CN105742322B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板；显示单元，位于基板上；第一无机层，位于显示单元上；第一有机层，位于第一无机层的上部上；第一坝状物，位于第一有机层的边缘处；第二坝状物，与第一坝状物隔开，并且位于第一坝状物的相对于显示单元的外部区域处；应力释放层，位于第一坝状物与第二坝状物之间。

Description

显示装置
本申请要求于2014年12月30日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0194327号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的一个或更多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着在信息技术方面的进步，已经扩大了用于显示装置(其为用于连接用户与信息的媒体装置)的市场。因此，诸如液晶显示器(LCD)、有机发光显示装置和等离子体显示面板(PDP)的平板显示器(FPD)得以广泛地使用。
在这样的装置中，对减小定位在显示区域周围的无效空间区域(dead spaceregion)的期望正在增加。
发明内容
本发明的一个或更多个示例性实施例包括一种显示装置。
附加方面将在随后的描述中部分地阐述，部分地通过描述将是明显的或者可以通过对所提出的实施例的实施来获知。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基板；显示单元，位于基板上；第一无机层，位于显示单元上；第一有机层，位于第一无机层的上表面上；第一坝状物，位于第一有机层的边缘处；第二坝状物，与第一坝状物隔开并且位于第一坝状物的相对于显示单元的外部区域处；应力释放层，位于第一坝状物与第二坝状物之间。
应力释放层可以包括有机材料。
应力释放层可以包括与第一有机层的材料相同的材料。
应力释放层可以利用喷墨工艺形成。
应力释放层可以位于第一坝状物和第二坝状物之上，并且可以具有与第一有机层的高度基本相等的高度。
显示装置还可以包括：第二无机层，位于第一有机层的上表面上。
显示装置还可以包括：保护膜，位于基板之下。
保护膜可以与显示区域隔开，并且可以位于显示装置的显示区域的内侧。
保护膜的上边缘可以被倒圆。
基板可以具有切口，切口可以与保护膜的上边缘隔开。
切口可以具有三角形形状。
切口可以具有半圆形形状。
切口可以具有矩形形状。
应力释放层可以位于ELVSS与第二坝状物之间。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基板；显示单元，位于基板上；第一无机层，位于显示单元上；第一有机层，位于第一无机层的上表面上；第一坝状物，位于第一有机层的边缘处；应力释放层，位于基板上并且位于第一坝状物的相对于显示单元的外部区域处。
显示装置还可以包括：第二坝状物，与第一坝状物隔开并且位于应力释放层的边缘处。
显示装置还可以包括：保护膜，位于基板之下。
保护膜可以具有被倒圆的上边缘。
基板可以在下表面处具有切口，切口可以与保护膜的上边缘隔开。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基板；显示单元，位于基板上；第一无机层，位于显示单元上；第一有机层，位于第一无机层的上表面上；第一坝状物，位于第一有机层的边缘处；保护膜，位于基板之下，其中，保护膜位于基板之下，其中，保护膜具有被倒圆的上边缘。
显示装置还可以包括：第二坝状物，与第一坝状物隔开并且位于相对于第一坝状物的显示单元的外部区域处。
显示装置还可以包括：应力释放层，位于ELVSS与第二坝状物之间并且位于ELVSS的相对于显示单元的外部区域处。
应力释放层可以包括有机材料。
应力释放层可以包括与第一有机层的材料相同的材料。
应力释放层可以利用喷墨工艺形成。
基板可以具有在基板的下表面中的切口，切口可以与保护膜的上边缘隔开。
附图说明
通过结合附图对实施例的随后描述，这些和/或其它方面将会变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是根据本发明的实施例的显示装置的剖视图；
图2是根据本发明的实施例的显示单元的剖视图；
图3是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图；
图4是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图；
图5是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图；以及
图6是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
由于本发明允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出并且在书面描述中详细描述示例性实施例。以下，本发明的各方面和各特征以及用来实现它们的方法将参照附图进行更加充分地描述，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为局限于这里阐述的示例性实施例。
以下将参照附图详细地描述本发明的示例实施例。那些相同或大致相似的组件由相同的标号表示而与图号无关，并且会省略对它们的多余解释。
将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层或部分，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离示例实施例的教导。
为了易于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，除了在图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在……下方”可以包含“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或在其它方位)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述符。如这里使用的，术语“使用”可以被认为与术语“利用”同义。
