CN104299946A - 盖体部、采用该盖体部的电子器件用封装以及电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供盖体部、采用该盖体部的电子器件用封装以及电子器件,使电子器件元件的安装率提高。盖体部(2)具有由底部(2A)和侧板部(2B)形成空间部(4)的凹部(5)以及从凹部(5)的开口部(2C)侧的外缘部向外部延伸的凸缘部(6),侧板部(2B)中的作为凹部(5)的空间部侧(4)的表面的侧板内表面(10)向空间部(4)的外侧倾斜。

Description

盖体部、采用该盖体部的电子器件用封装以及电子器件
技术领域
本发明涉及盖体部、采用该盖体部的电子器件用封装以及电子器件。
背景技术
近年来,对于电子器件,要求小型化以及薄型化(薄型、高度低),并且要求高功能化。
一般情况下,电子器件在电子器件用封装中收纳发挥期望功能的电子器件元件。该电子器件用封装利用具有空间部的盖体来覆盖已安装电子器件的电路基板的一部分或全部,由此来收纳电子器件元件。
由于该电子器件小型化以及薄型化的需要,制约了可收纳上述电子器件用封装内部中的电子器件元件的空间。
并且,在该空间的制约下,为了更多地安装具有多种功能的电子器件元件或者安装由于具有多种功能所以尺寸大的电子器件元件以实现电子器件的高功能化,需要提高电子器件元件的安装率(电子器件元件面积/封装面积、即电子器件元件的面积相对于电子器件用封装内部中的可安装电子器件元件的面积的比例)。
另外,为了提高电子器件用封装内部的安装率,在电子器件用封装中需要新的构造。
作为现有电子器件用封装的构造,在专利文献1的图1中公开了使支承半导体元件的芯片焊盘的底面(底部)露出的树脂密封型的封装类型。
关于该芯片焊盘的底面露出的树脂密封型的封装类型,在各边的大小是0.8mm×0.8mm、厚度是0.3mm的电子器件用封装中,芯片焊盘支承各边的大小是0.44mm×0.44mm的电子器件,该电子器件元件的安装率是约30%。
另外,作为其它电子器件用封装的构造还具有这样的构造:在层叠采用玻璃或陶瓷类材料的单层平板而成的封装基体的底座部上设置内部电极,该内部电极和设置在底座部底面的外部电极经由导电线路进行连接,该底座部被盖体覆盖。
作为覆盖该底座部的盖体(覆盖底座部的盖体的封装类型)的现有例,在专利文献2中公开了盖体应用玻璃或陶瓷类的材料的情况。
具体地说,如图7所示,该玻璃或陶瓷类材料的盖体类型101的构造由平板状的底座部103、覆盖底座部103的玻璃或陶瓷类材料的盖体部102和使底座部103与盖体部102接合的接合材料108构成。
盖体类型101的构造是在底座部103上能够汇集上述内引线、芯片焊盘、外引线等构成要素的结构,所以构成封装的要素少,在盖体部102的内部空间104能够有效地收纳电子器件元件。
另外,作为覆盖底座部的盖体的现有例,专利文献3或4公开了盖体应用金属性材料的情况。
详细说明此现有例,如图8所示,在金属制的盖体类型中,盖体部102的内部空间104的构造中的尺寸关系为:具有曲率半径的棱部114的平面长度是L1,伴随朝向内侧的锥形面的侧板内表面110的平面长度是L2,除此之外,侧板内表面110与盖体部102的凸缘部平面107相交的拐角115的平面长度为L3。
专利文献1:日本特开2011-66327号公报
专利文献2:日本专利第4630110号公报
专利文献3:日本特开平6-132766号公报
专利文献4:日本特开2010-278498号公报
但是,在专利文献1所公开的树脂密封型的封装类型中,可占有电子器件用封装体积的器件元件的体积小。尤其随着小型化或薄型化的进展,该占有的电子器件元件的安装率降低。
具体地说,在封装内部需要作为构成要素的内引线、芯片焊盘、外引线和留出它们的间隔的配置空间,所以这些构成要素占封装体积的比率高,使上述封装尺寸中的电子器件元件的安装率降低。
另外,在专利文献2所公开的玻璃或陶瓷类材料的盖体类型的封装中,盖体部102内侧的棱部114在盖体部102的内部空间104内具有曲率半径。
并且,盖体部102的侧板内表面110伴随朝向内部空间104内侧的锥形面110。因此,棱部114和侧板内表面110可能与电子器件元件接触,需要远离棱部114的平面(方向的)长度L1和侧板内表面110的平面长度L2,所以成为无法扩大所安装的电子器件元件的大小的制约。
因此,难以提高电子器件元件安装率。另外,使玻璃或陶瓷类材料的盖体部102的厚度T3均匀变薄而进行薄型化存在极限。
另外,在专利文献3以及4所公开的采用金属制盖体类型的结构的封装类型的现有例中,具有上述图8所示的尺寸关系,所以盖体部102的内侧(伴随朝向内侧的锥形面的侧板内表面110等)可能与电子器件元件接触。一般情况下,因为盖体部102的内侧需要远离电子器件元件等,所以成为无法扩大所安装的电子器件元件的大小的制约。因此,难以提高电子器件元件安装率。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的,提供使电子器件元件的安装率提高的电子器件用封装以及具备该电子器件用封装的电子器件。
