CN105900216A - 平板显示器用配线膜 - Google Patents

平板显示器用配线膜 Download PDF

Info

Publication number
CN105900216A
CN105900216A CN201580004042.5A CN201580004042A CN105900216A CN 105900216 A CN105900216 A CN 105900216A CN 201580004042 A CN201580004042 A CN 201580004042A CN 105900216 A CN105900216 A CN 105900216A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
wiring film
atom
ground floor
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580004042.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105900216B (zh
Inventor
后藤裕史
岩成裕美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Publication of CN105900216A publication Critical patent/CN105900216A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105900216B publication Critical patent/CN105900216B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0207—Cooling of mounted components using internal conductor planes parallel to the surface for thermal conduction, e.g. power planes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/023—Alloys based on aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H01L23/53219—Aluminium alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明的平板显示器用配线膜，由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层，其由含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上的Al合金构成。该配线膜即使经受400℃以上且500℃以下的高温的热过程，仍可抑制配线电阻的上升，也不会发生小丘等，耐热性优异。

Description

平板显示器用配线膜
技术领域
本发明涉及平板显示器用配线膜。
背景技术
用于液晶显示器、有机EL显示器、触摸面板等的平板显示器的电极材料的配线膜中，使用的是电阻率低的Al薄膜。但是，Al熔点低，耐热性小。此外Al在大气中被氧化，容易形成钝态皮膜。因此，即使将Al薄膜与半导体层或透明像素电极直接连接，由于在其界面所生成的Al氧化物的绝缘层，接触电阻仍会上升，有画面的显示品质降低这样的问题。
关于这些问题，至今为止，提出有以下这样的对策。首先，关于耐热性，是在Al的表面，经由Mo、Ti、Cr、W和Ta等的高熔点金属所构成的金属阻挡层而成为层叠结构。通过使机械强度高的金属阻挡层夹杂，利用基板与Al的热膨胀系数差，从而压制应力集中而发生的、作为半球状突起物的小丘。另外，为了防止Al氧化物的形成，实现可电连接这一目的，而使上述金属阻挡层夹杂于Al薄膜与半导体层或透明像素电极之间。具体来说，就是使用在Al薄膜的上下的至少一方，形成有上述金属阻挡层的层叠配线薄膜。
另一方面，随着平板显示器的高精细化和低耗电化的要求，作为开关矩阵所用的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)所使用的材料也受到研究。例如从现有的非晶硅，以更高性能化为目的，而使用低温多晶硅半导体等的多晶硅半导体和氧化物半导体等。这些半导体材料，具有高载流子迁移率，光学能带隙大，能够低温成膜，因此期待其面向要求大型·高分辨率·高速驱动的划时代显示器、和耐热性低的树脂基板等的应用。
低温多晶硅半导体，使用非单晶性的非晶硅、微晶硅的半导体薄膜，大致经过400～500℃左右的晶化退火，和杂质掺杂后的活化退火等的加热工艺制作。具体来说，例如，对于由CVD法形成于基板上的非晶硅，和粒径约0.1μm以下的比较小的微晶硅等的半导体薄膜照射激光。照射该激光局部性地加热半导体薄膜，至少使之部分性地熔融后，在其冷却过程中使半导体薄膜晶化成约0.3μm以上的粒径比较大的多晶。通过由这样的激光照射进行的晶化退火，可以实现薄膜半导体装置的低温制程化，不仅能够使用耐热性优异的高价的石英基板，也能够使用廉价的玻璃基板。另外，在活化退火中，促进掺杂进多晶硅薄膜中的杂质和Si的结合，控制载流子浓度，并且通过离子注入，同时进行用于使被破坏的结晶恢复的处理。
如此在低温多晶硅的制作时，为了晶化退火和活化退火而曝露在400～500℃左右的热过程中，与非晶硅相比，制程温度较高。
另外，即使在氧化物半导体中，也实施激光退火、350～500℃左右的高温退火而改善成结晶性的膜质，使半导体的迁移率和TFT的阈值电压等的性能提高。
