CN105469985A - 陶瓷电子部件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种陶瓷电子部件及其制造方法,不易产生内部电极的层离。陶瓷电子部件(1)具备电子部件主体(10)和内部电极(11)。电子部件主体(10)由陶瓷构成。内部电极(11)配置在电子部件主体(10)内。内部电极(11)具有在厚度方向上贯穿内部电极(11)的贯穿孔(21a、21b)。陶瓷电子部件(1)还具备陶瓷柱(31a、31b)。陶瓷柱(31a、31b)配置在贯穿孔(21a、21b)内。陶瓷柱(31a、31b)将内部电极(11)的一侧的陶瓷与另一侧的陶瓷进行连接。陶瓷柱(31a、31b)在内部电极(11)的位于电子部件主体(10)内的端部中所占的面积比例,高于陶瓷柱(31a、31b)在内部电极(11)的中央部中所占的面积比例。

Description

陶瓷电子部件及其制造方法
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件及其制造方法。
背景技术
以往,在各种电子设备中搭载有很多层叠陶瓷电容器等陶瓷电子部件。在专利文献1中,记载有将内部电极层与电介质陶瓷层交替进行层叠的层叠陶瓷电容器。在专利文献1记载的层叠陶瓷电容器中,设置有贯穿内部电极层的共用材料陶瓷。利用该共用材料陶瓷,抑制内部电极层与电介质陶瓷层之间的层离(delamination)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-77761号公报
发明内容
例如,在车载电子设备中搭载的陶瓷电子部件等、在苛刻的环境下使用的陶瓷电子部件中,需要更加有效地抑制内部电极的层离的发生。
本发明的主要目的在于提供一种不易产生内部电极的层离的陶瓷电子部件。
本发明所涉及的陶瓷电子部件具备电子部件主体和内部电极。电子部件主体由陶瓷构成。内部电极配置在电子部件主体内。内部电极具有在厚度方向上贯穿内部电极的贯穿孔,本发明所涉及的陶瓷电子部件还具备陶瓷柱。陶瓷柱配置在贯穿孔内。陶瓷柱将内部电极的一侧的陶瓷与另一侧的陶瓷进行连接。陶瓷柱在内部电极的位于电子部件主体内的端部中所占的面积比例,高于陶瓷柱在内部电极的中央部中所占的面积比例。
在本发明所涉及的陶瓷电子部件中,电子部件主体可以具有:第1及第2主面,沿第1方向和相对于第1方向垂直的第2方向延伸;第1及第2侧面,沿相对于第1及第2方向分别垂直的第3方向和第1方向延伸;以及第3及第4侧面,沿第2方向和第3方向延伸。内部电极可以在第1侧面露出,但在第2~第4侧面分别不露出,在此情况下,陶瓷柱在内部电极的第1方向上的第2侧面侧的端部中所占的面积比例,高于陶瓷柱在内部电极的中央部中所占的面积比例。
在本发明所涉及的陶瓷电子部件中,电子部件主体可以具有:第1及第2主面,沿第1方向和相对于第1方向垂直的第2方向延伸;第1及第2侧面,沿相对于第1及第2方向分别垂直的第3方向和第1方向延伸;以及第3及第4侧面,沿第2方向和第3方向延伸。内部电极可以在第1侧面露出,但在第2~第4侧面分别不露出,在此情况下,陶瓷柱在内部电极的第2方向上的至少一方的端部中所占的面积比例,高于陶瓷柱在内部电极的中央部中所占的面积比例。
在本发明所涉及的陶瓷电子部件中,陶瓷柱在内部电极的第1方向上的第2侧面侧的端部中所占的面积比例,优选高于陶瓷柱在内部电极的第2方向上的至少一方的端部中所占的面积比例。
在本发明所涉及的陶瓷电子部件中,优选内部电极在第1~第4侧面均不露出,在从第3方向观察时为大致长方形,陶瓷柱在内部电极的短边方向的两侧的端部中所占的面积比例,高于陶瓷柱在内部电极的长边方向的两侧的端部中所占的面积比例。
在本发明所涉及的陶瓷电子部件中,优选陶瓷柱的横截面积为内部电极的厚度的平方的70倍以上。
在本发明所涉及的陶瓷电子部件中,优选陶瓷柱的横截面积为70μm2以上。
在本发明所涉及的陶瓷电子部件中,优选陶瓷柱包含与电子部件主体相同的陶瓷材料。
本发明所涉及的陶瓷电子部件还可以具备多个内部电极。在此情况下,在多个内部电极中的相邻内部电极中的一方设置的陶瓷柱与在另一方设置的陶瓷柱的位置可以相互不同。
