CN105684128A - 具有夹盘组件的远紫外线光刻系统及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种EUV光刻系统及其制造方法，该EUV光刻系统包括：EUV光源；夹盘，其为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度的表面；及反射透镜系统，其用于在夹盘表面之上引导来自EUV光源的EUV光线。

Description

具有夹盘组件的远紫外线光刻系统及其制造方法
相关申请的交互引用
本申请主张2013年12月22日申请的美国临时申请第61/919,781号的优先权权益，该案件的主题以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明一般涉及具有夹盘组件的远紫外线光刻系统及其制造方法。
背景
远紫外线光刻(EUV光刻，也被称为软X光投射光刻)是取代用于制造0.13微米及更小的最小特征尺寸半导体器件的深紫外线光刻的竞争者。
然而，远紫外线光线(通常在5至40纳米的波长范围)实际上会被所有材料强烈地吸收。基于此原因，运作远紫外线系统是通过光反射而非光透射。通过使用一系列的镜子、或透镜元件，与反射元件、或掩模空白(maskblank)，涂布以非反射吸收剂掩模图案，图案化的光化光被反射至涂布光刻胶的半导体晶片上。
远紫外线光刻系统的透镜元件与掩模空白被涂布反射多层涂层材料，例如钼与硅。通过使用涂布多层涂层的基板，已可得到每个透镜元件或掩模空白有约65％的反射值，其中，所用涂层实质上强烈地反射在极窄的紫外线带通(例如13纳米紫外光线的12至14纳米带通)内的单一波长的光。
此处理需要具有极低热膨胀的昂贵玻璃且掩模空白需要数个月来制造。远紫外线光刻所需求的玻璃必须为薄的、极平滑的、极鲜明的、及无缺陷。透镜元件或掩模的任何瑕疵会在最终产品中造成问题。
譬如，因为多层叠层的本质与小特征尺寸，层中的任何瑕疵在最终产品中会被放大。在几个纳米尺度的瑕疵会在完成掩模上显露为可印的缺陷，且需要在多层叠层沉积前从掩模空白的表面消除。因此，需要找出维持远紫外线光刻所需求的精确与质量且同时可节省花费与时间的解决方案。
由于电子部件的更小特征尺寸的需求不断增加，找到这些问题的解答越来越关键。由于持续上升的商业竞争压力，及提高的消费者期望，找到这些问题的解答是重要的。此外，降低成本、改善效率及效能、与应付竞争压力的需求增加了更大的急迫性于找寻这些问题的解答的必要性。
这些问题的方案已被长期探索，但先前发展并未教导或建议任何解答，且因此这些问题的解答已长期困惑着此领域的技术人员。
概述
本发明的实施方式提供一种制造半导体组件的方法，包括：引导远紫外线(EUV)光线从EUV光源通过反射透镜系统；将EUV掩模插入反射透镜系统内，EUV掩模具有基板与形成布拉格(Bragg)反射器的多层叠层，多层叠层与基板被保持在夹盘的表面上，基板具有预定基板平坦度的热传导平滑基板，夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度；以及将EUV掩模的图案反射在半导体基板上以形成半导体器件。
本发明的实施方式提供一种EUV光刻系统，包括：EUV光源；夹盘，其为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度的表面；以及反射透镜系统，其用于在夹盘的表面之上引导来自EUV光源的EUV光线。
本发明的实施方式提供一种EUV掩模，包括：多层叠层，其形式为布拉格反射器；及基板，其在多层叠层之下，多层叠层与基板被保持在夹盘的表面上，基板具有热传导平滑表面与预定基板平坦度，夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度。
本发明的某些实施方式具有上述之外或取代其的其他步骤或元件。这些步骤与元件对于阅读以下的描述并参照随附附图的此领域的技术人员而言是显而易见的。
附图简单说明
图1是本发明的实施方式的具有夹盘组件的例示性EUV光刻系统。
图2是根据本发明的实施方式的图1的光刻系统的例示性ESC的截面图。
