CN105283312A - 用于有机电子器件的基板 - Google Patents

用于有机电子器件的基板 Download PDF

Info

Publication number
CN105283312A
CN105283312A CN201480032957.2A CN201480032957A CN105283312A CN 105283312 A CN105283312 A CN 105283312A CN 201480032957 A CN201480032957 A CN 201480032957A CN 105283312 A CN105283312 A CN 105283312A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
organic electronic
substrate
layer
material layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480032957.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105283312B (zh
Inventor
金持凞
朴姮娥
李尚俊
郑惠元
李政炯
B·R·申
任美罗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Publication of CN105283312A publication Critical patent/CN105283312A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105283312B publication Critical patent/CN105283312B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C08L101/06—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups containing oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于有机电子器件的基板及其用途。该基板应用于包括有机材料层和无机材料层混合存在的结构的柔性器件的构筑，由此可防止有机材料层和无机材料层之间的层间剥离，从而具有优异界面粘合性。此外，当使用用于有机电子器件的基板时，有机电子器件可具有优异的耐久性和优异的其他所需物理性质如光提取效率。

Description

用于有机电子器件的基板
技术领域
本申请涉及一种用于有机电子器件(OED)的基板及其用途。
背景技术
例如有机发光器件(OLED；OrganicElectronicDevice)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)或有机晶体管等有机电子器件包括易受外部因素(如水分等)影响的有机材料层。例如，在专利文献1至4等中提出了能够保护有机电子器件免于受到外部物质影响的结构。
在应用易受外部物质渗透的塑料基板等柔性(flexible)结构中，可进一步包括如阻挡层的层。通常，该阻挡层由无机材料形成。包括阻挡层的有机电子装置具有混合了如塑料基板等有机材料层和无机材料层的结构。因为无机材料层和有机材料层通常具有不同的热膨胀特性等，所以容易在器件内部产生应力，且在软性器件弯曲时更容易产生。
现有技术文件
专利文献
专利文献1：美国专利第6,226,890号
专利文献2：美国专利第6,808,828号
专利文献3：日本专利申请特开第2000-145627号
专利文献4：日本专利申请特开第2001-252505号
发明内容
发明要解决的课题
在混合有有机材料层和无机材料层的结构中，因如上所述那样所产生的应力而容易发生层间剥离等，这对有机电子器件的耐久性等产生不利影响。因此，本申请旨在提供一种不会产生如上所述问题的用于有机电子器件的基板。本申请还旨在提供一种使用如上所述的基板的有机电子器件以便有机电子器件具有优异耐久性和优异的例如光提取效率的所需物理性质。
解决课题的方法
在一方面中，示例性的用于有机电子器件的基板可包括基底膜和无机材料层。在本文中，无机材料层可形成于基底膜的一表面上。在用于有机电子器件的基板中，基底膜和无机材料层可具有优异的界面粘合性，从而防止因周围环境的变化或弯曲等所导致的剥离等。
在本申请中，作为基底膜采用特定基底膜，以便提供具有前述的优异粘合性的基底。
也就是说，示例性的用于有机电子器件的基板可包括作为基底膜的聚酰亚胺膜，尤其可以包括引入有羟基的聚酰亚胺膜。所述引入有羟基的聚酰亚胺膜可以对无机材料层、尤其通过所谓的原子层沉积(ALD，atomiclayerdeposition)方式所形成的无机材料层(在下文中，可称为ALD层)具有优异的界面粘合性。引入有羟基的聚酰亚胺膜可呈约65度以下的接触角。由于引入羟基以确保上述范围的接触角，因此基底膜对无机材料层可具有优异的粘合性。在本申请中，还可将基底膜的接触角调整为约50度以上或约55度以上的范围。
聚酰亚胺通常是通过四羧酸二酐和二胺化合物的缩合反应来制备聚酰胺酸，之后使该酰胺酸进行亚酰胺化反应而制备的。因此，本申请的聚酰亚胺基底膜还可包括二酐和二胺化合物的缩合单元(即，聚酰胺酸单元)、或其亚酰胺化单元(即，聚酰亚胺单元)。
为了将羟基引入到聚酰亚胺膜中，聚酰胺酸单元或聚酰亚胺单元可包括至少一个羟基。所述羟基可被二酐或二胺化合物中的至少一个取代。该单元中所包括的羟基的含量调整为能够确保上述接触角，并且不受特别限制。在一实施例中，该单元可包含2至10摩尔、2至9摩尔、2至8摩尔、2至7摩尔、2至6摩尔、2至5摩尔、2至4摩尔或2至3摩尔的羟基。
对用于形成聚酰亚胺的二酐或二胺化合物的类型、和使用其而形成该单元的方法无特别限制。用于合成聚酰亚胺的各种二酐或二胺化合物是在聚酰亚胺相关领域已知的，并且聚酰亚胺可通过从已知成分中选择具有所需羟基的成分、或利用合适的化学反应等来引入羟基而形成。
例如，作为二酐可以使用脂族、脂环族或芳族四羧酸二酐，具体而言，可使用丁烷四羧酸二酐、戊烷四羧酸二酐、己烷四羧酸二酐、环戊烷四羧酸二酐、双环戊烷四羧酸二酐、环丙烷四羧酸二酐、甲基环己烷四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、4,4'-磺酰基二邻苯二甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯基四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,5,6,-吡啶四羧酸二酐、间三联苯基-3,3',4,4'-四羧酸二酐、对三联苯基-3,3',4,4'-四羧酸二酐、4,4'-氧二邻苯二甲酸二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-双[(2,3或3,4-二羧基苯氧基)苯基丙烷二酐、2,2-双[4-(2,3-或3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐或1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-双[4-(2,3-或4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐，作为芳族、脂族或脂环族二胺化合物，可使用芳族二胺，例如对苯二胺(PDA)、间苯二胺(m-PDA)、2,4,6-三甲基-1,3-苯二胺、2,3,5,6-四甲基-1,4-苯二胺、4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、3,3'