CN104972386A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态的基板处理装置。CMP装置具备晶片的研磨单元(3)、晶片的清洗单元(4)、将基板向研磨单元(3)交接并且从清洗单元(4)接收基板的装载/卸载单元(2)、晶片的搬送单元、及控制将晶片向CMP装置投入的投入时序的控制部(5)。控制部(5)以从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的方式，制作按照投入至CMP装置的多个晶片的每一个晶片，将研磨部、清洗部、及搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系的时刻表，且根据时刻表来控制多个晶片对CMP装置的投入时序。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
近年来，使用基板处理装置，以对半导体晶片等基板进行各种处理。作为基板处理装置的一例，列举有用于进行基板研磨处理的CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)装置。
CMP装置具备用于进行基板研磨处理的研磨单元、用于进行基板的清洗处理及干燥处理的清洗单元、将基板向研磨单元交接并且接收由清洗单元而被清洗处理及干燥处理后的基板的装载/卸载单元等。此外，CMP装置具备在研磨单元、清洗单元、及装载/卸载单元内进行基板搬送的搬送单元。CMP装置一边由搬送单元搬送基板，一边依序进行研磨、清洗、及干燥的各种处理。
但是，若在CMP装置中将多个基板连续搬送时，通过优先执行的基板的处理等待、或与以不同的路径被搬送的基板共有的处理部的空档等待等，会产生基板的待机状态。例如，若在从研磨处理开始起直到清洗处理结束为止的期间产生基板的待机状态时，由于经时变化(腐蚀等)、或外在干扰(粉尘等)，基板状态有可能成为不安定。特别是，若在基板的研磨对象物中含有铜(Cu)的情况下，当研磨结束后直到清洗开始为止的待机时间长时，腐蚀的影响会变大。
这一点，在现有技术中提出了通过预测清洗单元中的清洗开始时刻，来削减从研磨单元至清洗单元的基板等待时间的方案。
专利文献1：日本专利第5023146号公报
(发明所要解决的问题)
但是，现有技术并未考虑在清洗单元中的清洗处理及搬送路径的自由度高的基板处理装置中，削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态的情形。
即，在现有技术中，是以如下为前提的：基板处理装置通过清洗单元的多个清洗部依次清洗由研磨单元进行了研磨处理的基板，之后使其干燥而送回至装载/卸载单元。因此，在现有技术中，例如在由于清洗单元具有可并列进行清洗处理的多个清洗部而使清洗单元内的基板的搬送路径会复杂化的情况下，有可能在清洗单元内产生基板的待机状态。当在清洗单元内暂时产生基板待机状态时，在预定通过该基板所位于的场所的后续的基板也有可能产生待机状态。
发明内容
因此，本发明的课题在清洗单元中的清洗处理及搬送路径的自由度高的基板处理装置中，削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态。
(用于解决问题的手段)
本发明的基板处理装置的一方式是鉴于上述课题而作出的，具备：研磨单元，该研磨单元包含对基板进行研磨处理的至少1个研磨部；清洗单元，该清洗单元包含将由所述研磨单元研磨后的基板进行清洗处理的至少1个清洗部；装载/卸载单元，该装载/卸载单元将基板交接给所述研磨单元并且从所述清洗单元接收基板；及搬送单元，该搬送单元包含对所述基板进行搬送处理的至少1个搬送部，所述基板处理装置的特征在于，所述基板处理装置具备控制部，该控制部控制将所述基板向所述基板处理装置投入的投入时序，所述控制部以从所述基板被投入至所述基板处理装置起直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的方式，制作时刻表，所述时刻表按照投入至所述基板处理装置的多个基板的每一个基板而将所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系，所述控制部根据所述时刻表来控制将所述多个基板向所述基板处理装置投入的投入时序。
