JP3351447B2 - Ｌｅｄディスプレイ - Google Patents
ＬｅｄディスプレイInfo
- Publication number
- JP3351447B2 JP3351447B2 JP6983694A JP6983694A JP3351447B2 JP 3351447 B2 JP3351447 B2 JP 3351447B2 JP 6983694 A JP6983694 A JP 6983694A JP 6983694 A JP6983694 A JP 6983694A JP 3351447 B2 JP3351447 B2 JP 3351447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- led chip
- display
- chip
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はグリーンシートが積層さ
れてなるセラミック基板上に、発光色の異なるＬＥＤ
（発光ダイオード）チップが載置されてなるＬＥＤディ
スプレイに係り、特に青色、緑色、および赤色の３原色
のＬＥＤで一画素が形成されたフルカラーＬＥＤディス
プレイに関する。
れてなるセラミック基板上に、発光色の異なるＬＥＤ
（発光ダイオード）チップが載置されてなるＬＥＤディ
スプレイに係り、特に青色、緑色、および赤色の３原色
のＬＥＤで一画素が形成されたフルカラーＬＥＤディス
プレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】看板、広告塔等の平面型ディスプレイに
はＬＥＤが使用されている。ＬＥＤディスプレイには大
別して、樹脂モールドしたＬＥＤを平面上に並べたもの
と、ＬＥＤチップを基板上に載置して電極を接続し、そ
の上から樹脂モールドしたものとが知られている。その
中でも後者のＬＥＤディスプレイは一画素を小さく構成
でき、解像度の高い画面が実現できるので将来を嘱望さ
れている。
はＬＥＤが使用されている。ＬＥＤディスプレイには大
別して、樹脂モールドしたＬＥＤを平面上に並べたもの
と、ＬＥＤチップを基板上に載置して電極を接続し、そ
の上から樹脂モールドしたものとが知られている。その
中でも後者のＬＥＤディスプレイは一画素を小さく構成
でき、解像度の高い画面が実現できるので将来を嘱望さ
れている。
【０００３】後者のＬＥＤディスプレイにおいて、ＬＥ
Ｄチップが載置されるセラミック基板は、導電体層が表
面に形成されたグリーンシートが積層されてなってい
る。グリーンシートとは、例えばアルミナ、窒化アル
ミ、炭化ケイ素等の絶縁性材料が数十μｍ〜数百μｍの
厚さでシート状にされたものであり、そのグリーンシー
ト表面には数μｍ〜十数μｍの厚さでＷ、Ｍｏ、Ａｇペ
ースト等の導電性材料が導電体層としてパターン形成さ
れている。ＬＥＤチップはこのグリーンシートの最表面
の導電体層に電気的に接続され、配線パターンはグリー
ンシートが積層されて各層間の導電体層で形成され、デ
ィスプレイはこれらを組み合わせて文字表示、マルチカ
ラー等を実現している。
Ｄチップが載置されるセラミック基板は、導電体層が表
面に形成されたグリーンシートが積層されてなってい
る。グリーンシートとは、例えばアルミナ、窒化アル
ミ、炭化ケイ素等の絶縁性材料が数十μｍ〜数百μｍの
厚さでシート状にされたものであり、そのグリーンシー
ト表面には数μｍ〜十数μｍの厚さでＷ、Ｍｏ、Ａｇペ
ースト等の導電性材料が導電体層としてパターン形成さ
れている。ＬＥＤチップはこのグリーンシートの最表面
の導電体層に電気的に接続され、配線パターンはグリー
ンシートが積層されて各層間の導電体層で形成され、デ
ィスプレイはこれらを組み合わせて文字表示、マルチカ
ラー等を実現している。
【０００４】図３に従来のＬＥＤディスプレイの一画素
の構造を表す模式断面図を示す。１１はグリーンシー
ト、２が導電体層であり、表面に導電体層２の形成され
たグリーンシート１１ａ、１１ｂを積層したセラミック
基板の同一面上に赤色ＬＥＤチップ（Ｒ）と緑色ＬＥＤ
チップ（Ｇ）とを載置して一画素を構成した構造として
いる。赤色チップＲ、緑色ＬＥＤチップＧには例えばＧ
ａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ等の半導体
材料が使用されている。グリーンシート１１にはコント
ラストを上げるために例えば酸化クロム、チタニア等の
着色剤が添加されることが多い。なお３はキャビティー
を構成するためのカバー部材であり、例えば樹脂、積層
したグリーンシート等が使用されている。
の構造を表す模式断面図を示す。１１はグリーンシー
