CN104137236A - 电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法 - Google Patents

电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104137236A
CN104137236A CN201380011819.1A CN201380011819A CN104137236A CN 104137236 A CN104137236 A CN 104137236A CN 201380011819 A CN201380011819 A CN 201380011819A CN 104137236 A CN104137236 A CN 104137236A
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
insulating
copolymerization
carbon number
hydrogen atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380011819.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104137236B (zh
Inventor
矢作公
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of CN104137236A publication Critical patent/CN104137236A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104137236B publication Critical patent/CN104137236B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/474Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80Constructional details
    • H10K10/88Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/481Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31909Next to second addition polymer from unsaturated monomers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明的课题在于提供能够提高电子器件特性的电子器件绝缘层。用于解决课题的手段为一种电子器件绝缘层,其具有由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层和由第2绝缘层材料形成在该第1绝缘层上的第2绝缘层,该第1绝缘层材料是含有感光性树脂组合物(A)、烷氧基钨(V)(B)和碱性化合物(C)的绝缘层材料,该第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的绝缘层材料,所述高分子化合物(D)在分子内包含具有环状醚结构的重复单元和具有在酸的作用下生成酚性羟基的有机基团的重复单元。

Description

电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法
技术领域
本发明涉及电子器件所具有的绝缘层即电子器件绝缘层,尤其涉及具有二层结构的电子器件绝缘层。
背景技术
近年来,有机薄膜晶体管等电子器件的研究受到关注,进行了用于电子器件的各种材料的研究。其中,为了抑制电子器件的经时劣化,正在广泛地进行用于形成电子器件所含的绝缘层的材料的开发。
“电子器件”是指利用电子运动的能动元件。“电子器件绝缘层”是指电子器件所含的绝缘层,例如可列举有机薄膜晶体管绝缘层、有机电致发光元件绝缘层、电子纸绝缘层、射频设别标签(RFID tag)绝缘层及液晶显示器绝缘层。电子器件绝缘层材料是指用于形成上述电子器件绝缘层的材料。以下,使用有机薄膜晶体管作为电子器件的代表例,对本发明进行说明。
作为电子器件的一种形式的有机薄膜晶体管能够在比无机半导体更低的温度下进行制造,因此可以使用塑料基板或膜作为其基板,通过使用这样的基板,可以得到挠性、轻质且不易破裂的元件。
此外,有时可通过涂布包含有机材料的溶液或利用印刷法进行成膜来制作元件,有时能够以低成本在大面积的基板上制造多个元件。
进而,可以用于研究有机薄膜晶体管的材料的种类丰富,因此如果将分子结构不同的材料用于研究,则可以制造具有宽泛范围的特性变化的元件。
就作为有机薄膜晶体管的一种形式的场效应型有机薄膜晶体管而言,施加于栅电极的电压经由栅绝缘层而作用于有机半导体层,并对漏电流的电流量进行控制。此外,在栅电极与有机半导体层之间所形成的栅绝缘层可防止漏电流流至栅电极。
此外用于形成场效应型有机薄膜晶体管的有机半导体层的有机半导体化合物容易受到湿度、氧等环境的影响,晶体管特性容易发生因湿度、氧等所致的经时劣化。
因此,对于作为显露出有机半导体化合物的场效应型有机薄膜晶体管的1种的底栅型有机薄膜晶体管的元件结构而言,需要形成覆盖元件整体的外敷(日文原文:オ一バ一コ一ト)绝缘层来保护有机半导体化合物免受与外界气体接触。另一方面,对于作为场效应型有机薄膜晶体管的1种的顶栅型有机薄膜晶体管的元件结构而言,有机半导体化合物被栅绝缘层包覆而受到保护。这样,为了形成覆盖有机薄膜晶体管中的栅绝缘层及有机半导体层的外敷绝缘层等而使用绝缘层材料。
在本申请说明书中,将上述栅绝缘层及外敷绝缘层之类的电子器件的绝缘层或绝缘膜称为电子器件绝缘层。将用于形成电子器件绝缘层的材料称为电子器件绝缘层材料。此外,将用于形成有机薄膜晶体管绝缘层的材料称为有机薄膜晶体管绝缘层材料。
对于有机薄膜晶体管绝缘层材料,要求具有绝缘性及制成薄膜时的绝缘破坏强度优异的特性。此外,尤其是底栅型的场效应型有机薄膜晶体管是将有机半导体层重叠于栅绝缘层而形成的。因此,对于有机薄膜晶体管栅绝缘层材料,要求具有用于形成与有机半导体层密合的界面的与有机半导体化合物的亲和性,并且要求由该有机薄膜晶体管栅绝缘层材料形成的膜在有机半导体层一侧的表面较为平坦。
作为应对上述要求的技术,专利文献1中记载了组合使用环氧树脂和硅烷偶联剂的有机薄膜晶体管绝缘层材料、以及使用该有机薄膜晶体管栅绝缘层材料而形成的有机薄膜晶体管。在该技术中,使在环氧树脂的固化反应时生成的羟基与硅烷偶联剂反应。这是由于上述羟基使有机薄膜晶体管绝缘层材料的吸湿性提高且不损害晶体管性能的稳定性。
在非专利文献1中记载了将使聚乙烯基苯酚和三聚氰胺化合物在175℃下热交联而得的树脂用于栅绝缘层。在该技术中,通过利用三聚氰胺化合物进行交联,从而将聚乙烯基苯酚中所含的羟基除去,同时提高膜强度。具有该栅绝缘层的并五苯TFT的磁滞(hysteresis)小,对栅偏压应力显示耐久性。
在非专利文献2中记载了如下内容:对使聚乙烯基苯酚及乙烯基苯酚与甲基丙烯酸甲酯共聚而得的共聚物以150℃进行加热,再将其用于栅绝缘层。在该技术中,使乙烯基苯酚的羟基与甲基丙烯酸甲酯的羰基相互作用而使膜整体的极性降低。具有该栅绝缘层的并五苯TFT的磁滞小,显示出稳定的电特性。
但是,若考虑到将驱动有机电致发光元件(有机EL元件)等发光元件等实用化,则需要进一步提高有机薄膜晶体管的动作精度,而在上述以往的栅绝缘层中磁滞的降低效果还并不充分。
进而,若考虑到有机薄膜晶体管的实用化,则需要在形成于上部电极与下部栅电极之间的绝缘层形成通孔(via hole)等贯通部分,并将上部电极与下部栅电极接合。
但是,上述以往的材料不具有感光性,难以在形成绝缘层时进行图案化。因此,为了在上述绝缘层形成通孔等贯通部分,需要具有如下工序而使制造工艺变得烦杂,即,首先,在该绝缘层上涂布包含抗蚀材料的液体而形成抗蚀层的工序;通过掩模对该抗蚀层进行曝光的工序;将该抗蚀层进行显影而形成抗蚀层的图案的工序;以形成有图案的抗蚀层作为掩模将图案转印于绝缘层的工序;以及将形成有图案的抗蚀层剥离除去的工序。
此外,在有机薄膜晶体管的电极中通常使用金属,并在有机层的上方形成金属的电极。金属的电极通常如下地形成:使用溅射法在有机层的表面整体上形成金属层,之后,进行图案化。通过经历上述工序,从而可以简便地制造在大面积的基板上具有多个元件的构件。
但是,用于溅射法的金属蒸气具有高能量,因此会使接触过的有机层中的有机化合物变质。
尤其在对金属层进行图案化时的蚀刻工序及剥离(lift-off)工序中,使用包含较强的碱或酸的蚀刻液。蚀刻液中所含的较强碱或较强酸会使基底的有机层中的有机化合物变质。
若在金属蒸气、强酸或强碱的作用下使有机层中的有机化合物变质,则利用电极形成时的图案化而露出的有机层的表面与电极形成前的状态相比特性会发生变化,对有机薄膜晶体管的性能造成不良影响。例如,在使用有机绝缘材料制成有机薄膜晶体管的栅绝缘层时,若利用溅射法在该绝缘层上直接蒸镀金属而形成金属层、并将该金属层图案化而形成源电极及漏电极,则栅绝缘层的亲水化的表面露出,导致晶体管特性降低。
在专利文献2中记载了通过在包含有机化合物的栅绝缘层的表面整体涂布包含聚钛金属氧烷(polytitano-metalloxane)和1-丁醇的溶液而形成了耐溶剂性高的阻挡层的有机薄膜晶体管。利用该阻挡层保护该栅绝缘层免受形成金属层时所使用的金属蒸气、将金属层图案化时所使用的蚀刻液、形成有机半导体层时所使用的有机溶剂等的影响。
但是,聚钛金属氧烷的化学稳定性高,为了对聚钛金属氧烷层进行蚀刻,而需要使用非常强的碱液,若碱液与基底的有机层接触,则会损伤有机层的表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-305950号公报
专利文献2:国际公开第2007/99689号
非专利文献
非专利文献1:Appl.Phys.Lett.89,093507(2006)
非专利文献2:Appl.Phys.Lett.92,183306(2008)
发明内容
发明所要解决的课题
本发明为了解决上述以往的问题而完成,其目的在于提供能够提高电子器件的特性的电子器件绝缘层。
用于解决课题的手段
即,本发明提供一种电子器件绝缘层,其具有由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层和在由第2绝缘层材料形成在该第1绝缘层上的第2绝缘层,
该第1绝缘层材料是含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)的材料,
该第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的材料,所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元。
【化1】
[式(1)中,R1表示氢原子或甲基。RA表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R表示可被酸脱离的有机基团。R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。p1表示0或1的整数,p2表示1~5的整数。在具有多个R时,多个R可以相同或不同。在具有多个R’时,多个R’可以相同或不同。]
在某一个实施方式中,上述第1绝缘层材料还含有碱性化合物(C)。
在某一个实施方式中,上述感光性树脂材料(A)为正型感光性树脂材料(A-1)或负型感光性树脂材料(A-2)。
在某一个实施方式中,上述正型感光性树脂材料(A-1)是含有高分子化合物(E)和化合物(F)的感光性树脂组合物。
所述高分子化合物(E)包含含有以下定义的第1官能团的重复单元和式(2)所示的重复单元。
第1官能团:可在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第2官能团的官能团。
【化2】
[式(2)中,R2表示氢原子或甲基。RB表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R3表示可被酸脱离的有机基团。R4表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。q1表示0或1的整数,q2表示1~5的整数。在具有多个R3时,多个R3可以相同或不同。在具有多个R4时,多个R4可以相同或不同。]
所述化合物(F)是可通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物,该化合物(F)的热分解温度为200℃以下。
在某一个实施方式中,上述第1官能团为选自被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基中的至少1种基团。
在某一个实施方式中,上述被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基为选自式(3)所示的基团及式(4)所示的基团中的至少一种基团。
【化3】
[式(3)中,Xa表示氧原子或硫原子,R5及R6分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。]
【化4】
[式(4)中,Xb表示氧原子或硫原子,R7、R8及R9分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。]
在某一个实施方式中,上述高分子化合物(E)还包含式(5)所示的重复单元。
【化5】
[式(5)中,R10表示氢原子或甲基。RC表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R11表示可被酸脱离的有机基团。R12表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。r1表示0或1的整数,r2表示1~5的整数。在具有多个R11时,多个R11可以相同或不同。在具有多个R12时,多个R12可以相同或不同。]
以下,将此种包含上述式(5)所示的重复单元的高分子化合物(E)称作高分子化合物(E-1)。
在某一个实施方式中,上述负型感光性树脂材料(A-2)是含有高分子化合物(G)和化合物(H)的感光性树脂组合物。
所述高分子化合物(G)包含含有环状醚结构的重复单元和式(7)所示的重复单元。
【化6】
[式(7)中,R14表示氢原子或甲基。RE表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R15表示可被酸脱离的有机基团。R16表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。t1表示0或1的整数,t2表示1~5的整数。在具有多个R15时,多个R15可以相同或不同。在具有多个R16时,多个R16可以相同或不同。]
所述化合物(H)是可通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物。
在某一个实施方式中,上述高分子化合物(G)所含的具有环状醚结构的重复单元为选自式(8)所示的重复单元及式(9)所示的重复单元中的至少一种重复单元。
【化7】
[式(8)中,R17表示氢原子或甲基。R18、R19及R20分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。RG表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。u表示0或1的整数。]
【化8】
[式(9)中,R21表示氢原子或甲基。R22、R23、R24、R25及R26分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。RH表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。v表示0或1的整数。]
在某一个实施方式中,上述高分子化合物(G)还包含选自含有以下定义的第1官能团的重复单元中的至少一种重复单元。以下,有时将这样的高分子化合物(G)称作高分子化合物(G-1)。
第1官能团:可在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第2官能团的官能团。
在某一个实施方式中,上述第2绝缘层材料为仅包含高分子化合物(D)的绝缘层材料。
在某一个实施方式中,上述高分子化合物(D)所含的含有环状醚结构的重复单元为选自式(11)所示的重复单元及式(12)所示的重复单元中的至少一种重复单元。
【化9】
[式(11)中,R28表示氢原子或甲基。R29、R30及R31分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。RK表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。x表示0或1的整数。]
【化10】
[式(12)中,R32表示氢原子或甲基。R33、R34、R35、R36及R37分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。RL表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。y表示0或1的整数。]
在某一个实施方式中,上述高分子化合物(D)还包含选自式(13)所示的重复单元及含有第1官能团的重复单元中的至少一种重复单元。
【化11】
[式(13)中,R38表示氢原子或甲基。Rf3表示氟原子或可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。RM表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。z1表示0或1的整数,z2表示1~5的整数。在具有多个Rf3时,多个Rf3可以相同或不同。其中,至少一个Rf3为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。]
以下,有时将这样的高分子化合物(D)称作高分子化合物(D-1)。
在某一个实施方式中,上述电子器件绝缘层为有机薄膜晶体管绝缘层。
此外,本发明提供一种电子器件绝缘层的制造方法,其包括:
将包含第1绝缘层材料和溶剂的液体涂布于基材而在该基材上形成第1涂布层的工序;