图3是根据本发明的实施方式的具有例示性纹理的例示性ESC的顶视图。
图4是具有在适当位置掩模的例示性ESC的顶视图。
图5是本发明的进一步实施方式的用于制造半导体器件的方法的流程图。
具体描述
下列实施方式被充分详细地说明，使此领域的技术人员能制造及使用本发明。应了解到基于本发明的公开内容，其他的实施方式是显而易见的，且在不背离本发明的实施方式的范围下，可进行本发明的系统、处理或机械的改变。
在下列的说明中，给出许多明确细节以提供完整地了解本发明。然而，很明显地，本发明可在没有这些明确细节下被实行。为了避免混淆本发明的实施方式，不详细公开某些熟知的电路、系统设置、及处理步骤。
显示系统的实施方式的附图是半概略式的，且不照尺寸绘制，及更特定地，某些尺寸是为了说明的明确性而在附图中被夸大表示。类似地，虽然附图中的视图为了便于说明通常表示为相似的定向，但附图中的描绘在大部分的情况下是随意的。大体上，本发明可以任何定向操作。
为了说明目的，本文中使用用语“平行的”是定义为一平面平行于半导体晶片的处理表面的平面或表面，而无视其定向。用语“垂直的”视为正交于方才定义的平行的方向。用语像是“之上”、“之下”、“底部”、“顶部”、“侧边(像是“侧壁”)”、“更高”、“更低”、“上方”、“越过”及“下方”是参考平行的平面而定义的，如图示中所示。用语“上”表示在元件之间有直接接触，而没有插入式元件。
当在需要形成说明的结构时，本文所用用语“处理”包括沉积材料或光刻胶、图案化、曝光、显影、蚀刻、清洁、及/或移除材料或光刻胶。
在光刻系统中(例如远紫外线(EUV)光刻系统)，EUV掩模是用于EUV光刻的图案化反射式掩模。EUV掩模在图案化之前是具有多层的叠层，以在半导体制造中用于生产掩模。EUV掩模具有结构，其中反射层用以反射EUV光线与吸收剂层用以吸收EUV光线，其以排序形成在由刚性材料(例如陶瓷或玻璃)所制成的空白或基板上。
典型地，反射层使用反射膜的多层叠层，反射膜具有低折射率层(例如钼(Mo)层)与高折射率层(例如硅(Si)层)，其交替层叠而当层表面被EUV光线照射时能改良光反射性。对于吸收剂层，具有对于EUV光线有高吸收率的材料(例如含有铬(Cr)或钽(Ta)的材料)作为主要成分使用。
通常，保护层形成在反射层与吸收剂层之间。此保护层保护反射层免于蚀刻处理损害，而进行此蚀刻处理以在吸收剂层中形成图案。
EUV光线均匀地照射在EUV掩模上。投射在反射层上的EUV光线被反射至半导体基板(例如芯片晶片)，而投射在图案化吸收剂层上的EUV光线被吸收且不被反射至芯片晶片。设置在图案化吸收剂层中的图案被印在芯片晶片的表面层上，例如光刻胶层。
关于EUV掩模的吸收剂层，如果表面平滑度不佳，形成在吸收剂层表面上的图案的边缘粗糙度倾向于变大，由此图案的尺寸精度倾向于低落。当图案变的精密，边缘粗糙度的影响变得明显，且因此，吸收剂层表面需要是平坦且平滑的。
EUV掩模是以6毫米(1/4英寸)厚特殊化刚性材料的空白或基板所制造，此特殊化刚性材料例如是在设想的操作温度时具有零热膨胀(ZTE)的低热膨胀(LTE)玻璃。需要厚玻璃以维持刚性与避免扭曲。然而，不像用于深紫外线(DUV)掩模的透射式掩模，EUV掩模是反射的，具有小于70％反射性。剩余30％的EUV功率被EUV掩模吸收且主要转化为热。当EUV光源功率跃升以符合产品产率需求时，EUV掩模吸收的EUV功率会增加，由于交互扩散，造成反射多层中的潜在劣化。此造成每况愈下的更多吸收与更多交互扩散。而且，玻璃不是热导体，尤其当玻璃是厚的。
本发明的实施方式使用热传导基板，其可包括特殊化刚性材料与金属原子平坦基板以形成EUV掩模。关键在于与具有1/2至1英寸厚度的典型玻璃基板相比，特殊化刚性材料可为6毫米(mm)或1/4英寸或更小的薄LTE玻璃，其具有热传导在1.46至1.6瓦每米每开尔文(W·m-1·K-1)的范围中。金属原子平坦基板可包括硅(Si)晶片、或其他金属基板，其具有较佳热传导为50W·m-1·K-1或更高。硅晶片可为如高密度等离子体(HDP)氧化物、硼掺杂磷玻璃、或非晶硅的材料。金属基板可为如钼、钛、钌的金属，及它们的氧化物或合金。通过将基板安装于夹盘上可维持基板刚性，此夹盘例如为可被机制为特定平坦度的静电夹盘(ESC)。关键在于ESC与金属基板式EUV掩模的合并厚度可薄至1mm或更小。
本发明的实施方式使用热传导基板以形成EUV掩模。基板的系数相同或类似于形成于其上的反射层或吸收剂层，以防止基板与形成于其上的层的分离。基板相同或类似的系数也可防止EUV掩模的变形，此变形是由不同材料的不同弯曲所造成。理想地，基板与多层的系数是尽可能的接近。
基板可为多种外形，包括方形或圆形。若为圆形，基板可例如为300mm直径Si晶片，其容许使用在用于掩模制造的标准半导体处理设备。越大的基板尺寸也可容许执行更大规格掩模，例如228mmx228mm(9"x9")方形。
ESC可以以刚性材料(包括陶瓷)形成，以维持夹盘与EUV掩模的特定平坦度。ESC可具有气体或流体冷却剂的冷却系统以排除从EUV功率吸收的热。ESC可具有表面纹理(例如台面(mesa))以最小化与基板接触表面的粒子污染。ESC表面的纹理可改善空气循环与在冷却系统之外进一步帮助热耗散。
已经发现本发明的实施方式中公开的的光刻系统与其制造方法可降低EUV掩模的成本与用于制造更大规格掩模，例如154mmx154mm(6"x6")或更大。具有热传导基板的EUV掩模与冷却系统可排除EUV功率所造成的热，且维持理想操作温度以获致印在芯片晶片上的图案的高尺寸精度。具有与多层类似或相同系数的基板可防止EUV掩模的分离或变形。ESC表面的纹理可助于热耗散与减少基板的粒子污染。
现在参照图1，显示有本发明的实施方式的具有夹盘组件的例示性EUV光刻系统100。此例视图包括光源(例如EUV光源102)、掩模平台(reticlestage)104、芯片晶片平台106、与光学元件串(opticaltrain)。
光学元件串是反射透镜系统108，其反射来自EUV光源102(例如等离子体源)的光线至目的地(例如芯片晶片平台106)。EUV光源102提供EUV光线至小面镜子(facetmirrors)110与掩模(例如保持在掩模平台104上的EUV掩模112)。小面镜子110是光学元件，其用于产生照射在EUV光刻系统100内的照射区域上的由EUV光源102产生的辐射的均质化。EUV掩模112反射EUV光线通过投影光学件(projectionoptics)114至保持在芯片晶片平台106上的芯片晶片116之上。EUV掩模112是光掩模的特别类型，其中只有最终曝光区部分的数据存在。
EUV掩模112可具有基板与形成布拉格反射器的多层叠层。多层叠层与基板可具有合并厚度为1mm或更小。关键在于当保持在夹盘的表面上时，基板是平滑的且具有预定基板平坦度或0.5纳米(nm)RMS(均方根)或更小的平坦度，夹盘可为平滑的且具有预定夹盘平坦度或3nmRMS或更小的平坦度。基板(例如硅(Si)晶片或金属基板)可被涂布多层叠层。EUV掩模112的厚度可小于或等于1mm，尽管EUV掩模112的典型厚度可为约700um。多层叠层可具有沉积在基板上的反射层与图案化吸收剂层。吸收剂层的图案经由反射透镜系统108被印在芯片晶片116上。保护层可被涂布在反射层与吸收剂层之间，以在制造处理期间用于保护。
基板(例如硅晶片或金属基板)可为1mm薄或更小，且与传统玻璃基板相较为原子平坦的。硅晶片或金属基板相较于玻璃是较佳的热导体。硅晶片可为如高密度等离子体(HDP)氧化物、硼掺杂磷玻璃、或非晶硅的材料。金属基板可为如钼、钛、钌的金属、及它们的氧化物或合金。其他类型的低热膨胀与高热传导材料也可用于形成基板。
譬如，在设想的操作温度下，硅晶片可具有低线性热膨胀系数为2.56每微米每开尔文(10-6·K-1)及高热传导性为149W·m-1·K-1，相较于具有线性热膨胀系数为8.510-6·K-1及热传导性为1.05W·m-1·K-1的玻璃基板。具有低热膨胀的硅晶片或金属基板可降低基板变形，同时其的高热传导可改善热耗散。
EUV掩模112可设置为方形、圆形、或基于EUV光刻系统100及其的夹盘的设计与需求的其他外形。譬如，如果EUV掩模112是圆形，其可为300mm或更大直径的Si晶片，或154mmx154mm(6"x6")或更大的方形。上述的尺寸对于容许标准半导体处理设备用于掩模制造是关键的。已经发现与玻璃基板相比，用于形成EUV掩模112的硅及金属材料容许EUV掩模112被制成非工业标准尺寸及外形。
