CN105552083B - 薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置 - Google Patents

薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板和有机发光显示装置。该薄膜晶体管阵列基板包括驱动TFT、存储电容器、第一导线、第一层间绝缘膜、第二层间绝缘膜和第二导线。存储电容器具有被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极。第一导线在驱动栅电极的同一层上。第一层间绝缘膜覆盖第一电极和第一导线。第二层间绝缘膜在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口。第二导线在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线。第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。

Description

薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
2014年10月27日递交的名称为“薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置”的韩国专利申请No.10-2014-0146421通过引用被整体合并于此。
技术领域
本文描述的一个或多个实施例涉及薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置使用有机发光二极管(OLED)生成图像。每个OLED包括位于空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层。当来自空穴注入电极的空穴和来自电子注入电极的电子在有机发射层中复合时，激子被形成。当激子从激发态变化到基态时发射光。
因此，有机发光显示器是自发光型的显示装置，因此不使用诸如背光的单独光源。有机发光显示装置可以以低电压驱动，相对薄，重量轻，并具有高品质的特性，如宽视角、高对比度和快速响应速度。
发明内容
根据一个或多个实施例，薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：在基板上的驱动TFT；存储电容器，包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极；与驱动栅电极在同一层上的第一导线；覆盖第一电极和第一导线的第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜；以及在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线，其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第二层间绝缘膜的厚度可以比第一层间绝缘膜的厚度大大约2倍至5倍。第二层间绝缘膜的介电常数可以小于第一层间绝缘膜的介电常数。
第一层间绝缘膜可以包括无机材料，并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。驱动栅电极和第一电极可以在同一层上被一体地形成为一个主体。驱动TFT可以包括在驱动栅电极下方并通过第一栅绝缘膜与所述驱动栅电极绝缘的驱动半导体层，其中驱动半导体层是曲线形的。第二导线可以是向驱动TFT供给电压并从第二电极延伸的驱动电压线。
根据一个或多个其它实施例，薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：基板上的驱动TFT和开关TFT；存储电容器，包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极；覆盖第一电极和开关TFT的开关栅电极的第一层间绝缘膜；以及在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜，其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第一层间绝缘膜可以包括无机材料，并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。驱动TFT和存储电容器可以至少部分地彼此重叠。
TFT阵列基板可以包括：与驱动栅电极在同一层上的第一导线；在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线；在第二层间绝缘膜上并被连接到开关TFT的接触金属；包括被连接到用于驱动驱动TFT和开关TFT的驱动集成电路的至少一个焊盘的焊盘区；以及包括在焊盘区和驱动TFT之间的密封材料的密封区，其中密封区中不包含第二层间绝缘膜。
根据一个或多个其它实施例，一种有机发光显示装置包括：包括多个像素的显示区域；以及围绕显示区域的非显示区域，其中多个像素中的每一个包括：在基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)；存储电容器，包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极；与驱动栅电极在同一层上的第一导线；覆盖第一电极和第一导线的第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜；以及在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线，其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第一层间绝缘膜可以包括无机材料，并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。显示装置可以包括：面对基板的密封基板；以及粘附基板和密封基板的密封材料，密封材料包围显示区域，其中密封材料直接接触第一层间绝缘膜。
显示装置可以包括：在显示区域中并包括像素电极、包括有机发射层的中间层以及对电极的有机发光二极管；维持基板和密封基板之间的基本均匀的间隔的间隔件；以及在非显示区域中并包括被连接到用于驱动多个像素的驱动器集成电路的至少一个焊盘的焊盘区。多个像素中的每一个可以进一步包括开关薄膜晶体管，并且第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜被堆叠在开关薄膜晶体管的栅电极上。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得显而易见，附图中：
图1示出了有机发光显示装置的一个实施例；
图2示出了像素的一个实施例；
图3示出了像素电路的一个实施例；
图4示出了沿图3中的线A-A'和线B-B'的剖视图；
图5示出了TFT阵列基板的一个实施例；
图6A至图6D示出了用于制造TFT阵列基板的方法的一个实施例的各阶段；
图7示出了有机发光显示装置的另一实施例；和
图8示出了有机发光显示装置的横截面。
具体实施方式
下面将参考附图更充分地描述示例性实施例；然而，示例性实施例可以以不同的形式体现，不应当被认为限于本文所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
在图中，为了例示清楚，层和区域的尺寸可能被夸大。还将理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它可以直接在下方，或者也可以存在一个或多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。
图1示出了有机发光显示装置1000的一个实施例，有机发光显示装置1000包括包含多个像素1的显示单元10、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50。
