CN105474058B - 光电混载基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的光电混载基板将呈带状延伸的绝缘层(1)的两端部分别形成于光电模块部(A、A')，该光电模块部(A、A')具有在绝缘层(1)表面由第1导电图案构成的第1电布线(2)和光元件(10)，所述绝缘层(1)的从光电模块部(A、A')延伸出来的部分形成为布线部(B)，该布线部(B)在绝缘层(1)的背面具有带状的光波导路(W)，该光波导路(W)具有光信号传送用的芯体(8)并且与所述光元件(10、10')光耦合。而且，在所述布线部(B)的绝缘层(1)表面形成有用于加强所述布线部(B)导电虚设图案(30)。该导电虚设图案(30)一边确保布线部(B)的挠性，一边加强布线部(B)，并且保护光波导路(W)不弯曲、不扭转，因此，抑制光传播损失的增加。

Description

光电混载基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有光电模块部和布线部的光电混载基板及其制造方法。
背景技术
在目前的电子设备等中，伴随着传送信息量的增加，除了电布线以外，还采用光布线。而且，伴随着电子设备等的小型化，要求布线基板的小型化和高集成化，希望能够搭载在有限的空间内。在这种情况下，例如，如图10所示，提出一种光电混载基板，该光电混载基板在由聚酰亚胺等构成的绝缘层12的表面的两端(也可以是一端)形成具有由导电图案构成的电布线13、光元件10的光电模块部E，在上述绝缘层12的背面(与电布线13的形成面相反的一侧的面)设置了由下包层20、芯体21以及上包层22构成的光波导路W(布线部)(例如，参照专利文献1)。
在上述光电混载基板中，如图中单点划线P所示，能够进行将经由光波导路W的芯体21传送过来的光信号在光电模块部E的光元件10中转换为电信号的电气控制。另外，能够将经由电布线13传送过来的电信号在光元件10中转换为光信号，然后经由光波导路W在相反一侧的光电模块部(未图示)中再次作为电信号被提取出来。
在这样的光电混载基板中，绝缘层(聚酰亚胺等)12和光波导路W(环氧树脂等)接触，因此，由于两者的线膨胀系数存在差异，由于周围的温度，在光波导路W中产生应力、微小的弯曲，由此导致光波导路W的光传播损失变大。
因此，在光电模块部E中，在绝缘层12的背面设置不锈钢等的金属加强层11，防止在光波导路W中产生的应力、微小的弯曲从而抑制光传播损失的增加，并且在光电模块部E以外的部分未设置这样的金属加强层11而确保了光波导路W的挠性，从而能够应对向狭窄空间的安装、复杂的位置关系的光电耦合。
现有技术文献
专利文献1：(日本)特开2012-194401号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在这样的将利用金属加强层11加强了的光电模块部E和挠性的光波导路W相接合而成的光电混载基板中，在两者的交界部，每次光波导路W移动时都被刚性较高的金属加强层11拉拽，或者在该部分处扭转，导致在交界部的光波导路W上有可能发生破损、弯折。另外，即使在交界部以外，在挠性的光波导路W上也有可能发生些许光传播损失，即使在没有金属加强层11的、整体具有挠性的光电混载基板中，也强烈要求保护光波导路W不被破损、弯折。
