CN105206592A - 扇出型封装的结构和制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 114
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 18
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 10
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 3
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- DGAJZNRLUVMKIV-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-3H-1,2,3-benzodioxazole Chemical compound C=12NOOC2=CC=CC=1C1=CC=CC=C1 DGAJZNRLUVMKIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001996 bearing alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种扇出型封装的结构和制作方法，其结构包括带有电极的芯片，芯片主动面朝上，芯片周边填充第一绝缘树脂层，第一绝缘树脂层顶部比芯片上表面高；所述芯片和第一绝缘树脂层顶部覆盖有第二绝缘树脂层，第二绝缘树脂层表面有重布线层通过第二绝缘树脂层的开口与芯片的电极相连；所述第二绝缘树脂层和重布线层上覆盖有第三绝缘树脂层，第三绝缘树脂层有开口，露出重布线层的焊盘，重布线层的焊盘上连接有导电柱，所述导电柱通过重布线层与芯片主动面的电极形成电连接；所述芯片和第一绝缘树脂层的底部有保护层。发明的封装结构中不带承载片，有利于降低封装厚度，同时也扩大了技术的应用范围；而且芯片中未制作铜柱，有利于成本的降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种扇出型封装（FOWLP）的结构和制作方法，属于集成电路芯片封装技术领域。
背景技术
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型晶圆级封装技术(FanoutWaferLevelPackage,FOWLP)的出现，满足了芯片产品尺寸更薄、节省材料（封装基板）等特点，但是如何降低扇出型圆片级封装产品的成本成为需要研究的方向。
（1）日本J-Devices公司在美国专利US20110309503A1中，给出了一种扇出型晶圆级封装的制作方法，如图1所示。该专利主要是一个半导体装置1000，里面包括半导体芯片1004，半导体芯片1004底部是一个基板1002，芯片1004通过粘结胶1018与基板1002结合在一起，芯片1004被第一绝缘层1012包裹。导线1008通过连接部1008A与芯片1004导通。在导线1008上面形成第二绝缘层1014，焊球或凸点1010通过第二绝缘层的1014开口与导线1008连接。主要工艺如下：
第一步：芯片1004通过粘结胶1018贴在基板1002上；
第三步：涂覆第一绝缘树脂层1012，并在树脂上开出窗口，露出芯片上的焊盘；
第四步：通过图形电镀与光刻的方法，制作重布线层（RedistributionLayer，RDL）,将芯片上的焊盘引出；
第五步：制作第二绝缘层1014，并做开口露出重布线层的导线1008；
第六步：在第二绝缘层上面制作焊球或凸点1010。
该技术的不足之处在于，工艺的第三步中涂覆第一绝缘树脂层，由于通常芯片厚度在50微米以上，所以涂覆绝缘树脂的厚度不易控制，不利于精细线路的制作。而且个别树脂（如PBO）价格较高，不利于成本控制。
（2）台湾育霈科技股份有限公司在专利TW200805595A中，给出了一种扇出型晶圆级封装的结构，如图2所示。该封装体结构包括芯片110，芯片110底部有一个基底100，将芯片110贴在基底100上面。芯片周围覆盖第一介电层120，在第一介电层120上面覆盖第二介电层122，第二介电层122表面形成电路130，将芯片导电层126引出。第二介电层122表面形成第三介电层132，第三介电层132表面形成开口露出电路130，焊球136在开口处与电路130相连，也可以在第一介电层120内部埋入器件142，形成互联。