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯硫醚、4,4'-二氨基二苯基甲烷、3,4'-二氨基二苯基甲烷、3,3'-二氨基二苯基甲烷、4,4'-亚甲基-双(2-甲基苯胺)、4,4'-亚甲基-双(2,6-二甲基苯胺)、4,4'-亚甲基-双(2,6-二乙基苯胺)、4,4'-亚甲基-双(2-异丙基-6-甲基苯胺)、4,4'-亚甲基-双(2,6-二异丙基苯胺)、4,4'-二氨基二苯砜、3,3'-二氨基二苯砜、联苯胺、邻联甲苯胺、间联甲苯胺、3,3',5,5'-四甲基联苯胺、2,2'-双(三氟甲基)联苯胺、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)-苯基]丙烷(6HMDA)、2,2'-双(三氟甲基)-联苯胺(2,2'-双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)、3,3'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基联苯(3,3'-TFDB)、4,4'-双(3-氨基苯氧基)二苯砜(DBSDA)、双(3-氨基苯基)砜(3DDS)、双(4-氨基苯基)砜(4DDS)、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯(APB-133)、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯(APB-134)、2,2'-双[3(3-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(3-BDAF)、2,2'-双[4(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(4-BDAF)、2,2'-双(3-氨基苯基)六氟丙烷(3,3'-6F)、2,2'-双(4-氨基苯基)六氟丙烷(4,4'-6F)或4,4'-氧基二苯胺(ODA)；或脂族二胺，例如1,6-己二胺、1,4-环己二胺、1,3-环己二胺、1,4-双(氨甲基)环己烷、1,3-双(氨甲基)环己烷、4,4'-二氨基二环己基甲烷、4,4'-二氨基-3,3'-二甲基二环己基甲烷、4,4'-二氨基-3,3'-二甲基二环己基甲烷、1,2-双(2-氨基乙氧基)乙烷、双(3-氨丙基)醚、1,4-双(3-氨丙基)哌嗪、3,9-双(3-氨丙基)-2,4,8,10-四氧杂螺[5.5]-十一烷或1,3-双(3-氨丙基)四甲基二硅氧烷等，但本申请并不限于此。二酐或二胺化合物可被至少一个羟基取代。
必要时，在聚酰亚胺基底膜中所包含的所述单元形成为两种，由此可调整浊度和折射率中的至少一个。在这种情况下，聚酰亚胺基底膜可包含第一单元和第二单元的共聚物，所述第一单元为第一四羧酸二酐和第一二胺化合物的缩合单元或其亚酰胺化单元，并且第二单元为第二二胺化合物的缩合单元或其亚酰胺化单元。
在基底膜中，第一和第二单元可包含于一个聚合物内，或不同的聚合物中。换言之，基底膜可包括：包含第一单元和第二单元的共聚物；或包含第一单元的聚合物和包含第二单元的聚合物。此外，第一和第二单元各自可为包含于预定聚合物中的链，或其本身可为聚合物。
为了控制浊度和折射率中的至少一个，第一和第二单元彼此可具有不同的物理性质。例如，第一和第二单元彼此可具有不同的折射率。除非另有特别说明，本申请中所使用的术语“折射率”为相对于波长为550nm的光所测量的折射率。例如，第一单元与第二单元各自的折射率差的绝对值可为0.01以上。在另一实施例中，该折射率差的绝对值可为约0.02、约0.03、约0.04、约0.05或约0.06以上。该折射率差的绝对值可为约0.2、0.15、0.1或0.08以下。调整第一和第二单元的折射率的方法不受特别限制，并且例如可通过调整组成各单元的成分而加以调整。例如，如上所述，用于形成单元的二酐和二胺化合物可选自芳族、脂族或脂环族二酐或二胺化合物。当选择通常赋予高折射率的已知芳族化合物时，可形成具有相对高折射率的单元。
在另一实施例中，第一和第二单元可具有不同的极性(polarity)。例如，第一和第二单元中的一个或两个可包括至少一个极性官能团。在这种情况下，第一单元中所包含的极性官能团的摩尔数与第二单元中所包含的极性官能团的摩尔数之差的绝对值可为2以上。在另一实施例中，摩尔数之差的绝对值可为10以下、8以下、6以下或4以下。极性官能团可被上述二酐或二胺化合物取代。可适用的极性官能团的类型无特别限定，可为卤素原子如氟或氯、由卤素(如氟或氯)取代的卤代烷基、氰基、硝基、羟基、烷氧基、氰酸酯基或硫氰酸酯基，并且就适用的便利性而言，可为卤素原子或卤代烷基。在本文中，卤代烷基或烷氧基可为具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的卤代烷基或烷氧基。由上述极性官能团取代的二酐或二胺化合物可为已知的，或通过已知方法合成。
可利用第一与第二单元之间的折射率差或极性差来均匀地调整聚酰亚胺基底膜的浊度。具有不同的折射率或极性的不同类型的聚酰亚胺的混合物可形成不透明乳浊液，并且认为乳浊液的不透明性转移到该膜上。因此，当调整用于形成乳浊液的成分的折射率差或极性差时，可调整聚酰亚胺膜的浊度。此外，当在该过程中调整具有高折射率的单元的比例时，还可轻易地调整整个膜的折射率。当浊度由聚合物单元本身给予而非通过利用常规的散射颗粒给予浊度的方法获得时，聚合物可具有优异的表面光滑度及均匀的浊度。
考虑到所需的折射率和浊度等，可调整基底膜中的第一和第二单元的比例而无特别限制。例如，相对于100重量份的第二单元，基底膜可包含约3至100重量份、3至80重量份、3至60重量份、3至40重量份、3至20重量份或3至15重量份的第一单元，但本申请并不限于此。
用于形成包含第一和第二单元的聚酰亚胺的二酐或二胺化合物的类型和使用其而形成该单元的方法不受特别限制，例如，可从上述二酐或二胺化合物中选择适当类型并采用。
基底膜可为透光膜。术语“透光膜”可指对于可见光中的任何一种光或在整个可见光区域内的光线具有透光性(例如50％以上、60％以上、70％以上或80％以上)的薄膜。
当制造的基底膜具有上述浊度(haze)时，基底膜可具有在3％至90％的范围内的浊度。该浊度的另一下限例如可为约5或10％。此外，浊度的另一上限例如可为约85％、80％、75％、70％、65％、60％、55％、50％、45％、40％、35％或30％。对用于使基板具有浊度的方法无特别限定，可以采用调整用于形成上述聚酰亚胺的单元，或在基底膜中混合适当的散射颗粒的方法。
基底膜可具有约5至70ppm/℃范围内的热膨胀系数(CTE)。该范围可有利于防止在有机材料层和无机材料层混合存在的结构中所发生的层间剥离等缺陷。
基底膜可具有约200℃以上的玻璃化转变温度。所述玻璃化转变温度可为基底膜的玻璃化转变温度，或其上形成有下述的缓冲层的基底膜的玻璃化转变温度。所述范围可适用于制造有机电子器件的过程中的用于进行沉积或图案化的高温工艺。在另一实施例中，玻璃化转变温度例如可为约210℃以上、220℃以上、230℃以上、240℃以上或250℃以上。对玻璃化转变温度的上限无特别限定，例如可为约400、350或300℃。
在基底膜中，可将表面粗糙度均方根(RMS，RootMeanSquare)调整在约0.1至5nm的范围内。所述RMS可为该基底膜自身的一表面的、或基底膜的下述缓冲层的一表面的。表面粗糙度的范围可有利于改进形成于其上的层的性能。例如，当具有阻隔性的无机材料层形成于基底膜上时，无机材料层形成于具有上述范围内的RMS的表面上，可形成具有优异防水性的层。在另一实施例中，RMS可为约4以下、3以下、2.5以下或2nm以下。
