KR102030759B1 - 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법 - Google Patents

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히로유키 야스다
쇼헤이 타가미
마사히토 타나베
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재로서, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 비실리콘 열가소성 수지층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 열경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리가능하게 접착가능한 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재이다. 이에 따라, 가접착 및 박리가 용이하고, CVD내성이 우수하며, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.

Description

웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법{WAFER PROCESSED BODY, TEMPORARY BONDING MATERIAL FOR WAFER PROCESSING AND METHOD FOR PRODUCING THIN WAFER}
본 발명은, 박형 웨이퍼를 효과적으로 얻을 수 있게 하는 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재(假接着材) 및 박형 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.
3차원의 반도체 실장은, 한층 더 고밀도, 대용량화를 실현하기 위해 필수시되고 있다. 3차원 실장기술이란, 1개의 반도체칩을 박형화하고, 다시 이것을 실리콘 관통전극(TSV; through silicon via)에 의해 결선(結線)하면서 다층으로 적층해 가는 반도체 제작기술이다. 이를 실현하기 위해서는, 반도체 회로를 형성한 기판을 비회로형성면(「이면(裏面)」이라고도 함) 연삭에 의해 박형화하고, 다시 이면에 TSV를 포함하는 전극 형성을 행하는 공정이 필요하다. 종래, 실리콘기판의 이면연삭공정에서는, 연삭면의 반대측에 이면보호테이프를 붙여, 연삭시의 웨이퍼 파손을 방지하고 있다. 그러나, 이 테이프는 유기수지필름을 지지기재에 이용하고 있어, 유연성이 있는 반면, 강도나 내열성이 불충분하여, TSV 형성공정이나 이면에서의 배선층 형성공정을 행하기에는 적합하지 않다.
이에, 반도체 기판을 실리콘, 유리 등의 지지체에 접착층을 개재하여 접합함으로써, 이면연삭, TSV나 이면전극 형성의 공정에 충분히 견딜 수 있는 시스템이 제안되어 있다. 이때 중요한 것이, 기판을 지지체에 접합할 때의 접착층이다. 이는 기판을 지지체에 간극없이 접합할 수 있고, 후공정에 견딜 수 있을 만큼의 충분한 내구성이 필요하며, 나아가 마지막에 박형 웨이퍼를 지지체로부터 간편하게 박리할 수 있는 것이 필요하다. 이와 같이, 마지막에 박리한다는 점에서, 본 명세서에서는, 이 접착층을 가접착층(또는 가접착재층)이라 칭하기로 한다.
지금까지 공지된 가접착층과 그 박리방법으로는, 광흡수성 물질을 포함하는 접착재에 고강도의 광을 조사하고, 접착재층을 분해함으로써 지지체로부터 접착재층을 박리하는 기술(특허문헌 1), 및, 열용융성의 탄화수소계 화합물을 접착재에 이용하고, 가열용융상태로 접합·박리를 행하는 기술(특허문헌 2)이 제안되어 있다. 전자의 기술은 레이저 등의 고가의 장치가 필요하고, 또한 기판 1매당 처리시간이 길어지는 등의 문제가 있었다. 또한 후자의 기술은 가열만으로 제어하기 때문에 간편한 반면, 200℃를 초과하는 고온에서의 열안정성이 불충분하여, 적용범위는 좁았다. 나아가 이들 가접착층에서는, 고단차기판의 균일한 막두께 형성과, 지지체에 대한 완전 접착에도 적합하지 않았다.
또한, 실리콘 점착제를 가접착재층에 이용하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 3). 이는 기판을 지지체에 부가경화형의 실리콘 점착제를 이용하여 접합하고, 박리시에는 실리콘 수지를 용해, 혹은 분해하는 약제에 침지하여 기판을 지지체로부터 분리하는 것이다. 이 때문에 박리에 매우 장시간을 요하므로, 실제의 제조 프로세스에 적용하는 것은 곤란하다.
일본특허공개 2004-64040호 공보 일본특허공개 2006-328104호 공보 미국특허 제7541264호 공보
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 가접착이 용이하며, 또한, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하고, TSV 형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가, CVD(화학적 기상성장)과 같은 웨이퍼 열프로세스 내성이 우수하며, 박리도 용이하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재로서,
상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 비실리콘 열가소성 수지층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 열경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리가능하게 접착가능한 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재를 제공한다.
또한, 본 발명에서는, 지지체 상에 가접착재층이 형성되며, 또한 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체로서,
상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착된 비실리콘 열가소성 수지층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 열경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리가능하게 접착된 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체를 제공한다.
이러한, 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재를 이용한다면, 웨이퍼와 지지체의 가접착이 용이하며, 또한, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하고, TSV 형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가, CVD 등의 열프로세스 내성도 양호하고 박리도 용이하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있다.
또한 이들의 경우, 상기 열경화성 실록산 중합체층(B)이,
(B-1) 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산,
(B-2) 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
(B-3) 백금계 촉매,
를 함유하는 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
이러한 열경화성 실록산 중합체층(B)이면, CVD내성이 보다 우수하므로 바람직하다.
이 경우, 상기 열경화성 실록산 중합체층(B)이, 추가로, (B-4)성분으로서 반응제어제: 상기 (B-1) 및 상기 (B-2)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부,
를 함유하는 것이 바람직하다.
이러한 열경화성 실록산 중합체층(B)이면, 가열경화 전에 처리액(조성물)이 증점이나 겔화를 일으키지 않도록 할 수 있다.
또한, 이들의 경우, 상기 열경화성 실록산 중합체층(B)의 열경화 후에 있어서의 25mm폭의 시험편의 180°필박리력(ピ-ル剝離力)이 2gf 이상 50gf 이하인 것이 바람직하다.
이러한 필박리력을 갖는 열경화성 실록산 중합체층(B)이면, 웨이퍼 연삭시에 웨이퍼의 어긋남(ズレ)이 발생할 우려가 없고, 박리가 용이하므로 바람직하다.
나아가 이들의 경우, 상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이, 하기 일반식(1)로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000, 바람직하게는 10000~100000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure 112016089260253-pct00001
