TW201513318A - 製造顯示面板之方法 - Google Patents

製造顯示面板之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201513318A
TW201513318A TW103125761A TW103125761A TW201513318A TW 201513318 A TW201513318 A TW 201513318A TW 103125761 A TW103125761 A TW 103125761A TW 103125761 A TW103125761 A TW 103125761A TW 201513318 A TW201513318 A TW 201513318A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
film
transistor
film substrate
release layer
Prior art date
Application number
TW103125761A
Other languages
English (en)
Inventor
Tae-Woong Kim
Hyung-Sik Kim
Hyun-Woo Koo
Woo-Jeong Jang
Ki-Yong Lee
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201513318A publication Critical patent/TW201513318A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

提供一種製造顯示面板的方法。釋放層形成於支撐基板上。薄膜基板形成於釋放層及支撐基板上。像素及封裝構件形成於薄膜基板的一部分上。薄膜基板的部分與釋放層重疊。薄膜基板的部分與支撐基板分離。釋放層包含矽氧烷及聚醯亞胺矽烷。

Description

製造顯示面板之方法
本發明係關於一種顯示面板及其製造方法。
有機發光二極體（OLED）顯示器是自發光顯示器。 OLED顯示器不需要獨立的光源，而因此既薄又輕巧。
OLED顯示器可以形成於不同的基板上。例如，可以使用玻璃基板。對於可撓性顯示裝置，可以使用可撓性基板如高分子基板或超薄薄膜玻璃。例如，OLED顯示器可以被形成於高分子基板上而非玻璃基板上。可選地，OLED顯示器可以形成於超薄薄膜玻璃基板上。
根據本發明的例示性實施例，提供一種製造顯示面板的方法。釋放層形成於支撐基板上。薄膜基板形成於釋放層及支撐基板上。像素及封裝構件形成於薄膜基板的一部分上。薄膜基板的部分與釋放層重疊。薄膜基板的部分與支撐基板分離。釋放層包含矽氧烷及聚醯亞胺矽烷。
根據本發明的例示性實施例，提供一種製造顯示面板的方法。複數層釋放層以矩陣形式形成於支撐基板上。薄膜基板形成於支撐基板上，覆蓋複數層釋放層。薄膜基板與釋放層及支撐基板相接觸。複數個像素被形成於薄膜基板上。每個像素設置於薄膜基板的一部分上。薄膜基板的部分與各釋放層重疊。每個像素沿釋放層插置於薄膜基板與支撐基板之間的區域的周長切割。每個像素與支撐基板分離以形成顯示面板。釋放層包含矽氧烷及聚醯亞胺矽烷。
本發明的例示性實施例將參照附圖被詳細地描述如下。然而，本發明可以不同的形式實施並且不應被解釋為受限於本文所闡述的實施例。於附圖中，層及區域的厚度可為了清晰度而被誇大。應當理解的是，當一個元件被稱為於另一元件或基板“上(on)”時，它可以是直接於另一元件或基板上，或也可以存在中間層。也應當理解的是，當一個元件被稱為“耦接到(coupled to )”或“連接到(connected to)”另一元件時，它可以是直接耦接到或連接到另一元件，或也可以存在中間元件。於整個說明書及附圖中，類似的參考標號可以表示類似的元件。
第1圖是表示根據例示性實施例製造顯示面板的方法的流程圖。
如第1圖中所示，根據本發明製造顯示面板的方法包括於支撐基板上形成釋放層（S100）、於釋放層上形成薄膜基板（S102）、於薄膜基板上形成包含薄膜電晶體的像素（S104）、切割成顯示面板（S106），並分離支撐基板與顯示面板（S108）。
於下文中，根據第1圖的流程圖製造顯示面板的方法將參照第2圖至第7圖被詳細地描述。
第2圖至第5圖是表示根據例示性實施例製造顯示面板的方法的示意性橫截面圖。第6圖是根據例示性實施例按照玻璃狀聚矽氧(glassy silicone)與聚醯亞胺矽烷的比例測定附著力所得到的圖表。第7圖是根據第2圖至第5圖的例示性實施例形成於薄膜基板100上的顯示面板的佈局圖。
如第2圖中所示，製備支撐基板500，而釋放層10被形成於支撐基板500上（S100）。
支撐基板500可以由玻璃基板所形成。支撐基板用於支撐將形成的薄膜基板並預防此種薄膜基板因為其細小的厚度而被彎曲。
釋放層10用於將支撐基板500與薄膜基板分離。釋放層10可以通過塗布溶液過程，及然後進行固化而形成。
釋放層10通過塗布溶液而被形成，其中溶液係以大約8：大約2至大約98：大約2的重量比混合矽氧烷與聚醯亞胺矽烷。
矽氧烷包含氧及矽，並且可以包含，例如，玻璃狀聚矽氧。
參照第6圖，當玻璃狀聚矽氧及聚醯亞胺矽烷以少於8:2的量混合時，薄膜基板100與支撐基板500之間的附著力大於87gf/cm，且因此無法輕易分離母基板及PI基板。當玻璃狀聚矽氧及聚醯亞胺矽烷以多於98:2的量混合時，附著力少於0.5gf/cm，所以支撐基板500及薄膜基板100可能於處理期間分離。
釋放層10以大約100Å到大約10,000Å的厚度形成。當釋放層10的厚度少於100Å時，無法輕易進行分離，及當厚度大於10,000Å時，生產率會降低。因此，釋放層10以大約100Å到10000Å的厚度範圍形成。