ト、２が導電体層であり、表面に導電体層２の形成され
たグリーンシート１１ａ、１１ｂを積層したセラミック
基板の同一面上に赤色ＬＥＤチップ（Ｒ）と緑色ＬＥＤ
チップ（Ｇ）とを載置して一画素を構成した構造として
いる。赤色チップＲ、緑色ＬＥＤチップＧには例えばＧ
ａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ等の半導体
材料が使用されている。グリーンシート１１にはコント
ラストを上げるために例えば酸化クロム、チタニア等の
着色剤が添加されることが多い。なお３はキャビティー
を構成するためのカバー部材であり、例えば樹脂、積層
したグリーンシート等が使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示すように、同
一面上に異なる材料からなるＬＥＤチップを載置した場
合、材料のバンドギャップエネルギーの違いにより、短
波長のＬＥＤチップの発光の一部が長波長のＬＥＤチッ
プに吸収され、短波長ＬＥＤの外部量子効率が低下する
という問題がある。例えばＧａＰ系の材料よりなる緑色
ＬＥＤの発光はＧａＡｓ系の材料よりなる赤色ＬＥＤに
吸収される。
一面上に異なる材料からなるＬＥＤチップを載置した場
合、材料のバンドギャップエネルギーの違いにより、短
波長のＬＥＤチップの発光の一部が長波長のＬＥＤチッ
プに吸収され、短波長ＬＥＤの外部量子効率が低下する
という問題がある。例えばＧａＰ系の材料よりなる緑色
ＬＥＤの発光はＧａＡｓ系の材料よりなる赤色ＬＥＤに
吸収される。
【０００６】ところで、従来のＬＥＤディスプレイは青
色ＬＥＤがなかったため、図３に示すように赤色ＬＥＤ
と緑色ＬＥＤよりなるマルチカラーのディスプレイであ
ったが、昨年１１月下旬、本出願人は赤色ＬＥＤの光度
に匹敵する光度１ｃｄ以上の青色ＬＥＤを発表し、ディ
スプレイのフルカラー化が可能となってきた。その青色
ＬＥＤは窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦１、X＝Y≠１）よりな
り、およそ４５０ｎｍ〜４８０ｎｍに発光ピークを有す
る。
色ＬＥＤがなかったため、図３に示すように赤色ＬＥＤ
と緑色ＬＥＤよりなるマルチカラーのディスプレイであ
ったが、昨年１１月下旬、本出願人は赤色ＬＥＤの光度
に匹敵する光度１ｃｄ以上の青色ＬＥＤを発表し、ディ
スプレイのフルカラー化が可能となってきた。その青色
ＬＥＤは窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦１、X＝Y≠１）よりな
り、およそ４５０ｎｍ〜４８０ｎｍに発光ピークを有す
る。
【０００７】青色ＬＥＤチップを加え、フルカラーＬＥ
Ｄディスプレイを実現した場合、前記のように同一面上
に３色のＬＥＤチップを並べると、青色ＬＥＤチップの
発光の一部が他の発光色のＬＥＤ材料に吸収されてしま
う。例えば窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色Ｌ
ＥＤチップの発光はそのバンドギャップエネルギーの違
いからＧａＰ系の緑色ＬＥＤ、ＧａＡｓ系の赤色ＬＥＤ
両材料に吸収される。緑色ＬＥＤの波長は視感度がよい
ため、発光が一部赤色ＬＥＤに吸収されてもほとんど目
には感じないが特に５００ｎｍ以下の青色ＬＥＤの波長
は視感度が悪いので、できるだけ吸収を避けた方が好ま
しい。
Ｄディスプレイを実現した場合、前記のように同一面上
に３色のＬＥＤチップを並べると、青色ＬＥＤチップの
発光の一部が他の発光色のＬＥＤ材料に吸収されてしま
う。例えば窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色Ｌ
ＥＤチップの発光はそのバンドギャップエネルギーの違
いからＧａＰ系の緑色ＬＥＤ、ＧａＡｓ系の赤色ＬＥＤ
両材料に吸収される。緑色ＬＥＤの波長は視感度がよい
ため、発光が一部赤色ＬＥＤに吸収されてもほとんど目
には感じないが特に５００ｎｍ以下の青色ＬＥＤの波長
は視感度が悪いので、できるだけ吸収を避けた方が好ま
しい。
【０００８】さらに、各ＬＥＤチップが載置される導電
体層の表面は、ＬＥＤチップの電極と導電体層との接着
性を高めるため、金メッキされているものが多い。しか
し、青色ＬＥＤを用いた場合、金は５００ｎｍ以下の波
長の反射率が低いので、青色ＬＥＤの発光を吸収すると
いう欠点がある。
体層の表面は、ＬＥＤチップの電極と導電体層との接着
性を高めるため、金メッキされているものが多い。しか
し、青色ＬＥＤを用いた場合、金は５００ｎｍ以下の波
長の反射率が低いので、青色ＬＥＤの発光を吸収すると
いう欠点がある。
【０００９】従って、本発明はこのような事情を鑑みて
成されたものであり、その目的とするところは、発光波
長の異なるＬＥＤチップをセラミック基板上に複数載置
して一画素を形成するＬＥＤディスプレイにおいて、Ｌ
ＥＤチップの短波長の発光が吸収されるのを少なくして
ＬＥＤディスプレイの光度を向上させることにあり、特
に赤色、緑色、青色ＬＥＤチップと三原色揃ったＬＥＤ
ディスプレイの青色ＬＥＤの外部量子効率を改良してデ
ィスプレイの光度を向上させることにある。
成されたものであり、その目的とするところは、発光波
長の異なるＬＥＤチップをセラミック基板上に複数載置
して一画素を形成するＬＥＤディスプレイにおいて、Ｌ
ＥＤチップの短波長の発光が吸収されるのを少なくして
ＬＥＤディスプレイの光度を向上させることにあり、特
に赤色、緑色、青色ＬＥＤチップと三原色揃ったＬＥＤ
ディスプレイの青色ＬＥＤの外部量子効率を改良してデ
ィスプレイの光度を向上させることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＥＤディスプ
レイは、セラミック基板上に、発光波長の異なる複数の
ＬＥＤチップが載置されて一画素が構成されたＬＥＤデ
ィスプレイにおいて、前記セラミック基板は表面に導電
体層が形成されたグリーンシートが積層されてなり、前
記ＬＥＤチップは短波長のＬＥＤチップの発光部の高さ
が長波長のＬＥＤチップの発光部の高さよりも高くなる
ように載置され、さらにそのＬＥＤチップの高さが実質
的に前記セラミック基板により調整されていることを特
徴とする。つまりＬＥＤの発光部の高さを、積層したセ
ラミック基板で調整して最も高くすることにより、上記
問題を解決できる。
レイは、セラミック基板上に、発光波長の異なる複数の
ＬＥＤチップが載置されて一画素が構成されたＬＥＤデ
ィスプレイにおいて、前記セラミック基板は表面に導電
体層が形成されたグリーンシートが積層されてなり、前
記ＬＥＤチップは短波長のＬＥＤチップの発光部の高さ
が長波長のＬＥＤチップの発光部の高さよりも高くなる
ように載置され、さらにそのＬＥＤチップの高さが実質
的に前記セラミック基板により調整されていることを特
徴とする。つまりＬＥＤの発光部の高さを、積層したセ
ラミック基板で調整して最も高くすることにより、上記
問題を解決できる。
【００１１】さらに、前記ＬＥＤチップを包囲するグリ
ーンシート面は白色であることが好ましい。特に一画素
に５００ｎｍ以下に発光する青色ＬＥＤチップを含む場
合には、その青色ＬＥＤチップを載置するセラミック基
板面、つまりグリーンシート表面にある導電体層面の５
００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長域における反射率が６０％
以上になるように調整することが好ましい。
ーンシート面は白色であることが好ましい。特に一画素
に５００ｎｍ以下に発光する青色ＬＥＤチップを含む場
合には、その青色ＬＥＤチップを載置するセラミック基
板面、つまりグリーンシート表面にある導電体層面の５
００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長域における反射率が６０％
以上になるように調整することが好ましい。
【００１２】
【作用】本発明のＬＥＤディスプレイでは短波長のＬＥ
Ｄチップの発光部の高さを、長波長のＬＥＤチップの発
光部の高さよりも高くすることにより、短波長の発光が
長波長のＬＥＤ材料に吸収されることがないので、短波
長のＬＥＤの外部量子効率が向上する。しかもそのＬＥ
Ｄの発光部の高さが実質的にグリーンシートの高さで調
整されている。ＬＥＤディスプレイのＬＥＤチップは、
一般に打ち抜きにより形成されたグリーンシートのキャ
ビティー（開口部）内に収容して載置される。さらにキ
ャビティーが設けられたグリーンシートを積層すること
によりその開口部の深さを自由に調整できる。従ってＬ
ＥＤを収容するグリーンシートの高さで実質的な発光部
の高さを調整すると、例えばスペーサーを介して調整す
る方法に比べて、直接ＬＥＤチップの高さを調整できる
ので、生産性にも優れている。
Ｄチップの発光部の高さを、長波長のＬＥＤチップの発
光部の高さよりも高くすることにより、短波長の発光が
長波長のＬＥＤ材料に吸収されることがないので、短波
長のＬＥＤの外部量子効率が向上する。しかもそのＬＥ
Ｄの発光部の高さが実質的にグリーンシートの高さで調
整されている。ＬＥＤディスプレイのＬＥＤチップは、
一般に打ち抜きにより形成されたグリーンシートのキャ
ビティー（開口部）内に収容して載置される。さらにキ
ャビティーが設けられたグリーンシートを積層すること
によりその開口部の深さを自由に調整できる。従ってＬ
ＥＤを収容するグリーンシートの高さで実質的な発光部
の高さを調整すると、例えばスペーサーを介して調整す
る方法に比べて、直接ＬＥＤチップの高さを調整できる
ので、生産性にも優れている。
【００１３】さらにキャビティー内に収容されたＬＥＤ
チップを包囲するグリーンシート面を白色にすることに
より、ＬＥＤ発光がその白色面で反射されるのでさらに
発光効率が向上する。グリーンシート面を白色とするに
は例えば無着色の白色グリーンシートを積層することで
実現できるが、またその他酸化チタン、硫酸バリウム、
酸化マグネシウム、アルミナ等の可視光の反射率が高い
白色物質を塗布してもよい。最も好ましくは、その白色
面の反射率も５００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長域において
６０％以上を実現すると、青色ＬＥＤを載置した場合に
おいてディスプレイの光度が向上する。
チップを包囲するグリーンシート面を白色にすることに
より、ＬＥＤ発光がその白色面で反射されるのでさらに
発光効率が向上する。グリーンシート面を白色とするに
は例えば無着色の白色グリーンシートを積層することで
実現できるが、またその他酸化チタン、硫酸バリウム、
酸化マグネシウム、アルミナ等の可視光の反射率が高い
白色物質を塗布してもよい。最も好ましくは、その白色
面の反射率も５００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長域において
６０％以上を実現すると、青色ＬＥＤを載置した場合に
おいてディスプレイの光度が向上する。
【００１４】さらに一画素中に５００ｎｍ以下に発光す
る青色ＬＥＤチップを含む場合、青色ＬＥＤチップを載
置するセラミック基板面、つまりグリーンシート上に形
成された導電体層表面の５００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長
域における反射率を６０％以上に調整することにより、
ＬＥＤ載置面で青色発光を反射させることができる。前
にも述べたように、従来のグリーンシート表面には一般
にＷ、Ｍｏ、Ａｇペースト等の導電性材料が印刷されて
パターン形成され、これらの材料とＬＥＤチップとの接
着性を高める目的で、この導電体層の表面にＡｕメッキ
が施されている。しかしながら青色ＬＥＤを用いた場
合、導電体層がＡｕメッキされていると、Ａｕは５００
ｎｍ〜３６０ｎｍの青色領域の反射率が低く、例えば５
０％以下でしかない。従って青色ＬＥＤを用いて新規な
フルカラーＬＥＤディスプレイが実現された場合、ＬＥ
Ｄチップを載置する導電性体層の反射率を６０％以上に
することにより、視感度の悪い青色発光の外部量子効率
を向上できる。５００ｎｍ〜３６０ｎｍの反射率が６０
％以上を示す材料として、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ等の金属を好ましく用いることができ、これらの材料
を導電体層にメッキ、または蒸着することにより、ＬＥ
Ｄを載置する導電体層面の反射率を前記範囲に調整でき
る。また青色ＬＥＤを載置して、前記のようにＬＥＤを
包囲するグリーンシート面を白色する場合、その白色面
の反射率を前記範囲内にすることは言うまでもない。な
お、本発明において、反射率とは種々の波長の光が垂直
に投射された場合の絶対反射率をいう。
る青色ＬＥＤチップを含む場合、青色ＬＥＤチップを載
置するセラミック基板面、つまりグリーンシート上に形
成された導電体層表面の５００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長
域における反射率を６０％以上に調整することにより、
ＬＥＤ載置面で青色発光を反射させることができる。前
にも述べたように、従来のグリーンシート表面には一般
にＷ、Ｍｏ、Ａｇペースト等の導電性材料が印刷されて
パターン形成され、これらの材料とＬＥＤチップとの接
着性を高める目的で、この導電体層の表面にＡｕメッキ
が施されている。しかしながら青色ＬＥＤを用いた場
合、導電体層がＡｕメッキされていると、Ａｕは５００
ｎｍ〜３６０ｎｍの青色領域の反射率が低く、例えば５
０％以下でしかない。従って青色ＬＥＤを用いて新規な
フルカラーＬＥＤディスプレイが実現された場合、ＬＥ
Ｄチップを載置する導電性体層の反射率を６０％以上に
することにより、視感度の悪い青色発光の外部量子効率
を向上できる。５００ｎｍ〜３６０ｎｍの反射率が６０
％以上を示す材料として、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ等の金属を好ましく用いることができ、これらの材料
を導電体層にメッキ、または蒸着することにより、ＬＥ
Ｄを載置する導電体層面の反射率を前記範囲に調整でき
る。また青色ＬＥＤを載置して、前記のようにＬＥＤを
包囲するグリーンシート面を白色する場合、その白色面
の反射率を前記範囲内にすることは言うまでもない。な
お、本発明において、反射率とは種々の波長の光が垂直
に投射された場合の絶対反射率をいう。
【００１５】
【実施例】以下本発明の一実施例のＬＥＤディスプレイ
を図面を元に説明する。図１は本発明の一ＬＥＤディス
プレイをキャビティー側から見た平面図であり、図２は
図１の平面図を一点鎖線で切断した際の模式断面図であ
る。これらの図はいずれもディスプレイの一画素の一構
造を示し、同一符号は同一部材を示している。
を図面を元に説明する。図１は本発明の一ＬＥＤディス
プレイをキャビティー側から見た平面図であり、図２は
図１の平面図を一点鎖線で切断した際の模式断面図であ
る。これらの図はいずれもディスプレイの一画素の一構
造を示し、同一符号は同一部材を示している。
【００１６】このディスプレイは一画素がおよそ４６０
ｎｍに発光するＧａＮ系の材料よりなる青色ＬＥＤチッ
プＢと、およそ５５０ｎｍに発光するＧａＰ系の材料よ
りなる緑色ＬＥＤチップＧと、およそ６６０ｎｍに発光
するＧａＡｓ系の材料よりなる赤色ＬＥＤチップＲと各
々１個ずつよりなり、これらＬＥＤチップが直線上に並
べられている。
ｎｍに発光するＧａＮ系の材料よりなる青色ＬＥＤチッ
プＢと、およそ５５０ｎｍに発光するＧａＰ系の材料よ
りなる緑色ＬＥＤチップＧと、およそ６６０ｎｍに発光
するＧａＡｓ系の材料よりなる赤色ＬＥＤチップＲと各
々１個ずつよりなり、これらＬＥＤチップが直線上に並
べられている。
【００１７】これらＬＥＤチップは、白色の酸化アルミ
ニウムよりなる厚さおよそ２００μｍのグリーンシート
１ａ、１ｂおよび１ｃを積層したセラミック基板上に載
置されている。グリーンシート１ａ、１ｂ、１ｃはその
表面にタングステンがそれぞれ数μｍの厚さでパターン
印刷された導電体層２ａ、２ｂ、２ｃを有し、さらに２
ａおよび２ｂの表面には数μｍの厚さでＡｕメッキが施
され、２ｃの表面にはＡｌが蒸着されている。なおＡｌ
の蒸着面の反射率は３６０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で９
０％以上ある。これら導電体層２の形成されたグリーン
シートは打ち抜きにより所定の形状の孔が打ち抜かれ、
孔の形成されたグリーンシートを積層することにより、
図２に示すような段差のあるセラミック基板ができあが
る。
ニウムよりなる厚さおよそ２００μｍのグリーンシート
１ａ、１ｂおよび１ｃを積層したセラミック基板上に載
置されている。グリーンシート１ａ、１ｂ、１ｃはその
表面にタングステンがそれぞれ数μｍの厚さでパターン
印刷された導電体層２ａ、２ｂ、２ｃを有し、さらに２
ａおよび２ｂの表面には数μｍの厚さでＡｕメッキが施
され、２ｃの表面にはＡｌが蒸着されている。なおＡｌ
の蒸着面の反射率は３６０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で９
０％以上ある。これら導電体層２の形成されたグリーン
シートは打ち抜きにより所定の形状の孔が打ち抜かれ、
孔の形成されたグリーンシートを積層することにより、
図２に示すような段差のあるセラミック基板ができあが
る。
【００１８】一画素を構成する同一キャビティー内に段
差の設けられた前記セラミック基板の下層の導電体層２
ａの上に赤色ＬＥＤチップＲを載置し、同じく中層の導
電体層２ｂの上に緑色ＬＥＤチップＧを載置し、上層の
導電体層２ｃの上に青色ＬＥＤチップＧを載置する。な
おＢ1は青色ＬＥＤチップＢの発光部、Ｇ1は緑色ＬＥＤ
チップＧの発光部、Ｒ1は赤色ＬＥＤチップの発光部を
示している。
差の設けられた前記セラミック基板の下層の導電体層２
ａの上に赤色ＬＥＤチップＲを載置し、同じく中層の導
電体層２ｂの上に緑色ＬＥＤチップＧを載置し、上層の
導電体層２ｃの上に青色ＬＥＤチップＧを載置する。な
おＢ1は青色ＬＥＤチップＢの発光部、Ｇ1は緑色ＬＥＤ
チップＧの発光部、Ｒ1は赤色ＬＥＤチップの発光部を
示している。
【００１９】このようにして短波長のＬＥＤチップの発
光部を長波長のＬＥＤチップの発光部よりも高くするこ
とにより、短波長の発光が長波長に発光するＬＥＤチッ
プの材料に吸収されることがなくなるので、ディスプレ
イの光度が向上する。特に、図に示すように同一キャビ
ティー内に波長の異なる複数のＬＥＤチップを載置する
場合にその効果が大きい。
光部を長波長のＬＥＤチップの発光部よりも高くするこ
とにより、短波長の発光が長波長に発光するＬＥＤチッ
プの材料に吸収されることがなくなるので、ディスプレ
イの光度が向上する。特に、図に示すように同一キャビ
ティー内に波長の異なる複数のＬＥＤチップを載置する
場合にその効果が大きい。
【００２０】またＬＥＤチップを包囲した着色剤を含ま
ない白色の酸化アルミニウムは５００ｎｍ以下の青色領
域において反射率が高いので、青色ＬＥＤは言うにおよ
ばず、緑色ＬＥＤ、および赤色ＬＥＤの発光をも含め
て、キャビティー内で発光が吸収されることが少ない。
さらに短波長のＬＥＤチップの高さを高くしてあるの
で、グリーンシート面で反射された短波長の光は同一キ
ャビティー内にある長波長のＬＥＤ材料に吸収されるこ
とが少ないという効果も合わせ持つ。
ない白色の酸化アルミニウムは５００ｎｍ以下の青色領
域において反射率が高いので、青色ＬＥＤは言うにおよ
ばず、緑色ＬＥＤ、および赤色ＬＥＤの発光をも含め
て、キャビティー内で発光が吸収されることが少ない。
さらに短波長のＬＥＤチップの高さを高くしてあるの
で、グリーンシート面で反射された短波長の光は同一キ
ャビティー内にある長波長のＬＥＤ材料に吸収されるこ
とが少ないという効果も合わせ持つ。
【００２１】また、青色ＬＥＤチップＧを載置する導電
体層２ｃの表面を、例えばＡｌのような反射率の高い金
属で被覆しているために、青色発光が導電体層面におい
て吸収されるのを防ぐことができる。
体層２ｃの表面を、例えばＡｌのような反射率の高い金
属で被覆しているために、青色発光が導電体層面におい
て吸収されるのを防ぐことができる。
【００２２】なお付言すると、本発明のＬＥＤディスプ
レイにおいて一画素を構成する各発光色のＬＥＤチップ
の数はこれらの図に示すように一個ずつでなくてもよ
く、各ＬＥＤの光度により自由に変更でき、並べ方は直
線上でなくてもΔ（デルタ）配列等自由に変更できるこ
とは言うまでもない。またコントラストを向上させる目
的で図１および図３に示すカバー部材３の発光観測面側
の表面を黒色にしてもよい。
レイにおいて一画素を構成する各発光色のＬＥＤチップ
の数はこれらの図に示すように一個ずつでなくてもよ
く、各ＬＥＤの光度により自由に変更でき、並べ方は直
線上でなくてもΔ（デルタ）配列等自由に変更できるこ
とは言うまでもない。またコントラストを向上させる目
的で図１および図３に示すカバー部材３の発光観測面側
の表面を黒色にしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＬＥＤデ
ィスプレイは各ＬＥＤの発光部の高さがＬＥＤを載置す
るグリーンシートの高さにより調整されているので、ス
ペーサー等を介しなくても簡単にその高さが調整でき生
産性に優れている。さらに、短波長のＬＥＤチップの高
さを高くして、他の材料に吸収されなくしてあるのでデ
ィスプレイの光度が向上する。特に青色ＬＥＤを用いた
場合ではその効果が大きく、今後フルカラーＬＥＤディ
スプレイを実現する上でその意義は多大である。
ィスプレイは各ＬＥＤの発光部の高さがＬＥＤを載置す
るグリーンシートの高さにより調整されているので、ス
ペーサー等を介しなくても簡単にその高さが調整でき生
産性に優れている。さらに、短波長のＬＥＤチップの高
さを高くして、他の材料に吸収されなくしてあるのでデ
ィスプレイの光度が向上する。特に青色ＬＥＤを用いた
場合ではその効果が大きく、今後フルカラーＬＥＤディ
スプレイを実現する上でその意義は多大である。
【図１】 本発明の一ＬＥＤディスプレイをキャビティ
ー側から見た平面図。
ー側から見た平面図。
【図２】 図１の平面図を一点鎖線で切断した際の模式
断面図。
断面図。
【図３】 従来のＬＥＤディスプレイの構造を示す模式
断面図。
断面図。
１・・・・グリーンシート ２・・・・導電体層 ３・・・・カバー部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 G02F 1/015 G09F 9/33 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板上に、発光波長の異なる
複数のＬＥＤチップが載置されて一画素が構成されたＬ
ＥＤディスプレイにおいて、 前記セラミック基板は、表面に導電体層が形成されたグ
リーンシートが積層されてなり、 前記ＬＥＤチップは短波長のＬＥＤチップの発光部の高
さが、長波長のＬＥＤチップの発光部の高さよりも高く
