CN106033727A - 场效应晶体管的制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种场效应晶体管的制作方法，栅氧化层分为靠近源端一侧稍薄的第二栅氧化层和靠近漏端一侧稍厚的第一栅氧化层，漏端栅氧较厚的厚度可以降低漏栅之间的电场，提高器件漏端的耐压能力。因此利用此结构，可以省略掉漏栅之间的硅化物阻挡层结构(SAB)以减小器件尺寸。而且可以减少生产流程，降低生产成本。在多晶硅刻蚀之前就进行源端阱区的杂质注入，可以有效避免传统制造工艺中源端阱区的分布相差较大的问题。另外，利用自对准工艺进行源端阱区的大角度的杂质注入，栅端多晶硅结构靠近源端的一侧形成和源端阱区的杂质注入使用同一次光刻(同一光刻胶)，器件沟道长度由注入能量及角度决定，实现更长沟道的调节。

Description

场效应晶体管的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种场效应晶体管的制作方法。
背景技术
在半导体器件的应用中，有一种效应晶体管需要器件的漏端能够承载比较高的电压，例如音响功率放大器件等。在这一类的应用中，只需要漏端承载较高的电压，栅端只要承载一般的低电压，而源端通常是接地。因此，传统效应晶体管通常在栅端和漏端之间设置有硅化物阻挡层结构(SAB，Self-alignedsilicide block layer)形成缓冲区域以降低漏栅之前的电场来提高漏端的耐压，导致这种器件面积过大，额外的硅化物阻挡层工艺也使生产成本也较高。而且，在制造效应晶体管时，传统工艺是在进行多晶硅刻蚀后，再进行杂质注入形成源端阱区时，刻蚀后的多晶硅残留会阻挡杂质的注入，使得杂质注入源端阱区的实际分布与所希望实现的分布相差较大，从而影响器件性能。
另外，在传统工艺中，效应晶体管的沟道长度由形成漏端漂移区(例如N-漂移区)和形成栅端多晶硅结构的两次光刻后形成。由于两次光刻在尺寸及对位上的偏差，容易导致沟道长度上的偏差，以致造成器件性能上的偏差。
发明内容
基于传统效应晶体管制造技术器件面积过大、源端阱区的分布相差较大和沟道长度偏差大的至少一种缺点，有必要提供一种场效应晶体管的制作方法，该场效应晶体管具有技术器件面积过小、源端阱区的分布相差较小和沟道长度偏差小的优点。
一种场效应晶体管的制作方法，包括步骤：
提供衬底结构；
在所述衬底结构上形成栅氧化层；所述栅氧化层包括并列在所述衬底结构上第二栅氧化层和第一栅氧化层，所述第二栅氧化层比第一栅氧化层薄；
在所述栅氧化层上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成光刻胶；
对所述光刻胶曝光和显影以暴露部分所述多晶硅层；
保留所述光刻胶，与所述衬底结构表面呈45°～83°的注入角度对暴露所述多晶硅层的暴露区域进行杂质注入以在所述衬底结构上形成源端阱区；
保留所述光刻胶，对所述多晶硅层进行刻蚀形成栅端多晶硅结构靠近源端的一侧；
去除所述光刻胶；
对所述多晶硅层进行刻蚀形成栅端多晶硅结构；
在所述衬底结构上进行掺杂形成源端区域和漏端区域；
其中，所述第二栅氧化层靠近所述源端区域，所述第一栅氧化层靠近所述漏端区域。
在其中一个实施例中，在所述衬底结构上形成栅氧化层之前，还包括步骤：
在所述衬底结构上形成漏端漂移区；
在所述衬底结构上形成浅沟槽隔离结构。
在其中一个实施例中，所述漏端漂移区为N-漂移区，所述源端阱区为P阱。
在其中一个实施例中，所述浅沟槽隔离结构包含硅的氧化物。
在其中一个实施例中，所述漏端漂移区和所述源端阱区相接，相接之处位于所述第二栅氧化层之下。
在其中一个实施例中，所述衬底结构的材料为硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅。
上述场效应晶体管的制作方法，通过利用双栅氧工艺制作栅氧化层，栅氧化层分为靠近源端一侧稍薄的第二栅氧化层和靠近漏端一侧稍厚的第一栅氧化层，漏端栅氧较厚的厚度可以降低漏栅之间的电场，提高器件漏端的耐压能力。因此利用此结构，可以省略掉漏栅之间的硅化物阻挡层结构(SAB)以减小器件尺寸。而且可以减少生产流程，降低生产成本。在多晶硅刻蚀之前就进行源端阱区的杂质注入，可以有效避免传统制造工艺中源端阱区的分布相差较大的问题。
另外，利用自对准工艺进行源端阱区的大角度的杂质注入(45°～83°的注入角度)，栅端多晶硅结构靠近源端的一侧形成和源端阱区的杂质注入使用同一次光刻(同一光刻胶)，器件沟道长度由注入能量及角度决定，实现更长沟道的调节；采用不同厚度的光刻胶可以实现宽范围的注入深度；并且整个模块工艺比较干净。和传统非自对准注入工艺相比，更容易实现精确控制。
