CN105612444A - 光电混载基板和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的光电混载基板具有由绝缘层(30)和金属加强层(31)构成的基板(32)，在基板(32)的表面侧设有电路部(33)，在基板(32)的背面侧设有光波导路部(34)。在所述金属加强层(31)设有光耦合用通孔(31a)和对准用通孔(31b)，在所述电路部(33)设有电布线(35)、光元件(50)、镜部定位用的第1对准标记(36)、以及光元件定位用的第2对准标记(37)。并且，以通过所述对准用通孔(31b)观察的第1对准标记(36)为基准对所述光波导路部(34)的镜部(43)进行了定位，以所述第2对准标记(37)为基准对所述电路部(33)的光元件(50)进行了定位。采用该结构，能够以非常高的精度将光元件(50)和光波导路部(34)的光波导路对位。

Description

光电混载基板和其制造方法
技术领域
本发明涉及包括安装有光元件的电路部和光波导路部的光电混载基板和其制造方法。
背景技术
在最近的电子设备等中，随着传送信息量的增加，除了采用电布线之外还采用光布线，广泛应用一种一体地设置有光波导路部和安装有光元件的电路部的光电混载基板。
所述光电混载基板成为例如如下构造：沿着基板的背面侧设有光波导路部，在基板的表面侧设有以电布线为基底的电路部，在该电路部内的规定位置安装有光元件。并且，在光元件为受光元件的情况下，在所述光波导路内传送来的光在设于光波导路的下游端的镜部处被反射而改变光的方向，并与安装于基板表面侧的光元件的受光部光耦合。另外，在光元件为发光元件的情况下，自发光元件朝向基板背面侧射出的光在设于光波导路的上游端的镜部处被反射而改变光的方向，并入射到光波导路部内。
因而，在所述光元件与光波导路之间的光耦合中，为了实现较高的光传播效率，重要的是光波导路部中的光轴与光元件中的受光发光部的光轴准确地对位，为此，在制作光电混载基板时，为了光耦合，需要将反射光的镜部的位置与安装在电路上的光元件的位置尽量地准确地定位。
因此，为了以尽可能高的精度将所述镜部的位置和光元件的位置定位而提出了各种对准方法。例如，本申请人提出一种在光电混载基板中的基板的表面侧和背面侧分别设置对准标记以提高光元件的安装位置的精度的光电混载基板的构造和其制造方法(参照专利文献1)。
即，如图7所示，所述光电混载基板包括电路部分1和光波导路部分2，所述电路部分1具有金属制基板10、绝缘层(未图示)、电路11、以及第2对准标记15。并且，在所述电路11中的光元件安装用的焊盘11a上安装有光元件3。另外，所述光波导路部分2借助粘接层5设于所述基板10的背面侧，包括具有透光性的下包层21、光路用的芯体22、相对于该芯体22的端部22a(成为光反射用的镜部)定位了的第1对准标记24、以及将所述芯体22和第1对准标记24覆盖的上包层23。并且，所述第2对准标记15的识别用标记以基板背面侧的第1对准标记24为基准进行了定位。此外，在所述基板10上设有光耦合用的通孔12，在图中，以箭头示出了光L的光路。另外，附图标记14是供自基板表面侧观察第1对准标记24的通孔。
采用该结构，所述第1对准标记24被相对于芯体22的端部22a定位，以该第1对准标记24为基准，第2对准标记15也被相对于芯体22的端部22a定位，因此，等同于光元件3的安装位置也被相对于芯体22的端部22a定位，与单独进行两者的定位的情况相比，定位精度变高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010－128200号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在所述结构中，即使第2对准标记15被相对于芯体22的端部22a定位，也不能保证芯体22的端部22a和电路11的焊盘11a的位置被准确地定位，若焊盘11a的位置与芯体22的端部22a没有处于准确的位置关系，则焊盘11a和光元件3有可能错位而不能以恰当的姿势将光元件3安装在焊盘11a之上。另外，由于利用粘接层5将电路部分1和光波导路部分2贴合起来，因此，在自基板表面侧观察基板背面侧的第1对准标记24并将第2对准标记15的识别标记定位时，所述粘接层5也可能导致观察时出错。