除了玻璃狀聚矽氧及聚醯亞胺矽烷之外，溶液還包含溶劑。例如，溶劑可以包含PGMEA（丙二醇單甲醚醋酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate））、PGME（丙二醇甲醚（propylene glycol monomethyl ether））、MMP（3-甲氧基丙酸甲酯（methyl beta methoxypropionate））、或EEP（乙氧基丙酸乙酯（ethyl ethoxylpropionate））。
然後，如於第3圖中所示，薄膜基板100形成於釋放層10及支撐基板500上。
於這種情況下，薄膜基板100與釋放層10及支撐基板500相接觸。支撐基板500與薄膜基板100之間的附著力比釋放層10與薄膜基板100之間的附著力強。支撐基板500與薄膜基板100之間的附著力使得於製造顯示面板的過程中薄膜基板100不會分離。
薄膜基板100可以包含由聚合物材料所形成的可撓性聚合物基板或可撓性超薄膜玻璃基板。
可撓性超薄膜玻璃基板具有大約50μm至大約200μm的厚度。當進行後續處理時，薄膜基板100被支撐於支撐基板500上。
薄膜基板100，如於第7圖中所示，可以為其中同時地形成包含像素的複數個顯示基板300，如有機發光顯示面板或液晶顯示面板的母基板。於這種情況下，顯示面板300以複數的方式形成於母基板上，並接著分離成個別的顯示面板。於這種情況下，當釋放層10形成於整個面板上時，可能發生基板剝離現象。因此，釋放層10只形成於顯示面板300形成的區域中。
因此，複數個釋放層以與將形成於母基板上的顯示面板相同的數目形成。釋放層10可以於支撐基板500上形成矩陣。顯示面板形成於釋放層10的邊界線上。
當薄膜基板100為聚合物基板時，薄膜基板100可以藉由於釋放層上塗布液體聚合物材料並然後將液體聚合物材料熱固化的方法而形成。
聚合物基板可以藉由如旋轉塗布或噴嘴列印的方式塗布。如果需要的話，可以重複進行塗布及固化處理，而緩衝層如氧化矽或氮化矽可以進一步形成於聚合物基板之間。
可以使用聚醯亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)、聚醚碸(polyethersulfone)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)及聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)作為聚合物材料。於聚合物材料之中，聚醯亞胺可使用於450℃的高溫處理溫度。所以當製造薄膜電晶體時，薄膜電晶體的性質的減低可以被最小化。
然後，如於第4圖中所示，複數個像素120形成於薄膜基板100上。複數個像素120被佈置為如第8圖中所示的矩陣。
第8圖是根據例示性實施例的有機發光顯示面板的佈局圖。
參照於第8圖，有機發光顯示面板包含形成於薄膜基板100上的顯示單元PA及的驅動單元PB。顯示單元PA包含複數個像素120，而驅動單元PB包含連接到複數個像素120的驅動電路。
顯示單元PA進一步包含於第一方向上延伸的第一訊號線121以傳送掃描訊號到相對的像素120。顯示單元PA進一步包含與第一訊號線121相交的第二訊號線171以傳送影像訊號到相對的像素。每個像素120連接到第一訊號線121及第二訊號線171以顯示圖像。顯示單元PA可以進一步包含不同的訊號線以提供其他訊號到相對的像素120。
顯示圖像的每個像素120包含嚮應來自第一訊號線121及第二訊號線171的掃描訊號及影像訊號而操作的薄膜電晶體及有機發光二極體。
有機發光二極體由驅動單元所控制，並根據驅動訊號發光以顯示圖像。
驅動單元PB包含連接到第一訊號線121或第二訊號線171的驅動器400以傳送外部訊號。驅動器400可以作為IC芯片被安裝於薄膜基板上，或與顯示單元的薄膜電晶體一起整合於薄膜基板上。
參照於第9圖，有機發光顯示面板的像素將被更具體地描述。
第9圖是根據例示性實施例的有機發光基板的像素電路。
如於第9圖中所示，根據例示性實施例的顯示面板包含複數條訊號線121、171及172以及連接至其並以矩陣形式佈置的複數個像素120。
第一訊號線121可以為傳送閘極訊號（或掃描訊號）的閘極線，第二訊號線171可以為傳送數據訊號（或影像訊號）的數據線，而第三訊號線172可以為傳送驅動電壓的驅動電壓線。
第一訊號線121互相平行地延伸於第一方向上，與第二訊號線171及第三訊號線172相交。
每個像素120包含開關薄膜電晶體Qs、驅動薄膜電晶體Qd、儲存電容器Cst以及有機發光二極體（OLED）70。
開關薄膜電晶體Qs具有控制端、輸入端及輸出端。控制端連接到第一訊號線121、輸入端連接到第二訊號線171及輸出端連接到驅動薄膜電晶體Qd。開關薄膜電晶體Qs嚮應施加至第一訊號線121的掃描訊號以傳送施加於第二訊號線171的數據信號以驅動薄膜電晶體Qd。
此外，驅動薄膜電晶體Qd具有控制端、輸入端及輸出端。控制端連接到開關薄膜電晶體Qs、輸入端連接到第三訊號線172及輸出端連接到有機發光二極體70。驅動薄膜電晶體Qd供應輸出電流Id到有機發光二極體70。輸出電流Id的大小可以根據施加於驅動薄膜電晶體Qd的控制端與輸出端之間的電壓而改變。
電容器Cst連接於驅動薄膜電晶體Qd的控制端與輸入端之間。電容器Cst進一步連接到開關薄膜電晶體Qs的輸出端。電容器Cst充入施加到驅動薄膜電晶體Qd的控制端的數據訊號並即使於開關薄膜電晶體Qs被關閉之後仍保持該數據訊號。
有機發光二極體70具有連接到驅動薄膜電晶體Qd的輸出端的陽極以及連接到共同電壓的陰極。有機發光二極體70發出其強度根據驅動薄膜電晶體Qd的輸出電流Id而被變的光以顯示影像。
此外，薄膜電晶體Qs及Qd、電容器Cst及有機發光二極體OLED的連接關係可以如於第10圖中所示地改變，但是並不受限於此。
第10圖是根據例示性實施例的有機發光顯示面板的像素電路。
如於第10圖中所示，根據例示性實施例的有機發光顯示面板的一個像素120包含複數條訊號線121、122、123、124、171及172，及複數個薄膜電晶體T1、T2、T3、T4 、T5及T6、儲存電容器Cst以及連接到複數條訊號線的有機發光二極體70。
電晶體包含驅動電晶體（驅動薄膜電晶體）、開關電晶體（開關薄膜電晶體）、補償電晶體、初始化電晶體、操作控制電晶體以及發光控制電晶體。
於下文中，為了方便描述，驅動電晶體被稱為第一電晶體T1，開關電晶體被稱為第二電晶體T2，補償電晶體被稱為第三電晶體T3，初始化電晶體被稱為第四電晶體T4，操作控制電晶體被稱為第五電晶體T5以及發光控制電晶體被稱為第六電晶體T6。
訊號線包含傳送掃描訊號Sn到第三電晶體T3的閘極線121，傳送先前掃描訊號Sn-1到第四電晶體T4的先前閘極線122，傳送發光控制訊號En到第五薄膜電晶體T5及第六薄膜電晶體T6的發光控制線123，與閘極線121相交並傳送數據訊號Dm到第二電晶體T2的數據線171，傳送驅動電壓ELVdd及幾乎與數據線171平行地形成的驅動電壓線172，以及傳送將第一電晶體T1初始化的初始化電壓Vint的初始化電壓線124。
第一電晶體T1的第一閘極電極G1連接到儲存電容器Cst的一端Cst1，其第一源極電極S1通過第五電晶體T5連接到驅動電壓線172，以及其第一汲極電極D1通過第六電晶體T6電連接到有機發光二極體70的陽極。第一電晶體T1根據第二電晶體T2的開關操作接收數據訊號Dm以供應驅動電流Id到有機發光二極體70。
第二電晶體T2的第二閘極電極G2連接到閘極線121，其第二源極電極S2連接到數據線171，以及第二汲極電極D2通過第五電晶體T5連接到第一電晶體T1的第一源極電極S1及驅動電壓線172。第二電晶體T2根據通過閘極線121所傳送的掃描訊號Sn而被開啟以進行將被傳送到數據線171的數據訊號Dm傳送到第一電晶體T1的第一源極電極S1的開關操作。
第三電晶體T3的第三閘極電極G3連接到閘極線121及第三源極電極S3通過第六電晶體T6連接到第一電晶體T1的第一汲極電極D1以及有機發光二極體70的陽極。第三汲極電極D3一起連接到儲存電容器Cst的一端Cst1、第四電晶體T4的第四汲極電極D4及第一電晶體T1的第一閘極電極G1。第三電晶體T3根據通過閘極線121所傳送的掃描訊號Sn而被開啟以將第一電晶體T1的第一閘極電極G1與第一汲極電極D1互相連接，從而形成第一電晶體T1的二極體連接。
第四電晶體T4的第四閘極電極G4連接到先前閘極線122，其第四源極電極S4連接到初始化電壓線124，而其第四汲極電極D4一起連接到儲存電容器Cst的一端Cst1、第三電晶體T3的第三汲極電極D3及第一電晶體T1的第一閘極電極G1。第四電晶體T4根據通過先前閘極線122所傳送的先前掃描訊號Sn-1而被開啟以傳送初始化電壓Vint到第一電晶體T1的第一閘極電極G1，因此進行將第一電晶體T1的第一閘極電極G1的電壓初始化到初始化電壓Vint的初始化操作。
第五電晶體T5的第五閘極電極G5連接到發光控制線123，第五電晶體T5的第五源極電極S5連接到驅動電壓線172，以及第五電晶體T5的第五汲極電極D5連接到第一電晶體T1的第一源極電極S1及第二電晶體T2的第二汲極電極D2。
第六電晶體T6的第六閘極電極G6連接到發光控制線123，第六電晶體T6的第六源極電極S6連接到第一電晶體T1的第一汲極電極D1及第三電晶體T3的第三源極電極S3，以及第六電晶體T6的第六汲極電極D6電連接到有機發光二極體70的陽極。第五電晶體T5及第六電晶體T6根據通過發光控制線123所傳送的發光控制訊號En而被同時開啟以傳送驅動電壓ELVdd到有機發光二極體70，從而容許驅動電流Id流過有機發光二極體70。
儲存電容器Cst的另一端Cst2連接到驅動電壓線172，而有機發光二極體70的陰極連接到共同電壓ELVSS。因此，有機發光二極體70從第一電晶體T1接收驅動電流Id以發光，從而顯示圖像。
第一電晶體T1根據掃描訊號Sn充入對應於儲存電容器Cst中之數據訊號Dm的電壓，並提供對應於充入儲存電容器Cst中之電壓的電流到有機發光二極體70。於這種情況下，第一電晶體T1的閾值電壓，可以隨時間的過去而改變。因此，第三電晶體T3根據掃描訊號Sn，藉由二極體結構連接到第一電晶體T1以補償閾值電壓Vth。
於下文中，第10圖的像素電路的操作將被詳細描述。
首先，於初始化週期期間具有低電平(level)的先前掃描訊號Sn-1通過先前閘極線122被供應。第四電晶體T4嚮應先前掃描訊號而被開啟且初始化電壓Vint從初始化電壓線124通過第四電晶體T4被供應到第一電晶體T1的第一閘極電極。第一電晶體T1的第一閘極電極以初始化電壓Vint初始化。
之後，於數據編程週期期間具有低電平的掃描訊號Sn通過閘極線121供應。第二電晶體T2及第三電晶體T3嚮應掃描訊號Sn而被開啟。第一電晶體T1藉由開啟的第三電晶體T3被二極體連接，並且於正向偏壓。
然後，補償電壓Dm+Vth被施加到第一電晶體T1的第一閘極電極以避免橫越驅動電晶體T1的閾值電壓降。Vth為驅動電晶體T1的閾值電壓並具有負電壓。
驅動電壓ELVdd及補償電壓Dm+Vth被施加到儲存電容器Cst的兩端。驅動電壓ELVdd與補償電壓Dm+Vth的電壓差被儲存於儲存電容器Cst中。之後，於發光週期期間從發光控制線123提供的發光控制訊號En的電平從高電平變為低電平。然後，第五電晶體T5及第六電晶體T6於發光週期期間藉由具有低電平的發光控制訊號En開啟。
然後，驅動電流Id對應於第一電晶體T1的第一閘極電極G1的電壓與驅動電壓ELVdd間的電壓差。驅動電流Id通過第六電晶體T6供應到有機發光二極體70。第一電晶體T1的閘極-源極電壓Vgs於發光週期期間藉由儲存電容器Cst維持於 “(Dm+Vth)-ELVdd”。根據第一電晶體T1的電流-電壓關係，驅動電流Id與從源極-閘極電壓減去閾值電壓所獲得的值的平方成正比，也就是“(Dm-ELVdd)2 ”。因此，驅動電流Id被決定而無關於驅動電晶體T1的閾值電壓Vth。
現在，於第10圖中的像素電路的物理結構將參照第11圖而被描述。
參照第11圖，將描述驅動電晶體T1。包含開關電晶體T2的其它電晶體可以包括與驅動電晶體T1的橫截面結構實質上類似之橫截面結構。
像素電路的物理結構包含位於薄膜基板100上的緩衝層125及位於緩衝層125上的半導體135。
緩衝層125可以由具有氧化矽（SiOx ）或氮化矽（SiNx）的單層所形成。可選地，緩衝層125可以包含層疊氮化矽（SiNx）及氧化矽（SiOx ）的複數層。緩衝層125用以阻擋不必要的成分，如來自基板100的雜質或水份，並為後續的處理提供平坦的表面。
半導體135可以由多晶矽所形成。半導體135形成於緩衝層125上。半導體135可以具有大約450Å或更大的厚度。
半導體135劃分成通道區1355，以及形成於通道區1355的兩相對邊上的源極區1356與汲極區1357。半導體135的通道區1355為未摻有雜質的多晶矽，也就是，本質半導體。半導體135的源極區1356與汲極區1357為摻有導電雜質的多晶矽。
雜質可以包括p型雜質或n型雜質。
閘極絕緣層140形成於半導體135上。閘極絕緣層140可以為包含四乙氧矽烷（TEOS）、氮化矽及氧化矽的至少一種的單層或複數層。
閘極電極155形成於閘極絕緣層140上。
閘極電極155可以由單層所形成。可選地，閘極電極155可以包括低電阻材料的複數層，如Al、Ti、Mo、Cu、Ni或其合金，或者具有強抗腐蝕性的材料。例如，閘極電極可以由Ti/Cu/Ti、 Ti/Ag/Ti或Mo/Al/Mo的三層所形成。
第一夾層絕緣層160形成於閘極電極155上。
第一夾層絕緣層160可以由四乙氧矽烷（TEOS）、氮化矽或氧化矽的單層或複數層所形成。氧化矽可以與閘極絕緣層140的材料類似。
源極電極176及汲極電極177形成於第一夾層絕緣層160上。源極電極176及汲極電極177分別通過接觸孔166及167連接到源極區1356及汲極區1357。
源極電極176及汲極電極177可以由低電阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni或其合金，或者具有強抗腐蝕性的材料的單層或複數層所形成。例如，源極電極及汲極電極可以為Ti/Cu/Ti、 Ti/Ag/Ti或Mo/Al/Mo的三層。
薄膜電晶體（TFT）包含閘極電極155、源極電極176、汲極電極177及半導體135。薄膜電晶體的通道形成於源極電極176與汲極電極177之間的半導體135中。
第二夾層絕緣層180形成於源極電極176及汲極電極177上。
第二夾層絕緣層180可以由四乙氧矽烷（TEOS）、氮化矽或氧化矽的單層或複數層所形成。氧化矽可以與第一夾層絕緣層的材料類似。
第一電極710形成於第二夾層絕緣層180上。第一電極710可以為第9圖的有機發光二極體的陽極電極。
汲極電極177及第一電極710通過接觸孔167及85連接，而第二夾層絕緣層180插置於其間。然而，汲極電極177與第一電極710是可以一體成形的。
具有第一電極710通過其暴露的開口195的像素定義層190形成於第二夾層絕緣層180上。
像素定義層190可以形成以包含樹脂，如聚丙烯酸酯或聚醯亞胺，及二氧化矽類的無機材料。
有機發光層720形成於開口195的第一電極710上。
有機發光層720可以由低分子有機材料或高分子有機材料如PEDOT（聚(3,4-乙烯二氧基噻吩) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene))）所形成。此外，有機發光層720可以由包含電洞注入層（HIL）、電洞傳輸層（HTL）、電子傳輸層（ETL）、電子注入層（EIL）、或發光層的多層所形成。當有機發光層720包含所有層時，電洞注入層（HIL）設置於作為陽極的第一電極710上，而電洞傳輸層（HTL）、發光層、電子傳輸層（ETL），及電子注入層（EIL）依序層疊於其上。
於有機發光層720中，紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層可以分別地層疊於紅色像素、綠色像素及藍色像素中，而對於每個像素可以形成紅色濾色器、綠色濾色器及藍色濾色器以實現彩色圖像。作為另一個例子，發出具有白色的光的白色有機發光層可以形成於所有紅色像素、綠色像素及藍色像素中，並且對於每個像素可以形成紅色濾色器、綠色濾色器及藍色濾色器以實現彩色圖像。
於有機發光層720中，紅色像素、藍色像素及綠色像素的層疊結構彼此實質上相同。因此，可以用單一沉積遮罩以沉積有機發光層於包括紅色像素、綠色像素及藍色像素的每個像素上。
白色有機發光層可以由一層有機發光層或複數層有機發光層所形成以發出具有白色的光。例如，白色有機發光層可以包含至少一層黃色有機發光層及至少一層藍色有機發光層以發出具有白色的光。可選地，白色有機發光層可以包含至少一層青色有機發光層及至少一層紅色有機發光層以發出具有白色的光。可選地，白色有機發光層可以包含至少一層洋紅色有機發光層及至少一層綠色有機發光層以發出具有白色的光。
現在，製造有機發光顯示面板的方法將參照第11圖至第16圖而被描述。
第12圖至第16圖是表示根據例示性實施例製造一個有機發光顯示面板的一個像素的方法的橫截面圖。
首先，如於第12圖中所示，緩衝層125形成於薄膜基板100上。緩衝層125可以由氮化矽或氧化矽所形成。
於非晶矽膜形成於緩衝層125上後，進行脫氫處理。
脫氫處理程序減低包含於非晶矽膜中的氫氣含量以防止於後續處理期間由於氫氣所導致的薄膜破裂現象。脫氫處理以大約450℃的溫度進行大約1小時。
之後，非晶矽膜藉由準分子雷射退火（ELA）處理結晶化以形成多晶矽膜。
隨後，多晶矽膜被圖案化以形成半導體135。
然後，如於第13圖中所示，閘極絕緣層140形成於半導體135上。閘極絕緣層140可以由氮化矽或氧化矽所形成。
此外，金屬膜層疊於閘極絕緣層140上並隨之被圖案化以形成閘極電極155。
導電雜質藉由利用閘極電極155作為遮罩摻雜於半導體135上以形成源極區1356、汲極區1357及通道區1355。導電雜質可以為P型半導體材料如銦（In）、鋁（Al）、硼（B）及鎵（Ga），或N型半導體材料如磷（P）、砷（As）及銻（Sb）。
之後，活化處理於大約450℃的溫度下進行大約1小時以將導電雜質活化。
然後，如於第14圖中所示，於第一夾層絕緣層160形成於閘極電極155上之後，形成接觸孔166及167以暴露源極區及汲極區。
然後，如於第15圖中所示，金屬膜形成於第一夾層絕緣層160上並且隨之被圖案化以形成通過接觸孔166及167連接到源極區及汲極區的源極電極176及汲極電極177。
之後，熱處理於大約350℃下進行大約30分鐘。於這種情況下，由於夾層絕緣層的氫氣，於多晶矽膜上進行氫氣鈍化處理。
然後，如於第16圖中所示，第二夾層絕緣層180形成於源極電極及汲極電極上，而ITO/Ag/ITO沉積於第二夾層絕緣層上並隨之被圖案化以形成第一電極710。
此外，具有第一電極710通過其暴露的開口195的像素定義層190形成於第一電極710上。
然後，如於第11圖中所示，有機發光層720形成於開口195中，而第二電極730形成於有機發光層720上。
如於第4圖中所示，封裝構件130形成於像素上。第4圖表示包含作為一層的像素120的有機發光顯示面板。
封裝構件130可以由複數層所形成，並且可以包含無機膜及有機膜的至少一種。無機膜及有機膜可以交替地、重複地層疊。無機膜可以包含氧化鋁或氧化矽。有機膜可以包含環氧樹脂、丙烯酸酯、或氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)。
無機膜防止外部的水分及氧氣滲透入發光元件。有機膜用作減低無機膜的內部壓力或填補無機膜的細微裂縫及/或小孔。無機膜及有機膜並不限於此，並且可以使用不同種類的無機膜及有機膜。
封裝構件130覆蓋像素120以防止有機發光二極體被暴露於外。
阻隔膜（未被表示）可以位於包含像素120的有機發光基板200與薄膜基板100之間。阻隔膜阻隔不必要的成分如水分或氧氣從外部流入到像素120中。阻隔膜可以包含有機膜及無機膜的至少一種，並且有機膜及無機膜可以交替地、重複地層疊。
之後，如於第5圖中所示，封裝構件及薄膜基板藉由利用雷射或機輪劃片處理切割。包含薄膜基板100的顯示面板300與支撐基板500分離。同時，如於第7圖中所示，當複數層釋放層形成於薄膜基板上時，分離複數個顯示面板。
於這種情況下，設置於支撐基板上的區域K的薄膜基板被牢固地結合到支撐基板500上。因此，沿釋放層10插置於薄膜基板100與支撐基板500之間的區域的周長而進行切割。例如，沿第4圖中的X進行切割。
於不將雷射照射於薄膜基板100上以分離支撐基板500與薄膜基板100的情況下，薄膜基板100可以與支撐基板500分離。
釋放層10只形成於對應於顯示面板的部分上。例如，釋放層10不形成於相鄰的顯示面板之間。以此方式，薄膜基板100及支撐基板500於不形成釋放層的部分上互相接觸，從而薄膜基板100及支撐基板500被牢固地互相結合。
薄膜基板100及支撐基板500即使於​​高溫處理期間也不會分離。形成像素的薄膜電晶體的過程可以包括數次至少300℃或以上的高溫處理，如脫氫處理、導電雜質活化處理及結晶處理。於此種高溫處理下薄膜基板100不會與支撐基板500分離。
因此，可以製造顯示面板而無處理期間薄膜基板及支撐基板的剝離，並且當每個顯示面板分離時，釋放層會位於顯示面板之下。所以，顯示面板的支撐基板500及薄膜基板100可以被輕易地分離。
根據例示性實施例，薄膜基板100及支撐基板500的分離可以不使用雷射剝蝕處理地互相分離。所以，根據例示性實施例的分離方法可以避免雷射剝蝕導致之薄膜基板100中的透明度的降低。
雖然發明已經參照於其例示性實施例被展示及描述，對於本領域中那些普通技術人員將顯而易見的是，於不背離如以下專利申請範圍所定義的本發明的精神及範圍下，可以對其作出形式及細節上的各種改變。
10‧‧‧釋放層
70‧‧‧有機發光二極體
85、166、167‧‧‧接觸孔
100‧‧‧薄膜基板
120‧‧‧像素
121‧‧‧第一訊號線
122‧‧‧先前閘極線
123‧‧‧發光控制線
124‧‧‧初始化電壓線
125‧‧‧緩衝層
130‧‧‧封裝構件
135‧‧‧半導體
1355‧‧‧通道區
1356‧‧‧源極區
1357‧‧‧汲極區
140‧‧‧閘極絕緣層
155、G1-G6‧‧‧閘極電極
160‧‧‧第一夾層絕緣層
171‧‧‧第二訊號線
172‧‧‧第三訊號線
176、S1-S6‧‧‧源極電極
177、 D1-D6‧‧‧汲極電極
180‧‧‧第二夾層絕緣層
190‧‧‧像素定義層
195‧‧‧開口
200‧‧‧有機發光基板
300‧‧‧顯示基板
400‧‧‧驅動器
500‧‧‧支撐基板
710‧‧‧第一電極
720‧‧‧有機發光層
730‧‧‧第二電極
Cst‧‧‧儲存電容器
Cst1、Cst2‧‧‧儲存電容器端
Dm‧‧‧數據訊號
ELVdd‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共同電壓
En‧‧‧發光控制訊號
Id‧‧‧驅動電流
K‧‧‧區域
PA‧‧‧顯示單元
PB‧‧‧驅動單元
Qd‧‧‧驅動薄膜電晶體
Qs‧‧‧開關薄膜電晶體
S100、S102、S104、S106、S108‧‧‧步驟
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧先前掃描訊號
T1-T6‧‧‧薄膜電晶體
Vint‧‧‧初始化電壓
本發明的這些及其它特點將通過參照附圖詳細地描述其例示性實施例而變得更加清晰，其中：
第1圖是表示根據本發明的例示性實施例製造顯示裝置的方法的流程圖。
第2圖至第5圖是表示根據本發明的例示性實施例製造顯示面板的方法的橫截面圖。
第6圖是表示根據本發明的例示性實施例的釋放層的附著力的圖表。
第7圖是根據本發明的例示性實施例的被形成於母基板上的顯示面板的佈局圖。
第8圖是根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示面板的佈局圖。
第9圖是根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示面板的像素電路。
第10圖是根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示面板的像素電路。
第11圖是根據本發明的例示性實施例的第9圖的有機發光顯示面板的一個像素的橫截面圖。
第12圖至第16圖是表示根據本發明的例示性實施例製造有機發光顯示面板的一個像素的方法的橫截面圖。
S100、S102、S104、S106、S108‧‧‧步驟

Claims (10)

  1. 一種製造一顯示面板之方法，其包含： 形成一釋放層於一支撐基板上； 形成一薄膜基板於該釋放層及該支撐基板上； 形成一像素及一封裝構件於該薄膜基板的一部分上，該薄膜基板的該部分與該釋放層重疊；以及 分離該支撐基板與該薄膜基板的該部分， 其中該釋放層包括矽氧烷及聚醯亞胺矽烷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中矽氧烷與聚醯亞胺矽烷以大約8：大約2至大約98：大約2的重量比混合。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中矽氧烷包括玻璃狀聚矽氧。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該像素的形成包括： 形成一非晶矽膜於該薄膜基板上； 藉由將該非晶矽膜結晶化而形成一多晶矽膜； 藉由將該多晶矽膜圖案化而形成一半導體； 形成一閘極絕緣層於該半導體上； 形成一閘極電極於該閘極絕緣層上； 藉由利用該閘極電極作為一遮罩而將一導電雜質摻雜該半導體以形成一源極區及一汲極區； 形成一夾層絕緣層於該閘極電極上，該夾層絕緣層具有暴露該源極區及該汲極區的複數個接觸孔；以及 分別地形成通過該複數個接觸孔連接到該源極區及該汲極區的一源極電極及一汲極電極於該夾層絕緣層上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該源極區及該汲極區的形成包括活化該導電雜質， 其中該導電雜質的活化於大約300℃或更大的溫度下進行。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該導電雜質的活化於大約450℃的溫度下進行大約1小時。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該像素的形成進一步包括形成連接到該汲極電極的一有機發光二極體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該薄膜基板與該釋放層及該支撐基板相接觸，其中該薄膜基板與該支撐基板之間的附著力大於該薄膜基板與該釋放層之間的附著力。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該薄膜基板的該部分由其中該釋放層插置於該薄膜基板與該支撐基板之間的一區域的一周長所定義，其中該薄膜基板的該部分的分離藉由沿著該周長切割該薄膜基板的該部分而進行。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該薄膜基板包含一聚合物基板及一超薄膜玻璃基板的至少一種，該聚合物基板包含聚醯亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)、聚醚碸(polyethersulfone)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)及聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)的至少一種。
TW103125761A 2013-09-10 2014-07-29 製造顯示面板之方法 TW201513318A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130108622A KR20150029429A (ko) 2013-09-10 2013-09-10 표시 패널 및 그의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201513318A true TW201513318A (zh) 2015-04-01

Family

ID=51582234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103125761A TW201513318A (zh) 2013-09-10 2014-07-29 製造顯示面板之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20150072454A1 (zh)
EP (1) EP2849241A1 (zh)
JP (1) JP2015056664A (zh)
KR (1) KR20150029429A (zh)
CN (1) CN104425773A (zh)
TW (1) TW201513318A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10211239B2 (en) 2016-08-05 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102087647B1 (ko) * 2012-09-27 2020-03-11 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 표시 장치의 제조 방법
KR101773651B1 (ko) * 2013-04-09 2017-08-31 주식회사 엘지화학 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
EP3053874B1 (en) * 2015-02-04 2017-11-22 LG Electronics Inc. Light conversion member, and backlight unit and display device including the same
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
US10334738B2 (en) * 2016-08-04 2019-06-25 Taimide Technology Incorporation Flexible substrate assembly and its application for fabricating flexible printed circuits
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
CN106159089B (zh) * 2016-08-22 2019-07-23 达迈科技股份有限公司 可离型的软性基板及其制造方法
CN106374055B (zh) * 2016-10-19 2019-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法
CN106444130A (zh) 2016-12-26 2017-02-22 武汉华星光电技术有限公司 显示面板的制造方法
CN106773207B (zh) * 2016-12-26 2020-01-17 武汉华星光电技术有限公司 显示面板的制造方法
KR102401414B1 (ko) 2017-10-31 2022-05-23 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107731887B (zh) * 2017-11-22 2020-05-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板的制备方法
KR102593533B1 (ko) * 2018-02-28 2023-10-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102618347B1 (ko) * 2018-08-07 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 커팅 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102633169B1 (ko) * 2018-09-10 2024-02-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR102696647B1 (ko) * 2018-11-09 2024-08-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2019071306A (ja) * 2019-02-18 2019-05-09 パイオニア株式会社 発光装置
CN110767730A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3621151B2 (ja) * 1994-06-02 2005-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20020003403A1 (en) * 2000-04-25 2002-01-10 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
JP4219660B2 (ja) * 2002-11-18 2009-02-04 信越化学工業株式会社 ウエハダイシング・ダイボンドシート
TWI321241B (en) * 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
RU2464647C1 (ru) * 2008-11-26 2012-10-20 Шарп Кабусики Кайся Устройство отображения
TWI421809B (zh) * 2009-04-17 2014-01-01 Ind Tech Res Inst 可撓曲基板自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的製造方法
TWI439976B (zh) * 2009-04-17 2014-06-01 Ind Tech Res Inst 可撓曲膜自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的製造方法
US20110291544A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate, package of organic electro-luminenscent device and packaging method thereof
CN102651331A (zh) * 2011-06-14 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 基板托盘及柔性电子器件制造方法
CN103384447B (zh) * 2013-06-26 2016-06-29 友达光电股份有限公司 软性电子装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10211239B2 (en) 2016-08-05 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US20150072454A1 (en) 2015-03-12
EP2849241A1 (en) 2015-03-18
CN104425773A (zh) 2015-03-18
JP2015056664A (ja) 2015-03-23
KR20150029429A (ko) 2015-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201513318A (zh) 製造顯示面板之方法
KR102417807B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105552083B (zh) 薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置
KR102430877B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102199359B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102420115B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI540619B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR102349283B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판, 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102426691B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102352182B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180040765A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102240760B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160041154A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판, 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102351507B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102377531B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120063746A (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
TW201624681A (zh) 薄膜電晶體陣列基板及包含薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置
KR20160022438A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160017321A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102527218B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10068989B2 (en) Substrate for display device, display device including the substrate, and method of manufacturing the display device
US9224988B2 (en) Method for manufacturing display device
KR20150092814A (ko) 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR20150081869A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210042880A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법