CN104465941B - 发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光器件包括:设置在衬底上的第一发光元件、包括在俯视图中形成为闭合环状的环状部分并且密封第一发光元件的凸状第一密封树脂、设置在衬底上的由第一密封树脂的环状部分包围的区域中的第二发光元件、以及填充在由环状部分包围的区域中以密封第二发光元件的第二密封树脂。第一密封树脂和第二密封树脂之一包括磷光体粒子,或者第一密封树脂和第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子。

Description

发光器件及其制造方法
本申请基于分别于2013年9月17日和2014年3月18日提交的日本专利申请第2013-191636号和第2014-055244号,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种发光器件和制造该发光器件的方法。
背景技术
具有用于发射不同颜色的多个发光部的发光器件和照明系统是已知的(参见例如,JP-A-2004-071726,JP-A-2009-224074,JP-A-2011-204659和JP-A-2012-004519)。
JP-A-2004-071726公开了一种发光器件,其中在封装件中设置有阶梯部分并且LED芯片安置在上部台阶和下部台阶上。用于密封上部台阶上的LED芯片的树脂和用于密封下部台阶上的LED芯片的树脂包括分别发射不同荧光颜色的磷光体。
JP-A-2009-224074公开了一种发光器件,其中在衬底上提供用包含红色磷光体的树脂覆盖的蓝色LED芯片,用包含绿色磷光体的树脂覆盖的蓝色LED芯片,用包含蓝色磷光体的树脂覆盖的蓝色LED芯片,并且这些包含不同磷光体的树脂彼此远离形成。
JP-A-2011-204659公开了一种照明系统,其中在衬底上提供有红色LED芯片、绿色LED芯片、蓝色LED芯片和用包含黄色磷光体的树脂覆盖的蓝色LED芯片。
JP-A-2012-004519公开了一种发光器件,该发光器件具有提供在衬底上的树脂框架、用于将树脂框架包围的部分分成两个区域的树脂分隔壁、布置在一个区域中并用包含红色磷光体的树脂密封的蓝色LED芯片、以及布置在另一个区域中并用包含黄色磷光体的树脂密封的蓝色LED芯片。由于两个区域被树脂分隔壁彼此隔开,因此可以防止包含红色磷光体的树脂和包含黄色磷光体的树脂在填充树脂时彼此混合。树脂框架和树脂分隔壁由具有反光性能或屏蔽性能的树脂形成。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有用于发射不同颜色的多个发光部分并且适于简化其制造过程并且减少占用面积的发光器件以及制造发光器件的方法。
(1)根据本发明的一种实施方案,一种发光器件,包括:
设置在衬底上的第一发光元件;
凸状第一密封树脂,所述凸状第一密封树脂包括在俯视图中形成为闭合环状并且密封所述第一发光元件的环状部分;
第二发光元件,所述第二发光元件设置在所述衬底上的由所述第一密封树脂的所述环状部分包围区域中;以及
第二密封树脂,所述第二密封树脂填充在由所述环状部分包围的所述区域中以密封所述第二发光元件,
其中,所述第一密封树脂和所述第二密封树脂中之一包括磷光体粒子,或者所述第一密封树脂和所述第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子。
在本发明以上实施方案(1)中,可进行如下修改和改变。
(i)所述第一密封树脂的树脂材料与所述第二密封树脂的树脂材料相比在固化前具有更高的触变性。
(ii)所述衬底包括位于所述衬底的上表面上的凹部和凸部,其中,所述第一发光元件设置在所述凹部的底表面上,其中,所述第一密封树脂设置在所述凹部中和所述凹部上方,并且其中,所述第二发光元件设置在所述凸部的上表面上。
(iii)所述第一发光元件的发射波长比所述第二发光元件的发射波长更长。
(2)根据本发明的另一实施方案,一种制造发光器件的方法,包括:
将第一发光元件和第二发光元件布置在衬底上;
通过在所述衬底上堆积第一树脂形成包括在俯视图中形成为闭合环状的环状部分的凸状第一树脂,使得所述第一发光元件被密封并且所述第二发光元件由所述环状部分包围;以及
通过使用所述环状部分作为坝,用第二树脂填充由所述环状部分包围的区域形成用于密封所述第二发光元件的第二密封树脂,
其中,所述第一密封树脂和所述第二密封树脂中之一包括磷光体粒子,或者所述第一密封树脂和所述第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子。
在本发明的以上实施方案(2)中,可进行如下修改和改变,
(iv)所述第一树脂与所述第二树脂相比具有更高的触变性。