上述课题能够根据以下所述的手段来进行解决,可达成上述的目的。
本发明的盖体部具备由底部和侧板部形成空间部的凹部以及从所述凹部的开口部侧的外缘部向外部延伸的凸缘部,其特征在于,所述侧板部中的作为所述凹部的空间部侧的表面的侧板内表面是从所述开口部侧向所述底部朝着所述空间部的外侧倾斜的倒锥面。
另外,在本发明的结构中,其特征在于,所述凸缘部与所述侧板内表面相交的角部的半径是所述凸缘部的厚度的1/4以下。
另外,在本发明的结构中,其特征在于,所述侧板内表面与所述底部中的作为所述空间部侧的表面的底板内表面相交的角部包含形成为向所述盖体部的内部嵌入的部件内侧形状。
另外,在本发明的结构中,其特征在于,所述侧板部中的作为外周面侧的侧板外表面与所述底部的作为外周面侧的底板外表面相交的外侧角部的半径是与所述凸缘部的厚度大致相同的值,所述凸缘部与所述侧板部相交而分别形成的其它角部的半径以及所述侧板内表面与所述底板内表面相交而形成的角部的半径较小。
另外,在本发明的结构中,其特征在于,关于所述侧板部的厚度,接近于所述底部的侧板厚度比接近于所述开口部的侧板厚度薄。
另外,在本发明的结构中,其特征在于,所述侧板部的厚度和所述底部的厚度比所述凸缘部的厚度薄。
另外,在本发明的结构中,优选所述凸缘部的厚度是0.02mm至0.20mm。
另外,在本发明的结构中,其特征在于,具备盖体部和具有电极的底座部,上述凸缘部与上述底座部接合。
另外,在本发明的结构中,其特征在于,在所述底座部的第一面上具有内部电极,在所述底座部的另一方的第二面上具有外部电极,在所述底座部上形成有贯通孔,所述贯通孔的内壁面被金属膜覆盖,在所述第二面侧,填充所述金属膜来密封所述贯通孔的开口部,至少一组的所述内部电极和所述外部电极经由连接所述底座部的所述第一面和另一方的所述第二面的所述贯通孔,利用所述金属膜与所述第一面以及所述第二面相互连接。
另外,本发明的电子器件的特征是具备上述电子器件用封装。
发明效果
根据本发明,能够提供使电子器件元件的安装率提高的盖体部、采用该盖体部的电子器件用封装以及具有该电子器件用封装的电子器件。
附图说明
图1是示出用于说明具备发明一实施方式的盖体部的电子器件用封装的一例的概略结构的剖视图。
图2是图1中的框线部X的部分放大图,图2的(a)是用于说明盖体部2的一例的部分放大图,图2的(b)是示意性地示出底部2A与侧板部2B的厚度的关系的部分放大图,图2的(c)是盖体部2的角部14的部分放大图。
图3是示出在本发明一实施方式的电子器件用封装1中收纳电子器件元件50的一例的剖视图。
图4是用于说明本发明一实施方式的底座部的一例的剖视放大图。
图5是用于说明将本发明一实施方式的电子器件应用于半导体装置的一例的图,图5的(a)是本发明一实施方式的半导体装置的立体图,图5的(b)是本发明一实施方式的半导体装置的俯视图,图5的(c)是图5的(b)的A-A线处的剖视图。
图6是用于说明将本发明一实施方式的电子器件应用于石英振子的一例的图,图6的(a)是本发明一实施方式的石英振子的立体图,图6的(b)是本发明一实施方式的俯视图,图6的(c)是图6(b)的B-B线处的剖视图。
图7是现有的电子器件用封装的一例,是玻璃或陶瓷类材料的盖体类型的剖视图。
图8是现有的电子器件用封装的一例,是金属制的盖体类型的剖视图。
标号说明
1电子器件用封装;2盖体部;2A底部;2B侧板部;2C开口部;3底座部;4内部空间;5凹部;6凸缘部;7凸缘部平面;8接合材料;10侧板内表面(倒锥面);11侧板内表面;12凸缘部开口侧;13底板内侧;14角部;15角部;16底板内表面;17部件内侧形状;18侧板外表面;19底板外表面;20角部;21第一面;22第二面;23内部电极;24外部电极;25贯通孔;26金属膜;27开口部;28接合部件;30外侧角部;50电子器件元件;51电子器件;52半导体装置;53半导体元件;54石英振子;55石英振动片;T1凸缘部厚度;T2、T2-1、T2-2、T3侧板厚度。
具体实施方式
以下,参照附图来说明本发明的一实施方式。
此外,以下说明的实施方式是将本发明应用于盖体部、采用该盖体部的电子器件用封装以及具备该电子器件用封装的电子器件时的实施方式。
首先,根据图1来说明具备本实施例的盖体部的电子器件用封装1。
图1是示出用于说明具备本发明一实施方式的盖体部的电子器件用封装1的一例的概略结构的剖视图。