[식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. 단, A+B=1이다. X는 하기 일반식(2)로 표시되는 2가의 유기기이다.
[화학식 2]
Figure 112016089260253-pct00002
(식 중, Z은
[화학식 3]
Figure 112016089260253-pct00003
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, N은 0 또는 1이다. 또한, R5, R6은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
이러한 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이면, 내열성이 한층 더 우수하므로 바람직하다.
나아가 이들의 경우, 상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이, 하기 일반식(3)으로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
[화학식 4]
Figure 112016089260253-pct00004
[식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. 단, A+B=1이다. 나아가, Y는 하기 일반식(4)로 표시되는 2가의 유기기이다.
[화학식 5]
Figure 112016089260253-pct00005
(식 중, V는
[화학식 6]
Figure 112016089260253-pct00006
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R7, R8은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
이러한 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이면, 내열성이 한층 더 우수하므로 바람직하다.
나아가 본 발명에서는, (a) 표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 상기 회로형성면을, 상기 본 발명의 웨이퍼 가공용 가접착재에 이용되는 상기 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 상기 열경화성 실록산 중합체층(B)과, 상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 상기 지지체 상에 형성된 상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 상에 상기 열경화성 실록산 중합체층(B)을 형성한 후, 이 중합체층(C)과 (B)가 형성된 지지체와, 상기 수지층(A)이 형성된 회로가 부착된 웨이퍼를 진공하에서 접합하는 공정과,
(b) 상기 중합체층(B) 및 (C)를 열경화시키는 공정과,
(c) 상기 지지체와 접합한 상기 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정과,
(d) 상기 웨이퍼의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정과,
(e) 상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정,
을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.
이러한 박형 웨이퍼의 제조방법이면, 본 발명에 있어서의 3층계로 이루어진 가접착재층을, 웨이퍼와 지지체의 접합에 사용함으로써, 이 가접착재층을 사용하여 관통전극 구조나, 범프접속 구조를 갖는 박형 웨이퍼를, 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서의 가접착재층은, 3층 구조를 가지며, 특히 열경화성 실록산 변성 수지(중합체층(C))를 기판접합용 지지층으로서 사용함으로써, 수지의 열분해가 발생하지 않음은 물론, 특히 200℃ 이상의 고온시에서의 수지의 유동도 발생하지 않고, 내열성이 높으므로, 폭넓은 반도체 성막 프로세스에 적용할 수 있고, 단차를 갖는 웨이퍼에 대해서도, 막두께균일성이 높은 접착재층을 형성할 수 있으며, 이 막두께균일성으로 인해 용이하게 50μm 이하의 균일한 박형 웨이퍼를 얻는 것이 가능해지고, 더 나아가, 박형 웨이퍼 제작 후, 이 웨이퍼를 지지체로부터 예를 들어 실온에서, 용이하게 박리할 수 있으므로, 깨지기(割れ) 쉬운 박형 웨이퍼를 용이하게 제조할 수 있다. 나아가, 본 발명은, 중합체층(B)으로서 열경화성 실록산 중합체층(B)을 포함하므로, CVD내성이 보다 우수하다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 가공체의 일예를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
상기와 같이, 가접착이 용이하며, 또한, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하고, TSV 형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가, CVD와 같은 웨이퍼 열프로세스 내성이 우수하며, 박리도 용이하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공용 가접착재가 요구되고 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행한 결과,
(A)의 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어진 열가소성 가접착층과,
(B)의 열경화성 실록산 중합체층으로 이루어진 열경화성 가접착층과, 더 나아가,
(C)의 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어진 열경화성 가접착층
의 3층계로 이루어진 복합 가접착재층을, 웨이퍼와 지지체의 접합에 웨이퍼측으로부터 (A), (B), (C) 순으로 형성한 구조로 하여 사용함으로써, 관통전극 구조나, 범프접속 구조를 갖는 박형 웨이퍼를, 간단하게 제조하는 방법을 발견하였다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 가공체의 일예를 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 가공체는, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)(1)와, 웨이퍼(1)의 가공시에 웨이퍼(1)를 지지하는 지지체(3)와, 이들 웨이퍼(1)와 지지체(3) 사이에 개재하는 가접착재층(2)을 구비하고, 이 가접착재층(2)이, 비실리콘 열가소성 수지층(A)(제1 가접착층)과, 열경화성 실록산 중합체층(B)(제2 가접착층)과, 더 나아가 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)(제3 가접착층)의 3층 구조로 이루어지며, 제1 가접착층이 웨이퍼(1)의 표면에 박리가능하게 접착되고, 제3 가접착층이 지지체(3)에 박리가능하게 접착되어 있는 것이다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 가공용 가접착재는, 상기 (A), (B) 및 (C)의 적층체로 이루어진 것이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
[가접착재층]
-제1 가접착층(A)/비실리콘 열가소성 수지층(열가소성 오르가노폴리실록산 비함유 중합체층)-
제1 가접착층(A)은, 오르가노폴리실록산을 가지지 않는 열가소성 수지로 구성된다. 단차를 갖는 실리콘 웨이퍼 등으로의 적용성으로부터, 양호한 스핀코트성을 갖는 열가소성 수지가 제1 가접착층(A)을 형성하는 재료로서 호적하게 사용되며, 특히 유리전이온도 -80~120℃ 정도의 열가소성 수지가 바람직하고, 예를 들어 올레핀계 열가소성 엘라스토머, 폴리부타디엔계 열가소성 엘라스토머, 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 스티렌·부타디엔계 열가소성 엘라스토머, 스티렌·폴리올레핀계 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있고, 특히 내열성이 우수한 수소첨가 폴리스티렌계 엘라스토머가 호적하다. 구체적으로는 TUFTEC(Asahi Kasei Chemicals Corporation), ESPOLEX SB Series(Sumitomo Chemical Co., Ltd.), RABALON(Mitsubishi Chemical Corporation), SEPTON(Kuraray Co., Ltd.), DYNARON(JSR) 등을 들 수 있다. 또한 ZEONEX(일본 Zeon Corporation)로 대표되는 시클로올레핀폴리머 및 TOPAS(일본 Polyplastics Co., Ltd.)으로 대표되는 환상 올레핀코폴리머를 들 수 있다.
상기와 같이, 비실리콘 열가소성 수지층(A)이, 비실리콘 열가소성 엘라스토머인 것이 바람직하다.