对该第1涂布层的一部分照射电磁波或电子射线的工序;
将该第1涂布层的被照射了电磁波或电子射线的部分除去而在第1涂布层形成图案的工序;
对形成有该图案的第1涂布层施加热而形成第1绝缘层的工序;
在该第1绝缘层上形成图案化的电极的工序;
将包含第2绝缘层材料和溶剂的液体涂布于该图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层的工序;
对该第1绝缘层及第2涂布层施加热的工序;以及
将形成在图案化的电极上的第2涂布层的部位除去而形成第2绝缘层的工序,
该第1绝缘层材料是含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)的材料,
该第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的材料,所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元。
【化12】
[式(1)中,R1表示氢原子或甲基。RA表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R表示可被酸脱离的有机基团。R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。p1表示0或1的整数,p2表示1~5的整数。在具有多个R时,多个R可以相同或不同。在具有多个R’时,多个R’可以相同或不同。]
此外,本发明还提供一种电子器件绝缘层的制造方法,其包括:
将包含第1绝缘层材料和溶剂的液体涂布于基材而在该基材上形成第1涂布层的工序;
对该第1涂布层的一部分照射电磁波或电子射线的工序;
将该第1涂布层的未被电磁波或电子射线照射的部分除去而在第1涂布层形成图案的工序;
对形成有该图案的第1涂布层施加热而形成第1绝缘层的工序;
在该第1绝缘层上形成图案化的电极的工序;
将包含第2绝缘层材料和溶剂的液体涂布于该图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层的工序;
对该第1绝缘层及第2涂布层施加热的工序;以及
将形成在图案化的电极上的第2涂布层的部位除去而形成第2绝缘层的工序,
该第1绝缘层材料是含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)的材料,
该第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的材料,所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元。
【化13】
[式(1)中,R1表示氢原子或甲基。RA表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R表示可被酸脱离的有机基团。R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。p1表示0或1的整数,p2表示1~5的整数。在具有多个R时,多个R可以相同或不同。在具有多个R’时,多个R’可以相同或不同。]
在某一个实施方式中,上述电磁波为紫外线。
此外,本发明还提供一种电子器件绝缘层,其是利用上述任一实施方式所述的方法制造而成的。
在某一个实施方式中,上述电子器件绝缘层为有机薄膜晶体管绝缘层。
此外,本发明还提供一种有机薄膜晶体管,其具有栅电极、源电极、漏电极、有机半导体层和上述任一实施方式所述的电子器件绝缘层。
此外,本发明还提供一种显示器用构件,其包含上述任一实施方式所述的电子器件绝缘层。
此外,本发明还提供一种显示器,其包含上述显示器用构件。
发明效果
使用本发明的电子器件绝缘层作为绝缘层的有机薄膜晶体管的磁滞小。
此外,对于本发明的电子器件绝缘层而言,可以利用简便的工序进行电子器件绝缘层的图案化。
进而,对于本发明的电子器件绝缘层而言,即使在进行电子器件绝缘层的图案化、和/或在电子器件绝缘层上形成图案化的电极等会损伤电子器件绝缘层表面的工序的情况下,也不会在电子器件绝缘层的表面残留该损伤。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的底栅顶接触型有机薄膜晶体管的结构的示意性剖视图。
图2是表示本发明的另一实施方式的底栅底接触型有机薄膜晶体管的结构的示意性剖视图。
具体实施方式
下面,对本发明进行更详细地说明。
在本说明书中,“高分子化合物”是指分子中包含由多个相同结构单元重复而成的结构的化合物,所谓的二聚物也包含在该高分子化合物中。另一方面,“低分子化合物”是指分子中不重复地具有相同结构单元的化合物。
使用本发明的电子器件用绝缘层的有机薄膜晶体管具有:栅电极、源电极、漏电极、有机半导体层、由第1绝缘层材料形成的第1栅绝缘层和由第2绝缘层材料形成在该第1栅绝缘层上的第2栅绝缘层。
第1绝缘层材料含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)。
第2绝缘层材料与第1绝缘层材料不同,其含有高分子化合物(D),所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元。第2绝缘层材料可以仅含有与可在电磁波或电子射线的照射、或者热的作用下产生酸的化合物不同的化合物作为任意成分。
(第1绝缘层材料)
<感光性树脂材料(A)>
本发明中使用的感光性树脂材料(A)优选正型感光性树脂材料(A-1)及负型感光性树脂材料(A-2)。
作为正型感光性树脂材料(A-1),优选含有高分子化合物(E)和化合物(F)的感光性树脂组合物,所述高分子化合物(E)包含含有第1官能团的重复单元和式(2)所示的重复单元,所述化合物(F)是可通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物,且该化合物(F)的热分解温度为200℃以下。上述第1官能团是指可在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第2官能团的官能团。
高分子化合物(E)
式(2)中,R2表示氢原子或甲基。在某一实施方式中,R2为氢原子。
式(2)中,RB表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。该连结部分只要是具有在使本发明中使用的绝缘层材料交联的环境条件下不显示反应性的结构的二价基团即可。作为该连结部分,例如可列举包含碳数1~20的二价有机基团的键、醚键(-O-)、酮键(-CO-)、酯键(-COO-、-OCO-)、酰胺键(-NHCO-、-CONH-)、氨基甲酸酯键(-NHCOO-、-OCONH-)及将这些键组合而成的键。q1表示0或1的整数。在某一个实施方式中,q1为0。
RB所示的碳数1~20的二价有机基团可以为直链、支链、环状中的任一种,可以是脂肪族烃基,也可以是芳香族烃基。作为该碳数1~20的二价有机基团,例如可列举碳数1~20的二价直链状脂肪族烃基、碳数3~20的二价支链状脂肪族烃基、碳数3~20的二价环状烃基及可以被烷基等取代的碳数6~20的二价芳香族烃基。其中,优选碳数1~6的二价直链状脂肪族烃基、碳数3~6的二价支链状脂肪族烃基、碳数3~6的二价环状烃基及可以被烷基等取代的碳数6~20的二价芳香族烃基。
作为二价直链状脂肪族烃基、二价支链状脂肪族烃基及二价环状烃基,例如可列举亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚异丙基、亚异丁基、二甲基亚丙基、亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基及亚环己基。
作为可以被烷基等取代的碳数6~20的二价芳香族烃基,例如可列举亚苯基、亚萘基、亚蒽基、二甲基亚苯基、三甲基亚苯基、亚乙基亚苯基、二亚乙基亚苯基、三亚乙基亚苯基、亚丙基亚苯基、亚丁基亚苯基、甲基亚萘基、二甲基亚萘基、三甲基亚萘基、乙烯基(vinyl)亚萘基、乙烯基(ethenyl)亚萘基、甲基亚蒽基及乙基亚蒽基。
式(2)中,R4表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。碳数1~20的一价有机基团可以为直链、支链、环状中的任一种,可以是饱和基团,也可以是不饱和基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子也可以被氟原子取代。
作为R4所示的碳数1~20的一价有机基团,例如可列举碳数1~20的直链状烃基、碳数3~20的支链状烃基、碳数3~20的环状烃基及碳数6~20的芳香族烃基,优选为碳数1~6的直链状烃基、碳数3~6的支链状烃基、碳数3~6的环状烃基及碳数6~20的芳香族烃基。
碳数1~20的直链状烃基、碳数3~20的支链状烃基及碳数3~20的环状烃基中所含的氢原子可以被氟原子取代。
碳数6~20的芳香族烃基中的氢原子也可以被烷基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等取代。
作为碳数1~20的一价有机基团的具体例,可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、异丙基、异丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环戊炔基、环己炔基、三氟甲基、三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、甲苯基、二甲苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、乙基苯基、二乙基苯基、三乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、甲基萘基、二甲基萘基、三甲基萘基、乙烯基(vinyl)萘基、乙烯基(ethenyl)萘基、甲基蒽基、乙基蒽基、氯苯基及溴苯基。
作为碳数1~20的一价有机基团,优选烷基。
式(2)中,R3表示可被酸脱离的有机基团。这意味着:在酸作用于式(2)中的-COOR3基时,R3基脱离而生成-COOH基。此时,高分子化合物(E)显示酸性,其结果为对碱性溶液显示可溶性。
作为R3所示的可被酸脱离的有机基团,例如可列举:具有支链结构或环状烃结构的碳数4~20的烃基、可以被取代的氢呋喃基、以及可以被取代的氢吡喃基。
作为具有支链结构的碳数4~20的烃基,例如可列举叔丁基、2,3-二甲基-2-丁基及2,3,3-三甲基-2-丁基。
作为具有环状烃结构的碳数4~20的烃基,例如可列举2-环丙基-2-丙基、1-甲基-1-环戊基、1-甲基-1-环己基、1-甲基-1-环庚基、2-甲基-2-金刚烷基及2-金刚烷基-2-丙基。
作为氢呋喃基及氢吡喃基可以具有的取代基,例如可列举羟基、烷氧基及烷基。
氢呋喃基是指从二氢呋喃或四氢呋喃除去1个氢原子后的基团,作为可以被取代的氢呋喃基,例如可列举四氢呋喃基。
氢吡喃基是指从二氢吡喃或四氢吡喃除去1个氢原子后的基团,作为可以被取代的氢吡喃基,例如可列举四氢吡喃基及4-甲氧基四氢吡喃基。
式(2)中,q2表示1~5的整数。在某一个实施方式中,q2为1。
高分子化合物(E)包含含有第1官能团的重复单元。上述第1官能团不与活性氢反应,但是若对该第1官能团施加电磁波或热作用,则生成第2官能团,该第2官能团与活性氢发生反应。即,上述第1官能团可在电磁波或热的作用下被去保护而生成可与活性氢反应的第2官能团。在本说明书中,“活性氢”是指与氧原子、硫原子或氮原子键合的氢原子。
若在有机薄膜晶体管绝缘层的内部形成交联结构,则会抑制分子结构的移动,并且抑制绝缘层的分极。若绝缘层的分极受到抑制,则在被用作例如栅绝缘层时有机薄膜晶体管的阈值电压的绝对值降低,使动作精度提高。
作为高分子化合物(E)所具有的含活性氢的基团,例如可列举:在由可产生酸的化合物(F)所产生的酸的作用下,从式(2)中的-COOR3基脱离R3基而生成的羧基。此外,例如可列举:在由可产生酸的化合物(F)所产生的酸的作用下,从式(5)中的-OR11基脱离R11基而生成的羟基。
在第1栅绝缘层的形成工序中,该含活性氢的基团一直被保护(封端)直至照射电磁波或施加热为止,其以上述第1官能团的形态存在于第1绝缘层材料中。其结果使第1绝缘层材料的储存稳定性提高。
作为上述第1官能团的优选例,可列举被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基。
上述被封端剂封端后的异氰酸基可以通过使1分子中仅具有1个可与异氰酸基反应的活性氢的封端剂与异氰酸基反应来制造。
上述被封端剂封端后的异硫氰酸基可以通过使1分子中仅具有1个可与异硫氰酸基反应的活性氢的封端剂与异硫氰酸基反应来制造。
上述封端剂优选在与异氰酸基或异硫氰酸基反应后会在170℃以下的温度解离的封端剂。作为封端剂,例如可列举醇系化合物、酚系化合物、活性亚甲基系化合物、硫醇系化合物、酰胺系化合物、酰亚胺系化合物、咪唑系化合物、脲系化合物、肟系化合物、胺系化合物、亚胺系化合物、亚硫酸氢盐、吡啶系化合物及吡唑系化合物。封端剂可以单独使用,也可以混合使用两种以上。作为优选的封端剂,可列举肟系化合物及吡唑系化合物。
以下,例示出具体的封端剂。作为醇系化合物,例如可列举甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、2-乙基己醇、甲基溶纤剂、丁基溶纤剂、甲基卡必醇、苄醇及环己醇。作为酚系化合物,例如可列举苯酚、甲酚、乙基苯酚、丁基苯酚、壬基苯酚、二壬基苯酚、苯乙烯化苯酚及羟基苯甲酸酯。作为活性亚甲基系化合物,例如可列举丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯及乙酰丙酮。作为硫醇系化合物,例如可列举丁基硫醇及十二烷基硫醇。作为酰胺系化合物,例如可列举乙酰苯胺、乙酰胺、ε-己内酰胺、δ-戊内酰胺及γ-丁内酰胺。作为酰亚胺系化合物,例如可列举琥珀酰亚胺及马来酰亚胺。作为咪唑系化合物,例如可列举咪唑及2-甲基咪唑。作为脲系化合物,例如可列举脲、硫脲及亚乙基脲。作为肟系化合物,例如可列举甲醛肟、乙醛肟、乙酰肟、甲基乙基酮肟及环己酮肟。作为胺系化合物,例如可列举二苯胺、苯胺及咔唑。作为亚胺系化合物,例如可列举乙烯亚胺及聚乙烯亚胺。作为亚硫酸氢盐,例如可列举亚硫酸氢钠。作为吡啶系化合物,例如可列举2-羟基吡啶及2-羟基喹啉。作为吡唑系化合物,例如可列举3,5-二甲基吡唑及3,5-二乙基吡唑。
作为本发明中可以使用的被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基,优选上述式(3)所示的基团及上述式(4)所示的基团。
式(3)及式(4)中,Xa表示氧原子或硫原子,Xb表示氧原子或硫原子,R5、R6、R7、R8及R9分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。
R5、R6、R7、R8及R9所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
在某一个实施方式中,R5为甲基,R6为乙基,R7、R8及R9为氢原子。
作为被封端剂封端后的异氰酸基,例如可列举O-(甲叉氨基)羧基氨基、O-(1-乙叉氨基)羧基氨基、O-(1-甲基乙叉氨基)羧基氨基、O-[1-甲基丙叉氨基]羧基氨基、(N-3,5-二甲基吡唑基羰基)氨基、(N-3-乙基-5-甲基吡唑基羰基)氨基、(N-3,5-二乙基吡唑基羰基)氨基、(N-3-丙基-5-甲基吡唑基羰基)氨基及(N-3-乙基-5-丙基吡唑基羰基)氨基。
作为被封端剂封端后的异硫氰酸基,例如可列举O-(甲叉氨基)硫代羧基氨基、O-(1-乙叉氨基)硫代羧基氨基、O-(1-甲基乙叉氨基)硫代羧基氨基、O-[1-甲基丙叉氨基]硫代羧基氨基、(N-3,5-二甲基吡唑基硫代羰基)氨基、(N-3-乙基-5-甲基吡唑基硫代羰基)氨基、(N-3,5-二乙基吡唑基硫代羰基)氨基、(N-3-丙基-5-甲基吡唑基硫代羰基)氨基及(N-3-乙基-5-丙基吡唑基硫代羰基)氨基。
作为第1官能团,优选被封端剂封端后的异氰酸基。
本发明中使用的高分子化合物(E)优选为还包含式(5)所示的重复单元的高分子化合物、即上述高分子化合物(E-1)。
式(5)中,R10表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R10为氢原子。
式(5)中,RC表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RC所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。r1表示0或1的整数。在某一个实施方式中,r1为0。
式(5)中,R11表示可被酸脱离的有机基团。R11所示的可被酸脱离的有机基团是在酸的作用下脱离而生成酚性羟基的有机基团。酚性羟基有时会因链转移而使高分子化合物(E-1)的阳离子聚合停止,有时会使阳离子聚合的反应速度降低,有时会在酸的存在下抑制高分子化合物(E-1)的阳离子聚合的过度进行。
作为R11所示的可被酸脱离的有机基团,例如可列举可以被取代的碳数2~20的烷氧基烷基、可以被取代的氢呋喃基、可以被取代的氢吡喃基及具有碳数3~20的环状烃结构的基团。
作为碳数2~20的烷氧基烷基可以具有的取代基,例如可列举碳数1~20的烷氧基、碳数1~20的烷基、卤素原子及苯基。作为可以被取代的碳数2~20的烷氧基烷基,例如可列举甲氧基甲基、甲氧基乙氧基甲基、1-乙氧基乙基、2-乙氧基乙基、双(2-氯乙氧基)甲基、1-甲基-1-甲氧基乙基及1-异丙氧基乙基。
作为氢呋喃基及氢吡喃基可以具有的取代基,例如可列举羟基、碳数1~20的烷氧基及碳数1~20的烷基。
氢呋喃基是指从二氢呋喃或四氢呋喃除去1个氢原子后的基团,作为可以被取代的氢呋喃基,例如可列举四氢呋喃基。
氢吡喃基是指从二氢吡喃或四氢吡喃除去1个氢原子后的基团,作为可以被取代的氢吡喃基,例如可列举四氢吡喃基及4-甲氧基四氢吡喃基。
作为具有碳数3~20的环状烃结构的基团,例如可列举1-环丙基-1-甲基乙基、1-甲基-1-环戊基、1-甲基-1-环己基、1-甲基-1-环庚基、2-甲基-2-金刚烷基及1-甲基-1-(2-金刚烷基)乙基。
式(5)中,r2表示1~5的整数。在某一个实施方式中,r2为1。
式(5)中,R12表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。
R12所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
高分子化合物(E)或(E-1)可以进一步包含式(6)所示的重复单元。
【化14】
式(6)中,R13表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R13为氢原子。
式(6)中,RD表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RD所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。s1表示0或1的整数。在某一个实施方式中,s1为0。
式(6)中,Rf1表示氟原子或可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。在某一个实施方式中,Rf1为氟原子。
通过在绝缘层材料中导入氟,可以使由该材料形成的绝缘层的极性变低,并且可以抑制绝缘层的分极。
氟原子优选不取代高分子化合物的主链的氢原子而取代侧链或侧基(pendant group)的氢原子。对于氟原子取代于侧链或侧基的绝缘层材料而言,对有机半导体等其他有机化合物的亲和性不会降低,在与绝缘层邻接地形成包含该有机化合物的层的情况下,有机化合物与绝缘层的露出面接触,容易形成层。
s2表示1~5的整数。在某一个实施方式中,s2为5。
Rf1所示的碳数1~20的一价有机基团可以具有氟原子,其可以是直链、支链、环状中的任一种,可以是饱和基团,也可以是不饱和基团。
作为碳数1~20的一价有机基团,例如可列举碳数1~20的直链状烃基、碳数3~20的支链状烃基、碳数3~20的环状烃基、碳数6~20的芳香族烃基,可优选列举碳数1~6的直链状烃基、碳数3~6的支链状烃基、碳数3~6的环状烃基、碳数6~20的芳香族烃基。
碳数6~20的芳香族烃基中的氢原子也可以被烷基、氯原子、溴原子、碘原子等取代。
在Rf1为不具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团时,作为不具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团的具体例,可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、异丙基、异丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环戊炔基、环己炔基、苯基、萘基、蒽基、甲苯基、二甲苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、乙基苯基、二乙基苯基、三乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、甲基萘基、二甲基萘基、三甲基萘基、乙烯基(vinyl)萘基、乙烯基(ethenyl)萘基、甲基蒽基、乙基蒽基、氯苯基及溴苯基。
在不具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团中,优选烷基。
在Rf1为具有氟原子的碳数1~20的有机基团时,作为具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团,例如可列举三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、五氟苯基及三氟甲基苯基。
作为Rf1所示的可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团,优选被氟原子取代后的烷基。
式(6)中,至少一个Rf1为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。优选使s2为5且5个Rf1为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。
高分子化合物(E)可以通过例如使用光聚合引发剂或热聚合引发剂而使包含含有第1官能团的聚合性单体和成为上述式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体的聚合性单体混合物共聚的方法来制造。
作为上述含有第1官能团的聚合性单体,例如可列举具有被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基中的任一者、和不饱和键的单体。具有该被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基中的任一者、和不饱和键的单体可以通过使具有异氰酸基及异硫氰酸基中的任一者、和不饱和键的化合物与封端剂反应来制造。作为不饱和键,优选双键。
作为具有双键和异氰酸基的化合物,例如可列举2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯及2-(2’-甲基丙烯酰氧基乙基)氧基乙基异氰酸酯。作为具有双键和异硫氰酸基的化合物,例如可列举2-丙烯酰氧基乙基异硫氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异硫氰酸酯及2-(2’-甲基丙烯酰氧基乙基)氧基乙基异硫氰酸酯。
在上述含有第1官能团的聚合性单体的制造中可以适合使用上述封端剂。在使具有异氰酸基及异硫氰酸基中的任一者、和不饱和键的化合物与封端剂反应而制造具有被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基中的任一者、和不饱和键的单体的反应中,可以添加有机溶剂、催化剂等。
作为上述具有被封端剂封端后的异氰酸基和双键的单体,例如可列举甲基丙烯酸2-〔O-[1’-甲基丙叉氨基]羧基氨基〕乙酯及甲基丙烯酸2-〔N-[1’,3’-二甲基吡唑基]羰基氨基〕乙酯。
作为上述具有被封端剂封端后的异硫氰酸基和双键的单体,例如可列举甲基丙烯酸2-〔O-[1’-甲基丙叉氨基]硫代羧基氨基〕乙酯及甲基丙烯酸2-〔N-[1’,3’-二甲基吡唑基]硫代羰基氨基〕乙酯。
作为上述光聚合引发剂,例如可列举:苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、4-异丙基-2-羟基-2-甲基苯丙酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮、4,4’-双(二乙氨基)二苯甲酮、二苯甲酮、(邻苯甲酰)苯甲酸甲酯、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-苯甲酰)肟、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯偶姻辛基醚、苯偶酰、苯偶酰二甲基缩酮、苯偶酰二乙基缩酮、双乙酰等羰基化合物;甲基蒽醌、氯蒽醌、氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮等蒽醌衍生物或噻吨酮衍生物;二苯基二硫醚、二硫代氨基甲酸盐等硫化合物。
在使用光能作为引发共聚的能源时,对聚合性单体照射的光的波长为360nm以上,优选为360~450nm。
作为上述热聚合引发剂,只要是可以成为自由基聚合的引发剂的化合物即可,例如可列举:2,2’-偶氮双异丁腈、2,2’-偶氮双异戊腈、2,2’-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、4,4’-偶氮双(4-氰基戊酸)、1,1’-偶氮双(环己烷甲腈)、2,2’-偶氮双(2-甲基丙烷)、2,2’-偶氮双(2-甲基丙脒)二盐酸盐等偶氮系化合物;甲基乙基酮过氧化物、甲基异丁基酮过氧化物、环己酮过氧化物、乙酰丙酮过氧化物等酮过氧化物类;异丁基过氧化物、苯甲酰过氧化物、2,4-二氯苯甲酰过氧化物、邻甲基苯甲酰过氧化物、月桂酰过氧化物、对氯苯甲酰过氧化物等二酰基过氧化物类;2,4,4-三甲基戊基-2-过氧化氢、二异丙基苯过氧化氢、氢过氧化枯烯、叔丁基过氧化氢等过氧化氢类;二枯基过氧化物、叔丁基枯基过氧化物、二叔丁基过氧化物、三(叔丁基过氧化)三嗪等二烷基过氧化物类;1,1-二叔丁基过氧化环己烷、2,2-二(叔丁基过氧化)丁烷等过氧化缩酮类;过氧化新戊酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化六氢对苯二甲酸二叔丁酯、过氧化壬二酸二叔丁酯、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化乙酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化三甲基己二酸二叔丁酯等烷基过酸酯类;过氧化二碳酸二异丙酯、过氧化二碳酸二仲丁酯、过氧化异丙基碳酸叔丁酯等过氧化碳酸酯类。
作为成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体,例如可列举4-乙烯基苯甲酸叔丁酯、4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯及4-乙烯基苯甲酸(四氢-2-吡喃基)酯。
作为高分子化合物(E)的一种形式的高分子化合物(E-1),例如可以使用在含有第1官能团的聚合性单体及成为上述式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体的基础上还包含选自成为上述式(5)所示的重复单元的原料的聚合性单体及成为上述式(6)所示的重复单元的原料的聚合性单体中的至少一种聚合性单体的聚合性单体混合物,并利用与上述高分子化合物(E)的制造同样的方法来制造。
作为成为式(5)所示的重复单元的原料的聚合性单体,例如可列举4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯、4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯、4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯、4-(2-四氢吡喃基氧基)苯乙烯、4-(环丙基甲氧基)苯乙烯及4-(环己氧基)苯乙烯。
作为成为式(6)所示的重复单元的原料的聚合性单体,例如可列举2-三氟甲基苯乙烯、3-三氟甲基苯乙烯、4-三氟甲基苯乙烯、2,3,4,5,6-五氟苯乙烯及4-氟苯乙烯。
高分子化合物(E)也可以在聚合时添加除含有第1官能团的聚合性单体、成为上述式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(5)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(6)所示的重复单元的原料的聚合性单体以外的其他聚合性单体来制造。
作为在高分子化合物(E)的制造中追加使用的聚合性单体,例如可列举丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、包含不饱和烃基的有机锗衍生物及乙烯基-1,3-二氧杂环戊烷-2-酮及其衍生物。
追加使用的聚合性单体的种类可以根据绝缘层所要求的特性进行适当选择。从对溶剂的优异的耐久性、减小有机薄膜晶体管的磁滞的观点出发,在包含通过聚合而得到的高分子化合物的膜中,选择像苯乙烯、苯乙烯衍生物那样分子密度高、且可形成硬膜的单体。此外,从对栅电极或基板的表面等绝缘层的邻接面的密合性的观点出发,选择像甲基丙烯酸酯及其衍生物、丙烯酸酯及其衍生物那样对高分子化合物(E)赋予可塑性的单体。
丙烯酸酯及其衍生物可以是单官能的丙烯酸酯,另外,虽然使用量受到制约,但也可以是多官能的丙烯酸酯。作为丙烯酸酯及其衍生物,例如可列举丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丙酯、丙烯酸-2-羟基丁酯、丙烯酸-2-羟基苯基乙酯、乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇五丙烯酸酯、丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、丙烯酸2,2,3,3,3-五氟丙酯、丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、丙烯酸3-全氟丁基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、丙烯酸3-(全氟-7-甲基辛基)-2-羟基丙酯、丙烯酸1H,1H,3H-四氟丙酯、丙烯酸1H,1H,5H-八氟戊酯、丙烯酸1H,1H,7H-十二氟庚酯、丙烯酸1H,1H,9H-十六氟壬酯、丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、丙烯酸1H,1H,3H-六氟丁酯、N,N-二甲基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺及N-丙烯酰基吗啉。
甲基丙烯酸酯及其衍生物可以是单官能的甲基丙烯酸酯,另外,虽然使用量受到制约,但也可以是多官能的甲基丙烯酸酯。作为甲基丙烯酸酯及其衍生物,例如可列举甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-3-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丁酯、甲基丙烯酸-2-羟基苯基乙酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、丙二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇五甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2,2,3,3,3-五氟丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟丁基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟辛基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-7-甲基辛基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸1H,1H,3H-四氟丙酯、甲基丙烯酸1H,1H,5H-八氟戊酯、甲基丙烯酸1H,1H,7H-十二氟庚酯、甲基丙烯酸1H,1H,9H-十六氟壬酯、甲基丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、甲基丙烯酸1H,1H,3H-六氟丁酯、N,N-二甲基甲基丙烯酰胺、N,N-二乙基甲基丙烯酰胺及N-丙烯酰基吗啉。
作为苯乙烯及其衍生物,例如可列举苯乙烯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、邻甲基苯乙烯、间甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,5-二甲基苯乙烯、2,6-二甲基苯乙烯、3,4-二甲基苯乙烯、3,5-二甲基苯乙烯、2,4,6-三甲基苯乙烯、2,4,5-三甲基苯乙烯、五甲基苯乙烯、邻乙基苯乙烯、间乙基苯乙烯、对乙基苯乙烯、邻氯苯乙烯、间氯苯乙烯、对氯苯乙烯、邻溴苯乙烯、间溴苯乙烯、对溴苯乙烯、邻甲氧基苯乙烯、间甲氧基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、邻羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、对羟基苯乙烯、2-乙烯基联苯、3-乙烯基联苯、4-乙烯基联苯、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、4-乙烯基对三联苯、1-乙烯基蒽、α-甲基苯乙烯、邻异丙烯基甲苯、间异丙烯基甲苯、对异丙烯基甲苯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、2,3-二甲基-α-甲基苯乙烯、3,5-二甲基-α-甲基苯乙烯、对异丙基-α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯乙烯、二乙烯基苯、二乙烯基联苯、二异丙基苯及4-氨基苯乙烯。
作为有机羧酸的乙烯酯及其衍生物,例如可列举乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯及己二酸二乙烯酯。
作为有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物,例如可列举乙酸烯丙酯、苯甲酸烯丙酯、己二酸二烯丙酯、对苯二甲酸二烯丙酯、间苯二甲酸二烯丙酯及邻苯二甲酸二烯丙酯。
作为富马酸的二烷基酯及其衍生物,例如可列举富马酸二甲酯、富马酸二乙酯、富马酸二异丙酯、富马酸二仲丁酯、富马酸二异丁酯、富马酸二正丁酯、富马酸二(2-乙基己基)酯及富马酸二苄酯。
作为马来酸的二烷基酯及其衍生物,例如可列举马来酸二甲酯、马来酸二乙酯、马来酸二异丙酯、马来酸二仲丁酯、马来酸二异丁酯、马来酸二正丁酯、马来酸二(2-乙基己基)酯及马来酸二苄酯。
作为衣康酸的二烷基酯及其衍生物,例如可列举衣康酸二甲酯、衣康酸二乙酯、衣康酸二异丙酯、衣康酸二仲丁酯、衣康酸二异丁酯、衣康酸二正丁酯、衣康酸二(2-乙基己基)酯及衣康酸二苄酯。
作为有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物,例如可列举N-甲基-N-乙烯基乙酰胺。
作为末端不饱和烃及其衍生物,例如可列举1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、乙烯基环己烷、氯乙烯及烯丙醇。
作为包含不饱和烃基的有机锗衍生物,例如可列举烯丙基三甲基锗、烯丙基三乙基锗、烯丙基三丁基锗、三甲基乙烯基锗及三乙基乙烯基锗。
作为乙烯基-1,3-二氧杂环戊烷-2-酮及其衍生物,例如可列举4-乙烯基-1,3-二氧杂环戊烷-2-酮及5-甲基-4-乙烯基-1,3-二氧杂环戊烷-2-酮。
作为追加使用的聚合性单体,优选丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、苯乙烯、4-甲氧基苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、烯丙基三甲基锗及4-乙烯基-1,3-二氧杂环戊烷-2-酮。
在高分子化合物(E)的制造中,含有第1官能团的聚合性单体的投入摩尔量在参与聚合的全部聚合性单体中优选为5摩尔%以上且50摩尔%以下,更优选为5摩尔%以上且40摩尔%以下。通过将含有第1官能团的聚合性单体的投入摩尔量调节至该范围,可以在绝缘层的内部充分形成交联结构,使极性基团的含量保持在低水平,抑制绝缘层的分极。
在高分子化合物(E)的制造中,成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量在参与聚合的全部聚合性单体中优选为20摩尔%以上且70摩尔%以下,更优选为30摩尔%以上且60摩尔%以下。在成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量低于20摩尔%时,有时对碱溶液的溶解性变得不充分而无法进行显影。
在成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量超过70摩尔%时,有时溶解对比度会降低而使分辨力变差。
高分子化合物(E)的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为3000~1000000、更优选为5000~500000。高分子化合物(E)可以是直链状,也可以是支链状,还可以是环状。
作为高分子化合物(E),例如可列举聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(1-甲基金刚烷基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])及聚(4-乙烯基苯甲酸(1-甲基金刚烷基)酯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])。
作为高分子化合物(E-1),例如可列举聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(1-甲基金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-丙烯腈-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(1-甲基金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸叔丁酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-乙烯基苯甲酸(2-四氢吡喃基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])及聚(4-乙烯基苯甲酸(2-甲基-2-金刚烷基)酯-共聚-4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-4-2,3,4,5,6-五氟苯乙烯-共聚-4-甲氧基苯乙烯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])。
化合物(F)
上述正型感光性树脂材料(A-1)包含化合物(F),该化合物(F)是可通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物,且该化合物(F)的热分解温度为200℃以下。这里所说的热分解是指通过加热产生酸。
电磁波通常包含红外线、可见光线、紫外线等。优选的电磁波为紫外线。更优选的电磁波为波长450nm以下、优选200~410nm的紫外线。若紫外线的波长过短,则有时电磁波无法到达基材与绝缘层的界面,若紫外线的波长过长,则有时化合物(F)不分解而无法进行显影。
该化合物的热分解温度为200℃以下、优选为100~200℃、更优选为120~200℃。若该化合物的热分解温度超过200℃,则有时使交联结构的形成变得不充分。
作为化合物(F),例如可列举甲苯磺酸酯化合物及三嗪化合物。
作为甲苯磺酸酯化合物,例如可列举α-(对甲苯磺酰氧基甲基)苯偶姻、α-(对甲苯磺酰氧基)邻硝基甲苯及α-(对甲苯磺酰氧基)对硝基甲苯。
作为三嗪化合物,例如可列举2,4-双(三氯甲基)-6-甲基-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-苯基-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-(4’-甲氧基苯基)-1,3,5-三嗪及2,4-双(三氯甲基)-6-(3’,4’-二甲氧基苯基)-1,3,5-三嗪。
上述正型感光性树脂材料(A-1)可以在化合物(F)的基础上进一步含有可通过照射电磁波或电子射线而产生酸且热分解温度高于200℃的化合物、以及热分解温度为200℃以下的热产酸剂。这是由于:只要使绝缘层材料具有通过照射电磁波或电子射线而产生酸的功能和在加热到规定的温度、例如100℃以上时产生酸的功能即可,未必需要使一种化合物具备这两种功能。
第1绝缘层材料中所含的化合物(F)的量相对于感光性树脂材料(A)优选为0.1重量%~20重量%、更优选为0.5重量%~10重量%、进一步优选为1重量%~5重量%。若化合物(F)的量低于0.1重量%,则有时使第1绝缘层材料的分辨率降低,若化合物(F)的量超过20重量%,则有时使保存稳定性降低。
本发明中可以使用的负型感光性树脂材料(A-2)含有高分子化合物(G)和化合物(H),高分子化合物(G)包含含有环状醚结构的重复单元和式(7)所示的重复单元,化合物(H)是可通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物。
高分子化合物(G)
含有环状醚结构的化合物在酸的存在下发生阳离子聚合。因此,高分子化合物(G)可以形成交联结构。只要使用在光或热的作用下产生酸的产酸剂及在光或热的作用下产生阳离子种的阳离子聚合引发剂进行高分子化合物(G)的阳离子聚合,则可以利用光及热等能源来促进聚合,尤其可提高使用高分子化合物(G)所形成的栅绝缘层的交联密度。
若在栅绝缘层的内部形成交联结构,则可以抑制分子结构的移动,并且抑制栅绝缘层的分极。若栅绝缘层的分极受到抑制,则有机薄膜晶体管的磁滞降低而使动作精度提高。
式(7)中,R14表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R14为氢原子。
式(7)中,RE表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RE所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。t1表示0或1的整数。在某一个实施方式中,t1为0。
式(7)中,R16表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子也可以被氟原子取代。
R16所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
式(7)中,R15表示可被酸脱离的有机基团。R15所示的可被酸脱离的有机基团是在酸的作用下脱离而生成酚性羟基的有机基团。酚性羟基可以与环状醚结构反应而形成交联结构。此外,酚性羟基有时会因链转移而使高分子化合物(G)的阳离子聚合停止,有时会使阳离子聚合的反应速度降低,有时会在酸的存在下抑制高分子化合物(G)的阳离子聚合的过度进行。
作为可被酸脱离的有机基团,例如可列举可以被取代的碳数2~20的烷氧基烷基、具有碳数3~20的环状烃结构的基团、叔烷基、可以被取代的四氢呋喃基及可以被取代的四氢吡喃基。
R15所示的可以被取代的碳数2~20的烷氧基烷基、具有碳数3~20的环状烃结构的基团、可以被取代的四氢呋喃基及可以被取代的四氢吡喃基的定义及具体例与上述的R11所示的可以被取代的碳数2~20的烷氧基烷基、具有碳数3~20的环状烃结构的基团、可以被取代的四氢呋喃基及可以被取代的四氢吡喃基的定义及具体例相同。
作为R15所示的叔烷基,例如可列举叔丁基。
式(7)中,t2表示1~5的整数。在某一个实施方式中,t2为1。
作为该含有环状醚结构的重复单元,优选式(8)所示的重复单元及式(9)所示的重复单元。
式(8)中,R17表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R17为甲基。
式(8)中,R18、R19及R20分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子也可以被氟原子取代。R18、R19及R20所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
式(8)中,RG表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RG所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。u表示0或1的整数。在某一个实施方式中,u为1,RG为-COO-所示的键。
式(9)中,R21表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R21为甲基。
式(9)中,R22、R23、R24、R25及R26分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子也可以被氟原子取代。R22、R23、R24、R25及R26所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
式(9)中,RH表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RH所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。v表示0或1的整数。在某一个实施方式中,v为1,RH为-COO-所示的键。
高分子化合物(G)的一种形式为在式(7)所示的重复单元、及式(8)所示的重复单元或式(9)所示的重复单元的基础上进一步包含选自上述含有第1官能团的重复单元中的至少一种重复单元的高分子化合物(G-1)。
上述第1官能团不与活性氢反应,但是若对该第1官能团施加电磁波或热作用,则生成第2官能团,该第2官能团与活性氢反应。即,上述第1官能团在电磁波或热的作用下被去保护而生成可与活性氢反应的第2官能团。第2官能团可以通过与第1绝缘层材料所含有的含活性氢的基团键合而在绝缘层的内部形成交联结构。此外,通过使上述含活性氢的基团与第2官能团反应,从而使绝缘层中所含的活性氢的量降低而抑制绝缘层的分极。
作为负型感光性树脂材料(A-2)所含有的含活性氢的基团,可列举:在酸的存在下含有环状醚结构的高分子化合物(G-1)聚合时所生成的羟基;以及在酸的作用下从式(7)所示的重复单元脱离有机基团而生成的羟基等。
负型感光性树脂材料(A-2)可以进一步含有选自作为含有2个以上活性氢的低分子化合物的活性氢化合物及作为含有2个以上活性氢的高分子化合物的活性氢化合物中的至少一种活性氢化合物。
高分子化合物(G-1)所具有的第1官能团的优选例与上述的高分子化合物(E)所具有的第1官能团的优选例相同。
高分子化合物(G)或(G-1)可以进一步包含式(10)所示的重复单元。
【化15】
式(10)中,R27表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R27为氢原子。
式(10)中,RJ表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RJ所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。w1表示0或1的整数。在某一个实施方式中,w1为0。
式(10)中,Rf2表示氟原子或可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。Rf2所示的可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的Rf1所示的可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。在某一个实施方式中,Rf2为氟原子。
w2表示1~5的整数。在某一个实施方式中,w2为5。
式(10)中,至少一个Rf2为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。优选使w2为5且5个Rf2为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。
高分子化合物(G)例如可以利用使用光聚合引发剂或热聚合引发剂使包含成为上述式(7)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(8)所示的重复单元的原料的聚合性单体或成为上述式(9)所示的重复单元的原料的聚合性单体、和成为上述式(10)所示的重复单元的原料的聚合性单体或具有第1官能团的聚合性单体的聚合性单体混合物共聚的方法来制造。
成为上述式(7)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例与成为上述的式(5)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例相同。
作为成为上述式(8)所示的重复单元的原料的聚合性单体,例如可列举丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸2-缩水甘油基乙酯及甲基丙烯酸2-缩水甘油基乙酯。
作为成为上述式(9)所示的重复单元的原料的聚合性单体,例如可列举3-丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷及3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷。
成为上述式(10)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例与成为上述的式(6)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例相同。
在高分子化合物(G-1)的制造中可以使用的含有第1官能团的聚合性单体的具体例及合成法与在上述的高分子化合物(E)的制造中可以使用的含有第1官能团的聚合性单体的具体例及合成法相同。
高分子化合物(G)也可以在聚合性单体混合物中添加除成为上述式(7)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(8)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(9)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(10)所示的重复单元的原料的聚合性单体、含有第1官能团的聚合性单体以外的其他可聚合的单体来制造。
作为在高分子化合物(G)的制造中追加使用的聚合性单体,例如可列举丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、以及包含不饱和烃基的有机锗衍生物。该丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、以及包含不饱和烃基的有机锗衍生物的定义及具体例与在上述的高分子化合物(E)的制造中可追加使用的该丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、以及包含不饱和烃基的有机锗衍生物的定义及具体例相同。
在高分子化合物(G)的制造中追加使用的聚合性单体的种类可以根据绝缘层所要求的特性进行适当选择。从对溶剂的优异耐久性、使有机薄膜晶体管的磁滞变小的观点出发,在包含通过聚合得到的高分子化合物的膜中选择像苯乙烯、苯乙烯衍生物那样分子密度高、且可形成硬膜的单体。此外,从对栅电极、基板的表面等绝缘层的邻接面的密合性的观点出发,选择像甲基丙烯酸酯及其衍生物、丙烯酸酯及其衍生物那样对高分子化合物(G)赋予可塑性的单体。
在高分子化合物(G)的制造中,成为式(7)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量在参与聚合的全部聚合性单体中优选为1摩尔%以上且70摩尔%以下、更优选为5摩尔%以上且50摩尔%以下。
成为式(8)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量与成为式(9)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量之和在参与聚合的全部聚合性单体中优选为5摩尔%以上且70摩尔%以下、更优选为10摩尔%以上且50摩尔%以下。
在高分子化合物(G-1)包含含有第1官能团的重复单元的情况下,含有第1官能团的聚合性单体的投入摩尔量在参与聚合的全部聚合性单体中优选为5摩尔%以上且50摩尔%以下、更优选为5摩尔%以上且40摩尔%以下。通过将含有第1官能团的聚合性单体的投入摩尔量调节至该范围,可以在绝缘层的内部充分形成交联结构,使极性基的含量保持在低水平,抑制绝缘层的分极。
高分子化合物(G)的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为3000~1000000、更优选为5000~500000。高分子化合物(G)可以是直链状,也可以是支链状,还可以是环状。
作为高分子化合物(G),例如可列举聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)及聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)。
化合物(H)
上述负型感光性树脂材料(A-2)包含可通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物(H)。
作为化合物(H),例如可列举光产酸剂及光阳离子聚合引发剂。优选的光产酸剂的具体例可列举作为化合物(F)所说明的甲苯磺酸酯化合物等。
上述负型感光性树脂材料(A-2)优选包含光阳离子聚合引发剂。作为该光阳离子聚合引发剂,例如可列举碘鎓盐及锍盐。
作为碘鎓盐,例如可列举二苯基碘鎓六氟磷酸盐、二苯基碘鎓六氟锑酸盐及甲苯基枯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐。
作为锍盐,例如可列举三苯基锍磷酸盐、对(苯硫基)苯基二苯基锍六氟磷酸盐、三苯基锍六氟锑酸盐、对(苯硫基)苯基二苯基锍六氟锑酸盐、4,4’-双[二(β-羟基乙氧基)苯基锍]苯基硫醚-双-六氟锑酸盐及4-[4-(4-叔丁基苯甲酰)苯硫基]苯基-二(4-甲基苯基)锍六氟磷酸盐。
作为光阳离子聚合引发剂,具体而言,可列举商品名RHODORSIL2074(Rhodia Japan,Inc.制)、商品名Adeka Optomer SP-150(ADEKA株式会社制)、商品名Adeka Optomer SP-152(ADEKA株式会社制)、商品名Adeka Optomer SP-170(ADEKA株式会社制)及商品名AdekaOptomer SP-172(ADEKA株式会社制)。此外,除了上述的光阳离子聚合引发剂以外,还可以使用日本特开平9-118663号公报记载的化合物、日本特开2007-262401号公报记载的化合物。
第1绝缘层材料中所含的化合物(H)的量相对于感光性树脂材料(A)优选为0.1重量%~20重量%、更优选为0.5重量%~10重量%、进一步优选为1重量%~5重量%。若化合物(H)的量低于0.1重量%,则有时使第1绝缘层材料的分辨率降低,若化合物(H)的量超过20重量%,则有时使保存稳定性降低。
<烷氧基钨(V)(B)>
本发明中使用的第1绝缘层材料包含烷氧基钨(V)(B)。作为烷氧基钨(V)(B),例如可列举甲氧基钨(V)、乙氧基钨(V)、异丙氧基钨(V)、及丁氧基钨(V)。
第1绝缘层材料中所含的烷氧基钨(V)(B)的量相对于感光性树脂材料(A)优选为0.1重量%~30重量%、更优选为1重量%~25重量%、进一步优选为5重量%~20重量%。若烷氧基钨(V)(B)的量低于0.1重量%,则有时使第2绝缘层材料的固化反应无法进行,若烷氧基钨(V)(B)的量超过30重量%,则有时使保存稳定性降低。
<碱性化合物(C)>
本发明中使用的第1绝缘层材料可以包含碱性化合物(C)。作为碱性化合物(C),例如可列举胺化合物。作为该胺化合物,例如可列举三乙基胺、吡啶、二乙基胺、乙醇胺、1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯、1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯。
第1绝缘层材料中所含的碱性化合物(C)的量相对于烷氧基钨(V)(B)优选为0.001当量~5当量、更优选为0.005当量~4当量、进一步优选为0.01当量~3当量。若碱性化合物(C)的量低于0.001当量,则在上述感光性树脂材料(A)为正型感光性树脂材料(A-1)的情况下,会在显影时使未曝光部溶解,此外,在上述感光性树脂材料(A)为负型感光性树脂材料(A-2)的情况下,会在显影时使未曝光部不溶解,若碱性化合物(C)的量超过5当量,则在上述感光性树脂材料(A)为正型感光性树脂材料(A-1)的情况下,会使曝光部无法进行显影,此外,在上述感光性树脂材料(A)为负型感光性树脂材料(A-2)的情况下,也会在显影时使曝光部溶解。
(第2绝缘层材料)
<高分子化合物(D)>
本发明中使用的第2绝缘层材料为与第1绝缘层材料不同的材料。该第2绝缘层材料包含高分子化合物(D),该高分子化合物(D)包含含有环状醚结构的重复单元和含有可被酸脱离的有机基团的式(1)所示的重复单元。
含有环状醚结构的化合物在酸的存在下生成阳离子并进行阳离子聚合。此外,在酸的存在下式(1)所示的重复单元中的可被酸脱离的有机基团R脱离而生成的羟基与环状醚结构发生反应。因此,高分子化合物(D)可以在酸的存在下发生交联反应而形成交联结构。
第1栅绝缘层中所含的烷氧基钨(V)(B)通过水解而生成钨酸。
通过在存在水分的气氛下例如大气下将包含第1绝缘层材料的液体涂布于基材上并进行干燥,由此可以在第1栅绝缘层表面生成钨酸。钨酸的耐热性、耐化学试剂性优异,在进行溅射及蚀刻等的电极形成过程后也能够存在于第1栅绝缘层表面。
之后,在所生成的钨酸的存在下,促进第1栅绝缘层上的第2有机薄膜晶体管绝缘材料中含有的高分子化合物(D)的交联反应,形成第2栅绝缘层。
式(1)中,R1表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R1为氢原子。
式(1)中,RA表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RA所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。p1表示0或1的整数。在某一个实施方式中,p1为0。
式(1)中,R表示可被酸脱离的有机基团。R所示的可被酸脱离的有机基团的定义及具体例与上述的R15所示的可被酸脱离的有机基团的定义及具体例相同。
R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子也可以被氟原子取代。R’所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
作为该含有环状醚结构的重复单元,优选式(11)所示的重复单元及式(12)所示的重复单元。
式(11)中,R28表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R28为甲基。
式(11)中,R29、R30及R31分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子也可以被氟原子取代。R29、R30及R31所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
式(11)中,RK表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RK所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。x表示0或1的整数。在某一个实施方式中,x为1,RK为-COO-所示的键。
式(12)中,R32表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R32为甲基。
式(12)中,R33、R34、R35、R36及R37分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代。R33、R34、R35、R36及R37所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的R4所示的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
式(12)中,RL表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RL所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。y表示0或1的整数。在某一个实施方式中,y为1,RL为-COO-所示的键。
高分子化合物(D)的一种形式为含有式(1)所示的重复单元、和式(11)所示的重复单元或式(12)所示的重复单元的高分子化合物。
高分子化合物(D)优选为还含有选自式(13)所示的重复单元及上述含有第1官能团的重复单元中的至少一种重复单元的高分子化合物(D-1)。
式(13)中,R38表示氢原子或甲基。在某一个实施方式中,R38为氢原子。
式(13)中,RM表示将主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。RM所示的连结部分的定义及具体例与上述的RB所示的连结部分的定义及具体例相同。z1表示0或1的整数。在某一个实施方式中,z1为0。
式(13)中,Rf3表示氟原子或可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。Rf3所示的可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例与上述的Rf1所示的可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团的定义及具体例相同。
z2表示1~5的整数。在某一个实施方式中,z2为5。
式(13)中,至少一个Rf3为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。优选使z2为5且5个Rf3为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。
高分子化合物(D)例如可以利用使用光聚合引发剂或热聚合引发剂使包含成为上述式(1)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(11)所示的重复单元的原料的聚合性单体或成为上述式(12)所示的重复单元的原料的聚合性单体、和成为上述式(13)所示的重复单元的原料的聚合性单体或含有第1官能团的聚合性单体的聚合性单体混合物共聚的方法来制造。
成为上述式(1)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例与成为上述的式(7)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例相同。
作为成为上述式(11)所示的重复单元的原料的聚合性单体,例如可列举丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸2-缩水甘油基乙酯及甲基丙烯酸2-缩水甘油基乙酯。
作为成为上述式(12)所示的重复单元的原料的聚合性单体,例如可列举3-丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷及3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷。
成为上述式(13)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例与成为上述的式(6)所示的重复单元的原料的聚合性单体的具体例相同。
在高分子化合物(D-1)的制造中可以使用的含有第1官能团的聚合性单体的具体例及合成法与在上述的高分子化合物(E)的制造中可以使用的含有第1官能团的聚合性单体的具体例及合成法相同。
高分子化合物(D)也可以在聚合性单体混合物中添加除成为上述式(1)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(11)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(12)所示的重复单元的原料的聚合性单体、成为上述式(13)所示的重复单元的原料的聚合性单体、含有第1官能团的聚合性单体以外的其他可聚合的单体来制造。
作为在高分子化合物(D)的制造中追加使用的聚合性单体,例如可列举丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、以及包含不饱和烃基的有机锗衍生物。该丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、以及包含不饱和烃基的有机锗衍生物的定义及具体例与在上述的高分子化合物(E)的制造中可追加使用的该丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、以及包含不饱和烃基的有机锗衍生物的定义及具体例相同。
在高分子化合物(D)的制造中追加使用的聚合性单体的种类可以根据绝缘层所要求的特性进行适当选择。从对溶剂的优异耐久性、使有机薄膜晶体管的磁滞变小的观点出发,在包含通过聚合得到的高分子化合物的膜中选择像苯乙烯、苯乙烯衍生物那样分子密度高且可形成硬膜的单体。此外,从对栅电极、基板的表面等绝缘层的邻接面的密合性的观点出发,选择像甲基丙烯酸酯及其衍生物、丙烯酸酯及其衍生物那样对高分子化合物(D)赋予可塑性的单体。
在高分子化合物(D)的制造中,成为式(1)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量在参与聚合的全部聚合性单体中优选为1摩尔%以上且70摩尔%以下、更优选为5摩尔%以上且50摩尔%以下。
成为式(11)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量与成为式(12)所示的重复单元的原料的聚合性单体的投入摩尔量之和在参与聚合的全部聚合性单体中优选为5摩尔%以上且70摩尔%以下,更优选为10摩尔%以上且50摩尔%以下。
在高分子化合物(D-1)包含含有第1官能团的重复单元的情况下,含有第1官能团的聚合性单体的投入摩尔量在参与聚合的全部聚合性单体中优选为5摩尔%以上且50摩尔%以下、更优选为5摩尔%以上且40摩尔%以下。通过将含有第1官能团的聚合性单体的投入摩尔量调节至该范围,可以在绝缘层的内部充分形成交联结构,使极性基的含量保持在低水平,抑制绝缘层的分极。
高分子化合物(D)的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为3000~1000000、更优选为5000~500000。高分子化合物(D)可以是直链状,也可以是支链状,还可以是环状。
作为高分子化合物(D),例如可列举聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔1’-(3’,5’-二甲基吡唑基)羰基氨基〕乙酯])、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)及聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-[甲基丙烯酸2-〔O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基〕乙酯]-共聚-丙烯腈)。
<第1绝缘层材料及第2绝缘层材料>
本发明中使用的第1绝缘层材料可以含有用于混合或调节粘度的添加剂。作为添加剂,例如可列举敏化剂、流平剂及粘度调节剂。
本发明中使用的第2绝缘层材料也可以含有除高分子化合物(D)以外的任意成分,可以不含有可在电磁波或电子射线的照射或热作用下产生酸的化合物作为任意成分而仅含有与可在电磁波或电子射线的照射或热的作用下产生酸的化合物不同的化合物作为任意成分。作为该任意成分,可列举即使照射电磁波或电子射线也不产生酸、且即使施加热也不产生酸的添加剂。
在有机薄膜晶体管的制造中也可以使用在第1绝缘层材料中添加有机溶剂而成的第1绝缘层涂布液。该有机溶剂只要是使感光性树脂材料(A)、烷氧基钨(V)(B)及碱性化合物(C)溶解的有机溶剂,则并无特别限制,例如可列举:四氢呋喃及二丁基醚等醚溶剂;己烷、环己烷及戊烯等脂肪族烃溶剂;二甲苯等芳香族烃溶剂;丙酮等酮溶剂;乙酸丁酯等乙酸酯溶剂;异丙醇等醇溶剂;氯仿等卤素溶剂。此外,可以将这些有机溶剂混合使用。在这些有机溶剂中,优选在常压下的沸点为100℃~200℃的有机溶剂。作为在常压下的沸点为100℃~200℃的有机溶剂的例子,可列举2-庚酮(沸点151℃)及丙二醇单甲基醚乙酸酯(沸点146℃)。在第1绝缘层涂布液中可以添加流平剂、表面活性剂、固化催化剂等。
在有机薄膜晶体管的制造中也可以使用在第2绝缘层材料中添加有机溶剂而成的第2绝缘层涂布液。该有机溶剂只要是使高分子化合物(D)溶解的有机溶剂,则并无特别限制,例如可列举:四氢呋喃及二丁基醚等醚溶剂;己烷、环己烷及戊烯等脂肪族烃溶剂;二甲苯等芳香族烃溶剂;丙酮等酮溶剂;乙酸丁酯等乙酸酯溶剂;异丙醇等醇溶剂;氯仿等卤素溶剂。此外,也可以将这些有机溶剂混合使用。在这些有机溶剂中,优选在常压下的沸点为100℃~200℃的有机溶剂。作为在常压下的沸点为100℃~200℃的有机溶剂的例子,可列举2-庚酮(沸点151℃)及丙二醇单甲基醚乙酸酯(沸点146℃)。在该绝缘层涂布液中可以添加流平剂、表面活性剂、固化催化剂等。
<有机薄膜晶体管>
图1是表示本发明的一个实施方式的底栅顶接触型有机薄膜晶体管的结构的示意性剖视图。在该有机薄膜晶体管中具备:基板1、形成于基板1上的栅电极2、形成于栅电极2上的第1栅绝缘层3a、形成于第1栅绝缘层3a上的第2栅绝缘层3b、形成于第2栅绝缘层3b上的有机半导体层4、夹持沟道(channel)部而形成于有机半导体层4上的源电极5及漏电极6、以及覆盖元件整的外敷层7。
底栅顶接触型有机薄膜晶体管例如可以如下地制造,即,在基板上形成栅电极,在栅电极上形成第1栅绝缘层,在第1栅绝缘层上形成第2栅绝缘层,在第2栅绝缘层上形成有机半导体层,在有机半导体层上形成源电极、漏电极,再形成外敷层,由此制造底栅顶接触型有机薄膜晶体管。第1绝缘层材料用于形成第1栅绝缘层,第2绝缘层材料用于形成第2栅绝缘层。
图2是表示本发明的一个实施方式的底栅底接触型有机薄膜晶体管的结构的示意性剖视图。在该有机薄膜晶体管中具备:基板1、形成于基板1上的栅电极2、形成于栅电极2上的第1栅绝缘层3a、形成于第1栅绝缘层3a上的第2栅绝缘层3b、夹持沟道部而形成于第2栅绝缘层3b上的源电极5及漏电极6、形成于源电极5及漏电极6上的有机半导体层4、以及覆盖元件整体的外敷层7。
底栅底接触型有机薄膜晶体管例如可以如下地制造,即,在基板上形成栅电极,在栅电极上形成第1栅绝缘层,在第1栅绝缘层上形成第2栅绝缘层,在第2栅绝缘层上形成源电极、漏电极,在源电极、漏电极上形成有机半导体层,再形成外敷层,由此制造底栅底接触型有机薄膜晶体管。第1绝缘层材料用于形成第1栅绝缘层,第2绝缘层材料用于形成第2栅绝缘层。
在利用溅射法制作有机薄膜晶体管中所含的金属电极时,用于溅射法的金属蒸气具有高能量,因此会使接触过的有机层中的有机化合物变质。
对于本发明的有机薄膜晶体管而言,可以在利用溅射法在由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层上制作电极后由第2绝缘层材料形成第2绝缘层,因此第2绝缘层可以在不与溅射法中使用的金属蒸气接触的情况下形成。由此可以抑制因溅射所致的阈值电压的绝对值上升及磁滞上升。