本发明所涉及的陶瓷电子部件的第1制造方法关于制造上述本发明所涉及的陶瓷电子部件的方法。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的第1制造方法中,准备用于构成电子部件主体的陶瓷生片。在陶瓷生片上,形成具有贯穿孔,用于构成内部电极的导电性膏层。在贯穿孔中填充用于构成陶瓷柱的陶瓷膏。
本发明所涉及的陶瓷电子部件的第2制造方法关于制造上述本发明所涉及的陶瓷电子部件的方法。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的第2制造方法中,准备用于构成电子部件主体的陶瓷生片。在陶瓷生片上形成陶瓷柱。在陶瓷生片上,包含设置有陶瓷柱的区域在内,形成用于构成内部电极的导电性膏层,使得陶瓷柱的前端露出。
发明效果
根据本发明,能够提供一种不易产生内部电极的层离的陶瓷电子部件。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性立体图。
图2是沿图1的II-II线切割而得到的部分的示意性剖视图。
图3是沿图2的III-III线切割而得到的部分的示意性剖视图。
图4是沿图2的IV-IV线切割而得到的部分的示意性剖视图。
图5是第1变形例所涉及的陶瓷电子部件的示意性剖视图。
图6是第2变形例所涉及的陶瓷电子部件的示意性剖视图。
图7是用于说明第1制造方法的示意性剖视图。
图8是用于说明第1制造方法的示意性剖视图。
图9是用于说明第2制造方法的示意性剖视图。
图10是第2实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性剖视图。
图11是沿图10的XI-XI线切割而得到的部分的示意性剖视图。
图12是沿图10的XII-XII线切割而得到的部分的示意性剖视图。
具体实施方式
以下,说明实施本发明的优选方式的一个例子。但是,下述实施方式仅为例示。本发明不由下述实施方式进行任何限定。
另外,在实施方式等中进行参照的各附图中,实质上具有同一功能的部件通过同一标号进行参照。另外,在实施方式等中进行参照的附图是示意性地记载的图。图中描绘的物体的尺寸的比例等有时与现实物体的尺寸的比例等不同。在附图彼此之间,有时物体的尺寸比例等不同。具体物体的尺寸比例等应当参考下述说明进行判断。
图1是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性立体图。图2是沿图1的II-II线切割而得到的部分的示意性剖视图。
图1及图2所示的陶瓷电子部件1既可以是陶瓷电容器,也可以是压电部件、热敏电阻或电感器等。
陶瓷电子部件1具备长方体状的电子部件主体10。电子部件主体10具有第1及第2主面10a、10b、侧面10c、10d、以及侧面10e、10f(参照图2)。第1及第2主面10a、10b沿长度方向L以及宽度方向W延伸。侧面10c、10d沿厚度方向T以及长度方向L延伸。侧面10e、10f沿厚度方向T以及宽度方向W延伸。长度方向L、宽度方向W以及厚度方向T分别正交。
此外,在本发明中,设“长方体状”包含使角部、棱线部变圆的长方体。即,“长方体状”的部件意味着具有第1及第2主面、和4个侧面的全体部件。另外,也可以在主面、侧面的部分或全部中形成凹凸等。
电子部件主体10的尺寸不做特别限定。例如,电子部件主体10的厚度尺寸优选为1.7mm~2.2mm,长度尺寸优选为4.5mm~6.3mm,宽度尺寸优选为4.5mm~6.3mm。
电子部件主体10由与陶瓷电子部件1的功能相对应的适当的陶瓷构成。具体而言,在陶瓷电子部件1是电容器的情况下,能够利用电介质陶瓷形成电子部件主体10。作为电介质陶瓷的具体例子,例如可举出BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等。在电子部件主体10中,根据对陶瓷电子部件1要求的特性,例如也可以适当添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分。
在陶瓷电子部件1是压电部件的情况下,能够利用压电陶瓷形成电子部件主体。作为压电陶瓷的具体例子,例如可举出PZT(锆钛酸铅)系陶瓷等。
在陶瓷电子部件1例如是热敏电阻的情况下,能够利用半导体陶瓷形成电子部件主体。作为半导体陶瓷的具体例子,例如可举出尖晶石系陶瓷等。