이러한 것이면, 박형 웨이퍼 제작 후, 이 웨이퍼를 지지체로부터, 용이하게 박리할 수 있으므로, 깨지기 쉬운 박형 웨이퍼를 보다 용이하게 취급할 수 있다.
이 비실리콘 열가소성 수지층은, 용제에 용해하여, 스핀코트나 스프레이코트 등의 수법으로, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 등의 위에 형성된다. 용제로는, 탄화수소계 용제, 바람직하게는, 노난, p-멘탄, 피넨, 이소옥탄 등을 들 수 있는데, 그 코팅성으로부터, 노난, p-멘탄, 이소옥탄이 보다 바람직하다. 이때, 형성되는 막두께에 제약은 없으나, 그 기판 상의 단차에 따라 수지 피막을 형성하는 것이 바람직하고, 호적하게는, 0.5미크론 내지 50미크론, 더욱 바람직하게는 0.5~10μm의 막두께가 형성된다. 또한, 이 열가소성 수지에는, 그 내열성 향상의 목적으로, 산화방지제나, 코팅성 향상을 위해, 계면활성제를 첨가할 수 있다. 산화방지제의 구체예로는, 디-t-부틸페놀 등이 호적하게 사용된다. 계면활성제의 예로는, 불소실리콘계 계면활성제 X-70-1102(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제) 등이 호적하게 사용된다.
-제2 가접착층(B)/열경화성 실록산 중합체층(열경화성 실리콘 중합체층)-
본 발명의 웨이퍼 가공체 및 웨이퍼 가공용 가접착재의 구성요소인 열경화성 실록산 중합체층(B)은, 열경화성의 실록산 중합체로 이루어진 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 하기 (B-1)~(B-3)성분, 필요에 따라 (B-4)성분을 함유하는 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
(B-1) 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산,
(B-2) 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산: (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
(B-3) 백금계 촉매.
이 경우, 열경화성 실록산 중합체층(B)이, 추가로, (B-4)성분으로서 반응제어제: (B-1) 및 (B-2)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부를 함유하는 것이 바람직하다.
이하 각 성분에 대하여 설명한다.
[(B-1)성분]
(B-1)성분은, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산이다. (B-1)성분은, 바람직하게는, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 함유하는 직쇄상 또는 분지상의 디오르가노폴리실록산이다. 특히 바람직하게는, 1분자 중에 0.3~10mol%, 특히 0.6mol%(알케닐기몰수/Si몰수)~9mol%의 알케닐기를 함유하는 디오르가노폴리실록산이다.
이러한 디오르가노폴리실록산으로서, 구체적으로는 하기 식(5) 및/또는 (6)으로 표시되는 것을 들 수 있다.
R9 (3-a)XaSiO-(R9XSiO)m-(R9 2SiO)n-SiR9 (3-a)Xa…(5)
R9 2(HO)SiO-(R9XSiO)m+2-(R9 2SiO)n-SiR9 2(OH)…(6)
(식 중, R9는 각각 독립적으로 지방족 불포화결합을 가지지 않는 1가 탄화수소기, X는 각각 독립적으로 알케닐기 함유 1가 유기기, a는 0~3의 정수이다. 또한, 식(5)에 있어서, 2a+m은 1분자 중에 알케닐기 함유량이 0.3~10mol%가 되는 수이다. 식(6)에 있어서, m+2는 1분자 중에 알케닐기 함유량이 0.3~10mol%가 되는 수이다. m은 0 또는 10 이하의 양수이고, n은 1~1000의 양수이다.)
상기 식 중, R9로는, 탄소원자수 1~10의 1가 탄화수소기가 바람직하고, 예시하면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기; 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기 등이고, 특히 메틸기 등의 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다.
X의 알케닐기 함유 1가 유기기로는, 탄소원자수 2~10의 유기기가 바람직하고, 비닐기, 알릴기, 헥세닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기; 아크릴로일프로필기, 아크릴로일메틸기, 메타크릴로일프로필기 등의 (메트)아크릴로일알킬기; 아크릴옥시프로필기, 아크릴옥시메틸기, 메타크릴옥시프로필기, 메타크릴옥시메틸기 등의 (메트)아크릴옥시알킬기; 시클로헥세닐에틸기, 비닐옥시프로필기 등의 알케닐기 함유 1가 탄화수소기를 들 수 있고, 특히, 공업적으로는 비닐기가 바람직하다.
상기 일반식(5) 중, a는 0~3의 정수인데, a가 1~3이면, 분자쇄 말단이 알케닐기로 봉쇄되므로, 반응성이 좋은 이 분자쇄 말단 알케닐기에 의해, 단시간에 반응을 완결할 수 있어 바람직하다. 더 나아가, 비용면에 있어서, a=1이 공업적으로 바람직하다. 이 알케닐기 함유 디오르가노폴리실록산의 성상은 오일상 또는 생고무상인 것이 바람직하다. 이 알케닐기 함유 디오르가노폴리실록산은 직쇄상일 수도 분지상일 수도 있다.
[(B-2)성분]
(B-2)성분은 가교제이며, 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산이다. (B-2)성분은, 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자(SiH기)를 적어도 2개, 바람직하게는 3개 이상 갖는 것이며, 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 것을 사용할 수 있다.
(B-2)성분인 오르가노하이드로젠폴리실록산의 25℃에 있어서의 점도는, 1~5,000mPa·s인 것이 바람직하고, 5~500mPa·s인 것이 더욱 바람직하다. 이 오르가노하이드로젠폴리실록산은 2종 이상의 혼합물이어도 된다.
(B-2)성분은, (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비(SiH기/알케닐기)가 0.3 내지 10, 특히 1.0~8.0의 범위가 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 이 SiH기와 알케닐기의 몰비가 0.3 이상이면, 가교밀도가 낮아지는 일도 없어, 점착제층이 경화되지 않는다는 문제도 일어나지 않는다. 10 이하이면, 가교밀도가 높아지는 일도 없어, 충분한 점착력 및 태크(タック)가 얻어진다. 또한, 상기 몰비가 10 이하이면, 처리액의 사용가능 시간을 연장시킬 수 있다.
[(B-3)성분]
(B-3)성분은 백금계 촉매(즉, 백금족 금속촉매)이고, 예를 들어, 염화백금산, 염화백금산의 알코올용액, 염화백금산과 알코올의 반응물, 염화백금산과 올레핀 화합물의 반응물, 염화백금산과 비닐기 함유 실록산의 반응물 등을 들 수 있다.
(B-3)성분의 첨가량은 유효량이며, 통상 (B-1), (B-2)의 합계(하기에 나타내는 (B-4)성분을 함유하는 경우에는, (B-1), (B-2) 및 (B-4)의 합계)에 대하여, 백금분(질량환산)으로서 1~5,000ppm이고, 5~2,000ppm인 것이 바람직하다. 1ppm 이상이면 조성물의 경화성이 저하되는 일도 없고, 가교밀도가 낮아지는 일도, 유지력이 저하되는 일도 없다. 0.5% 이하이면, 처리욕의 사용가능 시간을 연장시킬 수 있다.
[(B-4)성분]
(B-4)성분은 반응제어제이며, 조성물을 조합 내지 기재에 도공할 때에, 가열경화 전에 처리액이 증점이나 겔화를 일으키지 않도록 하기 위하여 필요에 따라 임의로 첨가하는 것이다.
구체예로는, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐시클로헥산올, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-부틴, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-펜틴, 3,5-디메틸-3-트리메틸실록시-1-헥신, 1-에티닐-1-트리메틸실록시시클로헥산, 비스(2,2-디메틸-3-부틴옥시)디메틸실란, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 등을 들 수 있고, 바람직한 것은 1-에티닐시클로헥산올, 및 3-메틸-1-부틴-3-올이다.
조성물 중에 (B-4)성분을 함유하는 경우, 그 배합량은, (B-1) 및 (B-2)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.1~8.0질량부, 특히 바람직하게는 0.1~2.0질량부이다. 10질량부 이하이면, 실리콘 점착제 조성물의 경화성이 저하되는 일도 없고, 0.1질량부 이상이면 반응제어의 효과가 충분히 발휘된다.
