KR101660315B1 - 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름 - Google Patents

고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR101660315B1
KR101660315B1 KR1020100013062A KR20100013062A KR101660315B1 KR 101660315 B1 KR101660315 B1 KR 101660315B1 KR 1020100013062 A KR1020100013062 A KR 1020100013062A KR 20100013062 A KR20100013062 A KR 20100013062A KR 101660315 B1 KR101660315 B1 KR 101660315B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substituted
group
unsubstituted
formula
alkyl
Prior art date
Application number
KR1020100013062A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110093177A (ko
Inventor
조은석
정영석
김상모
손병희
양유성
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020100013062A priority Critical patent/KR101660315B1/ko
Priority to US12/875,467 priority patent/US8592528B2/en
Publication of KR20110093177A publication Critical patent/KR20110093177A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101660315B1 publication Critical patent/KR101660315B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003—Preparatory processes
    • C08G73/1035—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diisocyanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets

Abstract

하기 화학식 1의 구조단위와 화학식 2의 구조단위를 포함하는 폴리아믹산 또는 이를 이미드화시켜 얻어지는 폴리이미드 및 이를 포함하는 조성물과 필름이 제공된다.
[화학식 1]
Figure 112010009510864-pat00050

[화학식 2]
Figure 112010009510864-pat00051

상기 화학식 1 및 2에서 각 치환기의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.

Description

고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름{POLYMER, AND COMPOSITION AND FILM INCLUDING THE SAME}
본 기재는 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름에 관한 것이다.
정보화의 심화 및 대중화에 따라, 다양한 정보를 시각화하여 인간에게 전달하는 디스플레이로서 장소, 시간에 구애됨이 없고 초경량, 저전력의 얇고, 종이처럼 가볍고 유연한 플렉시블(flexible) 디스플레이에 대한 필요성이 점차 증대하고 있다. 플렉시블 디스플레이를 구현하기 위해서는 플렉시블 기판, 저온 공정용 유기 및 무기 소재, 플렉시블 일렉트로닉스, 봉지 및 패키징 기술이 복합적으로 요구된다. 그 중에서 플렉시블 기판은 플렉시블 디스플레이의 성능, 신뢰성 및 가격을 결정하는 가장 중요한 부품이다.
플렉시블 기판으로서 플라스틱 기판이 유용한데, 이는 가공의 용이성, 저중량 이면서 연속 공정이 적합하기 때문이다.
그러나, 플라스틱 기판은 본질적으로 열안정성이 낮아서 실질적으로 적용하기 위해서는 물성이 개선되어야 하며, 이에 우수한 내열성을 가진 폴리이미드 고분자 개발에 대한 필요성이 점점 높아지고 있다.
일반적인 폴리이미드 필름은 가혹한 열이력(thermal history)의 결과 열 열화에 의하여 황색, 갈색으로 착색되는 일이 빈번하고, 고분자 구조에 의해서도 이러한 현상이 야기된다.
폴리이미드는 일반적으로 고분자내 질소 원자가 중심이 되는 전자주게 부분과 카르보닐기가 중심이 되는 전자받게 부분의 고분자 분자내 그리고 고분자 분자간의 전하 이동 착물(charge-transfer(CT) complex)의 형성으로 색상을 띠게 된다. 그리고 이를 기판 재료로 활용하고자 하는 경우에는 열팽창계수(coefficient of thermal expansion, CTE)를 낮추고, 광투과성을 높이는 것이 필요하다.
본 발명의 일 측면은 고분자의 열적 특성과 광학적 투과성을 향상시킬 수 있는 고분자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 측면은 열적 특성과 광학적 투과성이 우수한 조성물 및 필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 하기 화학식 1의 구조단위와 화학식 2의 구조단위를 포함하는 폴리아믹산 고분자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112010009510864-pat00001
상기 화학식 1에서,
Cy는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C20 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group), 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 축합 다고리식 방향족기(condensed polycyclic aromatic group) 및 치환 또는 비치환된 방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기(non-condensed polycyclic aromatic group)로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기이고,
A1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
R1은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고,
n 은 0 내지 3의 범위에 있고, k는 1이상이며, n+k는 A1의 결합가수에 따라 결정된다.
[화학식 2]
Figure 112010009510864-pat00002
상기 화학식 2에서,
Cy는 화학식 1에서와 같고,
A2은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
R2는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 아민기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬아민기이고,
p와 q는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고,
r과 s는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고, r+s는 3이상이며, p+ q+r+s는 A2의 결합가수에 따라 결정된다.
상기 화학식 1과 화학식 2의 구조단위를 포함하는 폴리아믹산 고분자는 이미드화되어 폴리이미드를 제공할 수 있다. 상기 폴리이미드는 하기 화학식 3의 구조단위와 하기 화학식 4의 구조단위를 포함한다.
[화학식 3]
Figure 112010009510864-pat00003
상기 화학식 3에서, Cy, A1, R1, n 및 k는 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
[화학식 4]
Figure 112010009510864-pat00004
상기 화학식 4에서, Cy, A2, R2, p, q, r 및 s는 화학식 2에서 정의된 바와 같다.
상기 화학식 1에서 A1은 하기 화학식 5로 표현될 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112010009510864-pat00005
상기 화학식 5에서,
X1는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C10 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고, 단 R3 및 R4 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
a과 b는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 a+b는 1 이상이다.
상기 화학식 1의 A1의 예로는 하기 화학식 6을 들 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112010009510864-pat00006
상기 화학식 6에서,
R3, R4, a 및 b는 화학식 5에서와 동일하다.
상기 화학식 2에서 A2는 하기 화학식 7-1 또는 7-2로 표현될 수 있다.
[화학식 7-1]
Figure 112010009510864-pat00007
상기 화학식 7-1에서,
X2는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 플루오로알킬기, C6 내지 C20의 아릴기 또는 아민 치환기를 가지는 C6 내지 C20의 아릴기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴아민기이고,
c와 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 c+d는 1 이상이다.
[화학식 7-2]
Figure 112010009510864-pat00008
상기 화학식 7-2에서,
R7은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기 또는 -NR- (여기서 R은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이다)이고, 복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이하며,
m은 4 내지 12의 범위에 있다.
상기 화학식 2의 A2의 예로는 하기 화학식 8을 들 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112015002564388-pat00056
상기 화학식 8에서,
삭제
R5, R6, c 및 d는 화학식 7-1에서와 동일하고 R7은 화학식 7-2와 동일하고 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이하다.
상기 폴리아믹산 고분자는 화학식 9의 히드록시기 함유 아민 화합물, 화학식 10의 3개 이상의 아민기를 가지는 아민 화합물 및 하기 화학식 11의 산이무수물 화합물을 반응시켜 얻어지며, 폴리이미드 고분자는 이를 이미드화하여 얻어진다.
[화학식 9]
Figure 112010009510864-pat00010