如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”和“一种”也意图包括复数形式。
将进一步理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所述特征或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。当元件被称为“直接形成在”另一元件或层“上”时，不存在中间元件或中间层。将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接或直接结合到其它元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或中间层。当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。例如，当第一元件被描述为“结合”或“连接”到第二元件时，第一元件可以直接结合或连接到第二元件，或者第一元件可以经由一个或更多个中间元件间接结合或连接到第二元件。
出于解释的方便，会夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，因为附图中的组件的尺寸和厚度可能是为了便于解释而任意示出的，所以随后的实施例不限于此。
虽然可以以特定工艺顺序来描述特定实施例，但是可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，两道连续描述的工艺可以基本上在相同的时间(例如，同时地或并行地)来执行或者可以以与描述的顺序相反的顺序来执行。
如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件时，修饰整列元件而不是修饰该列的单个元件。此外，术语“示例性”意图指示例或图示。
图1是根据本发明的实施例的显示装置的剖视图。图2是根据本发明的实施例的显示单元20的剖视图。
参照图1，根据本发明的实施例的显示装置可以包括基板10、显示单元20和包封单元30。
基板10可以由包含例如作为主要组分的SiO2的透明玻璃材料来形成。然而，用来形成基板10的材料不限于此，基板10可以由例如聚酰亚胺(PI)的透明塑料材料来形成。
像素(或子像素)的阵列可以形成在显示单元20(形成在基板10上)的显示区域A/A中。每个像素可以包括薄膜晶体管和受薄膜晶体管控制的发光器件。发光器件可以是自发射型器件，例如有机发光器件。
出于描述的方便，以下将仅描述显示单元20被构造为有机发光器件的实施例，但是本发明不限于此。
现在将参照图2描述显示单元20。
如图2中所示，在根据本实施例的显示装置中，缓冲层21可以形成在基板10上。缓冲层21可以作为用来减少或防止杂质离子的扩散和湿气或外部空气的渗透并用来使基板10的表面平坦化的阻挡层和/或阻断层。
薄膜晶体管TFT的半导体层A形成在缓冲层21上。半导体层A可以由多晶硅形成，并且可以包括未掺杂有杂质(例如，不掺杂)的沟道区以及在沟道区的相应侧均掺杂有杂质的源极区和漏极区。杂质可以根据薄膜晶体管TFT的类型而改变，并且可以是N型杂质或P型杂质。
半导体层A可以由包括非晶硅或晶体硅的半导体来形成，并且可以使用各种沉积方法来沉积。例如，晶体硅可以通过使非晶硅结晶而形成。可以使用诸如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)和/或顺序横向固化(SLS)的各种方法使非晶硅结晶。半导体层A可以通过光刻来图案化。
栅极绝缘层23沉积在基板10的表面(例如，整个表面)上，使得栅极绝缘层23可以覆盖半导体层A。栅极绝缘层23可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机材料来形成，并且可以形成为多层或单层结构。在一些实施例中，栅极绝缘层23可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氧化铪(Hf)和/或氧化铝来形成。栅极绝缘层23可以使用诸如化学气相沉积(CVD)和/或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各种沉积方法来形成。栅极绝缘层23使半导体层A与栅电极G绝缘。
栅电极G可以由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)来形成。
层间绝缘层25形成在基板10的表面(例如，整个表面)上，使得层间绝缘层25可以覆盖栅电极G。
层间绝缘层25可以由无机材料或有机材料来形成。在一些实施例中，层间绝缘层25可以由无机材料来形成。例如，层间绝缘层25可以由金属氧化物或金属氮化物来形成。无机材料可以包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锆(ZrO)等。层间绝缘层25可以由诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机材料来形成，并且可以形成为多层或单层结构。在一些实施例中，层间绝缘层25可以具有SiOx/SiNy或SiNX/SiOy的堆叠结构。可以使用诸如CVD和PECVD的各种沉积方法来形成层间绝缘层25。
层间绝缘层25可以使栅电极G与形成在层间绝缘层25的上表面上的布线绝缘。
薄膜晶体管TFT的源电极S和漏电极D形成在层间绝缘层25上。
平坦化层27形成在基板10的整个表面上，使得平坦化层27可以覆盖源电极S和漏电极D。像素电极281可以形成在平坦化层27上。像素电极281通过开口VIA(例如，通孔)连接到薄膜晶体管TFT的漏电极D。
平坦化层27可以由绝缘材料来形成。例如，平坦化层27可以由无机材料、有机材料或包括有机/无机材料的化合物来形成。平坦化层27可以形成为多层或单层结构，并且可以使用各种沉积方法来形成。在一些实施例中，平坦化层27可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)来形成。
诸如有机发光二极管(OLED)的有机发光器件可以形成在薄膜晶体管TFT上。OLED包括像素电极281、包括有机发射层的中间层283以及对电极285。OLED还可以包括像素限定层29和分隔件。