显示单元10包括多个像素1，多个像素1被布置成大致矩阵形状，并且位于多条扫描线SL1至SLn+1、多条数据线DL1至DLm以及多条发射控制线EL1至ELn的交叉点。扫描线SL1至SLn+1和发射控制线EL1至ELn在第二方向(例如，行方向)上延伸，并且数据线DL1至DLm和驱动电压线ELVDDL在第一方向(例如，列方向)上延伸。在一个像素行中，扫描线SL1至SLn+1的n的值和发射控制线EL1至ELn的n的值可以彼此不同。
每个像素1可以被连接到扫描线SL1至SLn+1中的三条扫描线。扫描驱动器20生成并通过扫描线SL1至SLn+1传输三个扫描信号到每个像素1。例如，扫描驱动器20将扫描信号顺序供给到第一扫描线SL2至SLn、第二扫描线SL1至SLn-1和第三扫描线SL3至SLn+1。
初始化电压线IL可以从外部电力供给源接收显示单元10的初始化电压VINT。此外，每个像素1被连接到被连接到显示单元10的多条数据线DL1至DLm中的一条数据线和被连接到显示单元10的多条发射控制线EL1至ELn中的一条发射控制线。
数据驱动器30通过数据线DL1至DLm将数据信号传输到每个像素1。每当扫描信号被供给到第一扫描线SL2至SLn时，数据信号被供给到由扫描信号选择的像素1。
发射控制驱动器40生成并通过发射控制线EL1至ELn传输发射控制信号到每个像素1。发射控制信号控制每个像素1的发射时间。可选地，例如基于像素1的内部结构，发射控制驱动器40可以被省略。
控制器50将例如从外部源接收的多个图像信号R、G和B改变成多个图像数据信号DR、DG和DB，并将图像数据信号DR、DG和DB传输到数据驱动器30。控制器50基于垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK生成用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的驱动的控制信号。控制器50将控制信号传输到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40中的每一个。例如，控制器50生成并传输用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS和用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS。
每个像素1例如从外部源接收第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。第一电源电压ELVDD可以是第一预定(例如高电平)电压，并且第二电源电压ELVSS可以是第二预定电压，例如比第一电源电压ELVDD低的电压、接地电压或其它基准电压。第一电源电压ELVDD通过驱动电压线ELVDDL被供给到每个像素1。
每个像素1发出具有基于被供给到发光器件的驱动电流的亮度的光。驱动电流的量是基于通过数据线DL1至DLm中的对应一条传输的数据信号。
图2示出了有机发光显示装置1000的像素1的一个实施例。有机发光显示装置1000的像素1包括像素电路2，像素电路2包括多个TFT和至少一个存储电容器Cst。并且，像素1包括基于像素电路2中的驱动电压发光的OLED。
TFT包括驱动TFT T1、数据传输TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
像素1包括以下信号线：第一扫描线14，第一扫描信号Sn通过第一扫描线14被传输到数据传输TFT T2和补偿TFT T3；第二扫描线24，第二扫描信号Sn-1通过第二扫描线24被传输到第一初始化TFT T4；第三扫描线34，第三扫描信号Sn+1通过第三扫描线34被传输到第二初始化TFT T7；发射控制线15，发射控制信号En通过发射控制线15被传输到第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6；数据线16，数据信号Dm通过数据线16被传输；驱动电压线26，第一电源电压ELVDD通过驱动电压线26被传输；以及初始化电压线22，初始化驱动TFTT1的初始化电压VINT通过初始化电压线22被传输。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1被连接到存储电容器Cst的第一电极C1。驱动TFT T1的驱动源电极S1经由第一发射控制TFT T5被连接到驱动电压线26。驱动TFT T1的驱动漏电极D1经由第二发射控制TFT T6被电连接到有机发光二极管OLED的像素电极(阳极)。驱动TFT T1根据数据传输TFT T2的开关操作接收数据信号Dm，以将驱动电流Id供给到有机发光二极管OLED。
数据传输TFT T2的数据传输栅电极G2被连接到第一扫描线14。数据传输TFT T2的数据传输源电极S2被连接到数据线16。数据传输TFT T2的数据传输漏电极D2被连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1，并经由第一发射控制TFT T5被连接到驱动电压线26。数据传输TFTT2根据通过第一扫描线14接收的第一扫描信号Sn导通，以执行开关操作。从数据线16接收的数据信号Dm被传输到驱动TFT T1的驱动源电极S1。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3被连接到第一扫描线14。补偿TFT T3的补偿源电极S3被连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1，并经由第二发射控制TFT T6被连接到有机发光二极管OLED的阳极。补偿TFT T3的补偿漏电极D3还被连接到存储电容器Cst的第一电极C1、第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3根据通过第一扫描线14接收的第一扫描信号Sn导通，以连接驱动TFT T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1，从而将驱动TFT T1置于二极管连接状态。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4被连接到第二扫描线24。第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4被连接到初始化电压线22。第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4还被连接到存储电容器Cst的第一电极C1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFTT1的驱动栅电极G1。第一初始化TFT T4根据通过第二扫描线24接收的第二扫描信号Sn-1导通，以将初始化电压VINT传输到驱动TFT T1的驱动栅电极G1。因此，执行初始化操作，以初始化驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压。
第一发射控制TFT T5的第一发射控制栅电极G5被连接到发射控制线15。第一发射控制TFT T5的第一发射控制源电极S5被连接到驱动电压线26。第一发射控制TFT T5的第一发射控制漏电极D5被连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和数据传输TFT T2的数据传输漏电极D2。
