KR20100122655A - Led 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20100122655A
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전충배
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Abstract

LED 패키지 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 LED 패키지는 캐비티를 구비하는 본체부; 상기 본체부에 의해 지지되는 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 상기 캐비티 내부에 실장되어 상기 제1 리드전극 및 상기 제2 리드전극과 전기적으로 연결되는 LED 칩; 상기 캐비티에 충진되어 상기 LED 칩을 밀봉하는 내부 수지 포장부; 및 상기 내부 수지 포장부 위에 형성되어 반구 형태의 돔 구조를 가지며, 형광체를 내부에 함유하는 외부 수지 포장부;를 포함한다.
LED 칩, 형광체, 수지 포장부, 커버 렌즈

Description

LED 패키지 및 그 제조방법{LED Package and Method of manufacturing the same}
본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 색산포를 개선하고 중심부의 조도를 향상시킬 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
이러한 LED는 우수한 단색성 피크 파장을 가지며 광 효율성이 우수하고 소형화가 가능하다는 장점 때문에 주로 패키지 형태로서 다양한 디스플레이장치 및 광원으로서 널리 이용되고 있다. 특히 조명장치 및 디스플레이 장치의 백라이트(backlight)를 대체할 수 있는 고효율, 고출력 광원으로서 적극적으로 개발되고 있는 추세에 있다.
종래 LED를 사용하여 백색발광장치를 구현하는 방법 중 가장 널리 사용되고 있는 방법은 청색 LED 칩 주위를 황색 형광체(yellow phosphor)가 일정 비율로 배합된 수지 포장부로 밀봉함으로써 백색광 등 원하는 파장대의 출력광을 얻는 것이며, YAG계 황색 형광체가 실리콘 및 에폭시 계열의 수지 내에 분산되어 분포될 수 있다.
또한, 고출력 LED의 경우 렌즈를 이용하여 광원을 한 점으로 몰아주어 휘도를 상승시키도록 하고 있으며, 예컨데 모바일 기기에 적용되는 플래시용 고출력 LED의 경우가 응용된 제품의 예시가 될 수 있다.
그런데, 이와 같이 청색의 LED 칩과 황색 형광체를 사용하여 구현되는 백색 LED 패키지는 수지재에 형광체를 배합할 때 항상 형광체가 수지재 내에서 균일하게 분산되도록 배합하는 것이 곤란하다는 문제가 발생한다.
또한, 디스펜싱 공정에서 형광체를 함유하는 밀봉 수지의 높이에 따라서 색좌표가 달라지기 때문에 그 수율이 높지 못하다는 단점과, 중심부의 조도가 떨어져 플래시용 LED의 응용제품에 적용하기 어렵다는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 중심부의 조도를 향상시킬 수 있으며, 수지재 내에 함유되는 형광체가 일정하게 분산되도록 함으로써 균일한 밀도를 유지하여 색산포를 줄일 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지는 캐비티를 구비하는 본체부; 상기 본체부에 의해 지지되는 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 상기 캐비티 내부에 실장되어 상기 제1 리드전극 및 상기 제2 리드전극과 전기적으로 연결되는 LED 칩; 상기 캐비티에 충진되어 상기 LED 칩을 밀봉하는 내부 수지 포장부; 및 상기 내부 수지 포장부 위에 형성되어 반구 형태의 돔 구조를 가지며, 형광체를 내부에 함유하는 외부 수지 포장부;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 외부 수지 포장부는 상기 내부 수지 포장부의 굴절률보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 상기 내부 수지 포장부는 내부에 형광체를 함유하지 않으며, 상기 외부 수지 포장부는 내부에 형광체를 함유하여 상기 내부 수지 포장부 상에 적층될 수 있다.
또한, 상기 본체부는 상기 외부 수지 포장부가 안착되도록 상부면과 단차구 조를 이루는 안착부를 상기 캐비티의 상부측에 형성하여 구비할 수 있다.