基底膜可具有约1.5以上、1.6以上、1.7以上、1.75以上或1.8以上的折射率。该有机电子装置中，基底膜的折射率范围可有利于提高装置的发光效率。基底膜的折射率的上限不特别限定，例如约为2.0左右。
可通过选择具有与芳族化合物相同的高折射率的成分作为二酐或二胺化合物，或在制造该基底膜的过程中，在该基底膜中混合适量的具有高折射率的成分而实现基底膜的高折射率。
考虑到所需的性能例如柔性、或光提取效率或阻隔性，基底膜的厚度可在适当范围内选择而无特别限制。例如，基底膜可具有约10至50μm或约20至30μm范围内的厚度。
无机材料层位于基底膜上。本文中所使用的术语“无机材料层”例如可为，包含基于重量计50％以上或60％的无机材料的层。无机材料层可仅包含无机材料，或者只要其包含上述范围内的无机材料，就可以包含如有机材料的其他组分。
无机材料层例如可为阻挡层。本文中使用的术语“阻挡层”可为能够防止、抑制或减轻外部因素(例如水分或蒸汽等)的渗透的层，该外部因素对该器件(如有机材料层等)的性能具有不利影响。例如，阻挡层可具有10-4g/m2/天以下的水蒸气透过率(WVTR，watervaportransmissionrate)。在本说明书中，WVTR可为在40℃和90％的相对湿度的条件下使用测量器(例如，PERMATRAN-W3/31,MOCON,Inc.)来测量的值。
可由用以减少、防止或抑制外部因素(例如水分和氧气等)的渗透的已知材料中的任何一种形成阻挡层。该材料可为已知材料：如金属，例如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti或Ni；金属氧化物，例如TiO、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3,或CeO2；金属氮化物，例如SiN；金属氮氧化物，例如SiON；金属氟化物，例如MgF2、LiF、AlF3或CaF2；具有1％以上的吸收率的吸收性材料或具有0.1％以下的吸收系数的防水材料。
无机材料层可形成为具有低结晶度。所述结晶度可有助于制造具有界面粘合性的上述基板。此外，当无机材料层具有低结晶度时，例如，无机材料层需要作为阻挡层的功能，可有效地防止存在于无机材料层中的结晶成分的界面的水和外部物质的渗透。当通过一般沉积法形成时，无机材料层由于材料的性质而具有结晶的高概率，并因此不易满足上述结晶度。然而，通过采用以下方法中的任何一种使该无机材料层满足上述结晶度：利用氧化层(如金属氧化物)形成无机材料层的方法、重复形成薄层的方法、在重复形成薄膜的过程中调整由不同材料形成各子层的方法及利用不同材料形成各子层的方法，然而，所有子层形成为氧化层如金属氧化层。
无机材料层与基底膜的折射率之差尽可能小是适合的。在这种情况下，尤其可有助于形成具有优异的光提取效率的基板。例如，无机材料层与基底膜之间的折射率差的绝对值可为约1以下、约0.7以下、约0.5以下或约0.3以下。因此，当基底膜具有如上所述的高折射率时，无机材料层也可具有与其相同水平的折射率。例如，阻挡层的折射率可为约1.5以上、约1.6以上、约1.7以上或约1.75以上。当应用本申请的基板的有机电子装置为有机发光装置时，基底膜的折射率的所述范围可有利于提高装置的发光效率。无机材料层的折射率的上限无特别限定，例如可为约2.0左右。
无机材料层的厚度可根据由所需用途所决定的效果来确定，对其范围无特别限定，并且在一实施例中，厚度范围可为约10至100nm、1至90nm、10至80nm、1至70nm、10至60nm、10至50nm或20至50nm。
虽然无机材料层可为单层或多层结构，但其可能需要具有多层结构以满足上述结晶度。多层结构可包括：堆叠有相同类型或不同类型的无机材料层的结构。多层结构的无机材料层的形成可有助于具有上述界面粘合性且具有上述结晶度的无机材料层的形成。此外，对于以多层结构形成无机材料层而言，可有助于具有上述折射率的无机材料层的形成。
具有多层结构的无机材料可包括至少第一子(sub)层和第二子层的堆叠结构。考虑到无机材料层所需的界面粘合性、结晶度、阻隔性或折射率等，可调整第一子层和第二子层的厚度。例如，将第一子层和第二子层的厚度全部调整到7nm以下、6nm以下、5nm以下、4nm以下、3nm以下或2nm以下的范围内。子层的厚度的下限并不受特别限制。当子层的厚度越小时，可提高对界面粘合性、结晶度、阻隔性和折射率的调整的贡献，但是当子层的厚度越小时，可能要增加为达到目标厚度所需的工艺次数。因此，可根据目标厚度等而使子层的厚度的下限设定在适当范围内，并且可调整到约0.1nm以上的范围内。
考虑到界面粘合性、结晶度、阻隔性和折射率等，将具有多层结构的无机材料层中所包括的全部子层的厚度在上述范围内进行调整。在这种情况下，无机材料层可不包括厚度超过10nm、9nm、8nm、7nm、6nm或5nm的子层。
无机材料层中所包括的子层数并不受限制。其可根据子层的厚度和无机材料层的目标厚度进行调整。在一实施例中，无机材料层可包括2至50个子层。在该范围内，可包括4个以上、6个以上、8个以上或10个以上的子层。在该范围内，可包括45个以下、40个以下、35个以下、30个以下、25个以下、20个以下或15个以下的子层。当无机材料层包括3个以上的子层时，全部的子层可为第一或第二子层，且此外，可包括第三子层或其以上的子层。
子层可由各种材料形成，从有助于界面粘合性、结晶度、阻隔性和折射率等的方面看，可由各种金属或非金属的氧化物、氮化物或氮氧化物等形成。因此，第一和第二子层可为氧化物层、氮化物层或氮氧化物层。必要时，无机材料层中所包括的全部子层可由氧化物形成。在这种情况下可使用的氧化物的类型无特别限定，可适当地从可形成上述阻挡层的氧化物中进行选择。在这些子层中，相互接触的子层可分别以不同材料形成，这可有助于界面粘合性、结晶度、阻隔性和折射率等。因此，当第一和第二子层相互接触时，互相不同的材料例如可为互相不同的氧化物、氮化物或氮氧化物。即使无机材料层包括如上所述的第三子层、第四子层或其以上的子层，相互接触的子层可由不同材料(例如不同的氧化物)形成是有利的。
第一子层可具有第一折射率，且第二子层可具有不同于第一折射率的第二折射率。当堆叠这种子层时，有利于确保上述效果且可在上述范围内调整无机材料层的折射率。第一折射率与第二折射率之差的绝对值例如可为0.1以上。在另一实施例中，绝对值可为0.2以上、0.3以上、0.4以上、0.5以上或0.6以上。此外，在另一实施例中，绝对值可在2以下、1.8以下、1.6以下、1.4以下或1.2以下的范围内。第一和第二折射率的范围并不受特别限制，只要它们在上述范围内即可，但是例如第一子层的折射率可在1.4至1.9的范围内，且第二子层的折射率可在2.0至2.6的范围内。第一和第二子层可为金属氧化物层。例如，第一子层的合适的材料可为Al2O3等，第二子层的合适的材料可为TiO2等。只要具有上述范围的折射率的同时最终的堆叠结构可具有阻隔性，就可采用各种材料。
无机材料层或各子层可通过已知方法形成，但从确保界面粘合性的观点上看，通过原子层沉积(ALD，AtomicLayerDeposition)方式形成无机材料层或各子层是有利的。所述ALD方式可包括在被粘附表面上交替地沉积前体(如有机金属)和前体(如水)的过程，并且在该过程中，前体的单层(monolayer)可交替地形成且可相互反应，从而形成有机材料层。当基底膜中包括预定官能团(例如上述羟基等)时，通过ALD所形成的层在形成过程中可与官能团反应，从而确保所需界面粘合性。