现有的使用了非晶硅的TFT，在TFT的制造工序中施加的热过程，最大为350℃左右，因此能够毫无问题地使用前述的层叠有高熔点金属和Al薄膜的配线薄膜。可是，若将低温多晶硅和氧化物半导体这样曝露在400～500℃左右的热过程下的半导体材料应用于TFT，则由于此高热过程，会导致Al与Mo等的高熔点金属之间发生相互扩散，产生配线电阻增加等的问题。或者，由于高热过程导致基板和配线薄膜的应力变大，Al的应力扩散被促进，以至突破高熔点金属，在配线薄膜的表面产生小丘。另外在配线薄膜的侧壁部分，还会发生没有被高熔点金属覆盖的部分产生侧面小丘等的问题。如此，在400℃以上的热处理中，需要能够应对不同于低于400℃的热处理的特性的配线膜。
因此，将低温多晶硅和氧化物半导体等适用于TFT的半导体层时，不是像使用非晶硅这样使用高熔点金属和Al薄膜的层叠配线膜，而是使用高熔点金属的单层配线薄膜。但是，高熔点金属其电阻率高。
至今为止，作为截止到400℃的耐热性，即，防止小丘发生优异的耐热性配线材料，发明者们在专利文献1中提出有一种Al合金膜，其在合计高于1.0原子％并在15原子％以下的范围内含有Nd、Gd、Dy中的一种以上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第2733006号公报
但是专利文献1涉及的是以非晶硅为对象的技术。即，专利文献1其目标在于，在作为TFT制造工艺上不可避免的电极膜形成后的250～400℃左右的加热工序中，实现耐热性和低电阻率，而没有谋求更高温下的上述特性改善。
发明内容
本发明着眼于上述情况而形成，其目的在于，提供一种耐热性优异的平板显示器用配线膜，其即使受到400℃以上且500℃以下的高温的热过程，也可抑制配线电阻的上升，不会发生小丘等。
能够解决上述课题的平板显示器用配线膜，是形成在基板上的平板显示器用的配线膜，所述配线膜由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层，其由含有0.01原子％以上并低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上的Al合金构成。
在所述第一层与所述第二层的界面，具有含有所述高熔点金属的至少一种和Al的反应层的形态，也是优选的实施方式。
在本发明的优选的实施方式中，上述Al合金，含有稀土类元素0.01原子％以上，和Ni与Co之中至少一种以上0.01原子％以上。
在本发明的优选的实施方式中，上述反应层经由400℃以上且500℃以下的热过程形成。
在本发明的优选的实施方式中，上述稀土类元素是从Nd、La、Gd、Dy、Y和Ce所构成的群中选择的至少一种以上。
在本发明的优选的实施方式中，反应层含有Al与Mo的化合物。
在本发明的优选的实施方式中，从基板侧按顺序，所述第一层和所述第二层的层叠结构的配线膜以此顺序形成，或者，所述第二层和所述第一层的层叠结构的配线膜以此顺序形成。
在本发明的优选的实施方式中，从基板侧按顺序，所述第一层、所述第二层、和所述第一层的层叠结构的配线膜以此顺序形成，在所述第一层与所述第二层的界面，均形成有所述反应层。
根据本发明，能够提供一种即使受到400℃以上且500℃以下的高温下的热过程，也可抑制电阻率的上升，还确认不到小丘的发生，兼备低配线电阻和高耐热性的平板显示器用配线膜。
附图说明
图1是实施例No.1的截面的扫描型电子显微镜照片。
图2是实施例No.2的截面的扫描型电子显微镜照片。
图3是实施例No.3的截面的扫描型电子显微镜照片。
图4是实施例No.4的截面的扫描型电子显微镜照片。
图5是实施例No.1的截面的透射型电子显微镜照片。
图6是实施例No.2的截面的透射型电子显微镜照片。
图7是实施例No.4的截面的透射型电子显微镜照片。
图8是表示在实施例的由三层构造构成的种种层叠配线膜中，热处理温度与各配线膜的电阻率的关系的图解。
具体实施方式
本发明者们为了提供即使受到400℃以上且500℃以下的高温的热过程，仍可抑制配线电阻的上升，也不会发生小丘等的耐热性优异的平板显示器用配线膜而反复研究。其结果发现，在由Mo等的高熔点金属层和Al配线的层叠结构构成的配线膜中，作为Al配线材料，使用相比以往以极低量含有Nd、La、Gd、Dy、Y、Ce等的稀土类元素(以下，称为“REM”(rareearth metal))、Ni、Co之中的至少一种以上的合金元素的Al合金即可。即发现，使该合金元素添加带来的耐热性提高作用一边有效地发挥，而且，一边让防止Al与高熔点金属的相互扩散的作为阻挡层而发挥功能的反应层在其界面被形成，作为扩散路径的晶界密度变低，因此可抑制配线电阻的上升，从而完成了本发明。
在Mo等的高熔点金属与Al配线的相互扩散中，可知构成Al配线的组织越是微细，晶界密度越高，上述的相互扩散越被促进，配线电阻的上升率大。组织最粗大，晶界密度低的是纯Al，但纯Al耐热性差。因此在层叠有高熔点金属的状态下，若受到400℃以上的热过程，则也如后述的实施例所示，会发生侧面小丘。若发生侧面小丘，则突破上层的栅极绝缘膜和保护膜，因此产生漏电流，TFT元件的特性劣化。
因此，本发明者们为了实现能够抑制高熔点金属与Al配线的相互扩散造成的配线电阻上升，而且耐热性优异的Al合金，着眼于合金元素。其结果认识到，添加有稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上，使其合计含量低于0.2原子％的Al合金，组织的晶粒比较大，接近纯Al，能够降低晶界密度。