第二发射控制TFT T6的第二发射控制栅电极G6被连接到发射控制线15。第二发射控制TFT T6的第二发射控制源电极S6被连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3。第二发射控制TFT T6的第二发射控制漏电极D6被电连接到有机发光二极管OLED的阳极。第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6根据通过发射控制线15接收的发射控制信号En被同时导通，使得第一电源电压ELVDD被传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流Id流过有机发光二极管OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7被连接到第三扫描线34。第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7被连接到有机发光二极管OLED的阳极。第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7被连接到初始化电压线22。第二初始化TFT T7根据通过第三扫描线34接收的第三扫描信号Sn+1导通，从而初始化有机发光二极管OLED的阳极。
存储电容器Cst的第二电极C2被连接到驱动电压线26。存储电容器Cst的第一电极C1被连接到驱动TFT T1的驱动栅电极G1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4。
有机发光二极管OLED的阴极被连接到第二电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED从驱动TFT T1接收驱动电流Id以发光，从而显示图像。
图3示出了例如可以被包括在有机发光显示装置1000中的TFT阵列基板100的像素电路2的一个实施例。TFT阵列基板100是包括至少一个TFT的基板。TFT可以被规则地或不规则地布置在TFT阵列基板100上，或者TFT阵列基板100上可以只有一个TFT。
在一个可替代实施例中，TFT阵列基板100不是被应用到有机发光显示装置1000中，而是TFT阵列基板100可以被应用到各种显示装置中的任一个，例如但不限于液晶显示装置、电泳显示装置和等离子体显示装置。
参考图3，驱动TFT T1、数据传输TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6、第二初始化TFT T7和存储电容器Cst可以在像素电路2中。
驱动TFT T1包括驱动半导体层A1、驱动栅电极G1、驱动源电极S1和驱动漏电极D1。驱动源电极S1与驱动半导体层A1中的杂质掺杂的驱动源区对应。驱动漏电极D1与驱动半导体层A1中的杂质掺杂的驱动漏区对应。杂质掺杂的驱动源区和杂质掺杂的驱动漏区之间的区域与驱动半导体层A1中的驱动沟道区对应。
驱动栅电极G1被连接到存储电容器Cst的第一电极C1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4。例如，驱动栅电极G1和第一电极C1被一体形成在同一层上。驱动栅电极G1通过第一接触孔51和第二接触孔52由第一接触金属CM1连接到补偿漏电极D3和第一初始化源电极S4。驱动TFT T1的驱动沟道区是曲线形的。在图3中，驱动TFT T1的驱动沟道区可以具有S形。在另一实施例中，驱动沟道区可以具有不同的形状，诸如M形或W形。
通过将驱动沟道区形成为曲线形的，驱动沟道区可以在狭窄的空间中延长。延长驱动TFT T1的驱动沟道区可以提高驱动栅电极G1的栅极电压的驱动范围。因此，通过改变驱动栅极电压的电平，从有机发光二极管OLED发射的光的灰度值可以被精确地控制。其结果是，可以提高有机发光显示装置1000的分辨率和显示质量。
数据传输TFT T2包括数据传输半导体层A2、数据传输栅电极G2、数据传输源电极S2和数据传输漏电极D2。数据传输源电极S2与数据传输半导体层A2中的杂质掺杂的开关源区对应。数据传输漏电极D2与数据传输半导体层A2中的杂质掺杂的开关漏区对应。数据传输源电极S2通过第三接触孔53被连接到数据线16。数据传输漏电极D2被连接到驱动TFT T1和第一发射控制TFT T5。数据传输栅电极G2被形成为第一扫描线14的一部分。
补偿TFT T3包括补偿半导体层A3、补偿栅电极G3、补偿源电极S3和补偿漏电极D3。补偿源电极S3与补偿半导体层A3中的杂质掺杂的补偿源区对应。补偿漏电极D3与补偿半导体层A3中的杂质掺杂的补偿漏区对应。补偿栅电极G3通过使用第一扫描线14的一部分和从第一扫描线14延伸的突出线的一部分形成双栅电极来防止漏电流。
第一初始化TFT T4包括第一初始化半导体层A4、第一初始化栅电极G4、第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。第一初始化源电极S4与第一初始化半导体层A4中的杂质掺杂的第一初始化源区对应，并且第一初始化漏电极D4与第一初始化半导体层A4中的杂质掺杂的第一初始化漏区对应。第一初始化漏电极D4可以被连接到第二初始化TFT T7。第一初始化源电极S4可以通过第一接触孔51和第二接触孔52中的第一接触金属CM1被连接到驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极C1。第一初始化栅电极G4可以是第二扫描线24的一部分。第一初始化栅电极G4基于从第二扫描线24延伸的突出线的一部分形成双栅电极。
第一发射控制TFT T5包括第一发射控制半导体层A5、第一发射控制栅电极G5、第一发射控制源电极S5和第一发射控制漏电极D5。第一发射控制源电极S5与第一发射控制半导体层A5中的杂质掺杂的第一发射控制源区对应。第一发射控制漏电极D5与第一发射控制半导体层A5中的杂质掺杂的第一发射控制漏区对应。第一发射控制源电极S5可以通过第四接触孔54被连接到驱动电压线26。第一发射控制栅电极G5被形成为发射控制线15的一部分。
第二发射控制TFT T6包括第二发射控制半导体层A6、第二发射控制栅电极G6、第二发射控制源电极S6和第二发射控制漏电极D6。第二发射控制源电极S6与第二发射控制半导体层A6中的杂质掺杂的第二发射控制源区对应。第二发射控制漏电极D6与第二发射控制半导体层A6中的杂质掺杂的第二发射控制漏区对应。第二发射控制漏电极D6被连接到被连接到第五接触孔55的第二接触金属CM2，并通过被连接到第二接触金属CM2的通孔VIA被连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二发射控制栅电极G6被形成为发射控制线15的一部分。
第二初始化TFT T7包括第二初始化半导体层A7、第二初始化栅电极G7、第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7。第二初始化源电极S7与第二初始化半导体层A7中的杂质掺杂的第二初始化源区对应。第二初始化漏电极D7与第二初始化半导体层A7中的杂质掺杂的第二初始化漏区对应。第二初始化漏电极D7可以通过第八接触孔58被连接到初始化电压线22。第二初始化源电极S7被连接到被连接到第六接触孔56的第二接触金属CM2。有机发光二极管OLED的像素电极通过通孔VIA被连接到第二接触金属CM2。第二初始化栅电极G7可以是第三扫描线34的一部分。
存储电容器Cst的第一电极C1被直接连接到驱动栅电极G1，并且通过被包括在第一接触孔51和第二接触孔52中的第一接触金属CM1被连接到第一初始化TFT T4和补偿TFTT3。第一电极C1被设置为重叠驱动半导体层A1。
存储电容器Cst的第二电极C2至少部分地重叠第一电极C1。第二电极C2可以从驱动电压线26延伸。第二电极C2被形成在开口60中。
第一扫描线14、第二扫描线24、第三扫描线34和发射控制线15都被形成在同一层上，并在第二方向上延伸。第一扫描线14、第二扫描线24、第三扫描线34、网格驱动电压线26'、初始化电压线22和发射控制线15可以与存储电容器Cst的第一电极C1形成在同一层上。
网格驱动电压线26'可以防止第一电源电压ELVDD根据显示单元10的位置的电压下降。网格驱动电压线26'可以与驱动电压线26在不同的层上，并可以与驱动电压线26交叉。网格驱动电压线26'可以经由第七接触孔57接触驱动电压线26。
数据线16、驱动电压线26、第一接触金属CM1和第二接触金属CM2可以全部被形成在同一层上，并在第一方向上延伸。
在第一方向上延伸的导线和在第二方向上延伸的导线可以在不同层上，但可以在交叉点处彼此重叠。如果导线之间的距离在交叉点处短，则在导线之间可能产生寄生电容，并且导线传输的信号可能干扰。在一个或多个实施例中，图4中的第二层间绝缘膜ILD2可以阻止寄生电容和/或干扰。
图4是沿图3中的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。在图4中，为了更清楚地显示一个或多个实施例的特征，一些组件(例如导线、电极和半导体层)没被包括。因此，图4中看到的可能和从沿图3的线A-A'和线B-B'截取的实际剖视图不同。
参考图4，TFT阵列基板100包括与基板110上的驱动TFT T1的驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极C1在同一层上的第一导线、与第一导线绝缘并至少部分重叠第一导线的第二导线、第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2。第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在第一导线和第二导线之间。第一层间绝缘膜ILD1在存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2之间。
在图4中，第一导线与发射控制线15对应，并且第二导线与驱动电压线26对应。第一导线可以包括与驱动栅电极G1设置在同一层上的第一扫描线14、第二扫描线24、第三扫描线34、初始化电压线22和网格驱动电压线26'。第二导线可以包括在第二层间绝缘膜ILD2的上表面上的数据线16、第一接触金属CM1和第二接触金属CM2。
并且，TFT阵列基板100可以包括驱动TFT T1、存储电容器Cst、开关TFT、第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2。开关TFT包括执行开关操作的TFT(不包括驱动TFTT1)。例如，开关TFT可以包括数据传输TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。在图4中，第二发射控制TFT T6与开关TFT对应。
第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在开关TFT上。第一层间绝缘膜ILD1在存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2之间。
各种导线和TFT可以被提供用于TFT阵列基板100的高性能和/或高集成度。这些导线可以彼此重叠和/或导线和TFT可以彼此重叠。因此，在TFT阵列基板100中可能产生寄生电容和/或信号干扰。
此外，第二层间绝缘膜ILD2可以被设置在各个导线之间和/或各个导线和各个TFT之间，从而降低寄生电容和/或信号干扰。由于第二层间绝缘膜ILD2不在存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2之间，TFT阵列基板100可以维持高存储电容。
第一层间绝缘膜ILD1被用于确保存储电容器Cst的存储电容。为了增加存储电容，第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1可以被形成为薄的和/或第一层间绝缘膜ILD1可以由具有高介电常数的材料形成。
第二层间绝缘膜ILD2可以降低寄生电容。为了降低寄生电容，第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以被形成为厚的和/或第二层间绝缘膜ILD2可以由具有低介电常数的材料形成。
根据一些实施例，第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以大于第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1。例如，第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以比第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1大大约2倍至5倍。第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以为约1μm至5μm。第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1可以为约0.2μm至1μm。在另一实施例中，厚度t1和t2可以在不同的范围。例如，第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以比第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1更薄或相同。
根据一个实施例，第二层间绝缘膜ILD2的介电常数可以小于第一层间绝缘膜ILD1的介电常数。根据一个实施例，第二层间绝缘膜ILD2可以包括有机材料，并且第一层间绝缘膜ILD1可以包括无机材料。相比于第二层间绝缘膜ILD2包括无机材料时，当第二层间绝缘膜ILD2包括有机材料时，第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以相对厚。
如果第二层间绝缘膜ILD2包括有机材料并且第一层间绝缘膜ILD1包括无机材料，则可以使第二层间绝缘膜ILD2的厚度比第一层间绝缘膜ILD1大且第二层间绝缘膜ILD2的介电常数比第一层间绝缘膜ILD1低的材料的选择范围更大。
再次参考图4，缓冲层111可以在基板110上。缓冲层111可以用作用于防止杂质离子扩散、防止湿气或外界空气渗透并用于表面平坦化的势垒层和/或阻挡层。
驱动TFT T1的驱动半导体层A1和第二发射控制TFT T6的第二发射控制半导体层A6在缓冲层111上。驱动半导体层A1和第二发射控制半导体层A6可以包括例如多晶硅。并且，驱动半导体层A1和第二发射控制半导体层A6中的每一个可以包括没有掺杂杂质的沟道区，并且沟道区的相应侧上的源区和漏区掺杂有杂质。取决于例如TFT的类型，杂质的类型可能有所不同，并且可以是N型杂质或P型杂质。
数据传输TFT T2的数据传输半导体层A2、补偿TFT T3的补偿半导体层A3、第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层A4、第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层A7以及第一发射控制TFT T5的第一发射控制半导体层A5可以被连接到驱动半导体层A1和第二发射控制半导体层A6，并且可以被同时形成。
栅绝缘膜GI可以在基板110的整个表面上，以覆盖驱动半导体层A1、数据传输半导体层A2、补偿半导体层A3、第一初始化半导体层A4、第一发射控制半导体层A5、第二发射控制半导体层A6和第二初始化半导体层A7。
栅绝缘膜GI可以是包括例如二氧化硅或氮化硅的无机材料的多层膜或单层膜。栅绝缘膜GI使驱动栅电极G1、数据传输栅电极G2、补偿栅电极G3、第一初始化栅电极G4、第一发射控制栅电极G5、第二发射控制栅电极G6和第二初始化栅电极G7与驱动半导体层A1、数据传输半导体层A2、补偿半导体层A3、第一初始化半导体层A4、第一发射控制半导体层A5、第二发射控制半导体层A6和第二初始化半导体层A7绝缘。
第二发射控制TFT T6的第二发射控制栅电极G6、驱动TFT T1的驱动栅电极G1、存储电容器Cst的第一电极C1以及发射控制线15在栅绝缘膜GI上。驱动栅电极G1可以与第一电极C1一体形成。
驱动栅电极G1、数据传输栅电极G2、补偿栅电极G3、第一初始化栅电极G4、第一发射控制栅电极G5、第二发射控制栅电极G6、第二初始化栅电极G7、第一扫描线14、第二扫描线24、第三扫描线34、网格驱动电压线26'和初始化电压线22也可以在同一层上，并包括与驱动栅电极G1、第二发射控制栅电极G6、第一电极C1和发射控制线15相同的材料。