本发明鉴于这样的情况而做成，其目的在于提供一种优秀的光电混载基板及其制造方法，该光电混载基板在确保具有光波导路的布线部的挠性的同时，能够保护光波导路不弯曲、不扭转，从而抑制光传播损失的增加。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的第一技术方案是一种光电混载基板，其将呈带状延伸的绝缘层的至少单个端部形成于光电模块部，该光电模块部在绝缘层的表面具有光元件和由第1导电图案构成的第1电布线，所述绝缘层的从光电模块部延伸出来的部分形成为布线部，在绝缘层的背面具有带状的光波导路，该光波导路具有光信号传送用的芯体并且与所述光电模块部的光元件光耦合，在所述布线部的绝缘层表面形成有用于加强所述布线部的导电虚设图案。
另外，本发明的第二技术方案的光电混载基板特别是，将所述导电虚设图案在布线部的绝缘层表面的、至少沿着长边方向的两缘部连续地延伸，其中第三技术方案的光电混载基板特别是，将形成于布线部中的绝缘层表面的导电虚设图案和形成于绝缘层背面的光波导路的光信号传送用的芯体以隔着绝缘层彼此上下不重叠的方式配置。
而且，本发明的第四技术方案的光电混载基板根据作为所述第二或者第三技术方案的光电混载基板，特别是，将所述导电虚设图案在布线部的绝缘层表面的、沿着长边方向的两缘部连续延伸，并且在绝缘层表面的介于所述导电虚设图案之间的沿着长边方向的内侧部分设置有由第2导电图案构成的第2电布线。
而且，本发明的第五技术方案的光电混载基板，特别是，将布线部中的绝缘层表面的介于所述导电虚设图案之间而形成的第2电布线和形成于绝缘层背面的光波导路的光信号传送用的芯体以隔着绝缘层彼此上下不重叠的方式配置。
另外，本发明的第六技术方案是用于制造作为所述第一～第三技术方案中的任一个技术方案的光电混载基板的方法，采用该方法，同时形成作为所述光电模块部的第1电布线的第1导电图案和用于加强所述布线部的导电虚设图案。
而且，本发明的第七技术方案是制造作为所述第四或者第五技术方案的光电混载基板的方法，采用该方法，同时形成作为所述光电模块部的第1电布线的第1导电图案、用于加强所述布线部的导电虚设图案以及作为介于所述导电虚设图案之间的第2电布线的第2导电图案。
发明的效果
即、本发明的光电混载基板在与在将光电模块部彼此相连的布线部的表面形成第1电布线用的第1导电图案的情况相同的要点下，通过设置导电虚设图案，在确保布线部的挠性的同时，保护光波导路使其不弯曲、不扭转。由此，本发明的光电混载基板即使是光电模块部、布线部受到冲击，或者在布线部施加载荷而使布线部弯曲，也能够防止光波导路的芯体产生应力、产生微小的弯曲，能够抑制光波导路的光传播损失的增加。因此，本发明的光电混载基板不仅在挠性方面优异，而且能够抑制光传播损失的增加，具有较高品质。
而且，在本发明中，特别是对于所述导电虚设图案在布线部的绝缘层表面的、至少沿着长边方向的两缘部连续延伸的光电混载基板而言，由于布线部的长边方向上的加强效果尤为优异，因此使得布线部难以弯折或者扭转，从而能够有效地防止在光波导路中发生光传播损失。
另外，在本发明中，特别是对于将形成于布线部中的绝缘层表面的导电虚设图案和形成于绝缘层背面的光波导路的光信号传送用的芯体以隔着绝缘层彼此上下不重叠方式配置的光电混载基板而言，能够进一步抑制光波导路的光传播损失，因此优选。即、当将导电虚设图案和芯体上下重叠地配置时，在光波导路制造过程中，在进行用于形成芯体的曝光时，如图11中箭头X所示，自设置于形成有芯体形成用的层8a的绝缘层1相反的一侧的导电虚设图案30发生背面反射，所形成的芯体8的壁面因该反射光的影响而粗糙化，产生所谓的“皲裂”，在所得到的光波导路中有可能发生光传播损失，而采用所述结构就能够避免发生上述情况。
而且，在本发明中，特别是对于所述导电虚设图案在布线部的绝缘层表面的、沿着长边方向的两缘部连续延伸、并且在绝缘层表面的介于所述导电虚设图案之间的沿着长边方向的内侧部分设置有由第2导电图案构成的第2电布线的光电混载基板而言，在布线部中能够良好地传送光信号和电信号这两者，因此，具有用途广泛这样的优点。