附图说明
图1是一种传统场效应晶体管的结构示意图；
图2是形成源端阱区的结构示意图；
图3是形成栅端多晶硅结构靠近源端的一侧后的器件结构示意图；
图4是涂抹上光刻胶形成栅端多晶硅结构的结构示意图；
图5是去除光刻胶后形成栅端多晶硅结构的结构示意图；
图6是场效应晶体管的器件结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本文所引用的半导体领域词汇为本领域技术人员常用的技术词汇，例如对于P型和N型杂质，为区分掺杂浓度，简易的将P+型代表重掺杂浓度的P型，P-型代表轻掺杂浓度的P型，N+型代表重掺杂浓度的N型，N-型代表轻掺杂浓度的N型。
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述。
图1是场效应晶体管的制作方法的流程图。
一种场效应晶体管的制作方法，包括步骤：
步骤S110：提供衬底结构100。衬底结构100的材料为硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅。衬底结构100可为硅或含硅的P型衬底，例如包括硅晶圆的单层硅衬底，或者包括其他多层结构和硅层的衬底。
然后在衬底结构100上形成漏端漂移区122和浅沟槽隔离结构600。漏端漂移区122为N-漂移区。浅沟槽隔离结构(STI，shallow trench isolation)600即场氧化层，可以包含硅的氧化物，例如可以是二氧化硅。浅沟槽隔离结构600主要用于分隔源极结构和漏极结构。浅沟槽隔离结构为现今0.18um以下的主流隔离工艺。
漏端漂移区122和浅沟槽隔离结构600形成完成后，接着以下步骤。
步骤S120：在衬底结构100上形成栅氧化层。栅氧化层为二氧化硅层。栅氧化层包括并列在衬底结构100上第二栅氧化层220和第一栅氧化层210，第二栅氧化层220比第一栅氧化层210薄。其中，第二栅氧化层220靠近源端区域110，第一栅氧化层210靠近漏端区域120。第二栅氧化层220的厚度在60埃～600埃之间，第一栅氧化层210的厚度在500埃～1200埃之间。第二栅氧化层220和第一栅氧化层210各自的厚度及分界位置由栅漏工作电压决定。
在形成栅氧化层时，可以首先在衬底结构100上淀积一层稍厚的氧化层(第一栅氧化层210)，然后再刻蚀去稍厚的氧化层的一部分，再在刻蚀了氧化层的衬底结构100上淀积一层稍薄的氧化层(第二栅氧化层220)。
通过利用双栅氧工艺制作栅氧化层，栅氧化层分为靠近源端一侧稍薄的第二栅氧化层220和靠近漏端一侧稍厚的第一栅氧化层210，漏端栅氧较厚的厚度可以降低漏栅之间的电场，提高器件漏端的耐压能力。因此利用此结构，可以省略掉漏栅之间的硅化物阻挡层结构(SAB)以减小器件尺寸。而且可以减少生产流程，降低生产成本。在多晶硅刻蚀之前就进行源端阱区的杂质注入，可以有效避免传统制造工艺中源端阱区的分布相差较大的问题。
栅氧化层形成后接着以下步骤。
步骤S130：在栅氧化层上形成多晶硅层300。采用淀积工艺在栅氧化层形成一层多晶硅层300。由于栅氧化层包括厚薄不一的第二栅氧化层220和第一栅氧化层210，因而可能会造成多晶硅层300的上表面也并不平整，因而可以通过平坦化工艺使其平整。当然，也可以不通过平坦化工艺。
步骤S140：在多晶硅层300上形成光刻胶400。在多晶硅层300上涂覆一层光刻胶400。光刻胶400为对源端阱区112(P阱)进行杂质注入所用到的光刻胶。
步骤S150：对光刻胶400曝光和显影以暴露部分多晶硅层300。此步骤主要对需要形成源极结构区域进行曝光和显影。
显影后，接着步骤S160。
步骤S160：保留光刻胶400，与衬底结构100表面呈45°～83°的注入角度对暴露多晶硅层300的暴露区域进行杂质注入以在衬底结构100上形成源端阱区112。当然，对于杂质注入，既可以是呈45°～83°的注入角度，也可以伴随着正常的垂直注入。
图2是形成源端阱区的结构示意图。
步骤S170：保留光刻胶400，对多晶硅层300进行刻蚀形成栅端多晶硅结构310靠近源端的一侧311。栅端多晶硅结构靠近源端的一侧形成和源端阱区的杂质注入使用同一次光刻(同一光刻胶)，器件沟道L长度由注入能量及角度决定，实现更长沟道L的调节；采用不同厚度的光刻胶可以实现宽范围的注入深度；并且整个模块工艺比较干净。和传统非自对准注入工艺相比，更容易实现精确控制。
图3是形成栅端多晶硅结构靠近源端的一侧后的器件结构示意图。