像素电极281可以在填充平坦化层27中的开口VIA的同时电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极D。像素电极281和/或对电极285可以形成为透明电极或反射电极。当像素电极281和/或对电极285形成为透明电极时，像素电极281和/或对电极285可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)来形成。当像素电极281和/或对电极285形成为反射电极时，像素电极281和/或对电极285可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的合适组合形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO和/或In2O3形成的透明层。在一些实施例中，像素电极281或对电极285可以具有ITO/Ag/ITO结构。
像素限定层29可以限定像素区和非像素区。像素限定层29可以包括暴露像素电极281的开口，并且可以形成为覆盖基板10的表面(例如，整个表面)。随后将进一步描述的中间层283可以形成在该开口中，因此，该开口可以限定整个或基本整个像素区。
中间层283可以包括有机发射层。在一个实施例中，中间层283包括有机发射层。中间层283还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。本发明不限于此，除了有机发射层，中间层283还可以包括其它功能层。
像素电极281、中间层283和对电极285一起形成(例如，构成)有机发光二极管(OLED)。从OLED的像素电极281和对电极285分别注入的空穴和电子可以在中间层283的有机发射层中彼此结合从而产生光。
HIL可以由诸如铜酞菁的酞菁化合物或者作为星放射状胺的TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB来形成。
HTL可以由N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-联苯-[1,1-二苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-双(萘基-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(α-NPD)等来形成。
EIL可以由诸如LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO或Liq的材料来形成。
ETL可以由Alq3形成。
有机发射层可以包括主体材料和掺杂材料。有机发射层的主体材料的示例可以包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(AND)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4,4'-双(2,2'-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(p-DMDPVBi)、叔(9,9-二芳基芴)(TDAF)、2-(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(BSDF)、2,7-双(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(TSDF)、双(9,9-二芳基芴)(BDAF)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-双-(叔丁基)苯基(p-TDPVBi)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基联苯(CBDP)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)和9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。
有机发射层的掺杂材料的示例可以包括4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(AND)和3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)等。
对电极285形成在中间层283上。对电极285与像素电极281一起形成电场，使得通过中间层283来发射光。像素电极281可以针对每个像素而被图案化，对电极285可以形成为使得共电压被施加到所有像素。
像素电极281和对电极285可以形成为透明电极或形成为反射电极，或者，像素电极281和对电极285可以分别地形成为透明电极和反射电极。像素电极281可以充当阳极，对电极285可以充当阴极，但是本发明不限于此。例如，像素电极281可以充当阴极，对电极285可以充当阳极。
尽管在图1中仅示出一个OLED，但是显示面板可以包括多个OLED。可以在每个OLED中形成一个像素。每个像素可以实现(例如，输出)红色、绿色、蓝色或白色。
然而，本发明不限于此。中间层283可以共同形成在整个像素电极281上而不受像素的位置的影响。在该实施例中，可以通过竖直地堆叠用来发射(例如，被构造为发射)红光的发光物质、用来发射绿光的发光物质和用来发射蓝光的发光物质或者通过混合这些物质来形成有机发射层。能够发射白光的其它颜色的任意合适组合是可以的。有机发射层还可以包括将白光转换成具有某种(例如，预定的)颜色的光的颜色转换层或者滤色器。
保护层可以设置在对电极285上并且可以覆盖和保护OLED。无机绝缘层和/或有机绝缘层可以用作保护层。
分隔件可以在显示区域A/A中设置在像素区域之间。分隔件可以被设置为保持基板10与包封单元30之间的间隔并且防止显示特性受外部撞击而下降。
分隔件可以设置在像素限定层29上。分隔件可以从像素限定层29朝向包封单元30突出。