在利用有机薄膜晶体管驱动像有机电致发光元件(有机EL元件)那样的发光元件时,需要在形成于有机薄膜晶体管的上部电极与下部栅电极之间的绝缘层中形成通孔而将上部电极和下部栅电极接合。对于以往的有机薄膜晶体管而言,为了在由有机薄膜晶体管材料形成的绝缘层中形成通孔,需要在该绝缘层上涂布包含抗蚀材料的液体而形成抗蚀层的工序、通过掩模对该抗蚀层进行曝光的工序、将该抗蚀层进行显影而形成抗蚀层的图案的工序、以形成有图案的抗蚀层作为掩模将图案转印于绝缘层的工序、以及将形成有图案的抗蚀层剥离除去的工序,使制造工艺变得烦杂。
通过使用本发明的第1绝缘层材料及第2绝缘层材料,可以以简便的制造工艺制造在栅绝缘层具有通孔的有机薄膜晶体管。
<有机薄膜晶体管绝缘层的形成方法>
本发明的有机薄膜晶体管绝缘层的形成方法的一种形式为一种有机薄膜晶体管绝缘层的制造方法,其包括:
首先,将包含第1绝缘层材料和溶剂的液体涂布于基材而在该基材上形成第1涂布层(工序S1);
对该第1涂布层的一部分照射电磁波或电子射线的工序(工序S2);
将该第1涂布层的被照射了电磁波或电子射线的部分除去而在第1涂布层形成图案的工序(工序S3);
对形成有该图案的第1涂布层施加热而形成第1绝缘层的工序(工序S4);
在该第1绝缘层上形成图案化的电极的工序(工序S5);
将包含第2绝缘层材料和溶剂的液体涂布于该图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层的工序(工序S6);
对该第1绝缘层及第2涂布层施加热的工序(工序S7);以及
将形成在图案化的电极上的第2涂布层的部位除去而形成第2绝缘层的工序(工序S8)。
这里,“基材”是指在其上配置第1绝缘层的有机薄膜晶体管的构成构件。作为有机薄膜晶体管绝缘层,优选栅绝缘层。
第1绝缘层的形成例如通过如下方式进行:制备包含第1绝缘层材料和有机溶剂的液体(第1绝缘层涂布液),将第1绝缘层涂布液涂布于基材而形成第1涂布层,使第1涂布层干燥,通过掩模对第1涂布层的一部分选择性地照射电磁波或电子射线,对第1涂布层进行热处理后,利用碱溶液将照射部除去,使未照射部分加热固化,由此形成第1绝缘层。
在工序S1中,可以利用旋涂法、模涂法、丝网印刷法、喷墨法等公知的方法在基材上涂布第1绝缘层涂布液。此外,根据需要进行第1涂布层的干燥。这里所说的干燥是指将第1涂布层中所含的溶剂除去。
接着,例如通过掩模对第1涂布层的一部分选择性地照射电磁波或电子射线(工序S2)。掩模是具有透过电磁波或电子射线的透过部分和阻挡电磁波或电子射线的阻挡部分的构件。这里使用的掩模是使阻挡电磁波或电子射线的部分具有与基材的表面中想要形成绝缘层的部分对应的形状的掩模。
在感光性树脂材料(A)为正型感光性树脂材料(A-1)时,通过照射电磁波或电子射线而使会产生酸的化合物(F)分解而产生酸,正型感光性树脂材料(A-1)中的可被酸脱离的有机基团R3脱离,生成碱可溶性基团(赋予对碱的溶解性的基团)。通过施加热可促进该脱离反应。接着,将通过掩模被选择性地照射电磁波或电子射线的第1涂布层浸渍在碱溶液中,由此将被电磁波或电子射线照射过的部分溶解除去,将掩模的图案转印于第1涂布层(工序S3)。
照射的电磁波的波长优选为450nm以下、更优选为150~410nm。若照射的电磁波的波长超过450nm,则有时使会产生酸的化合物(F)的分解变得不充分,对碱溶液的溶解性变得不充分,无法形成图案。作为电磁波,优选紫外线。
紫外线的照射例如可以使用用于制造半导体的曝光装置或用于使UV固化性树脂固化的UV灯来进行。例如使用波长300~400nm的紫外线。电子射线的照射例如可以使用超小型电子射线照射管来进行。
在通过掩模选择性地照射电磁波或电子射线后对第1涂布层施加热时,需要使加热以不使正型感光性树脂材料(A-1)中的第1官能团被去保护的程度进行。对第1涂布层进行加热的温度通常为60~150℃、优选为80~130℃。加热时间通常为15秒~10分钟、优选为20秒~5分钟、特别优选为30秒~1分钟。若加热温度过低或加热时间过短,则可能会使显影变得不充分,若加热温度过高或加热时间过长,则可能会使分辨率降低。加热可以使用加热器及烘箱等来进行。
对于第1涂布层而言,由于绝缘层材料在层内还处于未交联的状态而易于溶解,因此可以以高精度及较短时间形成微细的图案。碱溶液可以使用通常用于使正型抗蚀剂显影的碱显影液。
具体而言,上述碱溶液是将碱性盐溶解于水性介质而成的溶液。碱溶液为pH10以上、优选pH10~14、更优选pH11~14的碱溶液。
水性介质是指水、或含有水及水溶性有机溶剂的溶剂。水溶性有机溶剂包括丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、四氢呋喃等。水性介质中的水溶性有机溶剂的含量为50重量%以下、优选为40重量%以下、更优选为30重量%以下。
作为碱性盐,通常使用四甲基氢氧化铵(TMAH)、单乙醇胺、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钾等。
接着,对转印有掩模的图案的第1涂布层施加热而使其固化(工序S4)。在感光性树脂材料(A)为正型感光性树脂材料(A-1)时,通过加热而使会产生酸的化合物(F)热分解而产生酸,正型感光性树脂材料(A-1)中的可被酸脱离的有机基团R3脱离而生成碱可溶性基团。该碱可溶性基团具有活性氢。此外,正型感光性树脂材料(A-1)中的第1官能团因加热而被去保护,由第1官能团生成可与活性氢反应的第2官能团。该第2官能团与该碱可溶性基团发生反应而形成交联结构,从而形成第1绝缘层。
工序S4中的加热温度通常为100~280℃、优选为150~250℃、特别优选为180~230℃。加热时间通常为5~120分钟、优选为10~60分钟。若加热温度过低或加热时间过短,则可能会使绝缘层的交联变得不充分,若加热温度过高或加热时间过长,则可能会损伤绝缘层。加热可以使用加热器及烘箱等来进行。
接着,在第1绝缘层上形成图案化的电极(工序S5)。电极可以通过利用金属掩模蒸镀法堆积电极材料来形成。此外,在利用溅射法堆积电极材料后,将抗蚀材料涂布于所堆积的电极材料上,进行曝光、显影而形成图案,并以该抗蚀图案作为掩模对电极材料进行蚀刻,由此也可以形成电极。
接着,将包含第2绝缘层材料和溶剂的液体(第2绝缘层涂布液)涂布于图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层(工序S6)。此外,可以根据需要而使第2涂布层进行干燥。
接着,对该第1绝缘层及第2涂布层施加热(工序S7)。通过施加热,在第1绝缘层中的烷氧基钨(V)的作用下使第2涂布层中的可被酸脱离的有机基团R脱离而生成羟基。该羟基与第2涂布层中的环状醚结构发生反应而形成交联结构。
工序S7中的加热温度通常为80~150℃、优选为100~130℃。加热时间通常为5~120分钟、优选为10~60分钟、特别优选为20~40分钟。若加热温度过低或加热时间过短,则可能会使绝缘层的交联变得不充分,若加热温度过高或加热时间过长,则可能会使除第1绝缘层上的第2涂布层以外的第2涂布层固化。加热可以使用加热器及烘箱等来进行。
接着,将形成于图案化的电极上的第2涂布层的部位及形成在除去了第1涂布层的位置上的第2涂布层的部位除去,而将第1绝缘层的图案转印于第2涂布层,由此形成第2绝缘层(工序S8)。
第2涂布层的部分性地除去(即显影)只要使发生部分固化的第2涂布层的未固化的部位与会溶解第2绝缘层材料且可在室温或加热下干燥的溶剂接触而进行即可。用于进行第2涂布层的显影的适当的溶剂例如为丙二醇单甲基醚乙酸酯、2-庚酮等。无需在第2涂布层的显影中使用碱溶液。
此外,可以对该第2绝缘层进一步加热来提高固化性。
本发明的有机薄膜晶体管绝缘层的形成方法的另一种形式为一种有机薄膜晶体管绝缘层的制造方法,其包括:
将包含第1绝缘层材料和溶剂的液体涂布于基材而在该基材上形成第1涂布层的工序(工序T1);
对该第1涂布层的一部分照射电磁波或电子射线的工序(工序T2);
将该第1涂布层的未被电磁波或电子射线照射的部分除去而在第1涂布层形成图案的工序(工序T3);
对形成有该图案的第1涂布层施加热而形成第1绝缘层的工序(工序T4);
在该第1绝缘层上形成图案化的电极的工序(工序T5);
将包含第2绝缘层材料和溶剂的液体涂布于该图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层的工序(工序T6);
对该第1绝缘层及第2涂布层施加热的工序(工序T7);以及
将形成在图案化的电极上的第2涂布层的部位除去而形成第2绝缘层的工序(工序T8)。
第1绝缘层的形成例如通过如下方式进行:制备第1绝缘层涂布液,将该第1绝缘层涂布液涂布于基材而形成第1涂布层,使第1涂布层干燥,通过掩模对第1涂布层的一部分选择性地照射电磁波或电子射线,对第1涂布层进行热处理后,利用可溶解第1绝缘层材料的溶剂将未照射部除去,并进行显影,使照射部分加热固化,由此形成第1绝缘层。
在工序T1中,可以利用旋涂法、模涂法、丝网印刷法、喷墨法等公知的方法在基材上涂布第1绝缘层涂布液。此外,根据需要进行第1涂布层的干燥。这里所说的干燥是指将第1涂布层中所含的溶剂除去。
接着,例如通过掩模对第1涂布层的一部分选择性地照射电磁波或电子射线(工序T2)。这里使用的掩模是使透过电磁波或电子射线的部分具有与基材的表面中想要形成绝缘层的部分对应的形状的掩模。
在感光性树脂材料(A)为负型感光性树脂材料(A-2)时,通过照射电磁波或电子射线而使会产生酸的化合物(H)分解而产生酸,负型感光性树脂材料(A-2)中的环状醚结构发生开环聚合。通过施加热可促进该开环聚合反应。此外,在化合物(H)分解而产生的酸的作用下,负型感光性树脂材料(A-2)中的可被酸脱离的有机基团R15脱离而生成酚性羟基。该酚性羟基与通过环状醚结构的开环聚合而生成的聚合体的末端发生反应。将通过掩模被选择性地照射电磁波或电子射线的第1涂布层浸渍在可溶解第1绝缘层材料的溶剂中,由此将未被电磁波或电子射线照射的部分溶解除去,将掩模的图案转印于第1涂布层(工序T3)。
照射的电磁波的波长优选为450nm以下、更优选为150~410nm。若照射的电磁波的波长超过450nm,则有时使产生酸的化合物(H)的分解变得不充分,对碱溶液的溶解性变得不充分,无法形成图案。作为电磁波,优选紫外线。
紫外线的照射例如可以使用用于制造半导体的曝光装置或用于使UV固化性树脂固化的UV灯来进行。例如使用波长300~400nm的紫外线。电子射线的照射例如可以使用超小型电子射线照射管来进行。
在通过掩模选择性地照射电磁波或电子射线后对第1涂布层施加热时,对第1涂布层进行加热的温度通常为60~150℃、优选为80~130℃。加热时间通常为15秒~10分钟、优选为20秒~5分钟、特别优选为30秒~1分钟。若加热温度过低或加热时间过短,则可能会使显影变得不充分,若加热温度过高或加热时间过长,则可能会使分辨率降低。加热可以使用加热器及烘箱等来进行。
接着,对形成有图案的第1涂布层施加热而形成第1绝缘层(工序T4)。在感光性树脂材料(A)为负型感光性树脂材料(A-2)、负型感光性树脂材料中的高分子化合物(G)具有第1官能团、且该第1官能团为可在热的作用下生成可与活性氢反应的第2官能团的官能团时,通过对该转印有掩模图案的第1涂布层进行加热,从而生成可与活性氢反应的第2官能团,该第2官能团与通过环状醚结构的开环聚合生成的羟基及在酸的作用下生成的酚性羟基发生反应而形成交联结构,从而形成第1绝缘层。
工序T4中的加热温度通常为100~280℃、优选为150~250℃、特别优选为180~230℃。加热时间通常为5~120分钟、优选为10~60分钟。若加热温度过低或加热时间过短,则可能会使绝缘层的交联变得不充分,若加热温度过高或加热时间过长,则可能会损伤绝缘层。加热可以使用加热器及烘箱等来进行。
接着,在该第1绝缘层上形成图案化的电极(工序T5)。电极可以通过利用金属掩模蒸镀法堆积电极材料来形成。此外,在利用溅射法堆积电极材料后,将抗蚀材料涂布于所堆积的电极材料上,进行曝光、显影而形成图案,并以该抗蚀图案作为掩模对电极材料进行蚀刻,由此也可以形成电极。
在形成有电极的第1绝缘层上涂布包含第2绝缘层材料的液体并进行干燥而形成第2涂布层。
接着,将第2绝缘层涂布液涂布在图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层(工序T6)。此外,可以根据需要而使第2涂布层进行干燥。
接着,对该第1绝缘层及第2涂布层施加热(工序T7)。通过施加热,在第1绝缘层中的烷氧基钨(V)的作用下使第2涂布层中的可被酸脱离的有机基团R脱离而生成羟基。该羟基与第2涂布层中的环状醚结构发生反应而形成交联结构。
工序T7中的加热温度通常为80~150℃、优选为100~130℃。加热时间通常为5~120分钟、优选为10~60分钟、特别优选为20~40分钟。若加热温度过低或加热时间过短,则可能会使绝缘层的交联变得不充分,若加热温度过高或加热时间过长,则可能会使除第1绝缘层上的第2涂布层以外的第2涂布层固化。加热可以使用加热器及烘箱等来进行。
第2涂布层的显影方法及进行显影的适当的溶剂与上述相同。
接着,将形成于图案化的电极上的第2涂布层的部位及形成在除去了第1涂布层的位置上的第2涂布层的部位除去,而将第1绝缘层的图案转印于第2涂布层,由此形成第2绝缘层(工序T8)。
此外,可以对该第2绝缘层进一步加热来提高固化性。
在第2绝缘层上可以形成自组织化单分子膜层。该自组织化单分子膜层例如可以通过利用在有机溶剂中溶解1~10重量%的烷基氯硅烷化合物或烷基烷氧基硅烷化合物而成的溶液对栅绝缘层进行处理来形成。
作为烷基氯硅烷化合物的例子,可列举甲基三氯硅烷、乙基三氯硅烷、丁基三氯硅烷、癸基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷。
作为烷基烷氧基硅烷化合物的例子,可列举甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷。
基板1、栅电极2、源电极5、漏电极6及有机半导体层4只要以通常使用的材料及方法构成即可。基板的材料可使用树脂或塑料的板或膜、玻璃板、硅板等。使用铬、金、银、铝、钼等作为电极的材料,并利用蒸镀法、溅射法、印刷法、喷墨法等公知的方法形成电极。
作为用于形成有机半导体层4的有机半导体,可以使用π共轭聚合物,例如可以使用聚吡咯类、聚噻吩类、聚苯胺类、聚烯丙基胺类、芴类、聚咔唑类、聚吲哚类、聚(对亚苯基亚乙烯基)类等。此外,可以使用对有机溶剂具有溶解性的低分子物质,例如可以使用并五苯等多环芳香族的衍生物、酞菁衍生物、苝衍生物、四硫杂富瓦烯衍生物、四氰基对醌二甲烷衍生物、富勒烯类、碳纳米管类等。具体而言,可列举2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二(亚乙基硼酸酯)与2,6-二溴-(4,4-双-十六烷基-4H-环戊[2,1-b;3,4-b’]二噻吩的缩合物、9,9-二正辛基芴-2,7-二(亚乙基硼酸酯)与5,5’-二溴-2,2’-联噻吩的缩合物等。
有机半导体层的形成例如可以通过如下方式进行,即,在有机半导体中添加溶剂而制备有机半导体涂布液,将该有机半导体涂布液涂布于第2绝缘层上,使该有机半导体涂布液干燥,由此形成有机半导体层。在本发明中,构成第2绝缘层的树脂具有苯环、且与有机半导体具有亲和性。因此,利用上述涂布干燥法,可以在有机半导体层与栅绝缘层之间形成均匀且平坦的界面。
作为有机半导体涂布液中使用的溶剂,只要是使有机半导体溶解或分散的溶剂,则并无特别限制,优选在常压下的沸点为50℃~200℃的溶剂。
作为该溶剂的例子,可列举氯仿、甲苯、苯甲醚、2-庚酮、丙二醇单甲基醚乙酸酯。与上述绝缘层涂布液同样,也可以利用旋涂法、模涂法、丝网印刷法、喷墨法等公知的方法在栅绝缘层上涂布该有机半导体涂布液。
出于保护有机薄膜晶体管、且提高表面的平滑性的目的,本发明的有机薄膜晶体管可被外敷层材料包覆。
本发明的电子器件绝缘层可以在其上层叠平坦的膜等,并且可以容易地形成层叠结构。此外,可以在该绝缘层上适当地搭载有机电致发光元件。
使用本发明的电子器件绝缘层,可以适合制作具有有机薄膜晶体管的显示器用构件。使用具有该有机薄膜晶体管的显示器用构件,可以制作具有显示器用构件的显示器。
本发明的电子器件绝缘层也可以用于形成除背光材料等的绝缘层以外的晶体管中所含的层、有机电致发光元件中所含的层的用途中。
实施例
以下,利用实施例对本发明进行说明,但本发明不受实施例的限定。
合成例1
(高分子化合物1的合成)
将上部装有三通旋塞的蛇形冷凝管安装到200ml的三口烧瓶上,在该三口烧瓶中加入4-乙烯基苯甲酸(Aldrich制)25.45g、3,4-二氢-2H-吡喃50g、催化剂量的浓盐酸及搅拌子,将三口烧瓶内部的空气置换成氮气。将三口烧瓶浸入50℃的油浴中,边利用磁力搅拌器使搅拌子旋转边使其反应2小时。反应结束后,将反应混合物移入300ml的分液漏斗中,加入二乙基醚100ml后,加入氢氧化钠水溶液,将有机层水洗至水层呈碱性为止,对有机层进行了分液。利用50ml的离子交换水重复进行3次有机层的水洗后,对有机层进行分液,并加入无水硫酸镁使其干燥。对无水硫酸镁过滤后,使用旋转蒸发器浓缩滤液,得到作为无色透明的液体的化合物(1-A)。所得的化合物(1-A)的量为38.25g,收率为96%。
【化16】
在50ml耐压容器(ACE制)中加入化合物(1-A)2.00g、4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯(东曹有机化学制)0.83g、甲基丙烯酸2-(O-[1’-甲基丙叉氨基]羧基氨基〕乙酯(昭和电工制、商品名“Karenz MOI-BM”)1.03g、4-甲氧基苯乙烯(东京化成制)0.58g、2,2’-偶氮双(2-甲基丙腈)0.02g、丙二醇单甲基醚乙酸酯(东京化成制)10.41g,为了除去溶存氧而用氩气进行了鼓泡,之后,用栓塞密封。在80℃的油浴中使其聚合8小时,得到溶解有高分子化合物1的粘稠的丙二醇单甲基醚乙酸酯溶液。高分子化合物1具有下述重复单元。括弧的添附数字表示重复单元的摩尔分率。
【化17】
所得的高分子化合物1的由标准聚苯乙烯求出的重均分子量为78000(岛津制GPC、Tskgel super HM-H 1根+Tskgel super H2000 1根、流动相=THF)。
合成例2
(高分子化合物2的合成)
在50ml耐压容器(ACE制)中加入4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯(东曹有机化学制)3.00g、丙烯腈(和光纯药制)0.55g、2,3,4,5,6-五氟苯乙烯(Aldrich制)2.02g、甲基丙烯酸缩水甘油酯(和光纯药制)2.22g、2,2’-偶氮双(2-甲基丙腈)0.04g、丙二醇单甲基醚乙酸酯(东京化成制)18.28g,为了除去溶存氧而用氩气进行了鼓泡,之后,用栓塞密封。在80℃的油浴中使其聚合8小时,得到溶解有高分子化合物2的粘稠的丙二醇单甲基醚乙酸酯溶液。高分子化合物2具有下述重复单元。括弧的添附数字表示重复单元的摩尔分率。
【化18】
所得的高分子化合物2的由标准聚苯乙烯求出的重均分子量为190000(岛津制GPC、Tskgel super HM-H 1根+Tskgel super H2000 1根、流动相=THF)。
合成例3
(高分子化合物3的合成)
在氮气气氛下,在包含2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二(亚乙基硼酸酯)1.88g及2,6-二溴-(4,4-双-十六烷基-4H-环戊[2,1-b;3,4-b’]-二噻吩3.81g的80mL甲苯中,加入四(三苯基膦)钯0.75g、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名“Aliquat 336”(注册商标))1.0g及2M的碳酸钠水溶液24mL。将所得的混合物剧烈搅拌,并进行加热,使其回流24小时。将所得的粘稠的反应混合物注入丙酮500mL中,使纤维状的黄色聚合物沉淀。过滤并收集该聚合物,用丙酮进行洗涤,在真空烘箱中在60℃下使其干燥一夜。将所得的聚合物称作高分子化合物3。高分子化合物3具有下述重复单元。n表示重复单元的数目。
【化19】
高分子化合物3的由标准聚苯乙烯求出的重均分子量为32000(岛津制GPC、Tskgel super HM-H 1根+Tskgel super H2000 1根、流动相=THF)。
合成例4
(化合物(4-A)的合成)
在安装有三通旋塞及隔膜(septum)的300ml的三口烧瓶中加入3-乙基-3-羟基甲基氧杂环丁烷(东亚合成制、商品名:OXT-101)33.29g、三乙基胺(和光纯药制)48.31g、脱水四氢呋喃(和光纯药制)200ml及搅拌子,将烧瓶内部的空气置换成氮气。将烧瓶浸入冰浴中,边通过利用磁搅拌器使搅拌子旋转来搅拌反应混合物,边使用气密注射器缓缓滴加甲基丙烯酰氯25.00g。滴加结束后,再在冰浴中继续搅拌2小时,之后,在室温下继续搅拌一夜使其反应。反应结束后,过滤所生成的三乙基胺盐酸盐,将滤液移入500ml的分液漏斗中,在滤液中加入二乙基醚200ml后,用100ml的离子交换水对有机层进行水洗,并对有机层进行了分液。重复进行3次有机层的水洗后,对有机层进行分液,加入无水硫酸镁使其干燥。过滤无水硫酸镁后,使用旋转蒸发器浓缩滤液,得到作为淡褐色液体的化合物(4-A)。所得的化合物(4-A)的量为29.3g,收率为61.3%。
【化20】
(高分子化合物4的合成)
在150ml耐压容器(ACE制)中加入化合物(4-A)12.00g、4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯(东曹有机化学制)7.51g、甲基丙烯酸缩水甘油酯(和光纯药制)1.85g、甲基丙烯酸2-(O-[1’-甲基丙叉氨基]羧基氨基〕乙酯(昭和电工制、商品名“Karenz MOI-BM”)6.26g、4-甲氧基苯乙烯(东京化成工业制)8.74g、丙烯腈(和光纯药制)2.77g、2,2’-偶氮双(2-甲基丙腈)0.20g、丙二醇单甲基醚乙酸酯(东京化成制)91.75g,用氩气进行鼓泡后,用栓塞密封。在60℃的油浴中使其反应20小时,得到溶解有高分子化合物1的粘稠的丙二醇单甲基醚乙酸酯溶液。高分子化合物4具有下述重复单元。括弧的添附数字表示重复单元的摩尔分率。
【化21】
所得的高分子化合物4的由标准聚苯乙烯求得的重均分子量为99000(岛津制GPC、Tskgel super HM-H 1根+Tskgel super H2000 1根、流动相=THF)。
实施例1
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
在20ml的样品瓶中加入合成例1中得到的高分子化合物1的丙二醇单甲基醚乙酸酯溶液5.00g、作为光产酸剂的下述化合物“MBZ-101(绿化学制)”0.045g、丙二醇单甲基醚乙酸酯5.00g、乙氧基钨(V)(Gelest制)0.21g、乙酰丙酮(和光纯药制)0.5g、作为碱性化合物的1,8-二氮杂双环[5,4,0]-十一碳-7-烯(Aldrich制)0.0014g,边搅拌边使其溶解,制备成作为第1绝缘层材料的均匀的涂布溶液1。
【化22】
使用TG-DTA(岛津制作所社制“DTG-60”)测得的MBZ-101的热分解温度为177℃。
在20ml的样品瓶中加入合成例2中得到的高分子化合物2的丙二醇单甲基醚乙酸酯溶液1.00g、丙二醇单甲基醚乙酸酯9.00g,边搅拌边使其溶解,制备成作为第2绝缘层材料的均匀的涂布溶液2。
使用孔径0.45μm的膜滤器对上述涂布溶液1进行过滤,并将其旋涂于带铬电极的玻璃基板上后,在热板上以100℃使其干燥1分钟,形成了涂布层。涂布层的形成在大气气氛下进行。之后,使用对准曝光机(aligner)(Canon制;PLA-521)通过掩模对涂布层照射1200mJ/cm2的UV光(波长365nm),在热板上以100℃对其后烘烤30秒钟后,在Nagase正型显影液NPD-18中浸渍30秒钟,除去曝光部,进行了显影。用离子交换水对显影后的玻璃基板进行水洗,利用旋转干燥器使其干燥后,在氮气中在热板上以220℃烧成30分钟,得到具有通孔的第1栅绝缘层。
通过使用第1绝缘层材料在绝缘层形成通孔,从而可以省略在绝缘层上涂布包含抗蚀材料的液体而形成抗蚀层工序、通过掩模对该抗蚀层进行曝光的工序、对该抗蚀层进行显影而形成抗蚀层的图案的工序、以形成有图案的抗蚀层作为掩模将图案转印于绝缘层的工序、将形成有图案的抗蚀层剥离除去的工序,可以简便地形成通孔。
利用溅射法在具有通孔的第1栅绝缘层上堆积约100nm的钼后,使用钼蚀刻液(关东化学制;S-80520),除去第1栅绝缘层上的所有钼。
使用孔径0.45μm的膜滤器对上述涂布溶液2进行过滤,将其旋涂于除去了钼的第1栅绝缘层上后,在热板上以100℃使其干燥1分钟,接着,在热板上以120℃烧成30分钟,形成第2栅绝缘层,得到在第1栅绝缘层上层叠有第2栅绝缘层的基材。在第1栅绝缘层中的乙氧基钨(V)的作用下,由旋涂于第1栅绝缘层的与通孔不同的部位的第2绝缘层材料产生酸,使第2绝缘层材料固化,形成第2栅绝缘层。
将所得的基材在丙二醇单甲基醚乙酸酯中浸渍1分钟,使设置于第1栅绝缘层的通孔上的第2栅绝缘层的部位溶解而除去,之后,将基材在热板上以200℃烧成30分钟。
接着,使合成例3中得到的高分子化合物3溶解于作为溶剂的二甲苯中,制作浓度为0.5重量%的溶液(有机半导体组合物),用膜滤器过滤该溶液,制备成涂布溶液3。
利用旋涂法将所得的涂布溶液3涂布于上述第2栅绝缘层上,形成具有约30nm的厚度的活性层,接着,利用使用金属掩模的真空蒸镀法,在活性层上形成沟道长20μm、沟道宽2mm的源电极及漏电极,由此制作成场效应型有机薄膜晶体管。源电极及漏电极具有自活性层侧起层叠有氧化钼和金的结构。
<晶体管特性的评价>
在栅电压Vg为20~-40V、源电极-漏电极间电压Vsd在0~-40V的范围内变化的条件下,使用真空探针(BCT22MDC-5-HT-SCU;NagaseElectronic Equipments Service Co.,LTD制)对上述制作出的场效应型有机薄膜晶体管的晶体管特性进行了测定。关于漏电流,对在栅电压为-40V时流入栅电极-漏电极间的电流进行了测定。将结果示于表1中。
<绝缘层材料的抗蚀特性的评价>
按照是否能使25μm见方的图案析像来对第1绝缘层材料及第2绝缘层材料的抗蚀特性进行了评价。将析像的情况表示为“○”,将未析像的情况表示为“×”。
实施例2
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
在20ml的样品瓶中加入合成例4中得到的高分子化合物4的丙二醇单甲基醚乙酸酯溶液6.00g、作为光产酸剂的MBZ-101(绿化学制)0.036g、丙二醇单甲基醚乙酸酯4.00g、乙氧基钨(V)(Gelest制)0.12g、乙酰丙酮(和光纯药制)0.1g、作为碱性化合物的1,8-二氮杂双环[5,4,0]-十一碳-7-烯(Aldrich制)0.0011g,边搅拌边使其溶解,制备成作为第1绝缘层材料的均匀的涂布溶液4。
使用孔径0.45μm的膜滤器对所得的涂布溶液4进行过滤,将其旋涂于带有铬电极的玻璃基板上后,在热板上以100℃使其干燥1分钟,形成了涂布层。涂布层的形成在大气气氛下进行。之后,使用对准曝光机(Canon制;PLA-521)通过掩模对涂布层照射600mJ/cm2的UV光(波长365nm),在热板上以100℃后烘烤30秒钟后,使其在以1∶1的重量比混合2-庚酮和异丙醇的混合液中浸渍30秒钟,除去未曝光部,进行了显影。利用鼓风的方式使显影后的玻璃基板干燥后,在氮气中在热板上以220℃烧成30分钟,得到具有通孔的第1栅绝缘层。
利用溅射法在具有通孔的第1栅绝缘层上堆积约100nm的钼,使用钼蚀刻液(关东化学制;S-80520),除去第1栅绝缘层上的所有钼。
使用孔径0.45μm的膜滤器对上述涂布溶液2进行过滤,将其旋涂于除去了钼的第1栅绝缘层上后,在热板上以100℃使其干燥1分钟,之后,在热板上以120℃烧成30分钟,形成第2栅绝缘层,得到在第1栅绝缘层上层叠有第2栅绝缘层的基材。
将所得的基材在丙二醇单甲基醚乙酸酯中浸渍1分钟,使设置于第1栅绝缘层的通孔上的第2栅绝缘层的部位溶解而除去,之后,将其在热板上以200℃烧成30分钟。
利用旋涂法将上述涂布溶液3涂布于上述第2栅绝缘层上,形成具有约30nm的厚度的活性层,接着,利用使用金属掩模的真空蒸镀法,在活性层上形成沟道长20μm、沟道宽2mm的源电极及漏电极,由此制作成场效应型有机薄膜晶体管。源电极及漏电极具有自活性层侧起层叠有氧化钼和金的结构。
利用与实施例1同样的方法对上述制作出的场效应型有机薄膜晶体管的晶体管特性进行了评价。此外,利用与实施例1同样的方法对第1绝缘层材料的抗蚀特性进行了评价。将结果示于表1中。
实施例3
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
在20ml的样品瓶中加入作为感光性树脂的Sumiresist PFI-89B9(住友化学制)5.00g、丙二醇单甲基醚乙酸酯5.00g、乙氧基钨(V)(Gelest制)0.12g、乙酰丙酮(和光纯药制)0.4g,边搅拌边使其溶解,制备成作为第1绝缘层材料的均匀的涂布溶液5。
代替涂布溶液1而使用涂布溶液5,通过掩模对第一涂布层照射100mJ/cm2的UV光(波长365nm),除此以外,与实施例1同样地制作了场效应型有机薄膜晶体管。利用与实施例1同样的方法对上述制作出的电场效应型有机薄膜晶体管的晶体管特性进行了评价。此外,利用与实施例1同样的方法对第1绝缘层材料的抗蚀特性进行了评价。将结果示于表1中。
比较例1
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
不形成第2栅绝缘层,除此以外,与实施例1同样地制作场效应型有机薄膜晶体管,并评价了晶体管特性及第1绝缘层材料的抗蚀特性。将结果示于表1中。
比较例2
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
不进行利用溅射法在第1栅绝缘层上层叠钼的工序、以及使用钼蚀刻液除去钼的工序,除此以外,与比较例1同样地制作场效应型晶体管,并评价了晶体管特性。将结果示于表1中。
比较例3
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
不形成第2栅绝缘层,除此以外,与实施例2同样地制作场效应型有机薄膜晶体管,并评价了晶体管特性及抗蚀特性。将结果示于表1中。
比较例4
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
不进行利用溅射法在第1栅绝缘层上层叠钼的工序、以及使用钼蚀刻液除去钼的工序,除此以外,与比较例3同样地制作场效应型晶体管,并评价了晶体管特性。将结果示于表1中。
比较例5
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
不形成第2栅绝缘层,除此以外,与实施例3同样地制作场效应型有机薄膜晶体管,并评价了晶体管特性及抗蚀特性。将结果示于表1中。
比较例6
(场效应型有机薄膜晶体管的制造)
不进行利用溅射法在第1栅绝缘层上层叠钼的工序、以及使用钼蚀刻液除去钼的工序,除此以外,与比较例3同样地制作场效应型晶体管,并评价了晶体管特性。将结果示于表1中。
【表1】
符号说明
1...基板、
2...栅电极、
3a...第1栅绝缘层、
3b...第2栅绝缘层、
4...有机半导体层、
5...源电极、
6...漏电极、
7...外敷层。

Claims (22)

1.一种电子器件绝缘层,其具有由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层和由第2绝缘层材料形成在该第1绝缘层上的第2绝缘层,
所述第1绝缘层材料是含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)的材料,
所述第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的材料,所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元,
式(1)中,R1表示氢原子或甲基,RA表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,R表示能够被酸脱离的有机基团,R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,p1表示0或1的整数,p2表示1~5的整数,在具有多个R时,多个R可以相同或不同,在具有多个R’时,多个R’可以相同或不同。
2.根据权利要求1所述的电子器件绝缘层,其中,所述第1绝缘层材料还含有碱性化合物(C)。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件绝缘层,其中,所述感光性树脂材料(A)为正型感光性树脂材料(A-1)或负型感光性树脂材料(A-2)。
4.根据权利要求3所述的电子器件绝缘层,其中,所述正型感光性树脂材料(A-1)是含有高分子化合物(E)和化合物(F)的感光性树脂组合物,
所述高分子化合物(E)包含含有以下定义的第1官能团的重复单元和式(2)所示的重复单元,
第1官能团:能在电磁波或热的作用下生成能够与活性氢反应的第2官能团的官能团,
式(2)中,R2表示氢原子或甲基,RB表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,R3表示能够被酸脱离的有机基团,R4表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,q1表示0或1的整数,q2表示1~5的整数,在具有多个R3时,多个R3可以相同或不同,在具有多个R4时,多个R4可以相同或不同,
所述化合物(F)是能够通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物,该化合物(F)的热分解温度为200℃以下。
5.根据权利要求4所述的电子器件绝缘层,其中,所述第1官能团为选自被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基中的至少1种基团。
6.根据权利要求5所述的电子器件绝缘层,其中,所述被封端剂封端后的异氰酸基及被封端剂封端后的异硫氰酸基为选自式(3)所示的基团及式(4)所示的基团中的至少一种基团,
式(3)中,Xa表示氧原子或硫原子,R5及R6分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,
式(4)中,Xb表示氧原子或硫原子,R7、R8及R9分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的电子器件绝缘层,其中,所述高分子化合物(E)还包含式(5)所示的重复单元,
式(5)中,R10表示氢原子或甲基,RC表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,R11表示能够被酸脱离的有机基团,R12表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,r1表示0或1的整数,r2表示1~5的整数,在具有多个R11时,多个R11可以相同或不同,在具有多个R12时,多个R12可以相同或不同。
8.根据权利要求3所述的电子器件绝缘层,其中,所述负型感光性树脂材料(A-2)是含有高分子化合物(G)和化合物(H)的感光性树脂组合物,
所述高分子化合物(G)包含含有环状醚结构的重复单元和式(7)所示的重复单元,
式(7)中,R14表示氢原子或甲基,RE表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,R15表示能够被酸脱离的有机基团,R16表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,t1表示0或1的整数,t2表示1~5的整数,在具有多个R15时,多个R15可以相同或不同,在具有多个R16时,多个R16可以相同或不同,
所述化合物(H)是能够通过照射电磁波或电子射线而产生酸的化合物。
9.根据权利要求8所述的电子器件绝缘层,其中,所述高分子化合物(G)所含的含有环状醚结构的重复单元为选自式(8)所示的重复单元及式(9)所示的重复单元中的至少一种重复单元,
式(8)中,R17表示氢原子或甲基,R18、R19及R20分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,RG表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,u表示0或1的整数,
式(9)中,R21表示氢原子或甲基,R22、R23、R24、R25及R26分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,RH表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,v表示0或1的整数。
10.根据权利要求8或9所述的电子器件绝缘层,其中,所述高分子化合物(G)还包含选自含有以下定义的第1官能团的重复单元中的至少一种重复单元,
第1官能团:能在电磁波或热的作用下生成能够与活性氢反应的第2官能团的官能团。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的电子器件绝缘层,其中,所述第2绝缘层材料为包含高分子化合物(D)的材料。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的电子器件绝缘层,其中,所述高分子化合物(D)所含的含有环状醚结构的重复单元为选自式(11)所示的重复单元及式(12)所示的重复单元中的至少一种重复单元,
式(11)中,R28表示氢原子或甲基,R29、R30及R31分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,RK表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,x表示0或1的整数,
式(12)中,R32表示氢原子或甲基,R33、R34、R35、R36及R37分别独立地表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,RL表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,y表示0或1的整数。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的电子器件绝缘层,其中,所述高分子化合物(D)还包含选自式(13)所示的重复单元及含有第1官能团的重复单元中的至少一种重复单元,
式(13)中,R38表示氢原子或甲基,Rf3表示氟原子或可以具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团,RM表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,z1表示0或1的整数,z2表示1~5的整数,在具有多个Rf3时,多个Rf3可以相同或不同,其中,至少一个Rf3为氟原子或具有氟原子的碳数1~20的一价有机基团。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的电子器件绝缘层,其中,所述电子器件绝缘层为有机薄膜晶体管绝缘层。
15.一种电子器件绝缘层的制造方法,其包括:
将包含第1绝缘层材料和溶剂的液体涂布于基材而在该基材上形成第1涂布层的工序;
对该第1涂布层的一部分照射电磁波或电子射线的工序;
将该第1涂布层的被照射了电磁波或电子射线的部分除去而在第1涂布层形成图案的工序;
对形成有该图案的第1涂布层施加热而形成第1绝缘层的工序;
在该第1绝缘层上形成图案化的电极的工序;
将包含第2绝缘层材料和溶剂的液体涂布于该图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层的工序;
对该第1绝缘层及第2涂布层施加热的工序;以及
将形成在图案化的电极上的第2涂布层的部位除去而形成第2绝缘层的工序,
所述第1绝缘层材料是含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)的材料,
所述第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的材料,所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元,
式(1)中,R1表示氢原子或甲基,RA表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,R表示能够被酸脱离的有机基团,R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,p1表示0或1的整数,p2表示1~5的整数,在具有多个R时,多个R可以相同或不同,在具有多个R’时,多个R’可以相同或不同。
16.一种电子器件绝缘层的制造方法,其包括:
将包含第1绝缘层材料和溶剂的液体涂布于基材而在该基材上形成第1涂布层的工序;
对该第1涂布层的一部分照射电磁波或电子射线的工序;
将该第1涂布层的未被电磁波或电子射线照射的部分除去而在第1涂布层形成图案的工序;
对形成有该图案的第1涂布层施加热而形成第1绝缘层的工序;
在该第1绝缘层上形成图案化的电极的工序;
将包含第2绝缘层材料和溶剂的液体涂布于该图案化的电极及第1绝缘层上而形成第2涂布层的工序;
对该第1绝缘层及第2涂布层施加热的工序;以及
将形成在图案化的电极上的第2涂布层的部位除去而形成第2绝缘层的工序,
所述第1绝缘层材料是含有感光性树脂材料(A)和烷氧基钨(V)(B)的材料,
所述第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的材料,所述高分子化合物(D)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元,
式(1)中,R1表示氢原子或甲基,RA表示将高分子化合物的主链和侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分,R表示能够被酸脱离的有机基团,R’表示氢原子或碳数1~20的一价有机基团,该碳数1~20的一价有机基团中的氢原子可以被氟原子取代,p1表示0或1的整数,p2表示1~5的整数,在具有多个R时,多个R可以相同或不同,在具有多个R’时,多个R’可以相同或不同。
17.根据权利要求15或16所述的电子器件绝缘层的制造方法,其中,所述电磁波为紫外线。
18.一种电子器件绝缘层,其是利用权利要求15~17中任一项所述的方法制造而成的。
19.根据权利要求18所述的电子器件绝缘层,其中,所述电子器件绝缘层为有机薄膜晶体管绝缘层。
20.一种有机薄膜晶体管,其具有栅电极、源电极、漏电极、有机半导体层和权利要求14或19所述的电子器件绝缘层。
21.一种显示器用构件,其包含权利要求1~14中的任一项或权利要求18所述的电子器件绝缘层。
22.一种显示器,其包含权利要求21所述的显示器用构件。
CN201380011819.1A 2012-03-01 2013-02-26 电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法 Expired - Fee Related CN104137236B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012045695 2012-03-01
JP2012-045695 2012-03-01
PCT/JP2013/054983 WO2013129406A1 (ja) 2012-03-01 2013-02-26 電子デバイス絶縁層及び電子デバイス絶縁層の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104137236A true CN104137236A (zh) 2014-11-05
CN104137236B CN104137236B (zh) 2016-08-24

Family

ID=49082603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380011819.1A Expired - Fee Related CN104137236B (zh) 2012-03-01 2013-02-26 电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9461257B2 (zh)
JP (1) JP6087898B2 (zh)
KR (1) KR20140131940A (zh)
CN (1) CN104137236B (zh)
DE (1) DE112013001236T5 (zh)
TW (1) TW201402730A (zh)
WO (1) WO2013129406A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6025326B2 (ja) * 2011-12-21 2016-11-16 住友化学株式会社 電子デバイス絶縁層材料、及び電子デバイス
JP6110801B2 (ja) * 2014-03-07 2017-04-05 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ
US20170044287A1 (en) * 2014-03-13 2017-02-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition and organic film transistor using the same
JP6273374B2 (ja) * 2014-09-18 2018-01-31 富士フイルム株式会社 トランジスタ、および、トランジスタの製造方法
WO2019065055A1 (ja) * 2017-09-26 2019-04-04 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ
WO2019065056A1 (ja) * 2017-09-26 2019-04-04 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04132729A (ja) * 1990-09-25 1992-05-07 Sanyo Chem Ind Ltd 平坦化材およびその硬化法
JP2003158134A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
CN101784958A (zh) * 2007-08-24 2010-07-21 东丽株式会社 感光性组合物、由该组合物形成的固化膜、以及具有固化膜的元件
JP2011086926A (ja) * 2009-09-15 2011-04-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 光架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
CN102138218A (zh) * 2008-08-28 2011-07-27 住友化学株式会社 树脂组合物、栅极绝缘层和有机薄膜晶体管

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4707779B2 (ja) * 1997-10-23 2011-06-22 日本ゼオン株式会社 熱可塑性ジシクロペンタジエン系開環重合体、及びその製造方法
US6511756B1 (en) 1997-10-23 2003-01-28 Nippon Zeon Co., Ltd. Thermoplastic dicyclopentadiene-base open-ring polymers, hydrogenated derivatives thereof, and processes for the preparation of both
JP2007019121A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Nippon Soda Co Ltd 有機半導体装置製造用基板、有機半導体装置およびその製造方法
WO2007099689A1 (ja) 2006-02-28 2007-09-07 Pioneer Corporation 有機トランジスタ及びその製造方法
JP4807159B2 (ja) 2006-04-12 2011-11-02 凸版印刷株式会社 絶縁塗料、これから形成された有機絶縁膜、その形成方法および有機トランジスタ
JP2010007030A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 絶縁層用組成物
DE112010004463T5 (de) * 2009-11-17 2012-10-31 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Durch optische und thermische Energie vernetzbares Isolatorschichtmaterial für organischen Dünnschichttransistor
KR101888718B1 (ko) * 2011-05-24 2018-08-14 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 박막 트랜지스터 절연층 재료

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04132729A (ja) * 1990-09-25 1992-05-07 Sanyo Chem Ind Ltd 平坦化材およびその硬化法
JP2003158134A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
CN101784958A (zh) * 2007-08-24 2010-07-21 东丽株式会社 感光性组合物、由该组合物形成的固化膜、以及具有固化膜的元件
CN102138218A (zh) * 2008-08-28 2011-07-27 住友化学株式会社 树脂组合物、栅极绝缘层和有机薄膜晶体管
JP2011086926A (ja) * 2009-09-15 2011-04-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 光架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013129406A1 (ja) 2015-07-30
US9461257B2 (en) 2016-10-04
KR20140131940A (ko) 2014-11-14
JP6087898B2 (ja) 2017-03-01
TW201402730A (zh) 2014-01-16
WO2013129406A1 (ja) 2013-09-06
DE112013001236T5 (de) 2015-01-15
CN104137236B (zh) 2016-08-24
US20150008418A1 (en) 2015-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102138218B (zh) 树脂组合物、栅极绝缘层和有机薄膜晶体管
CN104137236A (zh) 电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法
KR101888718B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 절연층 재료
TWI628510B (zh) 積層體、有機半導體製造用套組及有機半導體製造用光阻組成物
CN102947359B (zh) 固化性组合物和固化膜的制造方法
TWI811419B (zh) 胺甲醯肟化合物及含有該化合物之聚合起始劑、以及聚合性組合物
KR102387852B1 (ko) 경화막 형성 조성물
KR20120105471A (ko) 광 및 열 에너지 가교성 유기 박막 트랜지스터 절연층 재료
JP2013008951A (ja) 光及び熱エネルギー架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
TW201335228A (zh) 化合物、聚合物、硬化性組成物、塗佈用組成物、以及具有硬化膜之物品、具有親液性區域與撥液性區域之圖案的物品及其製造方法
KR20180061572A (ko) 네거티브 감광성 수지 조성물, 필름 및 전자장치
CN106062935A (zh) 一种组合物及使用其的有机薄膜晶体管
CN104040700B (zh) 电子器件绝缘层材料及电子器件
CN107272341A (zh) 遮光膜用感光性树脂组合物、显示器用基板及其制造方法
CN102484141A (zh) 光交联性有机薄膜晶体管绝缘层材料
KR20190061664A (ko) 네거티브 감광성 수지 조성물, 이를 사용한 유기절연막을 갖는 전자장치
JP2018164030A (ja) 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、及びこれらに用いるポリマー
TW201223979A (en) Insulation layer material for organic thin film transistor and organic thin film transistor
JP2020009797A (ja) 有機薄膜トランジスタの製造方法
JP6056443B2 (ja) 絶縁層材料及び該絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ
US20190250510A1 (en) Photosensitive composition and organic thin-film transistor
JP6056426B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び有機薄膜トランジスタ
JP2019059825A (ja) 高分子化合物、感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ
Dick Design and development of base-catalyzed materials for microelectronics applications
TW201323452A (zh) 有機薄膜電晶體絕緣層材料

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160824

Termination date: 20200226