如图1所示,电子器件用封装1构成为具备基体材料为平板状的底座部3和金属制的盖体部2等,该盖体部2具有底部2A、借助从底部2A向上方(例如,在图1中为底座部3的方向)延伸的侧板部2B形成开口部2C而具有空间部4的凹部5、以及从凹部5的开口部2C侧的外缘部向外部延伸的平面状的凸缘部6,通过凸缘部6的平面部即凸缘部平面7与底座部3接合,从而在凹部5(空间部4)中收纳安装于底座部3的电子器件元件。
并且,关于凸缘部平面7和底座部3,凸缘部平面7的整周与底座部3相接,通过接合部件8进行接合。
构成底座部3的材料主要采用陶瓷、玻璃或者它们的复合材料。陶瓷例如是以氧化铝(Al2O3)等为代表的氧化物类、碳化硅(SiC)类、氮化铝(AlN)类等,玻璃例如是碱石灰玻璃、石英玻璃、硼硅酸玻璃等。另外,可以是与其它材料例如无机质纤维等的复合玻璃。另外,可采用陶瓷、玻璃以外的玻璃环氧树脂等的树脂底座的电路基板。
另外,构成盖体部2的金属材料优选采用可伐合金(Fe-Ni-Co合金)、42合金(Fe-Ni合金)、SUS304(不锈钢)等金属,热膨胀系数与接合的低熔点玻璃等接合材料8或底座部3大致相同。通过对这些金属板进行冲压加工来制作盖体部2。
另外,在接合材料8中采用例如金(Au)-锡(Sn)、金(Au)-镍(Ni)类合金或者例如氧化硼(BaO)-氧化铅(PbO)类的低熔点玻璃或无铅类型的低熔点玻璃等。
底座部3的厚度是0.1mm左右,另外,金属制的盖体部2的板厚为0.02mm~0.20mm。在应用于移动电话等中的石英振子或半导体装置的封装的情况下,使该电子器件用封装1的厚度薄型化至0.6mm以内,优选为0.3mm左右。
此外,已经进行了说明,如图1所示,将包含底座部3、盖体部2以及接合材料8等的收容电子器件元件50的收容部称为电子器件用封装1。
如后述的图3所示,作为电子器件元件50,例如可使用石英振动片或半导体元件等。例如,在电子器件元件50是石英振动片的情况下,电子器件51为石英振子。另外,在电子器件元件50是半导体元件的情况下,电子器件51为半导体装置。通过将石英振动片、半导体元件等安装在底座部3上而收纳于该电子器件用封装1的盖体部2内部,构成了电子器件51。另外,在电子器件元件50是MEMS元件(例如,加速度传感器元件等)的情况下,电子器件为加速度传感器等。
接着,根据图2以及图3来说明本发明一实施方式的电子器件用封装1的盖体部2。
图2是图1中的框线部X的部分放大图,此外,图2的(a)是用于说明盖体部2的一例的部分放大图,图2的(b)是示意性地示出底部2A与侧板部2B的厚度的关系的部分放大图,图2的(c)是盖体部2的角部14的部分放大图。另外,图3是示出在本发明一实施方式的电子器件用封装1上收纳电子器件元件50的一例的剖视图。
如图2的(a)所示,本实施方式的侧板部2B(本发明的电子器件用封装1的盖体部2的侧板内侧的侧板内表面)中的空间部4侧的表面即侧板内表面10由从开口部2C向底部2A朝空间部4的外侧倾斜的倒锥面形成。
换言之,由构成从侧板部2B的开口部侧12向侧板部2B的底部2A的底板内表面16变宽的角度的倒锥面形成。
现有的盖体部102如上述图8所示,由于现有的通常塑性加工,带来在盖体部102的内部空间104内具有曲率半径的棱部114的平面长度L1、伴随朝向内侧的锥形面的侧板内表面110的平面长度L2,所以可能与电子器件元件接触。
与此相对,将侧板内表面10设为从开口部2C向底部2A朝空间部4的外侧倾斜的倒锥面,由此在盖体部2的侧板内表面10与电子器件元件50的侧面11之间设置规定的间隙,结果,使得空间部4扩展(扩张)。
更具体地说,如图3所示,能够使盖体部2的侧板内表面10的角部14远离收纳于盖体部2的空间部4内的电子器件元件50,能够防止与电子器件元件50的接触。
这里,角部14表示盖体部2的侧板内表面10与底部2A中的上述空间部4侧的表面即底板内表面16相交的角部。
侧板内表面10的倒锥面的角度范围可任意地设定,优选从与凸缘部平面7的垂直角度(相对于底部2A垂直的方向)向侧板内表面侧倾斜0°~5°的范围(到侧板内表面10的-5°的范围)。
根据此结构,电子器件元件50远离盖体的侧板内表面10,所以能够防止与电子器件元件50的侧面11接触。
而且,在封装的盖体部2的空间部4中,可使能够收纳电子器件元件的容积最大化。
因此,可提供这样的电子器件用封装:使侧板内表面10与电子器件元件50侧的内侧侧面11之间的距离最小,使电子器件元件的尺寸最大来增大电子器件元件占有面积(底座部3中的可安装电子器件元件的面积),并提高电子器件元件的安装率。
现有的盖体凹部内壁面的棱部具有相应的曲率半径并存在于盖体凹部内侧且可能接触电子器件元件,与此相对,通过使侧板部2B成为从开口部2C向底部2A朝着空间部4的外侧倾斜的倒锥面10,使电子器件元件远离侧板内表面,能够防止与电子器件元件接触。