또한, 상기 내부 수지 포장부는 그 상부면이 상기 안착부와 동일한 수평선상에 위치할 수 있다.
또한, 상기 외부 수지 포장부를 덮어 보호하는 커버 렌즈를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법은 제1 리드전극 및 제2 리드전극과 전기적으로 연결되는 LED 칩이 실장된 캐비티를 구비하는 본체부를 제공하는 단계; 상기 캐비티 내에 투명 수지를 충진하여 상기 LED 칩을 밀봉하도록 내부 수지 포장부를 형성하는 단계; 및 상기 내부 수지 포장부의 상부에 형광체가 함유된 수지로 이루어지는 외부 수지 포장부를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 내부 수지 포장부는 내부에 형광체를 함유하지 않으며, 상기 외부 수지 포장부는 상기 내부 수지 포장부의 굴절률보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 상기 외부 수지 포장부를 형성하는 단계는, 상기 내부 수지 포장부 위에 하단면이 개방된 중공형의 인서트 몰드를 장착하는 단계; 상기 인서트 몰드의 내부로 상기 형광체가 함유된 수지를 주입하여 충진하는 단계; 및 상기 수지를 양생한 후 상기 인서트 몰드를 분리하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 인서트 몰드를 장착하는 단계는 상기 캐비티 내에 충진된 투명 수지를 양생하는 단계를 거쳐 상기 내부 수지 포장부가 경화된 상태에서 상기 내부 수지 포장부의 상부를 덮도록 장착할 수 있다.
또한, 상기 인서트 몰드는 반구형태의 돔 구조를 가지며, 형광체를 함유하는 수지를 주입하기 위한 주입구를 구비할 수 있다.
또한, 상기 외부 수지 포장부를 형성하는 단계 후에, 상기 외부 수지 포장부를 덮어 보호하도록 상기 외부 수지 포장부상에 커버 렌즈를 구비하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 패키지는 중심부의 조도를 향상시킬 수 있어 중심 조도가 중요한 플래시용 제품에 적용하는 것이 용이하다는 효과를 가진다.
수지재 내에서 형광체가 일정하게 분산되도록 배합함으로써 균일한 밀도를 유지하여 색산포를 줄일 수 있으며, 아울러 색좌표의 변화가 적어 수율이 향상되는 장점과 함께, 제조가 용이하여 생산성이 향상되는 효과를 가진다.
본 발명에 따른 LED 패키지 및 그 제조방법의 실시예에 관한 구체적인 사항을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1(a)는 본 발명의 일실시예 따른 LED 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 1(b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(1)는 본체부(10), 제 1 리드전극(21) 및 제2 리드전극(22), LED 칩(30), 내부 수지 포장부(40), 외부 수지 포장부(50)를 포함하여 구성된다.
상기 본체부(10)는 플라스틱 재질로 하여 사출성형을 통해 형성될 수 있는데, 그 중심부에는 내부에 상기 LED 칩(30)을 실장하는 실장부(12)가 상부측으로 개방되는 소정 크기의 캐비티(11)를 구비한다.
그리고, 상기 본체부(10)는 상기 캐비티(11)를 이루는 테두리의 내측면이 상기 실장부를 향하여 하향경사지게 구비되어 반사면(13)을 형성한다.
따라서, 상기 LED 칩(30)으로부터 출사되는 빛이 상기 반사면(13)을 통해 반사되어 외부로 향하도록 함으로써 광효율을 높이는 것이 가능하며, 보다 효율적인 구현을 위해 상기 반사면(13)에는 고반사율을 가지는 반사막이 더 구비될 수 있다.
상기 본체부(10)의 상부면에는 상기 캐비티(11)의 외측테두리를 따라 원주방향으로 연속하여 일정깊이로 함몰형성되는 안착부(14)를 형성하여 구비한다.