本发明是鉴于这样的情况而做出的，其目的在于，提供光元件和光波导路被以非常高的精度对位了的、优异的光电混载基板和其制造方法。
用于解决问题的方案
为了实现所述目的，本发明的第1技术方案提供一种光电混载基板，该光电混载基板包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，其中，在所述基板的表面侧形成有由电布线用的金属构成且以与所述电布线相同的基准被定位了的镜部定位用的第1对准标记和同样由电布线用的金属构成且被以与所述电布线相同的基准定位了的光元件定位用的第2对准标记，并且，在所述金属加强层形成有供自基板的背面侧观察所述基板的表面侧的第1对准标记的对准用通孔，以通过所述对准用通孔自基板背面侧观察到的第1对准标记为基准对所述光波导路部的镜部进行了定位，以所述第2对准标记为基准对所述电路部的光元件进行了定位。
另外，本发明的第2技术方案提供一种光电混载基板，其包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，其中，在所述基板的表面侧形成有由电布线用的金属构成且以与所述电布线相同的基准被定位了的、兼用于镜部定位和光元件定位的对准标记，并且，在所述金属加强层形成有供自基板的背面侧观察所述基板的表面侧的对准标记的对准用通孔，以通过所述对准用通孔自基板的背面侧观察的对准标记为基准对所述光波导路部的镜部进行了定位，同样以所述对准标记为基准对所述电路部的光元件进行了定位。
并且，本发明的第3技术方案提供一种光电混载基板的制造方法，其是用于制造技术方案1所述的光电混载基板的方法，其中，该光电混载基板包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，在制造该光电混载基板时包括以下工序：在使用电布线用的金属来形成所述电布线的同时形成镜部定位用的第1对准标记和光元件定位用的第2对准标记的工序；以及在所述金属加强层形成光耦合用通孔的同时形成用于观察所述第1对准标记的对准用通孔的工序，以通过所述对准用通孔自基板的背面侧观察到的第1对准标记为基准来决定所述镜部的形成位置，并且以所述第2对准标记为基准来决定所述光元件的安装位置。
并且，本发明的第4技术方案提供一种光电混载基板的制造方法，其是用于制造技术方案2所述的光电混载基板的方法，其中，该光电混载基板包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，在制造光电混载基板时，包括在使用电布线用的金属形成所述电布线的同时形成兼用于镜部定位和光元件定位的对准标记的工序以及在所述金属加强层形成光耦合用通孔的同时形成用于观察所述对准标记的对准用通孔的工序，以通过所述对准用通孔自基板的背面侧观察的对准标记为基准来决定所述镜部的形成位置，并且以同一所述对准标记为基准来决定所述光元件的安装位置。
发明的效果
即，本发明成为如下构造：在光电混载基板的基板表面侧的电路部，设有包含光元件安装用的焊盘的电布线并设有以与该电布线相同的基准被定位了的、由电布线用的金属构成的镜部定位用的对准标记和光元件定位用的对准标记或者兼用于镜部定位和光元件定位的单个对准标记。并且，在基板背面侧，光波导路部的镜部在以通过光波导路和基板观察到的所述镜部定位用的对准标记为基准被定位了的状态下形成，在基板表面侧，安装于电路部的光元件在以所述光元件定位用的对准标记为基准被定位了的状态下安装于焊盘。