该技术的不足之处是需要一个基底作为载体，增加了工艺的复杂性，同时不利于芯片整体厚度的降低。
（3）中国专利CN103681371A（陈海杰，等）介绍了一种FOWLP技术，其封装结构如图3所示。该技术采用DieFirst，但芯片200的主动面朝上。为保证芯片间介电质的填充、沉积及后步工艺，在FOWLP封装实施前，须在芯片主动面的焊盘210上制作Cu-Pillar（铜柱）300。并在介电质填充层410塑封完成后，采用Grinding（磨抛）对塑封层进行减薄直至各焊盘上的铜柱300均露出。最后再在介电质层上制作重布线结构520和凸块600。这种技术虽避免了第二片载板的使用，但铜柱的制作和对塑封层的磨抛减薄，铜柱露头的控制，使得该技术非常昂贵。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种FOWLP封装方法，重点考虑低成本和制作超薄封装。
按照本发明提供的技术方案，所述扇出型封装的结构包括一个或多个带有电极的芯片，芯片主动面朝上，芯片周边填充第一绝缘树脂层，第一绝缘树脂层顶部比芯片上表面高；所述芯片和第一绝缘树脂层顶部覆盖有第二绝缘树脂层，第二绝缘树脂层表面有重布线层通过第二绝缘树脂层的开口与芯片的电极相连；所述第二绝缘树脂层和重布线层上覆盖有第三绝缘树脂层，第三绝缘树脂层有开口，露出重布线层的焊盘，重布线层的焊盘上连接有导电柱，所述导电柱通过重布线层与芯片主动面的电极形成电连接；所述芯片和第一绝缘树脂层的底部有保护层。
其中，所述第一绝缘树脂层顶部比芯片上表面高出0.5um以上。所述重布线层可以为单层或多层。
上述扇出型封装的制作方法包括以下步骤：
1.晶圆厂生产的晶圆上有阵列排布的芯片，对应芯片有电极的一面为晶圆的正面，将所述晶圆正面覆盖防护层，背面覆盖贴片膜，然后切割成单个芯片；
2.将切割好的芯片正贴到承载片上（之前可以先在承载片上制作对准标记，也可以寻边对位）；
3.在承载片和芯片上覆盖第一绝缘树脂层，第一绝缘树脂层的高度高于芯片正面的防护层；
4.将第一绝缘树脂层的厚度减薄，减薄到防护层材料，而不破坏芯片和电极；
5.去掉芯片上的防护层，露出芯片的正面和电极；
6.在上一步所得结构的正面涂覆第二绝缘树脂层，并在第二绝缘树脂层表面形成开口，露出芯片的电极；
7.在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成重布线层；
8.在第二绝缘树脂层和重布线层表面涂覆第三绝缘树脂层，并在第三绝缘树脂层表面开口，露出重布线层的焊盘；
9.在重布线层的焊盘表面形成导电柱；
10.去除承载片和贴片膜，然后在第一绝缘树脂层和芯片背面形成保护层。
所述防护层可通过喷涂、印刷、旋涂、层压、热压、浸泡、溅射、沉积、电镀、化学镀、蒸镀、键合或焊接方式制作。
所述贴片膜可使用滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡或压力贴合方式涂覆在芯片上。
所述将第一绝缘树脂层的厚度减薄采用机械减薄、化学减薄或两者相结合的减薄方法，减薄后芯片表面防护层的厚度≥0.5微米。
具体的，所述在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成重布线层的方法为：在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成一层导电的种子层，在种子层表面涂覆光刻胶，通过曝光、显影工艺在光刻胶表面形成图形开口；使用电镀方法，在光刻胶的开口处形成重布线层112；再去除光刻胶和光刻胶底部的种子层，保留重布线层和重布线层底部的种子层。
所述在重布线层的焊盘表面形成导电柱的方法为：在重布线层的焊盘表面形成凸点下金属化层，在凸点下金属化层上面形成导电柱。所述导电柱可通过印刷、植球、刷球、放球、电镀、化学镀、溅射或蒸镀工艺制作。
所述去除承载片和贴片膜，可通过加热、机械、化学、激光或冷冻方式拆除。
本发明的优点是：本发明的封装结构中不带承载片，有利于降低封装厚度，可以使用超薄芯片，适于制作超薄封装，同时也扩大了技术的应用范围；而且，与现有技术（3）相比，本发明芯片中未制作铜柱，有利于成本的降低。本发明可以使用低成本绝缘树脂作为芯片间填充材料，也有利于降低产品成本。
附图说明
图1是现有技术1封装结构示意图。
图2是现有技术2封装结构示意图。
图3是现有技术3封装结构示意图。
图4是本发明的封装结构示意图。
图5A是晶圆平面图。
图5B是晶圆正面覆盖防护层，背面覆盖贴片膜的剖面图。