在陶瓷电子部件1例如是电感器的情况下,能够利用磁性陶瓷形成电子部件主体。作为磁性陶瓷的具体例子,例如可举出铁氧体陶瓷等。
如图2所示,在电子部件主体10的内部,设置有内部电极。具体而言,在电子部件主体10的内部,设置有多个第1内部电极11和多个第2内部电极12。
第1内部电极11为矩形状。第1内部电极11与第1及第2主面10a、10b平行地设置。即,第1内部电极11沿长度方向L以及宽度方向W设置。第1内部电极11在侧面10e露出,在第1及第2主面10a、10b、侧面10c、10d、10f不露出。
第2内部电极12为矩形状。第2内部电极12与第1及第2主面10a、10b平行地设置。即,第2内部电极12沿长度方向L以及宽度方向W设置。由此,第2内部电极12与第1内部电极11相互平行。第2内部电极12在侧面10f露出,在第1及第2主面10a、10b、侧面10c、10d、10e不露出。
第1及第2内部电极11、12沿厚度方向T交替地设置。在厚度方向T上相邻的第1内部电极11与第2内部电极12经由陶瓷部10g对置。陶瓷部10g的厚度例如能够设为23μm~29μm左右。
第1及第2内部电极11、12能够利用适当的导电材料构成。第1及第2内部电极11、12例如能够利用从由Ni、Cu、Ag、Pd以及Au构成的组中选择的金属构成,或者能够利用合金构成,该合金是包含从由Ni、Cu、Ag、Pd以及Au构成的组中选择的一种以上金属的合金(例如Ag-Pd合金等)。
第1及第2内部电极11、12的厚度例如优选为0.9μm~1.0μm左右。
如图1及图2所示,陶瓷电子部件1具备第1及第2外部电极13、14。第1外部电极13在侧面10e上与第1内部电极11电连接。另一方面,第2外部电极14在侧面10f上与第2内部电极12电连接。第1及第2外部电极13、14例如能够利用Cu、Ni、Ag、Pd、Sn、Ag-Pd合金等构成。第1及第2外部电极13、14也可以分别利用多个导电层的层叠体构成。
如图3及图4所示,内部电极11、12具有在厚度方向上贯穿内部电极11、12的贯穿孔21a、21b、22a、22b。在贯穿孔21a、21b、22a、22b内,配置有陶瓷柱31a、31b、32a、32b。利用这些陶瓷柱31a、31b、32a、32b,位于内部电极11、12的厚度方向T上的一侧的陶瓷部10g与位于厚度方向T上的另一侧的陶瓷部10g进行连接。具体而言,陶瓷柱31a、31b位于第1内部电极11的电子部件主体10内,设置在不从电子部件主体10露出的端部。陶瓷柱32a、32b位于第2内部电极12的电子部件主体10内,设置在不从电子部件主体10露出的端部。更具体而言,陶瓷柱31a在第1内部电极11的侧面10f侧的端部,沿宽度方向W相互隔开间隔而设置有多个。陶瓷柱31b在第1内部电极11的侧面10c、10d侧的端部,沿长度方向L相互隔开间隔而设置有多个。陶瓷柱32a在第2内部电极12的侧面10e侧的端部,沿宽度方向W相互隔开间隔而设置有多个。陶瓷柱32b在第2内部电极12的侧面10c、10d侧的端部,沿长度方向L相互隔开间隔而设置有多个。在内部电极11、12的中央部,实质上不设置陶瓷柱。
此外,在本发明中,内部电极的端部意味着在长度方向以及宽度方向上分别对内部电极进行3等分而得到的9个区域中的、位于与侧边接触的位置的区域A1~A4、A6~A9,内部电极的中央部意味着上述9个区域中的位于中央的区域A5(参照图3)。
另外,内部电极11、12的层离容易从内部电极11、12的位于电子部件主体10内的端部发生。在此,在陶瓷电子部件1中,陶瓷柱31a、31b、32a、32b在内部电极11、12的位于电子部件主体10内的端部中所占的面积比例,高于陶瓷柱在内部电极11、12的中央部中所占的面积比例。因此,通过陶瓷柱31a、31b、32a、32b,有效地抑制了内部电极11、12的层离的发生。此外,能够在不增大陶瓷柱在内部电极11、12的中央部中所占的面积比例的状态下实现层离的抑制,因此在陶瓷电子部件是电容器的情况下,例如能够抑制电容降低的发生。