驱动栅电极G1、第二发射控制栅电极G6、第一电极C1和发射控制线15可以各自由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种形成。
根据一个示例性实施例，存储电容器Cst可以重叠驱动TFT T1。例如，由于驱动栅电极G1和第一电极C1一体形成，存储电容器Cst和驱动TFT T1彼此重叠。由于存储电容器Cst重叠驱动TFT T1，第一电极C1和第二电极C2的面积被充分确保。因此，存储电容器Cst的存储电容可以充分确保。
第一层间绝缘膜ILD1可以在基板110的整个表面上，以覆盖驱动栅电极G1、第二发射控制栅电极G6、第一电极C1和发射控制线15。第一层间绝缘膜ILD1可以包括无机材料或有机材料。
用于第一层间绝缘膜ILD1的无机材料可以包括金属氧化物或金属氮化物。例如，无机材料可以是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、二氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。在一个实施例中，第一层间绝缘膜ILD1可以包括具有例如从4到7的介电常数的材料。
第一层间绝缘膜ILD1可以是包括例如SiOx和/或SiNx的无机材料的多层膜或单层膜。在一个实施例中，第一层间绝缘膜ILD1可以具有SiOx/SiNy或SiNx/SiOy的双层结构。
第一层间绝缘膜ILD1可以使第一层间绝缘膜ILD1上的导线与驱动栅电极G1、第二发射控制栅电极G6、第一电极C1和发射控制线15绝缘。并且，第一层间绝缘膜ILD1可以作为存储电容器Cst的介电层操作。第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1可以小于第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2。第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1可以例如考虑存储电容器Cst的存储电容来设定。
第二层间绝缘膜ILD2在第一层间绝缘膜ILD1上，并包括暴露第一层间绝缘膜ILD1的一部分的开口60。存储电容器Cst的第二电极C2在开口60中。
第二层间绝缘膜ILD2可以包括无机材料或有机材料。例如，第二层间绝缘膜ILD2可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中的至少一种。在一个实施例中，第二层间绝缘膜ILD2可以包括具有例如从2到4的介电常数的材料。
在一个实施例中，第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以大于第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1。例如，第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以比第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1大大约2倍至5倍。第二层间绝缘膜ILD2的厚度t2可以是从约1μm至5μm。第一层间绝缘膜ILD1的厚度t1可以是从约0.2μm至1μm。
存储电容器Cst的第二电极C2在第二层间绝缘膜ILD2的开口60中。由于第二电极C2重叠第一电极C1，开口60在与第一电极C1重叠的区域中。第二电极C2可以在开口60中，以接触第一层间绝缘膜ILD1的上表面。并且，第二电极C2可以沿开口60的侧壁延伸到第二层间绝缘膜ILD2的上表面。在另一实施例中，第二电极C2可以仅在开口60的内部。
因为存储电容器Cst的第二电极C2在第二层间绝缘膜ILD2的开口60中，存储电容器Cst的存储电容取决于第一层间绝缘膜ILD1的介电常数和厚度t1。因此，存储电容器Cst的存储电容可以通过设定第一层间绝缘膜ILD1的材料和厚度t1来确保，而不管第二层间绝缘膜ILD2。
驱动电压线26和第二接触金属CM2在第二层间绝缘膜ILD2上。数据线16和第一接触金属CM1可以在第二层间绝缘膜ILD2上。驱动电压线26、第二接触金属CM2、数据线16和第一接触金属CM1可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种。在一个实施例中，驱动电压线26、第二接触金属CM2、数据线16和第一接触金属CM1可以包括Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu。
驱动电压线26可以从存储电容器Cst的第二电极C2延伸。然而，由于驱动电压线26在第二层间绝缘膜ILD2的上表面上，第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在驱动电压线26的下方。也就是说，由于第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在驱动电压线26和发射控制线15之间，可以减小或防止驱动电压线26和发射控制线15之间的寄生电容。
第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在第二发射控制TFT T6上。因此，可以减小或防止第二发射控制TFT T6和第二接触金属CM2之间的寄生电容。第二接触金属CM2可以通过第五接触孔55被连接到第二发射控制TFT的第二发射控制漏电极D6。
平坦化层PL被形成在基板110的整个表面上，以覆盖导线，诸如数据线16、驱动电压线26、第一接触金属CM1或第二接触金属CM2。像素电极121可以被形成在平坦化层PL上。像素电极121通过通孔VIA被连接到第二接触金属CM2，以便被连接到第二发射控制漏电极D6和第二初始化源电极S7。像素电极121被示于图4。
平坦化层PL可以包括绝缘材料。例如，平坦化层PL可以具有包括无机材料、有机材料或无机和有机混合物的单层或多层结构。平坦化层PL可以使用各种沉积方法中的任一种来形成。在一个实施例中，平坦化层PL可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和BCB中的至少一种。
在图3和图4中，TFT的源电极和漏电极中没有被连接到其它导线的一个与半导体层形成在同一层上。例如，TFT的源电极和漏电极可以包括选择性地掺杂有掺杂材料的多晶硅。在一个实施例中，TFT的源电极和漏电极中的每一个可以被形成在与半导体层不同的层上，并且可以例如经由接触孔被连接到半导体层的源区和漏区。
图5是TFT阵列基板200的另一实施例的剖视图。参考图5，TFT阵列基板200包括第一导线和第二导线。第一导线与基板110上的驱动TFT T1的驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极C1在同一层上。第二导线与第一导线绝缘并至少部分重叠第一导线。
第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在第一导线和第二导线之间。第一层间绝缘膜ILD1在存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2之间。
在图5中，第一导线对应于发射控制线15，并且第二导线对应于驱动电压线26。在一个实施例中，第一导线可以包括与驱动栅电极G1在同一层上的第一扫描线14、第二扫描线24、第三扫描线34、初始化电压线22和网格驱动电压线26'a。第二导线可以包括数据线16、第一接触金属CM1和第二接触金属CM2。
TFT阵列基板200还可以包括驱动TFT T1、存储电容器Cst，以及诸如数据传输TFTT2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7的开关TFT。TFT阵列基板200还可以包括第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2。第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在开关TFT上。第一层间绝缘膜ILD1在存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2之间。
图5的TFT阵列基板200还包括焊盘区PA和/或密封区SA。焊盘区PA可以围绕沿线A-A'和线B-B'截取的剖视图中图3的像素电路2被形成的区域。焊盘区PA可以包括至少一个焊盘113。焊盘区PA是用于驱动像素电路2和其它模块的各种组件被安装的区域。焊盘区PA可以包括例如驱动器集成电路(IC)、连接驱动器IC和像素电路2的焊盘113、以及扇出导线112。
驱动器IC可以包括用于供给数据信号的数据驱动器，并且还可以包括用于驱动像素电路2的各种功能单元。驱动器IC可以是例如被安装在基板110上的玻璃上芯片(COG)。驱动器IC包括被电连接到基板110上的焊盘113的连接端子。焊盘113和连接端子可以例如通过导电粘接材料被粘合，并且可以包括导电球。导电粘接材料的示例包括各向异性导电膜和自组织导电膜。
焊盘113在基板110上，并且驱动器IC的连接端子连接到焊盘113。焊盘113被电连接到扇出导线112。如图5所示，焊盘113可以在与扇出导线112不同的层上。在一个实施例中，焊盘113可以从扇出导线112延伸，并且可以与扇出导线112在同一层上。焊盘113可以是包括Al、Cu、Ag和Ti中的至少一种的单层或多层。
扇出导线112可以将焊盘113连接到像素电路2。例如，扇出导线112可以与例如驱动栅电极G1、数据传输栅电极G2、补偿栅电极G3、第一初始化栅电极G4、第一发射控制栅电极G5、第二发射控制栅电极G6和第二初始化栅电极G7的栅电极、存储电容器Cst的第一电极C1、第一至第三扫描线14、24和34或者发射控制线15相同的层上，并包括相同的材料。因此，扇出导线112可以在栅绝缘膜GI上。
包括第九接触孔59的第一层间绝缘膜ILD1可以在扇出导线112上。在这种情况下，焊盘113可以通过第九接触孔59被连接到扇出导线112。扇出导线112具有被连接到焊盘113的一侧和被连接到像素电路2的另一侧，从而从驱动器IC向像素电路2传输信号。
密封区SA包括用于密封包括像素电路2的区域的密封材料。密封区SA可以包围包括至少一个像素电路2的区域。并且，密封区SA可以在像素电路2被形成的区域与焊盘区PA之间。
密封区SA可以不包括第二层间绝缘膜ILD2，例如当第二层间绝缘膜ILD2包括有机材料时。例如，当第二层间绝缘膜ILD2包括有机材料时，第二层间绝缘膜ILD2可能在被设置于密封区SA中的密封材料通过激光束被硬化时被损坏。
因此，基板110、缓冲层111、栅绝缘膜GI、扇出导线112和第一层间绝缘膜ILD1可以以所列出的次序被顺序堆叠在密封区SA中。可替代地，缓冲层111、栅绝缘膜GI、扇出导线112和第一层间绝缘膜ILD1中的至少一个可以不被设置在密封区SA中。
图6A至图6D示出了用于制造例如可以是TFT阵列基板100或200的TFT阵列基板的方法的一个实施例的各阶段。出于例示目的，该方法将被描述为用于制造图5中的TFT阵列基板200。
参考图6A，多个TFT(例如驱动TFT T1、数据传输TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7)被形成在基板110上。
首先，TFT的半导体层(例如，驱动半导体层A1、数据传输半导体层A2、补偿半导体层A3、第一初始化半导体层A4、第一发射控制半导体层A5、第二发射控制半导体层A6和第二初始化半导体层A7)被形成，然后栅绝缘膜GI被形成在半导体层上。
半导体层可以由半导体(例如，非晶硅或晶体硅)形成，并且可以通过各种沉积方法中的一种形成。晶体硅可以例如通过使非晶硅结晶来形成。使非晶硅结晶的方法的示例包括快速热退火(RTA)法、固相晶化(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导晶化(MIC)法、金属诱导横向晶化(MILC)法和连续横向固化(SLS)法。半导体层可以通过光刻工艺被图案化。
栅绝缘膜GI使半导体层和将被形成在半导体层上的栅电极(例如，驱动栅电极G1、数据传输栅电极G2、补偿栅电极G3、第一初始化栅电极G4、第一发射控制栅电极G5、第二发射控制栅电极G6和第二初始化栅电极G7)彼此绝缘。栅绝缘膜GI可以被形成在基板110的整个表面上，同时覆盖半导体层。
栅绝缘膜GI可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个实施例中，栅绝缘膜GI可以包括SiNx、SiO2、HfO或AlO。栅绝缘膜GI可以通过诸如溅射法、化学气相沉积(CVD)法和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的各种沉积方法中的一种来形成。
然后，栅电极被形成在栅绝缘膜GI上，以至少部分地重叠半导体层。并且，第一至第三扫描线14、24和34、发射控制线15、初始化电压线22、网格驱动电压线26'和扇出导线112可以与栅电极同时形成。栅电极可以由Mo、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Ti、W和Cu中的至少一种形成。
然后，源电极(例如，驱动源电极S1、数据传输源电极S2、补偿源电极S3、第一初始化源电极S4、第一发射控制源电极S5、第二发射控制源电极S6和第二初始化源电极S7)和漏电极(例如，驱动漏电极D1、数据传输漏电极D2、补偿漏电极D3、第一初始化漏电极D4、第一发射控制漏电极D5、第二发射控制漏电极D6和第二初始化漏电极D7)可以通过使用栅电极作为掩模在半导体层的端部注入杂质来形成。在一个实施例中，三价掺杂剂(例如，硼(B))可以作为杂质被加入。并且，源电极和漏电极可以包括例如p型导电材料。当五价杂质(例如，磷(P)、砷(As)或锑(Sb))作为杂质被加入时，源电极和漏电极可以包括n型导电材料。
然后，第一层间绝缘膜ILD1被形成在基板110的整个表面上，以覆盖栅电极、发射控制线15和扇出导线112。第一层间绝缘膜ILD1可以是由有机材料或无机材料形成的单层膜，或者可以具有这样的单层的堆叠结构。在一个实施例中，第一层间绝缘膜ILD1可以由SiNx、SiO2、HfO或AlO形成。在一个实施例中，第一层间绝缘膜ILD1可以具有SiNx/SiOy或SiOy/SiNx的双层结构。第一层间绝缘膜ILD1可以通过诸如溅射法、CVD法和PECVD法的各种沉积方法中的一种来形成。
参考图6B，包括开口60的第二层间绝缘膜ILD2被形成。首先，初步-第二层间绝缘膜被形成在基板110的整个表面上。初步-第二层间绝缘膜可以是由有机材料或无机材料形成的单层膜，或者可以具有这种单层的堆叠结构。在一个实施例中，初步-第二层间绝缘膜可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和BCB中的至少一种形成。
初步-第二层间绝缘膜可以基于形成初步-第二层间绝缘膜的材料通过旋涂法、印刷法、溅射工艺、CVD工艺、原子层沉积(ALD)工艺、PECVD工艺、高密度等离子体(HDP)-CVD工艺或真空沉积工艺形成。
然后，开口60被形成在存储电容器Cst的第二电极C2要被形成的区域中。密封区SA和焊盘区PA中的初步-第二层间绝缘膜通过诸如湿刻工艺、干刻工艺或它们的组合的各种蚀刻工艺中的一种被去除。
参考图6C，穿过第一层间绝缘膜ILD1的第一至第九接触孔51至59被形成。第一至第九接触孔51至59可以通过使用掩模的图案化工艺和蚀刻工艺形成。蚀刻工艺可以是湿刻工艺、干刻工艺或它们的组合。
参考图6B所描述的形成开口60的次序和参考图6C所描述的形成第一至第九接触孔51至59的次序可以被改变。如果第一至第九接触孔51至59被首先形成，第一至第九接触孔51至59在第一层间绝缘膜ILD1中的宽度可以小于在第二层间绝缘膜ILD2中的宽度。
参考图6D，存储电容器Cst的第二电极C2被形成在第二层间绝缘膜ILD2的开口60中。然后，第二接触金属CM2被形成在第二层间绝缘膜ILD2的上表面上，并且焊盘113被形成在焊盘区PA中。
然后，覆盖存储电容器Cst和第二接触金属CM2的平坦化层PL被形成在像素电路区域中。然后，暴露第二接触金属CM2的通孔VIA被形成。通过通孔VIA被连接到第二接触金属CM2的像素电极121被形成在平坦化层PL上。
图7示出了有机发光显示装置1001的另一实施例，并且图8是有机发光显示装置1001的剖视图。参考图7和图8，有机发光显示装置1001可以包括TFT阵列基板100和200中的任何一个。
有机发光显示装置1001包括第一导线和第二导线。第一导线与基板110上的驱动TFT T1的驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极C1在同一层上。第二导线与第一导线绝缘，并至少部分地重叠第一导线。第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在第一导线和第二导线之间。第一层间绝缘膜ILD1在存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2之间。
在图7和图8中，第一导线对应于发射控制线15，并且第二导线对应于驱动电压线26。在一个实施例中，第一导线可以包括与驱动栅电极G1被设置在同一层上的第一扫描线14、第二扫描线24、第三扫描线34、初始化电压线22和网格驱动电压线26'。第二导线可以包括数据线16、第一接触金属CM1和第二接触金属CM2。
有机发光显示装置1001还可以包括驱动TFT T1、存储电容器Cst、开关TFT、第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2。第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2被堆叠在开关TFT上。第一层间绝缘膜ILD1在存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2之间。
有机发光显示装置1001还可以包括至少一个有机发光二极管OLED、密封基板210、密封材料310或驱动器IC 510。
有机发光显示装置1001可以包括图像被显示的显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以包括密封区SA和焊盘区PA。
用于从外部空气密封显示区域DA的密封材料310可以在密封区SA中，以包围显示区域DA。然而，如果密封基板210是薄膜封装型，则密封材料310可以被省略。密封基板210可以阻止外部空气或湿气进入基板110上的TFT和有机发光二极管OLED。偏振膜或彩色滤光片可以被可选地设置在密封基板210上。
密封材料310包围显示区域DA，并且可以包括诸如玻璃料或环氧树脂的无机材料。玻璃料可以是处于粉末状态或糊状的玻璃原料，并且可以包括被包括在诸如SiO2的主材料中的激光或红外线吸收材料、有机粘合剂或用于减小热膨胀系数的填料。密封材料310可以例如通过分配器或丝网印刷法涂覆。
由于有机粘合剂和水分可以通过干燥工艺或塑化工艺被去除，因此糊状的玻璃料可以被硬化。激光或红外线吸收材料可以包括过渡金属化合物。激光束可以被用作热源以硬化密封材料310，以粘附基板110和密封基板210。如果密封材料310使用激光束硬化，则协助吸收激光束的光吸收层可以被设置在密封材料310下方。光吸收层可以由具有高传热速率的导电材料形成。
密封材料310可以直接接触在其下方的第一层间绝缘膜ILD1。例如，第二层间绝缘膜ILD2可以不存在于密封材料310的下方。这是因为，当第二层间绝缘膜ILD2由有机材料形成时，第二层间绝缘膜ILD2可能在密封材料310被硬化时被损坏，因此密封可能无法正确进行。如果第二层间绝缘膜ILD2由无机材料形成，则第二层间绝缘膜ILD2可以被形成在密封材料310的下方。
焊盘区PA可以包括用于驱动显示区域DA中的像素的各种单元以及其它模块。驱动器IC 510、连接驱动器IC 510和像素的焊盘113以及扇出导线112可以在焊盘区PA中。
虽然在图8中第二层间绝缘膜ILD2不在焊盘区PA中，但是第二层间绝缘膜ILD2可以在或可以不在焊盘区PA中。
TFT阵列基板100或200的有机发光二极管OLED在有机发光显示装置1001的显示区域DA中。有机发光二极管OLED包括像素电极121、包括有机发射层的中间层123、以及对电极125。并且，有机发光显示装置1001可以包括像素限定膜130和间隔件140。
像素电极121可以被电连接到第二接触金属CM2，同时填充平坦化层PL的通孔VIA。像素电极121和/或对电极125可以是透明电极或反射电极。透明电极可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成。反射电极可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成的反射膜，以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透明膜。在一个实施例中，像素电极121或对电极125可以具有ITO/Ag/ITO结构。
像素限定膜130可以限定像素区和非像素区。像素限定膜130可以包括暴露像素电极121的开口130a，并且可以完全覆盖TFT阵列基板100或200。中间层123被形成在开口130a中，因而开口130a可以在像素区。
有机发光二极管OLED包括像素电极121、中间层123和对电极125。从有机发光二极管OLED的像素电极121注入的空穴和从对电极125注入的电子可以在中间层123的有机发射层中复合以发光。
中间层123可以包括有机发射层。在一个实施例中，中间层123可以包括有机发射层，并且可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。可替代地，中间层123可以包括有机发射层，并且可以进一步包括各种功能层。
对电极125被形成在中间层123上。对电极125和像素电极121形成电场，以允许光从中间层123发射。像素电极121可以根据像素被图案化。对电极125可以施加公共电压到所有的像素。
像素电极121和对电极125可以是透明电极或反射电极。像素电极121可以作为阳极操作，并且对电极125可以作为阴极操作。在一个实施例中，像素电极121可以作为阴极操作，并且对电极125可以作为阳极操作。
在图8中示出了一个有机发光二极管OLED，但显示面板可以包括多个有机发光二极管OLED。每个有机发光二极管OLED可以形成一个像素，并且OLED可以被包括在例如红色像素、绿色像素、蓝色像素的彩色像素中或白色像素中。
中间层123可以对于全部像素电极121被共同地形成，而不管像素的位置。有机发射层可以通过垂直地堆叠包括红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料的层来形成，或通过混合红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料形成。颜色的另一组合是可能的，只要发射白光。并且，可以进一步包括将白光转换成某一颜色的光的彩色滤光片。
钝化层可以被可选地设置在对电极125上，并且可以覆盖和保护有机发光二极管OLED。钝化层可以是无机绝缘膜和/或有机绝缘膜。
间隔件140可以在显示区域DA中的像素区域之间。间隔件140可以维持基板110和密封基板210之间的间隔，并且可以防止显示特性由于外部冲击而恶化。
间隔件140可以被设置在像素限定膜130上。间隔件140可以从像素限定膜130朝密封基板210突出。在一个实施例中，间隔件140可以包括与像素限定膜130相同的材料，并经由相同的工艺形成。例如，像素限定膜130和间隔件140可以通过使用半色调掩模的曝光工艺调节曝光量同时形成。在另一实施例中，像素限定膜130和间隔件140可以被顺序地或分开地形成，并且可以是使用不同的材料形成的个别结构。
作为总结和回顾，根据一个或多个上述实施例，有机发光显示装置包括具有开口的层间绝缘膜(例如第二层间绝缘膜ILD2)，开口包括存储电容器的电极。这样的结构可以降低或防止寄生电容，同时确保存储电容器的存储电容。并且，TFT阵列基板和包括TFT阵列基板的有机发光显示装置可以被形成为具有降低的寄生电容。
在本文中已经公开了示例性实施例，尽管使用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对递交本申请时本领域技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，也可以和结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解，可以在不脱离如以下权利要求中提出的本发明的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。

Claims (21)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
在基板上的驱动薄膜晶体管；
存储电容器，包括被连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极的第一电极和在所述第一电极上并与所述第一电极绝缘的第二电极；
与所述驱动栅电极在同一层上的第一导线；
覆盖所述第一电极和所述第一导线的第一层间绝缘膜；
在所述第一层间绝缘膜上并包括暴露所述第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜；和
在所述第二层间绝缘膜上并至少部分重叠所述第一导线的第二导线，其中所述第二电极在所述第二层间绝缘膜的所述开口中，
其中所述驱动栅电极和所述第一电极在同一层上被一体地形成为一个主体。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二层间绝缘膜的厚度大于所述第一层间绝缘膜的厚度。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二层间绝缘膜的厚度比所述第一层间绝缘膜的厚度大2倍至5倍。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二层间绝缘膜的介电常数小于所述第一层间绝缘膜的介电常数。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：
所述第一层间绝缘膜包括无机材料，并且
所述第二层间绝缘膜包括有机材料。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述驱动薄膜晶体管包括：
在所述驱动栅电极下方并通过第一栅绝缘膜与所述驱动栅电极绝缘的驱动半导体层，其中所述驱动半导体层是曲线形的。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二导线是向所述驱动薄膜晶体管供给电压并从所述第二电极延伸的驱动电压线。
8.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
在基板上的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管；
存储电容器，包括被连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极的第一电极和在所述第一电极上并与所述第一电极绝缘的第二电极；
覆盖所述第一电极和所述开关薄膜晶体管的开关栅电极的第一层间绝缘膜；和
在所述第一层间绝缘膜上并包括暴露所述第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜，其中所述第二电极在所述第二层间绝缘膜的所述开口中，
其中所述驱动栅电极和所述第一电极在同一层上被一体地形成为一个主体。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二层间绝缘膜的厚度大于所述第一层间绝缘膜的厚度。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：
所述第一层间绝缘膜包括无机材料，并且
所述第二层间绝缘膜包括有机材料。
11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述驱动薄膜晶体管和所述存储电容器至少部分地彼此重叠。
12.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，进一步包括：
与所述驱动栅电极在同一层上的第一导线；和
在所述第二层间绝缘膜上并至少部分重叠所述第一导线的第二导线。
13.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，进一步包括：
在所述第二层间绝缘膜上并被连接到所述开关薄膜晶体管的接触金属。
14.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，进一步包括：
包括被连接到用于驱动所述驱动薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管的驱动器集成电路的至少一个焊盘的焊盘区；和
包括在所述焊盘区和所述驱动薄膜晶体管之间的密封材料的密封区，其中所述密封区中不包含所述第二层间绝缘膜。
15.一种有机发光显示装置，包括：
包括多个像素的显示区域；和
围绕所述显示区域的非显示区域，
其中所述多个像素中的每一个包括：
在基板上的驱动薄膜晶体管；
存储电容器，包括被连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极的第一电极和在所述第一电极上并与所述第一电极绝缘的第二电极；
与所述驱动栅电极在同一层上的第一导线；
覆盖所述第一电极和所述第一导线的第一层间绝缘膜；
在所述第一层间绝缘膜上并包括暴露所述第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜；和
在所述第二层间绝缘膜上并至少部分重叠所述第一导线的第二导线，其中所述第二电极在所述第二层间绝缘膜的所述开口中，
其中所述驱动栅电极和所述第一电极在同一层上被一体地形成为一个主体。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第二层间绝缘膜的厚度大于所述第一层间绝缘膜的厚度。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中：
所述第一层间绝缘膜包括无机材料，并且
所述第二层间绝缘膜包括有机材料。
18.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，进一步包括：
面对所述基板的密封基板；和
粘附所述基板和所述密封基板的密封材料，所述密封材料包围所述显示区域，其中所述密封材料直接接触所述第一层间绝缘膜。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在所述显示区域中并包括像素电极、包括有机发射层的中间层以及对电极的有机发光二极管；和
维持所述基板和所述密封基板之间的均匀的间隔的间隔件。
20.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在所述非显示区域中并包括被连接到用于驱动所述多个像素的驱动器集成电路的至少一个焊盘的焊盘区。
21.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个像素中的每一个进一步包括开关薄膜晶体管，并且
所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜被堆叠在所述开关薄膜晶体管的栅电极上。
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