在一些实施例中，可以由与用来形成像素限定层29的材料相同的材料并且通过使用与用来形成像素限定层29的工艺相同的工艺来形成分隔件。例如，可以在曝光工艺期间通过使用半色调掩模调节曝光的量来同时地(例如，并行地)形成像素限定层29和分隔件。然而，本发明不限于此。像素限定层29和分隔件可以顺序地或单独地形成并且可以是由不同的材料形成的独立结构。
现在将参照图1描述根据本实施例的显示装置。
如图1中所示，根据本实施例的显示装置可以划分成显示单元20发光的显示区域A/A以及作为显示装置的剩余区域(例如，除了显示区域A/A之外的区域)的外部区域O/A。
显示单元20可以如图1中所示设置在显示区域A/A中。包封单元30可以贯穿显示区域A/A和外部区域O/A形成在基板10上，使得包封单元30可以覆盖显示单元20。
包封单元30具有堆叠有多个薄膜层的结构，例如，无机层31和有机层33交替地堆叠的结构。
尽管在图1中第一无机层31a、第一有机层33a和第二无机层31b顺序地堆叠在显示单元20上，但是薄膜层的数量不限于此。只要包封层30具有无机层31和有机层33交替地堆叠的结构，就可以形成包封单元30而无需限制薄膜层的数量。
无机层31可以强有力地防止氧气或湿气渗透到显示单元20，有机层33可以吸收作用于无机层31的应力以增强柔性。
无机层31可以是包括金属氧化物和/或金属氮化物的单层或多层堆叠件。例如，第一无机层31a和第二无机层31b可以包括SiNx、Al2O3、SiO2和/或TiO2。
有机层33由聚合物形成，并且可以是由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和/或聚丙烯酸酯形成的单层或多层堆叠件。例如，有机层33可以由聚丙烯酸酯形成。例如，有机层33可以包括使包括二丙烯酸酯类单体和/或三丙烯酸酯类单体的单体组成物聚合而成的产物(例如，可以通过使所述单体组成物聚合来形成)。单体组成物还可以包括单丙烯酸类单体。单体组成物还可以包括公知的诸如三甲基苯甲酰二苯基氧磷(TPO)的光引发剂，但本发明不限于此。
如图1中所示，第一坝状物41可以形成在基板10的外部区域O/A中。第一坝状物41可以形成在第一有机层33a的边缘处，并且可以形成为具有一定的高度(例如，预定的高度)，从而防止在形成第一有机层33a时第一有机层33a无意图地扩散(例如，第一坝状物41可以形成为包含形成第一有机层33a时的第一有机层33a)。
在一些实施例中，第一坝状物41可以由与像素限定层29的材料相同的材料形成，并且可以在与用来形成像素限定层29的工艺相同的工艺期间形成。例如，可以通过曝光工艺使用半色调掩模调节曝光的量来同时地(例如，并行地)形成像素限定层29和第一坝状物41，但本发明不限于此。
第一坝状物41可以形成在ELVSS(电源，未示出)的上部上。如图1中所示，第一坝状物41可以朝向ELVSS的上部的外侧形成。
第一无机层31a和第二无机层31b可以形成在基板10的一部分上以覆盖第一坝状物41。第一有机层33a可以形成在显示区域A/A的内部以及形成有第一坝状物41的外部区域O/A的内部。
在一个实施例中，外部区域O/A可以划分成其中形成第一有机层33a的内部单元B(例如，内部部分)和其中形成第一坝状物41而不形成第一有机层33a的外部单元A(例如，外部部分)。因为内部单元B中的层以有机层具有均匀或大致均匀的厚度这样的方式沉积，所以尽管在弯曲外部区域O/A的工艺期间应力作用于内部单元B，但是应力被有机层吸收，因此，可以牢固地将柔性提供给内部单元B。
当像第一有机层33a一样的结构不形成在外部单元A中时，在弯曲工艺期间应力可以被完全吸收，因此，由于内部单元B与外部单元A之间的拉应力差异而导致可能出现裂纹。
例如，可以弯曲显示区域A/A的外部区域以形成无效空间D/S，并且可以弯曲整个外部单元A和内部单元B(换句话说，整个外部区域O/A)以最小化无效空间D/S的形成。
在该工艺期间，由于弯曲而导致应力作用于基板和其上的上部元件或层。因此，作用于其中形成有机层的内部单元B的应力与作用于其中未形成有机层的外部区域A的应力可能存在差异。如上所述，有机层可以起到吸收应力并确保柔性的作用。
因此，如果最小化无效空间D/S的形成，那么值得关注的是，由于内部单元B与外部单元A之间的应力差异而导致可能出现裂纹。如果形成有无效空间D/S的区域增大以减小裂纹出现的机会，那么会不期望增大显示装置的尺寸。
根据本实施例的显示装置可以包括如图1中所示的下面将进一步详细描述的第二坝状物43和应力释放层50。
根据本实施例的显示装置还可以包括与第一坝状物41隔开(例如，分隔开)(例如，隔开预定的距离)并设置在第一坝状物41的外部区域(例如，第一坝状物41的相对于显示单元20的外部区域)处的第二坝状物43。
第二坝状物43可以形成在第一无机层31a和第二无机层31b的边缘处，如图1所示。
在一些实施例中，第二坝状物43可以由与第一坝状物41的材料相同的材料并通过与用来形成第一坝状物41的工艺相同的工艺来形成。然而，本发明不限于此。
应力释放层50具有特定的高度，并且可以形成在第一坝状物41与第二坝状物43之间的空间(例如，区域)(例如，在外部单元A)中。根据本发明的一个实施例，应力释放层50可以形成在ELVSS与第二坝状物43之间。
应力释放层50可以由有机材料形成，并且可以通过被沉积为具有与第一有机层33a的高度相同或大致相同的高度来形成，但不限于此。
应力释放层50由聚合物形成，并且可以是由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和/或聚丙烯酸酯形成的单层或多层堆叠件。例如，应力释放层50可以由聚丙烯酸酯形成。例如，应力释放层50可以包括(使包括二丙烯酸酯类单体和/或三丙烯酸类单体的单体组成物聚合而成的产物(例如，可以通过使所述单体组成物聚合来形成)。单体组成物还可以包括单丙烯酸类单体，但本发明不限于此。
应力释放层50可以由与第一有机层33a的材料相同的材料并通过与用来形成第一有机层33a的工艺相同的工艺来形成。
第二坝状物43可以起到坝的作用，从而防止在形成应力释放层50时应力释放层50扩散到基板10的外部(例如，第二坝状物43可以包含形成应力释放层50时的应力释放层50)。
可以通过使用各种加工方法来形成应力释放层50。例如，在一些实施例中，可以通过喷墨加工来形成应力释放层50，以容易地控制在其边缘处的扩散。然而，形成应力释放层50的方法不限于此。
