CN104205380B - 具有改善的电接触件的光发射器组件和方法 - Google Patents

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Abstract

公开了具有改善的电接触件和相关方法的光发射器组件和方法。在一个实施方式中，光发射器组件可以包括基台、基台上的至少一个光发射器芯片和沿着基台的至少三个外表面的部分设置的至少一个电接触件。至少一个电接触件可以电连接至至少一个光发射器芯片。

Description

具有改善的电接触件的光发射器组件和方法
相关申请的交叉引用
本申请涉及2012年3月30日提交的美国临时专利申请第61/618,327号和2012年5月4日提交的美国临时专利申请第61/642,995号并要求其优先权。本申请还涉及2013年3月13日提交的美国专利申请第13/800,260号并且要求其优先权。这些参考文献中每篇的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本文所公开的主题大体涉及光发射器组件和方法。更具体地，本文所公开的主题涉及具有被配置为在组件基台的外侧部分上延伸的改善的电接触件的发光二极管(LED)组件和方法。
背景技术
发光二极管(LED)或者LED芯片是将电能转换为光的固态元件。可以在光发射器组件中利用LED芯片提供对各种照明和光电子应用有用的不同颜色和图案的光。例如，光发射器组件可被用于各种LED照明灯泡和照明器具应用中并且被开发作为白炽的、荧光的及金属卤化物高强度排出(HID)照明应用的替换。
常规的光发射器组件利用装配在塑料的、金属的、或者陶瓷的基板或者基台上的一个或多个LED芯片。在常规设计中，LED芯片可以以引线框架(例如，“引线”)的形式从电接触件接收电信号或者电流，引线框架通过将引线的至少一部分模铸在基台的主体内来至少部分地嵌入基台内。在其他方面，设置在基台上表面上的电接触件通过使电流经过一个或多个内部导电通孔或者过孔与基台底部表面上的电接触件电连通。将电接触件嵌入基台内和/或在基台内部电连接触头会导致组件的加工时间以及成本增加。
因此，尽管市场中的各种光发射器组件可用，但是仍然需要用于具有可以快速、高效生产的改善的电接触件的发射器组件和方法。在一个方面，期望被配置为在组件基台的外侧或者表面的部分上包裹的和/或在组件基台的外侧面或者表面的部分上延伸并且覆盖的改善的电接触件。
发明内容
根据本公开内容，在本文提供和描述了具有改善的电接触件的光发射器组件和方法。本文描述的组件和方法可以有利地呈现改善的加工时间、易于制造和/或较低的加工成本。另外，改善的接触件可以被配置为覆盖一个或多个外表面或者外侧，一个或多个外表面或者外侧可以有利地沿着多于一个侧面与期望的多于一个组件电和/或热连接。本文描述的组件可以最适合用于诸如个人的、工业的、和商业的包括，例如，照明灯泡和照明器具产品和/或应用的照明应用的各种应用。因此，本公开内容的目的是提供具有改善的电接触件的光发射器组件和方法，在一个方面，通过利用完全在基台的外部的电接触件，使得基台需要进行最小的加工。
可从本文的公开内容变得显而易见的本公开的这些目标和其他目标至少全部或部分地通过本文所公开的主题内容来实现。
附图说明
参照附图，在说明书的其余部分中更加具体地阐述包括对本领域普通技术人员为最佳模式的本主题的全部和实现的公开内容，其中：
图1和图2是根据本文的公开内容的光发射器组件的截面图；
图3是根据本文的公开内容的光发射器组件的顶视图；
图4A至图4C是根据本文的公开内容的光发射器组件的另一实施方式的侧视图；
图5A和图5B分别是根据本文的公开内容的光发射器组件的又一实施方式的顶视图和侧视图；
图6A和图6B分别是根据本文的公开内容的光发射器组件的又一实施方式的顶视图和侧视图；以及
图7A和图7B是根据本文的公开内容的光发射器组件的又一实施方式的截面图。
具体实施方式
本文公开的主题涉及具有改善的性能、易于制造、节约成本和改善的电触头的诸如发光二极管(LED)组件的光发射器组件和方法。在一个方面，提供新颖的表面贴装设备(SMD)组件。组件可以有利地包括利用连接至外部的“引线”的背或者侧电接触部或者上接触部和下接触部的新颖的电接触件。特别地，背或者侧接触部可以设置在(例如，沿着外侧面的一部分)的基台的外部。可以通过暴露穿孔或者通孔(例如，通过穿孔或者通孔锯切或者裁剪)电镀或者创建侧接触部。此处描述的组件可以包括非金属基台材料，即基本上透明的和基本上不吸收一个或多个LED芯片发出的光。将详细参考本文的主题的可能方面或实施方式，图中示出其一个或多个示例。提供每个示例来解释主题而不是作为限制。事实上，作为一种实施方式的一部分所示出或描述的特征可用于另一种实施方式以产生又一种实施方式。本文中所公开和预见的主题旨在覆盖这些修改和变更。
如在各个附图中所示出的，出于说明性的目的，相对于其他结构或部分放大了某些结构或部分的尺寸，并且因此，某些结构或部分的尺寸被设置为示出本主题的整体结构。而且，参考形成在其他结构、部分或两者中的结构或部分描述了本主题的各个方面。本领域技术人员将认识到，参考形成在另一结构或部分“上”或“上方”的结构预期另外的结构、中间部分或这两者可以插入。参考形成在另一结构或部分上的结构而没有插入结构或部分在本公开中被描述为“直接”形成在该结构或部分“上”。同样，将认识到，当元件被称为“连接”、“附接”或“耦接”至另一元件时，其可直接连接、附接或耦接至另一元件，或者可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”、“直接附接”或者“直接耦接”至另一元件时，则不存在中间元件。
而且，在本文使用诸如“在…上”、“在…上方”、“上部”、“顶部”、“下部”或“底部”等的相对术语来描述如图中所示的一个结构或部分与另一结构或部分的关系。应当理解，诸如“在…上”、“在…上方”、“上部”、“顶部”、“下部”或“底部”等的相对术语旨在包括除图中所描绘的方位之外的组件的不同方位。例如，如果将图中的组件翻转，则被描述为在其他结构或部分“上方”的结构或部分将被定位在其他结构或部分“下方”。同样，如果图中的组件沿着轴旋转，则被描述为在其他结构或部分“上方”的结构或部分将被定位成“毗邻”其他结构或部分或者在其他结构或部分的“左侧”。类似的标号在全文中指代类似的元件。