对其若施加400℃以上的高热过程，则在由该Al合金构成的与第二层接触的含有高熔点金属的第一层至第二层侧，主要是发生通过Al晶界的高熔点金属的扩散，即，发生晶界扩散。在Al合金中，相比在晶粒的内部扩散的晶内扩散，在晶界扩散的晶界扩散这一方大。因此，如本发明所规定的这样，若使用以上述方式显著减少了Al合金的合金元素的合计含量的Al合金，则虽然会进行一些上述的晶界扩散，但是与晶界扩散相对抗而在第一层和第二层的界面，至少含有Al和高熔点金属的反应层形成也会进行，结果是界面的反应层形成先行结束。该反应层作为用于防止Al与高熔点金属的相互扩散的阻挡层有效地发挥功能，上述晶界扩散停止。其结果是，可抑制配线电阻的上升。
本发明的配线膜具有层叠有第一层和第二层的层叠结构，第一层含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层为Al合金，作为合金元素，含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上。
首先，对于赋予配线膜最显著特征的构成第二层的Al合金进行说明。
[使稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上为0.01原子％以上，并低于0.2原子％]
稀土类元素、Ni和Co均是有助于Al的耐热性提高的元素，如后述通过与第一层层叠，更加有助于400以上、500℃以下的耐热性提高。
本发明中所用的所谓稀土类元素，意思是从La至Lu的15种元素所构成有镧系元素、Sc和Y。优选的稀土类元素为Nd、La、Gd、Dy、Y或Ce，其能够单独使用，或者两种以上并用。更优选Nd、La、Gd，Dy，进一步优选Nd、La。
为了显现上述效果，需要使本发明的Al合金中，含有此稀土类元素、Ni、Co之中至少一种以上的合金元素0.01原子％以上，优选为0.02原子％以上，更优选为0.05原子％以上。
另一方面，从耐热性提高的观点出发，希望合金元素的含量多的方法，但若合金元素的含量过剩，则晶粒变小，晶界密度增加，因此沿晶界在第二层内扩散的高熔点金属增加，所以配线电阻显著增加。因此Al合金中包含的上述合金元素的合计含量需要低于0.2原子％，优选为0.15原子％以下，更优选为0.12原子％以下。
从得到优异的耐热性提高效果这一观点出发，稀土类元素量优选为0.01原子％以上。另一方面，稀土类元素含量的上限，从耐热性的观点出发，能够允许截止到合金元素含量的上限，即低于0.2原子％，但是从更进一步降低400℃以上且500℃以下的配线电阻的观点出发，优选为0.05原子％以下。稀土类元素含量更优选为0.02原子％以上，进一步优选为0.035原子％以上，更优选为0.15原子％以下，进一步优选为0.10原子％以下。在此所谓稀土类元素含量，在单独含有稀土类元素时为单独的量，在并用两种以上的稀土类元素时为合计量。
另外，从充分发挥耐热性提高效果，和配线电阻上升抑制效果的观点出发，Ni和Co中的至少一种以上(以下，仅称为“Ni、Co”)的含量，优选为0.01原子％以上，更优选为0.02原子％以上。另一方面，Ni、Co的含量的上限，从耐热性的观点出发，能够允许截止到合金元素含量的上限，即低于0.2原子％，但若过剩地使之含有，则配线电阻反而变高，因此优选为0.1原子％以下，更优选为0.08原子％以下。Ni、Co可以单独添加，也可以两方并用。Ni、Co在含有任意一方时，为一方的量，含有两方时，为其合计量。
在本发明中，可以单独添加合金元素，也可以并用两种以上的合金元素。Al合金中的合金元素，只要在上述范围含有，便能够得到耐热性提高效果。为了得到更优异的耐热性提高效果，优选含有稀土类元素，和Ni与Co的至少一种以上。
用于本发明的Al合金，如上述，在0.01原子％以上且低于0.2原子％的范围含有稀土类元素、Ni和Co之中的至少一种以上，余量：是Al和不可避免的杂质。优选含有稀土类元素，和至少Ni或Co的任意一方，余量：是Al和不可避免的杂质。
此外在本发明的Al合金中，在不损害本发明的作用的范围内，也可以含有(i)从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上；(ii)Cu和Ge中的至少一种以上。
(i)从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上，在400℃以上且500℃以下的高热过程中使Al合金的耐热性提高，有效地作用于小丘和Al氧化物的形成抑制。为了得到这样的效果，从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的含量，优选为0.01原子％以上，更优选为0.02原子％以上。另外这些合金元素的含量如果优选为低于0.05原子％，更优选为0.03原子％以下的少量，则即使合金化，仍能够将配线电阻抑制得很低。此外，通过上述反应层的形成，还能够抑制高熔点金属从第一层通过Al晶界而扩散，由此也能够抑制因相互扩散引起的配线电阻的上升。这些合金元素可以单独添加，也可以并用多个。单独含有任意一个时，是这个的量，含有多种时为其合计量。
(ii)Cu和Ge相比上述的稀土类元素和Ni、Co，是在更低温下析出的元素，另外不会对晶界密度造成不利影响，因此能够抑制配线电阻的上升。为了得到这样的效果，Cu和Ge中的至少一种以上的含量优选为0.01原子％以上，更优选为0.02原子％以上。另一方面，若Cu和Ge的含量过多，则配线电阻反而上升，因此优选为0.05原子％以下，更优选为0.03原子％以下。Cu、Ge可以单独添加，也可以两方并用。含有任意一方时，为这一方的量，含有两方时为合计量。
还有，在含有(i)从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择一种以上；(ii)Cu和Ge中的一种以上时，Al合金中所含的合金元素，即，稀土类元素、Ni、Co和上述(i)、(ii)的合计量也需要控制在低于0.2原子％。若合计量达到0.2原子％以上，则加热后的配线电阻上升等的问题发生。合计量的优选的范围如上述。
以下，对于本发明的配线膜进行说明。
本发明的配线膜，是层叠含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择一种以上的高熔点金属的第一层和由上述Al合金构成的第二层的层叠结构。具体来说，可以是从基板侧按顺序，上述第一层和上述第二层按此顺序层叠而成的双层构造，另外，也可以是上述第二层和上述第一层按此顺序层叠而成的双层构造。或者，也可以是在上述第二层的上下配置有上述第一层的三层构造。即，也可以是从基板侧按顺序，上述第一层、上述第二层和上述第一层按此顺序层叠而成的三层构造。还有，在本发明中，作为三层构造时，从第二层看将层叠在与基板侧相反侧的第一层称为第三层。
特别是若为三层构造，则作为第二层的Al合金的耐氧化性提高，并且耐热性更进一步提高，因此优选。
用于本发明的第一层的高熔点金属，在平板显示器的技术领域作为阻挡层通常被使用。具体来说，能够作为含有Mo、Ti、Cr、W和Ta一种或者两种以上的合金元素使用。在上述第二层的上下配置上述第一层时，上侧的第一层与下侧的第一层可以是相同的组成，也可以不同。另外第一层也可以含有高熔点金属以外的元素，但优选为任意的上述高熔点金属，和余量：不可避免的杂质。
本发明的配线膜，无论是哪种层叠结构，在上述第一层与上述第二层的界面，进一步作成三层构造时，在上述第二层与第三层的界面，形成有含有Al和高熔点金属的反应层。本发明中的所谓反应层，是通过低温多晶硅和氧化物半导体曝露的高温的热过程，优选为400℃以上且500℃以下而形成的。由于使热过程的上限为500℃以下，上述反应层不会进一步生长，而是停留在界面，因此能够有效地抑制电阻的上升。上述反应层中，例如，含有Al和高熔点金属的化合物，具体来说是含有Al和Mo的化合物。
反应层，如实施例所示，如果用透射型电子显微镜(以下，称为“TEM”(Transmission Electron Microscope)。)观察热处理后的具有层叠结构的配线膜的截面便能够确认。
本发明中所用的基板，只要是平板显示器的领域通常所用的，便没有特别限定，例如可列举由玻璃、石英、硅、SUS、Ti箔等的金属构成。
本发明的平板显示器，具备上述的本发明的配线膜，例如，可列举液晶显示器、有机EL显示器、触摸面板、场致发射显示器、真空荧光管显示器、等离子体显示器等。
在上述平板显示器中，优选薄膜晶体管的半导体层，由低温多晶硅或者氧化物构成。如前述，其虽然因制作过程或出于膜质改善等的目的，会受到400℃以上且500℃以下的高温热过程，但如果使用本发明的配线膜，则不会对耐热性和配线电阻造成不利影响，而能够最大限度地享受这些半导体层材料的优点。作为上述氧化物，未特别限定，例如可列举通常所使用的含有从In、Zn、Ga和Sn所构成的群中选择的至少一种的元素的氧化物。
赋予本发明以特征的上述Al合金薄膜，优选以溅射法，用溅射靶(以下称为“靶”)形成。作为薄膜的形成方法，例如可列举喷墨涂布法、真空蒸镀法、溅射法等。其中，溅射法因为容易合金化和膜厚均匀性优异，所以优选。
以上述溅射法形成上述Al合金膜时，作为上述溅射靶，如果使用规定量含有稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上，与希望的Al合金膜为相同组成的Al合金溅射靶，则不用担心组成偏差，能够形成预期的成分组成的Al合金膜。或者，也可以通过达成希望的成分组成的Al合金膜的方式使用多个溅射靶，使之共沉积。
用于第一配线膜形成的溅射靶，是含有稀土类元素、Ni和Co之中一种以上0.01原子％以上且低于0.2原子％，余量：为Al和不可避免的杂质的Al合金溅射靶。优选为含有稀土类元素0.01原子％以上，及Ni和Co之中一种以上0.01原子％以上，合计合金元素含量低于0.2原子％，余量：为Al和不可避免的杂质的Al合金溅射靶。
在溅射靶中，在不损害发明的作用的范围内，也可以按前述量含有(i)从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择一种以上；(ii)Cu和Ge之中一种以上。
作为上述溅射靶的制作方法，可列举真空熔炼法和粉末烧结法，但真空熔炼法进行的制作，从能够确保靶面内的组成和组织的均匀性的观点出发，特别优选。
本发明的配线膜的配线电阻，根据平板显示器的构造、配线规则等而有所不同，但大致为5.5μΩcm以下，优选为5.0μΩcm以下的电阻率。
本申请基于2014年2月7日申请的日本国专利申请第2014－022822号主张优先权的利益。2014年2月7日申请的日本国专利申请第2014－022822号的说明书的全部内容，在本申请中用于参考而援引。
实施例
以下，列举实施例更具体地说明本发明，但本发明当然不受下述实施例限制，在能够符合前·后述的宗旨的范围内，当然也可以适当加以变更实施，这些均包含在本发明的技术范围内。
实验1(耐热性评价)
在玻璃基板上，使用溅射法，从基板侧按顺序，依次层叠由Mo构成的膜厚为70nm的第一层，具有表1所示的组成的膜厚为300nm的由Al－Ni－La合金构成的第二层，由Mo构成的膜厚为70nm的第一层(以下，称为“第三层”)。还有，No.2～No.4的第二层，是使用具有与膜对应的组成的溅射靶使之蒸镀。这时，以使第二层成为表1所示的组成的方式控制DC功率的比率。另外No.1的第二层使用纯Al溅射靶形成膜厚300nm的纯Al膜。第二层的组成，使用ICP发光分光分析装置，进行定量分析而加以确认。还有，表中，at％意思是原子％。
溅射条件如下。
DC磁控管溅射装置
靶尺寸：4英寸
Ar气压：2mTorr
DC功率：250W
极间距离：100mm
基板温度：室温
接着，利用光刻和蚀刻，形成为5μm宽的线和间隔图案之后，通过红外线加热，在氮气氛中，以400℃、450℃的各温度进行了1小时的热处理。
评价所得到的各试料的耐热性。详细地说，就是从热处理后的层叠配线的斜上方，以扫描型电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)观察试料截面，调查有无侧面小丘。在倍率3000～10000倍的范围进行，可见侧面小丘生成的为×，未见侧面小丘生成的为○。其结果显示在表1中。
[表1]
根据表1，No.2～4无论在哪种加热温度下，均未见侧面小丘的发生。另外在配线端部也未见有侧面小丘。
另一方面，No.1无论在哪种加热温度下，均确认到在配线端部以高密度形成有被称为侧面小丘的突起。
图1～4是加热到450℃之后的No.1～4的SEM照片，但如图1所示，No.1能够从配线端部确认到有相当于侧面小丘的突起1发生。另一方面，如图2～4所示，No.2～4中未发生突起。
此外，以TEM暗视野像观察加热到450℃之后的层叠配线的截面的结果显示在图5～7中。如图5～7所示，在第一层3与第二层4之间、第二层4与第三层5之间确认到Mo－Al的反应层2。还有，图5～7分别是No.1、2、4，但No.1、2、4和合金元素的添加量越多，可知反应层的区域越宽。
实验2(配线电阻评价)
除了形成宽100μm、长10的线和间隔图案以外，均与上述实验1同样而制作各试料。还有，在本实施例中，使用极间距离不是通常的55mm，而是设定为100mm的溅射装置。因此，在本实施例中，相比以55mm的极间距离成膜的情况，摄入膜中的残留在溅射室内的主要是氧、氮、水分等的气体成分变多，电阻率提高2成左右。
以4端子法测量所得到的层叠配线的第二层的电阻率，评价配线电阻。配线电阻考虑为Mo和Al的并联电阻，Mo的电阻率在热处理前后为12μΩcm的并联电阻，以层叠配线的膜厚比分配电阻加以扣除，计算上述Al合金的电阻率。为了参考，也同样测量上述加热处理前的24℃下的第二层的电阻率(表中，“asdepo”一栏)。在本实施例中，电阻率在5.5μΩcm以下，评价为配线电阻优异并为合格，高于5.5μΩcm评价为配线电阻高并为不合格。
[表2]
这些结果显示在图8中。根据图8，使用No.1～3时，加热温度无论为400℃、450℃的哪一个，均能够将电阻率抑制为很低的5.5μΩcm以下。
详细地说，第二层使用纯Al的No.1(图中，◆)的电阻率，若加热温度变高，则显示出增加的倾向，但其程度非常低。
另外，第二层由满足本发明的要件的Al合金构成的No.2、3(图中，■，▲)的电阻率，若加热温度变高，则也是显示出增加的倾向，但能够抑制在合格标准的电阻率的范围内。其增加率比纯Al高。
相对于此，No.4(图中，●)是作为第二层的Al合金膜中所含的合金元素的合计含量多达0.22原子％的例子，电阻率上升。
由以上的实验1、2的结果可确认，使用含有本发明所规定的Al合金的No.2、3的配线膜时，即使经受400℃以上且500℃以下的高温热过程，仍可抑制配线电阻的上升，也没有侧面小丘等的发生，能够得到耐热性优异的平板显示器。
另一方面，在使用纯Al的No.1中，若加热温度高于400℃，则可见加热处理后的电阻率有慢慢增加的倾向，便其程度非常低。但是，若使用纯Al，则耐热性降低，使用纯Al时，加热处理后可见侧面小丘的发生。
No.4是将合金元素含量过剩的Al合金用于第二层的例子。No.4经加热处理未见侧面小丘的发生，耐热性良好，但如图8所示，若加热温度高于400℃，则加热处理后的电阻率显著增加，其增加率与纯Al相比非常地高。
符号的说明
1 相当于侧面小丘的突起
2 反应层
3 第一层
4 第二层
5 第三层
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种平板显示器用的配线膜，其特征在于，是形成于基板上的平板显示器用的配线膜，
所述配线膜由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：
第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；
第二层，其由含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、0.01原子％以上且低于0.2原子％的Ni和Co之中的至少一种以上的Al合金构成。
2.根据权利要求1所述的平板显示器用配线膜，其中，在所述第一层和所述第二层的界面具有含有所述高熔点金属中的至少一种和Al的反应层。
3.(删除)
4.根据权利要求2所述的平板显示器用配线膜，其中，所述反应层经由400℃以上且500℃以下的热过程形成。
5.根据权利要求1所述的平板显示器用配线膜，其中，所述稀土类元素是从Nd、La、Gd、Dy、Y和Ce所构成的群中选择的至少一种以上。
6.根据权利要求2所述的平板显示器用配线膜，其中，所述反应层含有Al和Mo的化合物。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的平板显示器用配线膜，其中，从基板侧按顺序，所述第一层和所述第二层的层叠结构的配线膜按此顺序形成、或者所述第二层和所述第一层的层叠结构的配线膜按此顺序形成。
8.(修改后)根据权利要求1～6中任一项所述的平板显示器用配线膜，其中，从基板侧按顺序，所述第一层、所述第二层、和所述第一层的层叠结构的配线膜按此顺序形成，且在所述第一层和所述第二层的界面均形成有含有所述高熔点金属中的至少一种和Al的反应层。

Claims (8)

1.一种平板显示器用的配线膜，其特征在于，是形成于基板上的平板显示器用的配线膜，
所述配线膜由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：
第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；
第二层，其由含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中的至少一种以上的Al合金构成。
2.根据权利要求1所述的平板显示器用配线膜，其中，在所述第一层和所述第二层的界面具有含有所述高熔点金属中的至少一种和Al的反应层。
3.根据权利要求1所述的平板显示器用配线膜，其中，所述Al合金含有0.01原子％以上的稀土类元素、及0.01原子％以上的Ni和Co之中的至少一种以上。
4.根据权利要求2所述的平板显示器用配线膜，其中，所述反应层经由400℃以上且500℃以下的热过程形成。
5.根据权利要求1所述的平板显示器用配线膜，其中，所述稀土类元素是从Nd、La、Gd、Dy、Y和Ce所构成的群中选择的至少一种以上。
6.根据权利要求2所述的平板显示器用配线膜，其中，所述反应层含有Al和Mo的化合物。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的平板显示器用配线膜，其中，从基板侧按顺序，所述第一层和所述第二层的层叠结构的配线膜按此顺序形成、或者所述第二层和所述第一层的层叠结构的配线膜按此顺序形成。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的平板显示器用配线膜，其中，从基板侧按顺序，所述第一层、所述第二层、和所述第一层的层叠结构的配线膜按此顺序形成，且在所述第一层和所述第二层的界面均形成有所述反应层。
CN201580004042.5A 2014-02-07 2015-01-21 平板显示器用配线膜 Expired - Fee Related CN105900216B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-022822 2014-02-07
JP2014022822 2014-02-07
PCT/JP2015/051561 WO2015118947A1 (ja) 2014-02-07 2015-01-21 フラットパネルディスプレイ用配線膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105900216A true CN105900216A (zh) 2016-08-24
CN105900216B CN105900216B (zh) 2019-05-10

Family

ID=53777754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580004042.5A Expired - Fee Related CN105900216B (zh) 2014-02-07 2015-01-21 平板显示器用配线膜

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160345425A1 (zh)
JP (2) JP6475997B2 (zh)
KR (1) KR20160105490A (zh)
CN (1) CN105900216B (zh)
TW (1) TWI661474B (zh)
WO (1) WO2015118947A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10186618B2 (en) * 2015-03-18 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6228631B1 (ja) * 2016-06-07 2017-11-08 株式会社コベルコ科研 Ａｌ合金スパッタリングターゲット
JP6325641B1 (ja) * 2016-11-30 2018-05-16 株式会社コベルコ科研 アルミニウム合金スパッタリングターゲット
JP2018204059A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 株式会社神戸製鋼所 フレキシブル表示装置用Ａｌ合金膜およびフレキシブル表示装置
JP7126321B2 (ja) * 2018-10-10 2022-08-26 日鉄マイクロメタル株式会社 Ａｌボンディングワイヤ
KR20220033650A (ko) * 2020-09-09 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 반사 전극 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077666A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Fujitsu Ltd Ｉｔｏ膜接続構造、ｔｆｔ基板及びその製造方法
US20070040173A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
JP2010087068A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Hitachi Ltd 表示装置
JP2010262991A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Kobe Steel Ltd 現像液耐性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
CN102315229A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 株式会社神户制钢所 薄膜晶体管基板及具备薄膜晶体管基板的显示装置
CN102956158A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 日立金属株式会社 电子部件用层叠布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材
WO2013047095A1 (ja) * 2011-09-28 2013-04-04 株式会社神戸製鋼所 表示装置用配線構造
CN103069042A (zh) * 2010-09-30 2013-04-24 株式会社神户制钢所 Al合金膜、具有Al合金膜的配线结构以及Al合金膜的制造中使用的溅射靶

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4942098A (en) * 1987-03-26 1990-07-17 Sumitomo Special Metals, Co., Ltd. Corrosion resistant permanent magnet
JPH01134426A (ja) * 1987-11-20 1989-05-26 Hitachi Ltd 液晶デイスプレイ駆動用薄膜トランジスタ
JP2733006B2 (ja) 1993-07-27 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
JP3365954B2 (ja) * 1997-04-14 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜および半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
EP1149931A4 (en) * 1999-11-09 2008-02-13 Jfe Steel Corp CERMET POWDER FOR PULVERIZED COATING HAVING EXCELLENT MOUNTING RESISTOR AND ROLL WITH PULVERIZED COATING
JP4783525B2 (ja) * 2001-08-31 2011-09-28 株式会社アルバック 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
JP4117001B2 (ja) * 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
US7411298B2 (en) * 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
JP4117002B2 (ja) * 2005-12-02 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
US7781767B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
JP5022364B2 (ja) * 2006-10-16 2012-09-12 三井金属鉱業株式会社 配線用積層膜及び配線回路
JP5101249B2 (ja) * 2006-11-10 2012-12-19 Ｊｆｅ鋼板株式会社 溶融Ｚｎ−Ａｌ系合金めっき鋼板およびその製造方法
JP4377906B2 (ja) * 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP2008127623A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4170367B2 (ja) * 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4383499B2 (ja) * 2007-01-15 2009-12-16 敏夫 成田 耐酸化性合金皮膜、耐酸化性合金皮膜の製造方法および耐熱性金属部材
JP2009008770A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP5143649B2 (ja) * 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4611417B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4469913B2 (ja) * 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
KR101163329B1 (ko) * 2008-02-22 2012-07-05 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 터치 패널 센서
WO2009123217A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 株式会社神戸製鋼所 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット
JP5139134B2 (ja) * 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5475260B2 (ja) * 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
JP5368867B2 (ja) * 2008-04-23 2013-12-18 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
JP2009282514A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
JP5159558B2 (ja) * 2008-10-28 2013-03-06 株式会社神戸製鋼所 表示装置の製造方法
US20110198602A1 (en) * 2008-11-05 2011-08-18 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Aluminum alloy film for display device, display device, and sputtering target
JP2010135300A (ja) * 2008-11-10 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法
JP4567091B1 (ja) * 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
US20100244032A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Aluminum-nickel alloy wiring material, device for a thin film transistor and a thin film transistor substrate using the same, and method of manufacturing the thin film transistor substrate
KR101084277B1 (ko) * 2010-02-03 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101824537B1 (ko) * 2010-10-01 2018-03-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 디스플레이
US20130233706A1 (en) * 2010-10-08 2013-09-12 Kobelco Research Institute Inc. Al-based alloy sputtering target and production method of same
JP6089535B2 (ja) * 2011-10-28 2017-03-08 Tdk株式会社 Ｒ−ｔ−ｂ系焼結磁石

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077666A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Fujitsu Ltd Ｉｔｏ膜接続構造、ｔｆｔ基板及びその製造方法
US20070040173A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
JP2010087068A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Hitachi Ltd 表示装置
JP2010262991A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Kobe Steel Ltd 現像液耐性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
CN102315229A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 株式会社神户制钢所 薄膜晶体管基板及具备薄膜晶体管基板的显示装置
CN103069042A (zh) * 2010-09-30 2013-04-24 株式会社神户制钢所 Al合金膜、具有Al合金膜的配线结构以及Al合金膜的制造中使用的溅射靶
CN102956158A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 日立金属株式会社 电子部件用层叠布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材
WO2013047095A1 (ja) * 2011-09-28 2013-04-04 株式会社神戸製鋼所 表示装置用配線構造

Also Published As

Publication number Publication date
US20160345425A1 (en) 2016-11-24
JP2019016797A (ja) 2019-01-31
TW201543555A (zh) 2015-11-16
JP6630414B2 (ja) 2020-01-15
CN105900216B (zh) 2019-05-10
KR20160105490A (ko) 2016-09-06
JP6475997B2 (ja) 2019-02-27
JP2015165563A (ja) 2015-09-17
WO2015118947A1 (ja) 2015-08-13
TWI661474B (zh) 2019-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105900216A (zh) 平板显示器用配线膜
US8119462B2 (en) Method for forming conductive film, thin-film transistor, panel with thin-film transistor, and method for manufacturing thin-film transistor
CN100499137C (zh) 源极/漏极电极、晶体管衬底及其制造方法和显示装置
US8624397B2 (en) Electrode layer structure for a thin-film transistor and process for manufacture thereof
US8658009B2 (en) Thin film transistor having a barrier layer as a constituting layer and Cu-alloy sputtering target used for sputter film formation of the barrier layer
TWI523087B (zh) Al alloy film for semiconductor devices
JPWO2008044757A1 (ja) 導電膜形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法
US20120301732A1 (en) Al alloy film for use in display device
US20190148412A1 (en) Multilayer wiring film and thin film transistor element
CN103782374B (zh) 显示装置用配线结构
JP5308760B2 (ja) 表示装置
JP2008124450A (ja) ターゲット、成膜方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ付パネルの製造方法
TWI654339B (zh) Wiring film
TW200952172A (en) Polycrystalline silicon layer, thin film transistor comprising the same, and fabricating method of the same
JP2008010844A (ja) 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP6545625B2 (ja) 表示装置用配線構造
JP2017092331A (ja) デバイス用配線膜、およびＡｌ合金スパッタリングターゲット材料
JPH07262908A (ja) 微小電界放出陰極素子
TW201027756A (en) Thin film transistor and fabricating method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190510

Termination date: 20220121