因此，在一些实施例中，在形成第二坝状物43之后，应力释放层50可以通过喷墨工艺由与第一有机层33a的有机材料相同的有机材料形成为在第一坝状物41与第二坝状物43之间。
为了减小内部单元B与外部单元A之间的应力差异，应力释放层50可以通过被沉积为具有像第一有机层33a一样的特定高度来形成。
因此，当弯曲外部区域O/A时，因为第一有机层33a吸收作用于内部单元B的应力并且应力释放层50吸收作用于外部区域O/A的应力，所以可以基本上减小或防止裂纹形成的可能性。
根据本实施例的显示装置还可以包括设置在基板10下方(例如，在基板10的下部处或在下表面处)的保护膜60。保护膜60可以保护显示装置在制造工艺期间免受外部撞击的影响并防止湿气从基板10的下部的渗透。
保护膜60可以通过薄粘附层附着到基板10的下部。当使用粘附层以使保护膜60附着到基板10的下部时，可以有效防止基板10的扭曲。
保护膜60位于显示区域A/A中。然而，保护膜60可以位于离显示区域A/A的边缘特定长度L的内侧。
保护膜60防止当弯曲基板10时基板10被损坏。
图3是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图。图1到图3之间的相同的标号表示相同的元件，因此，为了描述的简洁，会省略多余的描述。
将主要描述根据本实施例的显示装置与根据图1的实施例的显示装置之间的不同之处。
如图3所示，保护膜61可以在根据本实施的显示装置中设置在基板10下方(例如，在基板10的下部处)。
在一个实施例中，保护膜61可以形成为具有倒圆的上边缘。应力释放层50可以形成在ELVSS与第二坝状物43之间并且形成在ELVSS的相对于显示单元的外部区域处。
在弯曲基板10的工艺期间，由于收缩而使压应力作用于保护膜61的下部，由于膨胀而使拉应力作用于保护膜61的上部。
在制造显示装置的工艺期间，由于外力而可以重复地执行弯曲工艺，并且当比断裂应力大的应力作用于显示装置时，显示装置可能被损坏。
在一个实施例中，保护膜61的倒圆的上边缘可以形成为释放在基板10的下部和保护膜61的上部中出现的应力。
图4是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图。图1到图4之间的相同的标号表示相同的元件，因此，为了描述的简洁，会省略多余的描述。
如图4所示，切口110(例如，切口单元)可以形成在根据本发明的一些实施例的显示装置的基板10的下表面中。
如上所述，在制造显示装置的工艺期间，由于收缩而使压应力作用于基板10的下部。为了除去或减小压应力，显示装置可以具有在基板10的下部中的切口110。
切口110可以以具有特定的高度和宽度的槽的形式形成在基板10的下表面中并且与保护膜60的倒圆的上边缘隔开一定距离。切口110的高度和宽度不受限制，切口110的形状也不限于图示的形状。
切口110可以形成在基板10的下表面中，并且可以形成在压应力最作用于或最集中到的区域中。因为切口110(即，具有特定形状的槽)形成在基板10的下表面中，所以尽管执行弯曲工艺，但是可以减小作用于基板10的下表面的压应力。结果，防止显示装置受损。
具有三角形形状的切口110可以形成在根据本实施例的显示装置的基板10的下表面中。切口110的宽度和高度根据预期的弯曲程度可以具有各种值，但不限于此。然而，切口110的高度可以具有比基板10的厚度的值小的值。
图5是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图。图1到图3与图5之间的相同的标号表示相同的元件，因此，为了描述的简洁，会省略多余的描述。
根据本实施例的显示装置与根据图4的实施例的显示装置的主要不同之处在于切口130具有与图4的切口110不同的形状，因此，为了描述的方便，将主要描述这些实施例之间的不同之处。
如图5所示，根据本实施例的显示装置可以形成为使得形成在基板10的下表面中的切口130具有圆形形状(例如，半圆形形状)。
具有圆形形状的切口130的半径根据预期的弯曲程度可以具有各种值，但不限于此。切口130的半径可以具有比基板10的厚度的值小的值。
切口130可以形成在基板10的下表面中，并且可以形成在压应力最作用于或最集中到的区域中。因为切口130(即，具有特定形状的槽)形成在基板10的下表面中，所以尽管执行弯曲工艺，但是可以减小作用于基板10的下表面的压应力。结果，防止显示装置受损。
图6是示出了根据本发明的另一个实施例的显示装置的示意性剖视图。图1到图3与图6之间的相同的标号表示相同的元件，因此，为了描述的简洁，会省略多余的描述。
根据本实施例的显示装置与根据图4的实施例的显示装置的主要不同之处在于切口150具有不同于切口110的形状，因此，为了描述的方便，将主要描述这些实施例之间的不同之处。
如图6所示，根据本实施例的显示装置可以形成为使得具有矩形形状的切口150形成在基板10的下表面中。
具有矩形形状的切口150的宽度和高度根据预期的弯曲程度可以具有各种值，但不限于此。然而，切口150的高度可以具有比基板10的厚度的值小的值。
切口150可以形成在基板10的下表面中并且可以形成在压应力最作用于或最集中到的区域中。因为切口150(即，具有特定形状的槽)形成在基板10的下表面中，所以尽管执行弯曲工艺，但是可以减小作用于基板10的下表面的压应力。结果，防止显示装置受到损坏。
如上所述，根据本发明的一个或更多个上面描述的实施例，在防止裂纹形成在基板中的同时使显示装置的无效空间区域减小或最小化。
应理解的是，这里描述的示例性实施例应被认为仅是描述性的含义，而不是为了限制的目的。除非另外特别指出，否则每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解的是，可以在形式上和细节上做出各种改变而不脱离如权利要求和它们的等同物所限定的本发明的精神和范围。

Claims (23)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板；
显示单元，位于所述基板上；
第一无机层，位于所述显示单元上；
第一有机层，位于所述第一无机层的上表面上；
第二无机层，位于所述第一有机层的上表面上；第一坝状物，位于所述第一有机层的边缘处；
第二坝状物，与所述第一坝状物隔开并且位于所述第一坝状物的相对于所述显示单元的外部区域处；以及
应力释放层，位于所述第一坝状物与所述第二坝状物之间，
其中，所述第一无机层和所述第二无机层直接接触的区域的端部位于所述第一坝状物与所述第二坝状物之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层包括有机材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层包括与所述第一有机层的材料相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层利用喷墨工艺形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层位于所述第一坝状物和所述第二坝状物之上，并且具有与所述第一有机层的高度基本相等的高度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
保护膜，位于所述基板之下。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述保护膜与显示区域隔开，并且位于所述显示装置的所述显示区域的内侧。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述保护膜的上边缘被倒圆。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述基板具有切口，
其中，所述切口与所述保护膜的所述上边缘隔开。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述切口具有三角形形状。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述切口具有半圆形形状。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述切口具有矩形形状。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层位于ELVSS与所述第二坝状物之间。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板；
显示单元，位于所述基板上；
第一无机层，位于所述显示单元上；
第一有机层，位于所述第一无机层的上表面上；
第二无机层，位于所述第一有机层的上表面上；
第一坝状物，位于所述第一有机层的边缘处；
应力释放层，位于所述基板上并且位于在所述第一坝状物的相对于所述显示单元的外部区域处；以及
第二坝状物，与所述第一坝状物隔开并且位于所述应力释放层的边缘处，
其中，所述第一无机层和所述第二无机层直接接触的区域的端部位于所述第一坝状物与所述第二坝状物之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
保护膜，位于所述基板之下。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述保护膜具有被倒圆的上边缘。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述基板在下表面处具有切口，
其中，所述切口与所述保护膜的所述上边缘隔开。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板；
显示单元，位于所述基板上；
第一无机层，位于所述显示单元上；
第一有机层，位于所述第一无机层的上表面上；
第二无机层，位于所述第一有机层的上表面上；
第一坝状物，位于所述第一有机层的边缘处；
第二坝状物，与所述第一坝状物隔开并且位于所述第一坝状物的相对于所述显示单元的外部区域处；以及
保护膜，位于所述基板之下，
其中，所述保护膜具有被倒圆的上边缘，并且
其中，所述第一无机层和所述第二无机层直接接触的区域的端部位于所述第一坝状物与所述第二坝状物之间。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
应力释放层，位于ELVSS与第二坝状物之间并且位于所述ELVSS的相对于所述显示单元的外部区域处。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层包括有机材料。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层包括与所述第一有机层的材料相同的材料。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其特征在于，所述应力释放层利用喷墨工艺形成。
23.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述基板具有位于所述基板的下表面中的切口，
其中，所述切口与所述保护膜的所述上边缘隔开。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102462424B1 (ko) * 2014-12-30 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102378360B1 (ko) * 2015-05-12 2022-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101763616B1 (ko) * 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102532303B1 (ko) * 2015-11-03 2023-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6606432B2 (ja) 2016-01-06 2019-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP2017152256A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102559837B1 (ko) * 2016-06-02 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102648401B1 (ko) * 2016-09-30 2024-03-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