또한 열경화성 실록산 중합체층(B)에는 R10 3SiO0 .5단위(식 중, R10은 독립적으로 탄소원자수 1~10의 비치환 또는 치환의 1가의 탄화수소기) 및 SiO2단위를 함유하고, R10 3SiO0 .5단위/SiO2단위의 몰비가 0.3~1.8인 폴리오르가노실록산을 첨가할 수도 있다. 첨가량으로는 열경화성 실록산 중합체층(B) 중의 (B-1)성분의 0 내지 30질량 %가 바람직하다.
열경화성 실록산 중합체층(B)은, 그 용액을 스핀코트, 롤코터 등의 방법에 의해 지지체 상에 형성된 미경화의 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 상에 형성하여 사용할 수 있다. 스핀코트 등의 방법에 의해, 열경화성 실록산 중합체층(B)을, 지지체 상에 적층된 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 상에 형성하는 경우에는, 중합체층(B)을 용액으로 하여 코트하는 것이 바람직하나, 이때에는, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 이소옥탄, 노난, 데칸, p-멘탄, 피넨, 이소도데칸, 리모넨 등의 탄화수소계 용제가 호적하게 사용된다. 또한, 이 중합체층(B)의 용액에는, 공지의 산화방지제를 내열성 향상을 위해 첨가할 수 있다.
또한, 열경화성 실록산 중합체층(B)은, 막두께가 0.1~30μm, 바람직하게는 1.0~15μm 사이로 형성되어 사용되는 것이 바람직하다. 막두께가 0.1μm 이상이면, 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 상에 도포하는 경우에, 다 도포하지 못하는 부분이 생기는 일 없이 전체에 도포할 수 있다. 한편, 막두께가 30μm 이하이면, 박형 웨이퍼를 형성하는 경우의 연삭공정에 견딜 수 있다. 한편, 이 열경화성 실록산 중합체층(B)에는, 내열성을 더욱 높이기 위하여, 실리카 등의 필러를, 중합체층(B) 100질량부에 대하여, 50질량부 이하 첨가할 수도 있다.
또한, 열경화성 실록산 중합체층(B)은, 열경화 후에 있어서의 25mm폭의 시험편(예를 들어, 폴리이미드시험편)의 180°필박리력이, 통상 2gf 이상이면서 50gf 이하이고, 바람직하게는 3gf 이상 30gf 이하이고, 더욱 바람직하게는 5gf 이상 20gf 이하이다. 2gf 이상이면 웨이퍼 연삭시에 웨이퍼의 어긋남이 발생할 우려가 없고, 50gf 이하이면 웨이퍼의 박리가 용이해지므로 바람직하다.
-제3 가접착층(C)/열경화성 실록산 변성 중합체층-
본 발명의 웨이퍼 가공체 및 웨이퍼 가공용 가접착재의 구성요소인 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)은, 열경화성 실록산 변성 중합체층이면 특별히 한정되지 않으나, 하기 일반식(1) 혹은 (3)으로 표시되는 열경화성 실록산 변성 중합체를 주성분으로 하는 열경화성 조성물의 경화물의 층이 바람직하다.
일반식(1)의 중합체(페놀성 실록산 중합체):
하기 일반식(1)로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000, 바람직하게는 10000~100000인 실록산 결합 함유 중합체.
[화학식 7]
Figure 112016089260253-pct00007
[식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. X는 하기 일반식(2)로 표시되는 2가의 유기기이다.
이 경우, 단, A+B=1이다. 또한, 바람직하게는 A는 0~0.9, B는 0.1~1, 또한 A를 첨가하는 경우에는, 바람직하게는 A는 0.1~0.7, B는 0.3~0.9이다.
[화학식 8]
Figure 112016089260253-pct00008
(식 중, Z은
[화학식 9]
Figure 112016089260253-pct00009
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, N은 0 또는 1이다. 또한, R5, R6은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
이 경우, R1~R4의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, 페닐기 등을 들 수 있고, m은, 바람직하게는 3~60, 보다 바람직하게는 8~40의 정수이다. 또한, B/A는 0~20, 특히 0.5~5이다.
일반식(3)의 중합체(에폭시 변성 실록산 중합체):
하기 일반식(3)으로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체.
[화학식 10]
Figure 112016089260253-pct00010
[식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. 나아가, Y는 하기 일반식(4)로 표시되는 2가의 유기기이다.
이 경우, 단, A+B=1이다. 또한, 바람직하게는 A는 0~0.9, B는 0.1~1, 또한 A를 첨가하는 경우에는, 바람직하게는 A는 0.1~0.7, B는 0.3~0.9이다.
[화학식 11]
Figure 112016089260253-pct00011
(식 중, V는
[화학식 12]
Figure 112016089260253-pct00012
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R7, R8은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
이 경우, R1~R4, m의 구체예는 상기 일반식(1)과 동일하다.
상기 일반식(1) 또는 (3)의 열경화성 실록산 변성 중합체를 주성분으로 하는 열경화성 조성물은, 그 열경화를 위해, 일반식(1)의 페놀성 실록산 중합체인 경우에는, 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상의 가교제를 함유한다.
여기서, 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지로는, 이하의 것을 들 수 있다. 예를 들어, 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 멜라민 수지(축합물)는, 변성 멜라민 모노머(예를 들어 트리메톡시메틸모노메틸올멜라민), 또는 이 다량체(예를 들어 이량체, 삼량체 등의 올리고머체)를 공지의 방법에 따라 포름알데히드와 원하는 분자량이 될 때까지 부가 축합중합시켜 얻을 수 있다. 한편, 이들은 1종 또는 2종 이상을, 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 요소 수지(축합물)의 조제는, 예를 들어 공지의 방법에 따라 원하는 분자량의 요소 축합물을 포르말린으로 메틸올화하여 변성하거나, 또는 이를 다시 알코올로 알콕시화하여 변성하여 행할 수 있다. 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 요소수지의 구체예로는, 예를 들어 메톡시메틸화요소 축합물, 에톡시메틸화요소 축합물, 프로폭시 메틸화요소 축합물 등을 들 수 있다. 한편, 이들은 1종 또는 2종 이상을, 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 갖는 페놀 화합물로는, 예를 들어 (2-하이드록시-5-메틸)-1,3-벤젠디메탄올, 2,2',6,6'-테트라메톡시메틸비스페놀A 등을 들 수 있다. 한편, 이들 페놀 화합물은 1종 또는 2종 이상을, 혼합하여 사용할 수 있다.
한편, 일반식(3)의 에폭시 변성 실록산 중합체인 경우에는, 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 혹은, 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 갖는 페놀 화합물 중 어느 1종 이상을 가교제로서 함유한다.
여기서, 일반식(1) 및 (3)에 이용되는 다관능 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로는, 특별히 그 제약은 없으나, 특히, 2관능, 3관능, 4관능 이상의 다관능 에폭시 수지, 예를 들어, Nippon Kayaku Co., Ltd.제의 EOCN-1020, EOCN-102S, XD-1000, NC-2000-L, EPPN-201, GAN, NC6000이나 하기 식과 같은 가교제를 함유할 수 있다.
[화학식 13]
Figure 112016089260253-pct00013
열경화성 실록산 변성 중합체가, 상기 일반식(3)의 에폭시 변성 실록산 중합체인 경우에는, 그 가교제로서, m, p-계 크레졸노볼락 수지, 예를 들어, Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd.제 EP-6030G나, 3관능 페놀 화합물, 예를 들어, Honshu Chemical Industry Co., Ltd.제 Tris-P-PA나, 4관능성 페놀 화합물, 예를 들어, Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd.제 TEP-TPA 등을 들 수 있다.
