JPH0230597A - 半導体カード用モジュール - Google Patents
半導体カード用モジュールInfo
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- JPH0230597A JPH0230597A JP63181114A JP18111488A JPH0230597A JP H0230597 A JPH0230597 A JP H0230597A JP 63181114 A JP63181114 A JP 63181114A JP 18111488 A JP18111488 A JP 18111488A JP H0230597 A JPH0230597 A JP H0230597A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体カードに使用される半導体モジュールに
関するものである。
関するものである。
従来、この種の半導体カード用モジュールは第３図（Ｉ
Ｌ）ないしくｃ）に示すように構成されている。
Ｌ）ないしくｃ）に示すように構成されている。
第３図（、）は従来の半導体カード用モジュールを示す
斜視図、同図（ｂ）は（、）図中■−■線断面図、同図
（ｃ）は底面図である。これらの図において、１はモジ
ュール基板で、このモジュール基板１は銅箔が貼着され
たガラスエポキシ（ガラエポ）基板１ａを複数枚積み重
ねて形成されている。２はダイパッド、３は配線パター
ンを形成するリードで、これらは前記ガラエポ基板１ａ
の銅箔をエツチングしめっきを施すことによって形成さ
れ、リード３はダイパッド２を囲むように配設されてい
る。４は半導体素子で、前記ダイパッド２上に接合され
、その表面電極（図示せず）は金属細線５を介してリー
ド３に接続されている。６はカードリーダー（図示せず
）等の外部機器に接続される電極で、モジュール基板１
の底面１ｂに形成されておシ、スルーホール（図示せず
）によって前記リード３に接続されている。なお７は半
導体素子４．金属細線５およびリード３等を封止するた
めのエポキシ等の樹脂である。
斜視図、同図（ｂ）は（、）図中■−■線断面図、同図
（ｃ）は底面図である。これらの図において、１はモジ
ュール基板で、このモジュール基板１は銅箔が貼着され
たガラスエポキシ（ガラエポ）基板１ａを複数枚積み重
ねて形成されている。２はダイパッド、３は配線パター
ンを形成するリードで、これらは前記ガラエポ基板１ａ
の銅箔をエツチングしめっきを施すことによって形成さ
れ、リード３はダイパッド２を囲むように配設されてい
る。４は半導体素子で、前記ダイパッド２上に接合され
、その表面電極（図示せず）は金属細線５を介してリー
ド３に接続されている。６はカードリーダー（図示せず
）等の外部機器に接続される電極で、モジュール基板１
の底面１ｂに形成されておシ、スルーホール（図示せず
）によって前記リード３に接続されている。なお７は半
導体素子４．金属細線５およびリード３等を封止するた
めのエポキシ等の樹脂である。
このように構成されたモジュール基板１から例えはマイ
クロコンピュータ・チップあるいはメモリ・チップを内
蔵するＩＣカードを製作することができる。
クロコンピュータ・チップあるいはメモリ・チップを内
蔵するＩＣカードを製作することができる。
第４図は従来の半導体カード用モジュールの別の例を示
す断面図で、このモジュール基板１にはカード化された
際にモジュール基板１が飛び出すのを防止するためのつ
ば１Ｃが形成されている。
す断面図で、このモジュール基板１にはカード化された
際にモジュール基板１が飛び出すのを防止するためのつ
ば１Ｃが形成されている。
第５図（、）は前記第３図および第４図で示したモジュ
ール基板がカード化された状態を示す平面図、同図（ｂ
）は第３図で示したモジュール基板を内蔵したカードの
断面図、同図（ｃ）は第４図で示したモジュール基板を
内蔵したカードの断面図で、これらの図において８は外
装シートで、この外装シート８は塩化ビニル等によって
形成され、前記モジュール基板１が底面１ｂをこの外装
シート８の表面に臨ませて一体的に埋め込まれている。
ール基板がカード化された状態を示す平面図、同図（ｂ
）は第３図で示したモジュール基板を内蔵したカードの
断面図、同図（ｃ）は第４図で示したモジュール基板を
内蔵したカードの断面図で、これらの図において８は外
装シートで、この外装シート８は塩化ビニル等によって
形成され、前記モジュール基板１が底面１ｂをこの外装
シート８の表面に臨ませて一体的に埋め込まれている。
このＩＣカードを使用するには、カードリーダー（図示
せず）のカード受入口内にＩＣカードを挿入することに
よって行ガわれる。この際、モジュール基板１の電極６
とカードリーダーの電極とが接続される。そして、この
カードリーダーの電極とモジュール基板１の電極６との
接続状態を解除するには、カード受入口からＩＣカード
を抜き出すことＫよシ行なわれる。
せず）のカード受入口内にＩＣカードを挿入することに
よって行ガわれる。この際、モジュール基板１の電極６
とカードリーダーの電極とが接続される。そして、この
カードリーダーの電極とモジュール基板１の電極６との
接続状態を解除するには、カード受入口からＩＣカード
を抜き出すことＫよシ行なわれる。
しかるに、従来のモジュール基板はガラエポ基板１ｍを
複数枚積み重ねて形成されているため曲げ等の機械的強
度が低く、カードを曲げた際に半導体素子４が破損され
ることがあった。また、第４図に示すようなつば付モジ
ュール基板を得るには多層構造を採用しなければならず
、とのようなモジュール基板１の製造方法は複雑で製造
コストが嵩むことになる。
複数枚積み重ねて形成されているため曲げ等の機械的強
度が低く、カードを曲げた際に半導体素子４が破損され
ることがあった。また、第４図に示すようなつば付モジ
ュール基板を得るには多層構造を採用しなければならず
、とのようなモジュール基板１の製造方法は複雑で製造
コストが嵩むことになる。
本発明に係る半導体カード用モジュールは、半導体素子
が接合されるダイパッドおよびこの半導体素子の電極に
接続されるリードとを金属キャップの内側底面に絶縁層
を介して設けると共に、この金属キャップの底面に絶縁
層を介して外部接続用電極を設け、この外部接続用電極
と前記リードとを内側面に絶縁層が形成されたスルーホ
ールによって接続し、金属キャップの開口部内に半導体
素子を内蔵させ樹脂封止したものである。
が接合されるダイパッドおよびこの半導体素子の電極に
接続されるリードとを金属キャップの内側底面に絶縁層
を介して設けると共に、この金属キャップの底面に絶縁
層を介して外部接続用電極を設け、この外部接続用電極
と前記リードとを内側面に絶縁層が形成されたスルーホ
ールによって接続し、金属キャップの開口部内に半導体
素子を内蔵させ樹脂封止したものである。
この発明における半導体カードモジュールは基板が金属
によって形成されているため、曲げ等の機械的強度が増
大される。
によって形成されているため、曲げ等の機械的強度が増
大される。
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の半導体カード用モジュールを示す図で
、同図（、）は斜視図、同図（ｂ）は（、）図中Ｉ−Ｉ
線断面図、同図（Ｃ）はっは付モジュールとした際の断
面図である。これらの図において第３図および第４図で
説明したものと同一もしくは同等部材については同一符
号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第１図
において１１は金属基板で、この金属基板１１はステン
レス板あるいはアルミ板を加圧成形することによって略
略有底角筒状に形成されている。１２はこの金属基板１
１とダイパッド２．リード３および電極６とを絶縁する
だめの絶縁層で、この絶縁層１２は合成樹脂によって形
成され、金属基板１１の底部ＩＬ＆を覆うように設けら
れている。１３はリード３等の回路と電極６とを接続す
るためのスルーホールで、金属基板１１の底部１１ｍに
形成されておシ、このスルーホール１３の内側面にも絶
縁層１２ｍが設けられている。
、同図（、）は斜視図、同図（ｂ）は（、）図中Ｉ−Ｉ
線断面図、同図（Ｃ）はっは付モジュールとした際の断
面図である。これらの図において第３図および第４図で
説明したものと同一もしくは同等部材については同一符
号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第１図
において１１は金属基板で、この金属基板１１はステン
レス板あるいはアルミ板を加圧成形することによって略
略有底角筒状に形成されている。１２はこの金属基板１
１とダイパッド２．リード３および電極６とを絶縁する
だめの絶縁層で、この絶縁層１２は合成樹脂によって形
成され、金属基板１１の底部ＩＬ＆を覆うように設けら
れている。１３はリード３等の回路と電極６とを接続す
るためのスルーホールで、金属基板１１の底部１１ｍに
形成されておシ、このスルーホール１３の内側面にも絶
縁層１２ｍが設けられている。
このように構成された半導体カード用モジュールを製造
するに杜、先ずステンレス板やアルミ板等の金属板に絶
縁層１２を介して銅箔を貼着し、との銅箔を加工するこ
とによってダイパッド２゜リード３．電極６等を形成す
る。そして、との金属板を塑性加工することによって第
１図（ｂ）あるいは（ｅ）Ｋ示すような形状に成形し金
属基板１１が得られる。第１図（ｅ）Ｋ示すつば付モジ
ュールを得るには、塑性加工する際に金属基板１１の開
口縁部を外方へ折シ曲げ、つげ１１ｂを同時成形すれば
よい。しかる後、ダイパッド２上に半導体素子４を接合
させワイヤボンディングを施し、金属基板１１の開口部
１１ｅ内を樹脂７で満たすことによって半導体カードモ
ジュールを製造することができる。
するに杜、先ずステンレス板やアルミ板等の金属板に絶