采用所述结构，电路部中的光元件的安装位置和光波导路部中的镜部均利用与在配置包含光元件安装用的焊盘的电布线时相同的对准基准进行了定位，因此，两者以较高的精度实现了对位。并且，由于该基准是与在配置包含焊盘的电布线时相同的基准，因此，光元件也不会相对于焊盘错位，光元件和光波导路以非常高的精度实现了光耦合。因而，该光电混载基板的光传播损失被抑制得较低，具有较高品质。另外，若光波导路的芯体也在利用对准标记进行了定位的状态下形成，该对准标记以与包含光元件安装用的焊盘的电布线相同的基准被定位了且由电布线用的金属构成，则进一步提高光耦合的精度，能够将光传播损失抑制得较低，因此具有更高品质。
并且，采用本发明的光电混载基板的制造方法，能够连同电布线一起作为同一金属图案以同一工序获得所述镜部定位用的对准标记和光元件定位用的对准标记或者兼用于镜部定位和光元件定位的单个对准标记，因此，不需要用于形成对准标记的另外的工序。另外，由于用于自基板背面侧观察基板表面侧的对准标记的对准用通孔也与以往的、光耦合用通孔一起在同一工序中形成，因此不需要另外的工序。因而，具有如下优点，即，能够在不带来高成本的情况下高效地制造所述品质优异的光电混载基板。
此外，在本发明中，“具有透明性”的意思是，对于波长为600nm以上的光，其透明性为40％以上，不必一定为无色透明，也可以为有色透明。另外，“观察”的意思是，不仅通过肉眼直接看到，还包含看到由显微镜、各种图像显示装置显示的图像的情况。
附图说明
图1是局部表示本发明的光电混载基板的一实施方式的示意性的剖视图。
图2的(a)～图2的(d)均是表示所述光电混载基板的制作工序的示意性的说明图。
图3的(a)～图3的(d)均是表示所述光电混载基板的制作工序的示意性的说明图。
图4的(a)和图4的(b)均是表示所述光电混载基板的制作工序的示意性的说明图。
图5的(a)～图5的(e)均是表示所述光电混载基板的对准标记中的识别标记的例子的说明图。
图6是局部表示本发明的光电混载基板的另一实施方式的示意性的剖视图。
图7是局部表示以往的光电混载基板的一个例子的示意性的剖视图。
具体实施方式
接着，基于附图详细说明本发明的实施方式。
图1示出了本发明的光电混载基板的一实施方式。该光电混载基板包括由具有透明性的绝缘层30和设于绝缘层30的背面的金属加强层31构成的基板32，在基板32的表面侧、即所述绝缘层30的表面侧形成有电路部33。另外，在基板32的背面侧、即所述金属加强层31的背面侧形成有光波导路部34。并且，在图中，省略了其右半部分的图示，但在该右半部分设有与图示的左侧呈左右对称的构造(省略说明)。
在所述电路部33形成有包含光元件安装用的焊盘35a的电布线35，在该电布线35的焊盘35a上，隔着镀金层45安装有光元件50。此外，在该例子中，图示的该光元件50为发光元件，设于未图示的右侧的光元件为受光元件。因而，在该光电混载基板中，光L表示图中的单点划线所示那样的光路。另外，在所述焊盘35a的附近，利用与电布线35相同的金属材料来设置镜部定位用的第1对准标记36和光元件定位用的第2对准标记37。所述对准标记36、37均具有与所述电布线35相同的厚度且均为圆板状，作为自上方看这些对准标记36、37的俯视图如图5的(a)所示，在其中央形成有由十字状的通孔构成的识别标记36a、37a。并且，所述电布线35中的、除焊盘35a以外的部分和两个对准标记36、37被透明的覆盖层38所覆盖，而被绝缘保护起来。
另外，在所述绝缘层30的背面侧的金属加强层31形成有光耦合用通孔31a和对准用通孔31b，该对准用通孔31b用于自基板32的背面侧观察所述第1对准标记36。
而且，在所述金属加强层31的背面侧的光波导路部34设有光波导路W，该光波导路W由具有透光性的下包层40、光路用的芯体41、以及具有透光性的上包层42构成，在该光波导路W的端部形成有由以45°的角度倾斜的反射面构成的镜部43。此外，所述下包层40或上包层42进入并充满金属加强层31中的光耦合用通孔31a和对准用通孔31b的内侧。
采用所述结构，安装于所述基板表面侧的光元件50和在设于基板背面侧的光波导路W形成的镜部43被准确地对位，经由金属加强层31的光耦合用通孔31a以较高的精度实现了光耦合。因而，所述光元件50与光波导路W之间的光耦合部处的光传播损失较小，具有较高品质。
能够以例如以下那样的方式来制造所述光电混载基板。即，首先，如图2的(a)所示，准备平坦的金属加强层31。作为该金属加强层31的形成材料，能够列举出不锈钢、铜、银、铝、镍、铬、钛、铂、金等，但从强度性、弯曲性等的观点出发，优选为不锈钢。另外，所述金属加强层31的厚度通常优选设定在10μm～200μm的范围内。
然后，利用光刻法在所述金属加强层31的表面上形成规定图案的绝缘层30。由此，获得由绝缘层30和金属加强层31构成的基板32。此外，考虑到将金属加强层31与电路的接地相连接等、电路部33的结构等，将所述绝缘层30的图案成为去除了规定部分后的图案。并且，所述绝缘层30需要具有能够自背面侧观察设于基板表面侧的第1对准标记36那样的透明性，优选使用聚酰亚胺树脂等。其中，优选使用透明度较高的、氟系聚酰亚胺树脂。并且，所述绝缘层30的厚度通常优选设定在3μm～50μm的范围内。
接着，如图2的(b)所示，在所述绝缘层30的表面上例如利用半添加法同时形成包含光元件安装用的焊盘35a的电布线35以及第1对准标记36和第2对准标记37。即，首先，利用溅镀或者非电解电镀等在所述绝缘层30的表面上形成由铜等构成的金属膜(未图示)。该金属膜成为进行之后的电解镀时的晶种层(作为供电解镀层形成的基底的层)。然后，在将干膜抗蚀剂粘贴在由所述金属加强层31、绝缘层30以及晶种层构成的层叠体的两个面之后，利用光刻法在形成有所述晶种层那一侧的干膜抗蚀剂上形成成为电布线35的图案以及第1对准标记36和第2对准标记37这两者的图案的孔部，在该孔部的底部使所述晶种层的表面部分露出。
接着，利用电解镀，在从所述孔部的底部露出来的所述晶种层的表面部分层叠形成由铜等构成的电解镀层(厚度3μm～30μm左右)。然后，利用氢氧化钠水溶液等将所述干膜抗蚀剂剥离。之后，利用软蚀刻法将晶种层的未形成有所述电解镀层的部分去除。由残留下来的电解镀层和其下方的晶种层构成的层叠部分成为电布线35以及第1对准标记36和第2对准标记37。另外，作为用于形成所述电布线35以及第1对准标记36和第2对准标记37的材料，除了铜以外，优选使用铬、铝、金、钽等导电性和延展性优异的金属材料。
接下来，如图2的(c)所示，在电布线35的表面以及第1对准标记36和第2对准标记37这两者的表面形成了由镍等构成的非电解镀层(未图示)之后，在电布线35的除了所述光元件安装用的焊盘35a以外的部分以及第1对准标记36和第2对准标记37的部分涂覆由聚酰亚胺树脂等构成的感光性绝缘树脂，并且利用光刻法形成覆盖层38。优选将覆盖层38的厚度设定在1μm～20μm的范围内。即，在所述范围内，对于电布线35以及第1对准标记36和第2对准标记37能够起到优异的保护作用。
此外，若没有利用覆盖层38来保护第2对准标记37、而是与光元件安装用的焊盘35a同样地对第2对准标记37进行镀处理，则在安装光元件时观察第2对准标记37的时候，标记显得很清楚，因此提高了可视性。因而，根据基板32的强度、观察方法的不同，有时期望不利用覆盖层38来保护第2对准标记37，而是对第2对准标记37进行镀处理，每次能够适当选择最适合的处理方法(利用覆盖层38覆盖、进行镀处理或者进行其他处理等)。
接着，如图2的(d)所示，在利用蚀刻去除了所述电布线35中的、形成于焊盘35a的所述非电解镀层(未图示)之后，在该去除的痕迹上形成由金、镍等构成的电解镀层(在该例子中是镀金层)45。
接着，如图3的(a)所示，利用蚀刻等在所述金属加强层31的规定位置形成光耦合用通孔31a和对准用通孔31b(参照图1)。即，为了形成这些通孔31a、31b，首先，在将干膜抗蚀剂粘贴在由所述金属加强层31、绝缘层30以及电布线35等构成的层叠体的两个面之后，利用光刻法在形成有所述金属加强层31那一侧的干膜抗蚀剂上形成成为所述通孔31a、31b的图案的孔部，在该孔部的底部使所述金属加强层31的背面部分露出。然后，使用与该金属加强层31的材质对应的蚀刻用水溶液(例如，在不锈钢层的情况下，使用氯化铁水溶液)进行蚀刻以去除所述金属加强层31的从所述孔部露出来的部分，从而形成所述光耦合用通孔31a和对准用通孔31b。由此，能够获得电路部33。
