TWI586626B - 介電組成物及電子元件 - Google Patents
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Description
本發明係關於介電組成物及電子元件。
為了對應以智慧手機或平板電腦為代表的移動通信設備的進一步高速大容量通信化而開始同時使用多個頻帶的MIMO技術(Multi-Input Multi-Output)的實用化。每一個頻帶都個別需要高頻元件，如果使用於通信的頻帶增加，對於想依然維持設備尺寸而增加元件個數來說，將要求各個元件之進一步小型化及高功能化。
作為像這樣對應高頻的電子元件，例如有雙工器(diplexer)和帶通濾波器(band-pass filter)等。這些都是由用作電容器的介電體和用作電感器的磁性體的結合而構成的，不過為了得到良好的高頻特性，尋求抑制在高頻區域內的各自損耗。
如果著眼於介電體，則要求：(1)作為對小型化的要求的應對，為了減小電容器部的面積而要求相對介電常數(εr)高；(2)為了使頻率的選擇性良好而要求介電損耗低，即要求Q值高；(3)要求耐受電壓高等。
例如，作為在GHz帶內介電損耗低的代表性材料，可以列舉不定形SiNx膜。但是，由於相對介電常數(εr)低至6.5，
所以為了帶來目標的功能需要大的面積，並且難以應對小型化的要求。
在專利文獻1中，揭示有針對介電損耗低即Q值高的材料的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3的技術。這些是經過1500℃以上的熱處理而獲得的緻密燒結體，在10GHz下得到相對介電常數(εr)=24.7，Q=51000。
另外，在非專利文獻1中，藉由PLD法(脈衝雷射蒸鍍法)將Ba(Mg1/3Ta2/3)O3實施成膜，透過600℃的熱處理進行結晶化，在2.66GHz下獲得相對介電常數(εr)=33.3、tanδ=0.0158(若換算成Q值則Q=63.3)。
非專利文獻1：Jpn. J. Appl. Phys. vol. 42 (2003) pp. 7428-7431『Properties of Ba (Mg1/3Ta2/3) O3 Thin Films Prepared by Pulsed-Laser Deposition』
專利文獻1：日本專利特開平8-319162號公報
然而，因為專利文獻1的技術為燒結體並且為了獲得介電特性而需要足夠的體積，所以對於使用在對應高頻波的電子元件中來說尺寸過大；另一方面，已知如果為了謀求小型化而將專利文獻1的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3薄膜化，則難以獲得如現有燒結體中得到的高Q值。另外，非專利文獻1的技術中，作為薄膜雖然獲得了
相對介電常數(εr)=33.3、以Q值換算為63.3，但是對於在對應高頻波的電子元件中的使用來說，要求更高的Q值。
另外，專利文獻1以及非專利文獻1並沒有談及耐受電壓。
本發明係鑒於這樣的實際狀況而完成，目的在於提供一種介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件，該介電組成物即使是在小型化的情況下相對介電常數亦高、介電損耗小、即Q值高、進一步耐受電壓高。
為了達到上述目的，本發明所涉及的介電組成物的特徵在於：作為主成分含有由通式xAO-yBO-zC2O5(式中A表示選自Ba、Ca、Sr的至少一種元素，B表示Mg，C表示選自Nb、Ta的至少一種元素)所表示的複合氧化物，式中x、y、z的關係為x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.375。
透過控制為上述x、y、z的範圍，從而能夠獲得相對介電常數以及Q值高，進一步耐受電壓高的介電組成物。
另外，透過使用上述本發明所涉及的介電組成物，從而與習知被用於對應高頻波的電子元件的介電組成物相比，能夠提供一種即使在小型化的情況下亦能夠獲得足夠高的相對介電常數、且Q值高即表示高S/N比、進一步耐受電壓高的介電諧振器或介電濾波器等電子元件。
本發明可以提供一種介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件，該介電組成物即使是在小型化的情況下相對介電
常數亦高、介電損耗低即Q值高、進一步耐受電壓高。
1‧‧‧支撐基板
2‧‧‧基底層
3‧‧‧下部電極
4‧‧‧上部電極
5‧‧‧介電薄膜
10‧‧‧薄膜電容器
圖1是本發明之一實施形態所涉及的薄膜電容器的截面圖。
圖2是用SEM(掃描電子顯微鏡)觀察將基板加熱至200℃來成膜、本發明之一實施形態所涉及的介電組成物(實施例1)的表面之照片。
以下是根據不同情況參照附圖來對本發明的較佳實施形態進行說明。
圖1是作為使用了本發明之一實施形態所涉及的介電組成物之電子元件之一例的薄膜電容器10的截面圖。薄膜電容器10具備：積層於支撐基板1表面的下部電極3、上部電極4、以及設置於下部電極3與上部電極4之間的介電薄膜5。為了提高支撐基板1與下部電極3的緊密附著性而在支撐基板1與下部電極3之間配備基底層2。支撐基板1具有確保薄膜電容器10整體的機械強度之功能。
對於薄膜電容器的形狀並無特別的限制，通常被做成長方體形狀。另外，對其尺寸也沒有特別的限制，厚度或長度可以根據用途而做成適當的尺寸。
用於形成圖1所示的支撐基板1的材料並無特別限定，可以由
作為單晶的Si單晶、SiGe單晶、GaAs單晶、InP單晶、SrTiO3單晶、MgO單晶、LaAlO3單晶、ZrO2單晶、MgAl2O4單晶、NdGaO3單晶；作為陶瓷多晶基板的Al2O3多晶、ZnO多晶、SiO2多晶；Ni、Cu、Ti、W、Mo、Al、Pt等金屬或它們的合金的基板等來形成支撐基板1，但並無特別的限定。這些材料中，從低成本以及加工性的觀點而言，通常使用Si單晶作為基板。支撐基板1根據基板的材質不同其電阻率會有所不同。在將電阻率低的材料作為基板使用的情況下，如果直接使用則流向基板側的電流漏電會影響到薄膜電容器10的電特性。因此，也有對支撐基板1的表面實施絕緣處理，以使使用時的電流不流向支撐基板1。例如，在將Si單晶作為支撐基板1使用的情況下，可以使支撐基板1表面氧化並形成SiO2絕緣層，或也可以將Al2O3、SiO2、Si3Nx等絕緣物形成於支撐基板1的表面，只要能夠保持對支撐基板1的絕緣，其絕緣層的材料或膜厚都沒有限定，較佳為0.01μm以上。因為在小於0.01μm的情況下不能保持絕緣性，因此作為絕緣層的厚度不佳。支撐基板1的厚度只要能夠確保薄膜電容器整體的機械強度則沒有特別的限定，例如可以被設定為10μm~5000μm。在小於10μm的情況下不能夠確保機械強度，若超過5000μm則有可能產生所謂不利於電子元件小型化的問題。
在本實施形態中，圖1所示的薄膜電容器10較佳為在實施了絕緣處理的支撐基板1表面上具有基底層2。基底層2是以提高支撐基板1與下部電極3的緊密附著性為目的而被插入的。作為一
例，在將Cu用於下部電極3的情況下，通常是插入Cr作為基底層2；在將Pt用於下部電極3的情況下，通常是插入Ti作為基底層2。
由於是以提高緊密附著性為目的，所以對上述材料並沒有限定；另外，只要能夠保持支撐基板1與下部電極3的緊密附著性則也可以省略基底層2。
用於形成下部電極3的材料只要具有導電性即可，例如可以由Pt、Ru、Rh、Pd、Ir、Au、Ag、Cu、Ni等的金屬或它們的合金或者導電性氧化物等來形成。因此，可以選擇對應成本或者對介電層4實施熱處理時的環境之材料。介電層4除了在大氣中之外還可以在作為惰性氣體的N2或Ar、或者在惰性氣體與氧化性氣體O2的混合氣體中、或者在惰性氣體與還原性氣體H2的混合氣體中進行熱處理。下部電極3的膜厚只要能夠作為電極發揮功能即可，較佳為0.01μm以上。在其小於0.01μm的情況下，導電性會變差，因而不佳。另外，在將使用了能夠用作電極的Cu或Ni、Pt等或氧化物導電性材料等的基板使用於支撐基板1的情況下，可以省略上述基底層2和下部電極3。
也可以在形成下部電極3之後進行熱處理，並謀求基底層2與下部電極3的緊密附著性的提高以及下部電極3的穩定性的提高。在進行熱處理的情況下，升溫速度較佳為10℃/分~2000℃/分，更佳為100℃/分~1000℃/分。熱處理時的保持溫度較佳為400℃~800℃，其保持時間較佳為0.1小時~4.0小時。如果超過上述範圍，則由於緊密附著不良的發生、在下部電極3的表面上產生
凹凸，從而容易發生介電薄膜5的介電特性的降低。
構成介電薄膜5的介電組成物含有以通式xAO-yBO-zC2O5(A表示選自Ba、Ca、Sr中的至少一種的元素，B表示Mg，C表示選自Nb、Ta中的至少一種的元素)所表示的複合氧化物作為主成分。
另外，在將介電組成物的主成分表示為xAO-yBO-zC2O5時，x、y、z的關係為x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.375。
本發明人等認為在維持高Q值的情況下也能夠獲得相對介電常數比單純的MgO為高的效果的主要原因如下：通常已知結晶的對稱性良好的MgO具有高Q值，但是由於其對稱性不能獲得充分的電介質極化，不能夠獲得較高的相對介電常數。透過添加上述A以及C所表示的元素，從而MgO的一部分成為鈣鈦礦型的A2+(B’2+ 1/3B”5+ 2/3)O3，因此在維持高Q值的情況下相對介電常數也變得比單純的MgO高。
另外，認為由於O的2p軌道和Mg的3s軌道的最外層原子軌道的能級之差大，所以透過較多地含有MgO而難以引發電子激發，使得作為代表性破壞模式即電子突崩(electron avalanche)變得難以發生的效果被提高，並且耐受電壓變高。
如果x超過0.281，則過剩的BaO與大氣中的H2O或CO2反應並生成Ba(OH)2或BaCO3，並且不能得到充分的Q值。如果y小於0.625，則不能獲得充分的Q值。如果z超過0.375，則過剩的Ta2O5容易引起氧缺陷，從而半導體化，並且有介電損耗變大
即Q值變低的傾向。通過將x、y、z的範圍控制在x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.375，從而能夠兼顧高的相對介電常數和高Q值、高耐受電壓。
進一步，在上述通式中，x、y、z的關係較佳為x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.125。
透過將x、y、z控制在上述範圍，MgO的一部分成為鈣鈦礦型的A2+(B’2+ 1/3B”5+ 2/3)O3，並且透過較多地包含帶隙能量(bandgap energy)大的MgO，從而有在維持高耐受電壓的情況下還進一步容易獲得更高Q值的效果。
A為選自Ba、Ca、Sr中的至少一種元素。使用Ba、Ca、Sr中的一種或透過含有多種來使用都能夠獲得同樣的效果。另外，B為Mg，C為選自Nb、Ta中的至少一種的元素。關於這些元素，使用一種或透過含有多種來使用都能夠獲得同樣的效果。
介電薄膜5的厚度較佳為10nm~2000nm，更佳為50nm~1000nm。在小於10nm的情況下容易發生破壞絕緣性，在超過2000nm的情況下，為了增大電容器的靜電容量有必要擴大電極面積，並且有可能由於電子元件的設計而難以小型化。介電薄膜厚度的測量可以用FIB(聚焦離子束)加工裝置來進行磨削並用SIM(掃描離子顯微鏡)等來觀察測量所獲得的截面的長度。
介電薄膜5較佳係使用真空蒸鍍法、濺射法、PLD(脈衝雷射蒸鍍法)、MO-CVD(金屬有機化學氣相沉積法)、MOD(金屬有機分解法)或溶膠-凝膠法、CSD(化學溶液沉積法)等各種薄膜形成法來形成。此時，有可能在所使用的原料(蒸鍍材料、各種靶材或有機金屬材料等)中含有微量的雜質或副成分，但只要不是使絕緣
性大幅度降低的雜質就不會有特別的問題。
只要不大幅度降低作為本發明的效果的介電特性，即，相對介電常數或Q值、耐受電壓，則介電組成物另外可以含有的微少的雜質或副成分。因此，剩餘部分的主成分的含量沒有特別的限定，例如相對於含有上述主成分的介電組成物整體為50mol%以上且為100mol%以下。
另外，介電薄膜5通常僅由本發明的介電組成物構成，也可以是與其它介電組成物的膜相結合的積層結構。例如，可以透過做成現有的Si3Nx、SiOx、Al2Ox、ZrOx、Ta2Ox等非晶質介電薄膜或與結晶膜的積層結構，從而調整介電薄膜5的阻抗或相對介電常數的溫度變化率。
在本實施形態的一例中，薄膜電容器10在介電薄膜5的表面上具備作為薄膜電容器10的另一個電極而發揮作用的上部電極4。用於形成上部電極4的材料只要具有導電性則沒有特別限定，可以由與下部電極3相同的材料來形成上部電極4。上部電極4的膜厚只要能夠作為電極發揮作用即可，較佳為10nm以上。在膜厚為10nm以下的情況下導電性易發生惡化，所以作為上部電極4不佳。
在上述的實施形態中，例示了作為使用本發明的一個實施形態所涉及之介電組成物的電子元件之一例的薄膜電容器，作為使用了本發明所涉及的介電組成物的電子元件，不限定於薄膜電容器，例如雙工器(diplexer)、帶通濾波器、平衡-不平衡轉換器(balun)
或耦合器等，只要是具有介電薄膜的電子元件則哪一種都可以。
以下進一步基於詳細的實施例來說明本發明，但是本發明並不限定於這些實施例。
首先，在350μm厚的10mm×10mm正方形支撐基板表面上用濺射法形成作為基底層的Ti薄膜至成為20nm的厚度，其中，在上述支撐基板中，在Si表面上具備有6μm厚的SiO2絕緣膜。
接著，用濺射法在上述形成的Ti薄膜上形成作為下部電極的Pt薄膜至成為100nm的厚度。
相對於所形成的Ti/Pt薄膜，在升溫速度為400℃/分、保持溫度為700℃、溫度保持時間為30分鐘、環境為氧環境且為常壓下進行熱處理。
在介電薄膜的形成中使用了PLD法。介電薄膜的形成所需要的靶材按照以下方式製作。
首先，秤取MgO、Ta2O5直至成為表1所示的樣品No.1~樣品No.9以及樣品No.11~樣品No.14的Mg、Ta的量，將稱量好的原料粉末和水以及 2mm的ZrO2珠投入到1L廣口塑膠缽中並進行20小時的濕式混合。之後，於100℃溫度條件下將混合粉末漿料乾燥20小時，將所獲得的混合粉末加入到Al2O3坩堝中，以在大氣中1250℃的溫度保持5小時的燒成條件實行1次煅燒，獲得了MgO-Ta2O5煅燒粉末。
接著，秤取所獲得的MgO-Ta2O5煅燒粉末和BaCO3
以成為表1所示的樣品No.1~樣品No.14的比例，將稱量好的原料粉末、水以及 2mm的ZrO2珠投入到1L廣口塑膠缽中並進行20小時的濕式混合。之後，於100℃下將混合粉末漿料乾燥20小時，將所獲得的混合粉末加入到Al2O3坩堝中，以在大氣中1050℃下保持5小時的燒成條件進行2次煅燒，並獲得BaO-MgO-Ta2O5煅燒粉末。
不含Mg的BaO-Ta2O5系化合物會阻礙作為目的產物的BaO-MgO-Ta2O5的生成，但透過這樣進行2個階段的煅燒就能夠抑制BaO-Ta2O5系化合物生成。
將所獲得的煅燒粉末加入到研缽中，作為膠黏劑添加濃度為6wt%的PVA(聚乙烯醇)水溶液至相對於煅燒粉末成為4wt%，在使用研杵來製作造粒粉之後將造粒粉加入到 20mm的模具中至厚度成為5mm左右。接著，使用單軸擠壓機並製得成型體。成型條件設為壓力為2.0×108Pa；溫度為室溫。
之後，在將升溫速度設為100℃/小時；保持溫度設為400℃；溫度保持時間設為4小時；環境為常壓的大氣中對得到的成型體進行脫膠黏劑處理後，將升溫速度設為200℃/小時；保持溫度設為1600℃~1700℃；溫度保持時間設為12小時；在環境為常壓的大氣中進行燒成。
接著，用圓筒研磨機研磨兩面至所獲得的燒結體的厚度成為4mm，並得到為形成介電薄膜所需的PLD用靶材。
使用如此得到的PLD用靶材，用PLD法在下部電極上形成介電薄膜至厚度成為400nm。透過PLD法進行成膜的條件為：將氧壓控制在1×10-1(Pa)，並將基板加熱到200℃。另外，為了
使下部電極的一部分露出而使用金屬遮罩以形成一部分沒有介電薄膜成膜的區域。在O2大氣條件下以600℃對上述介電薄膜進行1小時的退火處理。
介電薄膜厚的測量是透過用FIB進行磨削並用SIM觀察所獲得的截面來進行長度測量。
針對所有樣品，按下述所示的方法進行組成分析並確認成膜後的介電薄膜是表1所記載的組成。
組成分析是在室溫下使用波長色散X射線螢光光譜法(Rigaku公司製ZSX-100e)來進行。
接著，使用蒸鍍裝置在所得到的上述介電薄膜上形成作為上部電極的Ag薄膜。透過使用金屬遮罩使上部電極的形狀成形至直徑成為100μm以及厚度成為100nm，從而獲得圖1所示結構的樣品No.1~樣品No.14。
針對所獲得的所有薄膜電容器樣品分別透過下述所示的方法進行相對介電常數、Q值以及耐受電壓的測定。
相對介電常數(εr)以及Q值是由針對薄膜電容器樣品在基準溫度25℃下用RF阻抗/材料分析儀(Agilent公司製4991A)在頻率為2GHz以及輸入信號水平(測定電壓)為0.5Vrms的條件下測定的靜電容量和膜厚測定結果計算得到的(無單位)。相對介電常數越高越好，10以上為良好。另外，Q值越高越好，650以上為良好。
耐受電壓是相對於薄膜電容器樣品，將數位超高電阻/微電流錶(ADVANTEST R8340)連接於下部電極露出的區域和上部電極，以5V/秒的階梯式施加電壓並進行測量，讀取從初始電阻值降低兩個數量級時的電壓值，並讀取該值作為樣品的破壞電壓值(V)。將用電介質膜厚除所獲得的破壞電壓值(V)所得到的數值設定為耐受電壓(kV/μm)並記載於表1中。耐受電壓越高越好，0.5kV/μm以上為良好。
樣品No.1~樣品No.9與圖2所表示的情況相同，在表面上沒有發現龜裂等缺陷。根據表1，能夠確認：介電組成物為以BaO-MgO-Ta2O5作為主成分的介電組成物，在將上述介電組成物的主成分表示為xBaO-yMgO-zTa2O5時，x、y、z的關係為
x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.375的樣品No.1~樣品No.9的相對介電常數為10以上，Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。
根據表1，能夠確認：在將介電薄膜的主成分表示為xBaO-yMgO-zTa2O5時，x、y、z的關係為x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.125的樣品No.1、樣品No.2、樣品No.6、樣品No.8、樣品No.9的相對介電常數為10以上，Q值為850以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。這樣，能夠確認透過限定z的範圍，從而在維持相對介電常數以及耐受電壓的情況下進一步提高Q值。
x>0.281的樣品No.10因為龜裂所以不能評價介電特性。樣品No.11~樣品No.14與圖2所表示的情況相同在表面上沒有發現龜裂等缺陷。能夠確認y<0.625的樣品No.11~樣品No.14的耐受電壓小於0.5kV/μm。
秤取BaCO3、CaCO3、SrCO3、MgO、Ta2O5至Ba、Ca、Sr、Mg、Ta的量成為表2所示的值，透過1次煅燒獲得MgO-Ta2O5煅燒粉末，透過2次煅燒分別獲得CaO-MgO-Ta2O5(樣品No.15)、SrO-MgO-Ta2O5(樣品No.16)、(Ba-Ca)O-MgO-Ta2O5(樣品No.17)、
(Ca-Sr)O-MgO-Ta2O5(樣品No.18)、(Sr-Ba)O-MgO-Ta2O5(樣品No.19)、(Ba-Ca-Sr)O-MgO-Ta2O5(樣品No.20)的煅燒粉末。除了組成之外其它均以與實施例1同樣的方法製作靶材，並分別製作了樣品No.15~樣品No.20的薄膜電容器樣品。將進行了與實施例1相同的評價的結果示於表2中。
樣品No.15~樣品No.20與圖2所示的情況同樣地在表面上沒有發現龜裂等缺陷。根據表2，可以確認：介電組成物為以AO-MgO-Ta2O5作為主成分的介電組成物，且A含有選自Ba、Ca、Sr中至少一種的樣品No.9、樣品No.15~樣品No.20皆顯示基本相同的特性，相對介電常數為10以上，Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。
秤取BaCO3、MgO、Ta2O5、Nb2O5至Ba、Mg、Ta、Nb的量成為表3所示的值，透過1次煅燒分別得到MgO-Nb2O5(樣品
No.21)、MgO-(Ta-Nb)2O5(樣品No.22)的煅燒粉末，透過2次煅燒分別得到BaO-MgO-Nb2O5(樣品No.21)、BaO-MgO-(Ta-Nb)2O5(樣品No.22)的煅燒粉末。除了組成之外其餘均以與實施例1同樣的方法製作靶材，並分別製作了樣品No.21以及樣品No.22的薄膜電容器樣品。將進行了與實施例1同樣評價的結果示於表3中。
樣品No.21、樣品No.22與圖2所示的情況同樣地在表面上沒有發現龜裂等缺陷。根據表3，能夠確認：介電組成物為以BaO-MgO-C2O5作為主成分的介電組成物，且C含有選自Nb、Ta中至少一種的樣品No.9、樣品No.21、樣品No.22顯示基本相同的特性，相對介電常數為10以上，Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。
秤取BaCO3、CaCO3、SrCO3、MgO、Ta2O5、Nb2O5至Ba、Ca、Sr、Mg、Ta、Nb的量成為表4所示的值，透過1次煅燒分別得到MgO-(Ta-Nb)2O5(樣品No.23~樣品No.26)的煅燒粉末，透過2次煅燒分別得到(Ba-Ca)O-(Mg)O-(Ta-Nb)2O5(樣品No.23)、
(Ca-Sr)O-(Mg)O-(Ta-Nb)2O5(樣品No.24)、(Sr-Ba)O-(Mg)O-(Ta-Nb)2O5(樣品No.25)、(Ba-Ca-Sr)O-(Mg)O-(Ta-Nb)2O5(樣品No.26)的煅燒粉末。除了組成之外其餘均以與實施例1同樣的方法製作靶材，並分別製作了樣品No.23~樣品No.26的薄膜電容器樣品。將進行了與實施例1同樣評價的結果示於表4中。
樣品No.23~樣品No.26與圖2所示的情況相同地在表面上沒有發現龜裂等缺陷。根據表4能夠確認：介電組成物為以AO-BO-C2O5作為主成分的介電組成物，A含有選自Ba、Ca、Sr中的至少一種的元素，B為Mg且C含有選自Nb、Ta中至少一種的元素的樣品No.23~樣品No.26顯示基本相同的特性，相對介電常數為10以上、Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。
除了用濺射法來使介電薄膜成膜之外，其餘均以與實施例1的樣品No.9相同的方法製作樣品，並且進行了與實施例1同樣的評價。結果示於表5中。
除了將介電薄膜厚度做至800nm之外，其餘均以與實施例1的樣品No.9相同的手法製作樣品，並進行了與實施例1相同的評價。將評價結果示於表5中。
樣品No.27以及樣品No.28與圖2所表示的情況相同地在表面上沒有發現龜裂等缺陷。根據表5能夠確認：即使介電薄膜的製法(樣品No.27)或介電薄膜厚度(樣品No.28)不同，透過使用本實施形態的介電薄膜從而使相對介電常數為10以上、Q值為650以上且耐受電壓為0.5kV/μm以上。
正如以上所說明的那般，本發明涉及介電組成物及電子元件，且提供一種介電組成物以及使用了該介電組成物的電子元件，該介電組成物即使進行小型化相對介電常數亦高，介電損耗小，即Q值高，進一步耐受電壓高。藉此，在使用介電組成物的電子元件中，能夠謀求其小型化以及高功能化。本發明能對於例如使用介電薄膜的雙工器(diplexer)或帶通濾波器等薄膜高頻元件等廣
泛地提供新技術。
1‧‧‧支撐基板
2‧‧‧基底層
3‧‧‧下部電極
4‧‧‧上部電極
5‧‧‧介電薄膜
10‧‧‧薄膜電容器
Claims (3)
- 一種介電組成物，其特徵在於：作為主成分包含由通式xAO-yBO-zC2O5表示的複合氧化物，式中，A表示選自Ba、Ca、Sr中的至少一種元素；B表示Mg；C表示選自Nb、Ta中的至少一種元素，x、y、z的關係為：x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.375。
- 如請求項1之介電組成物，其中，作為主成分包含上述通式中的x、y、z的關係如下的複合氧化物：x+y+z=1.000；0.000<x≦0.281；0.625≦y<1.000；0.000<z≦0.125。
- 一種電子元件，其中，具有請求項1或2之介電組成物。
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