步骤S180：去除光刻胶400。刻蚀完栅端多晶硅结构310靠近源端的一侧311后，就可以将光刻胶400去除。
步骤S190：对(剩余的)多晶硅层300进行刻蚀形成栅端多晶硅结构310。此步骤的光刻采用另一光刻胶500，即用于刻蚀多晶硅栅极(栅端多晶硅结构310)的光刻胶500。
图4是涂抹上光刻胶形成栅端多晶硅结构的结构示意图，图5是去除光刻胶后形成栅端多晶硅结构的结构示意图。
步骤S200：在衬底结构100上进行掺杂形成源端区域110和漏端区域120。例如通过进行源漏注入工艺，形成重掺杂的漏极区(N+和P+)和源极区(N+)。漏端漂移区122和源端阱区112相接，相接之处位于第二栅氧化层220之下。也即漏端漂移区120占据位于第一栅氧化层210下的衬底结构100表层，并延伸至位于第二栅氧化层220之下的衬底结构100表层。当然，在其他实施例中，漏端漂移区120与源端阱区112不一定需要相接，也可以留一些空间，以提高击穿电压。
图6是场效应晶体管的器件结构示意图，由图可以看出，利用上述场效应晶体管的制作方法形成的此结构省略掉漏栅之间的硅化物阻挡层结构(SAB)，因此可以减小器件尺寸，而且可以减少生产流程，降低生产成本。
上述场效应晶体管的制作方法，通过利用双栅氧工艺制作栅氧化层，栅氧化层分为靠近源端一侧稍薄的第二栅氧化层和靠近漏端一侧稍厚的第一栅氧化层，漏端栅氧较厚的厚度可以降低漏栅之间的电场，提高器件漏端的耐压能力。因此利用此结构，可以省略掉漏栅之间的硅化物阻挡层结构(SAB)以减小器件尺寸。而且可以减少生产流程，降低生产成本。在多晶硅刻蚀之前就进行源端阱区的杂质注入，可以有效避免传统制造工艺中源端阱区的分布相差较大的问题。
另外，利用自对准工艺进行源端阱区的大角度的杂质注入(45°～83°的注入角度)，栅端多晶硅结构靠近源端的一侧形成和源端阱区的杂质注入使用同一次光刻(同一光刻胶)，器件沟道长度由注入能量及角度决定，实现更长沟道的调节；采用不同厚度的光刻胶可以实现宽范围的注入深度；并且整个模块工艺比较干净。和传统非自对准注入工艺相比，更容易实现精确控制。
可以理解，上述场效应晶体管的制作方法，仅描述一些主要步骤，并不代表制造场效应晶体管的所有步骤。图2～图6中的图示也是对场效应晶体管的一些主要结构的简单示例，并不代表场效应晶体管的全部结构。上述场效应晶体管为N型场效应晶体管，在其他实施例中还可以是P型场效应晶体管。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底结构；
在所述衬底结构上形成栅氧化层；所述栅氧化层包括并列在所述衬底结构上第二栅氧化层和第一栅氧化层，所述第二栅氧化层比第一栅氧化层薄；
在所述栅氧化层上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成光刻胶；
对所述光刻胶曝光和显影以暴露部分所述多晶硅层；
保留所述光刻胶，与所述衬底结构表面呈45°～83°的注入角度对暴露所述多晶硅层的暴露区域进行杂质注入以在所述衬底结构上形成源端阱区；
保留所述光刻胶，对所述多晶硅层进行刻蚀形成栅端多晶硅结构靠近源端的一侧；
去除所述光刻胶；
对所述多晶硅层进行刻蚀形成栅端多晶硅结构；
在所述衬底结构上进行掺杂形成源端区域和漏端区域；
其中，所述第二栅氧化层靠近所述源端区域，所述第一栅氧化层靠近所述漏端区域。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底结构上形成栅氧化层之前，还包括步骤：
在所述衬底结构上形成漏端漂移区；
在所述衬底结构上形成浅沟槽隔离结构。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述漏端漂移区为N-漂移区，所述源端阱区为P阱。
4.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包含硅的氧化物。
5.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述漏端漂移区和所述源端阱区相接，相接之处位于所述第二栅氧化层之下。
6.根据权利要求1～5任一项所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底结构的材料为硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅。
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