此外，在基板处理装置的一方式中，所述控制部根据在所述研磨部及所述清洗部的至少一方中处理所需时间和在所述搬送部中从所述研磨单元到所述清洗单元的搬送处理所需时间的过去的实际的值，来制作所述时刻表。
此外，在基板处理装置的一方式中，当制作针对新投入至所述基板处理装置的基板的所述时刻表时，所述控制部计算所述新投入的基板到达所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到达时刻，将所述假定到达时刻、与先投入至所述基板处理装置的基板的所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻进行比较，在相同或相竞争的处理部中存在比所述处理结束时刻或处理结束预定时刻快的假定到达时刻的情况下，所述控制部将所述快的假定到达时刻与所述处理结束时刻或处理结束预定时刻之差，相加至到达所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到达时刻，由此来制作实际到达时刻，且根据所述实际到达时刻来制作所述时刻表。
此外，在基板处理装置的一方式中，在存在多个所述快的假定到达时刻的情况下，所述控制部将所述快的假定到达时刻与所述处理结束时刻或处理结束预定时刻之差为最大的假定到达时刻与所述处理结束时刻或处理结束预定时刻之差，相加至到达所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到达时刻，由此来制作实际到达时刻，且根据所述实际到达时刻来制作所述时刻表。
此外，在基板处理装置的一方式中，在所述相同或相竞争的处理部中不存在比所述处理结束时刻或处理结束预定时刻快的假定到达时刻的情况下，所述控制部根据所述假定到达时刻来制作所述时刻表。
(发明的效果)
根据本发明，在清洗单元中的清洗处理及搬送路径的自由度高的基板处理装置中，可削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的全体构成的俯视图。
图2是表示从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的晶片搬送路径的一例的图。
图3是表示从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的晶片搬送路径的一例的图。
图4是表示本实施方式的CMP装置的动作的流程图。
图5是用于说明时刻表的制作过程的概略图。
图6是表示时刻表的一例的图。
图7是表示图表化的时刻表的一例的图。
符号说明
1  外壳
1a、1b  间隔壁
2  装载/卸载单元
3  研磨单元
3A～3D  研磨部
4  清洗单元
5  控制部
11  升降器
12  摆动输送器
20  前装载部
22  搬送机器人(装载器、搬送机构)
24  ITM(In-line Thickness Monitor，线内厚度监测器)
180       暂置台
190       第1清洗室
191       第1搬送室
192       第2清洗室
193       第2搬送室
194       第3清洗室
210、240  时刻表
220       假定到达时刻表
230       实际到达时刻表
CL1A、CL1B、CL2A、CL2B、CL3A、CL3B     清洗部
LTP1      第1搬送位置
LTP2      第2搬送位置
LTP3      第3搬送位置
LTP4      第4搬送位置
LTP5      第5搬送位置
LTP6      第6搬送位置
LTP7      第7搬送位置
Poli.A、Poli.B、Poli.C、Poli.D  研磨部
RB1U、RB1L、RB2   搬送机器人(搬送机构)
STP       摆动输送器
WS1、WS2、WS3     暂置台
具体实施方式
以下根据附图来说明本发明的一实施方式的基板处理装置。以下虽然作为基板处理装置的一例而说明CMP装置，但是并非限定于此。此外，以下虽说明具备装载/卸载单元2、研磨单元3、及清洗单元4的基板处理装置，但是并非限定于此。
首先，说明CMP装置的构成，之后说明基板的待机状态的削减。
＜基板处理装置＞
图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的全体构成的俯视图。如图1所示，该CMP装置具备大致矩形状的外壳1。外壳1的内部由间隔壁1a、1b划分成装载/卸载单元2、研磨单元3、及清洗单元4。装载/卸载单元2、研磨单元3、及清洗单元4分别被独立组装，且独立排气。此外，清洗单元4具有控制基板处理动作的控制部5。控制部5控制CMP装置的全体动作，但是在本实施方式中，特别是控制基板对研磨单元3的投入时序。关于这一点，在后文中详细说明。
＜装载/卸载单元＞
装载/卸载单元2具备载置储存多个晶片(基板)的晶片盒的2个以上(本实施方式中为4个)的前装载部20。这些前装载部20与外壳1相邻配置，沿着基板处理装置的宽度方向(与长度方向垂直的方向)排列。可在前装载部20上搭载开放盒、SMIF(Standard ManufacturingInterface，标准制造接口)盒、或FOUP(Front Opening Unified Pod，前开式晶片盒)等用于储放晶片的载体。在此，SMIF、FOUP是在内部收纳晶片盒并以间隔壁覆盖从而能够保持与外部空间独立的环境的密闭容器。
此外，在装载/卸载单元2上具备作为测定晶片表面的膜厚等的测定部的ITM(In-lineThickness Monitor，线内厚度监测器)24。此外，在装载/卸载单元2上设置有可沿着前装载部20的排列而移动的搬送机器人(装载器、搬送机构)22。搬送机器人22可对被装载在前装载部20的晶片盒进行存取(access)。各搬送机器人22在上下具备2个机械手。上侧的机械手在将处理后的晶片送回至晶片盒时被使用。下侧的机械手在将处理前的晶片由晶片盒取出时被使用。此外，搬送机器人22的下侧的机械手构成为能够通过绕该轴心旋转而使晶片反转。
装载/卸载单元2是最需要保持清洁状态的区域，因此装载/卸载单元2的内部始终被维持成比CMP装置外部、研磨单元3、及清洗单元4中的任一方都高的压力。研磨单元3由于使用浆料作为研磨液，因此是最为脏污的区域。因此，在研磨单元3的内部形成负压，该压力被维持成比清洗单元4的内部压力低。在装载/卸载单元2上设有具有HEPA过滤器、ULPA过滤器、或化学过滤器等清洁空气滤清器的过滤器风扇单元(未图示)，始终从该过滤器风扇单元吹出将微粒或有毒蒸气、有毒气体去除后的清洁空气。
＜研磨单元＞
研磨单元3是进行晶片研磨(平坦化)的区域。研磨单元3具备第1研磨部3A、第2研磨部3B、第3研磨部3C、及第4研磨部3D。如图1所示，第1研磨部3A、第2研磨部3B、第3研磨部3C、及第4研磨部3D沿着基板处理装置的长度方向排列。
第1研磨部3A具备安装有研磨垫的研磨台。第1研磨部3A具备用于保持晶片而且一边将晶片按压于研磨台上的研磨垫一边进行研磨的顶环。第1研磨部3A具备用于对研磨垫供给研磨液或修整液(例如纯水)的研磨液供给喷嘴。第1研磨部3A具备用于进行研磨垫的研磨面的修整的修整器。第1研磨部3A具备将液体(例如纯水)与气体(例如氮气)的混合流体或液体(例如纯水)形成为雾状而喷射在研磨面的喷雾器。第2研磨部3B、第3研磨部3C、及第4研磨部3D也具备与第1研磨部3A相同的结构。
＜搬送单元＞
接着，说明用于搬送晶片的搬送机构(搬送单元)。如图1所示，与第1研磨部3A及第2研磨部3B相邻配置有第1线性输送器6。该第1线性输送器6是在沿着研磨部3A、3B排列的方向的4个搬送位置(从装载/卸载单元侧起依次设为第1搬送位置LTP1、第2搬送位置LTP2、第3搬送位置LTP3、第4搬送位置LTP4)之间搬送晶片的机构。
此外，与第3研磨部3C及第4研磨部3D相邻配置有第2线性输送器7。第2线性送器7是在沿着研磨部3C、3D排列的方向的3个搬送位置(从装载/卸载单元侧起依次设为第5搬送位置LTP5、第6搬送位置LTP6、第7搬送位置LTP7)之间搬送晶片的机构。
晶片由第1线性输送器6搬送至研磨部3A、3B。第1研磨部3A的顶环通过顶环头的摆动动作而在研磨位置与第2搬送位置LTP2之间移动。因此，在第2搬送位置LTP2进行晶片向顶环的交接。同样地，第2研磨部3B的顶环在研磨位置与第3搬送位置LTP3之间移动。在第3搬送位置LTP3进行晶片向顶环的交接。第3研磨部3C的顶环在研磨位置与第6搬送位置LTP6之间移动。在第6搬送位置LTP6进行晶片向顶环的交接。第4研磨部3D的顶环在研磨位置与第7搬送位置LTP7之间移动。在第7搬送位置LTP7进行晶片向顶环的交接。
在第1搬送位置LTP1配置有用于从搬送机器人22接收晶片的升降器11。晶片经由该升降器11而从搬送机器人22交付至第1线性输送器6。在位于升降器11与搬送机器人22之间的间隔壁1a设有百叶门(未图示)，在搬送晶片时百叶门被打开，晶片从搬送机器人22被交付至升降器11。此外，在第1线性输送器6、第2线性输送器7、及清洗单元4之间配置有摆动输送器(STP)12。该摆动输送器12系具有可在第4搬送位置TP4与第5搬送位置TP5之间移动的机械手。通过摆动输送器12使晶片从第1线性输送器6向第2线性输送器7交接。晶片由第2线性输送器7搬送至第3研磨部3C及/或第4研磨部3D。此外，在由研磨单元3研磨后的晶片经由摆动输送器12而被搬送至清洗单元4。此外，在搬送单元设有晶片的暂置台(WS1)180。
＜清洗单元＞
清洗单元4被划分成第1清洗室190、第1搬送室191、第2清洗室192、第2搬送室193、及第3清洗室194。在第1清洗室190内配置有2个清洗部CL1A、CL1B、及晶片的暂置台WS2。在第2清洗室192内配置有2个清洗部CL2A、CL2B、及晶片的暂置台WS3。在第3清洗室194内配置有清洗基板的2个清洗部CL3A、CL3B。清洗部CL3A、CL3B互相隔离。清洗部CL1A、CL1B、CL2A、CL2B、CL3A、CL3B是使用清洗液来清洗晶片的清洗机。
在第1搬送室191配置有搬送机器人(搬送机构)RB1U、RB1L，在第2搬送室193配置有搬送机器人RB2。搬送机器人RB1U、RB1L以在暂置台180、清洗部CL1A、CL1B、暂置台WS2、清洗部CL2A、CL2B之间搬送晶片的方式进行动作。搬送机器人RB2以在清洗部CL2A、CL2B、暂置台WS3、清洗部CL3A、CL3B之间搬送晶片的方式进行动作。搬送机器人RB2仅搬送清洗后的晶片，因此仅具备1个机械手。搬送机器人22从清洗部CL3A、CL3B取出晶片，且将该晶片送回至晶片盒。
＜基板的待机状态的削减＞
接着，说明在从研磨处理开始起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态的削减。
首先，说明产生基板的待机状态的原因。图2、图3是表示从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的晶片搬送路径的一例的图。在图2、图3中，对于在各处理部间搬送晶片的搬送单元，简化说明。
如图2、图3所示，在本实施方式中，研磨处理及清洗处理分别处于2个系统。因此，晶片搬送路径的自由度变高。此外，如图2、图3所示，也可以是未进行研磨处理而进行清洗处理的选单(recipe)。此外，如图3所示，也可以是在清洗部CL2A结束清洗处理之后暂时返回而被搬送至其他系统的清洗部CL2B等复杂的晶片搬送路径。
这样一来，在清洗单元4具有可并列进行清洗处理的多个清洗部的情况下，在清洗单元内的晶片搬送路径会复杂化。其结果是，有可能在清洗单元内产生晶片的待机状态。当在清洗单元内暂时产生晶片的待机状态时，有可能在预定通过该晶片所处的场所的后续晶片也产生待机状态。
相对于此，在本实施方式中，控制部5以从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的方式制作时刻表。时刻表是按每个投入至CMP装置的多个晶片，将研磨部、清洗部、及搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系的表。控制部5根据时刻表来控制多个晶片对CMP装置的投入时序。
关于这一点，连同CMP装置的全体动作一起详细说明。图4是表示本实施方式的CMP装置的动作的流程图。如图4所示，控制部5首先根据选单预测针对投入至CMP装置的全部晶片的搬送路径(步骤S101)。
接着，控制部5预测针对投入至CMP装置的全部晶片的动作时间(步骤S102)。具体而言，控制部5根据选单所设定的预测时间、或过去的实际的值，预测针对各晶片的动作时间。该动作时间的预测在制作时刻表时被使用。即，控制部5根据在研磨部及清洗部的至少一方中处理所需时间和在搬送部中由研磨单元3搬送至清洗单元4的搬送处理所需时间的过去的实际的值，来制作时刻表。
接着，控制部5根据在步骤S102中所预测到的各晶片的动作时间，计算各晶片到达各处理部(研磨部、搬送部、及清洗部)的到达时刻(步骤S103)。接着，控制部5计算各晶片在各处理部的待机时间(步骤S104)。
关于这一点，使用附图来说明。图5是用于说明时刻表的制作过程的概略图。图5是表示针对晶片1～晶片3，已经制作时刻表，且制作针对新投入至CMP装置的晶片4的时刻表的过程。
如图5所示，在时刻表210中，按每个晶片1～晶片3，将研磨部(Poli.A)、清洗部(CL1A、CL2A)、及搬送部(LTP3、WS1、RB1L、RB1U)中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系。另一方面，在制作针对新投入至CMP装置的晶片4的时刻表时，控制部5计算新投入的晶片4对研磨部、清洗部、及搬送部的假定到达时刻。假定到达时刻表220中，将晶片4到达研磨部(Poli.A)、清洗部(CL1A、CL2A)、及搬送部(LTP3、WS1、RB1L、RB1U)的到达预定时刻建立了对应关系。
控制部5对假定到达时刻(假定到达时刻表220)、及先投入至CMP装置的晶片的研磨部、清洗部、及搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻(时刻表210)进行比较。例如在该例中，控制部5对晶片3在RB1U中的处理结束预定时刻(0：04：35)、与在RB1U中的处理相竞争的处理部即WS1中的到达预定时刻(0：04：10)进行比较。其结果是，在WS1中的到达预定时刻快25秒。换言之，按照假定到达时刻表220，将晶片4投入至CMP装置时，晶片4在WS1待机25秒。此外，所谓相竞争的处理部是例如WS1与RB1U那样为了供一方的处理部(WS1)进行动作(为了搬送晶片而进行交接)、另一方的处理部(RB1U)的动作(从WS1接收晶片)成为必要的关系的处理部。
如图4所示，控制部5判定是否有待机时间(步骤S105)。在有待机时间时(步骤S105，Yes)，控制部5检索等待时间为最长的处理部(步骤S106)。
例如，在图5的例中，如上所述地在晶片3的RB1U与晶片4的WS1的相关的处理部之间会产生25秒的待机时间。除此之外，控制部5对晶片3在CL1A中的处理预定时刻(0：04：30)与晶片4在CL1A中的到达时刻(0：04：15)进行比较。其结果是，在CL1A中的到达预定时刻快15秒，因此会产生15秒的待机时间。
此时，控制部5识别为最长等待时间为25秒，等待时间为最长的处理部是晶片4的WS1。换言之，在存在多个(例如15秒与25秒)较快的假定到达时刻时，控制部5将较快的假定到达时刻与处理结束时刻或处理结束预定时刻之差为最大的假定到达时刻与处理结束时刻或处理结束预定时刻之差(25秒)，相加至到达研磨部、清洗部、及搬送部的假定到达时刻，由此来制作实际到达时刻。
接着，如图4所示，控制部5通过将最长等待时间对假定到达时刻表220进行积算，来制作实际到达时刻表230(步骤S107)。即，如图5所示，控制部5将最长等待时间(25秒)相加到假定到达时刻表220的各处理部。例如，晶片4到达LTP3的到达时刻在假定到达时刻表220中为0：04：00，但是在实际到达时刻表230中为0：04：25。此外，晶片4到达WS1的到达时刻在假定到达时刻表220中为0：04：10，但是在实际到达时刻表230中为0：04：35。
