CN104927082A - 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜 - Google Patents
一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104927082A CN104927082A CN201510226174.4A CN201510226174A CN104927082A CN 104927082 A CN104927082 A CN 104927082A CN 201510226174 A CN201510226174 A CN 201510226174A CN 104927082 A CN104927082 A CN 104927082A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- porous low
- calcium carbonate
- low dielectric
- particle diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明属于有机膜制备领域，涉及一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜。该多孔低介电聚酰亚胺薄膜该薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～100wt％，增强填料质量分数0％～20wt％。本发明以碳酸钙作为造孔剂原料，以稀盐酸除去碳酸钙后获得多孔薄膜，原料简单易得，不需要复杂操作；同时，可以直接通过控制碳酸钙的含量和粒径，控制薄膜的孔径和孔隙率，制备多种性能优良的多孔低介电聚酰亚胺薄膜。本发明提供的薄膜具有优良的性状，可以应用于电工、电子工业行业的基体材料，尤其适用于大规模集成电路的电子材料。
Description
技术领域
本发明属于有机膜制备领域，涉及一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜。
背景技术
近年来，随着超大规模集成线路(ULSL)的发展，高密度、高速、多功能的集成电路向着小尺寸和高智能化方面发展，但极易造成信号延迟串扰，阻碍了电子产品向更加微型化和智能化的方向发展，因此，急需开发低介电常数材料以解决上述问题。但是，电子器件对介电层的要求不仅仅是具有低的介电常数，还应具有高硬度、抗压力，稳定不易分解，较高的热稳定性，较低的热膨胀系数等等。
聚酰亚胺具有突出的综合性能，其起始分解温度一般都在500℃左右。由联苯二酐和对苯二胺合成的聚酰亚胺，分解温度达到600℃，是迄今聚合物中热稳定性最高的品种之一。聚酰亚胺可耐极低温，在-269℃的液态氦中仍不会脆裂。聚酰亚胺具有很好的介电性能，介电常数为3.4左右，介电损耗为10-3，介电强度为100～300kv/mm，体积电阻率1017Ω·cm。这些性能让聚酰亚胺成为很好的集成电路薄膜原料。
发明内容
本发明的目的是提供一种低介电常数，强度高，热稳定性强的聚酰亚胺薄膜。
本发明的目的通过以下技术方案实现
1.本发明提供一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜，该薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～100wt％，增强填料质量分数0％～20wt％。
2.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～90wt％，增强填料质量分数10％～20wt％。
3.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，所述聚酰亚胺基体为芳香族二胺和芳香族二酐经缩聚反应制得。
4.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，所述芳香族二胺为4，4’-二氨基二苯醚(ODA)、3，4’-二氨基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、4，4’-二氨基二苯甲烷(MDA)、二氨基二苯甲酮、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯砜(BAPS)、1，3’-双(3-氨基苯氧基)苯、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯甲酮(BABP)、二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基-二苯氧基-4’，4-二苯基异丙烷中的一种或任意两种的混合物。
5.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，所述芳香族二酐为均苯四甲酸二酐(PMDA)、3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐(BPDA)、二苯酮甲酸二酐、异构二苯硫醚二酐中的一种或两种混合物。
6.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，所述增强填料为二氧化硅，粒径≤2μm，优选粒径20～100nm。
7.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，增强填料为纳米二氧化硅，粒径为20～40nm。
8.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，薄膜制备过程中使用的碳酸钙粉末粒径≤2μm，制成后的薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔。
9.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，薄膜制备过程中使用的碳酸钙粉末粒径为20-100nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20-100nm的微孔。
10.上述1提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其中，薄膜制备过程中使用的碳酸钙粉末粒径为20-40nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20-40nm的微孔。
有益效果：
1.本发明以碳酸钙作为造孔剂原料，以稀盐酸除去碳酸钙后获得的多孔薄膜，其原料简单易得，不需要复杂操作；同时，由于薄膜生产过程中是通过控制纳米碳酸钙的含量和粒径，直接控制薄膜的孔径和孔隙率，因此，能够根据需要制备多种性能优良的多孔低介电聚酰亚胺薄膜。
2.通过试验测得，本发明提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜最低介电常数可以达到2.6，而拉伸强度仍保持较高的拉伸强度为160MPa，说明本发明提供的薄膜具有优良的性状，可以应用电工、电子工业行业的基体材料，尤其适用于大规模集成电路的电子材料。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明，下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照本领域的公知手段。
实施例1
(1)碳酸钙悬浊液制备
采用山西芮城华纳纳米材料有限公司生产的粒径为100nm的纳米碳酸钙4.5kg，加入非质子性溶剂N，N’-二甲基乙酰胺(DMAc)中，40kHz超声波分散条件下，搅拌速度2000r/min，充分搅拌30min，制成稳定的悬浊液，保证碳酸钙悬浊液质量浓度为5％。
(2)聚酰胺酸复合溶液的制备
将上述获得的悬浊液加入聚酰胺酸聚合反应釜中，补加足量溶剂。控制温度在40℃，加入20kg的ODA，进行机械搅拌，待其完全溶解后，控制温度在60℃，分批次小量加入与二胺等摩尔比的PMDA21.8kg，并不断搅拌，使二胺和二酐充分反应制成黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。通过补加溶剂控制聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为25％。
(3)聚酰亚胺薄膜的制成
将上述得到的聚酰胺酸复合溶液在干净的钢板上流涎，亚胺化温度为360℃，具体流涎操作方法，为本领域常规方法。
(4)多孔聚酰亚胺薄膜
将所得聚酰亚胺薄膜以0.5m/s的速度缓慢经过稀盐酸溶液除去碳酸钙颗粒。以去离子水除去薄膜表面残留物，最后120℃干燥得多孔聚酰亚胺薄膜，由于所使用的4.5kg碳酸钙的粒径为100nm，碳酸钙均匀分布于薄膜中，除去后，得到的多孔聚酰亚胺薄膜孔径为100nm。
实施例2
(1)碳酸钙、二氧化硅悬浊液制备
采用山西芮城华纳纳米材料有限公司生产的粒径为40nm的纳米碳酸钙2.5kg，4.5kg粒径为40nm的纳米二氧化硅(西亚试剂生产)，加入非质子性溶剂N，N’-二甲基乙酰胺(DMAc)中，60kHz超声波分散条件下，搅拌速度3000r/min充分搅拌60min，制成稳定的悬浊液，保证纳米碳酸钙和二氧化硅质量浓度为20％。
(2)聚酰胺酸复合溶液的制备
将上述获得的悬浊液加入聚酰胺酸聚合反应釜中，补加足量溶剂，控制温度在10℃，加入20kg的ODA，进行机械搅拌，待其完全溶解后，控制温度在50℃，分批次小量加入与二胺等摩尔比的PMDA21.8kg，并不断搅拌，使二胺和二酐充分反应制成黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。通过补加溶剂保证聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为15％。
(3)聚酰亚胺薄膜的制成
将上述得到的聚酰胺酸复合溶液在干净的钢板上流涎，亚胺化温度为360℃，具体流涎操作方法，为本领域常规方法。
(4)多孔聚酰亚胺薄膜
将所得聚酰亚胺薄膜以0.1m/s的速度缓慢经过稀盐酸溶液除去碳酸钙颗粒。以去离子水除去薄膜表面残留物，最后120℃干燥得多孔聚酰亚胺薄膜。由于所使用的纳米碳酸钙的粒径为40nm，纳米碳酸钙均匀分布于薄膜中，除去后，得到的多孔聚酰亚胺薄膜孔径为40nm。
实施例3
(1)碳酸钙、二氧化硅悬浊液制备
采用山西芮城华纳纳米材料有限公司生产的粒径为20nm的纳米碳酸钙1kg，10kg粒径为100nm的纳米二氧化硅(西亚试剂生产)，加入160kg非质子性溶剂N，N’-二甲基乙酰胺(DMAc)中，100kHz超声波分散条件下，搅拌速度2000r/min，充分搅拌60min，制成稳定的悬浊液，保证碳酸钙和二氧化硅质量浓度为15％。
(2)聚酰胺酸复合溶液的制备
将上述获得的悬浊液加入聚酰胺酸聚合反应釜中，补加足量溶剂。控制温度在25℃，加入16kg的ODA，4kg的MDA，进行机械搅拌，待其完全溶解后，控制温度在55℃，分批次小量加入与二胺等摩尔比的PMDA21.8kg，并不断搅拌，使二胺和二酐充分反应制成黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。通过补加溶剂控制聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为20％。
(3)聚酰亚胺薄膜的制成
将上述得到的聚酰胺酸复合溶液在干净的钢板上流涎，亚胺化温度为360℃，具体流涎操作方法，为本领域常规方法。
(4)多孔聚酰亚胺薄膜
将所得聚酰亚胺薄膜以以0.3m/s的速度缓慢经过稀盐酸溶液除去碳酸钙颗粒。以去离子水除去薄膜表面残留物，最后160℃干燥得多孔聚酰亚胺薄膜。由于所使用的纳米碳酸钙的粒径为20nm，纳米碳酸钙均匀分布于薄膜中，除去后，得到的多孔聚酰亚胺薄膜孔径为20nm。
实施例4
(1)碳酸钙悬浊液制备
采用山西芮城华纳纳米材料有限公司生产的粒径为100nm的纳米碳酸钙12.5kg，加入175kg非质子性溶剂N，N’-二甲基甲酰胺(DMF)中，100kHz超声波分散条件下，搅拌速度2000r/min，充分搅拌40min，制成稳定的悬浊液，保证碳酸钙悬浊液质量浓度为5％。
(2)聚酰胺酸复合溶液的制备
将上述获得的悬浊液加入聚酰胺酸聚合反应釜中，补加足量溶剂。控制温度在40℃，加入20kg的ODA，进行机械搅拌，待其完全溶解后，控制温度在60℃，分批次小量加入PMDA和BPDA混合物，并不断搅拌，当加入的二酐与二胺等摩尔时，即PMDA达到17.4kg、BPDA达到3.9kg时停止加入，使二胺和二酐充分反应制成黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。通过补加溶剂控制聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为25％。
(3)聚酰亚胺薄膜的制成
将上述得到的聚酰胺酸复合溶液在干净的钢板上流涎，亚胺化温度360℃，具体流涎操作方法，为本领域常规方法。
(4)多孔聚酰亚胺薄膜
将所得聚酰亚胺薄膜以以0.1m/s的速度缓慢经过稀盐酸溶液除去碳酸钙颗粒。以去离子水除去薄膜表面残留物，最后150℃干燥得多孔聚酰亚胺薄膜。由于所使用的纳米碳酸钙的粒径为20nm，碳酸钙均匀分布于薄膜中，除去后，得到的多孔聚酰亚胺薄膜孔径为20nm。
实施例5
(1)碳酸钙、二氧化硅悬浊液制备
采用山西芮城华纳纳米材料有限公司生产的粒径为20nm的纳米碳酸钙2.5kg，2.5kg粒径为20nm的纳米二氧化硅(西亚试剂生产)加入非质子性溶剂N，N’-二甲基甲酰胺(DMF)中，80kHz超声波分散条件下，搅拌速度2000r/min，充分搅拌40min，制成稳定的悬浊液，保证碳酸钙和二氧化硅悬浊液质量浓度为10％。
(2)聚酰胺酸复合溶液的制备
将上述获得的悬浊液加入聚酰胺酸聚合反应釜中，补加足量溶剂，控制温度在10℃，加入16kg的ODA、7.9kg的BABP，进行机械搅拌，待其完全溶解后，控制温度在50℃，分批次小量加入BPDA19.4kg，并不断搅拌，使二胺和二酐充分反应制成黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。通过补加溶剂控制聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为15％。
(3)聚酰亚胺薄膜的制成
将上述得到的聚酰胺酸复合溶液在干净的钢板上流涎，亚胺化温度为320℃，具体流涎操作方法，为本领域常规方法。
(4)多孔聚酰亚胺薄膜
将所得聚酰亚胺薄膜以以0.3m/s的速度缓慢经过稀盐酸溶液除去碳酸钙颗粒。以去离子水除去薄膜表面残留物，最后150℃干燥得多孔聚酰亚胺薄膜。由于所使用的碳酸钙的粒径为20nm，碳酸钙均匀分布于薄膜中，除去后，得到不含二氧化硅的多孔聚酰亚胺薄膜，孔径为20nm。
实施例6
(1)碳酸钙悬浊液制备
采用山西芮城华纳纳米材料有限公司生产的粒径为40nm的碳酸钙6kg，加入非质子性溶剂N’-甲基吡咯烷酮(NMP)中，100kHz超声波分散条件下，搅拌速度2000r/min，充分搅拌60min，制成稳定的悬浊液，保证碳酸钙质量浓度为5％。
(2)聚酰胺酸复合溶液的制备
将上述获得的悬浊液加入聚酰胺酸聚合反应釜中，补加足量溶剂，控制温度在10℃，加入12kg的ODA、17.3kg的BAPS，进行机械搅拌，待其完全溶解后，控制温度在50℃，分批次小量加入与二胺等摩尔比的BPDA19.4kg，并不断搅拌，使二胺和二酐充分反应制成黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。通过补加溶剂控制聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为15％。
(3)聚酰亚胺薄膜的制成
将上述得到的聚酰胺酸复合溶液在干净的钢板上流涎，亚胺化温度为320℃，具体流涎操作方法，为本领域常规方法。
(4)多孔聚酰亚胺薄膜
将所得聚酰亚胺薄膜以0.3m/s的速度缓慢经过稀盐酸溶液除去碳酸钙颗粒。以去离子水除去薄膜表面残留物，最后150℃干燥得多孔聚酰亚胺薄膜。由于所使用的碳酸钙的粒径为40nm，碳酸钙均匀分布于薄膜中，除去后，得到不含二氧化硅的多孔聚酰亚胺薄膜，孔径为40nm。
测试实施例1-6(各参数见表1所示)获得的薄膜特性，测试内容包括：
孔隙率测定：美国康塔仪器公司比表面积分布测试仪进行测试；
介电性能测试：在25℃下，利用介电常数测试仪进行测试；
拉伸性能测试：采用深圳三思纵横电子拉力试验机进行测试，测试速度20mm/min；
测试结果如表2所示，从数据可知，薄膜的介电常数随孔隙率增大和二氧化硅含量增多而降低；此外薄膜的力学性能与孔隙率、增强填料含量及聚合单体种类密切相关有关。因此本技术发明提供的技术方案在降低聚酰亚胺薄膜介是常数的同时，还可通过以上各因素的调整来制备性能各异的聚酰亚胺薄膜，方案可操作性强。
表1 实施例1-6的关键组成及工艺参数
表2 实施例1-6制备薄膜的典型性能测试结果
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | 实施例6 | |
| 孔隙率/vol％ | 8.7 | 5.1 | 2.2 | 18 | 5 | 9 |
| 介电常数 | 2.81 | 2.91 | 3.15 | 2.60 | 2.93 | 2.75 |
| 拉伸强度/MPa | 175 | 190 | 185 | 160 | 190 | 180 |
| 弹性模量/MPa | 2800 | 3400 | 3800 | 3200 | 3400 | 3500 |
实施例7
(1)二氧化硅悬浊液制备
采用山西芮城华纳纳米材料有限公司生产的粒径为2μm的碳酸钙2.5kg，4.5kg粒径为2μm的二氧化硅(西亚试剂生产)，加入非质子性溶剂DMAc中，60kHz超声波分散条件下，搅拌速度3000r/min充分搅拌60min，制成稳定的悬浊液，保证碳酸钙和二氧化硅质量浓度为20％。
(2)聚酰胺酸复合溶液的制备