特别地,陶瓷柱31a在内部电极11的侧面10f侧的端部中所占的面积比例,优选高于陶瓷柱在内部电极11的中央部中的面积比例。在制造陶瓷电子部件1时的烧制工序中,内部电极11有时比陶瓷部10g更大幅地收缩。在此情况下,在内部电极11的侧面10f侧的端部的顶端容易产生空腔。该空腔容易成为层离的起点。通过在内部电极11的侧面10f侧的端部设置陶瓷柱31a,从而能够有效地抑制以该空腔为起点而产生的内部电极11的层离。从该观点出发,陶瓷柱31a在内部电极11的侧面10f侧的端部中所占的面积比例,优选高于陶瓷柱31b在内部电极11的侧面10c、10d侧的端部中所占的面积比例,更优选为陶瓷柱31b在内部电极11的侧面10c、10d侧的端部中所占的面积比例的2倍以上,进一步优选为3倍以上。
同样地,陶瓷柱32a在内部电极12的侧面10e侧的端部中所占的面积比例,优选高于陶瓷柱在内部电极12的中央部中所占的面积比例,陶瓷柱32a在内部电极12的侧面10e侧的端部中所占的面积比例,优选高于陶瓷柱32b在内部电极12的侧面10c、10d侧的端部中所占的面积比例,更优选为陶瓷柱32b在内部电极12的侧面10c、10d侧的端部中所占的面积比例的2倍以上,进一步优选为3倍以上。
从抑制内部电极11的、自内部电极11的宽度方向W上的端部起的层离的观点出发,陶瓷柱31b在内部电极11的宽度方向W上的至少一方的端部中的面积比例,优选高于陶瓷柱在内部电极11的中央部中的面积比例。
从抑制内部电极12的、自内部电极12的宽度方向W上的端部起的层离的观点出发,陶瓷柱32b在内部电极12的宽度方向W上的至少一方的端部中的面积比例,优选高于陶瓷柱在内部电极12的中央部中的面积比例。
另外,从更有效地抑制内部电极11、12的层离的观点出发,陶瓷柱31a、31b、32a、32b的横截面积进一步优选为内部电极11、12的厚度的平方的70倍以上,更加优选为100倍以上。陶瓷柱31a、31b、32a、32b的横截面积优选为70μm2以上。但是,如果陶瓷柱31a、31b、32a、32b的横截面积过大,则第1内部电极11与第2内部电极12之间的对置面积有时会变小。因此,陶瓷柱31a、31b、32a、32b的横截面积优选为内部电极11、12的厚度的平方的700万倍以下。陶瓷柱31a、31b、32a、32b的横截面积优选为6200000μm2以下。
从进一步有效地抑制内部电极11、12的层离的观点出发,陶瓷柱31a、31b、32a、32b与陶瓷部10g的粘合强度优选较高。因此,陶瓷柱31a、31b、32a、32b与陶瓷部10g优选包含相同的陶瓷材料。
另外,在厚度方向T上相邻的内部电极11中的一方的内部电极11中设置的陶瓷柱31a、31b、与在另一方的内部电极11中设置的陶瓷柱31a、31b,优选位置相互不同。在厚度方向T上相邻的内部电极12中的一方的内部电极12中设置的陶瓷柱32a、32b、与在另一方的内部电极12中设置的陶瓷柱32a、32b,优选位置相互不同。这是由于,即使在厚度方向T上发生了陶瓷柱的凹凸的情况下,如果在面方向上它们的位置相互不同,则也可缓和凹凸的累积。
此外,在本实施方式中,说明了在内部电极11、12的位于电子部件主体10内的端部中的、长度方向L上的端部和宽度方向W上的端部的两者中,设置陶瓷柱31a、31b、32a、32b的例子。但是,本发明并不限定于该结构。例如,如图5所示,也可以仅在内部电极11、12的位于电子部件主体10内的端部中的、长度方向L上的端部中,设置陶瓷柱31a、32a。例如,如图6所示,也可以仅在内部电极11、12的位于电子部件主体10内的端部中的、宽度方向W上的端部中,设置陶瓷柱31b、32b。
另外,也可以在内部电极11的侧面10e侧的端部中设置陶瓷柱。内部电极11的侧面10e侧的端部有时与陶瓷部相比也较大地进行收缩。在此情况下,通过在陶瓷部的侧面10e侧设置陶瓷柱,从而能够抑制内部电极的收缩,能够提高与外部电极的连接性。
另外,例如,陶瓷柱31a、31b、32a、32b也可以抵达内部电极11、12的侧边。
在本实施方式中,说明了陶瓷柱31a、31b、32a、32b为圆柱状的例子。但是,本发明不限于此。陶瓷柱例如也可以是棱柱状等。
在本实施方式中,说明了所有内部电极在电子部件主体10的表面露出,与外部电极进行连接的例子。但是,本发明不限于此。陶瓷电子部件例如也可以具备不与外部电极连接的内部电极。
下面,说明陶瓷电子部件1的制造方法的一例。首先,如图7所示,准备用于构成电子部件主体10的陶瓷生片41。陶瓷生片41例如能够利用喷墨法、模涂法等各种印刷方法形成。