(v)所述衬底包括在所述衬底的上表面上的凹部和凸部,其中,所述第一发光元件设置在所述凹部的底表面上,其中,所述第二发光元件设置在所述凸部的上表面上,并且其中,所述第一树脂填充在所述凹部中并且还堆积在所述凹部上方以形成所述第一密封树脂。
(vi)所述第一发光元件的发射波长比所述第二发光元件的发射波长更长。
本发明的效果
根据本发明的一种实施方案,能够提供一种具有用于发射不同颜色的多个发光部分并且适于简化其制造过程并减少占用面积的发光器件以及制造该发光器件的方法。
附图说明
下面结合附图对本发明进行详细说明,其中:
图1A是示出了第一实施方案中的发光器件的俯视图;
图1B是示出了沿着图1A的线A-A截取的发光器件的竖直截面图;
图2A至图2C是示出了第一实施方案中发光器件的制造过程的竖直截面图;
图3A是示出了第二实施方案中的发光器件的俯视图;
图3B是示出了沿着图3A的线B-B截取的发光器件的竖直截面图;
图4A是示出了第三实施方案中的发光器件的俯视图;
图4B是示出了沿着图4A的线C-C截取的发光器件的竖直截面图;
图5A是示出了第四实施方案中的发光器件的俯视图;
图5B是示出了沿着图5A的线D-D截取的发光器件的竖直截面图;
图6A至图6C是示出了第四实施方案中发光器件的制造过程的竖直截面图;
图7A是示出了第五实施方案中的发光器件的俯视图;
图7B是示出了沿着图7A的线E-E截取的发光器件的竖直截面图;
图8A是示出了第六实施方案中的发光器件的俯视图;以及
图8B是示出了沿着图8A的线F-F截取的发光器件的竖直截面图。
具体实施方案
第一实施方案
发光器件的结构
图1A是示出了第一实施方案中的发光器件1的俯视图。图1B是示出了沿着图1A的线A-A截取的发光器件1的竖直截面图。
发光器件1具有:衬底10、布置在衬底10上的第一发光元件11、在俯视图中具有闭合环状并密封第一发光元件11的凸状第一密封树脂13、布置在衬底10上的由第一密封树脂13包围的区域中的第二发光元件12、以及填充在由第一密封树脂13包围的区域中以密封第二发光元件12的第二密封树脂14。
第一密封树脂13或第二密封树脂14包括磷光体粒子,或者第一密封树脂13和第二密封树脂14分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。在图1A和图1B所示的实施例中,第一密封树脂13和第二密封树脂14分别包括第一磷光体粒子15和第二磷光体粒子16。
衬底10是例如,电路板或引线框架插入板。
第一发光元件11和第二发光元件12是例如,具有芯片衬底的LED芯片和包括覆层的晶体层,以及夹在LED芯片与晶体层之间的发光层。第一发光元件11和第二发光元件12可以是具有面朝上的晶体层的面朝上的LED芯片或具有面朝下的晶体层的面朝下的LED芯片。可替选地,可以使用除了LED芯片之外的发光元件,如激光二极管。
第一发光元件11和第二发光元件12连接到未示出的导电构件,例如包括在衬底10中的引线框架或布线图案,并且通过导电构件将功率独立地供应到第一发光元件11和第二发光元件12。
第一密封树脂13和第二密封树脂14是由透明树脂形成的,如硅酮基树脂(silicone-based resin)或环氧基树脂等。
由于第一密封树脂13通过在衬底10上堆积树脂形成,因此在固化前的树脂触变性优选为高。当触变性高时,成形后的粘度增加更大,因此可保持其形状直到树脂固化。
另一方面,第二密封树脂14通过使用第一密封树脂13作为坝用树脂填充由第一密封树脂13包围的区域,然后使该树脂固化形成。因此,如果该树脂在固化前触变性高,则难以适当地填充树脂。
因此,作为第一密封树脂13材料的树脂比作为第二密封树脂14材料的树脂在固化前具有更高的触变性。
由于第二密封树脂14在第一密封树脂13完全或基本上固化之后形成,因此第一密封树脂13和第二密封树脂14不会彼此混合。换句话说,包含在第一密封树脂13和第二密封树脂14中的每一个中的磷光体粒子不会移动到另一密封树脂中。
下面的表1示出了发光元件的发光颜色和磷光体粒子的荧光颜色的组合的实施例(第一发光元件11的发光颜色和第一磷光体粒子15的荧光颜色组合,或第二发光元件12和第二磷光体粒子16的荧光颜色组合)。应该注意,表中的“不包含(nil)”表示没有使用磷光体粒子(第一磷光体粒子15或第二磷光体粒子16)。另外,“蓝色+绿色+红色”、“蓝色+绿色+黄色+红色”、“蓝色+黄色+红色”、“蓝色+黄色”、“绿色+红色”和“黄色+红色”表示分别发射不同颜色的多种磷光体粒子组合使用。
表1
发光元件 磷光体粒子
1 紫色 不包含
2 蓝色 不包含
3 绿色 不包含
4 红色 不包含
5 紫色 蓝色
6 紫色 绿色
7 紫色 红色
8 紫色 黄色
9 蓝色 绿色
10 蓝色 红色
11 蓝色 黄色
12 紫色 蓝色+绿色+红色
13 紫色 蓝色+绿色+黄色+红色
14 紫色 蓝色+黄色+红色
15 紫色 蓝色+黄色
16 蓝色 绿色+红色
17 蓝色 黄色+红色
18 绿色 红色