更具体地说,将通过此结构而增加的空间部4分配给电子器件元件50所占的面积,使盖体2的侧板内表面10与电子器件元件50的侧面11之间的距离最小,使电子器件元件50的尺寸最大来提高电子器件元件50所占的面积比,能够提高电子器件元件50的安装率(电子器件元件面积/封装面积)。
即,电子器件元件收纳容积增加,使侧板内表面10与电子器件元件50的侧面11之间的距离最小,使电子器件元件的尺寸最大来提高电子器件元件占有面积,能够提高安装率。
此外,还可以向空间部4的方向较宽地设置凸缘部平面7的面积。因此,底座部3与凸缘部平面7的接触面积增加,所以能够确保底座部3与盖体部2的连接可靠性,能够实现电子器件的进一步小型化以及薄型化。
对这点进行详细说明。
在上述专利文献3以及4所公开的作为金属制盖体类型的结构的封装类型的现有例中分别具有以下这样的课题:第一课题是电子器件元件的安装率降低;第二课题是难以确保底座部与盖体部的连接可靠性(面积);第三课题是随着成为1边低于1mm、高度低于0.4mm的封装,电子器件用封装的小型化或薄型化变得更困难。
具体地说,如图8所示,在具有现有例的凸缘部106来接合盖体部102的封装101中,侧板内表面110与盖体部102的凸缘部平面107相交的拐角115通过现有的通常塑性加工,带来原料厚度相等的凸缘部厚度T101或其以上半径的大小。这成为在防止与电子器件元件的接触以及确保必要的接合面积和接合强度中没有发挥功能的不需要长度。确保必要的接合面积和接合强度的仅仅是在盖体部102中准备的凸缘部平面107的长度L4。
因此,目前为了防止与电子器件元件的接触以及确保必要的接合面积和接合强度,需要棱部114的长度L1、侧板内表面110的长度L2、拐角115的长度L3、凸缘部平面107的长度L4。随着成为小型封装,长度(L1+L2+L3+L4)所占的比率变得显著,而难以确保用于对长度L4分配的必要的接合面积和接合强度。
但是,通过使侧板部2B成为从开口部2C向底部2A朝空间部4的外侧倾斜的倒锥面10,可确保底座部与盖体部的连接可靠性,能够实现电子器件的进一步小型化以及薄型化。
另外,如图2的(b)所示,凸缘部平面7与侧板内表面10相交的角部15的半径也可以是凸缘部的厚度即凸缘部厚度T1的1/4以下的大小。
在现有技术中,凸缘部平面7与侧板内表面10相交的角部15的半径(的大小)和凸缘部厚度T1相同或是其以上的大小。如上述图8所示,现有的拐角115的半径是平面长度L3。
与此相对,由于使与侧板内表面10相交的角部15的半径成为凸缘部厚度T1的1/4以下,从而出现凸缘部厚度T1的大致3/4以上的接合宽度。可将该接合宽度灵活用作接合面积。
作为利用凸缘部6覆盖底座部3的接合扩大面积,确保凸缘部平面7的面积的大小与提高承担接合强度的底座部3和盖体部2的重要的连接可靠性相关联。
覆盖底座部3的凸缘部开口侧12的凸缘部平面7的接合宽度去除凸缘部厚度T1的1/4以下的拐角半径部而能够作为凸缘部厚度T1的大致3/4以上的接合宽度增加进行灵活应用。
由此,底座部3与盖体部2的接合宽度中的凸缘部厚度T1的大致3/4以上的接合宽度施加于凸缘部平面7,可确保必要的接合面积。通过确保可靠的接合面积与接合强度,可提高底座部3与盖体部2的连接可靠性。
另外,如图2的(c)所示,盖体部2的侧板内表面10与底板内表面16相交的角部14可包含已形成为向盖体部2的内部嵌入的部件内侧形状17(换言之,部件内侧形状17可形成为相对于构成盖体部2的部件(侧板部2B以及底部2A等)嵌入)。
换言之,盖体部2的侧板内表面10与底板内表面16相交的角部14包含以向盖体部2的部件内侧进入的状态相交的部件内侧形状17。
这里,以向盖体部2的部件内侧进入的状态相交的部件内侧形状17不是指在盖体2(盖体凹部内侧)的空间部4内形成角部14的现有形状,而是在角部14与盖体2(盖体凹部内侧)的空间部4的相反侧向盖体部2的部件内侧形成的形状。
用于形成盖体部2的凹部5的塑性加工时的侧板内表面10与底板内表面16相交的角部14利用加工方法来压缩侧板内表面10与底板内表面16的邻接的盖体材料组成,以向盖体部2的部件内侧进入的状态形成部件内侧形状17。部件内侧形状17不是由于盖体材料的裂纹或断裂等而产生的形状,而是连续压缩邻接的盖体材料组成而形成的,所以能够确保强度、气密性等。
通过形成包含以向盖体部2的部件内侧进入的状态相交的部件内侧形状17的角部14,无需在盖体凹部内侧的空间部4侧生成棱部半径形状,而能够成为可靠地防止与电子器件元件50接触的形状(可靠地防止接触的形状)。
与由倒锥面形成上述侧板内表面10而起到的防止接触效果(可靠地防止与电子器件元件50接触的效果)相配合,不用减少电子器件元件50收纳容积,就能够可靠地获得与电子器件元件50的拐角不接触的形状,防止盖体部2的侧板内表面10与电子器件元件50的接触。