将上述获得的悬浊液加入聚酰胺酸聚合反应釜中，补加足量溶剂，控制温度在10℃，加入20kg的ODA，进行机械搅拌，待其完全溶解后，控制温度在50℃，分批次小量加入与二胺等摩尔比的PMDA21.8kg，并不断搅拌，使二胺和二酐充分反应制成黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。通过补加溶剂保证聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为15％，制成均匀的黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液。
(3)聚酰亚胺薄膜的制成
将上述得到的聚酰胺酸复合溶液在干净的钢板上流涎，亚胺化温度为360℃，具体流涎操作方法，为本领域常规方法。
(4)多孔聚酰亚胺薄膜
将所得聚酰亚胺薄膜以0.1m/s的速度缓慢经过稀盐酸溶液除去碳酸钙颗粒。以去离子水除去薄膜表面残留物，最后140℃干燥得多孔聚酰亚胺薄膜。由于所使用的碳酸钙的粒径为2μm，碳酸钙均匀分布于薄膜中，除去后，得到的多孔聚酰亚胺薄膜孔径为2μm。
可以知道，上述实施例仅为了说明发明原理而采用的示例性实施方式，然而本发明不仅限于此，本领域技术人员在不脱离本发明实质情况下，可以做出各种改进和变更，这些改进和变更也属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：该薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～100wt％，增强填料质量分数0％～20wt％。
2.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：聚酰亚胺基体质量分数为80～90wt％，增强填料质量分数10％～20wt％。
3.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述聚酰亚胺基体为芳香族二胺和芳香族二酐经缩聚反应制得。
4.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述芳香族二胺为4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、4，4’-二氨基二苯甲烷、二氨基二苯甲酮、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯砜、1，3’-双(3-氨基苯氧基)苯、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯甲酮、二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基-二苯氧基-4’，4-二苯基异丙烷中的一种或任意两种的混合物。
5.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述芳香族二酐为均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、二苯酮甲酸二酐、异构二苯硫醚二酐中的一种或两种混合物。
6.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述增强填料为二氧化硅，粒径≤2μm，优选粒径20～100nm。
7.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述增强填料为纳米二氧化硅，粒径为20～40nm。
8.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：薄膜制备过程中使用的碳酸钙粉末粒径≤2μm，制成后的薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔，占最终获得薄膜的体积含量为2-20vol％。
9.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：薄膜制备过程中使用的碳酸钙粉末粒径为20-100nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20-100nm的微孔。
10.权利要求1所述的多孔低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：薄膜制备过程中使用的碳酸钙粉末粒径为20-40nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20-40nm的微孔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510226174.4A CN104927082B (zh) | 2015-05-06 | 2015-05-06 | 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510226174.4A CN104927082B (zh) | 2015-05-06 | 2015-05-06 | 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104927082A true CN104927082A (zh) | 2015-09-23 |
| CN104927082B CN104927082B (zh) | 2017-12-08 |
Family
ID=54114521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510226174.4A Active CN104927082B (zh) | 2015-05-06 | 2015-05-06 | 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104927082B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105778130A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-07-20 | 西北工业大学 | 一种高强度高耐热聚酰亚胺微孔薄膜及其制备方法 |