接着,在陶瓷生片41上形成用于构成陶瓷柱31a、31b、32a、32b的陶瓷柱42。陶瓷柱42例如能够通过利用喷墨法等涂布陶瓷膏并使之干燥而形成。在采用喷墨法的情况下,陶瓷柱的位置、横截面积的控制较为容易。
接着,如图8所示,在陶瓷生片41上,包含设置有陶瓷柱42的区域在内,以露出陶瓷柱42的前端的方式形成用于构成内部电极11、12的导电性膏层43。接着,在印刷有导电性膏层43等的陶瓷生片41上,利用喷墨法等进一步适当印刷陶瓷生片41等,从而得到层叠体。通过对该层叠体进行烧制,从而能够完成电子部件主体10。随后,在电子部件主体10上涂布导电性膏并进行烧接,从而能够形成外部电极13、14。
此外,在此,说明了在形成陶瓷柱42之后形成导电性膏43的例子。但是,本发明不限于此。例如,如图9所示,也可以在形成具有贯穿孔43a的导电性膏层43之后,在贯穿孔43a中形成陶瓷柱42。在此情况下,能够同时形成贯穿孔43a内的陶瓷柱42、以及导电性膏层43上的陶瓷层。因此,能够简化制造工序。此外,在形成了具有贯穿孔43a的导电性膏层43之后,有可能出现该导电性膏层43未完全固化的情况。因此,根据贯穿孔43a的大小等不同,导电性膏层43有可能填充贯穿孔43a而成为一体。如果填充贯穿孔43a,则变得无法利用陶瓷柱42将上下的陶瓷层进行连接。与此相对,如图7及图8所示,在形成陶瓷柱42之后形成导电性膏层43的情况下,不会填充贯穿孔43a。
作为其他例子,也可以在形成具有贯穿孔43a的导电性膏层43之后,利用喷墨法等进一步印刷陶瓷生片41,从上部对陶瓷生片41进行冲压,从而使陶瓷生片41的一部分进入贯穿孔43a。
另外,也可以在烧制电子部件主体10之后,涂布导电性膏并进行烧接,从而形成外部电极13、14。在此情况下,内部电极11、12的应与外部电极连接的部分有时不从电子部件主体10的侧面露出。也可以利用滚筒研磨等,使内部电极11、12的要与外部电极连接的部分从电子部件主体10的侧面露出。
另外,在利用模涂法形成陶瓷片41的情况下,通过将形成有陶瓷柱42的陶瓷生片41层叠并进行冲压,从而能够完成电子部件主体10。
另外,也可以在各陶瓷生片41的周围的规定部分处,利用喷墨法等预先涂布要成为外部电极13、14的导电性膏。在此情况下,各陶瓷生片41的要成为外部电极13、14的导电性膏变为一体,从而构成外部电极13、14。
以下,说明本发明的优选实施方式的其他例子。在以下说明中,利用共同的标号,对与上述第1实施方式实质上具有共同功能的部件进行参照,并省略说明。
(第2实施方式)
图10是第2实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性剖视图。图11是沿图10的XI-XI线切割而得到的部分的示意性剖视图。图12是沿图10的XII-XII线切割而得到的部分的示意性剖视图。
在第1实施方式所涉及的陶瓷电子部件1中,说明了第1及第2内部电极11、12分别与外部电极13或外部电极14连接的例子。但是,在本发明中,内部电极不需要一定与外部电极进行连接。
在图10~图12所示的陶瓷电子部件中,多个第1内部电极11分别具有与第1外部电极13连接的电极部11A、以及与第2电极14连接的电极部11B。另一方面,第2内部电极12也可以与任一外部电极13、14连接。在这种陶瓷电子部件中,通过设置陶瓷柱,也能够有效地抑制内部电极的层离。内部电极12在从厚度方向T观察时呈大致长方形。所述陶瓷柱在内部电极12的短边方向的两侧的端部中所占的面积比例,优选高于陶瓷柱在内部电极12的长边方向的两侧的端部中所占的面积比例。这是因为,内部电极12的长边方向的两侧的端部的收缩长度,大于内部电极12的短边方向的两侧的端部的收缩长度。通过在短边方向的两侧的端部中设置陶瓷柱32a,能够有效地抑制内部电极11的层离。
此外,在本实施方式中,电极部11A的沿长度方向L的尺寸与电极部11B的沿长度方向L的尺寸实质上相同,但这些尺寸也可以不同。
标号说明
1陶瓷电子部件
10电子部件主体
10a第1主面
10b第2主面
10c、10d、10e、10f侧面
10g陶瓷部
11第1内部电极
12第2内部电极
13第1外部电极
14第2外部电极
21a、21b、22a、22b、43a贯穿孔