另外,如图2的(a)所示,关于盖体部2的侧板2B的厚度T2,与接近于凸缘部6的开口部2C的侧板厚度T2-1相比,可使接近于底部侧的侧板厚度T2-2变薄。
当使接近于盖体部2的开口部2C的侧板厚度T2-1成为接近于凸缘部厚度T1的较厚的状态时,盖体部2的接合宽度增加。当使接近于底板内侧13的侧板厚度T2-2变薄时,侧板内表面10的拐角棱部14远离电子器件元件50。由此,能够实现防止盖体部2(侧板内表面10等)与电子器件元件50的接触以及增加盖体部2与底座部3的接合面积的形状功能效率化(双方的效果)。
由此,能够成为这样的电子器件用封装:确保盖体部2与底座部3的接合面积,并且防止盖体部2与电子器件元件50的接触和作为可收容形成在盖体部2的凹部5内的空间部4中的电子器件元件50的范围(电子器件元件50的收纳容积)最大化,所以使底座部与盖体部的连接可靠性和电子器件元件安装率提高。
另外,如图2的(b)所示,盖体部2的侧板2B的厚度T2和底部2A的厚度T3可以比凸缘部6的厚度T1薄。
通过使盖体部2的侧板2B的厚度T2与底板的厚度T3都比凸缘部厚度T1薄,使侧板内表面10的角部14远离电子器件元件50,所以在盖体部2的凸缘部平面7方向上能够收纳电子器件元件50的空间增加。
另外,因为底板内表面16远离电子器件元件50,所以在底板的厚度T3方向上能够收纳电子器件元件50的空间增加。
由此,在空间部4中,盖体部2能够减少凸缘部平面7的方向的空间部4的增加量和底板的厚度T3方向的空间部4的增加量。
因此,在应用相同种类的电子器件元件50的电子器件中,可减小盖体部2,所以能够提供小型以及薄型化的电子器件用封装1。
另外,如图2的(b)所示,侧板部2B中的外周面侧即侧板外表面18与底部2A中的外周面侧即底板外表面18相交的外侧角部30的半径是与凸缘部6的厚度即凸缘部厚度T1的厚度相同的值,减小凸缘部6与侧板2B相交而分别形成的其它拐角的半径以及侧板内表面10与底板内表面16相交而形成的拐角的半径。
这里,其它拐角是指侧板内表面10与底板内表面16相交的角部14、接合的凸缘部平面7与侧板内表面10相交的角部15、凸缘部平面7的相对面(与凸缘部平面7的接合面相对的面)与侧板外表面19相交的角部20。
盖体部2的侧板外表面18与底板外表面19相交的拐角30的外侧半径大致和凸缘部厚度T1的值相同(最大的外侧半径)。并且,侧板内表面10与底板内表面16相交的角部14、接合的凸缘部平面7与侧板内表面10相交的角部15、凸缘部平面7的相对面与侧板外表面18相交的角部20的半径的值大致小于凸缘部厚度T1的值,优选为最小的值(最小半径)。
这里,最小的值例如是指在金属板加工中应用最小的弯曲角度。
在使侧板内表面10与底板内表面16相交的角部14的半径的值最小的情况下,可在防止盖体部2的侧板内表面10与电子器件元件50的接触和增加收纳容积(能够向内部空间4收纳电子器件元件50的空间增加)的方面发挥作用。
在使接合的凸缘部平面7与侧板内表面10相交的角部15的半径的值最小的情况下,可在增加底座部3与覆盖底座部3的盖体部2的接合面积的方面发挥作用。在使凸缘部平面7的相对面与侧板外表面18相交的角部20的半径的值最小的情况下,可在增加底座部3与盖体部2接合时所需的加压部的平面面积方面发挥作用。
由此,能够确保底座部3与覆盖底座部3的盖体部2的接合面积,并且防止与电子器件元件50的接触,使盖体部2的凹部5的电子器件元件50收纳容积最大化。并且,可得到提高底座部3与盖体部2的连接可靠性以及电子器件元件50的安装率的电子器件用封装1。另外,如图2的(b)所示,凸缘部厚度T1是0.02mm至0.20mm。
在现有的封装中,器件在电子器件用封装体积中所占有的体积低,其主要原因在于所占的盖体部的形状和厚度。
与此相对,随着小型化,盖体部2的形状和厚度所占的比率变高,所以优选有利于电子器件的小型化以及薄型化的盖体部厚度为0.02mm至0.20mm。
由此,可使电子器件用封装1的尺寸中的电子器件元件50的容积率在此范围内效率最大,提供极有利的小型电子器件用封装1。在0.20mm以上的情况下,提高电子器件元件50的容积率的效果变弱,在0.02mm以下的情况下,盖体强度降低从而变得不实用。
接着,根据附图说明作为本发明实施例的底座部3。
图4是用于说明本发明一实施方式的底座部3的一例的剖面放大图。
如图4所示,在底座部3的第一面21上具有内部电极23,在底座部3另一方的第二面22上具有外部电极24,在底座部3上形成有贯通孔25。
贯通孔25的直径是第一面21侧的贯通孔25的开口径40μm~150μm左右的范围,是第二面22侧的贯通孔25的开口径10μm~40μm左右的范围。
贯通孔25的内壁面被金属膜26覆盖,在第二面22侧,填充金属膜26来密封贯通孔25的开口部27。
金属膜26的部件例如可使用由金、铜等金属材料构成的材料。因为该金属膜26的部件填充于贯通孔25,所以能够良好地维持内部的气密性。
第一面21侧的内部电极23利用导电性粘结剂、焊锡、金凸点等接合部件28连接电子器件元件50。
第一面21侧的内部电极23作为对应于电子器件元件50的重新配置布线而与第一面21侧的贯通孔25连接。
至少一组的内部电极23和外部电极24经由连接底座部3的第一面21与另一方的第二面22的贯通孔25,利用金属膜26与第一面21以及第二面22相互连接。
电子器件51(在图4中,盖体部2和接合材料8未图示)从电子器件元件50经由接合部件28、内部电极23、贯通孔25的金属膜26、外部电极24向外部输出。
在图4中,底座3在作为单层的材料上形成贯通孔25,在第一面21以及第二面22上形成布线或电极,但底座3例如可采用基于陶瓷或树脂的多层基板,采用具有上下表面以及中间层的布线层和层间的电连接单元的结构等。
由此,能够得到这样的底座部3:使具有对应于电子器件元件50的重新配置布线的布线自由度的第一面21的内部电极23连接基板安装侧的布线即第二面22的外部电极24。
接着,说明半导体装置52,该半导体装置52是作为本发明实施例的半导体器件的一例。
图5是用于说明将本发明一实施方式的电子器件应用于半导体装置52的一例的图,图5的(a)是本发明一实施方式的半导体装置的立体图,图5的(b)是本发明一实施方式的半导体装置的俯视图,图5的(c)是图5的(b)的A-A线处的剖视图。
对与上述实施方式的共同部分标注同一标号并省略详细的说明,以与上述实施方式不同的部分为中心进行说明。
如图5的(c)所示,半导体装置52具备底座部3、金属制的盖体部2和接合材料8,底座部3的第一面21侧的内部电极23利用金凸点等接合部件28在盖体凹部内侧的内部空间4中连接半导体元件53。
第一面21侧的内部电极23作为对应于半导体元件53的重新配置布线与贯通孔25的金属膜26以及外部电极24连接。
半导体装置52从半导体元件53经由接合部件28、内部电极23、贯通孔25的金属膜26、外部电极24向外部输出。
使半导体元件53远离盖体部2的凹部侧内壁面10来防止半导体元件53侧面接触,并且使形成封装盖体部2的凹部内部空间4的半导体元件53收纳容积最大化。生成这样的半导体装置52:使侧板内表面10与半导体元件53侧面之间的距离最小,使半导体元件53的尺寸最大,从而增大半导体元件53的占有面积,提高半导体元件53的安装率。
另外,生成这样的半导体装置52:确保底座部3与覆盖底座部3的盖体部2的接合面积和接合强度,提高底座部3与盖体部2的连接可靠性。
另外,作为0.02mm至0.20mm的凸缘部厚度T1,将半导体元件53收纳容积的增加转化为封装的小型化和封装的薄型化,生成更小型化以及薄型化的半导体装置52。
另外,可生成这样的半导体装置:使具有对应于半导体元件53的重新配置布线的布线自由度的底座部3的第一面21的内部电极23连接基板安装侧的布线即第二面22的外部电极24。
说明对本实施例的半导体装置52的小型化高安装率的具体实施例。电子器件用封装1的各边的大小为0.6mm×0.6mm,半导体元件53的各边的大小为0.45mm×0.45mm,半导体元件53的安装率为56%以上,厚度为0.3mm,从而能够实现极小型化且高安装率的半导体装置52。
如上所述,本实施例可提供小型化以及薄型化且具有半导体元件53安装率以及底座部3与盖体部2的连接可靠性较高的效果的半导体装置52。
接着,说明石英振子54,该石英振子54是作为本发明实施例的石英器件的一例。
图6是用于说明将本发明一实施方式的电子器件应用于石英振子54的一例的图,图6的(a)是本发明一实施方式的石英振子的立体图,图6的(b)是本发明一实施方式的俯视图,图6的(c)是图6(b)的B-B线处的剖视图。
如图6的(c)所示,石英振子54具备底座部3、金属制的盖体部2和接合材料8,底座部3的第一面21侧的内部电极23利用金凸点等接合部件28而在盖体凹部内侧的内部空间4中连接石英振动片55。
第一面21侧的内部电极23作为对应于石英振动片55的重新配置布线与贯通孔25的金属膜26以及外部电极24连接。
石英振子54从石英振动片55经由接合部件28、内部电极23、贯通孔25的金属膜26、外部电极24向外部输出。
防止接触远离盖体部2的侧板内表面10的石英振动片55的侧面,使形成封装盖体部2的凹部内部空间4的石英振动片55的收纳容积最大化。生成这样的石英振子54:使侧板内表面10与石英振动片55侧面之间的距离最小,使石英振动片55的尺寸最大,从而增大石英振动片55的占有面积,提高石英振动片55的安装率。
另外,生成这样的石英振子54:确保底座部3与覆盖底座部3的盖体部2的接合面积和接合强度,提高底座部3与盖体部2的连接可靠性。
另外,作为0.02mm至0.20mm的凸缘部厚度T1,将石英振动片55收纳容积的增加转化为封装的小型化和封装的薄型化,生成更小型化以及薄型化的石英振子54。
另外,生成这样的石英振子54:使具有对应于石英振动片55的重新配置布线的布线自由度的底座部3的第一面21的内部电极23连接基板安装侧的布线即第二面22的外部电极24。
说明本实施例的石英振子54的小型化高安装率的具体实施例。称为2012型的现有电子器件用封装的各边大小为2.0mm×1.2mm的石英振动片55的安装率为32%,与此相对,电子器件用封装1的安装率是54%以上,厚度为0.3mm,能够实现极小型化高安装率的石英振子54。
此外,本实施方式的盖体部2的制造方法可应用拉深加工或基于具有滑动构造的模具的所谓压铸等。
另外,本实施方式的盖体部2的材质应用了金属制的材质,但不限于此,例如可应用ABS(丙烯腈(Acrylonitrile)、丁二烯(Butadiene)、苯乙烯(Styrene)聚合合成树脂)、PC(聚碳酸脂)等树脂。
此外,以上说明的实施方式不限定权利要求范围所涉及的发明。
并且,在上述实施方式中说明的结构的全部组合并非是解决发明的课题所必须的手段。另外,在上述实施方式中所说明的结构可适当组合后进行实施。

Claims (10)

1.一种盖体部,其具备由底部和侧板部形成空间部的凹部以及从所述凹部的开口部侧的外缘部向外部延伸的凸缘部,其特征在于,
所述侧板部中的作为所述凹部的空间部侧的表面的侧板内表面是从所述开口部侧向所述底部朝着所述空间部的外侧倾斜的倒锥面。
2.根据权利要求1所述的盖体部,其特征在于,
所述凸缘部与所述侧板内表面相交的角部的半径是所述凸缘部的厚度的1/4以下。
3.根据权利要求1所述的盖体部,其特征在于,
所述侧板内表面与所述底部中的作为所述空间部侧的表面的底板内表面相交的角部包含形成为向所述盖体部的内部嵌入的部件内侧形状。
4.根据权利要求3所述的盖体部,其特征在于,
所述侧板部中的作为外周面侧的侧板外表面与所述底部的作为外周面侧的底板外表面相交的外侧角部的半径是与所述凸缘部的厚度大致相同的值,
所述凸缘部与所述侧板部相交而分别形成的其它角部的半径、所述侧板内表面与所述底板内表面相交而形成的角部的半径较小。
5.根据权利要求1所述的盖体部,其特征在于,
关于所述侧板部的厚度,接近于所述底部的侧板厚度比接近于所述开口部的侧板厚度薄。
6.根据权利要求1所述的盖体部,其特征在于,
所述侧板部的厚度和所述底部的厚度比所述凸缘部的厚度薄。
7.根据权利要求1所述的盖体部,其特征在于,
所述凸缘部的厚度是0.02mm至0.20mm。
8.一种电子器件用封装,其特征在于,该电子器件用封装具备:
权利要求1所述的盖体部;以及
具有电极的底座部,
所述凸缘部与所述底座部接合。
9.根据权利要求8所述的电子器件用封装,其特征在于,
在所述底座部的第一面上具有内部电极,在所述底座部的另一方的第二面上具有外部电极,
在所述底座部上形成有贯通孔,所述贯通孔的内壁面被金属膜覆盖,在所述第二面侧,填充所述金属膜来密封所述贯通孔的开口部,
至少一组的所述内部电极和所述外部电极经由连接所述底座部的所述第一面和另一方的所述第二面的所述贯通孔,利用所述金属膜与所述第一面以及所述第二面相互连接。
10.一种电子器件,其特征在于,该电子器件具备权利要求8或9所述的电子器件用封装。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017120865A (ja) * 2015-12-29 2017-07-06 日立金属株式会社 気密封止用キャップ
GB201803286D0 (en) 2018-02-28 2018-04-11 3D Oscopy Ltd Imaging system and method
JP7247694B2 (ja) * 2019-03-25 2023-03-29 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、発振器、振動モジュール、電子機器および移動体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231509A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 電子部品パッケージの製造方法および電子部品パッケージ
CN102185580A (zh) * 2010-01-18 2011-09-14 精工爱普生株式会社 电子装置、基板的制造方法以及电子装置的制造方法
JP2012119457A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Furukawa Co Ltd 熱電変換モジュール
CN102714187A (zh) * 2010-03-24 2012-10-03 株式会社大真空 电子部件用封装的基座和电子部件用封装

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5935209B2 (ja) * 1975-10-21 1984-08-27 シチズン時計株式会社 水晶振動子
JPH06132766A (ja) 1992-10-20 1994-05-13 Rohm Co Ltd 圧電発振子
JP4081361B2 (ja) * 2002-11-28 2008-04-23 京セラ株式会社 封止用セラミックス蓋体及びその製造方法
WO2004070836A1 (ja) * 2003-02-06 2004-08-19 Neomax Co., Ltd. 気密封止用キャップおよびその製造方法
EP1818979B1 (en) * 2004-12-02 2012-07-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and fabrication method thereof
JP4630110B2 (ja) 2005-04-05 2011-02-09 パナソニック株式会社 電子部品の製造方法
JP4267677B1 (ja) * 2008-01-15 2009-05-27 パナソニック株式会社 電子機器
JP2010278498A (ja) 2009-05-26 2010-12-09 Seiko Epson Corp 圧電デバイス
JP5220714B2 (ja) 2009-09-18 2013-06-26 セイコーインスツル株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP5465002B2 (ja) * 2009-12-28 2014-04-09 京セラクリスタルデバイス株式会社 蓋部材ウエハの製造方法及び蓋部材の製造方法
US8975517B2 (en) * 2011-03-18 2015-03-10 Daishinku Corporation Electronic component package, electronic component, and electronic component package manufacturing method
JP2012222577A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 Funai Electric Co Ltd 機器基板取付け構造
JP5963295B2 (ja) * 2011-12-08 2016-08-03 日本メクトロン株式会社 防水機能付蓋部材
JP6119108B2 (ja) * 2012-04-10 2017-04-26 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器、ベース基板の製造方法および電子デバイスの製造方法
WO2013172442A1 (ja) * 2012-05-18 2013-11-21 株式会社村田製作所 水晶振動子
JP6342643B2 (ja) * 2013-10-25 2018-06-13 セイコーインスツル株式会社 電子デバイス
JP6331804B2 (ja) * 2014-07-16 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 パッケージベース、パッケージ、電子デバイス、電子機器及び移動体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231509A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 電子部品パッケージの製造方法および電子部品パッケージ
CN102185580A (zh) * 2010-01-18 2011-09-14 精工爱普生株式会社 电子装置、基板的制造方法以及电子装置的制造方法
CN102714187A (zh) * 2010-03-24 2012-10-03 株式会社大真空 电子部件用封装的基座和电子部件用封装
JP2012119457A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Furukawa Co Ltd 熱電変換モジュール

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Publication number Publication date
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