夹盘(例如ESC)可用以框架或安装EUV掩模112以使用于EUV光刻系统100内。ESC可用于维持基板刚性于1mm或更小的超薄掩模。取决于EUV光刻系统100的设计及需求，ESC可被机制为各种平坦度规格。
ESC可包括保持EUV掩模112的安装表面。夹盘表面可具有各种纹理及图案以使接触最小化与使于EUV掩模112上的粒子污染最小化。譬如，安装表面的纹理可包括台面、沟槽、孔洞、或它们的组合。再者，已经发现ESC可被模块化且提供其中多个硅与金属式基板可被轻易地更换的系统。
EUV光刻系统100可包括耦接至ESC的冷却系统。ESC由气体或流体冷却剂可被冷却，以耗散从EUV光源102或EUV功率吸收的热。譬如，冷却系统可使用氦冷却系统或水冷式冷却系统。
已经发现使用硅晶片与金属基板可制造出相较于玻璃式掩模更薄的掩模，因为硅或金属式掩模不像超薄玻璃一样卷曲，因而可保持掩模的平坦度及防止由于掩模扭曲造成的缺陷。
再者，已经发现使用硅晶片或金属基板于EUV掩模112容许使用更大规格的掩模。硅晶片或金属基板不会受到如玻璃式基板的相同的制造限制，且可更轻易地形成为不同规格、尺寸、与外形。譬如，EUV掩模112的尺寸可增加至大于154mmx154mm(6"x6")方形，例如228mmx228mm(9"x9")方形或甚至308mmx308mm(12"x12")方形。由于使用硅与金属材料，大规格掩模的生产相较于零热膨胀玻璃式掩模的生产是负担得起的。
再者，已经发现在光刻处理期间，较大数值孔径(numericalaperture,NA)可被使用于更大掩模上，且因而于投射期间增加产率。譬如，228mmx228mm(9"x9")方形或甚至更大的308mmx308mm(12"x12")方形可被使用，其可增加产率且降低用于最终产品装置的光刻胶晶片上的浪费。
再者，ESC可以以可移动部件及平台加以分段。这些分段可被提升、倾斜、及调整以进一步确保基板的各部分是依靠在平坦表面上。分段部分也容许多个掩模用于制造最终产品装置的不同图案。
已经发现使用硅晶片或金属基板的EUV掩模112提供对于玻璃式EUV掩模的可靠、多功能、与低成本的替代物。譬如，玻璃式掩模于设想的操作温度下被制造在具有零热膨胀之6mm厚特殊化玻璃上，然而本发明之实施方式的EUV掩模112可被制造在1mm厚的热传导基板上，且具有相当低热膨胀。
本发明的实施方式的ESC与硅晶片或金属基板可以1mm或更薄的替代基板取代厚玻璃。已经发现将平坦ESC与薄硅晶片或金属基板结合提供基板刚性，用以取代使用在玻璃式掩模系统中的厚玻璃。
已经发现冷却系统与硅或金属基板通过耗散来自基板的热防止热膨胀与避免图案扭曲。硅晶片或金属基板式掩模与冷却系统对于玻璃式掩模是低成本替代物，因为硅或金属基板相较玻璃式掩模可被便宜且快速地生产。冷却系统可维持理想操作温度，例如100℃或更低，其对于防止EUV掩模112的劣化是关键的，且进一步减少其的缺陷。
再者，已经发现使用ESC与硅晶片或金属基板提供具有相较于玻璃式掩模较好的热传导性质。玻璃是不良热导体且特殊化玻璃的厚宽需求更加重不良热传导性质。
现在参照图2，显示有根据本发明的实施方式的图1的EUV光刻系统的例示性ESC200的截面图。显示在截面图中的ESC200与掩模，例如安装于其上之EUV掩模202。EUV掩模202可为圆形组态，尽管可理解EUV掩模202可制造为不同外形及尺寸。譬如，EUV掩模202可包括方形、矩形、或多边形组态。图1的掩模平台104保持ESC200及安装于其上的EUV掩模202。
ESC200进一步包括具有形式为气体或液体的冷却剂204的冷却系统，冷却剂204可包括，但不限于，氦或水。冷却剂204可在ESC200内循环，接近于ESC的安装表面206，EUV掩模202安装在其上。冷却剂204进入冷却系统且流至安装表面206。冷却剂204通过吸收其热可冷却EUV掩模202。被EUV掩模加热的冷却剂204流出冷却系统，同时冰冷冷却剂204流入。传导材料制成的EUV掩模202可维持低操作温度以避免由于热所造成的潜在劣化。