除了ALD方式之外，可应用的形成无机材料层或子层的方法可包括：物理气相沉积(PVD，physicalVaporDeposition)，如溅射(sputtering)、脉冲激光沉积(PLD，PulsedLaserDeposition)、电子束沉积(Electronbeamevaporation)、热沉积(thermalevaporation)或激光分子束外延(L-MBE，LaserMolecularBeamEpitaxy)等；或化学气相沉积(CVD，ChemicalVaporDeposition)，如金属有机化学气相沉积(MOCVD，MetalOrganicChemicalVaporDeposition)、氢化物气相外延(HVPE，HydrideVaporPhaseEpitaxy)、启动化学气相沉积(iCVD，initiatedchemicalvapordeposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD，plasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)。必要时，可根据使用的材料选择上述方法中的合适的一种，从而使无机材料层的性能最大化。
本申请的基板可包括附加层。例如，本申请的基板可进一步包括无机材料层与基底膜之间的缓冲层以达到无机材料层与基底膜之间的界面粘合性。然而，缓冲层并非必须的组成部分，并且例如，只要能够仅以引入至基底膜的羟基等充分达到界面粘合性，就可不需要缓冲层。
本申请的基板可进一步包括位于无机材料层上的电极层。
作为电极层，可使用常用于有机电子器件中的空穴注入电极层或电子注入电极层。电极层可为透明电极层或反射电极层。
空穴注入电极层例如可由具有相对高的功函数(workfunction)的材料形成，并且必要时，可由透明材料或反射材料形成。例如，空穴注入电极层可包含具有约4.0eV以上的功函数的金属、合金、导电化合物或它们中的两种以上的混合物。所述材料可为金属如金，CuI、氧化铟锡(ITO，IndiumTinOxide)、氧化铟锌(IZO，IndiumZicOxide)、氧化锌锡(ZTO，ZincTinOxide)、铝或铟掺杂的氧化锌、氧化镁铟、氧化镍钨；氧化物如ZnO、SnO2或In2O3；金属氮化物如氮化镓；金属硒化物如硒化锌或金属硫化物如硫化锌。透明的空穴注入电极层还可使用金属薄膜如Au、Ag或Cu和高折射率的透明材料如ZnS、TiO2或ITO的堆叠体来形成。
空穴注入电极层可通过任选的方法如沉积、溅射、化学沉积或电化学方法等形成。此外，根据其用途所形成的电极层可通过已知的光刻法或利用遮罩的方法等而进行图案化。
电子注入电极层例如可使用具有相对低的功函数的材料来形成，并且可使用用于形成空穴注入电极层的材料中的合适的透明材料或反射材料来形成，但本申请并不限于此。电子注入电极层例如还可通过沉积或溅射等形成或在需要时可适当地进行图案化。
电极层可形成为例如具有约90至200nm、90至180nm或90至150nm的厚度。
在另一方面，本申请提供一种有机电子装置。该有机电子装置可包括：上述用于有机电子器件的基板；以及具有位于基板的无机材料层上的第一电极层、和有机材料层和第二电极层的器件区域。当用于有机电子器件的基板包括上述电极层时，电极层可用作第一电极层。
示例性有机电子器件可包括包含基底膜和无机材料层的基板、以上部方向依序地设置的第一电极层、有机材料层、第二电极层、第二无机材料层和覆盖膜。这些层可直接堆叠而无需其他层位于相邻层之间或可以隔着其他层堆叠。
除非另有特别说明，本文中所使用的术语“上部方向”是指从第一电极层至第二电极层的方向，并且本文中所使用的术语“下部方向”是指从第二电极层至第一电极层的方向。
在下文中，在本说明书中，为了便于说明，在上述结构中，将包括位于第一电极层下方的所有要素(该第一电极层除外)的区域称为基板区域，将包括第一电极层、第二电极层及位于其之间的所有要素的区域称为器件区域，并且将包括位于第二电极层上方的所有因素(第二电极层除外)的区域称为上部区域。
除了上述基底膜之外，基板区域还可包括附加层。作为额外地位于基板区域的层，可例示载体(carrier)基板、阻挡膜或粘合层等。
作为能够包含于基板区域的其他层，可例示阻挡膜。相比于利用具有优异的阻隔性材料性质的基板(如玻璃基板等)的刚性结构，在柔性结构中，可使用具有相对低的阻隔性的基底膜，并因此，附加的阻挡膜例如可位于基底膜下以补偿阻隔性。作为阻挡膜，可使用可确保适当的阻隔性和必要时的透明度的膜而无特别限制。
例如，可利用粘合层将阻挡膜附着到基底膜。在本文中，阻挡膜可粘附于其上形成无机材料层的基底膜的表面的相反面。本文中所使用的术语“粘合层”包括通常称为粘合剂的材料，以及利用称为压敏粘合剂的材料和称为压敏粘合剂/粘合剂的材料等所形成的层。用于形成粘合层的材料无特别限制，例如，已知的压敏粘合剂/粘合剂材料如丙烯酸聚合物、硅聚合物、橡胶系聚合物、乙烯乙酸乙烯酯(EVA，Ethylenevinylacetate)聚合物或烯烃聚合物如聚异丁烯(PIB，polyisobutylene)等。
合适的防水材料可混合于粘合层中。在下文中，本文中所使用的“混合有防水材料的粘合层”可称为阻隔性粘合层。本文中所使用的术语“防水材料”可用作可通过物理或化学反应来吸收或除去从外部环境流入的水分或湿气等的成分。可与粘合层混合的防水材料的具体类型无特别限定，例如可为金属氧化物或有机金属氧化物、金属盐和五氧化二磷(P2O5)等中的一种或至少两种的混合物。在本文中，金属氧化物的具体类型无特别限定，可为氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)或氧化镁(MgO)以及金属盐可为，但并不限于，硫酸盐如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)或硫酸镍(NiSO4)；金属卤化物如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氟化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铯(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)或碘化镁(MgI2)；或金属氯酸盐如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)等。
在粘合层中可混合适当的散射颗粒，并因此粘合层自身可呈现适当的浊度。当欲使粘合层呈现出浊度时，可提高光提取效率。可混合于粘合层中的散射颗粒的类型无特别限制，考虑到用于形成粘合层的树脂的折射率，可从包含于散射层中的散射颗粒中选择适当类型而使用。
作为可位于基板区域的其他层，可例示出可暂时或永久地粘附在基底膜下方的载体基板。通常，作为载体基板，可采用刚性基板如玻璃基板。
基板区域可以以各种结构形成。例如，基板区域可具有：以朝下部方向依次形成无机材料层和基底膜的结构；在无机材料层与基底膜之间形成有上述缓冲层或散射层的结构；或在需要载体膜或阻挡膜时可通过粘合剂层来粘附于基底膜下方的结构。
在第一和第二电极层之间存在有有机材料层。有机材料层可包括一个或两个以上的发光单元。在所述结构中，由发光单元所产生的光线可经过被反射电极层反射的过程等而发射到透明电极层。
当存在有两个以上发光单元时，为了适当的发光，在多个发光单元之间还可存在有中间电极层或电荷产生层(CGL；ChargeGeneratingLayer)。因此，发光单元可通过具有电荷产生特性的中间电极层或电荷产生层等而隔开。