가교제의 배합량은, 열경화성 실록산 변성 중합체 100질량부에 대하여 0.1~50질량부, 바람직하게는 0.1~30질량부, 더욱 바람직하게는 1~20질량부이고, 2종류 또는 3종류 이상을 혼합하여 배합할 수도 있다.
또한, 열경화성 실록산 변성 중합체 100질량부에 대하여, 산무수물과 같은 경화촉매를 10질량부 이하 함유시킬 수도 있다.
또한, 이 조성물(열경화성 실록산 변성 중합체)을 용액에 용해하고, 도포, 구체적으로는 스핀코트, 롤코터, 다이코터 등의 방법에 의해 지지체 상에 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 예를 들어, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸-2-n-아밀케톤 등의 케톤류; 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 유산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산tert-부틸, 프로피온산tert-부틸, 프로필렌글리콜모노-tert-부틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 등의 에스테르류 등을 들 수 있고, 이들 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
한편, 내열성을 더욱 높이기 위하여, 열경화성 실록산 변성 중합체 100질량부에 대하여, 공지의 산화방지제, 실리카 등의 필러를 50질량부 이하 첨가할 수도 있다. 나아가, 도포균일성을 향상시키기 위하여, 계면활성제를 첨가할 수도 있다.
중합체층(C) 중에 첨가할 수 있는 산화방지제의 구체예로는, 테트라키스[메틸렌-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시하이드로신나메이트)]메탄(상품명: ADK STAB AO-60) 등의 힌더드페놀계 화합물을 들 수 있다.
상기 열경화성 실록산 변성 중합체로 이루어진 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)은, 웨이퍼측의 단차에 따라, 경화시의 막두께가 15~150μm인 것이 바람직하고, 20~120μm로 성막하는 것이 더욱 바람직하다. 막두께가 15μm 이상이면, 웨이퍼 박형화의 연삭공정에 충분히 견딜 수 있고, 150μm 이하이면, TSV 형성공정 등의 열처리공정에서 수지 변형을 일으킬 우려가 없고, 실용에 견딜 수 있으므로 바람직하다.
[박형 웨이퍼의 제조방법]
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조방법은, 반도체 회로 등을 갖는 웨이퍼와 지지체의 접착층으로서, 비실리콘 열가소성 수지층(A), 열경화성 실록산 중합체층(B)과 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)의 3층을 포함하는 복합 가접착재층을 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 제조방법에 의해 얻어지는 박형 웨이퍼의 두께는, 전형적으로는 5~300μm, 보다 전형적으로는 10~100μm이다.
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조방법은 (a)~(e)의 공정을 갖는다. 또한, 필요에 따라, (f)~(i)의 공정을 갖는다.
[공정(a)]
공정(a)은, 표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 회로형성면을, 상기 본 발명의 웨이퍼 가공용 가접착재에 이용되는 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 열경화성 실록산 중합체층(B)과, 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 지지체 상에 형성된 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 상에 열경화성 실록산 중합체층(B)을 형성한 후, 이 중합체층(C)과 (B)가 형성된 지지체와, 수지층(A)이 형성된 회로가 부착된 웨이퍼를 진공하에서 접합하는 공정이다.
회로형성면 및 회로비형성면을 갖는 웨이퍼는, 한쪽 면이 회로형성면이고, 다른쪽 면이 회로비형성면인 웨이퍼이다. 본 발명을 적용할 수 있는 웨이퍼는, 통상, 반도체 웨이퍼이다. 이 반도체 웨이퍼의 예로는, 실리콘 웨이퍼뿐만 아니라, 게르마늄 웨이퍼, 갈륨-비소 웨이퍼, 갈륨-인 웨이퍼, 갈륨-비소-알루미늄 웨이퍼 등을 들 수 있다. 이 웨이퍼의 두께는, 특별한 제한은 없으나, 전형적으로는 600~800μm, 보다 전형적으로는 625~775μm이다.
지지체로는, 실리콘 웨이퍼나 유리판, 석영 웨이퍼 등의 기판을 사용할 수 있는데 어떠한 제약이 있는 것은 아니다. 본 발명에 있어서는, 지지체를 통해 가접착재층에 방사에너지선을 조사할 필요는 없어, 지지체는, 광선투과성을 가지지 않는 것이어도 된다.
가접착층(A), (B) 및 (C)는 각각 필름으로, 웨이퍼나 지지체에 형성할 수도 있고, 혹은, 각각의 용액을 스핀코트, 롤코터 등의 방법에 의해 웨이퍼나 지지체에 형성할 수 있다. 이 경우, 스핀코트 후, 그 용제의 휘발조건에 따라, 80~200℃, 바람직하게는 100~180℃의 온도에서, 미리 프리베이크를 행한 후, 사용하게 된다.
가접착층(A)층, (B)층과 (C)층이 형성된 웨이퍼 및 지지체는, (A), (B) 및 (C)층을 개재하여, 접합된 기판으로서 형성된다. 이때, 바람직하게는 40~200℃, 보다 바람직하게는 60~180℃의 온도영역에서, 이 온도에서 감압하, 이 기판을 균일하게 압착함으로써, 웨이퍼가 지지체와 접합한 웨이퍼 가공체(적층체 기판)가 형성된다.
웨이퍼 접합장치로는, 시판 중인 웨이퍼 접합장치, 예를 들어 EVG사의 EVG520IS, 850TB, SUSS사의 XBC300 등을 들 수 있다.
[공정(b)]
공정(b)은, 중합체층(B) 및 (C)를 열경화시키는 공정이다. 상기 웨이퍼 가공체(적층체 기판)가 형성된 후, 120~220℃, 바람직하게는 150~200℃에서 10분~4시간, 바람직하게는 30분~2시간 가열함으로써, 중합체층(B) 및 (C)의 경화를 행한다.
[공정(c)]
공정(c)은, 지지체와 접합한 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정, 즉, 공정(a)에서 접합하여 얻어진 웨이퍼 가공체의 웨이퍼 이면측을 연삭하여, 이 웨이퍼의 두께를 얇게 해 가는 공정이다. 웨이퍼 이면의 연삭가공의 방식에는 특별한 제한은 없으며, 공지의 연삭방식이 채용된다. 연삭은, 웨이퍼와 지석(다이아몬드 등)에 물을 가해 냉각하면서 행하는 것이 바람직하다. 웨이퍼 이면을 연삭가공하는 장치로는, 예를 들어 DISCO Corporation제 DAG-810(상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 웨이퍼 이면측을 CMP 연마할 수도 있다.
[공정(d)]
공정(d)은, 회로비형성면을 연삭한 웨이퍼 가공체, 즉, 이면연삭에 의해 박형화된 웨이퍼 가공체의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정이다. 이 공정에는 웨이퍼레벨에서 이용되는 여러가지 프로세스가 포함된다. 예로는, 전극 형성, 금속배선 형성, 보호막 형성 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 전극 등의 형성을 위한 금속스퍼터링, 금속스퍼터링층을 에칭하는 웨트에칭, 금속배선 형성의 마스크로 하기 위한 레지스트의 도포, 노광, 및 현상에 의한 패턴의 형성, 레지스트의 박리, 드라이에칭, 금속도금의 형성, TSV 형성을 위한 실리콘 에칭, 실리콘 표면의 산화막 형성 등, 종래 공지된 프로세스를 들 수 있다.
[공정(e)]
공정(e)은, 공정(d)에서 가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정, 즉, 박형화한 웨이퍼에 여러가지 가공을 실시한 후, 다이싱하기 전에 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정이다. 이 박리공정은, 일반적으로 실온 내지 60℃ 정도의 비교적 저온의 조건으로 실시되고, 웨이퍼 가공체의 웨이퍼 또는 지지체의 한쪽을 수평으로 고정해 두고, 다른쪽을 수평방향으로부터 일정 각도를 주어 들어올리는 방법, 및, 연삭된 웨이퍼의 연삭면에 보호필름을 붙이고, 웨이퍼와 보호필름을 필방식으로 웨이퍼 가공체로부터 박리하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명에는, 이들 박리방법 중 어느 것이나 적용할 수 있다. 물론 상기 방법으로 한정되는 것은 아니다. 이들 박리방법은, 통상, 실온에서 실시된다.