なるように載置され、 さらにそのＬＥＤチップの高さは実質的に前記セラミッ
ク基板により調整されていることを特徴とするＬＥＤデ
ィスプレイ。 - 【請求項２】 前記ＬＥＤチップは５００ｎｍ以下の青
色に発光し、さらにそのＬＥＤチップが載置される前記
セラミック基板面の５００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長域に
おける反射率が６０％以上である請求項１に記載のＬＥ
Ｄディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6983694A JP3351447B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | Ｌｅｄディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6983694A JP3351447B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | Ｌｅｄディスプレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283438A JPH07283438A (ja) | 1995-10-27 |
| JP3351447B2 true JP3351447B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=13414284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6983694A Expired - Fee Related JP3351447B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | Ｌｅｄディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3351447B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385574B1 (en) | 1995-12-29 | 2008-06-10 | Cree, Inc. | True color flat panel display module |
| EP1199755A4 (en) | 1999-07-26 | 2004-10-20 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | ZNO COMPOSITE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ITS PRODUCTION METHOD |
| JP3690340B2 (ja) | 2001-03-06 | 2005-08-31 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2003051620A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2005072323A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Oki Data Corp | 半導体装置 |
| JP2009081379A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| KR101039994B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
| JP2012023188A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Iwatani Internatl Corp | Ｌｅｄパッケージ装置 |
| KR20120128962A (ko) | 2011-05-18 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| JP5748611B2 (ja) * | 2011-08-22 | 2015-07-15 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| JP6156213B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2017-07-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2016092263A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN107210293B (zh) * | 2014-12-19 | 2019-12-17 | Glo公司 | 背板上的发光二极管阵列及其制造方法 |
| EP3387882B1 (en) * | 2015-12-07 | 2021-05-12 | Glo Ab | Laser lift-off on isolated iii-nitride light islands for inter-substrate led transfer |
| JP2019511838A (ja) | 2016-04-04 | 2019-04-25 | グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ | ダイ移送用のバックプレーン通過レーザ照射 |
| DE102017100812B4 (de) | 2017-01-17 | 2024-04-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| DE102017106755B4 (de) | 2017-03-29 | 2022-08-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| JP2019121678A (ja) * | 2018-01-04 | 2019-07-22 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP6983694A patent/JP3351447B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07283438A (ja) | 1995-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3351447B2 (ja) | Ｌｅｄディスプレイ | |
| JP3329573B2 (ja) | Ｌｅｄディスプレイ | |
| US9716213B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| JP3065263B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器 | |
| KR100631832B1 (ko) | 백색 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US11764336B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| EP1753035A1 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing same | |
| JPH0945965A (ja) | セラミックスｌｅｄパッケージおよびその製造方法 | |
| EP1928033B1 (en) | Light-emitting apparatus and method of producing the same | |
| JP3729001B2 (ja) | 発光装置、砲弾型発光ダイオード、チップタイプｌｅｄ | |
| JP2001298216A (ja) | 表面実装型の半導体発光装置 | |
| JP3087828B2 (ja) | Ｌｅｄ表示器 | |
| JP2000315826A (ja) | 発光装置及びその形成方法、砲弾型発光ダイオード、チップタイプｌｅｄ | |
| JPH11354836A (ja) | フルカラー半導体発光装置 | |
| JP3412601B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| US20220069184A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
| KR100788744B1 (ko) | 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH10190063A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
| KR20060128764A (ko) | 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자의제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |