JP2008010844A - 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1) 薄膜トランジスタの半導体層と、ソース電極、ドレイン電極と、透明導電膜とを有する薄膜トランジスタ基板において、前記ソース電極およびドレイン電極が前記薄膜トランジスタの半導体層と直接接続した構造を有すると共に、前記ソース電極およびドレイン電極がNi:0.1 〜6.0 原子%、La:0.1 〜1.0 原子%、Si:0.1 〜1.5 原子%を含有するAl合金薄膜よりなることを特徴とする薄膜トランジスタ基板、(2) 前記薄膜トランジスタ基板が設けられている表示デバイス等。
【選択図】図2
Description
本発明の実施例および比較例に係る評価用素子(pn接合素子)を作製した。このプロセスフローを図1に示す。この作製方法について、以下説明する。
ガラス基板上に膜厚300nm のAl合金膜を、スパッタリング法により成膜した。次に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、レジストをマスクとしてAl合金膜のエッチングを行い、幅100 μm 、長さ10mmのストライプパターン形状に加工した。なお、このAl合金膜の組成は表1(表1−a、表1−b)のソース・ドレイン電極の欄に示すものと同様である。
表1(表1−a、表1−b)からわかるように、Al合金膜(ソース・ドレイン電極)がAl-Si 合金よりなる場合は、アニール温度が250 ℃の場合も400 ℃の場合も、リーク電流が大きくて不適(×)であり、Al原子とSi原子の相互拡散の抑制が不充分である(No.3〜7 )。ヒロック耐性も不良(×)であり、不充分である(No.3〜7 )。
Al合金電極と透明導電膜とを直接接続した際の接触性(コンタクト抵抗)を調べた。
表2(表2−a、表2−b)に示す種々のAl合金電極上にITO膜が形成された試料をArガス雰囲気下、圧力3mTorr 、温度200 ℃の条件にて形成した。ITO膜は、酸化インジウムに10質量%の酸化スズを加えたものを使用した。
Claims (5)
- 薄膜トランジスタの半導体層と、ソース電極、ドレイン電極と、透明導電膜とを有する薄膜トランジスタ基板において、前記ソース電極およびドレイン電極が前記薄膜トランジスタの半導体層と直接接続した構造を有すると共に、前記ソース電極およびドレイン電極がNi:0.1 〜6.0 原子%、La:0.1 〜1.0 原子%、Si:0.1 〜1.5 原子%を含有するAl合金薄膜よりなることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
- 前記ドレイン電極が前記透明導電膜と直接接続した構造を有する請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記半導体層が多結晶シリコンである請求項1または2記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記Al合金薄膜がスパッタリング法により形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。
- 薄膜トランジスタ基板として請求項1〜4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板が設けられていることを特徴とする表示デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007138245A JP5234892B2 (ja) | 2006-05-31 | 2007-05-24 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
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JP2006152092 | 2006-05-31 | ||
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JP2007138245A JP5234892B2 (ja) | 2006-05-31 | 2007-05-24 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010844A true JP2008010844A (ja) | 2008-01-17 |
JP5234892B2 JP5234892B2 (ja) | 2013-07-10 |
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ID=39068722
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007138245A Expired - Fee Related JP5234892B2 (ja) | 2006-05-31 | 2007-05-24 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5234892B2 (ja) |
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