또한, 상기 (e)가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정은,
(f) 가공을 실시한 웨이퍼의 웨이퍼면에 다이싱테이프를 접착하는 공정과,
(g) 다이싱테이프면을 흡착면에 진공흡착하는 공정과,
(h) 흡착면의 온도가 10℃ 내지 100℃의 온도범위에서, 지지체를, 가공을 실시한 웨이퍼로부터 필오프하여 박리하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 지지체를, 가공을 실시한 웨이퍼로부터 용이하게 박리할 수 있고, 또한, 이후의 다이싱공정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 상기 (e)가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정 후에,
(i) 박리한 웨이퍼의 회로형성면에 잔존하는 가접착재층을 제거하는 공정을 행하는 것이 바람직하다. 공정(e)에 의해 지지체로부터 박리된 웨이퍼의 회로형성면에는, 가접착층(A)이 일부 잔존해 있는 경우가 있고, 이 가접착층(A)의 제거는, 예를 들어, 웨이퍼를 세정함으로써 행할 수 있다.
이 공정(i)에서는, 가접착재층 중의 (A)층인 비실리콘 열가소성 수지층을 용해하는 세정액이면 모두 사용가능하고, 구체적으로는, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 데칸, 이소노난, p-멘탄, 피넨, 이소도데칸, 리모넨 등을 들 수 있다. 이들 용제는, 1종 단독으로도 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다. 또한, 제거하기 어려운 경우에는, 상기 용제에, 염기류, 산류를 첨가할 수도 있다. 염기류의 예로는, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 암모니아 등의 아민류, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 암모늄염류가 사용가능하다. 산류로는, 아세트산, 옥살산, 벤젠설폰산, 도데실벤젠설폰산 등의 유기산이 사용가능하다. 첨가량은, 세정액 중 농도로, 0.01~10질량%, 바람직하게는 0.1~5질량%이다. 또한, 잔존물의 제거성을 향상시키기 위하여, 기존의 계면활성제를 첨가할 수도 있다. 세정방법으로는, 상기 액을 이용하여 패들로 세정을 행하는 방법, 스프레이 분무로의 세정방법, 세정액조에 침지하는 방법이 가능하다. 온도는 10~80℃, 바람직하게는 15~65℃가 호적하고, 필요하다면, 이들 용해액으로 (A)층을 용해한 후, 최종적으로 수세 또는 알코올에 의한 린스를 행하고, 건조처리시켜, 박형 웨이퍼를 얻는 것도 가능하다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[수지 합성예 1]
교반기, 온도계, 질소치환장치 및 환류냉각기를 구비한 플라스크 내에 9,9'-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)플루오렌(M-1) 43.1g, 평균구조식(M-3)으로 표시되는 오르가노하이드로젠실록산 29.5g, 톨루엔 135g, 염화백금산 0.04g을 투입하고, 80℃로 승온하였다. 그 후, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(M-5) 17.5g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이때, 플라스크 내 온도는, 85℃까지 상승하였다. 적하종료 후, 다시 80℃에서 2시간 숙성한 후, 톨루엔을 유거함과 함께, 시클로헥사논을 80g 첨가하여, 수지 고형분농도 50질량%의 시클로헥사논을 용제로 하는 수지용액을 얻었다. 이 용액의 수지분의 분자량을 GPC에 의해 측정했더니, 폴리스티렌 환산으로 중량평균분자량 45,000였다. 다시, 이 수지용액 50g에, 가교제로서 에폭시 가교제인 EOCN-1020(Nippon Kayaku Co., Ltd.제)을 7.5g, 경화촉매로서, Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제, BSDM(비스(tert-부틸설포닐)디아조메탄)을 0.2g, 또한, 산화방지제로서, 테트라키스[메틸렌-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시하이드로신나메이트)]메탄(상품명: ADK STAB AO-60)을 0.1g 첨가하고, 1μm의 멤브레인필터로 여과하여, 수지용액(C-1)을 얻었다.
[수지 합성예 2]
교반기, 온도계, 질소치환장치 및 환류냉각기를 구비한 5L 플라스크 내에 에폭시 화합물(M-2) 84.1g을 톨루엔 600g에 용해 후, 화합물(M-3) 294.6g, 화합물(M-4) 25.5g을 첨가하고, 60℃로 가온하였다. 그 후, 카본담지 백금촉매(5질량%) 1g을 투입하고, 내부반응온도가 65~67℃로 승온하는 것을 확인 후, 다시, 90℃까지 가온하여, 3시간 숙성하였다. 이어서 실온까지 냉각 후, 메틸이소부틸케톤(MIBK) 600g을 첨가하고, 본 반응용액을 필터로 가압여과함으로써 백금촉매를 제거하였다. 이 수지용액 중의 용제를 감압유거함과 함께, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 270g을 첨가하여, 고형분농도 60질량%의 PGMEA를 용제로 하는 수지용액을 얻었다. 이 수지용액 중의 수지의 분자량을 GPC에 의해 측정했더니, 폴리스티렌 환산으로 중량평균분자량 28,000였다. 다시 이 수지용액 100g에 4관능 페놀 화합물인 TEP-TPA(Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd.제)를 9g, 테트라하이드로무수프탈산(New Japan Chemical Co., Ltd.제, RIKACID HH-A) 0.2g을 첨가하고, 1μm의 멤브레인필터로 여과하여, 수지용액(C-2)을 얻었다.
[화학식 14]
Figure 112016089260253-pct00014
[수지용액 제작예 1]
수소첨가 폴리스티렌계 열가소성 수지 SEPTON 4033(Kuraray Co., Ltd.제) 24g을 이소노난 176g에 용해하고, 12질량퍼센트의 SEPTON 4033의 이소노난용액을 얻었다. 얻어진 용액을, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 비실리콘 열가소성 수지의 이소노난용액(A-1)을 얻었다.
[수지용액 제작예 2]
0.5몰%의 비닐기를 분자측쇄에 가지고, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 80질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어진 용액에 하기 식(M-6)으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산을 3.0부, 에티닐시클로헥산올 0.7부를 첨가하여 혼합하였다. 다시 백금촉매 CAT-PL-5(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제)를 0.5부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 열경화성 실록산 중합체용액(B-1)을 얻었다.
[화학식 15]
Figure 112016089260253-pct00015
[수지용액 제작예 3]
0.5몰%의 비닐기를 분자측쇄에 가지고, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 60질량부, 및 0.15몰%의 비닐기를 양말단쇄에 가지고, 수평균분자량(Mn)이 6만인 폴리디메틸실록산 20질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어진 용액에 (M-6)으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산을 2.5부, 에티닐시클로헥산올 0.7부를 첨가하여 혼합하였다. 다시 백금촉매 CAT-PL-5(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제)를 0.5부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 열경화성 실록산 중합체용액(B-2)을 얻었다.
「수지용액 제작예 4」
5몰%의 비닐기를 양말단 및 측쇄에 가지고, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 80질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어진 용액에 (M-6)으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산 7.5부, 에티닐시클로헥산올 0.7부를 첨가하여 혼합하였다. 다시 백금촉매 CAT-PL-5(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제)를 0.5부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 열경화성 실록산 중합체용액(B-3)을 얻었다.
