TWI661004B - 聚醯亞胺薄膜及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種聚醯亞胺薄膜及其製備方法，所述聚醯亞胺薄膜包含：聚醯亞胺樹脂及氟系粒子，氟系粒子由一次粒子及二次粒子組成，一次粒子的平均粒徑為300nm以下，二次粒子由一次粒子凝聚而成，二次粒子具有平均直徑為300nm以下的氣孔，且平均粒徑為10μm以下，平均表觀比重為1.2g/ml以下。本發明之聚醯亞胺薄膜在具有優異的物理性質同時，更可展現更低的電容率，從而能夠有效地用於需要低電容率的印刷電路板等的電氣/電子儀器及元件之製備中。

Description

聚醯亞胺薄膜及其製備方法
本發明係關於一種具有優異的物理性質的低電容率聚醯亞胺薄膜及其製備方法。
通常，聚醯亞胺(PI)樹脂是指於將芳香族二酸酐和芳香族二胺或芳香族二異氰酸酯進行溶液聚合而製備聚醯胺酸衍生物後，使聚醯胺酸衍生物在高溫下脫水閉環而醯亞胺化，從而製備出的高耐熱樹脂。
聚醯亞胺樹脂，由於機械性和熱性尺寸穩定性、以及化學穩定性優異，因此，係廣泛應用於電氣/電子材料、宇宙/航空及電子通信領域中。尤其，由於聚醯亞胺樹脂具有高絕緣性能，因此，廣泛應用於需要可靠性元件及部件的印刷電路板等中。
隨著近來的高資訊化趨勢，在用於累積大量資訊，並且將這些資訊進行高速處理以及高速傳遞的電子儀器中，於這些電子儀器中所使用的聚醯亞胺樹脂也提出了高性能化的需求，尤其是針對與高頻化對應之作為電氣特性的低電容率化提出需求。
為了使這類聚醯亞胺樹脂低電容率化，進行了嘗試，例如， 韓國專利第0859275號公開了一種多孔質聚醯亞胺樹脂的製備方法，所述多孔質聚醯亞胺樹脂的製備方法藉著在聚醯亞胺樹脂前驅溶液中分散分散性化合物後，利用該分散液形成被膜，然後從所述被膜中提取分散性化合物並去除所述分散性化合物後，使所述被膜多孔質化，從而製備多孔質聚醯亞胺樹脂。
然而，由於根據所述方法製備的多孔質聚醯亞胺樹脂具有微米單位大小的氣孔，因此，在實現薄膜的聚醯亞胺薄膜方面上有所限制。
因此，本發明的目的在於提供一種具有優異物理性質同時更具有奈米大小氣孔之低電容率的聚醯亞胺薄膜及其製備方法。
為了實現所述目的，本發明提供一種聚醯亞胺薄膜，所述聚醯亞胺薄膜包含：聚醯亞胺樹脂及氟系粒子，氟系粒子由一次粒子及二次粒子組成，一次粒子的平均粒徑為300nm以下，二次粒子由一次粒子凝聚而成，二次粒子具有平均直徑為300nm以下的氣孔，且平均粒徑為10μm以下，平均表觀比重為1.2g/ml以下。
另外，本發明提供一種聚醯亞胺薄膜的製備方法，聚醯亞胺薄膜的製備方法包括混合聚醯亞胺前驅物、醯亞胺化變換液及氟系粒子後，對其進行醯亞胺化的步驟，氟系粒子由一次粒子及二次粒子組成，一次粒子的平均粒徑為300nm以下，二次粒子由一次粒子凝聚而成，二次粒子具有平均直徑為300nm以下的氣孔，且平均粒徑為10μm以下，平均表觀比重為1.2g/ml以下。
本發明的上述內容及其它目的和特徵，將藉著添加的附圖及下述對本發明的說明而變得明確。
第1圖為用於體現本發明而使用的氟系一次粒子的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
第2圖為用於體現本發明而使用的由氟系一次粒子凝聚而成的二次粒子的SEM照片。
第3圖為用於體現本發明而使用由氟系一次粒子凝聚而成的二次粒子製備的(實施例1中製備的)聚醯亞胺薄膜的截面SEM照片。
下文中，將對本發明進行更具體地說明。
本發明的聚醯亞胺薄膜包含聚醯亞胺樹脂及氟系粒子，所述氟系粒子由一次粒子和二次粒子組成，所述一次粒子的平均粒徑為300nm以下，所述二次粒子由所述一次粒子凝聚而成，所述二次粒子具有平均直徑為300nm以下的氣孔，並且平均粒徑為10μm以下，平均表觀比重為1.2g/ml以下。所述氟系粒子，較佳均勻分散在所述聚醯亞胺樹脂中。
如上所述之本發明的聚醯亞胺薄膜係藉著混合聚醯亞胺前驅物、醯亞胺化變換液及氟系粒子後，對其進行醯亞胺化的製程而製備，所述氟系粒子由一次粒子和二次粒子組成，所述一次粒子的平均粒徑為300nm以下，所述二次粒子由所述一次粒子凝聚而成，所述二次粒子具有平均直徑為300nm以下的氣孔，並且平均粒徑為10μm以下，平均表觀比重為1.2g/ml以下。
對於本發明所使用的氟系粒子之製備方法，在所製備之氟系 粒子如果能具有上述參數之情況下，則對其方法不作特別限制。
較佳地，構成所述氟系粒子的一次粒子可以具有50~300nm的平均粒徑，二次粒子可以具有3~10μm的平均粒徑及50~300nm的平均直徑的氣孔和0.4~1.2g/ml的平均表觀比重。
為了體現聚醯亞胺的電容率特性而添加的氟系粒子，較佳為具有200℃以上熔點的氟系樹脂，具體來說可例如選自由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基烷烴(PFA)及氟化乙丙烯(FEP)中的至少一種。
本發明的聚醯亞胺薄膜，以薄膜總重量計，可以包含5~40重量%的氟系粒子，較佳包含10~30重量%的氟系粒子。
以上述含量範圍包含具有上述特徵的氟系粒子時，可以防止由聚醯亞胺薄膜製備程序的高溫所導致的氟系粒子特性之降低，從而能夠顯示出所要體現的聚醯亞胺薄膜的電容率特性，並且，可以藉著大量添加氟系粒子來維持聚醯亞胺薄膜的機械強度。
對於在本發明中使用的聚醯亞胺前驅物，只要是能夠藉著醯亞胺化而成為聚醯亞胺樹脂的前驅物，均可以使用，較佳為藉著常規方法使二酸酐成分和二胺成分進行共聚而得到的聚醯胺酸。
所述二酸酐成分及二胺成分，可以分別從通常使用之二酸酐或二胺中適當地選擇。
具體地，作為二酸酐成分，可以使用聯苯羧二酸酐或其衍生物、苯均四酸二酐或其衍生物等；作為二胺成分，可以使用苯二胺或其衍生物、二氨基苯醚或其衍生物等。
對於在本發明中使用的醯亞胺化變換液，只要是為了引起化學固化而通常使用的物質，均可以使用，其可以是脫水劑、催化劑及極性 有機溶劑等三種的混合溶液。更具體地，醯亞胺化變換液可以是包含諸如乙二酸酐的脫水劑；諸如吡啶、β-甲基吡啶及異喹啉的叔胺類催化劑；及諸如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲醯胺(DMF)及二甲基乙醯胺(DMAc)的極性有機溶劑的混合溶液。
以聚醯亞胺前驅物100重量份計，可以使用30~70重量份的醯亞胺化變換液，但是，可以根據聚醯亞胺前驅物的種類及製備的聚醯亞胺薄膜的厚度等而有所不同。
作為更具體的一個例子，本發明的聚醯亞胺薄膜，可以藉著下述本領域習知的常規方法來製備。
首先，在有機溶劑中，使二酸酐成分和二胺成分進行共聚反應，從而得到聚醯胺酸溶液。這時，所述有機溶劑通常是用作醯胺系溶劑的非質子極性溶劑(aprotic solvent)，例如，可以使用N,N'-二甲基甲醯胺、N,N'-二甲基乙醯胺、N-甲基-吡咯烷酮或其混合物。
這時，為了改善聚醯亞胺薄膜的雙向拉伸性()、熱傳導性、導電性、耐電暈性()等各種特性，可以在聚醯胺酸溶液中添加填充劑。作為填充劑，可以列舉二氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氮化矽、氮化硼、磷酸氫鈣、磷酸鈣、雲母等，但並不限定於此。
在上面得到的聚醯胺酸溶液中添加包含脫水劑、催化劑及極性有機溶劑的醯亞胺化變換液，從而進行一次混合，在其中添加氟系粒子後進行混合，所述氟系粒子由一次粒子和二次粒子組成，所述一次粒子的平均粒徑為300nm以下，所述二次粒子由所述一次粒子凝聚而成，所述二次粒子具有平均直徑為300nm以下的氣孔，並且平均粒徑為10μm以下，平均表觀比重為1.2g/ml以下。
這時，對於醯亞胺化變換液和氟系粒子的投入時點，可以同 時進行而不需要產生時間差，並且，對於投入氟系粒子，以分散在極性有機溶劑中的分散液的方式投入也無妨。
可以藉著在將該混合液塗覆於支持體(例如，玻璃板、鋁箔、迴圈不銹鋼帶、不銹鋼轉鼓等)之後，對其進行醯亞胺化，從而得到所需的聚醯亞胺薄膜。
在藉著一次熱處理來使得所述支持體上所形成的聚醯胺酸塗覆層的一部分以化學方式醯亞胺化之後，藉著二次熱處理，使其完全醯亞胺化，從而可以得到所需的聚醯亞胺薄膜。對於以化學方式實施的部分醯亞胺化的一次熱處理，可以在100~200℃下實施5~15分鐘；對於完全醯亞胺化的二次熱處理，可以在250~850℃下實施5~15分鐘。這時，可以將藉著一次熱處理得到的化學性部分醯亞胺化狀態的聚醯胺酸薄膜從支持體中分離出來，然後進行二次熱處理，進行二次熱處理時，可以在一定的張力下進行熱處理，從而能夠去除在製膜過程中產生之薄膜內部的剩餘應力。
如此製備出的本發明的聚醯亞胺薄膜，在1MHz下具有2.3~2.9的低電容率。
並且，由於薄膜的熱膨脹係數係依賴於聚醯亞胺清漆(varnish)的特性，因此，將氟系粒子均勻包含在薄膜內之本發明的聚醯亞胺薄膜與通過使用氟系單體來製備的聚醯亞胺薄膜相比，可以體現出相對低的線膨脹係數，並且，由於氟系粒子沒有直接突出於薄膜的表面，因此，可以體現薄膜的高接合強度，從而能夠用作銅箔層壓板()或墊板等的柔性印刷線路板(FPCB)材料。
本發明的聚醯亞胺薄膜，在薄膜內均勻包含具有特定大小氣孔的氟系粒子，從而在體現氟單一粒子所具有的電子特性的同時，基於氣 孔，體現多孔性形態，以能夠表達出更低的電容率，從而能夠有效地使用於要求低電容率的印刷電路板等的電氣/電子儀器及元件的製備中。並且，選擇性地使用具有氣孔、並藉著該氣孔來體現所需水準的平均表觀比重的氟系粒子，從而防止通常使用具有高比重的氟粒子時所導致之粒子下沉現象，從而能夠使氟系粒子均勻分佈在產品內，並且，還具有不需要為了改善分散性而添加額外分散劑之優點。
下面，將藉著實施例來更加詳細地說明本發明。然而本發明並不限定於下述實施例。
製備例1：聚醯胺酸溶液的製備
在0.5L反應器中加入320g的二甲基甲醯胺(DMF)，並在將溫度設定為20℃之後，投入27.59g的二氨基二苯醚(ODA)而使其溶解後，以每次20.03g的量投入兩次均苯四甲酸二酐(PMDA)後進行溶解。結束溶解後，投入3.97g的苯二胺(pPDA)反應30分鐘後，對溶液進行取樣，進而測定分子量。然後，待反應結束，將反應器的溫度升溫至30℃後，投入1.00g的pPDA，從而將[二胺]/[二酸酐]的莫耳比調成1：1。結束原料投入後，在40℃下充分反應2小時，從而得到聚醯胺酸溶液。
製備例2：添加有氟粒子的醯亞胺化變換液的製備(1)
在作為醯亞胺固化用催化劑之4.5g的異喹啉(沸點242℃)、作為脫水劑之17.0g的乙酸酐、以及作為極性有機溶劑之17.0g的二甲基甲醯胺(DMF)中，混合9.3g的聚四氟乙烯(PTFE)分散液(Samil物產()SS-5000CR，一次粒子的平均粒徑：200nm，二次粒子的平均粒徑、氣孔、平均表觀比重：10μm、200nm、0.6g/ml，PTFE固體含量為30%)並進行攪拌，從而得到46.9g的添加有氟粒子的醯亞胺化變換液。
製備例3：添加有氟粒子的醯亞胺化變換液之製備(2)
在作為醯亞胺固化用催化劑的4.5g的異喹啉(沸點242℃)、作為脫水劑的17.0g的乙酸酐、以及作為極性有機溶劑的14.9g的DMF中，混合12.3g的PTFE分散液(Samil物產SS-5000CR，一次粒子的平均粒徑：200nm，二次粒子的平均粒徑、氣孔、平均表觀比重：10μm、200nm、0.6g/ml，PTFE固體含量為30%)並進行攪拌，從而得到48.7g的添加有氟粒子的醯亞胺化變換液。
製備例4：添加有氟粒子的醯亞胺化變換液的製備(3)
在作為醯亞胺固化用催化劑的4.5g的異喹啉(沸點242℃)、作為脫水劑的17.0g的乙酸酐、以及作為極性有機溶劑的22.6g的DMF中，混合2.8g的研磨的PTFE粒子(DAIKIN公司產品，平均粒徑為22μm，平均表觀比重為0.4g/ml)並進行攪拌，從而得到46.9g的添加有氟粒子的醯亞胺化變換液。
製備例5：添加有氟粒子的醯亞胺化變換液的製備(4)
在作為醯亞胺固化用催化劑的4.5g的異喹啉(沸點242℃)、作為脫水劑的17.0g的乙酸酐、以及作為極性有機溶劑的23.5g的DMF中，混合3.7g的研磨的PTFE粒子(DAIKIN公司產品，平均粒徑22μm，平均表觀比重為0.4g/ml)並進行攪拌，從而得到48.7g的添加有氟粒子的醯亞胺化變換液。
製備例6：沒有添加氟粒子的醯亞胺化變換液的製備(1)
將作為醯亞胺固化用催化劑的4.5g的異喹啉(沸點為242℃)、作為脫水劑的17.0g的乙酸酐、以及作為極性有機溶劑的23.5g的DMF進行混合並攪拌，從而得到45g的醯亞胺化變換液。
製備例7：沒有添加氟粒子的醯亞胺化變換液的製備(2)
將作為醯亞胺固化用催化劑的4.4g的β-甲基吡啶(沸點為144℃)、作為脫水劑的16.7g的乙酸酐、以及作為極性有機溶劑的23.1g的DMF進行混合並攪拌，從而得到45g的醯亞胺化變換液。
實施例1：使用氟粒子的聚醯亞胺薄膜的製備
在於製備例1中得到的100g之聚醯胺酸聚合溶液中，混合製備例2中得到的45g的醯亞胺化變換液之後，塗佈於不銹鋼板上，在120℃的烤箱中，用熱風乾燥3分鐘後，將薄膜從不銹鋼板上摘下，並用框架針固定。在450℃下，對固定有薄膜的框架，進行熱處理7分鐘後，摘下薄膜，從而得到平均厚度為25μm的聚醯亞胺薄膜。第3圖中示出了所製備的聚醯亞胺薄膜的截面SEM照片。
實施例2：使用氟粒子的聚醯亞胺薄膜的製備
除了使用製備例3中得到的45g的醯亞胺化變換液來代替製備例2中得到的醯亞胺化變換液以外，實施與實施例1相同的製程，從而得到平均厚度為25μm的聚醯亞胺薄膜。
比較例1及2：使用粒子大小及表觀密度不同的氟粒子的聚醯亞胺薄膜的製備
除了使用製備例4或5中得到的45g的醯亞胺化變換液來代替製備例2中得到的醯亞胺化變換液以外，實施與實施例1相同的製程，從而得到平均厚度為25μm的聚醯亞胺薄膜。
比較例3及4：未使用氟粒子的聚醯亞胺薄膜的製備
除了使用製備例6或7中得到的45g的醯亞胺化變換液來代替製備例2中得到的醯亞胺化變換液以外，實施與實施例1相同的製程， 從而得到平均厚度為25μm的聚醯亞胺薄膜。
薄膜的電暈處理
對於實施例1~2及比較例1~4中製備的聚醯亞胺薄膜，藉著利用電暈放電處理裝置(型號名稱AGI：060M,063M，春日電機公司製備)，以4kW的輸出功率來實施電暈處理。
試驗例1：一次粒子的平均粒徑及氣孔的平均直徑之測定
對於為了本發明而使用的氟系粒子之一次粒子的平均粒徑及氣孔的平均直徑，藉著使用掃描電子顯微鏡FE-SEM(可以購自JEOL(日本電子光學實驗室)的型號JSM-6700F)來進行觀察，在SEM圖像中隨機選擇200個一次粒子及氣孔的圖像，並測定其大小，並計算其平均值。將測定值表示在下述表1中，將氟系一次粒子的SEM圖像表示在第1圖中。
試驗例2：二次粒子的平均粒徑之測定
對於為了本發明而使用的氟系粒子之二次粒子的平均粒徑，藉著使用雷射粒徑分析儀(Laser Diffraction Particle Size Analyzer)，SHIMADZU公司，型號SALD-2201)來進行測定。將測定的值表示在下述表1中，將由氟系一次粒子凝聚而成的二次粒子之SEM照片表示在第2圖中。
試驗例3：二次粒子的平均表觀比重的測定
對於為了本發明而使用的氟系粒子之二次粒子的平均表觀比重，藉著使用容量比重測定儀(Volume density meter)及密度杯(Density cup，YASUDA公司，型號536,558)來進行測定。將測定值表示在下述表1中。
試驗例4：電容率及介電材質衰減係數()的測定
對於實施例1~2及比較例1~4中製備的聚醯亞胺薄膜的1MHz電容率及介電材質衰減係數，藉著利用Lacerta公司的DS-6000來進行測定。將測定的電容率及介電材質衰減係數的值表示在下述表1中。
試驗例5：熱膨脹係數(線膨脹係數)的測定
將實施例1~2及比較例1~4中製備的聚醯亞胺薄膜，截成寬5mm×長16mm的大小，並藉著利用TA公司的熱機械性能試驗裝置(Thermal mechanical apparatus)Q400來測定熱膨脹係數(Coefficient of thermal expansion，CTE)的值。對於樣本，以10℃/分鐘的速度，從30℃加熱至420℃，在50℃至200℃範圍內求出熱膨脹係數的值。將測定之熱膨脹係數(線膨脹係數)值表示在下述表1中。
試驗例6：接合強度的測定
在實施例1~2及比較例1~4中所製備的聚醯亞胺薄膜及銅箔(2/3oz，日進材料產品())之間放置黏結片(1mil，環氧樹脂型(Epoxy type)，韓華L&C產品( L&C ))，並在上面及下面放置保護用薄膜，並升溫至180℃之後，以3Mpa的壓力進行30分鐘的熱壓焊接後，解除壓力，並進一步在200℃烤箱中進行30分鐘的後固化，從而得到柔性印刷電路板。將得到的柔性印刷電路板以5mm的寬度進行截斷後，通過IPC TM 659 2.4.9D方法的90°輪測試(90°Wheel test)來測定接合強度。將測定值表示在下述表1中。
由上述表1的結果可知，本發明的實施例1及2的聚醯亞胺薄膜，不僅顯示出優異的物理性質，而且相對於比較例1~4的聚醯亞胺薄膜而言，可展現較低的電容率。因此，本發明的聚醯亞胺薄膜能夠有效地使用於要求低電容率的印刷電路板等的電氣/電子儀器及元件之製備中。

Claims (6)

  1. 一種聚醯亞胺薄膜，其包含：一聚醯亞胺樹脂及一氟系粒子，該氟系粒子由一一次粒子及一二次粒子組成，該一次粒子的平均粒徑為50-300nm，該二次粒子係由該一次粒子凝聚而成，該二次粒子具有平均直徑為50-300nm的氣孔，且平均粒徑為3-10μm，平均表觀比重為0.4-1.2g/ml。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺薄膜，其中該聚醯亞胺薄膜包含5~40重量%的該氟系粒子。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺薄膜，其中該氟系粒子是具有200℃以上熔點的一氟系樹脂。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之聚醯亞胺薄膜，其中該氟系樹脂係選自聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基烷烴(PFA)及氟化乙丙烯(FEP)中的至少一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺薄膜，其中該聚醯亞胺薄膜在1MHz下具有2.3~2.9的低電容率。
  6. 一種如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之聚醯亞胺薄膜之製備方法，該聚醯亞胺薄膜之該製備方法包括混合一聚醯亞胺前驅物、一醯亞胺化變換液及該氟系粒子後，對其進行醯亞胺化的步驟，該氟系粒子由該一次粒子及該二次粒子組成，該一次粒子之平均粒徑為50-300nm，該二次粒子由該一次粒子凝聚而成，該二次粒子具有平均直徑為50-300nm的氣孔，並且平均粒徑為3-10μm，平均表觀比重為0.4-1.2g/ml。
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