상기 안착부(14)는 상기 캐비티(11)의 상부측에 형성되며, 상기 본체부(10)의 상부면과 단차구조를 이루는 것으로 이후 설명하는 외부 수지 포장부(50)의 하단부가 안착될 수 있도록 한다.
상기 제1 리드전극(21)과 제2 리드전극(22)은 상기 본체부(10)에 의해 에워싸여 지지되며, 외부의 전원(미도시)과 전기적으로 연결되어 상기 LED 칩(30)으로 전원을 공급한다.
그리고, 상기 제1 리드전극(21)과 제2 리드전극(22)은 상기 캐비티(11) 저면의 실장부(12)상에 실장되는 상기 LED 칩(30)과 와이어 본딩 또는 플립칩 본딩 방 식을 통해 전기적으로 연결된다.
바람직하게는, 상기 LED 칩(30)에서 발생하는 고온의 열을 원활히 방출할 수 있도록 상기 실장부(12)의 하부측에 히트싱크(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.
그리고, 상기 제1 리드전극(21)과 제2 리드전극(22)은 효율적인 전류 인가를 위해 도전성 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 LED 칩(30)은 외부에서 인가되는 전원에 의해 소정 파장의 빛을 출사하는 반도체소자의 일종이며, 본 발명에 따른 실시예에서는 단일의 LED 칩(30)이 상기 실장부(12)상에 구비되는 것으로 도시하여 설명하고 있다. 그러나, 이에 한정하지 않고 복수개의 LED 칩을 구비하는 것 또한 가능하다.
여기서, 상기 LED 칩(30)은 백색광을 구현하기 위해 청색 LED 칩이 사용된다.
상기 내부 수지 포장부(40)는 상기 본체부(10)의 캐비티(11)내에 충진되어 그 내부에 실장되는 상기 LED 칩(30)을 밀봉한다.
상기 내부 수지 포장부(40)는 높은 굴절률, 예를 들어 1.52 이상의 굴절률을 가지며, 형광체를 함유하지 않는 투명한 수지로 이루어진다. 여기서, 투명한 수지는 실리콘 수지 혹은 에폭시 수지, 및 두 물질이 혼합된 수지일 수 있다.
그리고, 상기 내부 수지 포장부(40)는 그 상부면이 상기 본체부(10)의 안착부(14)와 동일한 수평선상에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하며, 중심부가 돌출된 형태의 볼록한 구조로 형성되는 것도 가능하다.
상기 외부 수지 포장부(50)는 상기 내부 수지 포장부(40)의 상부면을 덮도록 상기 내부 수지 포장부(40) 위에 형성되며, 그 테두리측 저면은 상기 안착부(14) 상에 안착된다.
도면에서와 같이 상기 외부 수지 포장부(50)는 반구 형태의 돔(dome) 구조를 가지며, YAG계의 황색 형광체(51)를 내부에 함유하는 실리콘 수지 또는 YAG계의 황색 형광체를 내부에 함유하는 에폭시 수지, 혹은 두 물질이 혼합된 수지일 수 있다.
상기 외부 수지 포장부(50)는 미도시된 디스펜서(dispenser)를 통해 상기 내부 수지 포장부(40)의 상부면과 상기 안착부(14) 상에 디스펜싱되어 반구 혹은 반원 형상을 이룬 후 가경화, UV(ultraviolet) 경화, 혹은 열경화 등의 양생과정을 거쳐 형성된다.
이 경우 별도의 보조물(예를 들어 몰드)을 상기 안착부(14) 주위에 구비시켜 에폭시 혹은 실리콘 수지를 주입한 후 가경화시키고, 보조물을 제거함으로써 반구 형상의 외부 수지 포장부(50)를 형성할 수 있다.
또는, 돔 형상을 갖는 금형 틀(미도시)을 통해 사출성형된 외부 수지 포장부(50)를 상기 안착부(14) 상에 체결함으로써 상기 내부 수지 포장부(40) 위에 상기 외부 수지 포장부(50)를 구비하는 것도 가능하다.