[비교합성예 1]
4개구 플라스크에, 하기 식(7)로 표시되는 분자쇄 양말단이 수산기로 봉쇄된 생고무상의 디메틸폴리실록산으로서, 그의 30%톨루엔용액의 25℃에 있어서의 점도가 98,000mPa·s인 디메틸폴리실록산 90부와, (CH3)3SiO1 /2단위 0.75몰과 SiO4 /2단위 1몰의 비율로 이루어지며, 또한 고형분 100부 중에 1.0몰%의 수산기를 포함하는 메틸폴리실록산레진 10부를, 톨루엔 900부에 용해하였다. 얻어진 용액에, 28%의 암모니아수를 1부 첨가하고, 실온에서 24시간 교반하여 축합반응시켰다. 이어서, 감압상태에서 180℃로 가열하고, 톨루엔, 축합수, 암모니아 등을 제거시켜, 고형화된 부분축합물을 얻었다. 이 부분축합물 100부에, 톨루엔 900부를 첨가하여, 용해시켰다. 이 용액에 헥사메틸디실라잔 20부를 첨가하고, 130℃에서 3시간 교반하여 잔존하는 수산기를 봉쇄하였다. 이어서, 감압상태에서 180℃로 가열하고, 용제 등을 제거시켜, 고형화된 비반응성 부분축합물을 얻었다. 다시, 상기 비반응성 부분축합물 100부에 헥산 900부를 첨가하여 용해시킨 후, 이것을 2000부의 아세톤 중에 투입하고, 석출된 수지를 회수하여, 그 후, 진공하에서 헥산 등을 제거하여, 분자량 740 이하의 저분자량성분이 0.05질량%인, 중량평균분자량 900,000의 디메틸폴리실록산 중합체를 얻었다.
이 중합체 20g을 이소도데칸 80g에 용해하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 디메틸폴리실록산 중합체의 이소도데칸용액(D-1)을 얻었다.
[화학식 16]
Figure 112016089260253-pct00016
[실시예 1~3 및 비교예 1]
표면에 높이 10μm, 직경 40μm의 구리 포스트(ポスト)가 전면에 형성된 직경 200mm 실리콘 웨이퍼(두께: 725μm)에 스핀코트 후, 핫플레이트에 의해, 150℃에서 5분간 가열함으로써, (A)층에 대응하는 재료를 표 1에 나타내는 막두께로, 웨이퍼 범프형성면에 성막하였다. 한편, 직경 200mm(두께: 500μm)의 유리판을 지지체로 하고, 이 지지체에 먼저 (C)층에 대응하는 중합체용액을 스핀코트, 및 핫플레이트에 의해, 마찬가지로, 150℃에서 5분간 가열함으로써, 표 1 중에 기재된 막두께로, 유리지지체 상에 형성하였다. 그 후, (B)층에 상당하는 열경화성 실록산 중합체의 용액을, 유리지지체 상에 형성된 (C)층 상에, 마찬가지로 스핀코트함으로써, 표 1 중의 막두께로 형성하였다. 다시 그 후, 150℃에서 3분간, 핫플레이트 상에서 가열하였다. 이렇게 하여 이 비실리콘 열가소성 수지층(A)을 갖는 실리콘 웨이퍼 및, 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어진 (C)층과, 그 (C)층 상에 (B)층을 갖는 유리판을 각각, 수지면이 맞춰지도록, 진공 접합장치 내에서 표 1에 나타내는 조건으로 접합하여, 웨이퍼 가공체를 제작하였다.
한편, 여기서, 기판접착 후의 이상을 육안으로 판별하기 위하여 지지체로서 유리판을 사용하였지만, 웨이퍼 등의 광을 투과하지 않는 실리콘기판도 사용가능하다.
그 후, 이 접합된 기판에 대하여, 하기 시험을 행하고, 실시예 및 비교예의 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 하기 순으로 평가를 실시하였다.
-접착성 시험-
200mm의 웨이퍼 접합은, EVG사의 웨이퍼 접합장치 EVG520IS를 이용하여 행하였다. 접합온도는 표 1에 기재된 값, 접합시의 챔버 내 압력은 10-3mbar 이하, 하중은 5kN으로 실시하였다. 접합 후, 일단, 180℃에서 1시간 오븐을 이용하여 기판을 가열하고, (B) 및 (C)층의 경화를 실시한 후, 실온까지 냉각하고, 그 후의 계면의 접착상황을 육안으로 확인하고, 계면에서의 기포 등의 이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 표시하고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
-이면연삭내성 시험-
그라인더(DISCO제, DAG810)로 다이아몬드지석을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 이면연삭을 행하였다. 최종기판두께 50μm까지 그라인드한 후, 광학현미경(100배)으로 크랙, 박리 등의 이상의 유무를 조사하였다. 이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 표시하고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
-CVD내성 시험-
실리콘 웨이퍼를 이면연삭한 후의 가공체를 CVD장치에 도입하고, 2μm의 SiO2막의 생성실험을 행하고, 이때의 외관이상의 유무를 조사하였다. 외관이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 표시하고, 보이드(ボイド), 웨이퍼의 팽창(膨れ), 웨이퍼 파손 등의 외관이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다. CVD내성 시험의 조건은, 이하와 같다.
장치명: 플라즈마 CVD PD270STL(SAMCO Inc.제)
RF500W, 내압 40Pa
TEOS(테트라에틸오르토실리케이트):O2=20sccm:680sccm
-박리성 시험-
기판의 박리성은, 먼저, CVD내성 시험을 마친 웨이퍼 가공체의 50μm까지 박형화한 웨이퍼측에 다이싱프레임을 이용하여 다이싱테이프를 붙이고, 이 다이싱테이프면을 진공흡착에 의해, 흡착판에 세트하였다. 그 후, 실온에서, 유리의 1점을 핀셋으로 들어올림으로써, 유리기판을 박리하였다. 50μm의 웨이퍼를 깨는 일 없이 박리가 가능했던 경우를 「○」로 표시하고, 깨짐 등의 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
-세정제거성 시험-
상기 박리성 시험종료 후의 다이싱테이프를 통해 다이싱프레임에 장착된 200mm 웨이퍼(CVD내성 시험조건에 노출된 것)를, 접착층을 위로 하여 스핀코터에 세트하고, 세정용제로서 p-멘탄을 5분간 분무한 후, 웨이퍼를 회전시키면서 이소프로필알코올(IPA)을 분무에 의해 린스를 행하였다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착재 수지의 유무를 육안으로 체크하였다. 수지의 잔존이 확인되지 않는 것을 양호로 평가하여 「○」로 표시하고, 수지의 잔존이 확인된 것을 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
-필박리력 시험-
직경 200mm 실리콘 웨이퍼(두께: 725μm)에 스핀코트 후, 핫플레이트에 의해, 150℃에서 5분간 가열함으로써, (A)층에 대응하는 재료를 표 1에 나타내는 막두께로, 웨이퍼 범프형성면에 성막하였다. 그 후, (B)층에 상당하는 열경화성 실록산 중합체의 용액을, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 (A)층 상에, 마찬가지로 스핀코트하고, 다시 그 후, 150℃에서 3분간, 핫플레이트 상에서 가열하여 2μm막두께로 형성하였다. 다시 (B)층 상에 (C)층에 대응하는 중합체용액을 스핀코트, 및 핫플레이트에 의해, 마찬가지로, 150℃에서 5분간 가열함으로써, 50μm막두께로, 실리콘 웨이퍼 상에 형성하였다. 그 후 오븐에 의해 180℃에서 1시간동안 경화시켰다.
그 후, 상기 웨이퍼의 (C)층 상에 150mm길이×25mm폭의 폴리이미드테이프를 5개 첩부하고, 테이프가 붙어 있지 않은 부분의 가접착재층을 제거하였다. Shimadzu Corporation의 AUTOGRAPH(AG-1)를 이용하여 300mm/분의 속도로 테이프의 일단(一端)으로부터 180°박리로 120mm 벗기고, 이때 가해지는 힘의 평균(120mm스트로크×5회)을, 그 (B)가접착층의 박리력으로 하였다.
[표 1]
Figure 112016089260253-pct00017
표 1에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 요건을 만족하는 실시예 1~3에서는, 가접착 및 박리가 용이하고, 특히 CVD내성이 우수한 것을 알 수 있다. 한편, (B)층이 본 발명의 요건을 만족하지 않는 비교예 1에서는, CVD내성이 악화되었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되지 않는다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (13)