除非具体描述缺少一个或多个元件，否则本文所使用的术语“包含(comprising)”，“包括(including)”和“具有(having)”应被解释为不排除存在一个或多个元件的开放式术语。
如本文使用的，术语“通孔(through-hole)”、“通孔(thru-hole)”、和/或“过孔(via)”是同义的并且指常常填满允许不同层或者组件的特征之间的导电连接的导电材料的基台中的小的开口。术语“暴露”穿孔或者过孔是指锯切、裁剪、切块、蚀刻、揭开、位移、或其他使得设置在过孔内部的金属设置在基台的外部表面上。因此，导电材料将被“暴露”为组件、或组件基台的外部、外部表面的外面和/或沿着组件、或组件基台的外部、外部表面。
如本文使用的，术语“电接触”、“引线”和/或“引线框架”是同义的并且是指可以使电流，例如，通过配线接合法、通过芯片连接或者本领域已知的其他方法进入LED芯片的导电性构件或元件。
如同本文使用，“陶瓷基材料”或者术语“陶瓷基”包括主要由陶瓷材料组成的材料，诸如由金属或者非金属化合物制成的无机的、非金属材料和非金属(例如，氮化铝、氧化铝、氧化铍、碳化硅)。“非陶瓷基材料”由主要的金属材料、主要的有机(例如，聚合)材料和/或可以配制或者模制的主要的合成或者半合成有机固体(例如，塑料)组成。
根据本文描述的实施方式的光发射器组件可以包括基于第III-V族氮化物(例如，氮化镓(GaN))基的LED芯片或者激光。LED芯片和激光的制作是通常已知的并且仅简要地在本文描述。可以在生长基板例如，碳化硅(SiC)基板，诸如美国北卡罗来纳州的达拉谟的Cree公司制造并且销售的那些设备上制作LED芯片或者激光。本文也预期其他生长基板，例如，但不限于蓝宝石、硅(Si)和GaN。在一个方面，SiC基板/层可以是4H多型碳化硅基板/层。然而，可使用诸如3C、6H和15R多型的其他SiC备选多型体。可以从美国北卡罗来纳州的达拉谟的Cree公司中获得适当的SiC基板，本主题的代理人和用于生产该基板的方法在科学文献以及大量的通常选定的美国专利中阐述，包括但不限于美国专利第Re.34,861号；美国专利第4,946,547号；和美国专利第5,200,022号，通过引用将其全部内容结合于此。本文预期了任何其他合适的生长基板。
如在本文使用的，术语“第III族氮化物”是指氮与通常为铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)的周期表的第III族中的一个或多个元素之间构成的半导体化合物。术语还指诸如GaN、AlGaN和AlInGaN的二元、三元和四元化合物。第III族元素可与氮结合以形成二元化合物(例如，GaN)、三元化合物(例如，AlGaN)和四元化合物(例如，AlInGaN)。这些化合物可具有其中一摩尔的氮与总共一摩尔的第III族元素结合的经验式。因此，诸如AlxGa1-xN(其中，1>x>0)的化学式通常用于描述这些化合物。用于第III族氮化物的外延生长(epitaxialgrowth)的技术已经得到合理的开发并且在适当的科学文献中进行了报道。
虽然本文公开的LED芯片的各种实施方式可以包括生长基板，但是本领域技术人员将理解，可以去除包括LED芯片的外延层生长的晶体外延生长基板，并且独立式的外延层可以装配在替换载体基板上或者可以具有与原始基板不同的热、电、结构和/或光学特性的基板上。本文所描述的主题不限于具有晶体外延生长基板的结构并且可与其中外延层已经从它们的原始生长基板移除并且粘结至替代载体基板的结构结合使用。
根据本主题的一些实施方式的基于LED芯片的第III族氮化物，例如能够制造在生长基板(例如，硅、SiC、或蓝宝石基板)上，以提供水平设备(在LED芯片相同侧上具有至少两个电触点)或者垂直设备(在LED芯片的相对侧上具有电接触)。而且，在制作或移除之后(例如，通过蚀刻、磨削(grinding)、抛光等)，生长基板可保持在LED上。例如，可移除生长基板，以减小所产生的LED芯片的厚度和/或减少通过垂直LED芯片的正向电压(forwardvoltage)。例如，水平设备(有或无生长基板)可以是被结合(例如，使用焊料)至或配线结合至载体基板或印刷电路板(PCB)倒装芯片。垂直设备(有或无生长基板)可以具有粘结至载体基板、装配垫或者PCB的第一端子(例如，阳极或者阴极)焊料和配线结合至载体基板、电气元件或者PCB的第二端子(例如，相对的阳极或者阴极)。通过举例的方式，在Bergmann等的美国公开第2008/0258130号和Edmond等2010年9月7日发布的美国公开第7,791,061号()等中讨论了垂直和水平LED芯片结构的示例，通过引用将将其全部内容结合于此。
一种或多种LED芯片能够至少部分地涂覆一种或多种荧光体。荧光体能够吸收部分LED芯片光并且发出不同波长的光，从而，光发射器组件发出来自LED芯片和荧光体的每一个的光的组合。在一个实施方式中，光发射器组件发射被感知为从LED芯片和荧光体发射光的组合产生的白色光。在根据本主题的一个实施方式中，白色发光组件可以由发射蓝色波长谱的光的LED芯片和吸收一些蓝光并且再次发射黄色波长谱的光的荧光体组成。因此，组件可以发射蓝色和黄色光的白色光组合。在其他实施方式中，LED芯片发射如美国专利第7,213,940号中描写的蓝色和黄色光的非白色光组合。本文还预期发出红色光的LED芯片或者被吸收LED光和发射红色光的荧光体覆盖的LED芯片。
可使用多种不同的方法来利用荧光粉涂覆LED芯片，一种合适的方法在题为“Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated Utilizing Method”的美国专利申请序号第11/656,759和11/899,790中进行了描述，通过引用将其全部内容结合于此。在2011年11月15日发布的题为“Phosphor Coating Systems and Methods forLight Emitting Structures and Packaged Light Emitting Diodes IncludingPhosphor Coating”的美国专利第8,058,088号和题为“Systems and Methods forApplication of Optical Materials to Optical Elements”的部分继续申请美国专利序列号第12/717,048中描述用于涂敷一个或多个LED芯片的其他合适的方法，通过引用将其公开内容的全部合并于此。也可使用诸如电泳沉积(EPD)的其他方法涂覆LED芯片，利用在题为“Close Loop Electrophoretic Deposition of Semiconductor Devices”的美国专利申请序列号第11/473,089中描述了合适的EPD方法，通过引用将其全部内容结合于此。应理解，根据本主题的光发射器组件和方法也可具有不同颜色的多个LED芯片，这些LED芯片中的一个或多个可以发射白色光。在一些方面，荧光体可以与硅酮混合并且配制在LED芯片和/或光发射器组件的一部分上。