이때, 상기 외부 수지 포장부(50)는 가령 1.52 이하로 상기 내부 수지 포장부(40)의 굴절률보다 상대적으로 작은 굴절률을 가지며, 상기 내부 수지 포장부(40)와 달리 균일하게 분산된 YAG계의 황색 형광체(51)를 함유한다.
상기 형광체(51)의 경우 외부 수지 포장부(50) 내의 전 영역에 걸쳐 균일하게 분산되는 것이 무엇보다 중요한데, 이를 위해서는 배합에 사용되는 수지의 경화속도가 빨라야 하며, 따라서 양생하는 동안 배합된 형광체(51)가 아래로 가라앉지 않고 전체적으로 균일하게 분포될 수 있어야 한다.
다만, 경화시간이 지나치게 짧을 경우에는 충분히 분산되기 전에 이미 경화가 끝나게 되므로, 통상 경화시간이 1시간 이내인 실리콘 계열의 수지(예를 들어 OE6630F(다우코닝))가 바람직할 것이다.
이와 같이, 본 발명은 LED 칩(30)에서 출사되는 빛이 상대적으로 굴절률이 큰 내부 수지 포장부(40)에서 상대적으로 굴절률이 작은 외부 수지 포장부(50)로 입사되도록 함으로써 굴절률의 차이를 통해 특정 영역, 즉 중심부로 광이 집중될 수 있도록 광경로를 조정한다.
특히, 최외곽에 위치하는 외부 수지 포장부(50) 내에만 나노 크기의 형광체(51)를 함유하는 한편, 상기 외부 수지 포장부(50)의 구조를 종래의 렌즈 모양의 돔 형상으로 형성함으로써 상기 형광체(51)가 렌즈 구조로 분포되어 종래의 LED 패키지에 비해 광이 보다 중심부로 집중되도록 하는 것이 가능하다.
한편, 도 1(b)에서 처럼 상기 외부 수지 포장부(50)를 덮어 보호하는 커버 렌즈(60)를 LED 패키지(1') 위에 더 구비할 수 있다.
따라서, 상기 커버 렌즈(60)를 통해 상기 외부 수지 포장부(50)의 표면이 외부환경에 의해 영향을 받는 것을 방지하는 한편, 외부로 분사되는 광이 보다 더 중심부로 집중되도록 광경로를 조정할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 LED 패키지를 제조하는 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 도 1에 도시한 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이고, 도 3(a) 및 도 3(b)는 도 2에서 도시한 인서트 몰드를 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 2(a)에 도시된 바와 같이, 플라스틱 재질로 하여 사출성형된 본체부(10)의 중심부에는 상부로 개방된 오목한 캐비티(11)를 형성하고, 상기 캐비티(11)의 저면을 이루는 실장부(12)로 제1 리드전극(21)과 제2 리드전극(22)이 일부 노출되도록 하여 상기 실장부(12)에 실장되는 LED 칩(30)과 전기적으로 연결되도록 함으로써 상기 제1 리드전극(21)과 제2 리드전극(22) 및 이와 전기적으로 연결되는 LED 칩(30)을 구비하는 본체부(10)를 제공한다.
그리고, 상기 본체부(10)의 상부면에는 상기 캐비티(11)의 외측테두리를 따라 원주방향으로 연속하여 일정깊이로 함몰형성되어 상기 본체부(10)의 상부면과 단차구조를 이루는 안착부(14)를 형성하여 구비한다.
다음으로 도 2(b)에서와 같이, 상기 캐비티(11) 내에 투명 수지를 충진한 후 소정 시간동안 양생과정(curing)을 거쳐 상기 LED 칩(30)을 밀봉하는 내부 수지 포장부(40)를 형성한다.
상기 내부 수지 포장부(40)는 높은 굴절률을 가지는 실리콘 수지 혹은 에폭시 수지, 및 두 물질이 혼합된 수지일 수 있으며, 형광체를 함유하지 않아 투명한 형태를 가진다.
그리고, 상기 내부 수지 포장부(40)는 그 상부면이 상기 안착부(14)와 동일한 수평선상에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다.
다음으로 도 2(c)에서와 같이, 상기 내부 수지 포장부(40) 위에 하단면이 개방된 중공형의 인서트 몰드(70)를 장착한다.
상기 인서트 몰드(70)는 도 3에서와 같이 플라스틱 재질의 사출물로서 반구 형태의 돔(dome) 구조 또는 캡(cap) 구조를 가지며, 형광체(51)를 함유하는 수지를 주입하기 위한 주입구(71)를 구비한다.
상기 인서트 몰드(70)는 하단부가 상기 안착부(14)상에 안착되어 상기 내부 수지 포장부(40)의 상부를 덮도록 장착되는데, 이때 상기 캐비티(11) 내에 충진된 투명 수지를 양생하는 단계를 거쳐 상기 내부 수지 포장부(40)가 경화된 상태에 있어야 한다.
다음으로 도 2(d)에서와 같이, 상기 인서트 몰드(70)의 주입구(71)를 통해 상기 인서트 몰드(70)의 내부로 형광체(51)가 함유된 수지를 주입하여 충진한 후 양생하여 외부 수지 포장부(50)를 형성한다.
특히, 상기 형광체(51)의 경우 외부 수지 포장부(50) 내의 전 영역에 걸쳐 균일하게 분산되는 것이 무엇보다 중요한데, 이를 위해서는 배합에 사용되는 수지의 경화속도가 빨라야 하며, 따라서 양생하는 동안 배합된 형광체(51)가 가라앉지 않고 전체적으로 균일하게 분포될 수 있어야 한다.
다만, 경화시간이 지나치게 짧을 경우에는 충분히 분산되기 전에 이미 경화가 끝나게 되므로, 통상 경화시간이 1시간 이내인 실리콘 계열의 수지가 바람직할 것이다.
다음으로 도 2(e)에서와 같이, 상기 인서트 몰드(70)를 상기 외부 수지 포장부(50)로부터 분리하여 LED 패키지(1)를 완성한다.
이때, 상기 인서트 몰드(70)의 내부면에는 상기 외부 수지 포장부(50)가 경화 후 용이하게 분리될 수 있도록 이형처리가 되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 도 1(b)에서와 같이 상기 LED 패키지(1')의 상부측에는 상기 외부 수지 포장부(50)를 덮어 보호하도록 함으로써 외부환경에 의해 영향을 받는 것을 방지하도록 상기 외부 수지 포장부(50)상에 커버 렌즈(60)를 더 구비할 수 있다.
도 4(a)는 종래 LED 패키지에서의 색좌표 및 시뮬레이션한 결과의 사진이고, 도 4(b)는 본 발명에 따른 LED 패키지에서의 색좌표 및 시뮬레이션한 결과의 사진이다.
도 4(a)에 도시한 바와 같이 종래의 LED 패키지를 이용하여 빛을 분사하는 경우 색산포가 넓게 퍼져 분포하게 되어 목표하는 타겟을 벗어는 것을 볼 수 있으며, 이는 제품불량으로 이어져 제품을 폐기해야 하는 문제를 발생시킨다.
또한, 패키지에서 빛이 넓게 퍼져 분사되는 것을 볼 수 있으며, 이는 중심 조도가 특히 중요한 플래시용 제품의 경우 적용하기에 어려움이 있다.
반면에, 도 4(b)에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 LED 패키지를 이용하여 빛을 분사하는 경우 균일하게 분산된 형광체로 인해 색산포가 줄어들어 목표하는 타겟을 벗어나지 않는 것을 볼 수 있으며, 중심부로 빛이 집중되어 여기효율 및 중심 조도가 향상되므로 플래시용 제품에 적용하기 용이할 뿐만 아니라 제품의 품질 이 향상됨을 알 수 있다.
도 1(a)는 본 발명의 일실시예 따른 LED 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1(b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 도 1에 도시한 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도 3(a) 및 도 3(b)는 도 2에서 도시한 인서트 몰드를 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 4(a)는 종래 LED 패키지에서의 색좌표 및 시뮬레이션한 결과의 사진이다.
도 4(b)는 본 발명에 따른 LED 패키지에서의 색좌표 및 시뮬레이션한 결과의 사진이다.

Claims (12)

  1. 캐비티를 구비하는 본체부;
    상기 본체부에 의해 지지되는 제1 리드전극 및 제2 리드전극;
    상기 캐비티 내부에 실장되어 상기 제1 리드전극 및 상기 제2 리드전극과 전기적으로 연결되는 LED 칩;
    상기 캐비티에 충진되어 상기 LED 칩을 밀봉하는 내부 수지 포장부; 및
    상기 내부 수지 포장부 위에 형성되어 반구 형태의 돔 구조를 가지며, 형광체를 내부에 함유하는 외부 수지 포장부;
    를 포함하는 LED 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 외부 수지 포장부는 상기 내부 수지 포장부의 굴절률보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 내부 수지 포장부는 내부에 형광체를 함유하지 않으며, 상기 외부 수지 포장부는 내부에 형광체를 함유하여 상기 내부 수지 포장부 상에 적층되는 것을 특 징으로 하는 LED 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 본체부는 상기 외부 수지 포장부가 안착되도록 상부면과 단차구조를 이루는 안착부를 상기 캐비티의 상부측에 형성하여 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 내부 수지 포장부는 그 상부면이 상기 안착부와 동일한 수평선상에 위치하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 외부 수지 포장부를 덮어 보호하는 커버 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  7. 제1 리드전극 및 제2 리드전극과 전기적으로 연결되는 LED 칩이 실장된 캐비 티를 구비하는 본체부를 제공하는 단계;
    상기 캐비티 내에 투명 수지를 충진하여 상기 LED 칩을 밀봉하도록 내부 수지 포장부를 형성하는 단계; 및
    상기 내부 수지 포장부의 상부에 형광체가 함유된 수지로 이루어지는 외부 수지 포장부를 형성하는 단계;
    를 포함하는 LED 패키지 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 내부 수지 포장부는 내부에 형광체를 함유하지 않으며, 상기 외부 수지 포장부는 상기 내부 수지 포장부의 굴절률보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 외부 수지 포장부를 형성하는 단계는,
    상기 내부 수지 포장부 위에 하단면이 개방된 중공형의 인서트 몰드를 장착하는 단계;
    상기 인서트 몰드의 내부로 상기 형광체가 함유된 수지를 주입하여 충진하는 단계; 및
    상기 수지를 양생한 후 상기 인서트 몰드를 분리하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 인서트 몰드를 장착하는 단계는 상기 캐비티 내에 충진된 투명 수지를 양생하는 단계를 거쳐 상기 내부 수지 포장부가 경화된 상태에서 상기 내부 수지 포장부의 상부를 덮도록 장착하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 인서트 몰드는 반구형태의 돔 구조를 가지며, 형광체를 함유하는 수지를 주입하기 위한 주입구를 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 외부 수지 포장부를 형성하는 단계 후에, 상기 외부 수지 포장부를 덮어 보호하도록 상기 외부 수지 포장부상에 커버 렌즈를 구비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101337799B1 (ko) * 2012-06-26 2013-12-06 윤종식 엘이디 조명 제조 장치
KR101357107B1 (ko) * 2013-02-07 2014-02-04 주식회사 굿엘이디 고발광 led 패키지
US10014455B2 (en) 2014-09-30 2018-07-03 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising cavity with curved surfaces

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101337799B1 (ko) * 2012-06-26 2013-12-06 윤종식 엘이디 조명 제조 장치
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