  1. 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재로서,
    상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 비실리콘 열가소성 수지층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 열경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리가능하게 접착가능한 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 중합체층(B)이,
    (B-1) 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산,
    (B-2) 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
    (B-3) 백금계 촉매,
    를 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 중합체층(B)이, 추가로, (B-4)성분으로서 반응제어제: 상기 (B-1) 및 상기 (B-2)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부,
    를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 중합체층(B)의 열경화 후에 있어서의 25mm폭의 시험편의 180°필박리력이 2gf 이상 50gf 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이, 하기 일반식(1)로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
    [화학식 1]
    Figure 112016103697401-pct00018

    [식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. 단 A+B=1이다. X는 하기 일반식(2)로 표시되는 2가의 유기기이다.
    [화학식 2]
    Figure 112016103697401-pct00019

    (식 중, Z은
    [화학식 3]
    Figure 112016103697401-pct00020

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, N은 0 또는 1이다. 또한, R5, R6은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이, 하기 일반식(3)으로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
    [화학식 4]
    Figure 112016103697401-pct00021

    [식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. 단, A+B=1이다. 나아가, Y는 하기 일반식(4)로 표시되는 2가의 유기기이다.
    [화학식 5]
    Figure 112016103697401-pct00022

    (식 중, V는
    [화학식 6]
    Figure 112016103697401-pct00023

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R7, R8은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
  7. (a) 표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 상기 회로형성면을, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 가공용 가접착재에 이용되는 상기 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 상기 열경화성 실록산 중합체층(B)과, 상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 상기 지지체 상에 형성된 상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 상에 상기 열경화성 실록산 중합체층(B)을 형성한 후, 이 중합체층(C)과 (B)가 형성된 지지체와, 상기 수지층(A)이 형성된 회로가 부착된 웨이퍼를 진공하에서 접합하는 공정과,
    (b) 상기 중합체층(B) 및 (C)를 열경화시키는 공정과,
    (c) 상기 지지체와 접합한 상기 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정과,
    (d) 상기 웨이퍼의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정과,
    (e) 상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정,
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조방법.
  8. 지지체 상에 가접착재층이 형성되며, 또한 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체로서,
    상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착된 비실리콘 열가소성 수지층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 열경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리가능하게 접착된 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 중합체층(B)이,
    (B-1) 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산,
    (B-2) 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
    (B-3) 백금계 촉매,
    를 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 중합체층(B)이, 추가로, (B-4)성분으로서 반응제어제: 상기 (B-1) 및 상기 (B-2)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부,
    를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 중합체층(B)의 열경화 후에 있어서의 25mm폭의 시험편의 180°필박리력이 2gf 이상 50gf 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
  12. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이, 하기 일반식(1)로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
    [화학식 7]
    Figure 112016103697401-pct00024

    [식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. 단, A+B=1이다. X는 하기 일반식(2)로 표시되는 2가의 유기기이다.
    [화학식 8]
    Figure 112016103697401-pct00025

    (식 중, Z은
    [화학식 9]
    Figure 112016103697401-pct00026

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, N은 0 또는 1이다. 또한, R5, R6은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
  13. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)이, 하기 일반식(3)으로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
    [화학식 10]
    Figure 112016103697401-pct00027

    [식 중, R1~R4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, B는 양수, A는 0 또는 양수이다. 단, A+B=1이다. 나아가, Y는 하기 일반식(4)로 표시되는 2가의 유기기이다.
    [화학식 11]
    Figure 112016103697401-pct00028

    (식 중, V는
    [화학식 12]
    Figure 112016103697401-pct00029

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R7, R8은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고, 상호 동일할 수도 상이할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
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