图5C是晶圆分割成单个独立芯片。
图6是承载片平面图。
图7是芯片正贴到承载片上。
图8是在承载片上涂覆第一绝缘树脂层。
图9是将第一绝缘树脂层减薄到防护层材料。
图10是去除防护层露出芯片正面和电极。
图11是在承载片正面涂覆第二绝缘树脂层并形成开口。
图12是在第二绝缘树脂层和电极表面形成种子层再涂覆光刻胶，在光刻胶开口处形成重布线层。
图13是去除光刻胶及光刻胶底部的种子层，再涂覆第三绝缘树脂层并形成开口，在重布线层的焊盘表面形成凸点下金属化层。
图14是在凸点下金属化层上面形成导电柱。
图15是去除承载片和贴片膜，在第一绝缘树脂层和芯片背面涂覆保护层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图4所示，本发明的封装产品的结构包括芯片102，芯片102正面有电极105。芯片102可以为单个芯片，也可以是多个芯片，可以是有源芯片，也可以是无源芯片。
芯片102主动面朝上，芯片102周边填充第一绝缘树脂层108，第一绝缘树脂层108顶部比芯片102上表面高；所述芯片102和第一绝缘树脂层108顶部覆盖有第二绝缘树脂层109，第二绝缘树脂层109表面有重布线层112通过第二绝缘树脂层109的开口与芯片的电极105相连，电极105通过重布线层112引出。重布线层112可以为一层，也可以是多层，重布线层112在第二绝缘树脂层109表面。所述第二绝缘树脂层109和重布线层112上覆盖有第三绝缘树脂层113，第三绝缘树脂层113有开口，露出重布线层112的焊盘114，导电柱116通过焊盘114与重布线层112相连。导电柱116通过重布线层112与芯片102主动面的电极105形成电连接。所述芯片102和第一绝缘树脂层108的底部有保护层117。
本发明的扇出型封装的制作方法的基本工艺流程如下：
1、图5A为从晶圆厂生产出来的晶圆101，晶圆101上有阵列排布的芯片102。
图5B为晶圆101的剖面图，在晶圆101正面覆盖防护层103，在晶圆101背面覆盖贴片膜（DieAttachFilm,DAF）104。
防护层103可以通过喷涂、印刷、旋涂、层压、热压、浸泡、溅射、沉积、电镀、化学镀、蒸镀、键合、焊接等方式制作。防护层103可以是金属、有机化合物，如铜、含铬合金、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、含氟化合物、含氮化合物、含硫化合物、三唑化合物等。
贴片膜104可以使用滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式涂覆在芯片102上。
如图5C，将晶圆101分割成单个独立的芯片102，可以通过机械、激光、化学等方式。芯片102正面（主动面）有电极105。
2、图6为承载片106的俯视图。在承载片106制作对准标记107，也可以寻边对位。
承载片106的材料可以是无机材料、有机材料或混合材料。例如硅、二氧化硅、玻璃、金属、覆铜板、Fr4等材料的方片、圆片或不规则片。
对准标记107为定位或对位用的标记，制作方法包括机械加工、化学腐蚀、电镀等工艺，如激光打标、喷砂，曝光刻蚀，丝网印刷，点胶、钻孔、图形电镀等。
3、如图7，将芯片102正贴（主动面朝上）到承载片106上。芯片102可以是有源芯片也可以是无源芯片。可以是相同的芯片，也可以是多个不同的芯片。
4、如图8，承载片106上涂覆第一绝缘树脂层108，第一绝缘树脂层108的高度高于芯片102上的防护层103。
第一绝缘树脂层108为有机材料或含有有机材料的混合材料，如环氧树脂、聚酰亚胺、BCB（双苯环丁烯树脂）、PBO（苯基苯并二恶唑树脂）、硅胶、酚醛树脂、亚克力树脂、三嗪树脂、PVDF、底填胶（UnderFill或MUF等）、塑封材料以及添加填料的树脂中的一种或者多种。
第一绝缘树脂层108可以通过滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作。
5、如图9，将第一绝缘树脂层108的厚度减薄，减薄到防护层103材料，但不破坏芯片102和电极105。
减薄的方法可以包括机械减薄、化学减薄和两者相结合的减薄。
减薄后保留防护层103的厚度≥0.5微米。
6、如图10，通过化学、机械或两者相结合的方法去掉防护层103，露出芯片102的正面和电极105。
7、如图11，在承载片106正面涂覆第二绝缘树脂层109，第二绝缘树脂层109将芯片102和第一绝缘树脂层108覆盖。通过曝光、显影或刻蚀等工艺，在芯片102的电极105上形成开口，将芯片电极105露出。
第二绝缘树脂层109包括感光树脂和可以通过干法刻蚀等工艺形成图形的树脂，例如聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）、PBO（苯基苯并二恶唑树脂）中的一种或者多种。
第二绝缘树脂层109可以通过滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作。
8、如图12，在第二绝缘树脂层109和电极105表面形成一层可以导电的种子层110。在种子层110表面涂覆光刻胶111，再通过曝光、显影等工艺在光刻胶111表面形成图形开口。使用电镀等方法，在光刻胶111的开口处形成重布线层112。
种子层110为金属成分，包括Al、Au、Cr、Co、Ni、Cu、Mo、Ti、Ta、Ni-Cr、Co—Ni、Co—Cr、W等金属及其合金。
种子层110可以使用物理和化学的方法形成，例如化学镀、溅射等工艺。
重布线层112为导电材料,包括金属、导电胶等材料。其中金属成分可以为Al、Au、Cr、Ni、Cu、Mo、Ti、Ta、W等金属或其合金。
重布线层112可以通过溅射、电化学、化学沉积、印刷、涂覆、纳米压印等工艺制作。
9、如图13，去除光刻胶111和光刻胶111底部的种子层110，保留重布线层112和底部的种子层110。在第二绝缘树脂层108和重布线层112表面涂覆第三绝缘树脂层113，第三绝缘树脂层113将重布线层112和第二绝缘树脂层109覆盖。通过曝光、显影或刻蚀等工艺，在第三绝缘树脂层113上形成开口，露出重布线层112的焊盘114。在焊盘114表面形成凸点下金属化层（UBM）115。
第三绝缘树脂层113包括感光树脂和可以通过干法刻蚀等工艺形成图形的树脂，例如聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB（双苯环丁烯树脂）、PBO（苯基苯并二恶唑树脂）中的一种或者多种。
第三绝缘树脂层113可以通过滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作。
凸点下金属化层115为金属或合金成分，包括Al、Sn、Ag、Pb、Au、Cr、Co、Ni、Cu、Mo、Ti、Bi、Ni-Cr、Co—Ni、Co—Cr、W等金属及其合金。
凸点下金属化层115可以通过溅射、电镀、化学沉积、印刷、涂覆、纳米压印等工艺形成。
10、如图14，在凸点下金属化层115上面形成导电柱116。
导电柱可以是金属或具有导电功能的材料。一般导电柱116为金属或合金成分，包括Al、Sn、Ag、Pb、Au、Cr、Co、Ni、Cu、Mo、Ti、Bi、Ni-Cr、Co—Ni、Co—Cr、W等金属或其合金。
导电柱116可以通过印刷、植球、刷球、放球、电镀、化学镀、溅射、蒸镀等工艺制作。
11、如图15，去掉承载片106和贴片膜104，露出第一绝缘树脂层108和芯片102的背面。在第一绝缘树脂层108和芯片102的背面涂覆保护层117，形成最后的封装结构。
承载片106和贴片膜104可以通过加热、机械、化学、激光、冷冻等方式拆除。
保护层117可以是金属、玻璃、硅、有机材料或含有以上物质的混合材料。
保护层117可以通过滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作。
Claims (10)
1.扇出型封装结构，其特征是，包括一个或多个带有电极的芯片，芯片主动面朝上，芯片周边填充第一绝缘树脂层，第一绝缘树脂层顶部比芯片上表面高；所述芯片和第一绝缘树脂层顶部覆盖有第二绝缘树脂层，第二绝缘树脂层表面有重布线层通过第二绝缘树脂层的开口与芯片的电极相连；所述第二绝缘树脂层和重布线层上覆盖有第三绝缘树脂层，第三绝缘树脂层有开口，露出重布线层的焊盘，重布线层的焊盘上连接有导电柱，所述导电柱通过重布线层与芯片主动面的电极形成电连接；所述芯片和第一绝缘树脂层的底部有保护层。
2.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征是，所述第一绝缘树脂层顶部比芯片上表面高出0.5um以上。
3.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征是，所述重布线层为单层或多层。
4.扇出型封装的制作方法，其特征是，包括以下步骤：
（1）晶圆厂生产的晶圆上有阵列排布的芯片，对应芯片有电极的一面为晶圆的正面，将所述晶圆正面覆盖防护层，背面覆盖贴片膜，然后切割成单个芯片；
（2）将切割好的芯片正贴到承载片上；
（3）在承载片和芯片上覆盖第一绝缘树脂层，第一绝缘树脂层的高度高于芯片正面的防护层；
（4）将第一绝缘树脂层的厚度减薄，减薄到防护层材料，而不破坏芯片和电极；
（5）去掉芯片上的防护层，露出芯片的正面和电极；
（6）在上一步所得结构的正面涂覆第二绝缘树脂层，并在第二绝缘树脂层表面形成开口，露出芯片的电极；
（7）在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成重布线层；
（8）在第二绝缘树脂层和重布线层表面涂覆第三绝缘树脂层，并在第三绝缘树脂层表面开口，露出重布线层的焊盘；
（9）在重布线层的焊盘表面形成导电柱；
（10）去除承载片和贴片膜，然后在第一绝缘树脂层和芯片背面形成保护层。
5.如权利要求4所述的扇出型封装的制作方法，其特征是，所述防护层通过喷涂、印刷、旋涂、层压、热压、浸泡、溅射、沉积、电镀、化学镀、蒸镀、键合或焊接方式制作。
6.如权利要求4所述的扇出型封装的制作方法，其特征是，所述贴片膜使用滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡或压力贴合方式涂覆在芯片上；所述去除承载片和贴片膜，通过加热、机械、化学、激光或冷冻方式拆除。
7.如权利要求4所述的扇出型封装的制作方法，其特征是，所述芯片正贴到承载片之前先在承载片上制作对准标记。
8.如权利要求4所述的扇出型封装的制作方法，其特征是，所述将第一绝缘树脂层的厚度减薄采用机械减薄、化学减薄或两者相结合的减薄方法，减薄后芯片表面防护层的厚度≥0.5微米。
9.如权利要求4所述的扇出型封装的制作方法，其特征是，所述在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成重布线层的方法为：在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成一层导电的种子层，在种子层表面涂覆光刻胶，通过曝光、显影工艺在光刻胶表面形成图形开口；使用电镀方法，在光刻胶的开口处形成重布线层112；再去除光刻胶和光刻胶底部的种子层，保留重布线层和重布线层底部的种子层。
10.如权利要求4所述的扇出型封装的制作方法，其特征是，所述在重布线层的焊盘表面形成导电柱的方法为：在重布线层的焊盘表面形成凸点下金属化层，在凸点下金属化层上面形成导电柱；所述导电柱通过印刷、植球、刷球、放球、电镀、化学镀、溅射或蒸镀工艺制作。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201510553441.9A CN105206592B (zh) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 扇出型封装的结构和制作方法 |
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| CN201510553441.9A CN105206592B (zh) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 扇出型封装的结构和制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105206592A true CN105206592A (zh) | 2015-12-30 |
| CN105206592B CN105206592B (zh) | 2019-01-04 |
Family
ID=54954171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510553441.9A Active CN105206592B (zh) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 扇出型封装的结构和制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105206592B (zh) |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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