| CN106750434A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 桂林电器科学研究院有限公司 | 一种聚酰亚胺多孔薄膜的制备方法 |
| JP2019014850A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 富士ゼロックス株式会社 | 粒子分散ポリイミド前駆体溶液、多孔質ポリイミドフィルムの製造方法、および多孔質ポリイミドフィルム |
| CN109351192A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-02-19 | 滁州学院 | 一种茴香醇耐溶剂复合纳滤膜及其制备方法 |
| JP2019131747A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 東京応化工業株式会社 | 多孔質ポリイミドフィルム原反、その製造方法、及び組成物 |
| CN115746380A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-07 | 慧迈材料科技(广东)有限公司 | 一种聚酰亚胺多孔复合薄膜制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102516582A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-06-27 | 桂林电器科学研究院 | 多孔化聚酰亚胺薄膜的制造方法 |
| WO2014148155A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、ならびに、それによる接着フィルム、カバーレイフィルム、層間接着剤 |
| CN104476882A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-01 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种超薄pi覆盖膜及其制备方法 |
-
2015
- 2015-05-06 CN CN201510226174.4A patent/CN104927082B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102516582A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-06-27 | 桂林电器科学研究院 | 多孔化聚酰亚胺薄膜的制造方法 |
| WO2014148155A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、ならびに、それによる接着フィルム、カバーレイフィルム、層間接着剤 |
| CN104476882A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-01 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种超薄pi覆盖膜及其制备方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105778130A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-07-20 | 西北工业大学 | 一种高强度高耐热聚酰亚胺微孔薄膜及其制备方法 |
| CN105778130B (zh) * | 2016-03-18 | 2019-05-07 | 西北工业大学 | 一种高强度高耐热聚酰亚胺微孔薄膜及其制备方法 |
| CN106750434A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 桂林电器科学研究院有限公司 | 一种聚酰亚胺多孔薄膜的制备方法 |
| JP2019014850A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 富士ゼロックス株式会社 | 粒子分散ポリイミド前駆体溶液、多孔質ポリイミドフィルムの製造方法、および多孔質ポリイミドフィルム |
| JP2019131747A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 東京応化工業株式会社 | 多孔質ポリイミドフィルム原反、その製造方法、及び組成物 |
| CN109351192A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-02-19 | 滁州学院 | 一种茴香醇耐溶剂复合纳滤膜及其制备方法 |
| CN109351192B (zh) * | 2018-12-21 | 2021-07-20 | 滁州学院 | 一种茴香醇耐溶剂复合纳滤膜及其制备方法 |
| CN115746380A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-07 | 慧迈材料科技(广东)有限公司 | 一种聚酰亚胺多孔复合薄膜制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104927082B (zh) | 2017-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104927082A (zh) | 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜 | |
| CN104910409A (zh) | 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法 | |
| Zhang et al. | Interface design and dielectric response behavior of SiO2/PB composites with low dielectric constant and ultra-low dielectric loss | |
| TWI544031B (zh) | 聚醯亞胺樹脂及其製造方法與薄膜 | |
| CN101168598B (zh) | 高导热性、低热膨胀系数的超厚聚酰亚胺薄膜的制备方法 | |
| CN107189436B (zh) | 一种聚酰亚胺纳米泡沫及其制备方法 | |
| CN106750435B (zh) | 一种低介电常数有序多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法 | |
| CN104672900B (zh) | 一种高介电常数聚酰亚胺/多壁碳纳米管/纳米钛酸钡复合薄膜及其制备方法 | |
| CN109942851B (zh) | 一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用 | |
| TWI661004B (zh) | 聚醯亞胺薄膜及其製備方法 | |
| CN106810692B (zh) | 聚酰胺酸溶液的制备方法和聚酰亚胺薄膜 | |
| Li et al. | Synthesis and properties of ultralow dielectric constant porous polyimide films containing trifluoromethyl groups | |
| CN104211980B (zh) | 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
| CN112679770A (zh) | 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
| CN112646179A (zh) | 一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
| CN111925543A (zh) | 一种低湿、低热膨胀系数聚酰亚胺复合薄膜材料及制备方法 | |
| CN110835416A (zh) | 一种超薄型聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
| CN107189092A (zh) | 一种高导热型聚酰亚胺薄膜的制备方法 | |
| CN109054018B (zh) | 一种聚酰胺酸溶液及其制备方法 | |
| CN109280192B (zh) | 一种黑色低亚光聚酰亚胺薄膜的制备方法 | |
| CN104292488B (zh) | 一种表面高导电聚酰亚胺复合薄膜的制备方法 | |
| CN114479458B (zh) | 一种全有机低介电聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN104829859B (zh) | 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在pi覆盖膜上的应用 | |
| CN110358134A (zh) | 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
| CN117757118A (zh) | 一种具有低介电常数的聚酰亚胺杂化膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Preparation method of porous low-dielectric polyimide thin films Effective date of registration: 20200628 Granted publication date: 20171208 Pledgee: Bank of China Wuxi Binhu sub branch Pledgor: WUXI SHUNXUAN NEW MATERIALS Co.,Ltd. Registration number: Y2020980003467 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20210426 Granted publication date: 20171208 Pledgee: Bank of China Wuxi Binhu sub branch Pledgor: WUXI SHUNXUAN NEW MATERIALS Co.,Ltd. Registration number: Y2020980003467 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A porous low dielectric polyimide film Effective date of registration: 20210622 Granted publication date: 20171208 Pledgee: Bank of Jiangsu Limited by Share Ltd. Wuxi Cheng industry sub branch Pledgor: WUXI SHUNXUAN NEW MATERIALS Co.,Ltd. Registration number: Y2021320010219 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |