 소자 완성품을 얻을 수 있고, 도 8a, 도 8b를 참조하기 바란다.
본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법은, 유기 실리콘 수지 광 변환체와 전력 크기가 다양한 LED 플립칩의 본딩 패키징 공정에 널리 사용된다.
실시예 2:
본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에서 사용한 장비 시스템은, 양측 보호필름이 구비된 광 변환 필름시트 중 일측 보호필름을 박리하는 보호필름 박리 장치, 일측에 보호필름을 포함한 광 변환 필름시트로 LED 플립칩 어레이를 패키징하여 LED 패키지 소자를 형성하는 롤링 본딩 장치를 포함하고, 상기 보호필름 박리 장치는 순차적으로 연결되어 설치된 광 변환 필름시트 냉동 부재, 광 변환 필름시트가 냉동된 후의 일측 보호필름을 견인하여 박리하는 견인 부재 및 광 변환 필름시트 온도회복 부재를 포함하고, 상기 롤링 본딩 장치는 롤러 표면이 모두 활면인 2개의 활면 본딩 단일 롤러를 포함한다.
본 발명에서 제공한 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에서 사용된 장비 시스템의 구체적인 실시방안에 대해 다음과 같이 추가로 설명한다.
상기 광 변환 필름시트 냉동 부재는 냉동 롤러 어셈블리이고, 상기 냉동 롤러 어셈블리는 롤러 온도가 -40℃~ -5℃인 1개 이상의 냉동 단일 롤러를 포함한다. 도 4를 참조하면, 보호필름 박리 장치 중 광 변환 필름시트 냉동 부재는 온도가 -5℃ 내지 -40℃인 제1 냉동 단일 롤러(2-1) 및 제2 냉동 단일 롤러(2-2)를 포함하고, 가경화를 진행하여, 가경화 광 변환 필름시트(9-6)를 얻는다.
상기 광 변환 필름시트 냉동 부재는 광 변환 필름시트 접수구 및 광 변환 필름시트 수출구를 포함하고 주변 온도가 -40℃~ -5℃로 설정된 온도 제어 장비이다.
상기 견인 부재는 상기 광 변환 필름시트 상의 상기 일측 보호필름을 고정시키는 끼움홈이 구비된 견인 단일 롤러를 포함하고, 상기 일측 보호필름의 폭 방향의 양측에는 끼움홈이 구비된 단일 롤러의 끼움홈과 매칭되는 구멍이 설치되어 있고, 상기 보호필름 박리 장치는 필름 수납 장치를 더 포함한다. 도 5를 참조하면, 일측 보호필름 견인 부재는 제1 견인 단일 롤러(3-1)와 끼움홈이 구비된 제2 견인 단일 롤러(3-2)를 포함하고, 제2 보호필름(9-3)을 박리하고, 박리된 제2 보호필름(9-3)은 필름 수납 롤러(8-1)에 수납된다.
상기 광 변환 필름시트의 온도회복 부재는 가열 롤러 어셈블리이고, 상기 가열 롤러 어셈블리는 롤러 온도가 50℃~120℃인 1개 이상의 온도회복 단일 롤러를 포함하고, 상기 광 변환 필름시트 온도회복 부재는 광 변환 필름시트 접수구 및 광 변환 필름시트 수출구가 설치되어 있고 주변 온도가 50℃~120℃로 설정된 온도 제어 장비이다. 도 6을 참조하면, 광 변환 필름시트 온도회복 부재는 제1 온도회복 단일 롤러(4-1) 및 제2 온도회복 단일 롤러(4-2)를 포함하고, 가온 방식으로 가경화 광 변환 필름시트를 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시켜, 제2 보호필름이 박리된 반경화 광 변환 필름시트(9-7)를 얻는다.
상기 롤링 본딩 장치 중의 롤러 표면이 모두 활면인 2개의 단일 롤러는, 각각 광 변환 필름시트가 배치되는 단일 롤러 및 LED 플립칩 어레이 필름시트가 배치되는 단일 롤러를 의미하고, 서로 마주하게 정렬되도록 설치된다. 도 7를 참조하면, 롤링 본딩 장치는 제1 활면 본딩 단일 롤러(5-1) 및 제2 활면 본딩 단일 롤러(5-2)를 포함하는, 서로 마주하게 정렬되어 롤링하는, 제3 쌍롤러 롤링 장치이고, 제2 보호필름이 박리된 반경화 광 변환 필름시트(9-7)와 LED 플립칩 어레이 필름시트는 상기 쌍롤러 롤링 장치를 통해, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 반경화 광 변환 필름시트(9-7) 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻는다.
상기 롤러 표면이 모두 활면인 2개의 단일 롤러에는 광 변환 필름시트 단일 롤러와 LED 플립칩 어레이 필름시트 단일 롤러의 간격을 조절하는 변위 조정 장치가 설치되어 있고, 상기 광 변환 필름시트가 배치되는 단일 롤러와 LED 플립칩 어레이 필름시트가 배치되는 단일 롤러의 반경방향 흔들림 폭은 모두 2㎛ 이하이고, 상기 장비 시스템은 광 변환 필름시트를 제조하기 위한 롤링 압착 장치를 더 포함하고, 상기 롤링 압착 장치는 상기 보호필름 박리 장치 전방에 위치한 공정장치이고, 상기 롤링 압착 장치는 한 세트 또는 복수 세트의 쌍롤러이고, 상기 쌍롤러에는 롤러의 간격을 조절하는 변위 조정 장치가 설치되어 있고, 상기 쌍롤러의 단일 롤러의 반경방향 흔들림 폭은 2㎛ 이하이다. 도 3을 참조하면, 롤링 압착 장치는 활면 제1 쌍롤러 롤링 장치 및 활면 제2 쌍롤러 롤링 장치를 포함하고, 활면 제1 쌍롤러 롤링 장치는 2개의 단일 롤러(1-1 및 1-2)를 포함하고, 활면 제2 쌍롤러 롤링 장치는 2개의 단일 롤러(1-3 및 1-4)를 포함하고, 제1 쌍롤러 롤링 장치의 2개의 단일 롤러(1-1 및 1-2)를 통해 제1 보호필름(9-2), 반경화 슬러리(9-1) 및 제2 보호필름(9-3)을 롤링하여 조제 광 변환 필름시트(9-4)를 얻은 다음, 제2 쌍롤러 롤링 장치의 2개의 단일 롤러(1-3 및 1-4)를 통해 조제 광 변환 필름시트(9-4)를 롤링하여, 정제 광 변환 필름시트(9-5)를 얻는다.
상기 장비 시스템은 경화 장치를 더 포함하고, 상기 경화 장치는 롤링 본딩 장치 후방에 위치하는 공정장비이다.
상기 경화 장치는 터널식 온도 제어 장치 또는 터널식 광조사 장치이고, 상기 터널식 온도 제어 장치는 가온 부재, 온도 조절 부재 및 컨베이어 벨트 통로를 포함하고, 상기 터널식 광조사 장치는 광조사 부재, 광조사 강도 조절 부재 및 컨베이어 벨트 통로를 포함한다.
상기 장비 시스템은 경화된 LED 패키징 소자를 절단하는 절단 장치를 더 포함하고, 상기 절단 장치는 상기 경화 장치 후방에 설치된 공정장비이다.
상기 절단 장치는 롤링 절단 장치이고, 상기 롤링 절단 장치는 서로 마주하게 정렬되도록 설치된, 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재 및 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재를 포함한다.
상기 롤링 절단 장치 중 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재는 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 단일 롤러 또는 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 평면 전송장치이고, 상기 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재는 활면 제2 롤링 절단 단일 롤러 또는 활면 제2 롤링 절단 평면 전송장치이고; 상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재와 상기 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재 중 적어도 하나는 단일 롤러이고, 상기 어레이 블레이드는 어레이 직사각형 격자가 구비된 블레이드이고, 상기 직사각형 격자의 크기는 단일 LED 패키징 소자의 크기와 동일하다.
상기 롤링 절단 장치에는 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재와 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재의 간격을 조절하는 변위 조정 장치가 설치되어 있고, 상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재와 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재 중 단일 롤러인 것은, 롤러의 반경방향 흔들림 폭이 2㎛ 이하이다.
본 발명의 구체적인 실시예에서 언급되지 않은 설명은 해당분야의 공지기술에 해당하므로, 공지기술을 참고하여 추가로 실시할 수 있다.
본 발명은 반복적인 실험 검증을 통해, 만족스러운 실험 효과를 얻었다.
이상 구체적인 실시방식 및 실시예는 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 기술사상을 구체적으로 뒷받침하는 것으로, 이에 의해 본 발명의 보호범위를 한정해서는 안되고, 본 발명에서 제공한 기술사상에 따라, 본 기술방안을 바탕으로 진행한 모든 동등한 변경 또는 등가적 변동은 모두 본 발명의 기술방안의 보호범위에 해당한다.
1-1과 1-2: 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계의 활면 제1 쌍롤러 롤링 장치의 2개의 단일 롤러
1-3과 1-4: 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계의 활면 제2 쌍롤러 롤링 장치의 2개의 단일 롤러
1-5: 제1 버퍼롤러
1-6: 제2 버퍼롤러
2-1: 반경화 광 변환 필름시트의 가경화 단계의 냉동 부재의 제1 냉동 단일 롤러
2-2: 반경화 광 변환 필름시트의 가경화 단계의 냉동 부재의 제2 냉동 단일 롤러
3-1: 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계에서 제2 보호필름을 박리하는 견인 부재의 제1 견인 단일 롤러
3-2: 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계에서 제2 보호필름을 박리하는 견인 부재의 제2 견인 단일 롤러
4-1: 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계에서 가경화 광 변환 필름시트를 온도회복시키는 온도회복 부재의 제1 온도회복 단일 롤러
4-2: 쌍롤러 롤링 본딩 성형단계에서 가경화 광 변환 필름시트를 온도회복시키는 온도회복 부재의 제2 온도회복 단일 롤러
5-1: 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계의 제3 쌍롤러 롤링 장치의 제1 활면 본딩 단일 롤러
5-2: 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계의 제3 쌍롤러 롤링 장치의 제2 활면 본딩 단일 롤러
5-3: LED 플립칩
5-4: 캐리어 필름
6: 경화 장치
7: 박리 및 절단 장치
8-1: 필름 수납 롤러
8-2: 권취 롤러
8-3: LED 플립칩 버퍼롤러
9-1: 반경화 슬러리
9-2: 제1 보호필름
9-3: 제2 보호필름
9-4: 조제 광 변환 필름시트
9-5: 정제 광 변환 필름시트
9-6: 가경화 광 변환 필름시트
9-7: 제2 보호필름이 박리된 반경화 광 변환 필름시트

Claims (15)

  1. 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 있어서,
    반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계;
    반경화 광 변환 필름시트의 가경화 단계;
    LED 플립칩 어레이 필름시트의 준비 단계;
    LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계; 및
    LED 패키지 소자의 경화 단계 및 LED 패키지 소자의 절단 단계;
    로 구성된 흐름식 연속 공정을 포함하고,
    상기 공정방법의 기본 단계는,
    단계 1, 제1 보호필름, 반경화 광 변환 필름 및 제2 보호필름으로 구성된 반경화 광 변환 필름시트를 얻되, 상기 반경화 광 변환 필름은 반경화 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료를 포함하는, 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계;
    단계 2, 진공 조건에서, 저온 냉동 방식으로, 상기 단계 1에서 얻은 반경화 광 변환 필름시트를 가경화시켜, 가경화 광 변환 필름시트를 얻는, 반경화 광 변환 필름시트의 가경화 단계;
    단계 3, LED 플립칩 어레이 필름시트를 얻고, 상기 LED 플립칩 어레이 필름시트 중의 LED 플립칩을 어레이 방식으로 캐리어 필름시트 상에 배열하고, 그 중 LED 플립칩을 어레이 방식으로 배열하는 것은, 단일 LED 플립칩을 단위로 하여 어레이로 배열하거나 LED 플립칩 어셈블리를 단위로 하여 어레이로 배열하는 것 중 하나를 의미하고, 상기 LED 플립칩 어셈블리는 2개 이상의 단일 LED 플립칩으로 조성되는, LED 플립칩 어레이 필름시트의 준비 단계;
    단계 4, 진공 조건에서, 상기 단계 2에서의 가경화 광 변환 필름시트의 제2 보호필름을 박리하여, 일측에 보호필름이 포함되지 않은 가경화 광 변환 필름시트를 얻은 후, 가온 및 광조사 중 하나 이상의 방식으로 가경화 광 변환 필름시트를 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시키고, 이후 반경화 광 변환 필름시트와 LED 플립칩 어레이 필름시트에 대해 쌍롤러 롤링 본딩을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 반경화 광 변환 필름시트 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻는, LED 패키지 소자의 쌍롤러 롤링 본딩 성형 단계;
    단계 5, 진공 조건에서, 가온 및 광 경화 중 하나 이상의 방식으로, LED 패키지 소자를 경화시켜 경화된 LED 패키지 소자를 얻는, LED 패키지 소자의 경화 단계; 및
    단계 6, 상기 단계 5의 경화된 LED 패키지 소자의 제1 보호필름을 박리하고, 경화된 LED 패키지 소자를 절단하여, 단일 LED 패키지 소자로 분할하는 절단 슬릿이 구비된 LED 패키지 소자 완성품을 얻는, LED 패키지 소자의 절단 단계;
    를 포함하는 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 반경화 광 변환 필름시트의 준비 단계는, 진공 조건에서, 제1 보호필름 및 제2 보호필름 사이에 적어도 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료를 포함하여 조성된 반경화 혼합 슬러리를 넣고, 단일 세트의 쌍롤러 또는 복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형을 거쳐, 제1 보호필름, 반경화 광 변환 필름 및 제2 보호필름으로 구성된 반경화 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하는, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 광 변환 재료는 양자점 형광체 또는 형광분말인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 단일 세트의 쌍롤러 또는 복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형 단계에 있어서,
    상기 단일 세트의 쌍롤러 롤링 성형은 제1 보호필름, 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료로 조성된 반경화 혼합 슬러리 및 제2 보호필름을 단일 세트의 활면 쌍롤러 롤링 장치를 통해 롤링 성형하는 것을 의미하고,
    상기 복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형은 제1 보호필름, 유기 실리콘 수지 및 광 변환 재료로 조성된 반경화 슬러리 및 제2 보호필름을 한 세트의 활면 쌍롤러 롤링 장치를 통해 롤링 성형하여, 조제 반경화 광 변환 필름시트를 얻은 다음, 얻어진 조제 반경화 광 변환 필름시트를 다시 한 세트, 2세트 이상의 활면 쌍롤러 롤링 장치를 통해 롤링 성형하여, 정제 반경화 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하는, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 조제 반경화 광 변환 필름시트의 두께는 850㎛ 이내이고, 상기 정제 반경화 광 변환 필름시트의 두께는 800㎛ 이내인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 제1 보호필름 및 제2 보호필름의 재질은 폴리에스테르, 폴리올레핀 또는 폴리에테르인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법
  7. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 단일 세트의 쌍롤러 또는 복수 세트의 쌍롤러 롤링 성형을 거치는 온도는 50℃~120℃인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 저온 냉동 온도는 -5℃ 내지 -40℃인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 4에서의 가온 및 광조사 중 하나 이상의 방식으로 가경화 광 변환 필름시트를 가경화 상태에서 반경화 상태로 변화시키는 온도는 50℃~120℃이고, 상기 쌍롤러 롤링 본딩 성형의 본딩 온도는 50℃~120℃인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 5에서의 광 경화 방식은 활성 에너지선의 조사에 의한 경화이고, 상기 가온 경화 방식의 경화 온도는 140℃~180℃이고, 경화 시간은 1h 이상인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 단계 6에서의 경화된 LED 패키지 소자에 대한 절단은, 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재 및 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재로 조성된 장치를 통해 경화된 LED 패키지 소자를 롤링 절단하여, 단일 LED 패키지 소자로 분할하는 절단 슬릿이 구비된 LED 패키지 소자 완성품을 얻는 것을 의미하고,
    상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재는 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 단일 롤러 또는 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 평면 전송장치이고, 상기 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재는 활면 제2 롤링 절단 단일 롤러 또는 활면 제2 롤링 절단 평면 전송장치이고, 상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재 및 활면 제2 롤링 절단 롤링 부재 중 적어도 하나는 단일 롤러이고,
    상기 어레이 블레이드가 구비된 제1 롤링 절단 롤링 부재 중의 어레이 블레이드는 어레이 직사각형 격자가 구비된 블레이드이고, 상기 직사각형 격자의 크기는 단일 LED 패키지 소자 완성품의 크기와 동일하고,
    상기 롤링 절단 단일 롤러와 롤링 절단 단일 롤러의 사이 또는 상기 롤링 절단 단일 롤러와 롤링 절단 평면 전송장치 사이의 간격은 상기 LED 플립칩 어레이 필름시트 중 캐리어 필름의 두께를 초과하지 않는, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  12. 제1항 또는 제11항에 있어서,
    상기 단계 6에서의 절단 슬릿의 슬릿 폭은 20㎛ 이내인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  13. 제1항 또는 제11항에 있어서,
    상기 단계 3에서의 캐리어 필름시트는 신축성 캐리어 필름이고, 상기 신축성 캐리어 필름시트의 재질은 고온 폴리에스테르 또는 폴리디메틸실록산, 폴리염화비닐로부터 선택된 1종인, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 단계 6에서의 LED 패키지 소자 완성품은, 연신기를 통해 신축성 캐리어 필름시트를 연신시켜, 연신 후 LED 패키지 소자 완성품을 절단 슬릿을 따라 분할함으로써, 단일 LED 패키지 소자 완성품을 얻는, 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  15. 삭제
KR1020187002436A 2015-08-18 2015-12-18 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 KR102026842B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510509581.6A CN106469780B (zh) 2015-08-18 2015-08-18 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
CN201510509581.6 2015-08-18
PCT/CN2015/097906 WO2017028429A1 (zh) 2015-08-18 2015-12-18 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180022862A KR20180022862A (ko) 2018-03-06
KR102026842B1 true KR102026842B1 (ko) 2019-09-30

Family

ID=58050699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187002436A KR102026842B1 (ko) 2015-08-18 2015-12-18 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10141486B2 (ko)
EP (1) EP3340320B1 (ko)
JP (1) JP6675423B2 (ko)
KR (1) KR102026842B1 (ko)
CN (1) CN106469780B (ko)
PL (1) PL3340320T3 (ko)
WO (1) WO2017028429A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106469780B (zh) 2015-08-18 2018-02-13 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
GB2570221B (en) * 2016-08-11 2022-05-04 Lumens Co Ltd LED module and method for fabricating the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060196A (ja) 2004-07-16 2006-03-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜集積回路を封止する装置、ｉｃシート、ｉｃシートの巻物及びｉｃチップの作製方法
JP2009194064A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Takatori Corp 基板への接着フィルム貼付け装置及び貼付け方法
WO2011105185A1 (ja) 2010-02-26 2011-09-01 コニカミノルタオプト株式会社 光学半導体素子モジュールの製造方法
WO2012023119A1 (en) * 2010-08-20 2012-02-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lamination process for leds

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01174434A (ja) * 1987-12-28 1989-07-11 Chiharu Yoshihara 板状体の製造法および装置
JP2873842B2 (ja) * 1989-12-07 1999-03-24 三菱レイヨン株式会社 フイルム状熱硬化性樹脂の製造方法
US5255431A (en) * 1992-06-26 1993-10-26 General Electric Company Method of using frozen epoxy for placing pin-mounted components in a circuit module
US20050008821A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-13 Pricone Robert M. Process and apparatus for fabricating precise microstructures and polymeric molds for making same
US7259030B2 (en) * 2004-03-29 2007-08-21 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US20070090387A1 (en) * 2004-03-29 2007-04-26 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits
US7591863B2 (en) 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
JP4749074B2 (ja) * 2004-07-30 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｉｃチップの作製方法及び装置
WO2006011665A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, ic sheet, scroll of ic sheet, and method for manufacturing ic chip
JP4676735B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
US20060280912A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Rong-Chang Liang Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
US20080265462A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Panel/wafer molding apparatus and method of the same
CN101306565A (zh) * 2007-05-16 2008-11-19 鑫昌机械工业股份有限公司 亲油性橡胶薄制品压延生产方法
JP5080881B2 (ja) * 2007-06-27 2012-11-21 ナミックス株式会社 発光ダイオードチップの封止体の製造方法
US20100212198A1 (en) * 2007-10-22 2010-08-26 Hideto Matsunaga Surface emitter and internally illuminated sign incorporating the same
JP5064278B2 (ja) * 2008-03-25 2012-10-31 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP5093049B2 (ja) * 2008-10-27 2012-12-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロニクス素子、その製造方法、及び製造装置
CN101901740B (zh) * 2009-05-27 2011-10-19 台湾暹劲股份有限公司 一种电子元件切割剥料机及其方法
CN105047597B (zh) * 2009-06-15 2018-04-03 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
CN101872828B (zh) 2010-06-21 2012-07-25 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种倒装led芯片的封装方法