ESC冷却系统也可具有接近于EUV掩模202的多个通道。这些通道可平行于安装表面206，容许形式为气体或液体的冷却剂204由ESC200的一个垂直表面进入通道，而由另一垂直表面离开。取决于ESC200或EUV掩模202的设计，ESC200的通道可为各种组态以优化冷却效率。
导体的电极208嵌入ESC200。电极208连接至外部电源210。本发明的实施方式显示单极式ESC，然而可理解也可使用双极式ESC。当外部电源210开启时，在安装表面206与EUV掩模202的背表面212的正电荷与负电荷两者被再分配。当正电荷再分配接近于安装表面206时，负电荷再分配于背表面212。正电荷与负电荷间的吸引可“夹住”ESC200上的EUV掩模202。
硅晶片与金属基板相较于玻璃是更佳的热导体。已经发现硅晶片或金属基板可改善基板的热耗散，且进一步防止EUV掩模202的潜在劣化与粒子污染，而得到低缺陷掩模，及印在图1的芯片晶片116上的高质量精确图案。
现在参照图3，显示有根据本发明的实施方式的具有例示性纹理302的例示性ESC300的顶视图。纹理302可包括台面、沟槽、孔洞、或它们的组合，以使图2的EUV掩模202与ESC300的接触最小化，以减少EUV掩模202的粒子污染及改善热耗散。
当EUV掩模202安装在ESC300上时，粒子污染会发生在EUV掩模202与ESC300的接触表面。图1的EUV光线造成的热会扩大接触表面的粒子污染。图2的冷却系统可降低基板的温度，同时，通过改善接触表面上的空气循环，纹理302也可助于热耗散。纹理302可使ESC300与EUV掩模202的接触表面最小化，且进一步降低粒子污染与热造成的掩模扭曲。
已经发现具有纹理的ESC可降低粒子污染，且改善在接触表面的空气循环而得到更佳的热耗散，使得粒子污染与掩模扭曲降低。
现在参照图4，显示有具有在适当位置掩模的例示性ESC400的顶视图。掩模可为具有基板(例如硅晶片或金属基板)的EUV掩模402。EUV掩模402的掩模尺寸404小于ESC400的夹盘尺寸406，以确保EUV掩模402具有由ESC400的足够支撑。EUV掩模402可被静电地附接至ESC400。EUV掩模402与ESC400的接触表面可被纹理化。
由于使用硅或金属材料，EUV掩模402可被制成较大尺寸是可能的，例如大于154mmx154mm(6"x6")，且基板不再限制为方形，而可为各种外形。
已经发现稍微较大尺寸ESC400可维持在制造处理期间安装在ESC400上的EUV掩模402的刚性与平坦度。将EUV掩模402安装在ESC400上时，边缘408可使失准与损害最小化。
现在参照图5，显示有本发明的进一步实施方式的用于制造半导体器件的方法500的流程图。方法500包括：在方块502，引导远紫外线(EUV)光线从EUV光源通过反射透镜系统；在方块504，将EUV掩模插入反射透镜系统，EUV掩模具有基板及形成布拉格反射器的多层叠层，多层叠层与基板被保持在夹盘的表面上，基板具有预定基板平坦度的热传导平滑基板，夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度；及在方块506，将EUV掩模的图案反射在半导体基板上以形成半导体器件。
此制造处理流程是例示性的，且不包括光刻系统的其他熟知部件。应理解忽略光刻系统的其他熟知部件是为了明确地说明。
已经发现具有硅晶片或金属基板、或其他低热膨胀与高热传导基板的EUV掩模可被制成更薄与更大，且可具有较佳热耗散，使得掩模缺陷减少。保持EUV掩模的ESC的纹理可减少基板的粒子污染。具有EUV掩模与夹盘组件的光刻系统可印刷精确图案或多个图案于芯片晶片上，使得缺陷减少、降低制造成本、及使用更大规格掩模。
此公开的方法、处理、设备、装置、产品、及/或系统是直接的、有成本效益的、不复杂的、高度通用的、准确的、敏感的、及有效的，且可通过适于已知部件被实施，以用于就绪、有效率且经济的制造、应用及利用。
本发明的另一个重要的态样是其被有价值地实施以符合降低成本、简化系统、与提高效能的历史潮流。
因此，本发明的这些与其他有价值的态样将此技术的状态至少提升到下一个等级。