而且，在本发明中，特别是对于将布线部中的绝缘层表面的介于所述导电虚设图案之间而形成的第2电布线和形成于绝缘层背面的光波导路的光信号传送用的芯体以隔着绝缘层彼此上下不重叠的方式配置的光电混载基板而言，即使所述导电虚设图案和芯体的配置是与彼此上下不重叠的情况一样、在光波导路制作工序中进行曝光时、自设置于绝缘层的与芯体形成面相反的一侧的第2电布线发生背面反射，芯体壁面也不会受该反射光的影响。因此，能够进一步抑制所得到的光波导路的光传播损失。
另外，采用本发明的制造方法，能够提供一种本发明的光电混载基板，该光电混载基板能够使导电虚设图案的形成与原本所需的第1导电图案的形成同时进行，因此，无需多余的工序，简单且便宜。
附图说明
图1的(a)是表示本发明的光电混载基板的一实施方式的示意性的俯视图，(b)是示意性地表示将其主要部分截面放大的说明图。
图2的(a)～(e)均是示意性地表示上述光电混载基板的制造方法中的光电模块部的制造工序的说明图。
图3的(a)～(d)均是示意性地表示上述光电混载基板的制造方法中的布线部的制造工序的说明图。
图4的(a)是表示上述实施方式的导电虚设图案的形状的局部立体图，(b)是表示上述导电虚设图案的变形例的局部立体图。
图5的(a)～(e)均是示意性地表示上述导电虚设图案的另一变形例的局部俯视图。
图6的(a)～(d)均是示意性地表示上述导电虚设图案的又一变形例的局部俯视图。
图7是表示本发明的光电混载基板的其他实施方式的局部立体图。
图8的(a)～(d)均是示意性地表示上述其他实施方式的导电虚设图案的变形例的说明图。
图9的(a)、(b)均是表示上述其他实施方式的第2电布线的变形例的说明图。
图10是表示以往的光电混载基板的一例的示意性的纵向剖视图。
图11是关于导电虚设图案和芯体的配置的示意性的说明图。
具体实施方式
接着，基于附图详细说明本发明的实施方式。
图1的(a)是示意性地表示本发明的光电混载基板的一实施方式的俯视图，图1的(b)是示意性地表示将其主要部分截面放大的说明图。
该光电混载基板是将左右一对的、俯视观察为大致正方形形状的光电模块部A、A′与光电模块部之间的布线部B设置成一体而整体形成为大致带状。更具体而言，将一张大致带状的绝缘层(在该例子中是透明聚酰亚胺层)1作为基板，在该基板的左右两端部的表面上形成有光元件10、10′和由第1导电图案构成的第1电布线2而成为光电模块部A、A′。另外，在该例子中，光电模块部A的光元件10是受光元件，用于接收光信号并将光信号转换为电信号。而且，光电模块部A′中的光元件10′是发光元件，用于接收电信号并将电信号转换为光信号(以下，省略对于光电模块部A′的说明)。另外，在上述绝缘层1的、介于左右光电模块部A、A′之间的部分的背面侧设置有光波导路W，该部分成为用于传送光信号的布线部B。而且，根据需要，在上述光电模块部A、A′上安装用于驱动光元件10、10′的IC、有源元件等，但是在该例子中，省略对其的图示和说明。另外，也可以将用于与其他电路基板等相连接的连接器搭载于所述光电模块部A、A′。
在上述光电模块部A中，形成有由规定的第1导电图案构成的第1电布线2，该电布线2的一部分包含用于安装上述光元件10的焊盘2a和接地用电极2b。而且，为了提高导电性，上述焊盘2a的表面被镀金层4所覆盖。另外，上述第1电布线2中的、除焊盘2a以外的部分被覆盖层3所覆盖，而被绝缘保护起来(在图1的(a)中，省略覆盖层3的图示)。
而且，在上述绝缘层1的背面设置有具有与光电模块部A的外形大致一致的外形的金属加强层(在该例子中是不锈钢层)6，能够确保该部分稳定的平面性。另外，附图标记5是用于将光元件10和光波导路W光耦合的通孔。
另外，在上述绝缘层1的背面侧，光波导路W自布线部B延伸出来，光波导路W的顶端部借助金属加强层6的通孔5的部分与绝缘层1表面侧的光元件10光耦合。即、光波导路W自绝缘层1的背面侧向下依次具有下包层7、在下包层之下多根以平行排列的状态配置的芯体8以及用于覆盖芯体8的上包层9。上述下包层7的一部分与上述金属加强层6相接且也进入到通孔5中。
另一方面，如上所述，光波导路W在绝缘层1的介于光电模块部A、A′之间的布线部B的背面侧延伸出来，在该部分的、绝缘层1的整个表面形成有与电信号的传送无关的、斜着的格子状的导电虚设图案30。利用该导电虚设图案30，在保持由绝缘层1和光波导路W构成的挠性布线部B的挠性的同时也能够提高强度，因此，即使反复被弯曲、摩擦、扭转，与光电模块部A、A′的交界部、除交界部以外的部分也不会破损或者弯折。而且，不使光波导路W的光传播损失增大地就能够以良好的状态进行光信号的收发。这就是本发明的重大特征。
另外，上述导电虚设图案30的表面被覆盖层3所覆盖而被绝缘保护起来，利用该覆盖层3也能够提高布线部B的加强效果。
上述光电混载基板例如能够像接下来那样制造出来。
首先，如图2的(a)所示，准备平坦的金属加强层6。作为该金属加强层6的形成材料，能够列举出不锈钢、铜、银、铝、镍、铬、钛、铂、金等，但从强度性、弯曲性等的观点出发，优选不锈钢。另外，上述金属加强层6的厚度优选例如设定在10μm～70μm的范围内。
然后，在上述金属加强层6的表面涂覆由聚酰亚胺树脂等构成的感光性绝缘树脂，利用光刻法形成规定图案的绝缘层1。在该实施方式中，为了形成与金属加强层6接触的接地用电极2b，利用规定的配置形成使上述金属加强层6的表面露出的孔部1a。另外，上述绝缘层1的厚度优选设定在3μm～50μm的范围内。
接着，如图2的(b)所示，例如利用半添加法同时形成上述光电模块部A的第1电布线(包含用于安装光元件10的焊盘2a和接地用电极2b)2和布线部B的导电虚设图案30。采用该方法，首先，利用溅镀或者非电解电镀等在上述绝缘层1的表面上形成由铜等构成的金属膜(未图示)。该金属膜成为进行之后的电解镀时的晶种层(作为供电解镀层形成的基底的层)。然后，在将感光性抗蚀剂(未图示)层压于由上述金属加强层6、绝缘层1以及晶种层构成的层叠体的两个面之后，利用光刻法在形成有上述晶种层那一侧的感光性抗蚀剂上形成作为上述第1电布线2的第1导电图案的孔部，在该孔部的底部使上述晶种层的表面部分露出。
接着，利用电解镀，在从上述孔部的底部露出来的上述晶种层的表面部分层叠形成由铜等的导电材料构成的电解镀层。然后，利用氢氧化钠水溶液等将上述感光性抗蚀剂剥离。之后，利用软蚀刻法将晶种层的未形成有上述电解镀层的部分除去。由残留下来的晶种层和电解镀层构成的层叠部分成为上述第1电布线(包含光元件安装用焊盘2a和接地用电极2b)2和导电虚设图案30(参照图1的(a))。另外，作为上述导电材料，除了铜以外，优选使用铬、铝、金、钽等导电性和延展性优异的金属材料。另外，也优选使用已采用了这些金属中的至少一种的合金。而且，优选将上述第1电布线2和导电虚设图案30的厚度设定在3μm～30μm的范围内。即、只要在该范围内，就不会妨碍作为第1电布线2的使用，而且也充分发挥出导电虚设图案30的对光波导路W的保护和加强作用而不损害布线部B的挠性。
然后，如图2的(c)所示，在光电模块部A的第1电布线2的表面形成了由镍等构成的非电解镀层(未图示)之后，在第1电布线2的除了上述光元件安装用焊盘2a以外的部分和导电虚设图案30的部分涂覆由聚酰亚胺树脂等构成的感光性绝缘树脂，并且利用光刻法形成覆盖层3。优选将覆盖层3的厚度设定在1μm～20μm的范围内。即、在上述范围内，对于第1电布线2和导电虚设图案30不仅能够起到优异的保护作用，特别是，在布线部B中，与上述导电虚设图案30相结合，对于光波导路W发挥出优异的保护和加强效果。
接着，如图2的(d)所示，在利用蚀刻法除去了上述第1电布线2中的、形成于焊盘2a的上述非电解镀层(未图示)之后，在该除去的痕迹上形成由金、镍等构成的电解镀层(在该例子中是镀金层)4。
接着，在将感光性抗蚀剂(未图示)层压于由上述金属加强层6和绝缘层1构成的层叠体的两个面之后，利用光刻法在上述金属加强层6的背面侧(与设置有第1电布线2的面相反的一侧的面那一侧)的感光性抗蚀剂中的、想要除去金属加强层6的部分(与成为布线部B的部分和光路用的通孔形成预定部对应的部分)形成孔部，从而使金属加强层6的背面部分露出。
然后，如图2的(e)所示，使用与该金属加强层6的材质对应的蚀刻用水溶液(例如，在不锈钢层的情况下，使用氯化铁水溶液)进行蚀刻以除去上述金属加强层6的从上述孔部露出来的部分，从而使绝缘层1从该除去痕迹露出来。之后，利用氢氧化钠水溶液等剥离上述感光性抗蚀剂。
接着，在上述绝缘层1和金属加强层6的背面形成光波导路W(参照图1的(b))。即、首先，如图3的(a)所示，在上述绝缘层1和金属加强层6的背面(图中的下表面)涂覆作为下包层7的形成材料的感光性树脂之后，利用照射线对该涂覆层进行曝光使其固化，从而形成下包层7。下包层7的厚度(距金属加强层6的背面的厚度)优选设定在3μm～50μm的范围内。另外，上述下包层7利用光刻法进行图案化而形成为规定的图案。
接着，如图3的(b)所示，利用光刻法在上述下包层7的表面(图中的下表面)形成规定图案的芯体8。上述芯体8的厚度优选设定在20μm～100μm的范围内。而且，芯体8的宽度优选设定在10μm～100μm的范围内。作为上述芯体8的形成材料，例如能够举出与上述下包层7相同的感光性树脂，使用折射率比上述下包层7和以下所述的上包层9(参照图3的(c))的形成材料大的材料。该折射率的调整例如能够通过考虑上述下包层7、芯体8、上包层9的各形成材料的种类的选择、组成比例来进行。
接着，如图3的(c)所示，像覆盖上述芯体8那样，利用光刻法在上述下包层7的表面(图中的下表面)形成上包层9。该上包层9的厚度(距下包层7的表面的厚度)优选设定为上述芯体8的厚度以上且设定为300μm以下。作为上述上包层9的形成材料，例如能够举出与上述下包层7相同的感光性树脂。而且，在形成上述上包层9的情况下，也利用光刻法进行图案化而形成规定图案。
然后，如图3的(d)所示，利用激光加工、切削加工等将光波导路W的与设置于绝缘层1的表面的焊盘2a对应的部分(参照图1的(b)、光波导路W的两端部)形成相对于芯体8的长边方向倾斜了45°的倾斜面，而成为光反射面8a。接着，将光元件10安装于上述焊盘2a，能够得到作为目标的光电混载基板。
如此获得的光电混载基板在用于连接光电模块部A、A′的布线部B的表面设置有导电虚设图案30，因此，不损害布线部B的挠性就提高了其强度。因此，即使该光电混载基板的光电模块部A、A′、布线部B受到冲击，或者向布线部B施加载荷而使布线部B弯曲，光电模块部A、A′和布线部B的交界部也不会破损或者弯折。并且，也提高了布线部B的各部分的强度，因此，能够防止光波导路W的芯体8产生应力、产生微小的弯曲，从而能够抑制光波导路W的光传播损失的増加。
另外，在上述的制造方法中，虽然利用覆盖层3覆盖了导电虚设图案30的表面，但是导电虚设图案30是没有通电的部分，因此未必需要利用覆盖层3进行覆盖。但是，在被覆盖层3覆盖的情况下能够提高对于布线部B的保护和加强效果，因此优选。
另外，在上述的制造方法中，利用镀金层4覆盖第1电布线2中的用于安装光元件10的焊盘2a，但是，根据第1电布线2的材质、所要求的特性，利用这样的电镀层进行的覆盖不是必须的。
而且，在上述的实施方式中，在左右的光电模块部A、A′中，在各个绝缘层1的背面设置金属加强层6而使这些部分带有规定的刚性来确保平坦性，但是，未必需要上述金属加强层6，也可以对整体赋予挠性。另外，光电模块部A、A′未必左右一对地设置在布线部B的两侧，也可以仅在单侧设置光电模块部，布线部B的顶端借助连接器等与其他光电模块部相连接也没关系。
另外，在本发明中，形成于上述布线部B的表面的导电虚设图案30的形状在上述的例子中，如图4的(a)所示，是斜着的格子状，但不是必须这样，例如，如图4的(b)所示，也可以形成为在的绝缘层1的布线部B处的表面、沿着长边方向的两缘部连续延伸的形状。如果这样的话，至少在布线部B在长边方向发生弯曲的情况下发挥加强效果。
而且，在该例子中，将形成于绝缘层1的表面的导电虚设图案和形成于绝缘层1的背面的光波导路W的光信号传送用的芯体8以隔着绝缘层1彼此上下不重叠方式配置，因此，在光波导路W的制造过程中，即使在进行用于形成芯体8的曝光时，自形成于绝缘层1的表面的导电虚设图案30发生背面反射(参照图11的箭头X)，也使芯体8的壁面不发生所谓的“皲裂”就能够进一步发挥抑制光波导路W的光传播损失这样的效果。
另一方面，当形成图4的(a)所示的斜着的格子状时，不仅针对布线部B沿着长边方向弯曲了的情况提高了加强效果，也针对在宽度方向、倾斜方向发生了扭转弯曲的情况提高了加强效果，因此优选。这样一来，导电虚设图案30针对布线部B的保护和加强效果也受到导电虚设图案30的图案形状左右，为了使挠性和保护、加强效果平衡地发挥作用，优选将导电虚设图案30对布线部B的表面被覆率设定在20％～80％左右。
这样一来，上述导电虚设图案30的形状根据考虑光波导路W中的芯体8的配置的情况和未考虑的情况这两种情况以及所要求的加强程度，能够提供各种各样的变化。例如，如图5的(a)所示，利用导电虚设图案30覆盖布线部B的整个表面，虽然在挠性方面稍差，但是带有较高强度，也能够进行保护。另外，如图5的(b)～(e)所示，上述导电虚设图案30的形状可以规则地挖出多个菱形、平行四边形、正方形、圆形等形状，在确保挠性的同时发挥充分的加强效果。
另外，如图6的(a)～(d)所示，上述导电虚设图案30的形状可以形成为与图5相反地将多个菱形、平行四边形、正方形、圆形等规则地排列，并且将除此以外的部分形成以保留沿着长边方向的两缘部30a的方式除去而成的形状，也可以在确保挠性的同时发挥充分的加强效果。另外，虽然也可以是不保留上述两缘部30a的形状，但这样的话，对于弯曲的加强效果变弱，内侧的导电虚设图案30b有开闭发生剥落或者出缺，稍微不理想。
而且，如图7所示，上述导电虚设图案30设为在布线部B的绝缘层1表面的沿着长边方向的两缘部连续延伸的形状，能够在绝缘层1的介于导电虚设图案30之间的沿着长边方向的内侧部分设置由规定的第2导电图案(在该例子中，沿着长边方向延伸的两条线状图案)构成的第2电布线31。采用该结构，在布线部B中，能够利用设置于绝缘层1的背面侧的光波导路W进行光信号的传送，并且利用设置于绝缘层1的表面侧的第2电布线31进行电信号的传送，从而能够实现更多的信息量的交换。
这样一来，当布线部B中的第2电布线31的配置为利用导电虚设图案30夹住沿着布线部B的长边方向的两侧的方式时，能够确保布线部B的平面性，并且无论在电气方面还是光学方面均能实现良好的传送，因此优选。
另外，在布线部B上设置有第2电布线31的情况下，设置于其两侧的导电虚设图案30例如如图8的(a)～(d)所示，也能够形成为各种形状。但是，在任一种情况下，如上所述，均希望是在沿着长边方向的两缘部连续地形成导电虚设图案30。
而且，上述第2电布线31的配置与设置有上述导电虚设图案30的情况相同，优选将上述第2电布线31和光波导路W的芯体8以隔着绝缘层1彼此上下不重叠的方式配置。例如，如作为其横向剖视图的图9的(a)所示，在布线部B中，能够将沿着长边方向延伸的多个第2电布线31和多个芯体8以隔着绝缘层1交替地配置。另外，如作为其横向剖视图的图9的(b)所示，也可以在绝缘层1的表面侧，在沿着长边方向的两缘部并排配置导电虚设图案30和第2电布线31，在空余较大的中央部的背面侧并排配置多个芯体8。采用这些结构，与导电虚设图案30和芯体8的配置是彼此上下不重叠的情况一样，即使在光波导路制造过程中进行曝光时，自设置在与绝缘层1的芯体形成面相反的一侧的第2电布线31发生背面反射，也能够使芯体8的壁面不受该反射光的影响且不产生“皲裂”，进一步抑制所得到的光波导路的光传播损失，因此优选。
这样一来，在上述导电虚设图案30中，将其内侧设置有第2电布线31和未设置电布线这两种情况分开，为了防止布线部B沿着长边方向弯曲，优选的是，在绝缘层1表面的至少沿着长边方向的两缘部连续地形成导电虚设图案30。该两缘部的各形成宽度(在图4的(a)中以附图标记Q表示)虽然也取决于布线部B整体的大小，但是通常优选设定为30μm～1000μm。
接着，将实施例和比较例合并在一起进行说明。但是，本发明并不限于以下的实施例。
实施例
(实施例1)
图1所示的光电混载基板是根据上述记载的制造方法制造出来的。但是，将布线部B的长度设为20cm。另外，作为金属加强层，设置了厚度20μm的不锈钢层。而且，将绝缘层的厚度设为5μm、下包层的厚度(距绝缘层的背面的厚度)设为10μm、将芯体的厚度设为50μm、将芯体的宽度设为50μm、将上包层的厚度(距下包层的表面的厚度)设为70μm。将第1电布线和导电虚设图案的厚度设为5μm。另外，导电虚设图案的斜着的格子对绝缘层的表面覆盖率为44％。另外，在沿着长边方向的两缘部连续地延伸的部分的宽度(在图4的(a)中以附图标记Q表示)为400μm。
(实施例2)
实施例2的基本结构与上述实施例1相同，利用图7所示的配置形成导电虚设图案，并且未形成第2电布线。另外，导电虚设图案对绝缘层的表面覆盖率为40％。另外，在沿着长边方向的两缘部连续地延伸的部分的宽度(在图7中以Q′表示)为400μm。
(比较例1)
未设置导电虚设图案。除此以外，与上述实施例1相同地制造出光电混载基板。
(光插入损失的测量)
准备了与上述实施例1、2以及比较例1所使用的发光元件、受光元件相同的发光元件、受光元件。即、发光元件是ULM社制造的ULM850-10-TT-C0104U。受光元件是Albisoptoelectronics社制造的PDCA04-70-GS。然后，测量出从上述发光元件发出的光直接被上述受光元件接收时的光量I0。接着，分别针对上述实施例1、2的样品和比较例1的样品，使布线部B旋转一周而做成一个“轮”，并且以在左右方向有0.5N的力拉伸的状态固定，测量出自设置于光电模块部A′的发光元件发出的光经由光波导路W的芯体再被设置于电子模块部A的受光元件接收时所接收的光量I。然后，自这些数值计算出(-10×log(I/I0))，将该数值作为光插入损失。其结果，实施例1的样品的光插入损失是2.3dB。另外，实施例2的样品的光插入损失是2.1dB。与此相对，比较例1的样品的光插入损失是4.0dB，由此可知，实施例1的样品能够抑制光插入损失，而实施例2的样品能够进一步抑制了光插入损失。
(断裂强度)
针对上述实施例1、2的样品和比较例1的样品，与上述光插入损失的测量时相同，在使布线部B旋转一周而制作出一个“轮”的状态下，沿着左右方向进行了拉伸。然后，使该拉伸荷重不断增加，并且确认了布线部B发生断裂时的数值(断裂强度)。其结果，实施例1的样品、实施例2的样品的断裂强度均为10N，而比较例1的样品的断裂强度为4N。因此，可知实施例1的样品、实施例2的样品的断裂强度均比比较例1的样品的断裂强度高得多。
(挠性)
将上述实施例1、2的样品和比较例1的样品分别握在手中使之变形，三者的挠性几乎没有差别。
另外，在上述实施例中，示出了本发明的具体的形态，上述实施例仅仅是例示，并不能作为限定性的解释。意图在于对于本领域技术人员而言明显的各种变形均在本发明的范围内。
产业上的可利用性
本发明的光电混载基板在要求挠性的各种电子设备中、尤其是在小型且要求较高的信息处理性能的民生用图像显示设备、通信用便携设备、产业和医疗等的检测设备等中能够得以广泛利用。
附图标记说明
1 绝缘层
2 第1电布线
8 芯体
10、10′ 光元件
30 导电虚设图案
A、A′ 光电模块部
B 布线部
W 光波导路

Claims (7)

1.一种光电混载基板，其将呈带状延伸的绝缘层的至少单个端部形成于光电模块部，该光电模块部在上述绝缘层的表面具有光元件和由第1导电图案构成的第1电布线，所述绝缘层的从光电模块部延伸出来的部分形成于布线部，在上述绝缘层的背面具有带状的光波导路，该光波导路具有光信号传送用的芯体并且与所述光电模块部的光元件光耦合，该光电混载基板的特征在于，
在所述布线部处的绝缘层表面形成有用于加强所述布线部的导电虚设图案，所述导电虚设图案不用于导电。
2.根据权利要求1所述的光电混载基板，其中，
所述导电虚设图案在布线部的绝缘层表面的、至少沿着长边方向的两缘部连续地延伸。
3.根据权利要求1或2所述的光电混载基板，其中，
将形成于上述布线部中的绝缘层表面的导电虚设图案和形成于绝缘层背面的光波导路的光信号传送用的芯体以隔着绝缘层彼此上下不重叠的方式配置。
4.根据权利要求2所述的光电混载基板，其中，
所述导电虚设图案在布线部处的绝缘层表面的、沿着长边方向的两缘部连续延伸，在绝缘层表面的介于所述导电虚设图案之间的沿着长边方向的内侧部分设置有由第2导电图案构成的第2电布线。
5.根据权利要求4所述的光电混载基板，其中，
将上述布线部中的绝缘层表面的介于所述导电虚设图案之间而形成的第2电布线和形成于绝缘层背面的光波导路的光信号传送用的芯体以隔着绝缘层彼此上下不重叠的方式配置。
6.一种光电混载基板的制造方法，其是用于制造权利要求1～3中任一项所述的光电混载基板的方法，其特征在于，
具有同时形成作为所述光电模块部的第1电布线的第1导电图案和用于加强所述布线部的导电虚设图案的工序，所述导电虚设图案不用于导电。
7.一种光电混载基板的制造方法，其是用于制造权利要求4或5所述的光电混载基板的方法，其特征在于，
具有同时形成作为所述光电模块部的第1电布线的第1导电图案、用于加强所述布线部的导电虚设图案以及作为介于所述导电虚设图案之间的第2电布线的第2导电图案的工序，所述导电虚设图案不用于导电。
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