CN107887405A (zh) * 2016-09-30 2018-04-06 群创光电股份有限公司 有机电激发光显示面板
KR102567001B1 (ko) * 2016-11-15 2023-08-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180060851A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6815215B2 (ja) * 2017-02-03 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106775173B (zh) * 2017-02-07 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板和触控显示装置
CN106653820B (zh) * 2017-03-08 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及制作方法、柔性显示装置
CN106981584B (zh) * 2017-03-20 2019-11-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性有机发光二极管显示面板、显示装置及其制作方法
JP6947536B2 (ja) * 2017-05-26 2021-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102438255B1 (ko) * 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102281226B1 (ko) * 2017-07-18 2021-07-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US11527589B2 (en) 2017-07-24 2022-12-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Encapsulation structure, display panel and manufacturing method thereof each having edge encapsulation member on edge of encapsulation film
CN109301079B (zh) 2017-07-24 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板
KR102492735B1 (ko) 2017-09-12 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102533228B1 (ko) * 2017-11-15 2023-05-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102538361B1 (ko) * 2017-11-22 2023-05-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN207705199U (zh) * 2017-11-24 2018-08-07 昆山国显光电有限公司 显示器件
CN108364987B (zh) * 2018-02-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111937491A (zh) * 2018-03-28 2020-11-13 夏普株式会社 显示装置
WO2019244350A1 (ja) * 2018-06-22 2019-12-26 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN108987426B (zh) * 2018-07-23 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 一种柔性led显示面板及电子设备
KR20200043563A (ko) * 2018-10-17 2020-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200053911A (ko) 2018-11-09 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102637116B1 (ko) * 2018-11-20 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102640017B1 (ko) * 2018-12-17 2024-02-27 엘지디스플레이 주식회사 협-베젤 전계 발광 표시장치
CN111384094B (zh) * 2018-12-29 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制作方法
JP7190358B2 (ja) * 2019-01-10 2022-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN109860422B (zh) * 2019-01-31 2021-06-04 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109768184B (zh) * 2019-02-18 2020-10-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
JP2020184426A (ja) * 2019-04-26 2020-11-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