JP2012142364A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Nitto Denko Corp 封止部材、封止方法、および、光半導体装置の製造方法
KR20120081809A (ko) * 2011-01-12 2012-07-20 삼성엘이디 주식회사 형광체 도포 방법 및 형광체 도포 장치
KR20120109737A (ko) * 2011-03-25 2012-10-09 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101769356B1 (ko) * 2011-03-25 2017-08-18 삼성전자주식회사 발광소자에 형광체층을 형성하는 방법 및 장치
CN102881780B (zh) * 2011-07-15 2015-04-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光模组及其制造方法
US20130229805A1 (en) * 2012-03-02 2013-09-05 Nitto Denko Corporation Light-emitting device assembly and lighting device
JP2013183089A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Idec Corp 発光装置、照明装置、発光装置集合体および発光装置の製造方法
KR20160150657A (ko) * 2012-04-12 2016-12-30 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 발광장치 제조방법
WO2014002784A1 (ja) * 2012-06-28 2014-01-03 東レ株式会社 樹脂シート積層体およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法
US20140001949A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered led, producing method thereof, and led device
WO2014069151A1 (ja) * 2012-10-29 2014-05-08 日東電工株式会社 ロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2014093403A (ja) * 2012-11-02 2014-05-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性シリコーン樹脂シート及びその製造方法、該熱硬化性シリコーン樹脂シートを使用する発光装置及びその製造方法
JP5961148B2 (ja) * 2013-08-02 2016-08-02 富士フイルム株式会社 発光装置の製造方法
JP2015082580A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 日東電工株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN106469767B (zh) * 2015-08-18 2017-12-01 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的装备系统
CN106469780B (zh) 2015-08-18 2018-02-13 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
CN106469778B (zh) * 2015-08-18 2017-12-22 江苏诚睿达光电有限公司 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060196A (ja) 2004-07-16 2006-03-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜集積回路を封止する装置、ｉｃシート、ｉｃシートの巻物及びｉｃチップの作製方法
JP2009194064A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Takatori Corp 基板への接着フィルム貼付け装置及び貼付け方法
WO2011105185A1 (ja) 2010-02-26 2011-09-01 コニカミノルタオプト株式会社 光学半導体素子モジュールの製造方法
WO2012023119A1 (en) * 2010-08-20 2012-02-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lamination process for leds

Also Published As

Publication number Publication date
EP3340320B1 (en) 2019-08-21
EP3340320A4 (en) 2018-08-01
US20180240947A1 (en) 2018-08-23
PL3340320T3 (pl) 2020-03-31
US10141486B2 (en) 2018-11-27
JP6675423B2 (ja) 2020-04-01
CN106469780B (zh) 2018-02-13
KR20180022862A (ko) 2018-03-06
CN106469780A (zh) 2017-03-01
JP2018525816A (ja) 2018-09-06
EP3340320A1 (en) 2018-06-27
WO2017028429A1 (zh) 2017-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3300126B1 (en) Process method for refining photoconverter to bond-package led and refinement equipment system
KR101957870B1 (ko) 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법
KR102026842B1 (ko) 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법
KR102026843B1 (ko) 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비 시스템
KR101989043B1 (ko) 이형 유기 실리콘 수지 광변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비 시스템
WO2017028419A1 (zh) 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
JP6731005B2 (ja) ローリングによって熱可塑性樹脂光変換体でｌｅｄを貼り合せてパッケージする設備システム
JP2018525816A5 (ko)
JP2018527745A5 (ko)
JP2018533194A5 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant