CN104240942A - 非晶电介质膜以及电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种即使是在进一步对电介质膜实施薄膜化的情况下，也能够既维持相对介电常数和温度特性又提高耐电压的非晶电介质膜以及电子部件。本发明所涉及的非晶电介质膜的特征在于：是一种由将A-B-O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，x、y、z中的至少任意两种为0.1以上，在将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。

Description

非晶电介质膜以及电子部件

技术领域

本发明涉及非晶电介质膜以及电子部件。 

背景技术

作为使用非晶电介质膜的电子部件的一个例子，有薄膜电容器和针对高频的薄膜滤波器等。这些作为小型以及高性能的电子部件被广泛利用，并要求更高电容、相对于温度的静电电容的变化小或者相对于高电压要有优异的耐压性。近年来，伴随于对智能手机和笔记本电脑等高功能机器进一步实行小型化而且高性能化，而相对于电子部件也对小型化以及高性能化的要求变得越来越严。 

相对于像这样的要求，例如薄膜电容器的电介质膜的进一步薄膜化正在不断被往前推进。一方面通过薄膜化从而就能够提高电容器的电容，而另一方面却有所谓相对于高电压其耐电压性发生降低、不能得到所希望的特性的问题。 

例如，一般来说非晶SiO_x膜在半导体集成电路的DRAM电容器中是作为电介质膜被使用的。但是，在将相同材料使用于薄膜电容器的情况下，因为非晶SiO_x的相对介电常数为2～3的较低的水平，所以为了进一步增大电容而不得不进一步减薄电介质膜。因此，使用了相同材料的薄膜电容器变得不能够说是相对于高电压耐压性良好。因此，为了谋求薄膜电容器的小型化以及高功能化而有必要将材料置换成相对介电常数高以及温度特性良好而且耐电压高的电介质材料。 

作为相对电介常数高的材料例如如非专利文献1所介绍的那样对于CaZrO₃薄膜来说通过改变成膜后的热处理温度，从而形成Ca-Zr-O非晶薄膜。此时，Ca-Zr-O非晶电介质的相对介电常数被确认大致为18，耐电压被确认大概为3～3.5MV/cm，但是再也不能够进行对耐电压的提高。 

另外，在专利文献1中有方案提出，通过在形成有包含选自Cr、Ni、Au以及Ag中的一种以上金属的金属薄膜层的铜箔上，形成了Ba以及/或者Sr与Ti的氧化物的非晶电介质的非晶复合金属氧化物薄膜层，来抑制由于金属与电介质界面的歪斜而引起的欠缺，从而就能够确保绝缘性。 

现有技术文献 

非专利文献 

非专利文献1：Science direct Physica B348(2004)440-445‘Preparation and charactarization of sol-gel derived CaZrO₃dielectric thin film for high-k applications’ 

专利文献 

专利文献1：日本特开2008-258555号公报 

发明内容

发明所要解决的技术问题 

本发明是鉴于以上所述那样的实际情况而做出悉心研究之结果，其目的在于提供一种即使是在进一步对电介质膜实施薄膜化的情况下也能够既维持相对介电常数和温度特性又提高耐电压的非晶电介质膜以及电子部件。 

解决技术问题的手段 

为了达到上述目的，本发明所涉及的非晶电介质膜的特征在于：是一种由将A-B-O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1；0≤y≤1；0≤z≤1；x+y+z＝1；x、y、z中的至少任意两种为0.1以上，并将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。 

优选地，含有Zr元素的B进一步包含Ti元素，并且在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-(Ti_1-wZr_w)-O时，0.4≤w≤1。 

发明效果 

在本发明中通过制作成如以上所述那样的非晶电介质膜从而使电介质膜进一步薄膜化的情况下，也能够获得既维持了相对介电常数和温度特性，又提高了耐电压的非晶电介质膜以及电子部件。 

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的薄膜电容器的截面图。 

图2是在将下部电极(Pt)成膜于附有SiO₂绝缘膜的Si单结晶支撑基板上时、和在进一步将非晶电介质膜形成于其上时、以及在形成结晶化电介质膜时的X射线衍射图形。 

图3是用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope)观察到的非晶电介质膜的照片。 

图4是用透射电子显微镜观察到的结晶化了的电介质膜的照片。 

具体实施方式

以下是根据附图所表示的实施方式来说明本发明。 

〈薄膜电容器10〉 

图1是本发明的一个实施方式所涉及的薄膜电容器10的截面图。薄膜电容器10具备被层叠于支撑基板1表面的下部电极3、上部电极5以及被设置于下部电极3与上部电极5之间的电介质膜4。为提高支撑基板1与下部电极3的紧密附着性而可以将基底层2插入到支撑基板1与下部电极3之间。支撑基板1具有确保薄膜电容器10整体的机械强度的功能。 

对于薄膜电容器的形状来说并没有特别的限制，通常可以被制作成长方体形状。另外，对于其尺寸来说也没有特别的限制，厚度或者长度对应于用途如果做一些适当的尺寸调整即可。 

〈支撑基板1〉 

为了形成图1所表示的支撑基板1的材料没有特别的限定，能够由作为单结晶的Si单结晶、SiGe单结晶、GaAs单结晶、InP单结晶、SrTiO₃单结晶、MgO单结晶、LaAlO₃单结晶、ZrO₂单结晶、MgAl₂O₄ 单结晶、NdGaO₃单结晶；和作为陶瓷多结晶基板的Al₂O₃多结晶、ZnO₂多结晶、SiO₂多结晶；和Ni、Cu、Ti、W、Mo、Al、Pt等金属；以及这些的合金的基板等来形成支撑基板1，但是没有特别的限定。在这些材料中从低成本以及加工性的观点出发一般是将Si单结晶作为基板来使用。支撑基板1由于基板的材质而其电阻率有所不同。在将电阻率低的材料作为基板来使用的情况下，如果就那样使用，则流向基板侧的电流的泄漏将会影响到薄膜电容器10的电气特性。因此，也有的情况会对支撑基板1表面实施绝缘处理，并以使用时的电流不流向支撑基板1的形式进行设置。例如，在将Si单结晶作为支撑基板1来使用的情况下，使支撑基板1表面氧化并形成SiO₂绝缘层或者也可以将Al₂O₃、SiO₂、Si₃N_x等的绝缘物形成于支撑基板1表面，只要对支撑基板1保持绝缘，则绝缘层的材料或厚度就没有限定，优选绝缘层厚度为0.01μm以上。因为如果绝缘层厚度小于0.01μm，则不能够保持绝缘性，所以不能够优选作为绝缘层的厚度。 

支撑基板1的厚度如果能够确保薄膜电容器整体的机械强度，则没有特别的限定，例如可以被设定为10～5000μm。在小于10μm的情况下不能够确保机械强度，如果厚度超过了5000μm，则会产生所谓不能有助于电子部件的小型化的问题。 

〈基底层2〉 

在本发明中，图1所表示的薄膜电容器10优选在实施了绝缘处理的支撑基板1表面上具有基底层2。基底层2是以提高支撑基板1与下部电极3的紧密附着性为目的而被插入的。作为一个例子一般是在将Cu使用于下部电极3的情况下将Cr作为基底层2来进行插入，而在将Pt使用于下部电极3的情况下将Ti作为基底层2来进行插入。因为是以提高紧密附着性为目的，所以并不限定于所述材料，另外，如果能够保持支撑基板1与下部电极3的紧密附着性，则可以省略基底层2。 

〈下部电极3〉 

用于形成下部电极3的材料，只要具有导电性即可，例如能够由Pt、Ru、Rh、Pd、Ir、Au、Ag、Cu、Ni等的金属和这些的合金或者导 电性氧化物等来进行形成。因此，选择对应于成本或在对电介质层4实施热处理时的气氛的材料即可。电介质层4除了在大气中之外还能够用作为惰性气体的N₂或Ar、或者O₂、惰性气体和作为还原性气体H₂的混合气体来实行热处理。下部电极3的膜厚只要能够作为电极来起作用即可，优选为0.01μm以上。在小于0.01μm的情况下因为导电性变差所以不优选。另外，对于支撑基板1使用了作为电极能够使用的Cu和Ni以及Pt等或者氧化物导电性材料等的基板被利用的情况下，能够省略所述基底层2和下部电极3。 

也可以在形成下部电极3之后实行热处理来谋求提高基底层2与下部电极3的紧密附着性以及提高下部电极3的稳定性。在实行热处理的情况下，升温速度优选为10～2000℃/分，更加优选为100～1000℃/分。烧成时的保持温度优选为400～800℃，其保存时间优选为0.1～4小时。如果超过了上述范围，则会由于发生紧密附着性不良并且在下部电极3的表面产生凹凸，因此电介质层4的介电特性的容易发生降低。 

〈电介质膜4〉 

电介质膜4由本实施方式所涉及的非晶电介质膜所构成。电介质膜4为由将A-B-O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素。 

另外，在将电介质膜4的主要成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1；0≤y≤1；0≤z≤1；x+y+z＝1；x、y、z中至少任意两种为0.1以上，在将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。 

一般来说为人们所知的是非晶材料形成成为结晶核的簇(cluster)，通过热处理，其簇的长周期排列被形成并向结晶进行成长。在本实施方所涉及的组成范围中，设想(Ba_xCa_ySr_z)_αZrO₃包含于成为结晶核的簇内。另外，通过实行缩短与金属相结合的氧的距离、提高物质的熔点、提高破坏原子价数等从而就能够提高耐电压。在本实施方式中，因为通过使与氧相结合的Ba、Ca、Sr以及Zr混合于非晶电介质中，从而互相被压缩并且平均性地缩短金属元素与氧之间的距离，所以认为耐电压有所提高。因此，有必要制成将Ba、Ca以及Sr中的至少两种以上的第一氧化物和包含Zr的第二氧化物作为主成分的电介质膜4，并且其主成分为所述范围即可。 

在x、y、z中至少任意两种为小于0.1的情况下，互相压缩的效果弱并且耐电压降低。 

电介质膜4的特征为优选包含Zr元素的B进一步包含Ti元素，并且在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-(Ti_1-wZr_w)-O时，0.4≤w≤1。 

通过包含Zr元素的B进一步包含Ti元素并符合上述范围，从而就能够提高本实施方式的效果。 

电介质膜4的厚度优选为10～2000nm，更加优选为50～1000nm。如果厚度小于10nm，则容易发生绝缘被破坏，如果是在超过了2000nm的情况下，为了增大电容器的静电电容而有必要扩大电极面积，但是这样不能够有助于电子部件的小型化而不优选。关于电介质膜厚的测量，可以使用聚焦离子束加工装置(FIB)进行掘凿并用扫描型离子显微镜(SIM)等观察所获得的截面并测量长度。 

电介质膜4能够使用下述方法来形成：即真空蒸镀法、溅射法、脉冲激光蒸镀法(pulsed laser deposition：PLD法)、有机金属化学气相沉积法(metal organic chemical vapour deposition：MOCVD法)、金属有机物分解法(metal organic decomposition：MOD)、溶胶-凝胶法(sol-gel process)、化学溶液沉积(chemical solution deposition：CSD法)等各种薄膜形成法。形成时会有所使用的原料(蒸镀材料、各种目标材料和有机金属材料等)中包含微量杂质的情况，但只要是不会大幅度降低绝缘性的杂质，则不会有特别的问题。 

在形成电介质膜4之后，优选实行热处理。即使不实行热处理也不会失去本发明的效果，但是由于某些缺陷的影响而会使其效果降低。 

作为热处理条件，升温速度优选为10～2000℃/分，更加优选为100～1000℃/分。烧成时的保持温度优选为200～600℃，更加优选为300～600℃，其保持时间优选为0.1～4小时。如果超过了上述范围，则由于发生紧密附着性不良，另外在下部电极3表面或者在电介质层4表面发生凹凸，因此电介质层4的介电特性容易降低。 

另外，电介质层4通常只是由本发明的电介质膜所构成，但是也可以构成为与其他电介质膜的层叠构造。例如，为了调整电介质层4的阻抗或温度特性，而通过制成与现有的Si₃N_x、SiO_x、Al₂O_x、ZrO_x、 Ta₂O_x非晶电介质膜或结晶薄膜的层叠构造，从而能够以维持耐电压的状态来调整其他特性。 

〈上部电极5〉 

在本实施方式的一个例子中，薄膜电容器10在电介质膜4的表面具备作为薄膜电容器10的另一方的电极来且作用的上部电极5。用于形成上部电极5的材料如果具有导电性，则没有特别的限定，由与下部电极3相同的材料就能够形成上部电极5。上部电极5的膜厚只要能够作为电极来起作用即可，优选为0.01μm以上。在膜厚为0.01μm以下的情况下因为导电性变差，所以作为上部电极5不优选。 

在上述实施方式中，作为本发明所涉及的电子部件已例示了薄膜电容器，作为本发明所涉及的电子部件并不限定于薄膜电容器，例如也可以是平衡—不平衡转换器(balun)或耦合器、带通滤波器(band-pass filter)等、具有电介质膜的电子部件。 

实施例 

以下是进一步根据详细的实施例来说明本发明，但是本发明并不限定于这些实施例。 

〈实施例1〉〈比较例1〉 

首先，以成为20nm厚度的形式用溅射法将作为基底层的Ti薄膜形成于在350μm的Si表面上具备6μm的SiO₂绝缘膜的10mm×10mm方形的基板表面上。 

接着，以成为100nm厚度的形式用溅射法将作为下部电极的Pt薄膜形成于以以上所述方式形成的Ti薄膜上。 

相对于所形成的Ti/Pt薄膜以升温速度为400℃/分、保持温度为700℃、温度保持时间为30分钟、气氛为氧气气氛在常压下进行热处理。 

为了确认实行了热处理的试样表面的凹凸而使用AFM(Atomic Force Microscope)，从而确认到所有试样的下部电极表面的Ra(平均波高)为4nm以下，Rz(最大波高)为50nm以下，没有异常凹凸。测定点数为9点，每点的扫描范围为10μm×10μm。Ra被确认为9个Ra的平均值，Rz被确认为9个的最大Rz。 

在电介质膜的形成过程中所使用的是PLD法。电介质膜的形成所 必要的目标物是以以下所述形式进行制作的。 

首先，以表1所表示的试样No.1～21的Ba、Ca、Sr的量(x、y、z)以及那些元素的总量与Zr之比(α)成为表1所表示的值的形式秤量BaCO₃、CaCO₃、SrCO₃、ZrO₂，并准备原料。 

[表1] 

接着，将如以上所述准备好的原料和水以及φ2mm的氧化锆珠子投入到球磨机中并实行20小时的湿式混合，之后，在100℃下使混合粉末浆料干燥20小时。 

将相对于所获得的混合粉末成为10wt％的PVA(聚乙烯醇)放入到研钵，使用碾槌来制作造粒粉，之后，以厚度成为5mm左右的形式将造粒粉放入到φ200mm的模具中。接着，使用单轴压制机并获得成型体。成型条件分别是压力为2.0×10⁸Pa，温度为室温。之后，以下述条件对所获得的成型体实施脱胶粘剂处理以及烧成。 

脱胶粘剂处理条件分别是升温速度为25℃/小时，保持温度为400℃，温度保持时间为4小时，气氛为空气。 

烧成条件分别是升温速度为200℃/小时，保持温度为1200℃～1300℃，温度保持时间为4小时，气氛为空气。 

接着，以所获得的烧结体的厚度成为4mm的形式用圆筒研磨机进行两面研磨，由此获得用于形成电介质膜所必须的PLD用目标物。 

使用就这样获得的PLD用目标物，以电介质膜成为600nm的厚度的形式用PLD法将电介质膜形成于下部电极上。根据PLD法的成膜条件是将氧压调整到1×10^-2(Pa)并且对成膜时的基板不实行加热。另外，为了使下部电极的一部分露出而使用金属掩膜来形成电介质膜的一部分没有被成膜的区域。 

接着，对所形成的电介质膜，以升温时间600℃/分，保持温度500℃，温度保持时间10分钟，在空气中进行热处理。 

电介质膜厚的测量是通过使用聚焦离子束加工装置(FIB)进行掘凿并用扫描型离子显微镜(SIM)等观察所获得的截面并测量长度来测得的。 

关于成膜后的电介质膜的组成，使用XRF(X-ray Fluorescence Spectrometer)来对所有试样进行测定，从而确认成为表1～4所记载的组成。 

接着，为了将上部电极即Pt电极形成于所获得的上述电介质膜上，而使用溅射装置来进行成膜。通过使用以Pt电极的形状成为直径5mm以及厚度200nm的形式进行加工的金属掩膜来进行形成，从而制得图1所表示的构造的试样No.1～21。白金电极薄膜厚的测量也是通过使用聚焦离子束加工装置(FIB)进行掘凿并用扫描型离子显微镜(SIM)等观察所获得的截面并测量长度来测得的。 

分别由以下所示的方法来对所获得的所有薄膜电容器试样测定耐电压、相对介电常数、静电电容的温度特性。 

〈耐电压〉 

耐电压是相对于薄膜电容器试样将数字超高电阻/微电流表(ADVANTEST R8340)连接于下部电极露出的区域和上部电极并以5V/秒的步幅(step)施加电压来进行测量的，读取从初始电阻值降低2位数的时候的电压值，将被读取的值作为试样的破坏电压值(V)。将 用电介质膜厚来除所获得的破坏电压值(V)的数值作为耐电压(MV/cm)，并被记载于表1。耐电压越高越好，5MV/cm以上为良好。 

〈相对介电常数〉 

相对介电常数是根据相对于薄膜电容器试样在基准温度25℃下使用数字式LCR表(YHP公司制，4274A)并且在频率为1MHz，输入信号电平(测定电压)为0.1Vrms的条件下进行测定的静电电容和膜厚测定结果计算出来的(没有单位)。 

〈静电电容的温度特性TCC〉 

相对于薄膜电容器试样在-55、-25、-10、25、85、125℃的恒温箱中实行静电电容的测定。电容测定与相对介电常数计算时的条件相同，即在频率为1MHz，输入信号电平(测定电压)为0.1Vrms的条件下进行测定。在将基准温度控制在25℃的时候，评价相对于温度的温度特性系数是否在300ppm/℃以内。温度特性系数TCC(ppm/℃)是根据下式1进行计算的。但是，在式1中C₁₂₅是表示125℃温度条件下的静电电容(法拉：F)；C₂₅是表示25℃温度条件下的静电电容(F) 

TCC(1MHz)＝[(C₁₂₅-C₂₅)/C₂₅]×(1/100)    (1) 

〈电介质膜的非晶质确认〉 

对于薄膜电容器试样实行由X射线衍射(平行法)进行的测定和由Transmission Electron Microscope(TEM)进行的对电介质膜的观察，并判断是否非晶质。X射线衍射的X射线源是使用Cu-Kα线，其测定条件为电压45kV以及2θ＝20°～50°的范围。图2是表示所获得的衍射图形的一个例子。横轴为衍射角(2θ)，纵轴为强度。图2的下段是在将下部电极成膜于支撑基板上之后获得的衍射图形。中段是在将非晶电介质膜形成于下部电极上之后获得的衍射图形。上段是形成于下部电极上的(BaCaSr)(ZrTi)O₃结晶薄膜的一般的衍射图形。在相同材料进行结晶化的时候对于所有试样进行确认所获得的在22°附近和在31～32°附近以及在45°附近有无波峰。没有波峰的试样即为非晶质。 

进一步由TEM来实行电介质的观察，如图3以及图4所示确认有无晶格象(晶格条纹)。如图3所示的那样不能够确认晶格条纹的试样为非晶质。关于X射线衍射和TEM的结果都为非晶质的试样被判断为非晶电介质。这次制作的所有的试样为非晶电介质。 

试样No.1～15 

从表1能够确认到电介质膜是由将A-B-O作为主成分的非晶质组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，在x、y、z中的至少任意两种为0.1以上时，耐电压高并且相对介电常数和温度特性不会降低。 

试样No.16～18 

从表1可以确认到，在由将A-B-O作为主成分的非晶质组合物构成的电介质膜中，A为一个种类的情况下，不能够谋求耐电压的提高。 

试样No.19～21 

从表1可以了解到电介质膜是由将A-B-O作为主成分的非晶质组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，在x、y、z中的至少任意两种不在0.1以上的范围时，不能谋求到耐电压的提高。 

〈实施例2〉〈比较例2〉 

将Ba、Ca、Sr的量设定为x＝0.3；y＝0.35；z＝0.35，另外，以其总量与Zr、Ti的总量之比(α)成为表2所示的值的形式秤取BaCO₃、CaCO₃、SrCO₃、ZrO₂、TiO₂，制作目标物。除了目标物的组成之外其余均以与实施例1相同的方法来制作试样No.22～28的薄膜电容器试样，与实施例1相同对试样No.22～28实施评价。其结果被表示于表2中。 

[表2] 

试样No.22～26 

从表2可以确认到在Ba、Ca、Sr的总量与Zr、Ti的总量之比(α)为0.5≤α≤1.5的范围内的时候，耐电压高并且相对介电常数和温度特性不会降低。 

试样No.27～28 

从表2可以确认到在Ba、Ca、Sr的总量与Zr、Ti的总量之比(α)不处于0.5≤α≤1.5的范围内的情况下，不认定耐电压有所提高。 

〈实施例3〉〈比较例3〉 

以Zr与Ti之比(w)成为表3所示的值的形式秤取BaCO₃、CaCO₃、SrCO₃、ZrO₂、TiO₂，制作目标物。除了目标物的组成之外其余均以与实施例1相同地来制作试样No.29～32的薄膜电容器试样，与实施例1相同地实施评价。其结果被表示于表3中。 

[表3] 

试样No.29～32 

从表3可以了解到在由将A-B-O作为主成分的非晶质组合物构成的电介质膜中，含有Zr元素的B进一步包含Ti元素，在其含量在本发明优选范围内的情况下，相对介电常数和温度特性不会恶化，能够达到提高耐电压的效果。 

试样No.33 

从表3可以了解到在由将A-B-O作为主成分的非晶质组合物构成的电介质膜中，含有Zr元素的B进一步包含Ti元素，但是在其含量不处于本发明优选范围内的情况下，不能够达到提高耐电压的效果。 

试样No.34 

从表3可以了解到在由将A-B-O作为主成分的非晶质组合物构成的电介质膜中，在B中没含有Zr元素，在此情况下耐电压不会有所提高。 

〈实施例4〉 

除了用溅射法来对电介质膜进行成膜之外其余均以与实施例3的试样No.30相同的手法制作试样，并实行与实施例1相同的评价。其结果被表示于表4中。 

〈实施例5〉 

除了将电介质膜的成膜后的热处理的保持温度控制在200℃之外其余均以与实施例1相同的手法制作试样，并实行与实施例1相同的评价。其结果被表示于表4中。 

〈实施例6〉 

作为薄膜电容器的基板准备100μm厚的Cu箔。以表示Cu箔表面的凹凸的Ra为4nm以下并且Rz成为50nm以下的形式实行抛光研磨(buffing)。Cu箔表面的凹凸确认是用与实施例1相同的手法来实行的。在研磨后使用超声波清洗机，分别以在丙酮中乙醇中以及在超纯水中依次进行清洗。 

接着，在清洗后以与实施例1相同的手法对Cu箔实行电介质膜成膜。 

电介质膜的热处理中，设为惰性气体N₂和还原性气体H₂的混合气体并且氧分压成为10^-8Pa。升温速度、保持温度、保持时间与实施例1相同条件来制作，并实行与实施例1相同的评价。其结果被表示于表4中。 

〈实施例7〉 

除了将电介质膜厚度制作成400nm之外，其余均以与实施例1相同的手法制作试样，并且实行与实施例1相同的评价。其结果被表示于表4中。 

[表4] 

试样No.35～38 

从表4可以了解到电介质膜的制法(试样No.35)或电介质膜的热处理条件(试样No.36)、基板的种类(试样No.37)以及电介质膜厚(试样No.38)虽然不相同，但是电介质膜是由将A-B-O作为主成分的非晶质组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-B-O时，在x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，x、y、z中至少任意两种为0.1以上时，能够确认到耐电压增高并且相对介电常数和温度特性不会降低。 

产业上的利用可能性 

如以上所说明的那样本发明涉及非晶电介质膜以及电子部件，本发明可以不使电介质的相对介电常数和温度特性降低却能够提高耐电压。由此，对于使用电介质膜的电子部件来说能够谋求到小型化以及 高功能化。本发明例如相对于使用电介质膜的薄膜电容器和薄膜高频元件等能够广泛地提供新技术。 

符号说明 

1.支撑基板 

2.基底层 

3.下部电极 

4.电介质膜 

5.上部电极 

10.薄膜电容器。 

Claims (3)

1.一种非晶电介质膜，其特征在于：

是一种由将A-B-O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，x、y、z中的至少任意两种为0.1以上，

将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。

2.如权利要求1所述的非晶电介质膜，其特征在于：

包含Zr元素的B进一步包含Ti元素，并且在将所述电介质膜的主成分表示为(Ba_xCa_ySr_z)_α-(Ti_1-wZr_w)-O时，0.4≤w≤1。

3.一种电子部件，其特征在于：

具有权利要求1或者2所述的非晶电介质膜。