KR20210107218A (ko) 2020-02-21 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 가요성 표시 장치
CN111755622B (zh) * 2020-06-17 2021-12-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN111900262B (zh) * 2020-07-31 2022-08-05 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
WO2023173340A1 (zh) * 2022-03-16 2023-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板、其制作方法及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101930992A (zh) * 2009-06-23 2010-12-29 佳能株式会社 显示装置
CN103811530A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW498702B (en) * 2000-11-28 2002-08-11 Hannstar Display Corp Polarized electro-luminescence device and manufacturing method for the same
JP3792554B2 (ja) * 2001-03-26 2006-07-05 シャープ株式会社 表示モジュール及びフレキシブル配線板の接続方法
KR100528917B1 (ko) * 2003-07-22 2005-11-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치
US20050248270A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Eastman Kodak Company Encapsulating OLED devices
JP2005340020A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
KR101811702B1 (ko) * 2010-10-27 2017-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JP5664144B2 (ja) * 2010-11-09 2015-02-04 セイコーエプソン株式会社 情報表示端末
US9176535B2 (en) 2011-06-03 2015-11-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Flexible display flexure assembly
JP5741274B2 (ja) * 2011-07-22 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及び電子機器
JP5816029B2 (ja) * 2011-08-24 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TW201322382A (zh) * 2011-11-17 2013-06-01 Wintek Corp 電致發光顯示裝置
KR101876540B1 (ko) * 2011-12-28 2018-07-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
KR101420332B1 (ko) 2012-11-14 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101473309B1 (ko) 2012-11-29 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
JPWO2014084012A1 (ja) * 2012-11-30 2017-01-05 シャープ株式会社 散乱体基板
KR101980760B1 (ko) * 2012-12-20 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR101473311B1 (ko) 2012-12-20 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101611924B1 (ko) * 2012-12-31 2016-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102103421B1 (ko) * 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102034253B1 (ko) 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150071538A (ko) 2013-12-18 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102462424B1 (ko) * 2014-12-30 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102427249B1 (ko) * 2015-10-16 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101930992A (zh) * 2009-06-23 2010-12-29 佳能株式会社 显示装置
CN103811530A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法

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