构成发光单元的材料无特别限制。具有各种发射中心波长的荧光或磷光有机材料为本领域已知的，并且可从已知材料中选择适当类型来形成发光单元。用于发光单元的材料可为，Alq-基材料如三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3等；环戊二烯衍生物如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺-FPA、PhTDAOXD(Ph3Si)或1,2,3,4,5-五苯基-1,3-环戊二烯(PPCP，1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene)；4,4’-双(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-联苯(DPVBi，4,4’-bis(2,2’-diphenylyinyl)-1,1’-biphenyl)、二苯乙烯基苯或其衍生物；4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB，4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)、DDP、AAAP或NPAMLI；或磷光材料如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、fac-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]铱(III)(FIrppy，fac-tris[2-(4,5’-difluorothenyl)pyridine-C’2,N]iridium(III))或双(2-(2’-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3’)铱(乙酰丙酮)(Btp2Ir(acac)，双(2-(2’-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’)iridium(acetylactonate))等。发光单元可包括作为主体的上述材料，并且还包括含有作为掺杂剂的苝(perylene)、二苯乙烯基联苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、红荧烯(rubrene)、BTX、ABTX或DCJTB的主体掺杂剂系统(Host-Dopantsystem)。
发光单元也可通过从下述的电子接受有机化合物或供电子有机化合物中适当地利用呈现发光特性的类型来形成。
只要有机材料层包括发光单元，就可以以进一步包括本领域已知的各种其他功能层的结构而形成。作为能够包含于有机材料层中的层，可例示电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴传输层或空穴注入层等。
电子注入层或电子传输层例如可利用电子接受有机化合物形成。在本文中，作为电子接受有机化合物，可使用任选的已知化合物而无特别限制。作为有机化合物，可使用多环化合物，例如对联三苯或四联苯或其衍生物；多环烃化合物，例如萘、并四苯、芘、蒄(coronene)、(chrysene)、蒽(anthracene)、二苯基蒽、并四苯(naphthacene)或菲或其衍生物；或杂环化合物，例如菲咯啉、红菲咯啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉或吩嗪或或其衍生物。此外，fluoroceine、苝、酞苝、萘苝、苝酮(perynone)、酞并苝酮(phthaloperynone)、萘并苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、噁二唑、醛连氮、二苯并噁唑啉、联苯乙烯、吡嗪、环戊二烯、8-羟基喹啉、氨基喹啉、亚胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、部花青、喹吖啶酮、红荧烯或其衍生物、专利申请如日本专利申请特开第1988-295695号、日本专利申请特开第1996-22557号、日本专利申请特开第1996-81472号、日本专利申请特开第1993-009470号或日本专利申请特开第1993-017764号中公开的金属螯合物络合化合物，例如具有至少一种金属螯合oxanoid化合物如8-羟基喹啉盐作为配体的金属络合物，如包含：三(8-羟基喹啉)铝、双(8-羟基喹啉)镁、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓、双(5-氯-8-羟基喹啉)钙及其衍生物；日本专利公开如日本专利申请特开第1993-202011号、日本专利申请特开第1995-179394号、日本专利申请特开第1995-278124号或日本专利申请特开第1995-228579号中公开的噁二唑化合物；专利公开如日本专利申请特开第1995-157473号中公开的三嗪化合物；专利公开如日本专利申请特开第1994-203963号中公开的二苯乙烯(stilbene)衍生物；联苯乙烯基亚芳基衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1994-132080号或日本专利申请特开第1994-88072号中公开的苯乙烯衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1994-100857号或日本专利申请特开第1994-207170号中公开的二烯衍生物；荧光增白剂如苯并噁唑化合物、苯并噻唑化合物或苯并咪唑化合物；二苯乙烯基苯化合物如1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-双(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-双(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-双(2-乙基苯乙烯基)苄基、1,4-双(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪如2,5-双(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-双(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(4-联苯基)乙烯基]吡嗪或2,5-双[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二次甲基化合物如1,4-亚苯基二次甲基、4,4’-亚苯基二次甲基、2,5-二甲苯二次甲基、2,6-亚萘基二次甲基、1,4-联亚苯基二次甲基、1,4-对亚苯基二次甲基、9,10-蒽二基二次甲基或4,4’-(2,2-二-钛-丁基苯乙烯基)联苯或4,4’-(2,2-二苯基乙烯基)联苯或其衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1994-49079号或日本专利申请特开第1994-293778号中公开的硅胺衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1994-279322号或日本专利申请特开第1994-279323号中公开的多官能苯乙烯基化合物；专利公开如日本专利申请特开第1994-107648号或日本专利申请特开第1994-092947号中公开的噁二唑衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1994-206865号中公开的蒽化合物；专利公开如日本专利申请特开第1994-145146号中公开的羟基喹啉盐衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1992-96990号中公开的四苯基丁二烯化合物；专利公开如日本专利申请特开第1991-296595号中公开的有机三官能化合物；专利公开如日本专利申请特开第1990-191694号中公开的香豆素衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1990-196885号中公开的苝衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1990-255789号中公开的萘衍生物；专利公开如日本专利申请特开第1990-289676号或日本专利申请特开第1990-88689号中公开的酞并苝酮(phthaloperynone)衍生物；或专利公开如日本专利申请特开第1990-250292号中公开的苯乙烯基胺衍生物可用作包含于低折射层中的电子接受有机化合物。此外，在本文中，可使用例如材料如LiF或CsF形成电子注入层。