31a、31b、32a、32b、42陶瓷柱
41陶瓷生片
43导电性膏层

Claims (11)

1.一种陶瓷电子部件,具备:
电子部件主体,其由陶瓷构成;以及
内部电极,其配置在所述电子部件主体内,
所述内部电极具有在厚度方向上贯穿所述内部电极的贯穿孔,
所述陶瓷电子部件还具备:陶瓷柱,其配置在所述贯穿孔内,将所述内部电极的一侧的陶瓷与另一侧的陶瓷进行连接,
所述陶瓷柱在所述内部电极的位于所述电子部件主体内的端部中所占的面积比例,高于所述陶瓷柱在所述内部电极的中央部中所占的面积比例。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,
所述电子部件主体具有:
第1主面及第2主面,其沿第1方向和相对于所述第1方向垂直的第2方向延伸;
第1侧面及第2侧面,其沿相对于所述第1方向及第2方向分别垂直的第3方向和所述第1方向延伸;以及
第3侧面及第4侧面,其沿所述第2方向和所述第3方向延伸,
所述内部电极在所述第1侧面露出,但在所述第2侧面~第4侧面分别不露出,
所述陶瓷柱在所述内部电极的所述第1方向上的所述第2侧面侧的端部中所占的面积比例,高于所述陶瓷柱在所述内部电极的中央部中所占的面积比例。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,
所述电子部件主体具有:
第1主面及第2主面,其沿第1方向和相对于所述第1方向垂直的第2方向延伸;
第1侧面及第2侧面,其沿相对于所述第1方向及第2方向分别垂直的第3方向和所述第1方向延伸;以及
第3侧面及第4侧面,其沿所述第2方向和所述第3方向延伸,
所述内部电极在所述第1侧面露出,但在所述第2侧面~第4侧面分别不露出,
所述陶瓷柱在所述内部电极的所述第2方向上的至少一方的端部中所占的面积比例,高于所述陶瓷柱在所述内部电极的中央部中所占的面积比例。
4.根据权利要求2或3所述的陶瓷电子部件,
所述陶瓷柱在所述内部电极的所述第1方向上的所述第2侧面侧的端部中所占的面积比例,高于所述陶瓷柱在所述内部电极的所述第2方向上的至少一方的端部中所占的面积比例。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的陶瓷电子部件,
所述内部电极在所述第1~第4侧面均不露出,
所述内部电极在从所述第3方向观察时为大致长方形,
所述陶瓷柱在所述内部电极的短边方向的两侧的端部中所占的面积比例,高于所述陶瓷柱在所述内部电极的所述长边方向的两侧的端部中所占的面积比例。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的陶瓷电子部件,
所述陶瓷柱的横截面积为所述内部电极的厚度的平方的70倍以上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的陶瓷电子部件,
所述陶瓷柱的横截面积为70μm2以上。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的陶瓷电子部件,
所述陶瓷柱包含与所述电子部件主体相同的陶瓷材料。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的陶瓷电子部件,
具备多个所述内部电极,
在多个所述内部电极中的相邻内部电极中的一方设置的所述陶瓷柱与在另一方设置的所述陶瓷柱的位置相互不同。
10.一种陶瓷电子部件的制造方法,用于制造权利要求1~9中任一项所述的陶瓷电子部件,所述制造方法具备:
准备用于构成所述电子部件主体的陶瓷生片的工序;
在所述陶瓷生片上,形成具有所述贯穿孔,用于构成所述内部电极的导电性膏层的工序;以及
在所述贯穿孔中填充用于构成所述陶瓷柱的陶瓷膏的工序。
11.一种陶瓷电子部件的制造方法,用于制造权利要求1~9中任一项所述的陶瓷电子部件,所述制造方法具备:
准备用于构成所述电子部件主体的陶瓷生片的工序;
在所述陶瓷生片上形成所述陶瓷柱的工序;以及
在所述陶瓷生片上,包含设置有所述陶瓷柱的区域在内,形成用于构成所述内部电极的导电性膏层,使得所述陶瓷柱的前端露出的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108074741A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 三星电机株式会社 多层薄膜电容器

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10236123B2 (en) * 2015-07-19 2019-03-19 Vq Research, Inc. Methods and systems to minimize delamination of multilayer ceramic capacitors
JP2017108011A (ja) * 2015-12-10 2017-06-15 株式会社村田製作所 セラミックコンデンサ及びその製造方法
DE102018115085B4 (de) * 2018-06-22 2021-03-25 Tdk Electronics Ag Keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtbauelements
JP2022191910A (ja) * 2021-06-16 2022-12-28 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP7416021B2 (ja) * 2021-06-16 2024-01-17 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR20230003865A (ko) * 2021-06-30 2023-01-06 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법
JPWO2023286661A1 (zh) * 2021-07-15 2023-01-19

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52136354A (en) * 1976-05-10 1977-11-15 Murata Manufacturing Co Laminated ceramic capacitor
JPS5990916A (ja) * 1982-11-17 1984-05-25 松下電器産業株式会社 積層コンデンサ
JPH08115843A (ja) * 1994-10-14 1996-05-07 Tokin Corp 積層セラミックコンデンサー及びその製造方法
JP2002198249A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp 積層型電子部品
JP2003077761A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nec Tokin Ceramics Corp 積層セラミックコンデンサ、及び積層セラミック部品
CN102856072A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 三星电机株式会社 多层陶瓷电子部件及其制造方法
CN103797553A (zh) * 2011-09-15 2014-05-14 埃普科斯股份有限公司 多层组件和用于其制造的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6210986Y2 (zh) * 1980-07-28 1987-03-16
JPS5822728U (ja) * 1981-08-04 1983-02-12 株式会社村田製作所 積層セラミツクコンデンサ
JPS61102716A (ja) * 1984-10-26 1986-05-21 東北金属工業株式会社 積層セラミツクコンデンサ
JPH09260198A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Taiyo Yuden Co Ltd 積層コンデンサ
JPH11187492A (ja) * 1997-10-06 1999-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 複合超音波変換器