所述光耦合用通孔31a的直径根据光元件50的规格等而适当设定，通常优选设定在0.05mm～0.2mm的范围内。另外，对准用通孔31b的直径还取决于第1对准标记36的大小，但通常优选设定在0.10mm～3.0mm的范围内。
接着，在所述金属加强层31的背面形成具有光波导路W(参照图1)的光波导路部34。即，首先，如图3的(b)所示，在所述金属加强层31的背面(图中的下表面)涂覆作为下包层40的形成材料的感光性树脂之后，利用照射线对该涂覆层进行曝光使其固化，从而形成下包层40。但是，所述下包层40的形成材料需要具有透明性，以便能够自基板背侧透过所述下包层40观察基板表面侧的第1对准标记36。所述下包层40也进入并充满金属加强层31的两个通孔31a、31b的内侧。所述下包层40的厚度(距金属加强层31的背面的厚度)优选设定在1μm～50μm的范围内。另外，所述下包层40也可以利用光刻法进行图案化而形成为规定图案。
接着，如图3的(c)所示，利用光刻法在所述下包层40的表面(图中的下表面)形成规定图案的芯体41。所述芯体41的厚度优选设定在5μm～100μm的范围内。而且，芯体41的宽度优选设定在5μm～100μm的范围内。作为所述芯体41的形成材料，例如能够举出与所述下包层40相同的感光性树脂，使用折射率比所述下包层40和以下所述的上包层42(参照图3的(d))的形成材料大的材料。该折射率的调整例如能够通过考虑所述下包层40、芯体41、上包层42的各形成材料的种类的选择、组成比例来进行。
接着，如图3的(d)所示，像覆盖所述芯体41那样，利用光刻法在所述下包层40的表面(图中的下表面)形成上包层42。该上包层42的厚度(距下包层40的表面的厚度)优选设定为所述芯体41的厚度以上且设定为10μm～2000μm。作为所述上包层42的形成材料，与所述下包层40的形成材料同样地，需要具有透明性，例如能够举出与所述下包层40相同的感光性树脂。而且，在形成所述上包层42的情况下，也利用光刻法进行图案化而形成规定图案。
然后，如图4的(a)所示，利用激光加工、切削加工等将光波导路W的与设置于绝缘层30的表面的焊盘35a对应的部分(参照图1、光波导路W的端部)形成相对于芯体41的长边方向倾斜了45°的倾斜面，而成为镜部43。此时，以基板表侧的第1对准标记36为基准将镜部43的形成位置定位在离开该基准规定距离(具体而言，第1对准标记36的中心与焊盘35a的中心之间的距离)的位置。由此，成为所述镜部43的位置被相对于基板表侧的焊盘35a的位置、即与光元件50光耦合的位置准确地定位后的配置关系。
接着，将光元件50安装于基板表侧的焊盘35a。此时，以基板表侧的第2对准标记37为基准将所述光元件50的安装位置定位在离开该基准规定距离(具体而言，第2对准标记37的中心与焊盘35a的中心之间的距离)的位置。由此，所述光元件50的安装位置被准确地定位在焊盘35a的位置，进而成为与所述镜部43的位置准确地对位了的配置关系。
此外，作为所述光元件50的安装方法，能够列举利用回流焊(日文：半田リフロー)、焊锡凸块以及焊锡膏的丝网印刷进行的C4接合等倒装芯片安装方法。其中，从能够减小安装时的错位的观点考虑，优选为利用超声波、加热进行的倒装芯片安装方法，尤其是，从不对基板32的金属加强层31造成热损伤的观点考虑，利用超声波的安装方法最合适。通过如此设置，能够获得作为目标的光电混载基板。
在所述光电混载基板中，电路部33中的光元件50的安装位置和光波导路部34中的镜部43的形成位置均利用与在配置包含光元件安装用的焊盘35a的电布线35时相同的对准基准进行了定位，因此，两者以较高的精度实现了对位。并且，由于该基准是与在配置包含焊盘35a的电布线35时共同的基准，因此，光元件50也不会相对于焊盘35a错位。因而，该光电混载基板的光传播损失被抑制得较低，具有较高品质。