19 绿色 黄色
适当的选择第一发光元件11与第一磷光体粒子15的组合、或第二发光元件12与第二磷光体粒子16的组合使得由第一发光元件11和包括第一磷光体粒子15的第一密封树脂13构成的发光部分的发光颜色能够被任意设定,并且使得由第二发光元件12和包括第二磷光体粒子16的第二密封树脂14构成的发光部分的发光颜色能够被任意设定,并由此能够获得发射期望颜色的光的发光器件1。
例如,存在具有高蓝光激发效率的磷光体和具有高紫光激发效率的磷光体。根据这些磷光体的激发特性可以适当地选择第一磷光体粒子15。当包括在发光器件1中的一些发光元件发射紫光时,紫色光被添加到发光器件1的发射光中,从而提高了发光器件1的显色性。
此外,由于功率被分别地供应到第一发光元件11和第二发光元件12,因此可以任意控制各个发光元件的光强。这使得能够精细地调节发光色度和显色性能。此外,可以使第一元件11和第二发光元件12中的仅一个发光元件发光。
发光器件的制造过程
下面将描述发光器件1制造过程的实施例。
图2A至图2C是示出了第一实施方案中发光器件1的制造过程的竖直截面图。
首先,如图2A所示,将第一发光元件11和第二发光元件12布置在衬底10上。
接下来,如图2B所示,在衬底10上堆积包括第一磷光体粒子15的树脂,以密封第一发光元件11并包围第二发光元件12,从而形成第一密封树脂13。
具体地,例如,在衬底10上通过滴落等堆积包括第一磷光体粒子15的液体树脂,然后固化,从而形成了第一密封树脂13。在此,通过采用高触变性树脂作为第一密封树脂13的树脂,可以抑制第一密封树脂13固化前的形变。
接下来,如图2C所示,使用第一密封树脂13作为坝,将包括第二磷光体粒子16的树脂填充在由第一密封树脂13包围的区域中,然后固化,从而形成密封第二发光元件12的第二密封树脂14。在此,在第一密封树脂13固化到第一密封树脂13不会与第二密封树脂14的树脂混合的程度之后,填充第二密封树脂14的树脂。
第二实施方案
第二实施方案与第一实施方案不同在于发光器件提供有反射器。应当注意,将省略或简化与第一实施方案相同特征的说明。
发光器件的结构
图3A是示出了第二实施方案中的发光器件2的俯视图。图3B是示出了沿着图3A的线B-B截取的发光器件2的竖直截面图。
以与第一实施方案中的发光器件1相同的方式,发光器件2具有:衬底10、布置在衬底10上的第一发光元件11、在俯视图中具有闭合环状并密封第一发光元件11的凸状第一密封树脂13、布置在衬底10上的由第一密封树脂13包围的区域中的第二发光元件12、以及填充在由第一密封树脂13包围的区域以密封第二发光元件12的第二密封树脂14。
发光器件2还包括:在俯视图中具有闭合环形形状并包围第一密封树脂13的反射器24、布置在衬底10上的第一密封树脂13和反射器24之间的区域中的第三发光元件21、以及填充在第一密封树脂13与反射器24之间的区域中以密封第三发光元件21的第三密封树脂22。
第一密封树脂13或第二密封树脂14包括磷光体粒子,或者第一密封树脂13和第二密封树脂14分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。另外,第一密封树脂13或第三密封树脂22包括磷光体粒子,或者第一密封树脂13和第三密封树脂22分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。在图3A和图3B所示的实施例中,第一密封树脂13、第二密封树脂14和第三密封树脂22分别包括第一磷光体粒子15、第二磷光体粒子16和第三磷光体粒子23。
第三发光元件21是与第一发光元件11和第二发光元件12相同的发光元件。
第一发光元件11、第二发光元件12和第三发光元件21连接到未示出的导电构件,例如包括在衬底10中的引线框架或布线图案,并且通过导电构件将功率分别供应到第一发光元件11、第二发光元件12和第三发光元件21。
反射器24由例如热塑性树脂或热固性树脂形成,热塑性树脂如聚邻苯二甲酰胺树脂、LCP(液晶聚合物)或PCT(聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸乙二醇酯),热固性树脂如硅酮树脂、改性硅酮树脂、环氧树脂或改性环氧树脂。反射器24可包括二氧化钛等光反射粒子以提高光反射率。
第三密封树脂22通过使用第一密封树脂13和反射器24作为坝用树脂填充第一密封树脂13与反射器24之间区域,然后使该树脂固化形成。因此,如果该树脂固化前触变性高,则难以适当地填充树脂。
因此,作为第三密封树脂22的材料的树脂优选具有比作为第一密封树脂13的材料的树脂在固化前具有更低的触变性。作为第三密封树脂22的材料的树脂可以是作为第二密封树脂14的材料的树脂相同。
由于第二密封树脂14和第三密封树脂22在第一密封树脂13完全或基本上固化之后形成,因此第一密封树脂13、第二密封树脂14和第三密封树脂22不会彼此混合。换句话说,包含在第一密封树脂13、第二密封树脂14和第三密封树脂22中的每一个中的磷光体粒子不会移动到其他密封树脂中。
第三实施方案
第三实施方案与第一实施方案的不同在于第三密封树脂在第二密封树脂的内侧形成。应当注意,将省略或简化与第一实施方案相同特征的说明。
发光器件的结构
图4A是示出了第三实施方案中的发光器件3的俯视图。图4B是示出了沿着图4A的线C-C截取的发光器件3的竖直截面图。
发光器件3具有:衬底10、布置在衬底10上的第一发光元件31、在俯视图中具有闭合环状并密封第一发光元件31的凸状第一密封树脂34、布置在衬底10上的由第一密封树脂34包围的区域中的第三发光元件33、用于密封发光元件33的凸状第三密封树脂36、布置在衬底10上的第一密封树脂34与第三密封树脂36之间的区域中的第二发光元件32、以及填充在第一密封树脂34与第三密封树脂36之间的区域中以密封第二发光元件32的第二密封树脂35。
第一密封树脂34或第二密封树脂35包括磷光体粒子,或者第一密封树脂34和第二密封树脂35分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。另外,第一密封树脂34或第三密封树脂36包括磷光体粒子,或者第一密封树脂34和第三密封树脂36分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。在图4A和图4B所示的实施例中,第一密封树脂34、第二密封树脂35和第三密封树脂36分别包括第一磷光体粒子37、第二磷光粒子38和第三磷光体粒子39。
第三发光元件33是与第一发光元件31和第二发光元件32相同的发光元件。
第一发光元件31、第二发光元件32和第三发光元件33连接到未示出的导电构件,例如包括在衬底10中的引线框架或布线图案,并且通过导电构件将功率分别供应到第一发光元件31、第二发光元件32和第三发光元件33。
由于第一密封树脂34和第三密封树脂36通过在衬底10上堆积树脂形成,因此在固化前树脂的触变性优选为高。当触变性高时,成形后的粘度增加更大,可能保持其形状直到树脂固化。
第二密封树脂35通过使用第一密封树脂34和第三密封树脂36作为坝用树脂填充第一密封树脂34和第三密封树脂36之间的区域,然后使该树脂固化形成。因此,如果该树脂在固化前触变性高,则难以适当地填充树脂。
因此,作为第一密封树脂34和第三密封树脂36的材料的树脂优选比作为第二密封树脂35的材料的树脂在固化前具有更高的触变性。应该注意,作为第三密封树脂36的材料的树脂可以与作为第一密封树脂34的材料的树脂相同。
由于第二密封树脂35在第一密封树脂34和第三密封树脂36完全或基本上固化之后形成,因此第一密封树脂34、第二密封树脂35和第三密封树脂36不会彼此混合。换句话说,包含在第一密封树脂34、第二密封树脂35和第三密封树脂36中的每一个中的磷光体粒子不会移动到其他密封树脂中。
第四实施方案
第四实施方案与第一实施方案不同在于衬底上的凹部和凸部用于布置发光元件和密封树脂。应当注意,将省略或简化与第一实施方案相同特征的说明。
发光器件的结构
图5A是示出了第四实施方案中的发光器件4的俯视图。图5B是示出了沿着图5A的线D-D截取的发光器件4的竖直截面图。
发光器件4具有:在其上表面上具有凹部47和凸部48的衬底40、布置在凹部47的底表面上的第一发光元件41、在俯视图中具有闭合环状并设置在凹部47中和凹部47的上方以密封第一发光元件41的凸状第一密封树脂43、布置在由第一密封树脂43包围的凸部48上表面的第二发光元件42、以及填充在由第一密封树脂43包围的区域以密封第二发光元件42的第二密封树脂44。
第一密封树脂43或第二密封树脂44包括磷光体粒子,或者第一密封树脂43和第二密封树脂44分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。在图5A和图5B所示的实施例中,第一密封树脂43和第二密封树脂44分别包括第一磷光体粒子45和第二磷光体粒子46。
衬底40是例如,电路板或引线框架插入板。
第一发光元件41和第二发光元件42是与第一实施方案中第一发光元件11和第二发光元件12相同的发光元件。
由于第一发光元件41和第二发光元件42布置在不同高度,所以与其中第一发光元件11和第二发光元件12布置在相同高度的第一实施方案相比,发光元件之间的光吸收不太可能发生。
由于第一发光元件41布置在比第二发光元件42更低的位置,因此,从第一发光元件41朝第二发光元件42发射的光量比从第二发光元件42朝第一发光元件41发射的光量更大。因此,第一发光元件41的发射波长优选比第二发光元件42的发射波长更长,从而通过第二发光元件42抑制来自第一发光元件41的光的吸收。例如,第二发光元件42是蓝色LED芯片时,使用绿色LED芯片作为第一发光元件41。
第一密封树脂43和第二密封树脂44分别由与第一实施方案中的第一密封树脂13和第二密封树脂14相同的树脂形成。
由于第一密封树脂43通过在凹部47上方堆积树脂形成,因此该树脂在固化前的触变性优选为高。当触变性高时,成形后的粘度增加更大,因此可保持其形状直到树脂固化。
另一方面,第二密封树脂44通过使用第一密封树脂43作为坝用树脂填充由第一密封树脂43包围的区域,然后使该树脂固化形成。因此,如果该树脂在固化前的触变性高,则难以适当地填充树脂。
因此,作为第一密封树脂43的材料的树脂优选比作为第二密封树脂44的材料的树脂在固化前具有更高的触变性。
由于第二密封树脂44在第一密封树脂43完全或基本上固化之后形成,因此第一密封树脂43和第二密封树脂44不会彼此混合。换句话说,包含在第一密封树脂43和第二密封树脂44中的每一个中的磷光体粒子不会移动到另一密封树脂中。
由于第一密封树脂43通过填充凹部47形成,因此与第一实施方案中的在平坦表面上形成的第一密封树脂13相比,容易控制形状。
发光器件的制造过程
下面描述发光器件4制造过程的一个实施例。
图6A至图6C是示出了第四实施方案中的发光器件4制造过程的竖直截面图。
首先,如图6A示,制备在其上表面上具有凹部47和凸部48的衬底40,并且将第一发光元件41和第二发光元件42分别布置在凹部47的底表面和凸部48的上表面上。
例如,为形成衬底40,凹部47可能通过削去板状衬底的上表面形成,或者凸部48可以通过在板状衬底上表面上堆积树脂形成。
接下来,如图6B所示,将包括第一磷光体粒子45的树脂填充在凹部47中,并进一步堆积在凹部47上方,从而形成密封第一发光元件41的第一密封树脂43。
接下来,如图6C所示,使用第一密封树脂43作为坝,将包括第二磷光体粒子46的树脂填充在由第一密封树脂43包围的区域中,然后使其固化,从而形成密封第二发光元件42的第二密封树脂44。在此,在第一密封树脂43固化到第一密封树脂43不会与第二密封树脂44的树脂混合的程度之后,填充第二密封树脂44的树脂。
第五实施方案
第五实施方案与第四实施方案的不同在于衬底包括均安装发光元件的多个凸部。应当注意,将省略或简化与第四实施方案相同特征的说明。
发光器件的结构
图7A是示出了第五实施方案中的发光器件5的俯视图。图7B是示出了沿着图7A的线E-E截取的发光器件5的竖直截面图。
发光器件5具有:在其上表面上具有凹部57和凸部58的衬底50、布置在凹部57的底表面上的第一发光元件51、具有在俯视图中均具有闭合环状的环状部分59并且设置凹部57中以及凹部57上方以密封第一发光元件51的凸状第一密封树脂53、布置在由第一密封树脂53的环状部分59所包围的凸部58上表面上的第二发光元件52、以及填充在由环状部分59包围的区域以密封第二发光元件52的第二密封树脂54。
图7A所示的虚线概念上表示第一密封树脂53的环状部分59的位置之一。在图7A所示的实施例中,各自包围一个凸部58的三个环状部分59都被包括在第一密封树脂53中。第二发光元件52布置在由环状部分59包围的三个凸部58上。
第一密封树脂53或第二密封树脂54包括磷光体粒子,或者第一密封树脂53和第二密封树脂54分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。在图7A和图7B所示的实施例中,第一密封树脂53和第二密封树脂54分别包括第一磷光体粒子55和第二磷光体粒子56。
衬底50是例如,电路板或引线框架插入板。
第一发光元件51和第二发光元件52是与第一实施方案中第一发光元件11和第二发光元件12相同的发光元件。
由于第一发光元件51布置在比第二发光元件52更低的位置,因此,从第一发光元件51朝第二发光元件52发射的光量比从第二发光元件52朝第一发光元件51发射的光量更大。因此,第一发光元件51的发射波长优选比第二发光元件52的发射波长更长,从而通过第二发光元件52抑制来自第一发光元件51的光的吸收。
第一密封树脂53和第二密封树脂54分别由与第一实施方案中的第一密封树脂13和第二密封树脂14相同的树脂形成。
由于第一密封树脂53通过在凹部57上堆积树脂形成,因此该树脂在固化前的触变性优选为高。当触变性高时,成形后的粘度增加更大,因此可保持其形状直到树脂固化。
另一方面,第二密封树脂54通过使用环状部分59作为坝用树脂填充由第一密封树脂53的环状部分59所包围的区域,然后使该树脂固化形成。因此,如果该树脂在固化前的触变性高,则难以适当地填充树脂。
因此,作为第一密封树脂53的材料的树脂优选比作为第二密封树脂54的材料的树脂在固化前具有更高的触变性。
由于第二密封树脂54在第一密封树脂53完全或基本上固化之后形成,因此第一密封树脂53和第二密封树脂54不会彼此混合。换句话说,包含在第一密封树脂53和第二密封树脂54中的每一个中的磷光体粒子不会移动到另一密封树脂中。
第六实施方案
第六实施方案与第五实施方案不同在于衬底上凹部和凸部的图案。应当注意,将省略或简化与第五实施方案相同特征的说明。
发光器件的结构
图8A是示出了第六实施方案中的发光器件6的俯视图。图8B是示出了沿着图8A线F-F截取的发光器件6的竖直截面图。
发光器件6具有:在其上表面上具有凹部67和凸部68的衬底60、布置在凹部67的底表面上的第一发光元件61、具有在俯视图中均具有闭合环状的环状部分69并且设置在凹部67中以及凹部67上方以密封第一发光元件61的凸状第一密封树脂63、布置在由第一密封树脂63的环状部分69包围的凸部68上表面上的第二发光元件62、以及填充在由环状部分69包围的区域以密封第二发光元件62的第二密封树脂64。
图8A所示的虚线概念上表示第一密封树脂63的环状部分69的位置之一。在图8A所示的实施例中,第一密封树脂63在俯视图中具有格子状的形状,第二发光元件62布置在位于正方形格子的凸部68中的每一个上。
第一密封树脂63或第二密封树脂64包括磷光体粒子,或者第一密封树脂63和第二密封树脂64分别包括发射不同荧光颜色的磷光体粒子。在图8A和图8B所示的实施例中,第一密封树脂63和第二密封树脂64分别包括第一磷光体粒子65和第二磷光体粒子66。
衬底60是例如,电路板或引线框架插入板。
第一发光元件61和第二发光元件62是与第一实施方案中第一发光元件11和第二发光元件12相同的发光元件。
由于第一发光元件61布置在比第二发光元件62更低的位置,因此,从第一发光元件61朝第二发光元件62发射的光量比从第二发光元件62朝第一发光元件61发射的光量大。因此,第一发光元件61的发射波长优选比第二发光元件62的发射波长更长,从而通过发光元件62抑制来自发光元件61的光的吸收。
第一密封树脂63和第二密封树脂64分别采用与第一实施方案中的第一密封树脂13和第二密封树脂14相同的树脂形成。作为第一密封树脂63的材料的树脂优选比作为第二密封树脂64的材料的树脂在固化前具有更高的触变性。
由于第二密封树脂64在第一密封树脂63完全或基本上固化之后形成,因此第一密封树脂63和第二密封树脂64不会彼此混合。换句话说,包含在第一密封树脂63和第二密封树脂64中的每一个中的磷光体粒子不会移动到另一密封树脂中。
实施方案的效果
在第一实施方案至第六实施方案中,用于防止树脂流出的坝并非存在于多个发光部边界处,多发光部中的每一个均由发光元件和包括在密封树脂中的磷光体粒子构成并且发射不同颜色,这使得能够节省发光器件的面积。此外,由于坝并非形成在发射不同颜色的多个发光部之间的边界处,因此与传统技术相比,能够简化设置有发射不同颜色的多个发光部的发光器件的制造过程。
虽然以上已经对本发明的实施方案进行了描述,但是本发明并非旨在限于实施方案,在不脱离本发明的要旨的情况下可以实现各种修改。此外,本发明实施方案的构成要素可以在不脱离本发明的要旨的情况下任意组合。
此外,根据权利要求的本发明不限于以上所述实施方案。此外,请注意,并非在实施方案中描述的功能的所有都是解决本发明的问题所必需的。
附图标记
1、2、3、4、5、6: 发光器件
10、40、50、60: 衬底
11、31、41、51、61: 第一发光元件
12、32、42、52、62: 第二发光元件
21、33: 第三发光元件
13、34、43、53、63: 第一密封树脂
14、35、44、54、64: 第二密封树脂
22、36: 第三密封树脂
15、37、45、55、65: 第一磷光体粒子
16、38、46、56、66: 第二磷光体粒子
23: 第三磷光体粒子
47、57、67: 凹部
48、58、68: 凸部
24: 反射器

Claims (6)

1.一种发光器件,包括:
设置在衬底上的第一发光元件;
密封所述第一发光元件的凸状第一密封树脂,所述凸状第一密封树脂包括在俯视图中形成为闭合环状的环状部分;
第二发光元件,所述第二发光元件设置在所述衬底上的由所述第一密封树脂的所述环状部分包围的区域中;以及
第二密封树脂,所述第二密封树脂填充在由所述环状部分包围的所述区域中以密封所述第二发光元件,
其中,所述第一密封树脂和所述第二密封树脂中之一包括磷光体粒子,或者所述第一密封树脂和所述第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子,
其中,所述衬底包括在所述衬底的上表面上的凹部和凸部,
其中,所述第一发光元件设置在所述凹部的底表面上,
其中,所述第一密封树脂设置在所述凹部中和所述凹部上方,并且
其中,所述第二发光元件设置在所述凸部的上表面上。
2.一种发光器件,包括:
设置在衬底上的第一发光元件;
密封所述第一发光元件的凸状第一密封树脂,所述凸状第一密封树脂包括在俯视图中形成为闭合环状的环状部分;
第二发光元件,所述第二发光元件设置在所述衬底上的由所述第一密封树脂的所述环状部分包围的区域中;以及
第二密封树脂,所述第二密封树脂填充在由所述环状部分包围的所述区域中以密封所述第二发光元件,