상기 화학식 9에서,
A1, R1, n 및 k는 화학식 1에서와 동일하다.
[화학식 10]
Figure 112010009510864-pat00011
상기 화학식 10에서,
A2, R2 및 p는 화학식 2에서와 동일하고, q'는 3이상의 범위에 있고, 5이상의 범위에 있는 것이 더 바람직하며, 화학식 2에서 q+r+s와 동일하다.
[화학식 11]
Figure 112010009510864-pat00012
상기 화학식 11의 Cy는 화학식 1에서와 동일하다.
상기 화학식 9의 아민 화합물의 아민기와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기와 화학식 11의 산이무수물 화합물의 산이무수물기는 약 1:0.9 내지 1.1의 당량비로 반응한다.
상기 화학식 9의 아민 화합물과 화학식 10의 아민 화합물은 약 1:0.001 내지 0.5의 몰비로 사용될 수 있다.
상기 화학식 9의 아민 화합물의 아민기와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 총량에 대하여 상기 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 함량은 약 0.5 내지 50 몰% 범위에 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 고분자를 포함하는 조성물을 제공한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 고분자를 포함하는 필름을 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
상기 폴리아믹산 또는 폴리이미드 고분자는 히드록시기를 포함하여 안정성이 우수하며, 열적 특성과 광학적 투과성이 우수한 필름을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 1, 2 및 3에 따른 폴리이미드 필름 및 비교예 1의 폴리이미드 필름의 열팽창 계수(CTE)를 보인 도면이다.
도 2A 내지 2C는 각각 실시예 1 및 2에 따른 폴리이미드 필름 및 비교예 1의 폴리이미드 필름의 DSC 분석결과를 보인 도면이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 "C4 내지 C20 탄소고리기" 는 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group)"가 단독 또는 융합된 형태일 수 있고, 상기 탄소고리기는 할로겐, C1 내지 C20의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C20의 알콕시기 및 C1 내지 C10의 저급 알킬아미노기와 같은 치환기를 가질 수 있다.
본 명세서에서 "C6 내지 C20 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group)"는 단독 또는 융합되어, 하나의 고리를 포함하는 C6 내지 C20 카보사이클 방향족 시스템을 의미한다. 상기 모노사이클릭 방향족기는 할로겐, C1 내지 C20의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C20의 알콕시기 및 C1 내지 C10의 저급 알킬아미노기와 같은 치환기를 가질 수 있다.
본 명세서에서 "C2 내지 C20 축합 다고리식 방향족기(condensed polycyclic aromatic group)"는 고리들이 서로 축합된 형태를 의미하며, 축합 고리식 방향족기는 할로겐, C1 내지 C20의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C20의 알콕시기 및 C1 내지 C10의 저급 알킬아미노기와 같은 치환기를 가질 수 있다.
본 명세서에서 "방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기(non-condensed polycyclic aromatic group)"는 여러 개의 고리가 방향족기에 의하여 단일결합 또는 링커(linker)를 통하여 연결된 방향족 시스템을 의미한다. 상기 링커는 C1 내지 C10의 알킬렌기; C1 내지 C10의 알킬기 또는 C1 내지 C10의 플루오로알킬기로 치환된 C1 내지 C10의 알킬렌기; SO2; CO; O 등을 포함한다. 상기 방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기는 할로겐, C1 내지 C20의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C20의 알콕시기 및 C1 내지 C10의 저급 알킬아미노기와 같은 치환기를 가질 수 있다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "치환"의 의미는 할로겐, C1 내지 C15 할로알킬기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C15 알콕시기 및 C1 내지 C10 저급 알킬아미노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서, 별도의 정의가 없는 한, "헤테로"란 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함하는 작용기를 의미한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1의 구조단위와 화학식 2의 구조단위를 포함하는 폴리아믹산 고분자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112010009510864-pat00013
상기 화학식 1에서,
Cy는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C20 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group), 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 축합 다고리식 방향족기(condensed polycyclic aromatic group) 및 치환 또는 비치환된 방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기(non-condensed polycyclic aromatic group)로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기이고,
A1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
R1은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이고,
n 은 0 내지 3의 범위에 있고, k는 1이상이며, n+k는 A1의 결합가수에 따라 결정된다.
[화학식 2]
Figure 112010009510864-pat00014
상기 화학식 2에서,
Cy는 화학식 1에서와 같고,
A2은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
R2는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴아민기이고,
p와 q는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고,
r과 s는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고, r+s는 3이상이며, p+ q+r+s는 A2의 결합가수에 따라 결정된다.
상기 화학식 1과 화학식 2의 구조단위를 포함하는 폴리아믹산 고분자는 이미드화되어 폴리이미드를 제공할 수 있다. 상기 폴리이미드는 하기 화학식 3의 구조단위와 하기 화학식 4의 구조단위를 포함한다.
[화학식 3]
Figure 112010009510864-pat00015
상기 화학식 3에서, Cy, A1, R1, n 및 k는 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
[화학식 4]
Figure 112010009510864-pat00016
상기 화학식 4에서, Cy, A2, R2, p, q, r 및 s는 화학식 2에서 정의된 바와 같다.
상기 폴리아믹산 또는 폴리이미드 고분자는 화학식 1 또는 화학식 3과 같이 히드록시기를 포함함으로써 히드록시기에 의한 수소결합에 의하여 열적으로 안정화될 수 있고, 화학식 2와 화학식 4의 가교결합 구조를 포함하여 열적 특성이 우수하게 개선될 수 있다.