此外，在所述例子中，如图5的(a)所示，第1对准标记36和第2对准标记37俯视为圆形，在第1对准标记36和第2对准标记37的中央具有由十字的通孔构成的识别标记36a、37a，所述对准标记36、37的直径d通常设定在100μm～1000μm的范围内。并且，识别标记36a、37a的通孔的十字的纵横各边的宽度e通常设定在10μm～300μm的范围内，纵横各边的长度f通常设定在10μm～900μm的范围内。
并且，所述识别标记36a、37a的俯视形状并不限于所述例子，只要为能发挥作为用于定位的识别标记的功能的形状，则也可以为任意的形状。例如，也可以是，如图5的(b)所示那样四个边配置为十字状的形状、如图5的(c)所示那样的中心相连的十字形状、或如图5的(d)、图5的(e)所示那样的整体形状为四边形(也可以为圆形)且在其内侧设有方形、圆形的通孔的形状。
另外，在所述例子中，利用镀金层45覆盖了电布线35中的、供光元件50安装的焊盘35a，但根据电布线35的材质、所要求的特性的不同，有时不必利用这样的镀层进行覆盖。
并且，在所述例子中，在绝缘层30的表面设置了第1对准标记36和第2对准标记37，但也可以是，如图6所示，不设置第2对准标记37，而仅设置第1对准标记36，将该对准标记36使用在形成镜部43时的定位和安装光元件50时的定位这两者中。即，在图6所示的结构中，首先，在基板背面侧，如粗箭头X所示，一边透视基板表侧的对准标记36，一边以该识别标记36a的中心位置为基准在距该基准位置规定的位置处在光波导路W形成镜部43。另外，在基板表侧，如粗箭头Y所示，此次一边直接观察对准标记36的识别标记36a，一边以识别标记36a的中心位置为基准并在距该基准位置规定的位置处安装光元件50。
采用该结构，定位的基准为单个对准标记36，因此，能够以更优异的精度来使镜部43的形成位置和光元件50的安装位置相匹配，从而成为光传播损失更小的、优异的光电混载基板。此外，对于所述对准标记36，与所述例子中的第2对准标记37的情况同样地，为了提高可视性，也能够对所述对准标记36进行镀处理，而不利用覆盖层38来保护所述对准标记36。因而，根据基板的强度、观察方法的不同，能够每次适当选择最适合的处理方法(利用覆盖层38覆盖、进行镀处理或者进行其他处理等)。
接着，连同比较例一起说明实施例。但是，本发明并不限定于以下的实施例。
实施例
实施例1
根据所述制造方法的记载制造出图1所示的、具有第1对准标记36和第2对准标记37的光电混载基板。
实施例2
根据所述制造方法的记载制造出图6所示的、仅具有对准标记36的光电混载基板。
比较例1
根据所述制造方法的记载制造出图7所示的、以往的光电混载基板。但是，各构件的材质、厚度等是根据所述实施例1、2的结构设定的。
光插入损失的测量
准备了与所述实施例1、2和比较例1所使用的发光元件、受光元件相同的发光元件、受光元件。即，发光元件是ULM公司制造的ULM850-10-TT-C0104U。受光元件是Albisoptoelectronics公司制造的PDCA04-70-GS。然后，测量出从所述发光元件发出的光直接被所述受光元件接收时的光量I0。接着，分别针对所述实施例1的样品和比较例1的样品，测量出自安装于基板的一侧的发光元件发出的光经由光波导路W的芯体(长度20cm)再被设置于基板的相反侧的受光元件接收时所接收的光量I。然后，自这些数值计算出(-10×log(I/I0))，将该数值作为光插入损失。
表1
由所述结果可知，与比较例1的样品相比，实施例1、2的样品的光插入损失较大程度地受到抑制，以较高的精度实现了用于进行光耦合的对位。
另外，在所述实施例中，示出了本发明的具体的形态，所述实施例仅仅是例示，并不能作为限定性的解释。意图在于对于本领域技术人员而言明显的各种变形均在本发明的范围内。
产业上的可利用性
本发明能够广泛地应用于光元件和光波导路被以非常高的精度对位了的、优异的光电混载基板和其制造方法。
附图标记说明
30、绝缘层；31、金属加强层；31a、光耦合用通孔；31b、对准用通孔；32、基板；33、电路部；34、光波导路部；35、电布线；35a、焊盘；36、第1对准标记；37、第2对准标记；43、镜部；50、光元件；W、光波导路。

Claims (4)

1.一种光电混载基板，该光电混载基板包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，
在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，该光电混载基板的特征在于，
在所述基板的表面侧形成有由电布线用的金属构成且以与所述电布线相同的基准被定位了的镜部定位用的第1对准标记和同样由电布线用的金属构成且以与所述电布线相同的基准定位了的光元件定位用的第2对准标记，并且，在所述金属加强层形成有用于自基板的背面侧观察所述基板的表面侧的第1对准标记的对准用通孔，以通过所述对准用通孔自基板的背面侧观察到的第1对准标记为基准对所述光波导路部的镜部进行了定位，以所述第2对准标记为基准对所述电路部的光元件进行了定位。
2.一种光电混载基板，该光电混载基板包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，
在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，该光电混载基板的特征在于，
在所述基板的表面侧形成有由电布线用的金属构成且以与所述电布线相同的基准被定位了的、兼用于镜部定位和光元件定位的对准标记，并且，在所述金属加强层形成有用于自基板的背面侧观察所述基板的表面侧的对准标记的对准用通孔，以通过所述对准用通孔自基板的背面侧观察到的对准标记为基准对所述光波导路部的镜部进行了定位，以同一所述对准标记为基准对所述电路部的光元件进行了定位。
3.一种光电混载基板的制造方法，其是用于制造权利要求1所述的光电混载基板的方法，该光电混载基板的制造方法的特征在于，
该光电混载基板包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，
在制造该光电混载基板时，包括在使用电布线用的金属形成所述电布线的同时形成镜部定位用的第1对准标记和光元件定位用的第2对准标记的工序以及在所述金属加强层形成光耦合用通孔的同时形成用于观察所述第1对准标记的对准用通孔的工序，以通过所述对准用通孔自基板的背面侧观察到的第1对准标记为基准来决定所述镜部的形成位置，并且以所述第2对准标记为基准来决定所述光元件的安装位置。
4.一种光电混载基板的制造方法，其是用于制造权利要求2所述的光电混载基板的方法，该光电混载基板的制造方法的特征在于，
该光电混载基板包括：基板，其由具有透明性的绝缘层和设于该绝缘层的背面的金属加强层构成；电路部，其形成于所述基板的表面侧；以及光波导路部，其形成于所述基板的背面侧，在所述金属加强层设有光耦合用通孔，在所述电路部设有包含光元件安装用的焊盘的电布线和安装于所述焊盘的光元件，在所述光波导路部设有光波导路和光耦合用的镜部，该光波导路由具有透光性的下包层、光路用的芯体、以及具有透光性的上包层构成，所述基板的表面侧的光元件和基板的背面侧的光波导路经由所述镜部实现了光耦合，
在制造该光电混载基板时，包括在使用电布线用的金属形成所述电布线的同时形成兼用于镜部定位和光元件定位的对准标记的工序以及在所述金属加强层形成光耦合用通孔的同时形成用于观察所述对准标记的对准用通孔的工序，以通过所述对准用通孔自基板的背面侧观察的对准标记为基准来决定所述镜部的形成位置，并以同一所述对准标记为基准来决定所述光元件的安装位置。
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