空穴阻挡层可以是通过防止所注入的空穴穿过发光单元而进入电子注入电极层，由此能够提高器件的寿命和效率的层；并且在必要时，可利用已知材料形成于发光单元与电子注入电极层之间的适当位置。
空穴注入层或空穴传输层可包括例如供电子有机化合物(electrondonatingorganiccompound)。作为供电子有机化合物，可使用N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯、N,N’-联苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二氨基联苯、2,2-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-对甲苯基-4,4’-二氨基联苯、双(4-二-对甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基联苯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯醚、4,4’-双(二苯基氨基)四苯基、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-双(4-二-对三氨基苯基)环己烷、1,1-双(4-二-对三氨基苯基)-4-苯基环己烷、双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(对甲苯基)胺、4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯基N-苯基咔唑、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4”-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对三联苯、4,4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯、1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基苯基氨基]联苯、4,4”-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对三联苯、4,4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(1-蒄基)-N-苯基氨基]联苯、2,6-双(二-对甲苯基氨基)萘、2,6-双[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4”-双[N,N-二(2-萘基)氨基]三联苯、4,4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯、4,4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯、2,6-双[N,N-二-(2-萘基)氨基]芴或4,4”-双(N,N-二-对甲苯基氨基)三联苯或芳胺化合物如双(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本申请并不限于此。
空穴注入层或空穴传输层可通过将有机化合物分散于聚合物中、或利用从有机化合物衍生的聚合物来形成。此外，也可使用π-共轭聚合物(π-conjugatedpolymers)如聚对亚苯基亚乙烯及其衍生物、空穴传输非共轭聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)或σ-共轭聚合物如聚硅烷。
空穴注入层可利用导电聚合物如金属酞菁(如铜酞菁)或非金属酞菁、碳膜和聚苯胺来形成，或可通过将芳胺化合物作为氧化剂并与路易斯酸(Lewisacid)进行反应来形成。
有机材料层的具体结构无特别限制。用于形成空穴或电子注入电极层和有机层(例如，发光单元、电子注入层或传输层、或空穴注入层或传输层)的各种材料和方法为本领域已知的，并且所有方法均可用于制造有机电子器件。
有机电子器件的上部区域可包括朝上部方向依次形成的无机材料层和覆盖膜。为了区别该无机材料层与用于有机电子器件的基板的无机材料层，可将包含于上部区域的无机材料层称为第二无机材料层，并且可将包含于基板中的无机材料层称为第一无机材料层。
所存在的第二无机材料层为了防止、抑制或减轻外部物质的渗透而获得耐久性，并且具体材料和形成方法类似于针对第一无机材料层种类所述的那些。然而，当第二无机材料层旨在向基板区域发光时，没有必要使第二无机材料层形成为第一无机材料层那样具有高折射率。
位于第二无机材料层上方的覆盖膜可为用于保护有机电子器件的结构，例如可为已知的阻挡膜、金属板或导电膜，或其两种以上的堆叠结构。上部区域的覆盖膜可通过粘合层(例如具有阻隔性的上述粘合层)附着到第二无机材料层的上方。
在又一方面，本申请提供一种有机电子器件、例如有机发光器件的用途。该OLED可有效地应用于液晶显示器(LCD；LiquidCrystalDisplay)的背光源、照明、传感器、打印机或复印机的光源、汽车仪表盘的光源、信号灯、指示灯、显示器件、平面发光装置的光源、显示器、装饰品或其他类型的光源。在一实施例中，本申请涉及包含OLED的照明装置。当OLED应用于照明装置或其他用途时，组成装置的其他部件或组成装置的方法并不受特别限制，可采用对应领域中已知的所有任选材料或方法，只要使用OLED即可。
有益效果
根据本申请，基板可通过防止因混合有有机材料和无机材料的结构中的内应力等而产生的层间剥离等，由此具有优异的耐久性。此外，当使用所述基板时，有机电子器件具有优异耐久性、和优异的其他所需物理性质如光提取效率。
附图说明
图1为示出对实施例中所制造的基板进行透水性评估的结果的图。
图2为示出对对比实施例中所制造的基板进行透水性评估的结果的图。
具体实施方式
在下文中，将参照本申请的实施例详细描述本申请的示例性实施方案。然而，本申请的范围并不限于以下公开的实施方案。
制备实施例1.聚酰亚胺基板(A)的制造
将3,3,4,4’-联苯基四羧酸二酐(BPDA，3,3,4,4’-Biphenyltetracarboxylicdianhydride)和1,3-二氨基-4,6-二羟基苯(DADHB，1,3-Diamino-4,6-dihydroxybenzene)在反应器中进行缩合反应而合成了聚酰胺酸溶液。随后，聚酰亚胺基板(A)通过以下步骤合成：将该溶液以约20μm的厚度旋涂于玻璃基板上，以约2℃/分钟的速率在烘箱中加热，之后使基板在80℃下保持15分钟、在150℃下保持30分钟、在220℃下保持30分钟和在350℃下保持1小时以进行亚酰胺化。对所制造的聚酰亚胺基板测量了相对于去离子水的接触角，其结果为约61度。
制备实施例2.聚酰亚胺基板(B)的制造
将BPDA(3,3,4,4’-Biphenyltetracarboxylicdianhydride)和1,3-二氨基苯(DAB，1,3-Diaminobenzene)在反应器中进行缩合反应而合成了聚酰胺酸溶液。随后，聚酰亚胺基板(B)是通过以下步骤合成：将该溶液以约20μm的厚度旋涂于玻璃基板上，在以约2℃/分钟的速率在烘箱中加热，之后使基板在80℃下保持15分钟、在150℃下保持30分钟、在220℃下保持30分钟和在350℃下保持1小时以进行亚酰胺化。对所制造的聚酰亚胺基板测量了相对于去离子水的接触角，其结果为约72度。
实施例1.