其中,所述第一密封树脂和所述第二密封树脂中之一包括磷光体粒子,或者所述第一密封树脂和所述第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子,
其中,所述第一密封树脂的树脂材料与所述第二密封树脂的树脂材料相比在固化前具有更高的触变性,从而在使树脂固化前使用所述第一密封树脂作为坝。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一发光元件的发射波长比所述第二发光元件的发射波长更长。
4.一种制造发光器件的方法,包括:
将第一发光元件和第二发光元件布置在衬底上;
通过在所述衬底上堆积第一树脂形成包括在俯视图中形成为闭合环状的环状部分的凸状第一密封树脂,使得所述第一发光元件被密封并且所述第二发光元件由所述环状部分包围;以及
通过使用所述环状部分作为坝,用第二树脂填充由所述环状部分包围的区域,形成用于密封所述第二发光元件的第二密封树脂,
其中,所述第一密封树脂和所述第二密封树脂中之一包括磷光体粒子,或者所述第一密封树脂和所述第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子,
其中所述第一树脂与所述第二树脂相比在固化前具有更高的触变性,从而在使树脂固化前使用所述第一树脂作为坝。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述衬底包括在所述衬底的上表面上的凹部和凸部,
其中,所述第一发光元件设置在所述凹部的底表面上,
其中,所述第二发光元件设置在所述凸部的上表面上,并且
其中,所述第一树脂填充在所述凹部中并且进一步堆积在所述凹部上方以形成所述第一密封树脂。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一发光元件的发射波长比所述第二发光元件的发射波长更长。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6524107B2 (ja) 2014-09-29 2019-06-05 シチズン時計株式会社 Ledモジュール
DE102015007750A1 (de) * 2015-06-17 2016-12-22 Osram Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung
JP6398887B2 (ja) * 2015-06-18 2018-10-03 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP6590579B2 (ja) * 2015-08-03 2019-10-16 シチズン電子株式会社 Led発光素子
JP6555043B2 (ja) * 2015-09-18 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光装置
JP6915983B2 (ja) * 2015-12-25 2021-08-11 シチズン電子株式会社 発光装置および調色装置
JP6643910B2 (ja) * 2016-02-08 2020-02-12 シチズン電子株式会社 発光装置
JP6692173B2 (ja) * 2016-02-08 2020-05-13 シチズン電子株式会社 発光装置
JP6728869B2 (ja) * 2016-02-25 2020-07-22 豊田合成株式会社 発光装置
JP6558290B2 (ja) * 2016-03-25 2019-08-14 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP6783985B2 (ja) 2016-09-29 2020-11-11 豊田合成株式会社 発光装置
DE102016219116A1 (de) * 2016-09-30 2018-04-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe und elektronische Baugruppe, insbesondere für ein Getriebesteuermodul
DE102017106755B4 (de) * 2017-03-29 2022-08-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US11107857B2 (en) * 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11101248B2 (en) * 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
CN107479252B (zh) * 2017-08-31 2020-11-13 深圳市华星光电技术有限公司 Led灯珠及背光光源、背光模组
JP6658787B2 (ja) * 2017-12-22 2020-03-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019121678A (ja) * 2018-01-04 2019-07-22 シチズン電子株式会社 発光装置
US11018284B2 (en) * 2018-04-19 2021-05-25 Innolux Corporation Light emitting element and electronic device
JP7353814B2 (ja) * 2019-06-19 2023-10-02 シチズン電子株式会社 発光装置
US11083059B2 (en) 2019-10-03 2021-08-03 Creeled, Inc. Lumiphoric arrangements for light emitting diode packages
US10883672B1 (en) 2019-10-29 2021-01-05 Ideal Industries Lighting Llc Reflector structures for lighting devices
US11024613B2 (en) 2019-11-06 2021-06-01 Creeled, Inc. Lumiphoric material region arrangements for light emitting diode packages
JP7492119B2 (ja) * 2020-03-31 2024-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3351447B2 (ja) * 1994-04-08 2002-11-25 日亜化学工業株式会社 Ledディスプレイ
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4280038B2 (ja) 2002-08-05 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
AU2003221442A1 (en) 2002-03-22 2003-10-08 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
US7521728B2 (en) * 2006-01-20 2009-04-21 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
JP5452877B2 (ja) 2008-03-13 2014-03-26 パナソニック株式会社 Led照明装置
CN101765923B (zh) 2007-07-26 2013-01-16 松下电器产业株式会社 Led照明器件
EP2398079A1 (en) 2009-04-27 2011-12-21 Toshiba Lighting&Technology Corporation Illuminating device
JP2011096740A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP5623062B2 (ja) * 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2012004519A (ja) 2010-05-17 2012-01-05 Sharp Corp 発光装置および照明装置
JP2012023188A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Iwatani Internatl Corp Ledパッケージ装置
JP6079629B2 (ja) * 2011-07-25 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5895598B2 (ja) * 2012-02-29 2016-03-30 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9305903B2 (en) 2016-04-05
CN104465941A (zh) 2015-03-25
JP6156213B2 (ja) 2017-07-05
US20150076534A1 (en) 2015-03-19
JP2015084397A (ja) 2015-04-30

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