JP3706497B2 (ja) 1999-03-25 2005-10-12 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2001217137A (ja) 2000-02-04 2001-08-10 Tdk Corp 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2002075771A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Kyocera Corp 積層型電子部品および導電性ペースト
JP2005085823A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP4276642B2 (ja) 2005-07-21 2009-06-10 Tdk株式会社 積層型セラミック電子部品
JP4267614B2 (ja) 2005-09-30 2009-05-27 Tdk株式会社 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP5267363B2 (ja) 2009-07-08 2013-08-21 Tdk株式会社 積層型電子部品
KR101070068B1 (ko) * 2009-12-24 2011-10-04 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR101548813B1 (ko) * 2013-11-06 2015-08-31 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52136354A (en) * 1976-05-10 1977-11-15 Murata Manufacturing Co Laminated ceramic capacitor
JPS5990916A (ja) * 1982-11-17 1984-05-25 松下電器産業株式会社 積層コンデンサ
JPH08115843A (ja) * 1994-10-14 1996-05-07 Tokin Corp 積層セラミックコンデンサー及びその製造方法
JP2002198249A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp 積層型電子部品
JP2003077761A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nec Tokin Ceramics Corp 積層セラミックコンデンサ、及び積層セラミック部品
CN102856072A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 三星电机株式会社 多层陶瓷电子部件及其制造方法
CN103797553A (zh) * 2011-09-15 2014-05-14 埃普科斯股份有限公司 多层组件和用于其制造的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108074741A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 三星电机株式会社 多层薄膜电容器
CN108074741B (zh) * 2016-11-11 2020-03-27 三星电机株式会社 多层薄膜电容器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160038764A (ko) 2016-04-07
JP6344184B2 (ja) 2018-06-20
KR101717254B1 (ko) 2017-03-16
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US20160093443A1 (en) 2016-03-31
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