这样一来，在相同或相竞争的处理部中具有比处理结束时刻或处理结束预定时刻快的假定到达时刻的情况下，控制部5将较快的假定到达时刻与处理结束时刻或处理结束预定时刻之差，相加到到达研磨部、清洗部、及搬送部的假定到达时刻，由此来制作实际到达时刻。
接着，如图4所示，控制部5根据在步骤S107中所制作的实际到达时刻(实际到达时刻表230)制作时刻表(步骤S108)。即，实际到达时刻表230是与晶片4到达各处理部的到达时刻建立了对应关系的表。因此，控制部5通过将各处理部中的处理时间相加到实际到达时刻表230中来制作将各处理部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系的时刻表。
另一方面，在步骤S105中判定为不存在待机时间的情况下(步骤S105中为否)，控制部5不制作实际到达时刻表230，而根据假定到达时刻表220制作时刻表(步骤S108)。即，在相同或相竞争的处理部中不存在比处理结束时刻或处理结束预定时刻快的假定到达时刻的情况下，控制部5根据假定到达时刻制作时刻表。
图6是表示时刻表240的一例的图。如图6所示，时刻表240是针对投入至CMP装置的多个晶片的每一个晶片而将一连串处理的开始时刻(Start)、当前的晶片的位置(Pos)、在各处理部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系的表。时刻表240使用于使得在晶片被投入至CMP装置之后直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的表。通过执行图4所示的一连串动作来制作时刻表240。控制部5根据时刻表240来控制多个晶片对CMP装置的投入时序。
以上，根据本实施方式，针对投入至CMP装置的全部晶片，计算到达处于搬送路径上的全部处理部的搬送时刻而制作时刻表。由此，本实施方式的控制部5控制搬送开始时序及路径，以使得在各晶片间不会产生共有处理部的使用等待，且从研磨开始直到清洗结束为止的所有工序中不存在待机而以最短的方式进行处理。因此，晶片在CMP装置内的待机时间被削减。其结果是，根据本实施方式，可防止由于经时变化(腐蚀等)、或外在干扰(粉尘等)而使晶片状态变得不安定的情况。特别是，在晶片的研磨对象物中含有铜(Cu)的情况下，在研磨结束后直到清洗开始为止的待机时间较长时，腐蚀的影响会变大，但是可通过削减待机时间来防止铜腐蚀。
此外，例如在产生了由于CMP装置的一部分的处理部的维护等而无法处理晶片的处理部的情况下，本实施方式的CMP装置(控制部5)可制作绕过进行维护等的处理部的路径。
此外，本实施方式的CMP装置可适当更新暂时制作的时刻表240。例如，控制部5可算出晶片到达各处理部的实际到达时刻与预测到达时刻的时间差，来更新针对将通过该处理部的后续晶片(有延迟的影响的晶片)的时刻表240。此外，控制部5也可将延迟信息反馈至已投入完毕至CMP装置的晶片。此外，在晶片的实际到达时刻与预测到达时刻的时间差比临限值(例如0.5秒等)小的情况下，由于该时间差视为误差，因此控制部5也可不进行延迟信息的反馈。
此外，在通过CMP装置的故障或搬送停止功能而使晶片的搬送暂时停止的情况下，本实施方式的CMP装置(控制部5)可在搬送重新开始时，通过进行时刻表240的再制作来继续进行控制搬送。在再制作时刻表240的情况下，控制部5从晶片搬送路径的下游侧进行。此外，例如在由于晶片的异常等而使被投入至CMP装置的晶片从CMP装置被去除的情况下，控制部5可将该晶片从时刻表240削除而形成为控制对象外，并且再制作时刻表240。
此外，在晶片共有处理部的情况下，本实施方式的CMP装置(控制部5)以在先行晶片之后处理接下来的晶片的方式进行计算并进行控制。另一方面，在未变更时刻表240而插入的情况，控制部5制作插入的时刻表240，可使后续晶片比先行晶片较先处理。
此外，在暂时制作时刻表240后，在由于处理部的维护等而使晶片搬送路径较大程度地改变的情况下等，本实施方式的CMP装置(控制部5)在时刻表240的再制作时需要长时间。因此，在这种情况下，控制部5并不进行时刻表240的再制作，直到CMP装置内的晶片被搬出至CMP装置外为止，可停止投入新晶片。此外，在时刻表240的制作或再制作需要长时间的情况下，控制部5也可可无效地切换时刻表240的制作或再制作功能。
此外，本实施方式的CMP装置(控制部5)可将多个晶片的搬送状态可视化，以使作业人员等能够监视多个晶片的搬送状态。例如，控制部5可将图6所示的时刻表240显示在CMP装置的输出界面(监视器等)。此外，控制部5可将时刻表240图表化而实时显示在输出界面。
图7是表示图表化后的时刻表240的一例的图。在图7中，横轴(t)表示时间经过。如图7所示，控制部5可按照多个晶片的每一个晶片而将对晶片进行处理的处理部以时间序列排列显示。此外，控制部5可按每个处理部而附加不同的颜色或图案。由此，作业人员等可容易地确认相同或相竞争的处理部未被使用在同一时刻。此外，在由于某些原因而在晶片产生待机状态的情况下，控制部5可通过指示器等来显示待机状态的剩余时间。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，具备：
研磨单元，该研磨单元包含对基板进行研磨处理的至少1个研磨部；
清洗单元，该清洗单元包含将由所述研磨单元研磨后的基板进行清洗处理的至少1个清洗部；
装载/卸载单元，该装载/卸载单元将基板交接给所述研磨单元并且从所述清洗单元接收基板；及
搬送单元，该搬送单元包含对所述基板进行搬送处理的至少1个搬送部，
所述基板处理装置的特征在于，
所述基板处理装置具备控制部，该控制部控制将所述基板向所述基板处理装置投入的投入时序，
所述控制部以从所述基板被投入至所述基板处理装置起直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的方式，制作时刻表，所述时刻表按照投入至所述基板处理装置的多个基板的每一个基板而将所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系，所述控制部根据所述时刻表来控制将所述多个基板向所述基板处理装置投入的投入时序。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部根据在所述研磨部及所述清洗部的至少一方中处理所需时间和在所述搬送部中从所述研磨单元到所述清洗单元的搬送处理所需时间的过去的实际的值，来制作所述时刻表。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
当制作针对新投入至所述基板处理装置的基板的所述时刻表时，所述控制部计算所述新投入的基板到达所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到达时刻，将所述假定到达时刻、与先投入至所述基板处理装置的基板的所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻进行比较，在相同或相竞争的处理部中存在比所述处理结束时刻或处理结束预定时刻快的假定到达时刻的情况下，所述控制部将所述快的假定到达时刻与所述处理结束时刻或处理结束预定时刻之差，相加至到达所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到达时刻，由此来制作实际到达时刻，且根据所述实际到达时刻来制作所述时刻表。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在存在多个所述快的假定到达时刻的情况下，所述控制部将所述快的假定到达时刻与所述处理结束时刻或处理结束预定时刻之差为最大的假定到达时刻与所述处理结束时刻或处理结束预定时刻之差，相加至到达所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到达时刻，由此来制作实际到达时刻，且根据所述实际到达时刻来制作所述时刻表。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述相同或相竞争的处理部中不存在比所述处理结束时刻或处理结束预定时刻快的假定到达时刻的情况下，所述控制部根据所述假定到达时刻来制作所述时刻表。
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