图1至图7B示出根据如本文公开和描述的本主题的光发射器组件和方法的实施方式。图1和2是光发射器组件的截面图，通常分别称为10和20。光发射器组件10和20可以包括用于表面贴装设备(SMD)应用的基于基板或者基台的封装。光发射器组件10和20可以包括非金属基基台12，该基台包括非金属材料。在一个方面，基台12可以包括陶瓷基材料，诸如用于使光提取和反射率最大化的高反射率陶瓷材料。至少一个光发射器芯片，诸如LED芯片14，可以提供和设置在基台12上。至少一个LED芯片14可以被配置为激活直接设置在LED芯片14上和/或直接设置在发射器组件10的一部分上的黄色、红色和/或绿色荧光体(未示出)用于生产冷和/或暖白色输出。
在一些方面，LED芯片14可以通过指数相匹配的粘合剂或者环氧材料(未示出)直接地附接和/或安装至基台12。在其他方面，任选材料层(例如，图2中的16)可以设置在基台12和LED芯片14之间。特别地，如以下进一步论述，光发射器组件10和20可以包括沿着基台12的一个或多个外表面的一个或多个部分设置并且与LED芯片14隔开的至少一个电接触件，通常称为18。例如，在一个方面，电接触件18可以在基台的至少三个外表面(或者四个外表面，例如，上表面、下表面以及两个相对的侧面的部分，其中四个外表面存在两个对立的接触件)的部分上延伸并且将其覆盖。至少一个电接触件18可以电连接至至少一个LED芯片14用于将电流提供至LED芯片14。
在一个方面，基台12可以包括从大的非金属面板(未示出)分割出的(singualted)的一部分材料；然而，本文还预期单独形成和/或按压的基台。通常，希望提供高度反射可见光(例如，大于约90％)并且可以提供热传导以及机械支撑的基板或者基台12。在一个方面，包含氧化铝(例如，矾土或者Al2O3)的非金属和/或陶瓷材料呈现此类期望的品质。因此，基台12可以包括诸如Al2O3的陶瓷基主体材料和/或包含Al2O3的陶瓷基主体材料。
在一个方面，基台12可以包括陶瓷体，该陶瓷体可以由低温共烧陶瓷(LTCC)材料或者高温共烧陶瓷(HTCC)材料以及相关的工艺浇铸。在一个实施方式中，基台12可以由薄绿色陶瓷带单独浇铸并且随后烧制。基台12也可以被浇铸并且随后烧制然后从由薄绿色陶瓷带形成的基台的面板分割出来。若使用，陶瓷带可以包括在本领域已知的任何陶瓷填料，例如，基台12可以包括诸如具有0.3至0.5重量份的玻璃料的Al2O3或氮化铝(AlN)的玻璃陶瓷。当烧制时，玻璃料在陶瓷带内能够用作粘合剂和/或烧结剂。
用于基台12的绿陶瓷带可以有利地包括期望的任何厚度，因此有助于形成所期望的更薄的尺寸。基台12可以进一步包括具有包含在其中的多种散射粒的陶瓷材料。适合散射粒的示例能够包括例如Al2O3、TiO2、BaSO4和/或AlN的粒子。可以通过在设总部于哥伦比亚Golden的CoorsTek可利用的并且包括可以从设总部于哥伦比亚Golden的CoorsTek中获得产品产品的薄的或者厚的膜加工技术生产基台12。该基板或者基台12可以选择性地与其他材料(例如，氧化锆、ZrO2)一起烧制以进一步提高光学和机械性能。
基台12可以包括任何合适的尺寸、形状、方位和/或配置。为了说明的目的，示出了基本上正方形形状的基台12，然而，本文预期任何形状的基台，例如，本文还预期基本上矩形的、环形的、椭圆形的、圆形的、规则的、不规则的、或者非对称的形状的基台。基台12可以包括可以具有例如至少一个侧面大约为25毫米(mm)或者更短、诸如大约20mm或者更短；大约15毫米或更短；大约10mm或者更短；大约6mm或者更短；大约3mm或者更短的基本上的正方形或者矩形形状；和/或具有至少一个侧面大约为1mm或者更短的基台。基台12可以包括大约2毫米或更小，诸如大约1mm或更小；大约0.5mm或更小；或者大约0.25mm或更小的厚度。在一个方面，基台12包括大约0.63mm的厚度。
如图2图示，至少一个任意涂层和/或材料层16可以设置在基台12上。在一个方面，可以在将LED芯片14芯片粘结或者接合至基台12之前将层16施加至基台12。层16可以包括任意合适的材料以增强在LED芯片14和基台12之间执行的接合和/或热量。例如，层16可以包括硅酮、环氧树脂或者本领域技术人员已知的任何其他聚合物。替换地，层16可以包括陶瓷或者金属材料。另外，层16可以包含反射粒子在其中，诸如Al2O3、TiO2、ZrO2或者本领域技术人员已知的任何其他反射粒子。层16可以利用焊剂或者无需焊剂(即，在烧结过程中)烧制。此外，一旦施加，层16可以被机械地修改，诸如通过搭叠、抛光、磨削或者其他机械的修改。本文还预期多于一个的材料层16。一个或多个插入层可以包括例如可以大约等于、小于或者大于至少一个LED芯片14的宽度的宽度。例如，层16被示出具有基本上与LED芯片14的宽度相同或者大约相等的宽度，然而，虚线表示层16可以延伸到的位置。
如图1和2进一步图示，LED芯片14可以包括基本上直线的和/或成斜角(例如，倾斜或者斜的)的外侧，可以包括任何形状、尺寸、大小、结构、构造和/或颜色。也可以使用多于一个的LED芯片14。若使用，多个芯片可以包括相同的形状、尺寸、大小、结构、构造和/或颜色或者不同的形状、尺寸、大小、结构、构造、颜色和/或其组合。LED芯片14可以包括生长基板或者载体基板(例如，除去了生长基板)，并且可以包括垂直构造的芯片(例如，LED芯片14的相对表面上的阳极和阴极)或者水平构造的芯片(例如，相同表面上的阳极和阴极)。为了图示的目的，图示水平构造的LED芯片14，其中，阳极和阴极可以以两个接合垫片的形式设置在上表面。然而，两个接触件(例如，阳极和阴极)可以被设置在LED芯片14的下表面上和/或相对的上表面和下表面上。
LED芯片14可以包括任何尺寸和/或形状。LED芯片14可以例如在外形上为基本上正方形、矩形、规则的、不规则的、或者非对称的。在一个方面，LED芯片14可以包括至少一个侧面测量为大约2000μm或更小，诸如大约1150μm或更小；大约900μm或更小；大约700μm或更小；大约600μm或更小；大约500μm或更小；大约400μm或更小；大约300μm或更小；大约200μm或更小；大约100μm或更小的足迹；和/或使用多个LED芯片14时的其组合。在一些方面，LED芯片14可以包括大约580μm x 1150μm或者大约355μm x 710μm的长度和宽度。
参考图1和图2，特别地，光发射器组件10和20可以进一步包括完全外部的至少一个电接触件18。即，电接触件18可以设置为在基台12的一个或多个外表面的部分上、沿着和/或覆盖基台12的一个或多个外表面的部分，诸如1至3表示的表面，其中至少一个表面包括外侧面(例如，表面2)。在一个方面，通过上述需要在基台12内模铸电接触件和/或通过生成多个通孔或者过孔在内部使电流从上接触件进入下接触件，可以有利地改善与加工本文描述的组件有关的时间和成本。特别地，电接触件18可以包括导电上接触部22和导电下接触部24。导电中间背面或者侧接触部26可以设置其间，用于直接在上接触部22和下接触部24之间经过电流。在一个方面，侧接触部26可以物理、电和/或热连接上接触部22和下接触部24。
在一个方面，分别包括上部、下部和侧部22、24和26的每个的电接触件18可以被电镀和/或在物理、机械和/或化学沉积金属。在其他方面，电接触部18可以包括可以被围绕基台12的一部分弯曲和/或卷曲以分别形成上部、下部和侧部22、24和26的材料的金属主体或者部分。在另一方面，侧面接触部26可以包括暴露的导电过孔、导电胶、墨水、环氧树脂、金属或者端盖。上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26分别可以包括在基台12的相邻外侧面或者表面的部分上通过化学或者物理沉积施加的沉积金属的区域。在一个方面，金属可以沿着至少两个相邻侧面或者表面沉积，使得至少一个相邻的上接触部、下接触部和/或侧接触部22、24和26可以包括和/或形成至少一个电轨迹。在一些方面，金属可以分别沉积在所有三个相邻的外侧面/表面上以形成上接触部、下接触部和侧接触部22、24、和26。特别地，侧接触部26可以包括在上接触部22和下接触部24之间传输电信号的路径。因此，侧接触部26可以物理和电连接上接触部22和下接触部24。这可以有利地允许下接触部24、侧接触部26或者其组合安装在外部电源(未示出)上并且与外部电源(未示出)电连通，使得组件10和20可以安装在多个不同的配置中和/或允许多个组件10和20安装在照明器材或者照明设备内的多个不同的方位或者配置中。
在一个方面，下接触部24和侧接触部26的部分分别可以被配置为与可以与外部电源相同和/或不同的外部基板或者散热片热连通。这可以有利地允许组件10和20的一个或多个部分通过外部电接触件18的一个或多个部分与一个或多个外部基板或者表面电和/或热连通。在一个方面，下接触部24和侧接触部26的部分可以分别(单独或者结合)焊接至外部基板、表面、散热片、电源或者其组合。
在一个方面，发射器组件10和20可以包括两个电接触件18，两个电接触件18被配置为使电信号或者电流从诸如电路板、印刷电路板(PCB)、金属芯印刷电路板(MCPCB)或者其他电源的外部电源(未示出)进入一个或多个LED芯片14中。电接触件18的部分可以被焊接，或另外连接至外部电源。LED芯片14可以在接收到从至少两个电接触18之间经过的电流的基础上来照明。在一个方面，第一电接触件18可以包括阳极和第二电接触件18可以包括阴极。阳极和阴极可以被配置为通过焊线28与LED芯片14电连接。焊线28的第一端30可以被配置为与设置在LED芯片14上的电接触件(例如，接合垫片)物理和电连接。焊线28的相对端可以与电接触18物理和电连接和/或焊线28的相对端可以直接地或者间接地附接至电接触18。焊线28可以包括任何合适的诸如金属的导电材料，在一个方面，包括金(Au)或者Au合金的配线。
特别地，电接触件18可以包括可以包裹基台12的部分的包裹接触件(还称作“导线”)。即，每个电接触件18可以沿着基台12的至少三个外侧、边缘或者表面(1至3指示)的部分设置。在一些方面，两个相对的电接触件18可以沿着基台12的至少四个外侧、边缘或者表面(1至4指示，其中，2和4是相对侧面)的部分设置。在一个方面，侧接触部26可以沿着与具有上接触部22和/或下接触部24的表面基本上正交的表面设置。电接触件18可以适应并且符合基台12的任何截面形状。例如并且仅为了说明的目的，电接触件18被示出为基本上与矩形形状截面一致。即，接触件18沿着至少三个侧面可以与矩形形状一致。然而，本文还预期接触多于三个侧面和/或与其他形状一致的和/或与成不同角度的表面一致的接触件18。例如，接触件18可以包括适于与即，多面体的、多角度的和/或具有非矩形截面形状的基台12一致的多于一个的侧接触部26。侧接触部26可以电连接上接触部22和下接触部24并且可以允许组件10和20包括侧SMD和/或下SMD。在一个方面，侧接触部26可以包括分别与上接触部和下接触部22和24相同的材料。在其他方面，侧接触部26可以包括分别与上接触部和下接触部22和24不同的材料。在另一方面，上接触部、下接触部和侧接触部22、24、和26的每个可以包括不同的材料。
图2示出组件20，该组件20进一步包括设置在电接触件18的至少一部分上的一层或多层材料32。在一个方面，电接触件18可以利用可配线接合的材料被电镀、涂层或者分层堆放以提高焊线28和电接触件18之间的粘附力。本文还预期多于一层的材料32。例如，层32可以包括粘附力促进层，诸如无电镀镍和浸金材料(即，ENIG)以提高焊线28和电接触件18之间的接合或者粘附力。为了说明的目的，层32被示出为至少部分地在上接触部22上延伸；然而，层32也可以选择性地分别在侧接触部和/或下接触部26和24的部分上延伸。另外，如上关于图2的所述，组件20可以进一步包括设置在LED芯片14和基台12之间的一个或多个插入材料层16以提高其间的接合和/或热传导。层18和32可以包括相同的和/或不同的材料。