상기 화학식 1에서 A1은 하기 화학식 5로 표현될 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112010009510864-pat00017
상기 화학식 5에서,
X1는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R' 은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C10 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이고, 단 R3 및 R4 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
a과 b는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 a+b는 1 이상이다.
상기 화학식 5의 R3 및 R4는 화학식 1의 R1 또는 OH일 수 있다.
상기 화학식 1의 A1의 예로는 하기 화학식 6을 들 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112010009510864-pat00018
상기 화학식 6에서,
R3, R4, a 및 b는 화학식 5에서와 동일하다.
상기 화학식 2에서 A2는 하기 화학식 7-1 또는 7-2로 표현될 수 있다.
[화학식 7-1]
Figure 112010009510864-pat00019
상기 화학식 7-1에서,
X2는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R' 은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 플루오로알킬기, C6 내지 C20의 아릴기 또는 아민 치환기를 가지는 C6 내지 C20의 아릴기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴아민기이고,
c와 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 c+d는 1 이상이다.
상기 화학식 7-1의 R5 및 R6는 화학식 2의 R2 또는 NH2일 수 있다.
[화학식 7-2]
Figure 112010009510864-pat00020
상기 화학식 7-2에서,
R7은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기 또는 -NR-(여기서 R은 여기서 R은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이다)이고, 복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이하며,
m은 4 내지 12의 범위에 있다.
상기 화학식 7-2의 R7은 화학식 2의 R2 또는 NH2의 치환기로 치환될 수 있다.
상기 화학식 7-2에서, m은 4 내지 12의 범위에 있으며, m이 4일 경우 화학식 7-2의 구조가 랜덤 구조의 실록산 결합을 형성하고, m이 6일 경우 화학식 7-2의 구조가 부분적 케이지(partial cage) 구조를 이루고, m이 8 이상일 경우 화학식 7-2의 구조가 케이지(cage) 구조를 이룬다.
상기 폴리아믹산 고분자는 화학식 9의 히드록시기 함유 아민 화합물, 화학식 10의 3개 이상의 아민기를 가지는 아민 화합물 및 하기 화학식 11의 산이무수물 화합물을 유기용매 내에서 반응시켜 얻어진다. 폴리이미드는 얻어진 폴리아믹산을 이미드화하여 얻을 수 있다.
[화학식 9]
Figure 112010009510864-pat00021
상기 화학식 9에서,
A1, R1, n 및 k는 화학식 1에서와 동일하다.
[화학식 10]
Figure 112010009510864-pat00022
상기 화학식 10에서,
A2, R2 및 p는 화학식 2에서와 동일하고, q'는 3이상의 범위에 있고, 5이상의 범위에 있는 것이 더 바람직하며, 화학식 2에서 q+r+s와 동일하다.
[화학식 11]
Figure 112010009510864-pat00023
상기 화학식 11의 Cy는 화학식 1에서와 동일하다.
상기 산이무수물 화합물의 예로는, 4,4-바이프탈릭 언하이드라이드(4,4-biphthalic anhydride, BPDA), 3,3',4,4'-디페닐술폰 테트라카복실릭 디언하이드라이드 (3,3',4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, DSDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디언하이드라이드(3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, BTDA), 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴) 디프탈릭 언하이드라이드(4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride, 6FDA), 4,4'-옥시디프탈릭 언하이드라이드(4,4'-oxydiphthalic anhydride, ODPA), 피로멜리틱 디언하이드라이드(pyromellitic dianhydride, PMDA), 4-((2,5-디옥소테드라하이드로퓨란-3-일)-1,2,3,4-테트라나프탈렌-1,2-디카르복실릭 언하이드라이드(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride, DTDA) 등을 들 수 있고, 이들은 단독 혹은 2종 이상 혼합해서 사용된다. 이들 산이무수물의 구조는 하기 화학식 11-1과 같다.
[화학식 11-1]
Figure 112010009510864-pat00024
Figure 112010009510864-pat00025
BPDA DSDA
Figure 112010009510864-pat00026
Figure 112010009510864-pat00027
BTDA 6FDA
Figure 112010009510864-pat00028
Figure 112010009510864-pat00029
ODPA PMDA
Figure 112010009510864-pat00030
DTDA
상기 유기용매로는 N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸카프로락탐, N-메틸 프로피온아미드, 디메틸술폭시드, 피리딘, 테트라히드로푸란, 시클로헥사논, 1,4-디옥산, 그 밖의 극성 비양자성 용매(polar aprotic solvent)를 사용할 수 있고, 상기 유기용매들을 단독으로 또는 이들 중 2 이상의 조합으로서 사용한다.
화학식 9의 아민 화합물의 아민기와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기 및 화학식 11의 산이무수물 화합물의 산이무수물기는 약 1:0.9 내지 1.1의 당량비의 범위로 반응한다. 이와 같이 화학식 9와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 총량과 화학식 11의 산이무수물 화합물의 산이무수물기의 함량이 상기 범위 내로 조절하는 경우 최종 형성되는 폴리아믹산 및 폴리이미드 고분자에 히드록시기가 존재하여 히드록시기의 수소결합에 의하여 고분자의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기 화학식 9의 아민 화합물과 화학식 10의 아민 화합물은 약 1:0.001 내지 0.5의 몰비로 사용될 수 있다. 또한 상기 화학식 9의 아민 화합물의 아민기와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 총량에 대하여 상기 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 함량은 약 0.5 내지 50 몰% 범위에 있다. 또한 상기 화학식 9의 아민 화합물의 아민기와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 총량에 대하여 상기 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 함량이 약 0.5 내지 10 몰% 범위에 있을 수 있다. 화학식 9과 화학식 10의 아민 화합물의 함량 또는 이들 아민기의 함량이 상기 범위 내로 조절하는 경우 이로부터 형성된 폴리아믹산 및 폴리이미드의 특성을 향상시킬 수 있으며 겔화를 억제하여 기판제조를 용이하게 할 수 있다.
상기 화학식 9의 아민 화합물과 화학식 10의 아민 화합물 그리고 화학식 11의 산이무수물 화합물의 반응은 촉매없이도 진행될 수 있으며, 촉매를 사용하지 않음으로써 기판의 투명도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 고분자를 포함하는 조성물이 제공된다.
상기 조성물은 도포성을 좋게 하기 위하여 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 용매의 구체적인 예로는 디메틸설폭사이드; N-메틸-2-피롤리돈; N,N-디메틸포름아미드(DMF); N,N-디메틸아세트아미드(DMAc); N-메틸포름아미드(NMF); 메탄올, 에탄올, 2-메틸-1-부탄올 및 2-메틸-2-부탄올로 이루어진 군에서 선택된 알코올; γ-부티로락톤, 사이클로헥사논, 3-헥사논, 3-헵타논, 3-옥타논, 아세톤 및 메틸 에틸 케톤으로 이루어진 군에서 선택된 케톤; 테트라하이드로퓨란; 트리클로로에탄; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 　이러한 용매는 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.
상기 폴리아믹산 또는 폴리이미드 고분자는 히드록시기를 포함함으로써 히드록시기에 의한 수소결합에 의하여 열적 안정성이 우수하며, 가교구조를 가지므로 기계적 물성이 우수하여 열적 특성과 광학적 투과성이 모두 우수한 필름을 제공할 수 있다.
상기 필름은 약 3 내지 약 100 ppm/℃의 열팽창 계수를 가진다. 상기 범위의 열팽창 계수를 가지는 경우 필름의 열적 특성을 개선할 수 있다.
상기 필름은 소자용 기판, 광학필름(optical film), IC(integrated circuit) 패키지, 점착 필름(adhesive film), 다층 FPC(flexible printed circuit), 테이프 등에 이용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
실시예 1
500 mL 둥근바닥 플라스크에 3,3'-디히드록시벤지딘(3,3'-dihydroxybenzidine, DHBZ) 19.6 mmol, 3,3'-디아미노벤지딘(3,3'-diaminobenzidine, DABZ) 0.2 mmol 및 3,3',4,4-바이페닐테트라카르복실릭 디언하아드라이드(3,3',4,4-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) 20.0 mmol을 디메틸 아세트아미드(DMAC)에서 15시간 반응시킨 후 폴리아믹산(polyamic acid)을 수득하였다. 사용된 DHBZ와 DABZ의 아민기 총량에 대하여 DABZ의 아민기 함량은 2몰%이다.
상기 폴리아믹산을 옥틸트리클로로실란(octyltrichlorosilane) 처리가 된 유리기판 위에 도포한 후, 50 ℃에서 1시간동안 N2 퍼징(purging)하고, 80 ℃에서 1시간 동안 진공 유지한 다음 분당 1 ℃의 속도로 250 ℃까지 승온한다. 그런 다음 N2 분위기에서 1시간을 열처리하여 가교결합된 폴리이미드(cross-linked polyimide) 필름을 제조한다.
실시예 2
500mL 둥근바닥 플라스크에 3,3'-디히드록시벤지딘(3,3'-dihydroxybenzidine, DHBZ) 19.6 mmol, 옥타(아미노페닐)실세스퀴옥산 (octa(aminophenyl)silsesquioxane, OAPS) 0.1 mmol 및 3,3',4,4-비페닐테트라카르복실릭 디언하아드라이드(3,3',4,4-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) 20.0 mmol을 디메틸아세트아미드(DMAC)에서 15시간 반응 시킨 후 폴리아믹산을 얻는다. 사용된 DHBZ와 OAPS 의 아민기 총량에 대하여 DABZ의 아민기 함량은 2몰%이다.
상기 폴리아믹산을 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 가교결합된 폴리이미드 필름을 제조한다.
실시예 3
500mL 둥근바닥 플라스크에 3,3'-디히드록시벤지딘(3,3'-dihydroxybenzidine, DHBZ) 19.0 mmol, 옥타(아미노페닐)실세스퀴옥산 (octa(aminophenyl)silsesquioxane, OAPS) 0.25 mmol 및 3,3',4,4-비페닐테트라카르복실릭 디언하아드라이드(3,3',4,4-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) 20.0 mmol을 디메틸아세트아미드(DMAC)에서 15시간 반응 시킨 후 폴리아믹산을 얻는다. 사용된 DHBZ와 OAPS 의 아민기 총량에 대하여 DABZ의 아민기 함량은 5몰%이다.
상기 폴리아믹산을 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 가교결합된 폴리이미드 필름을 제조한다.
비교예 1
500mL 둥근바닥 플라스크에 3,3'-디히드록시벤지딘(3,3'-dihydroxybenzidine, DHBZ) 20 mmol 및3,3',4,4-비페닐테트라카르복실릭 디언하아드라이드(3,3',4,4-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) 20 mmol을 디메틸아세트아미드(DMAC)에서 15시간 반응시킨 후 폴리아믹산을 얻는다.
상기 폴리아믹산을 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조한다.
열적 특성
실시예 1, 2 및 3에 따른 폴리이미드 필름 및 비교예 1의 폴리이미드 필름에 대하여 TMA분석(ThermoMechanical Analyzer, 5℃/min, Pre-load: 10mN, TA Instrument TMA 2940)으로 열팽창 계수(CTE)를 측정하여 도 1에 도시한다. 도 1에서 보는 바와 같이 실시예 1, 2 및 3의 폴리이미드 필름의 CTE는 각각 11.9, 12.2 및 8.6 ppm/℃로 비교예 1의 16.9 ppm/℃에 비하여 열팽창 계수가 낮음을 알 수 있다.
광학 특성
실시예 1, 2 및 3에 따른 폴리이미드 필름 및 비교예 1의 폴리이미드 필름의 광학 특성을 평가하기 위하여 광투과도 및 헤이즈를 KONICA MINOLTA Spectrophotometer로 측정하여 하기 표 1에 기재한다.
[표 1]
Figure 112010009510864-pat00031
표 1에서와 같이 실시예 1, 2 및 3의 폴리이미드 필름이 비교예 1의 폴리이미드 필름에 비하여 광투과도 및 헤이즈에서 개선되었음을 알 수 있다.
유리전이 온도
실시예 1내지 3에 따른 폴리이미드 필름 및 비교예 1의 폴리이미드 필름을 DSC(differential scanning calorimetry)로 유리전이온도(Tg)를 측정하고 열무게 측정분석(thermogravimetric analysis, TGA)로 분해온도(Td5)를 측정하여 하기 표 2에 기재한다. 상기 분해온도(Td5)는 5 중량% 분해시의 온도를 의미한다. 또한 실시예 1 및 2 및 비교예 1의 폴리이미드 필름에 대한 DSC 분석 결과를 각각 도 2A 내지 도 2C에 도시한다. 　
[표 2]
Figure 112010009510864-pat00032
표 2에서 ND는 측정할 수 없음을 나타낸다. 도 2A 내지 도 2C 및 표 2에서 보는 바와 같이 비교예 1의 폴리이미드 필름의 경우 유리전이온도(Tg)가 319 ℃ 정도임에 비하여, 실시예 1 내지 3의 폴리이미드 필름의 경우 Tg가 상승하여 분석 온도에서 피크가 보이지 않는다. 또한 실시예 1 내지 3의 폴리이미드 필름은 각각 416, 415 및 423 ℃의 분해온도를 보인 반면 비교예 1의 폴리이미드 필름은 402 ℃의 분해온도를 나타낸다. 이로부터 실시예 1 내지 3의 폴리이미드 필름이 비교예 1의 폴리이미드 필름에 비하여 열적 안정성이 우수함을 알 수 있다.
본 발명은 상기 구현예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 구현예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1의 구조단위와 화학식 2의 구조단위를 포함하고 가교 구조를 가지는 폴리아믹산 고분자:
    [화학식 1]
    Figure 112016044133994-pat00033

    상기 화학식 1에서,
    Cy는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C20 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group), 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 축합 다고리식 방향족기(condensed polycyclic aromatic group) 및 치환 또는 비치환된 방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기(non-condensed polycyclic aromatic group)로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기이고,
    A1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
    R1은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고,
    n 은 0 내지 3의 범위에 있고, k는 1이상이며, n+k는 A1의 결합가수에 따라 결정됨,
    [화학식 2]
    Figure 112016044133994-pat00034

    상기 화학식 2에서,
    Cy는 화학식 1에서와 같고,
    A2은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
    R2는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 아민기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬아민기이고,
    p와 q는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고,
    r과 s는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고, r+s는 3이상이며, p+ q+r+s는 A2의 결합가수에 따라 결정됨.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 A1은 하기 화학식 5로 표현되는 것인 폴리아믹산 고분자:
    [화학식 5]
    Figure 112010009510864-pat00035

    상기 화학식 5에서,
    X1는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R' 은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C10 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고, 단 R3 및 R4 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
    a과 b는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 a+b는 1 이상임.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 A1은 하기 화학식 6으로 표현되는 것인 폴리아믹산 고분자:
    [화학식 6]
    Figure 112010009510864-pat00036

    상기 화학식 6에서,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고, 단 R3 및 R4 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
    a과 b는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 a+b는 1 이상임.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2에서 A2는 하기 화학식 7-1 또는 7-2로 표현되는 것인 폴리아믹산 고분자:
    [화학식 7-1]
    Figure 112010009510864-pat00037

    상기 화학식 7-1에서,
    X2는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R' 은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 플루오로알킬기, C6 내지 C20의 아릴기 또는 아민 치환기를 가지는 C6 내지 C20의 아릴기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
    R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴아민기이고,
    c와 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 c+d는 1 이상임,
    [화학식 7-2]
    Figure 112010009510864-pat00038

    상기 화학식 7-2에서,
    R7은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기 또는 -NR- (여기서 R은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이다)이고, 복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이하며,
    m은 4 내지 12의 범위에 있음.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2에서 A2는 하기 화학식 8로 표현되는 것인 폴리아믹산 고분자:
    [화학식 8]
    Figure 112015002564388-pat00057

    상기 화학식 8에서,
    R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴아민기이고,
    c와 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 c+d는 1 이상이고,
    R7은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기 또는 -NR- (여기서 R은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이다)이고, 복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이하며, 복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이함.
  6. 하기 화학식 3의 구조단위와 화학식 4의 구조단위를 포함하고 가교 구조를 가지는 폴리이미드 고분자:
    [화학식 3]
    Figure 112016044133994-pat00040

    상기 화학식 3에서,
    Cy는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C20 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group), 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 축합 다고리식 방향족기(condensed polycyclic aromatic group) 및 치환 또는 비치환된 방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기(non-condensed polycyclic aromatic group)로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기이고,
    A1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
    R1은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고,
    n 은 0 내지 3의 범위에 있고, k는 1이상이며, n+k는 A1의 결합가수에 따라 결정됨,
    [화학식 4]
    Figure 112016044133994-pat00041

    상기 화학식 4에서,
    Cy는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C20 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group), 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 축합 다고리식 방향족기(condensed polycyclic aromatic group) 및 치환 또는 비치환된 방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기(non-condensed polycyclic aromatic group)로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기이고,
    A2은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
    R2는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 아민기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬아민기이고,
    p와 q는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고,
    r과 s는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고, r+s는 3이상이며, p+ q+r+s는 A2의 결합가수에 따라 결정됨.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 화학식 3에서 A1은 하기 화학식 5로 표현되는 것인 폴리이미드 고분자:
    [화학식 5]
    Figure 112010009510864-pat00042

    상기 화학식 5에서,
    X1는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R' 은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C10 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고, 단 R3 및 R4 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
    a과 b는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 a+b는 1 이상임.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 화학식 3에서 A1은 하기 화학식 6으로 표현되는 것인 폴리이미드 고분자:
    [화학식 6]
    Figure 112010009510864-pat00043

    상기 화학식 6에서,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고, 단 R3 및 R4 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
    a과 b는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 a+b는 1 이상임.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 화학식 4에서 A2는 하기 화학식 7-1 또는 7-2로 표현되는 것인 폴리이미드 고분자:
    [화학식 7-1]
    Figure 112010009510864-pat00044

    상기 화학식 7-1에서,
    X2는 단일결합, (CRR')n (여기서 R 및 R' 은 서로 동일하거나 상이하며, 수소, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 플루오로알킬기, C6 내지 C20의 아릴기 또는 아민 치환기를 가지는 C6 내지 C20의 아릴기이고, n은 1 내지 5의 정수이다), SO2, O, CO 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있고,
    R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴아민기이고,
    c와 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 c+d는 1 이상임,
    [화학식 7-2]
    Figure 112010009510864-pat00045

    상기 화학식 7-2에서,
    R7은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기 또는 -NR- (여기서 R은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이다)이고, 복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이하며,
    m은 4 내지 12의 범위에 있음.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 화학식 4에서 A2는 하기 화학식 8로 표현되는 것인 폴리이미드 고분자:
    [화학식 8]
    Figure 112015002564388-pat00058

    상기 화학식 8에서,
    R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴아민기이고,
    c와 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고 c+d는 1 이상이고,
    R7은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기 또는 -NR- (여기서 R은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15 헤테로아릴기이다)이고, 복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이하며,복수개로 존재하는 각각의 R7은 서로 동일하거나 상이함.
  11. 화학식 9의 히드록시기 함유 아민 화합물, 화학식 10의 3개 이상의 아민기를 가지는 아민 화합물 및 하기 화학식 11의 산이무수물 화합물을 반응시켜 제1항에 따른 폴리아믹산을 얻고,
    상기 폴리아믹산을 이미드화하는 공정을 포함하는 폴리이미드의 제조방법:
    [화학식 9]
    Figure 112016044133994-pat00047

    상기 화학식 9에서,
    A1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
    R1은 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기이고,
    n 은 0 내지 3의 범위에 있고, k는 1이상이며, n+k는 A1의 결합가수에 따라 결정됨,
    [화학식 10]
    Figure 112016044133994-pat00048

    상기 화학식 10에서,
    A2은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C40 헤테로사이클로알킬렌기이고,
    R2는 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C15의 옥시사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15의 옥시아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C15의 헤테로아릴기, NH2, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 아민기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C15의 알킬아민기이고,
    p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 범위에 있고,
    q'는 3이상의 범위에 있는 수로서, 상기 화학식 2에서 상기 q와 상기 r과 상기 s 의 합 (q+r+s)과 동일함,
    [화학식 11]
    Figure 112016044133994-pat00049

    상기 화학식 11에서,
    Cy는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C20 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 모노사이클릭 방향족기(monocyclic aromatic group), 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 축합 다고리식 방향족기(condensed polycyclic aromatic group) 및 치환 또는 비치환된 방향족기에 의하여 상호연결된 C2 내지 C20 비축합 다고리식 방향족기(non-condensed polycyclic aromatic group)로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기임.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 화학식 9의 아민 화합물의 아민기와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기를 합한 총 아민기와 화학식 11의 산이무수물 화합물의 산이무수물기는 1:0.9 내지 1.1의 당량비로 반응하는 것인 폴리이미드의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 화학식 9의 아민 화합물과 화학식 10의 아민 화합물은 1:0.001 내지 0.5의 몰비로 사용되는 것인 폴리이미드의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 화학식 9의 아민 화합물의 아민기와 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 총량에 대하여 상기 화학식 10의 아민 화합물의 아민기의 함량은 0.5 내지 50 몰% 범위에 있는 것인 폴리이미드의 제조방법.
  15. 제1항 내지 제10항중 어느 하나의 항에 따른 고분자를 포함하는 조성물.
  16. 제1항 내지 제10항중 어느 하나의 항에 따른 고분자를 포함하는 필름.
  17. 제1항에 있어서,
    r+s 는 4 이상이고,
    화학식 1의 구조 단위와 화학식 2의 구조 단위의 몰 비율은, 1:0.001 내지 0.1 인 폴리아믹산 고분자.
  18. 제6항에 있어서,
    r+s 는 4 이상이고,
    화학식 1의 구조 단위와 화학식 2의 구조 단위의 몰 비율은, 1:0.001 내지 0.1 인 폴리이미드 고분자.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 q'는 4 이상인 폴리이미드의 제조방법.
KR1020100013062A 2010-02-11 2010-02-11 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름 KR101660315B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100013062A KR101660315B1 (ko) 2010-02-11 2010-02-11 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름
US12/875,467 US8592528B2 (en) 2010-02-11 2010-09-03 Polymer, composition and film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100013062A KR101660315B1 (ko) 2010-02-11 2010-02-11 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110093177A KR20110093177A (ko) 2011-08-18
KR101660315B1 true KR101660315B1 (ko) 2016-09-28

Family

ID=44354216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100013062A KR101660315B1 (ko) 2010-02-11 2010-02-11 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8592528B2 (ko)
KR (1) KR101660315B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110256671A (zh) * 2013-01-16 2019-09-20 日产化学工业株式会社 显示器基板用树脂薄膜的制造方法及显示器基板用树脂薄膜形成用组合物
WO2015047055A1 (ko) 2013-09-30 2015-04-02 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
KR101928598B1 (ko) 2013-09-30 2018-12-12 주식회사 엘지화학 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
KR102276288B1 (ko) 2013-11-25 2021-07-12 삼성전자주식회사 폴리이미드 제조용 조성물, 폴리이미드, 상기 폴리이미드를 포함하는 성형품, 및 상기 성형품을 포함하는 디스플레이 장치
US9691995B2 (en) 2013-12-04 2017-06-27 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing substrate for organic electronic device
US9975997B2 (en) 2015-03-27 2018-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, composites prepared therefrom, and films and electronic devices including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001240668A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Dainippon Printing Co Ltd 電着用ポリイミド樹脂組成物、その製造方法、電着成形体及びその製造方法
WO2004087793A1 (ja) 2003-03-28 2004-10-14 Pi R & D Co. Ltd. 架橋ポリイミド、それを含む組成物及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4927736A (en) * 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
JPH08323169A (ja) 1995-05-30 1996-12-10 Dainippon Ink & Chem Inc 表面改質ポリイミダゾピロロン分離膜及びその製造方法
JP3089195B2 (ja) * 1995-10-12 2000-09-18 大日本塗料株式会社 電着用ポリイミド組成物
KR100706067B1 (ko) 2005-01-25 2007-04-11 한양대학교 산학협력단 산 또는 염기 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자, 그 제조방법, 상기 고분자를 이용한 고분자막, 및 그 고분자막을 채용한 연료전지
US20080274292A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Kiarash Alavi Shooshtari Binding of fibrous material utilizing a crosslinked polyamic acid

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001240668A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Dainippon Printing Co Ltd 電着用ポリイミド樹脂組成物、その製造方法、電着成形体及びその製造方法
WO2004087793A1 (ja) 2003-03-28 2004-10-14 Pi R & D Co. Ltd. 架橋ポリイミド、それを含む組成物及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110093177A (ko) 2011-08-18
US20110196109A1 (en) 2011-08-11
US8592528B2 (en) 2013-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6721070B2 (ja) ポリイミド前駆体組成物、ポリイミドの製造方法、ポリイミド、ポリイミドフィルム、及び基板
EP3450482B1 (en) High-strength transparent polyamide-imide and method for manufacturing same
US9783640B2 (en) Polyimide precursor, polyimide, polyimide film, varnish, and substrate
KR101775570B1 (ko) 폴리이미드 전구체 조성물, 폴리이미드의 제조 방법, 상기 제조 방법에 따라 제조한 폴리이미드 및 상기 폴리이미드를 포함하는 필름
US8080631B2 (en) Siloxane-modified hyperbranched polyimide
KR101660315B1 (ko) 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름
US20160297995A1 (en) Polyimide precursor, polyimide, polyimide film, varnish, and substrate
EP3736305B1 (en) Polyamide-imide, method for preparing same, and polyamide-imide film using same
KR101524195B1 (ko) 자기가교형 폴리아믹산, 자기가교형 폴리이미드, 그 제조방법 및 이를 이용한 자기가교형 폴리이미드 필름
CA2247287C (en) Soluble polyimide resin, process for production thereof, and polyimide resin solution composition
KR101995916B1 (ko) 폴리이미드 전구체 조성물, 이를 사용하여 제조된 성형품 및 상기 성형품을 포함하는 디스플레이 장치
TW201512345A (zh) 聚醯亞胺前驅體、及聚醯亞胺
TW201742880A (zh) 高強度透明聚醯胺醯亞胺與其製備過程以及聚醯胺醯亞胺膜
KR101971155B1 (ko) 유연한 구조의 다이아민 단량체, 이를 포함하는 투명 폴리이미드, 및 이의 제조방법
KR20180093203A (ko) 폴리아믹산, 폴리이미드 필름 및 폴리이미드 필름의 제조 방법
CN106009664A (zh) 组合物、由其制备的复合物、以及包括其的膜和电子器件
KR102465044B1 (ko) 신규 구조의 산이무수물 모노머를 적용한 폴리아믹산 용액 및 이를 포함하는 폴리이미드 필름
KR20140059629A (ko) 폴리이미드 전구체 조성물, 상기 조성물로부터 제조되는 폴리이미드, 및 상기 폴리이미드를 포함하는 필름
JP5010534B2 (ja) ポリイミドおよびその製造方法
KR101688056B1 (ko) 폴리아믹산, 폴리이미드, 그 제조방법 및 이를 이용한 폴리이미드 필름
KR101631529B1 (ko) 고분자 및 이를 포함하는 조성물과 필름
JP2024028411A (ja) ポリアミック酸組成物、及びこれを用いた透明ポリイミドフィルム
KR101965618B1 (ko) 우수한 투명성, 광투과성 및 내열성을 갖는 디아민 화합물, 이의 중합체, 그 중합체를 포함하는 폴리이미드 필름
KR20180032787A (ko) 폴리이미드 전구체 용액 및 이를 이용한 폴리이미드 필름의 제조방법
KR101754449B1 (ko) 폴리이미드계 필름 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190814

Year of fee payment: 4