縁層１２を介して銅箔を貼着し、との銅箔を加工するこ
とによってダイパッド２゜リード３．電極６等を形成す
る。そして、との金属板を塑性加工することによって第
１図（ｂ）あるいは（ｅ）Ｋ示すような形状に成形し金
属基板１１が得られる。第１図（ｅ）Ｋ示すつば付モジ
ュールを得るには、塑性加工する際に金属基板１１の開
口縁部を外方へ折シ曲げ、つげ１１ｂを同時成形すれば
よい。しかる後、ダイパッド２上に半導体素子４を接合
させワイヤボンディングを施し、金属基板１１の開口部
１１ｅ内を樹脂７で満たすことによって半導体カードモ
ジュールを製造することができる。
ガお、上記実施例では金属基板１１を個々に成形し形成
する方法を説明したが、本発明に係わる金属基板１１は
第２図に示すように、横長の金属板２１に凹部２１ｍを
複数一体に成形し、との凹部２１ｍの底部２１ｂにダイ
パッド２．リード３および電極６等を形成した後、凹部
２１ａ毎に金属板２１から分断させて金属基板１１を形
成してもよい。
する方法を説明したが、本発明に係わる金属基板１１は
第２図に示すように、横長の金属板２１に凹部２１ｍを
複数一体に成形し、との凹部２１ｍの底部２１ｂにダイ
パッド２．リード３および電極６等を形成した後、凹部
２１ａ毎に金属板２１から分断させて金属基板１１を形
成してもよい。
このようにすると金属基板１１の製造が高速化されコス
トを低く抑えることができる。
トを低く抑えることができる。
以上説明したように本発明の半導体カード用モジュール
は、半導体素子が接合されるダイパッドおよびこの半導
体素子の電極に接続されるリードとを金属キャップの内
側底面に絶縁層を介して設けると共に、この金属キャッ
プの底面に絶縁層を介して外部接続用電極を設け、この
外部接続用電極と前記リードとを内側面に絶縁層が形成
されたスルーホールによって接続し、金属キャップの開
口部内に半導体素子を内蔵させ樹脂封止したため、曲げ
等の機械的強度が増大されるから、カードを曲げた際に
半導体素子が破損されにくくなる。また、つば付モジュ
ールは金属キャップの成形時に同時に開口縁部を折シ曲
げ成形することによって得られるため、コストを低く抑
えることができるという効果もある。
は、半導体素子が接合されるダイパッドおよびこの半導
体素子の電極に接続されるリードとを金属キャップの内
側底面に絶縁層を介して設けると共に、この金属キャッ
プの底面に絶縁層を介して外部接続用電極を設け、この
外部接続用電極と前記リードとを内側面に絶縁層が形成
されたスルーホールによって接続し、金属キャップの開
口部内に半導体素子を内蔵させ樹脂封止したため、曲げ
等の機械的強度が増大されるから、カードを曲げた際に
半導体素子が破損されにくくなる。また、つば付モジュ
ールは金属キャップの成形時に同時に開口縁部を折シ曲
げ成形することによって得られるため、コストを低く抑
えることができるという効果もある。
第１図は本発明の半導体カード用モジュールを示す図で
、同図（、）は斜視図、同図（ｂ）は（、）図中Ｉ −
■線断面図、同図（、）はっは付モジュールとした際の
断面図、第２図は金属基板の製造方法を説明するための
図で、同図（、）は凹部が複数成形された金属板を示す
平面図、同図６）は（ＩＬ）図中■−■線断面図、第３
図は従来の半導体カード用モジュールを示す図で、同図
（、）は斜視図、同図（ｂ）は（、）図中■−■線断面
図、同図（Ｃ）は底面図、第４図は従来の半導体カード
用モジュールの別の例を示す断面図、第５図（、）は第
３図および第４図で示したモジュール基板がカード化さ
れた状態を示す平面図、同図（ｂ）は第３図で示したモ
ジュール基板を内蔵したカードの断面図、同図（Ｃ）は
第４図で示したモジュール基板を内蔵したカードの断面
図である。 ２・・命・ダイパッド、３・・・・リード、４・・・・
半導体素子、６・・・・電極、７・・・・樹脂、１１・
・・・金属基板、１１ｍ・・・・底部、１１ｅ１１１１
・・開口部、１２・・・−絶縁層、１３・・・・スルー
ホール。
、同図（、）は斜視図、同図（ｂ）は（、）図中Ｉ −
■線断面図、同図（、）はっは付モジュールとした際の
断面図、第２図は金属基板の製造方法を説明するための
図で、同図（、）は凹部が複数成形された金属板を示す
平面図、同図６）は（ＩＬ）図中■−■線断面図、第３
図は従来の半導体カード用モジュールを示す図で、同図
（、）は斜視図、同図（ｂ）は（、）図中■−■線断面
図、同図（Ｃ）は底面図、第４図は従来の半導体カード
用モジュールの別の例を示す断面図、第５図（、）は第
３図および第４図で示したモジュール基板がカード化さ
れた状態を示す平面図、同図（ｂ）は第３図で示したモ
ジュール基板を内蔵したカードの断面図、同図（Ｃ）は
第４図で示したモジュール基板を内蔵したカードの断面
図である。 ２・・命・ダイパッド、３・・・・リード、４・・・・
半導体素子、６・・・・電極、７・・・・樹脂、１１・
・・・金属基板、１１ｍ・・・・底部、１１ｅ１１１１
・・開口部、１２・・・−絶縁層、１３・・・・スルー
ホール。
Claims (1)
- 半導体素子が接合されるダイパッドおよびこの半導体素
子の電極に接続されるリードとを金属キャップの内側底
面に絶縁層を介して設けると共に、この金属キャップの
底面に絶縁層を介して外部接続用電極を設け、この外部
接続用電極と前記リードとを内側面に絶縁層が形成され
たスルーホールによつて接続し、金属キャップの開口部
内に半導体素子を内蔵させ樹脂封止したことを特徴とす
る半導体カード用モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181114A JPH0230597A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 半導体カード用モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181114A JPH0230597A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 半導体カード用モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230597A true JPH0230597A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16095093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181114A Pending JPH0230597A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 半導体カード用モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230597A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04307760A (ja) * | 1991-04-04 | 1992-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| FR2684235A1 (fr) * | 1991-11-25 | 1993-05-28 | Gemplus Card Int | Carte a circuit integre comprenant des moyens de protection du circuit integre. |
| WO1997042658A1 (de) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Chipkartenmodul mit beschichtung aus leitfähigem kunststoff und verfahren zu dessen herstellung |
| US5690773A (en) * | 1994-02-24 | 1997-11-25 | Gemplus Card International | Method for the manufacture of a contact-free or hybrid card |
| US6765286B1 (en) * | 1998-10-19 | 2004-07-20 | Sony Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| US8269325B2 (en) | 2010-02-15 | 2012-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP63181114A patent/JPH0230597A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04307760A (ja) * | 1991-04-04 | 1992-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
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| US8269325B2 (en) | 2010-02-15 | 2012-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
| US8492885B2 (en) | 2010-02-15 | 2013-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
| US8603865B2 (en) | 2010-02-15 | 2013-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
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