还是参考图1和图2，和在一个方面，电接触件18可以包括一层或多层电镀材料。在一个或多个LED芯片14的芯片附着之前、之后或者期间可以利用一层或多层材料电镀一个或多个外部表面。在一个方面，电接触件18的上接触部、下接触部及侧接触部22、24和26分别可以包括通过任何合适的和已知的加工技术电镀的一层无电镀银(Ag)和一层或多层铜(Cu)。在其他方面，电接触件18可以包括通过任何合适的和已知的加工技术电镀的一层浸银和一层或多层Cu。仍在另一方面，电接触件18的上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26分别可以包括具有一层或多层的电镀Cu的电镀镍(Ni)和Ag层。在另一方面，电接触件18的上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26分别可以包括一层或多层的电镀Ni和Ag。层可以被选择性地沉积为Ni、Au和/或Cu的交替层。也可以单独的利用一层或多层电解或者浸金(Au)或者与电镀的Ag、Ni和/或Cu层结合的一层或多层电解或者浸金(Au)电镀电接触件18。电接触件18可以进一步包括单独的一层或多层电镀钯(Pd)或者与电镀的Ag、Ni、Cu和/或Au层结合的一层或多层电镀钯(Pd)。
上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26分别可以利用相同的和/或不同的材料电镀。例如，在一个方面，上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26的每个分别包括相同材料层或者电镀金属。在另一方面，上接触部和下接触部22和24分别可以利用第一材料和/或选自Ag、Ni、Cu、Au、Pd和/或其组合的一层或多层电镀，侧接触部26可以利用第二材料和/或选自Ag、Ni、Cu、Au、Pd和/或其组合的一层或多层电镀，其中第二材料不同于第一材料。在另一方面，侧接触部26可以包括导电胶、墨水、环氧树脂、金属、暴露的金属过孔(例如，图5A和图6A)或者端盖的区域。
图3示出组件10的顶视图。图4A至图4C示出组件10的多个交替侧视图。如图3所示，LED芯片14可以设置在非金属基台12上且直接地或者间接地安装至非金属基台12。如上所述，组件10可以包括陶瓷基光发射器组件(例如，包括陶瓷类基台)以提供改善的光散射和反射，从而提供改善的效率、亮度和光提取能力。陶瓷基基台也可以期望用于本文描述的光发射器组件用于改善的热管理特性。例如，Al2O3材料具有相对低的热阻、低温度敏感度、在高温环境中优良的可靠性以及散热的优良能力。
LED芯片14可以通过焊线28与两个电接触件18的两个上接触部22电连接。两个上接触部22可以包括相对的电极性(例如，阳极和阴极)。LED芯片14可以包括在LED芯片14的上表面上具有相对电极性(例如，接合垫片形式的阳极和阴极)的两个电接触件的水平芯片，使得芯片的上表面可以被配线接合至上接触部22用于使电流从上接触部22进入LED芯片14用于照亮LED芯片14。如图3图示，上接触部22可以包括不同形状或者表面设计用于表示组件10的电极性(例如，阳极或者阴极)。
特别地，如侧视图4A至4C图示，组件10可以包括具有通过侧接触部26连接至下接触部24的上接触部22的包裹的或者完全外部的电接触件18。如图4A和4B图示，上接触部、下接触部及侧接触部22、24和26分别可以包括如通过相同的阴影表示的相同的材料。图4C示出实施方式，其中，上接触部和下接触部22和24可以包括如通过不同的阴影表示的不同于侧接触部26的材料的第一材料。图4A进一步图示，在一个实施方式中，侧接触部26可以基本上延伸总宽度并且基本上覆盖组件10的全部外侧面。如图4B和图4C图示，侧接触部26也可以在宽度的一部分上延伸，并且可以包括覆盖小于组件10的总宽度，或者小于全部侧面区域的部分。在一个方面，上接触部、下部接触部和侧接触部22、24和26的每个分别可以包括含有选自电镀的Ag、Ni、Cu、Au和/或Pd的组的一个或多个元素的金属的电镀层。
图5A和5B示出光发射器组件(通常称为40)的进一步实施方式。光发射器组件40可以在形式和功能上与组件10类似，但是可以具有多于一个的LED芯片14和/或选择性地通过暴露在内部通孔或者导电过孔中设置的金属形成的侧接触部。发射器组件40可以包括非金属和/或陶瓷基基台12，其中多于一个的LED芯片14安装至基台12。在一个方面，发射器组件40可以包括多于两个的LED芯片14，诸如三个LED芯片14、四个LED芯片14、五个LED芯片14、六个LED芯片14或多于六个LED芯片14。每个LED芯片14可以并联、串联或者其组合电连接。为了说明的目的，每个芯片14被示出为与剩余芯片并联电连接，然而，本文预期串联连接的芯片和/或串联合并联芯片的排列。
组件40可以进一步包括具有上接触部44、下接触部46和分别连接上接触部和下接触部44和46的侧接触部48的电接触件42。特别地，侧接触部48可以包括暴露的通孔或者过孔，并且可以包括暴露的诸如Ag的金属的区域。可以通过锯切、切块、蚀刻、裁剪或分离和在过孔的内部暴露金属来使金属暴露，使得金属在基台12的外表面上。在一个方面，提供陶瓷材料的大面板，并且在其中设置有一个或多个过孔。当从大面板分割出单独的基台时，可以锯切或者裁剪穿过过孔使得它们沿着基台12的外表面暴露。
在一个方面，使导电过孔暴露可以使过孔的一部分沿着基台12的一个或多个外侧面定位，用于将上接触部44电连接至下接触部46。例如，可以从包括金属填满的多个通孔(还已知为导电过孔)的大陶瓷面板分割出基台12。在基台12的分割过程中，可以裁剪或者锯切面板使得过孔被切成两半，从而暴露内部的金属。在使基台12与面板隔离的前后，可以分别将上接触部和下接触部44和46电镀至基台12的上表面和下表面。暴露的过孔可以包括用于电连接上接触部和下接触部44和46的侧接触部48。特别地，可以沿着基台12的外表面设置侧接触部48，使得基台12可以通过侧接触部48和/或下接触部46与一个或多个外部基板或者散热片电和/或热连通。特别地，可以沿着基台12的至少三个外表面的部分设置电接触件42，电接触件42可以电连接至多于一个的LED芯片14。如图5A图示，通常称为49的符号或者指示符可以设置在上表面中和/或包括基台12的上接触部44的一部分。指示符49可以指示组件的那部分的电极性，例如，表示阳极或者阴极以保证LED芯片14的适当的电连接。
图6A和图6B示出光发射器组件(通常称为50)的又一实施方式。组件50可以与组件40在形式和功能上类似。例如，组件50可以包括一个或多个侧接触部58，侧接触部58在分割每个单独的基台12的过程中通过锯切或者裁剪穿过设置在大陶瓷类面板中的过孔而形成。在这个实施方式中，组件50可以包括设置在基台12的相对部上的至少两个电接触件52。每个电接触件52可以包括上接触部54、下接触部56和一个或多个侧接触部58。上接触部和下接触部54和56可以包括施加金属的区域。在一个方面，上接触部和下接触部54和56可以包括选自电镀Ag、Ni、Cu、Au、Pd和/或其组合的电镀金属的区域。
特别地，电接触件52可以包括全部地外部接触，该外部接触可以在本质上包裹基台12使得接触沿着组件50的至少三个外侧面或者表面设置。侧接触部58可以包括暴露的金属区域。在一个方面，侧接触部58可以包括在基台12的分割期间已经暴露的Ag的区域。例如，可以提供大的、非金属的面板。可以在面板中设置多个金属填充的过孔。在分割每个基台12时，可以裁剪或者锯切面板使得每个过孔被切入和暴露，使得暴露的过孔形成一个或多个侧接触部58。在一个方面，可以通过暴露四个过孔形成四个侧接触部58。可以沿着相同的外侧，例如，沿着外侧的相对的最外面的边缘设置至少两个侧接触部58。在一个方面，侧接触部58可以设置在基台的两个侧面交叉的角区域中。多于一个侧接触部58可以有利地提供多于一个区域，在该区域中，组件50和外部电源或者散热片(未示出)可以电和/或热连接。因此，本文提供的组件可以沿着多于一个侧面(期望的)物理、电、和/或热连接至多于一个的外部基板。例如，可以将多于一个侧接触部58仅焊接至多于一个外部基板，和/或还将多于一个侧接触部58焊接至外部基板的下接触部56。
图7A和7B分别示出光发射器组件(通常称为60和70)的又一实施方式，其中，每个组件进一步包括诸如提供用于获得期望的波束图案或者放射的透镜或者密封材料的光学元件。参考图7A，光发射器组件60可以设置在外部基板62上。在一个方面，外部基板62可以包括PCB、MCPCB、电路、散热片或者照明器具的一部分。在一个方面，发射器组件60可以包括包括上接触部22、下接触部24和侧接触部26的电接触件18。上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26分别可以包括通过化学或者物理沉积金属至基台12的外侧面或者表面的一部分施加金属的区域。在一个方面，金属可以沿着至少两个相邻的侧面或者表面沉积，使得上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26中的至少一个可以包括和/或形成至少一个电轨迹。在一个方面，上接触部、下接触部和侧接触部22、24、和26分别可以包括例如，选自电镀的Ag、Ni、Cu、Au和/或Pd的组的金属的电镀金属的区域。在一个方面，上接触部和下接触部22和24可以包括电镀金属的区域，和侧接触部26可以包括暴露的金属(诸如锯切或者裁剪的通孔或者导电过孔)区域(图5A、6A)。侧接触部26还可以包括导电胶、墨水、环氧树脂、金属或者端盖的区域。至少一个侧接触部26还可以选择性地连接(例如，在物理、电、和/或热上)至基板62或者至期望的不同的基板。
光发射器组件60可以进一步包括固持部件64。固持部件可以包括适于保持诸如透镜的光学元件66的杯子或者屏障。在替换中，光发射器组件60可以包括虚线指示的一个或多个可选择的凹槽68。凹槽68可以包括用于通过表面张力将光学元件和/或密封剂保持在基台12的上表面内的预裁剪凹槽。光学元件66可以包括用于生产光发射的某些形状或者波束图案的圆顶透镜。可以使用已知的过程模铸和固化透镜。光学元件66可以直接地和/或间接地形成在基台12的上表面上，并且可以设置在至少一个LED芯片14上。一排透镜或者光学元件66可以模铸和/或定位在相应的一排LED芯片14上。
光学元件66可以提供光发射器组件60的环境保护和/或机械保护。光学转换材料(未示出)的任意层可以直接地施加在一个或多个LED芯片14上和/或在光学元件66的一个或多个表面(例如，内部或者外部表面)上用于生产冷和/或暖白输出。光学转换材料可以包括可以通过被从一个或多个LED芯片14发射的光激活的一个或多个荧光或体者发光体(例如，黄色、红色、和/或绿色荧光体)。光学元件66可以设置在基台的三个外表面的至少一个的一部分上和/或分别在上接触部、下接触部和侧接触部22、24和26中至少一个的一部分上。在另一方面，光学元件66可以设置在侧接触部26、基台12的上表面或者基台12的下表面的至少一个上。
本文描述的LED芯片14可以体现为单独使用的固态发射器和/或与包括例如荧光体或者发光体的光学转换材料结合使用，以发出各种颜色的、颜色点、或者波长范围的光，诸如主要的白色、蓝色、青色、绿色、黄色、琥珀色、或者红色的光。在一方面，本文描述的光发射器组件可以包括可以主要是蓝色的一个或多个LED芯片14，在照亮时可以激活设置在一个或多个芯片14上的绿色或者黄色荧光体(例如，荧光体可以至少部分直接地设置在LED芯片14和/或设置在LED芯片14上的光发射器组件60的一部分上使得芯片包括蓝转黄(BSY)芯片。在替换的实施方式中，主要的红色LED芯片14可以包括在本文描述的发射器组件中并且可以单独和/或与BSY芯片结合使用。在一个方面，红色LED芯片14也可以选择性地设置低于荧光体、密封剂、透镜和/或其组合，诸如具有荧光体层的光学元件66用于混合以产生暖白输出。在又另一个实施方式中，组件60可以包括多于一个的LED芯片14，诸如多个和/或一排LED芯片14。多个或一排LED芯片14中的每个芯片可以包括大约相同的波长(例如，选自相同的目标波长仓)。在另一方面，多个芯片的至少第一LED芯片14可以包括与多个芯片的至少第二LED芯片不同的波长(例如，至少第一LED芯片14可以选自与至少一个其他LED芯片14不同的目标波长仓)。
图7B示出设置在外部基板72，诸如电路、PCB、MCPCB或者散热片上的光发射器组件70。在一个方面，光发射器组件70可以通过焊料(未示出)电和热连接至基板72。发射器组件70可以包括固持材料74，诸如屏障。在一个方面，固持材料74可以包括用于增加从组件70反射的光和/或光发射的量的配制的材料，诸如可以选择性地染成白色(例如，通过增加TiO2)的配制的硅酮、环氧树脂或者塑料材料。组件70可以进一步包括光学元件76。光学元件76可以包括密封剂填充材料层。光学转换材料(未示出)的任意层可以设置在LED芯片14上和/或光学元件76内。在一个方面，光学元件76可以包括具有基本上的平表面的硅酮密封剂或者环氧树脂的层。本文还预期凹的或者凸的表面。光发射器组件70可以包括被配置为激活黄色、红色和/或绿色光学转换材料(例如，黄色、红色、和/或绿色荧光体，未示出)以生产冷和/或暖白输出的至少一个LED芯片14。在一个方面，光学元件76可以包括可液化硅酮材料、环氧材料或者诸如甲基或者苯基类密封剂材料的任意密封剂材料。
在附图中示出和在上面描述的本公开的实施方式是可在所附权利要求的范围内做出的大量示例性实施方式。预期具有改善的包着的电接触的新颖的光发射器组件及其制造方法可包括除了那些具体公开之外的大量配置。

Claims (54)

1.一种光发射器组件，包括：
基台；
所述基台上的至少一个光发射器芯片；
至少两个电接触件，每个电接触件沿着所述基台的至少三个相应的外表面的部分设置，其中，所述至少两个电接触件与所述至少一个光发射器芯片隔开并且通过焊线被电连接至所述至少一个光发射器芯片；以及
固持材料，作为单层设置在所述基台上，其中，所述固持材料是覆盖所述焊线的部分以改善从所述光发射器组件的光提取的反射材料，
其中，所述至少一个光发射器芯片安装在所述基台上，没有导电材料设置在所述至少一个光发射器芯片和所述基台之间。
2.根据权利要求1所述的光发射器组件，其中，所述至少两个电接触件均包括上接触部、下接触部和侧接触部。
3.根据权利要求2所述的光发射器组件，其中，所述上接触部、所述下接触部和所述侧接触部中的每一个均包括电镀金属区域。
4.根据权利要求2所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部包括锯切通孔。
5.根据权利要求2所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部将所述上接触部物理连接至所述下接触部。
6.根据权利要求2所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部将所述上接触部电连接至所述下接触部。
7.根据权利要求2所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部覆盖所述基台的外侧的总宽度。
8.根据权利要求2所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部设置在所述基台的外侧的一部分上。
9.根据权利要求2所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部包括导电胶、墨水、环氧树脂、金属、暴露的金属过孔或者端盖的区域。
10.根据权利要求1所述的光发射器组件，其中，所述基台包括陶瓷材料。
11.根据权利要求10所述的发射器组件，其中，所述陶瓷材料包括氧化铝。
12.根据权利要求1所述的光发射器组件，其中，所述至少一个光发射器芯片包括生长基板或者载体基板。
13.根据权利要求1所述的光发射器组件，进一步包括设置在所述基台的所述三个外表面的至少一个的一部分上的光学元件。
14.一种光发射器组件，包括：
基台；
在所述基台上的至少一个光发射器芯片；以及
至少两个电接触件，每个电接触件包括上接触部、下接触部和设置在所述上接触部和所述下接触部之间的侧接触部，其中，所述上接触部、所述下接触部和所述侧接触部在所述基台的外部，并且其中，所述至少两个电接触件与所述至少一个光发射器芯片隔开并通过焊线被电连接至所述至少一个光发射器芯片；以及
固持材料，作为单层设置在所述基台上，其中，所述固持材料是反射材料并被设置为覆盖所述焊线的部分以改善从所述光发射器组件的光提取，
其中，所述至少一个光发射器芯片安装在所述基台上，没有导电材料设置在所述至少一个光发射器芯片和所述基台之间。
15.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部包括导电胶、墨水、环氧树脂、金属、暴露的金属过孔或者端盖的区域。
16.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述上接触部、所述下接触部和所述侧接触部包括电镀金属的区域。
17.根据权利要求16所述的光发射器组件，其中，所述电镀金属的区域包括选自由银、铜、镍、金、钯组成的组的至少一种材料和其组合。
18.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述至少一个光发射器芯片被配线接合至所述上接触部。
19.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述下接触部焊接至外部基板或者散热片。
20.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述固持材料被设置为至少部分地围绕所述至少一个光发射器芯片。
21.根据权利要求20所述的光发射器组件，其中，密封剂设置在所述固持材料的一个或多个壁之间。
22.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，密封剂设置在所述至少一个光发射器芯片上。
23.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述基台包括陶瓷材料。
24.根据权利要求23所述的光发射器组件，其中，所述基台包括氧化铝。
25.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述至少一个光发射器芯片通过粘合层安装至所述基台。
26.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述侧接触部、所述上接触部和所述下接触部中的每一个由相同的导电材料组成。
27.根据权利要求14所述的光发射器组件，其中，所述上接触部和所述下接触部包括第一导电材料，所述侧接触部包括不同于所述第一导电材料的第二导电材料。
28.根据权利要求14所述的光发射器组件，包括三个光发射器芯片。
29.根据权利要求28所述的光发射器组件，包括六个光发射器芯片。
30.根据权利要求14所述的光发射器组件，进一步包括设置在所述上接触部、所述下接触部或者所述侧接触部中的至少一个上的光学元件。
31.一种光发射器组件，包括：
基台；
设置在所述基台上的至少一个光发射器芯片；
第一导电侧接触部和第二导电侧接触部，设置在所述基台的第一外部面上并且在所述基台的上表面和下表面之间相互平行地延伸；
第三导电侧接触部和第四导电侧接触部，设置在所述基台的第二外部面上并在所述基台的上表面和下表面之间相互平行地延伸，其中，所述第二外部面与所述基台的所述第一外部面相对；
第一上接触部，分别与所述第一导电侧接触部和第二导电侧接触部中的每一个电连通；
第二上接触部，分别与所述第三导电侧接触部和第四导电侧接触部中的每一个电连通；以及
固持材料，作为单层设置在所述基台上，
其中，所述至少一个光发射器芯片与所述第一上接触部和所述第二上接触部隔开并经由至少一个焊线连接至所述第一上接触部和所述第二上接触部，以及
其中，所述固持材料是覆盖所述焊线的部分以改善从所述光发射器组件的光提取的反射材料。
32.根据权利要求31所述的光发射器组件，其中，所述基台的所述第一外部面和所述第二外部面是所述基台的相对的外侧面。
33.根据权利要求32所述的光发射器组件，其中，所述第一导电侧接触部和所述第二导电侧接触部由间隔彼此隔开。
34.根据权利要求31所述的光发射器组件，其中，所述第一导电侧接触部和所述第二导电侧接触部将所述第一上接触部物理和电地连接至第一下接触部。
35.根据权利要求31所述的光发射器组件，其中，所述第一导电侧接触部和所述第二导电侧接触部包括导电胶、墨水、环氧树脂、金属、暴露的金属过孔或者端盖的区域。
36.根据权利要求34所述的光发射器组件，其中，所述第一上接触部、所述第二上接触部、所述第一下接触部和所述第一导电侧接触部和第二导电侧接触部包括电镀金属的区域。
37.根据权利要求36所述的光发射器组件，其中，所述电镀金属包括选自由银、铜、镍、金、钯组成的组的至少一种金属及其组合。
38.根据权利要求31所述的光发射器组件，其中，所述基台包括陶瓷材料。
39.根据权利要求38所述的光发射器组件，其中，所述基台包括氧化铝。
40.根据权利要求31所述的光发射器组件，进一步包括设置在所述基台上的光学元件。
41.一种提供光发射器组件的方法，所述方法包括：
提供基台；
在所述基台上提供至少一个光发射器芯片，没有任何导电材料设置在所述至少一个光发射器芯片和所述基台之间；
将金属施加至所述基台的一个或多个外侧面的至少一部分，用于将上接触部电连接至下接触部；
通过焊线将所述至少一个光发射器芯片连接至所述上接触部；
以及
在所述基台上分配作为单层的固持材料，其中，所述固持材料是反射材料且全部所述固持材料覆盖所述焊线的部分以改善从所述光发射器组件的光提取，
其中，所述上接触部包括至少两个上接触部，所述至少两个上接触部与所述至少一个光发射器芯片隔开。
42.根据权利要求41所述的方法，其中，施加金属包括电镀所述基台的所述一个或多个外侧面的至少一部分。
43.根据权利要求41所述的方法，其中，施加金属包括化学或者物理沉积金属至所述基台的所述一个或多个外侧面的至少一部分。
44.根据权利要求41所述的方法，其中，在所述基台上提供所述至少一个光发射器芯片包括将所述至少一个光发射器芯片直接安装至所述基台的上表面。
45.根据权利要求41所述的方法，其中，提供基台包括提供陶瓷基台。
46.根据权利要求41所述的方法，进一步包括在所述至少两个上接触部、所述下接触部或者所述一个或多个外侧面中的至少一个的一部分上提供光学元件。
47.一种提供光发射器组件的方法，所述方法包括：
提供包括顶面和底面的基台；
在所述基台上提供至少一个光发射器芯片；
暴露第一导电过孔和第二导电过孔，使得所述第一导电过孔和所述第二导电过孔的每一个的部分沿着所述基台的第一外侧面设置，用于将第一上接触部电连接至对应的第一下接触部，其中，所述第一上接触部在所述基台的外部并与所述至少一个光发射器芯片隔开且通过第一焊线电连接至所述至少一个光发射器芯片，并且其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔包括设置在所述基台的第一外侧面并被配置为在所述基台的上表面和下表面之间相互平行地延伸的导电侧接触部；以及
暴露第三导电过孔和第四导电过孔，使得所述第三导电过孔和所述第四导电过孔的每一个的部分沿着所述基台的第二外侧面设置，用于将第二上接触部电连接至对应的第二下接触部，其中，所述第二上接触部在所述基台的外部并与所述至少一个光发射器芯片隔开且通过第二焊线电连接至所述至少一个光发射器芯片，并且其中，所述第三导电过孔和所述第四导电过孔包括设置在所述基台的第二外侧面并被配置为在所述基台的上表面和下表面之间相互平行地延伸的导电侧接触部；以及
在所述基台上分配作为单层的固持材料，其中，所述固持材料是覆盖所述第一焊线和/或所述第二焊线的部分以改善从所述光发射器组件的光提取的反射材料。
48.根据权利要求47所述的方法，其中，在所述基台上提供所述至少一个光发射器芯片包括将所述至少一个芯片直接安装至所述基台的上表面。
49.根据权利要求47所述的方法，其中，提供基台包括提供陶瓷基台。
50.根据权利要求47所述的方法，其中，使所述第一导电过孔、所述第二导电过孔、所述第三导电过孔和所述第四导电过孔暴露包括分别锯切穿过所述第一导电过孔、所述第二导电过孔、所述第三导电过孔和所述第四导电过孔。
51.根据权利要求47所述的方法，进一步包括在所述第一上接触部和所述第二上接触部、所述第一下接触部和所述第二下接触部或者所述第一外侧面和所述第二外侧面中的至少一个的一部分上提供光学元件。
52.一种光发射器组件，包括：
基台；
设置在所述基台上的发光二极管芯片，没有任何的导电材料设置在所述发光二极管芯片和所述基台之间；以及
至少两个电接触件，与所述发光二极管芯片隔开并且围绕所述基台的至少三个外表面包裹；
其中，所述至少两个电接触件的每个的第一部分沿着所述至少三个外表面的第一表面设置，所述第一部分被设置为与沿着所述至少三个外表面的第二表面设置的同一电接触件的相应的第二部分正交并且通过至少一个焊线被电连接至所述发光二极管芯片；以及
其中，固持材料作为单层设置在所述基台上，并且设置为覆盖至少一个焊线的部分以改善从所述光发射器组件的光提取。
53.根据权利要求52所述的光发射器组件，进一步包括设置在所述基台的所述至少三个外表面中的一个或多个的一部分上的光学元件。
54.根据权利要求52所述的光发射器组件，进一步包括设置在所述基台的六个外表面中的至少一个的一部分上的光学元件。
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