当此发明与特定最佳模式一同被说明时，应理解到由于上述的说明，许多的替换、改良、及变化对于此领域的技术人员是显而易见的。因此，此发明意于包含落在权利要求书范围下的所有替换、改良、及变化。在此说明或显示于随附附图中的所有对象是示意的说明且非限制性的。

Claims (15)

1.一种制造半导体器件的方法，包含：
引导来自远紫外线(EUV)光源的EUV光线通过反射透镜系统；
将EUV掩模插入所述反射透镜系统内，所述EUV掩模具有基板与形成布拉格反射器的多层叠层，所述多层叠层与所述基板被保持在夹盘的表面上，所述基板具有预定基板平坦度的热传导平滑基板，所述夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度；以及
将所述EUV掩模的图案反射在半导体基板上以形成所述半导体器件。
2.如权利要求1所述的方法，其中将具有所述基板的所述EUV掩模插入的步骤包括：将具有特殊化薄刚性材料基板、硅晶片、或金属基板的所述EUV掩模插入。
3.如权利要求1所述的方法，其中将所述EUV掩模插入的步骤包括：将所述EUV掩模静电地保持在所述夹盘的所述表面上，所述夹盘与所述EUV掩模具有合并厚度为1mm或更小。
4.如权利要求1所述的方法，其中将所述EUV掩模插入使所述EUV掩模保持在所述夹盘的所述表面上的步骤包括：将所述EUV掩模插入使所述EUV掩模保持在具有纹理化安装表面的所述夹盘的所述表面上，其中所述纹理化安装表面具有多个台面、沟槽、孔洞、或前述的组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中将所述EUV掩模插入使所述EUV掩模保持在所述夹盘的所述表面上的步骤包括：将所述EUV掩模插入使所述EUV掩模保持在具有接近于所述EUV掩模的冷却系统的所述夹盘的所述表面上，所述冷却系统使用气体或液体冷却剂及在100℃或更低的操作温度范围。
6.一种EUV光刻系统，包含：
EUV光源；
夹盘，所述夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度的表面；以及
反射透镜系统，所述反射透镜系统用于在所述夹盘的所述表面之上引导来自所述EUV光源的EUV光线。
7.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘在100℃或更低的操作温度范围。
8.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘包括接近于EUV掩模的冷却系统，所述冷却系统使用气体或液体冷却剂。
9.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘包括纹理化安装表面，其中所述纹理化安装表面具有多个台面、沟槽、孔洞、或前述的组合。
10.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘是静电夹盘。
11.一种EUV掩模，包含：
多层叠层，所述多层叠层为布拉格反射器的形式；及
基板，所述基板在所述多层叠层之下，所述多层叠层与所述基板被保持在夹盘的表面上，所述基板具有热传导平滑表面与预定基板平坦度，所述夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度。
12.如权利要求11所述的掩模，其中所述基板是静电地保持在所述夹盘的所述表面上的硅晶片或金属基板，所述夹盘与所述基板具有合并厚度为1mm或更小。
13.如权利要求11所述的掩模，其中所述夹盘是具有接近于所述基板的冷却系统的ESC，所述冷却系统使用气体或液体冷却剂及在100℃或更低的操作温度范围。
14.如权利要求11所述的掩模，其中所述夹盘包括纹理化安装表面，其中所述纹理化安装表面具有多个台面、沟槽、孔洞、或前述的组合。
15.如权利要求11所述的掩模，其中所述EUV掩模具有多个外形与尺寸为154mm×154mm或更大。
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