有机电子器件形成于制备实施例1中所制造的玻璃基板上所形成的聚酰亚胺基板(A)上。首先，阻挡层形成于聚酰亚胺基板(A)上。阻挡层以ALD(AtomicLayerDeposition)方式将单独沉积时的折射率约为1.6至1.8范围内的Al2O3层和单独沉积时的折射率约为2.0至2.4范围内的TiO2层交替重复沉积，由此形成了约1.8的最终折射率。该Al2O3层是根据已知的ALD方式在约200℃的温度下交替吸附作为前体的三甲基铝层和水(H2O)层而形成的，并且TiO2层也是根据已知的ALD方式在约200℃的温度下交替吸附作为前体的TiCl4层和水(H2O)层而形成的。在形成过程中，通过使将Al2O3层和TiO2层的厚度分别调整在到约2至5nm的范围内来形成，从而最终形成了具有约40nm的厚度的阻挡层。随后，利用已知的材料在阻挡层上依序形成空穴注入透明电极层、空穴传输层、具有发射波长在380至500nm范围内的第一发光单元、n-型有机半导体层、p-型有机半导体层、发射波长在500至700nm范围内的第二发光单元、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和电子注入反射电极层，来形成装置区域，并使用适当的封装材料来封装该装置区域而制造了有机电子器件。将该有机电子器件在85℃的温度、85％的相对湿度下放置约500小时，之后确认水分是否渗透到有机电子装置中，并将其结果表示在图1中。从图1可以确认到，根据上述方法，水分基本上未渗透到有机电子器件内。
对比实施例1.
以与实施例1相同的方法形成了有机电子器件，不同之处在于，使用了实施例2中制备的、形成于玻璃基板上的聚酰亚胺基板(B)。将该制造的有机电子器件在85℃的温度、85％的相对湿度下放置了500小时，之后确认水分是否渗透到有机电子装置中，并将其结果表示在图2中。从图2可以确认到，根据上述方法，器件内产生了宽范围的水分渗透区域。

Claims (18)

1.一种用于有机电子器件的基板，其包括：
基底膜，其包含四羧酸二酐和二胺化合物的缩合单元或其亚酰胺化单元，所述二酐或二胺化合物具有羟基；
无机材料层，其位于所述基底膜上。
2.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其中：
基底膜表面相对于去离子水的常温接触角为65度以下。
3.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其中：
二酐或二胺化合物包含2摩尔至10摩尔范围内的羟基。
4.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其中：
基底膜包括作为第一四羧酸二酐和第一二胺化合物的缩合单元或其亚酰胺化单元的第一单元、以及作为第二四羧酸二酐和第二二胺化合物的缩合单元或其亚酰胺化单元的第二单元。
5.根据权利要求4所述的用于有机电子器件的基板，其中：
第一单元与第二单元的折射率之差的绝对值为0.01以上。
6.根据权利要求4所述的用于有机电子器件的基板，其中：
第一单元中所包含的极性官能团的摩尔数与第二单元中所包含的极性官能团的摩尔数之差的绝对值为2以上。
7.根据权利要求6所述的用于有机电子器件的基板，其中：
极性官能团为卤素原子、卤代烷基、氰基、硝基、烷氧基、氰酸酯基或硫氰酸酯基。
8.根据权利要求4所述的用于有机电子器件的基板，其中：
相对于100重量份的第二单元，基底膜包含3至30重量份的第一单元。
9.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其中：
无机材料层为ALD层。
10.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其中：
无机材料层对于波长为550nm的光具有1.7以上的折射率。
11.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其中：
无机材料层包括第一子层和第二子层的堆叠结构。
12.根据权利要求11所述的用于有机电子器件的基板，其中：
第一子层的厚度和第二子层的厚度各自为7nm以下。
13.根据权利要求12所述的用于有机电子器件的基板，其中：
无机材料层不包括厚度大于7nm的层。
14.根据权利要求11所述的用于有机电子器件的基板，其中：
第一子层和第二子层为金属氧化层。
15.根据权利要求11所述的用于有机电子器件的基板，其中：
第一子层的折射率在1.4至1.9的范围内，第二子层的折射率在2.0至2.6的范围内。
16.一种有机电子器件，其包括：
权利要求1所述的用于有机电子器件的基板；以及
器件区域，其具有位于所述基板的无机材料层上的第一电极层、有机材料层和第二电极层。
17.一种用于显示器的光源，其包括权利要求16所述的有机电子器件。
18.一种照明器具，其包括权利要求16所述的有机电子器件。
CN201480032957.2A 2013-09-30 2014-09-30 用于有机电子器件的基板 Active CN105283312B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0116617 2013-09-30
KR20130116617 2013-09-30
PCT/KR2014/009240 WO2015047055A1 (ko) 2013-09-30 2014-09-30 유기전자소자용 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105283312A true CN105283312A (zh) 2016-01-27
CN105283312B CN105283312B (zh) 2017-05-17

Family

ID=53033554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480032957.2A Active CN105283312B (zh) 2013-09-30 2014-09-30 用于有机电子器件的基板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9761832B2 (zh)
EP (1) EP2977199B1 (zh)
JP (1) JP6525994B2 (zh)
KR (1) KR101562146B1 (zh)
CN (1) CN105283312B (zh)
TW (1) TWI581969B (zh)
WO (1) WO2015047055A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114907566A (zh) * 2022-05-11 2022-08-16 江南大学 一种聚酰亚胺-金属单原子复合材料及其制备方法与应用

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105118933B (zh) * 2015-09-02 2018-03-13 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜封装方法及有机发光装置
JP2020076067A (ja) * 2018-11-08 2020-05-21 住友化学株式会社 光学フィルム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011052064A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Toyobo Co Ltd ポリイミドおよびその製造方法
CN102097595A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 三星移动显示器株式会社 有机发光设备及制造有机发光设备的方法
CN102137884A (zh) * 2008-06-30 2011-07-27 可隆工业株式会社 塑料基板和包括该塑料基板的装置
CN102576735A (zh) * 2009-09-30 2012-07-11 大日本印刷株式会社 挠性装置用基板、挠性装置用薄膜晶体管基板、挠性装置、薄膜元件用基板、薄膜元件、薄膜晶体管、薄膜元件用基板的制造方法、薄膜元件的制造方法及薄膜晶体管的制造方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2651233B2 (ja) 1989-01-20 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP2879080B2 (ja) 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP2997021B2 (ja) 1990-08-10 2000-01-11 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891784B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891783B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JP3341090B2 (ja) 1992-07-27 2002-11-05 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JP3228301B2 (ja) 1992-09-07 2001-11-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3163589B2 (ja) 1992-09-21 2001-05-08 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JP3287421B2 (ja) 1992-10-19 2002-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JP3366401B2 (ja) 1992-11-20 2003-01-14 出光興産株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3214674B2 (ja) 1993-03-26 2001-10-02 出光興産株式会社 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3211994B2 (ja) 1993-03-26 2001-09-25 出光興産株式会社 ４官能スチリル化合物およびその製造法
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JP3300827B2 (ja) 1993-12-21 2002-07-08 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3539995B2 (ja) 1993-12-21 2004-07-07 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3496080B2 (ja) 1993-12-24 2004-02-09 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
JP3168806B2 (ja) * 1994-01-11 2001-05-21 信越化学工業株式会社 ポリイミド共重合体及びその製造方法
US6064355A (en) 1994-05-24 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for playback with a virtual reality system
DE69526614T2 (de) 1994-09-12 2002-09-19 Motorola Inc Lichtemittierende Vorrichtungen die Organometallische Komplexe enthalten.
US6139283A (en) 1998-11-10 2000-10-31 Visteon Global Technologies, Inc. Variable capacity swash plate type compressor
JP2001252505A (ja) 2000-03-14 2001-09-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 脱水装置におけるマットフォーメーションプレートとドラム型フィルターとの間隔調整機構
US6226890B1 (en) 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
US6808828B2 (en) 2001-08-23 2004-10-26 Tohoku Pioneer Corporation Organic electroluminescent display panel
JP4138282B2 (ja) 2001-09-14 2008-08-27 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US6962756B2 (en) * 2001-11-02 2005-11-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Transparent electrically-conductive film and its use
JP2003168800A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄膜トランジスタ基板
EP1629543B1 (en) 2003-05-16 2013-08-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Barrier films for flexible polymer substrates fabricated by atomic layer deposition
JP5124083B2 (ja) 2004-06-09 2013-01-23 三星ディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
CN102558859B (zh) * 2006-07-23 2014-12-03 宇部兴产株式会社 由多成分聚酰亚胺形成的聚酰亚胺膜及其制造方法
JP2009025725A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及び前記ポジ型感光性樹脂組成物より得られる樹脂フィルム、並びに、ｆｐｃの製造方法及びｆｐｃ
CN100412111C (zh) 2006-09-05 2008-08-20 东华大学 一种含酚羟基聚酰亚胺粉末的制备方法
CN101959935B (zh) * 2008-02-25 2012-08-22 日立化成杜邦微系统股份有限公司 聚酰亚胺前体组合物、聚酰亚胺薄膜及透明挠性薄膜
JP2009272583A (ja) * 2008-05-12 2009-11-19 Toyobo Co Ltd ポリイミド多層基板
JP5298760B2 (ja) * 2008-10-21 2013-09-25 日立化成株式会社 絶縁体フィルム、樹脂組成物、および表示装置
US8154080B2 (en) 2008-12-05 2012-04-10 Xerox Corporation Dielectric structure having lower-k and higher-k materials
EP2273579A1 (en) 2009-07-10 2011-01-12 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A method of encapsulating a flexible optoelectronic multi-layered structure
JP5732740B2 (ja) * 2009-09-30 2015-06-10 大日本印刷株式会社 フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板およびフレキシブルデバイス
KR20110058123A (ko) 2009-11-25 2011-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101660315B1 (ko) * 2010-02-11 2016-09-28 삼성전자 주식회사 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름
JP5891693B2 (ja) 2011-10-05 2016-03-23 Jsr株式会社 基板の製造方法および基板
US9449809B2 (en) * 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Interface adhesion improvement method
US10557003B2 (en) * 2012-09-27 2020-02-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Polyimide resin composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102137884A (zh) * 2008-06-30 2011-07-27 可隆工业株式会社 塑料基板和包括该塑料基板的装置
JP2011052064A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Toyobo Co Ltd ポリイミドおよびその製造方法
CN102576735A (zh) * 2009-09-30 2012-07-11 大日本印刷株式会社 挠性装置用基板、挠性装置用薄膜晶体管基板、挠性装置、薄膜元件用基板、薄膜元件、薄膜晶体管、薄膜元件用基板的制造方法、薄膜元件的制造方法及薄膜晶体管的制造方法
CN102097595A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 三星移动显示器株式会社 有机发光设备及制造有机发光设备的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114907566A (zh) * 2022-05-11 2022-08-16 江南大学 一种聚酰亚胺-金属单原子复合材料及其制备方法与应用
CN114907566B (zh) * 2022-05-11 2023-03-14 江南大学 一种聚酰亚胺-金属单原子复合材料及其制备方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016527358A (ja) 2016-09-08
TWI581969B (zh) 2017-05-11
KR101562146B1 (ko) 2015-10-20
KR20150037690A (ko) 2015-04-08
WO2015047055A1 (ko) 2015-04-02
EP2977199B1 (en) 2020-01-08
TW201527108A (zh) 2015-07-16
JP6525994B2 (ja) 2019-06-05
US20160056411A1 (en) 2016-02-25
EP2977199A4 (en) 2016-11-16
EP2977199A1 (en) 2016-01-27
CN105283312B (zh) 2017-05-17
US9761832B2 (en) 2017-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105408948B (zh) 用于有机电子器件的基板
US9691995B2 (en) Method of manufacturing substrate for organic electronic device
TWI593153B (zh) 有機電子裝置及其應用
JP6253070B2 (ja) 有機電子素子用基板およびこの製造方法
JP6672152B2 (ja) 有機電子素子用基板およびこの製造方法
CN105283312B (zh) 用于有机电子器件的基板
KR101660692B1 (ko) 유기전자소자용 기판
KR20150080909A (ko) 유기전자소자용 기판

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20160427

Address after: Seoul, South Kerean

Applicant after: LG Display Co., Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Applicant before: LG Chemical Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant