CN104040700B - 电子器件绝缘层材料及电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种可于低温下形成绝缘层的电子器件绝缘层材料。用于解决课题的方法为一种电子器件绝缘层材料，其包含高分子化合物(A)和烷氧基钨(V)(B)，所述高分子化合物(A)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元。[式中，R5表示氢原子或甲基。Rbb表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R表示能够借助酸而发生脱离的有机基团。R’表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数l～20的一价有机基团。下角标b表示0或1的整数，下角标n表示1～5的整数。在具有多个R时，它们可以相同或不同。在具有多个R’时，它们可以相同或不同。]。

Description

电子器件绝缘层材料及电子器件
技术领域
本发涉及适于形成电子器件所具有的绝缘层的电子器件绝缘层材料。
背景技术
近年来，有机薄膜晶体管等电子器件的研究受到关注，进行了用于电子器件的各种材料的研究。其中，为了抑制电子器件的经时劣化，大量地进行了用于形成电子器件中所含的绝缘层的材料的开发。
作为电子器件的一种形式的有机薄膜晶体管能够在比无机半导体更低的温度下进行制造，因此，作为其基板，可使用塑料基板或膜，通过使用这样的基板，能够获得挠性、轻质且不易受损的元件。
另外，有时可通过涂布包含有机材料的溶液或利用印刷法进行成膜来制作元件，有时能够在大面积的基板上以低成本制造多个元件。
此外，可用于晶体管的研究的材料的种类丰富，因此，如果将分子结构不同的材料用于研究，则能够制造出具有宽广范围的特性变化的元件。
就用于作为有机薄膜晶体管的一种形式的场效应型有机薄膜晶体管的有机半导体化合物而言，容易受到湿度、氧等环境的影响，晶体管特性容易发生因湿度、氧等所致的经时劣化。
因此，对于作为有机半导体化合物剥露的场效应型有机薄膜晶体管的1种的底栅型有机薄膜晶体管的元件结构而言，需要形成覆盖元件整体的外敷(オ一バ一ュ一ト)绝缘层来保护有机半导体化合物以防止其与外界气体接触。另一方面，对于作为场效应型有机薄膜晶体管的1种的顶栅型有机薄膜晶体管的元件结构而言，有机半导体化合物被栅绝缘层包覆而受到保护。这样，对于有机薄膜晶体管来说，为了形成覆盖有机半导体层的外敷绝缘层及栅绝缘层等，要使用绝缘层材料。
对于有机薄膜晶体管绝缘层材料，要求具有绝缘性以及在制成薄膜时绝缘破坏强度优异的特性。另外，尤其是对于底栅型的场效应型有机薄膜晶体管而言，有机半导体层可叠合形成于栅绝缘层。因此，对于有机薄膜晶体管栅绝缘层材料，要求具有用于形成与有机半导体层密合的界面的与有机半导体化合物的亲和性，并且要求由该有机薄膜晶体管栅绝缘层材料形成的膜在有机半导体层一侧的表面平坦。
作为应对上述要求的技术，专利文献1中记载了：组合使用环氧树脂和硅烷偶联剂作为有机薄膜晶体管栅绝缘层材料。该技术中，将包含环氧树脂和硅烷偶联剂的组合物加热至150℃，使在环氧树脂的固化反应时生成的羟基与硅烷偶联剂反应。这是基于下述理由：上述羟基会提高栅绝缘层材料的吸湿性，而损害晶体管性能的稳定性。
非专利文献1中记载了：将使聚乙烯基苯酚与三聚氰胺化合物于175℃热交联而得的树脂用于栅绝缘层。该技术中，通过利用三聚氰胺化合物进行交联，从而将聚乙烯基苯酚中所含的羟基除去，同时提高膜强度。具有该栅绝缘层的并五苯TFT的磁滞小，对于栅偏压显示出耐久性。
在非专利文献2中记载了：于150℃对使聚乙烯基苯酚以及由乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯共聚而得的共聚物进行加热，并将其用于栅绝缘层。该技术中，使乙烯基苯酚的羟基与甲基丙烯酸甲酯的羰基相互作用，从而使膜整体的极性降低。具有该栅绝缘层的并五苯TFT的磁滞小，显示出稳定的电气特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-305950号公报
非专利文献
非专利文献1：Appl.Phys.Lett.89，093507(2006)
非专利文献2：Appl.Phys.Lett.92，183306(2008)
发明内容
发明所要解决的课题
但是，对于在塑料基板上形成有有机场致发光元件(有机EL元件)等发光元件和有机薄膜晶体管的显示器而言，用于由上述现有的电子器件绝缘层材料形成有机薄膜晶体管的绝缘层的温度高，并不实用。
本发明的目的在于提供一种能够在低温下形成绝缘层的电子器件绝缘层材料。
用于解决课题的手段
即，本发明涉及一种电子器件绝缘层材料，其包含高分子化合物(A)和烷氧基钨(V)(B)，所述高分子化合物(A)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元，
[化学式1]
[式中，R5表示氢原子或甲基。Rbb表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R表示可借助酸而发生脱离的有机基团。R’表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。下角标b表示0或1的整数，下角标n表示1～5的整数。在具有多个R时，它们可以相同或不同。在具有多个R’时，它们可以相同或不同。]
在一种实施方式中，上述具有环状醚结构的重复单元为选自式(2)所示的重复单元及式(3)所示的重复单元中的至少1种重复单元。
[化学式2]
[式中，R1表示氢原子或甲基。R2、R3及R4各自独立地表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。Raa表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。下角标a表示0或1的整数。]
[化学式3]
[式中，R12表示氢原子或甲基。R13、R14、R15、R16及R17各自独立地表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。Rdd表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。下角标d表示0或1的整数。]
在一种实施方式中，上述高分子化合物(A)进一步包含含有下述第一官能团的重复单元。
第一官能团是能够在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第二官能团的官能团。
在一种实施方式中，上述第一官能团是选自被封端剂封端后的异氰酸根合基和被封端剂封端后的异硫氰酸根合基中的至少1种基团。
在一种实施方式中，上述被封端剂封端后的异氰酸根合基及被封端剂封端后的异硫氰酸根合基为式(5)所示的基团。
[化学式4]
[式中，Xa表示氧原子或硫原子，R7及R8各自独立地表示氢原子或碳原子数1～20的一价有机基团。]
在一种实施方式中，上述被封端剂封端后的异氰酸根合基及被封端剂封端后的异硫氰酸根合基为式(6)所示的基团，
[化学式5]
[式中，Xb表示氧原子或硫原子，R9、R10及R11各自独立地表示氢原子或碳原子数1～20的一价有机基团。]。
在一种实施方式中，上述高分子化合物(A)进一步包含式(4)所示的重复单元。
[化学式6]
[式中，R6表示氢原子或甲基。Rf表示氟原子或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。Rcc表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。下角标c表示0或1的整数，下角标m表示1～5的整数。在Rf为多个时，它们可以相同或不同。其中，至少1个Rf是氟原子或具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。]
在一种实施方式中，上述电子器件绝缘层材料是有机薄膜晶体管绝缘层材料。
另外，本发明提供一种电子器件绝缘层的形成方法，其包括：
将包含上述电子器件绝缘层材料的液体涂布于基材从而在该基材上形成涂布层的工序；以及
对该涂布层施加热的工序。
另外，本发明提供一种电子器件，其具有使用上述电子器件绝缘层材料而形成的电子器件绝缘层。
在一种实施方式中，上述电子器件绝缘层为有机薄膜晶体管栅绝缘层。
另外，本发明提供一种包含上述电子器件的显示器用构件。
另外，本发明提供一种包含上述显示器用构件的显示器。
发明的效果
通过使用本发明的电子器件绝缘层材料，能够在低温下形成有机薄膜晶体管绝缘层。
附图说明
图1是剖面示意图，示出了作为本发明的电子器件的一个实施方式的底栅顶接触型有机薄膜晶体管的结构。
图2是剖面示意图，示出了作为本发明的电子器件的其它实施方式的底栅底接触型有机薄膜晶体管的结构。
符号说明
1 基板
2 栅电极
3 栅绝缘层
4 有机半导体层
5 源电极
6 漏电极
7 外敷层
具体实施方式
在本说明书中，所述“高分子化合物”是指，分子中包含由多个相同结构单元重复而成的结构的化合物，所谓的二聚物也包含于其中。另一方面，所述“低分子化合物”是指，分子中不重复地具有相同结构单元的化合物。所述“电子器件”是指，利用了电子的功能的能动元件。所述“电子器件绝缘层材料”是指，用于形成电子器件中所含的绝缘层的材料，可列举出例如有机薄膜晶体管绝缘层材料、有机场致发光元件绝缘层材料、电子纸绝缘层材料、RFID标签绝缘层材料、及液晶显示器绝缘层材料。所述有机薄膜晶体管绝缘层材料是指，用于形成栅绝缘层或外敷绝缘层等有机薄膜晶体管中所含的绝缘层的材料。所述有机场致发光元件绝缘层材料是指，用于形成有机场致发光元件中所含的用以提高密合性的底涂层、平坦化层、及外敷绝缘层等绝缘层的材料。所述电子纸绝缘层材料是指，用于形成电子纸中所含的用以提高密合性的底涂层、平坦化层、及外敷绝缘层等绝缘层的材料。所述RFID标签绝缘层材料是指，用于形成RFID标签中所含的用以提高密合性的底涂层及外敷绝缘层等绝缘层的材料。所述液晶显示器绝缘层材料是指，用于形成液晶显示器中所含的绝缘层的材料。
本发明的电子器件绝缘层材料包含高分子化合物(A)，该高分子化合物(A)含有具有环状醚结构的重复单元、和包含可借助酸而脱离的有机基团的式(1)所示的重复单元。
环状醚结构在酸的存在下生成阳离子，包含环状醚结构的化合物发生阳离子聚合。另外，环状醚结构在酸的存在下与式(1)所示的重复单元中的可借助酸而脱离的有机基团经去保护而生成的羟基发生反应。因此，高分子化合物(A)在酸的存在下可发生交联反应而形成交联结构。烷氧基钨(V)(B)通过水解而生成钨酸，即使在低温下也会促进高分子化合物(A)的交联反应，因此，使用本发明的电子器件绝缘层材料而形成的绝缘层的交联密度变高。
若在绝缘层的内部形成交联结构，则绝缘层中所含的化合物中的分子的迁移得到抑制，绝缘层的极化得到抑制。若绝缘层的极化得到抑制，则例如在用作有机薄膜晶体管的栅绝缘层的情况下，磁滞降低，有机薄膜晶体管的工作精度提高。
式(1)中，R5表示氢原子或甲基。在一种实施方式中，R5为甲基。
式(1)中，Rbb表示将主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。连结部分为具有在使本发明的电子器件绝缘层材料发生交联的环境条件下不显示反应性的结构的二价基团即可。作为该连结部分，可列举出例如：包含碳原子数1～20的二价有机基团的键、醚键(-O-)、酮键(-CO-)、酯键(-COO-、-OCO-)、酰胺键(-NHCO-、-CONH-)、氨酯键(-NHCOO-、-OCONH-)以及这些键组合而成的键。下角标b表示0或1的整数。在一种实施方式中，下角标b为0。
由Rbb表示的碳原子数1～20的二价有机基团可以是直链、支链、环状中的任意结构，可以是脂肪族烃基，也可以是芳香族烃基。作为该碳原子数1～20的二价有机基团，可列举出例如：碳原子数1～20的二价直链状脂肪族烃基、碳原子数3～20的二价支链状脂肪族烃基、碳原子数3～20的二价环状烃基以及可以被烷基等取代的碳原子数6～20的二价芳香族烃基。其中，优选碳原子数1～6的二价直链状脂肪族烃基、碳原子数3～6的二价支链状脂肪族烃基、碳原子数3～6的二价环状烃基以及可以被烷基等取代的二价的碳原子数6～20的芳香族烃基。
作为二价直链状脂肪族烃基、二价支链状脂肪族烃基以及二价环状烃基，可列举出例如：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚异丙基、亚异丁基、二甲基亚丙基、亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基以及亚环己基。
作为可以被烷基等取代的碳原子数6～20的二价芳香族烃基，可列举出例如：亚苯基、亚萘基、亚蒽基、二甲基亚苯基、三甲基亚苯基、亚乙基亚苯基、二亚乙基亚苯基、三亚乙基亚苯基、亚丙基亚苯基、亚丁基亚苯基、甲基亚萘基、二甲基亚萘基、三甲基亚萘基、乙烯基亚萘基、次乙基亚萘基、甲基亚蒽基及乙基亚蒽基。
式(1)中，R’表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。碳原子数1～20的一价有机基团可以为直链、支链、环状中的任意结构，可以为饱和的，也可以为不饱和的。
作为由R’表示的碳原子数1～20的一价有机基团，可列举出例如：碳原子数1～20的直链状烃基、碳原子数3～20的支链状烃基、碳原子数3～20的环状烃基以及碳原子数6～20的芳香族烃基，优选为碳原子数1～6的直链状烃基、碳原子数3～6的支链状烃基、碳原子数3～6的环状烃基及碳原子数6～20的芳香族烃基。
碳原子数1～20的直链状烃基、碳原子数3～20的支链状烃基及碳原子数3～20的环状烃基中所含的氢原子也可以被氟原子取代。
就碳原子数6～20的芳香族烃基而言，基团中的氢原子可以被烷基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等取代。
作为碳原子数1～20的一价有机基团的具体例，可列举出：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、异丙基、异丁基、叔(tert)丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环戊烯基、环己烯基、三氟甲基、三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、甲苯基、二甲苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、乙基苯基、二乙基苯基、三乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、甲基萘基、二甲基萘基、三甲基萘基、乙烯基萘基、次乙基萘基、甲基蒽基、乙基蒽基、氯苯基及溴苯基。
作为碳原子数1～20的一价有机基团，优选烷基。
式(1)中，R表示可借助酸而脱离的有机基团。这是指，在使酸作用于式(1)中的OR基的情况下，R基发生脱离而生成酚性羟基。酚性羟基可与环状醚结构反应而形成交联结构。另外，酚性羟基有时会因链转移而使高分子化合物(A)的阳离子聚合停止、或使阳离子聚合的速度降低，能够抑制在酸的存在下高分子化合物(A)的阳离子聚合过度地进行。
作为可借助酸而脱离的有机基团，可列举出例如：可以被取代的碳原子数2～20的烷氧基烷基、金刚烷基等具有碳原子数3～20的环状烃结构的基团、叔烷基、四氢糠基、四氢吡喃基、及4-甲氧基四氢吡喃基。
作为碳原子数2～20的烷氧基烷基可以具有的取代基，可列举出：碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数6～20的芳香族烃基及卤原子。作为可以被取代的碳原子数2～20的烷氧基烷基，可列举出例如：甲氧基甲基、甲氧基乙氧基甲基、1-乙氧基乙基、2-乙氧基乙基、双(2-氯乙氧基)甲基、1-甲基-1-甲氧基乙基、及1-异丙氧基乙基。
作为具有碳原子数3～20的环状烃结构的基团，可列举出例如：环丙基甲基、环己基、及2-甲基-2-金刚烷基。
作为叔烷基，可列举出例如叔丁基。
作为该具有环状醚结构的重复单元，优选为式(2)所示的重复单元、以及式(3)所示的重复单元。
式(2)中，R1表示氢原子或甲基。在一种实施方式中，R1为甲基。
式(2)中，R2、R3及R4各自独立地表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。由R2、R3及R4表示的碳原子数1～20的一价有机基团的定义及具体例与由R’表示的碳原子数1～20的一价有机基团的定义及具体例相同。
作为由R2、R3及R4表示的碳原子数1～20的一价有机基团，优选为烷基。
式(2)中，Raa表示将主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。由Raa表示的将主链与侧链连结的连结部分的定义及具体例与由Rbb表示的将主链与侧链连结的连结部分的定义及具体例相同。下角标a表示0或1的整数。在一种实施方式中，下角标a为1。
式(3)中、R12表示氢原子或甲基。在一种实施方式中，R12为甲基。
式(3)中，R13、R14、R15、R16及R17各自独立地表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。由R13、R14、R15、R16及R17表示的碳原子数1～20的一价有机基团的定义及具体例与由R’表示的碳原子数1～20的一价有机基团的定义及具体例相同。
作为由R13、R14、R15、R16及R17表示的碳原子数1～20的一价有机基团，优选为烷基。
式(3)中，Rdd表示将主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。由Rdd表示的将主链与侧链连结的连结部分的定义及具体例与由Rdd表示的将主链与侧链连结的连结部分的定义及具体例相同。下角标d表示0或1的整数。在一种实施方式中，下角标d为1。
本发明的高分子化合物(A)的一种方式为包含式(1)所示的重复单元、以及式(2)所示的重复单元或式(3)所示的重复单元，并进一步包含选自式(4)所示的重复单元及含有第一官能团的重复单元中的至少1种重复单元的高分子化合物，并且，该第一官能团是能够在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第二官能团的官能团。
在此，所述活性氢是指，键合于诸如氧原子、氮原子及硫原子这样的碳原子以外的原子上的氢原子。
式(4)中，R6表示氢原子或甲基。在一种实施方式中，R6为甲基。
式(4)中，Rcc表示将主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。由Rcc表示的将主链与侧链连结的连结部分的定义及具体例与由Rbb表示的将主链与侧链连结的连结部分的定义及具体例相同。下角标c表示0或1的整数。在一种实施方式中，下角标c为0。
式(4)中，Rf表示氟原子或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。在一种实施方式中，Rf为氟原子。
下角标m表示1～5的整数。在一种实施方式中，下角标m为5。
由Rf表示的碳原子数1～20的一价有机基团可以具有氟原子，可以为直链、支链、环状中的任意结构，可以是饱和的，也可以是不饱和的。
作为碳原子数1～20的一价有机基团，可列举出例如：碳原子数1～20的直链状烃基、碳原子数3～20的支链状烃基、碳原子数3～20的环状烃基、碳原子数6～20的芳香族烃基，优选为碳原子数1～6的直链状烃基、碳原子数3～6的支链状烃基、碳原子数3～6的环状烃基及碳原子数6～20的芳香族烃基。
对于碳原子数6～20的芳香族烃基而言，基团中的氢原子可以被烷基、氯原子、溴原子、碘原子等取代。
在Rf为不具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团的情况下，作为不具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团的具体例，可列举出：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、异丙基、异丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环戊烯基、环己烯基、苯基、萘基、蒽基、甲苯基、二甲苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、乙基苯基、二乙基苯基、三乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、甲基萘基、二甲基萘基、三甲基萘基、乙烯基萘基、次乙基萘基、甲基蒽基、乙基蒽基、氯苯基及溴苯基。
作为不具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团，优选为烷基。
在Rf为具有氟原子的碳原子数1～20的有机基团的情况下，作为具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团，可列举出例如：三氟甲基、2，2，2-三氟乙基、2，2，3，3，3-五氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、五氟苯基及三氟甲基苯基。
作为由Rf表示的可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团，优选为被氟原子取代后的烷基。
式(4)中，至少1个Rf为氟原子或具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。优选的是，下角标m为5、且5个Rf为氟原子或具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。
通过向电子器件绝缘层材料中导入氟，可使由该材料形成的绝缘层的极性低，绝缘层的极化受到抑制。
优选氟原子不是取代高分子化合物的主链的氢原子、而是取代侧链或侧基(pendant group)的氢原子。若氟原子取代于侧链或侧基，则可以在不降低对于有机半导体化合物这样的其它有机材料的亲和性的情况下，使得在形成包含该有机材料的层时，有机材料与绝缘层的露出面接触，变得易于形成层。
上述第一官能团不与活性氢反应，但若对该第一官能团照射电磁波或作用热，则会生成第二官能团，该第二官能团与活性氢反应。也就是说，上述第一官能团可以在电磁波或热的作用下被去保护，生成可与活性氢反应的第二官能团。第二官能团与电子器件绝缘层材料所含的含活性氢的基团反应而与含活性氢的基团键合，由此，可以在绝缘层的内部形成交联结构。另外，通过使上述含活性氢的基团与第二官能团反应，可降低绝缘层中所含的活性氢的量，使绝缘层的极化得到抑制。
作为电子器件绝缘层材料所含的含活性氢的基团，可列举出：在酸的存在下包含环状醚结构的高分子化合物发生聚合时由环状醚结构所生成的羟基、以及由式(1)所示的重复单元在酸的作用下发生有机基团R的脱离而生成的羟基等。
还可以使本发明的电子器件绝缘层材料中进一步含有选自作为含2个以上活性氢的低分子化合物的活性氢化合物、以及作为含2个以上活性氢的高分子化合物的活性氢化合物中的至少1种活性氢化合物。
在电子器件绝缘层的形成工序中，在直到施加电磁波或热为止，上述第二官能团被保护(封端)、并以上述第一官能团的形式存在于电子器件绝缘层材料中。其结果，电子器件绝缘层材料的贮存稳定性提高。
作为上述第一官能团的优选例，可列举出被封端剂封端的异氰酸根合基及被封端剂封端的异硫氰酸根合基。
上述被封端剂封端的异氰酸根合基可通过使在1分子中仅具有1个可与异氰酸根合基反应的活性氢的封端剂与异氰酸根合基反应而制造。上述被封端剂封端的异硫氰酸根合基可通过使在1分子中仅具有1个可与异硫氰酸根合基反应的活性氢的封端剂与异硫氰酸根合基反应而制造。
上述封端剂优选为在与异氰酸根合基或异硫氰酸根合基反应后，可以在170℃以下的温度下发生解离的封端剂。作为封端剂，可列举出例如：醇类化合物、酚类化合物、活性亚甲基类化合物、硫醇类化合物、酰胺类化合物、酰亚胺类化合物、咪唑类化合物、脲类化合物、肟类化合物、胺类化合物、亚胺类化合物、亚硫酸氢盐、吡啶类化合物及吡唑类化合物。封端剂可以单独使用，也可以混合使用2种以上。作为优选的封端剂，可列举出肟类化合物及吡唑类化合物。
以下，例示出具体的封端剂。作为醇类化合物，可列举出例如：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、2-乙基己醇、甲基溶纤素、丁基溶纤素、甲基卡必醇、苄醇、及环己醇。作为酚类化合物，可列举出例如苯酚、甲酚、乙基苯酚、丁基苯酚、壬基苯酚、二壬基苯酚、苯乙烯化苯酚、及羟基苯甲酸酯。作为活性亚甲基类化合物，可列举出例如：丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、及乙酰丙酮。作为硫醇类化合物，可列举出例如：丁基硫醇及十二烷基硫醇。作为酰胺类化合物，可列举出例如：乙酰苯胺、乙酰胺、ε-己内酰胺、δ-戊内酰胺、及γ-丁内酰胺。作为酰亚胺类化合物，可列举出例如：琥珀酰亚胺及马来酰亚胺。作为咪唑类化合物，可列举出例如：咪唑及2-甲基咪唑。作为脲类化合物，可列举出例如：脲、硫脲及亚乙基脲。作为肟类化合物，可列举出例如：甲醛肟、乙醛肟、乙酰肟、甲基乙基酮肟、及环己酮肟。作为胺类化合物，可列举出例如：二苯胺、苯胺、及咔唑。作为亚胺类化合物，可列举出例如：乙烯亚胺及聚乙烯亚胺。作为亚硫酸氢盐，可列举出例如亚硫酸氢钠。作为吡啶类化合物，可列举出例如2-羟基吡啶及2-羟基喹啉。作为吡唑类化合物，可列举出例如3，5-二甲基吡唑及3，5-二乙基吡唑。
作为在本发明中可以使用的被封端剂封端的异氰酸根合基及被封端剂封端的异硫氰酸根合基，优选为上述式(5)所示的基团及上述式(6)所示的基团。
式(5)及式(6)中，Xa表示氧原子或硫原子，Xb表示氧原子或硫原子，、R7、R8、R9、R10及R11各自独立地表示氢原子或碳原子数1～20的一价有机基团。
由R7、R8、R9、R10及R11表示的碳原子数1～20的一价有机基团的定义及具体例与由R’表示的碳原子数1～20的一价有机基团的定义及具体例相同。
作为由R7、R8、R9、R10及R11表示的碳原子数1～20的一价有机基团，优选为烷基。
在一种实施方式中，R7、R8、R9、R10及R11为氢原子。
作为被封端剂封端的异氰酸根合基，可列举出例如：O-(甲叉氨基)羧基氨基、O-(1-乙叉氨基)羧基氨基、O-(1-甲基乙叉氨基)羧基氨基、O-[1-甲基丙叉氨基]羧基氨基、(N-3，5-二甲基吡唑基羰基)氨基、(N-3-乙基-5-甲基吡唑基羰基)氨基、(N-3，5-二乙基吡唑基羰基)氨基、(N-3-丙基-5-甲基吡唑基羰基)氨基、及(N-3-乙基-5-丙基吡唑基羰基)氨基。
作为被封端剂封端的异硫氰酸根合基，可列举出例如：O-(甲叉氨基)硫代羧基氨基、O-(1-乙叉氨基)硫代羧基氨基、O-(1-甲基乙叉氨基)硫代羧基氨基、O-[1-甲基丙叉氨基]硫代羧基氨基、(N-3，5-二甲基吡唑基硫代羰基)氨基、(N-3-乙基-5-甲基吡唑基硫代羰基)氨基、(N-3，5-二乙基吡唑基硫代羰基)氨基、(N-3-丙基-5-甲基吡唑基硫代羰基)氨基、及(N-3-乙基-5-丙基吡唑基硫代羰基)氨基。
作为第一官能团，优选为被封端剂封端的异氰酸根合基。
高分子化合物(A)例如可以通过使用光聚合引发剂或热聚合引发剂使下述聚合性单体混合物发生共聚的方法来制造，所述聚合性单体混合物包含：上述成为式(1)所示的重复单元的原料的聚合性单体、上述成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体或上述成为式(3)所示的重复单元的原料的聚合性单体、以及上述成为式(4)所示的重复单元的原料的聚合性单体或含有第一官能团的聚合性单体。
作为上述成为式(1)所示的重复单元的原料的聚合性单体，可列举出例如：4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯、4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯、4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯、4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯、4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯、4-(环丙基甲氧基)苯乙烯基、及4-(环己氧基)苯乙烯。
作为上述成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体，可列举出例如：丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸2-缩水甘油基乙酯、及甲基丙烯酸2-缩水甘油基乙酯。
作为上述成为式(3)所示的重复单元的原料的聚合性单体，可列举出例如：3-丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷、及3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷。
作为上述成为式(4)所示的重复单元的原料的聚合性单体，可列举出例如：2-三氟甲基苯乙烯、3-三氟甲基苯乙烯、4-三氟甲基苯乙烯、2，3，4，5，6-五氟苯乙烯、及4-氟苯乙烯。
作为上述含有第一官能团的聚合性单体，可列举出例如：具有被封端剂封端的异氰酸根合基和被封端剂封端的异硫氰酸根合基中的任意基团并具有不饱和键的单体。具有被该封端剂封端的异氰酸根合基和被封端剂封端的异硫氰酸根合基中的任意基团并具有不饱和键的单体，可通过使具有异氰酸根合基和异硫氰酸根合基中的任意基团并具有不饱和键的化合物、与封端剂发生反应而制造。作为不饱和键，优选为双键。
作为具有双键和异氰酸根合基的化合物，可列举出例如：2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、及2-(2’-甲基丙烯酰氧基乙基)氧基乙基异氰酸酯。作为具有双键和异硫氰酸根合基的化合物，可列举出例如：2-丙烯酰氧基乙基异硫氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异硫氰酸酯、及2-(2’-甲基丙烯酰氧基乙基)氧基乙基异硫氰酸酯。
在制造上述含有第一官能团的聚合性单体时，可适宜使用上述封端剂。在使具有异氰酸根合基和异硫氰酸根合基中的任意基团并具有不饱和键的化合物与封端剂反应来制造具有被封端剂封端的异氰酸根合基和被封端剂封端的异硫氰酸根合基中的任意基团并具有不饱和键的单体的反应中，可以根据需要而添加有机溶剂、催化剂等。
作为具有被封端剂封端的异氰酸根合基和双键的上述单体，可列举出例如：甲基丙烯酸2-[O-[1’-甲基丙叉氨基]羧基氨基]乙酯、及甲基丙烯酸2-[N-[1’，3’-二甲基吡唑基]羰基氨基]乙酯。
作为具有被封端剂封端的异硫氰酸根合基和双键的上述单体，可列举出例如：甲基丙烯酸2-[O-[1’-甲基丙叉氨基]硫代羧基氨基]乙酯、及甲基丙烯酸2-[N-[1’，3’-二甲基吡唑基]硫代羰基氨基]乙酯。
作为上述光聚合引发剂，可列举出例如：苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、4-异丙基-2-羟基-2-甲基苯丙酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮、4，4’-双(二乙基氨基)二苯甲酮、二苯甲酮、甲基(邻苯甲酰)苯甲酸酯、1-苯基-1，2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-1，2-丙二酮-2-(邻苯甲酰)肟、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯偶姻辛基醚、偶苯酰、安息香双甲醚(benzildimethyl ketal)、安息香双乙醚(benzil diethyl ketal)、丁二酮等羰基化合物、甲基蒽醌、氯蒽醌、氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮等蒽醌衍生物或噻吨酮衍生物、二苯二硫、二硫代氨基甲酸盐等硫化合物。
在使用光能作为引发共聚的能量的情况下，对聚合性单体照射的光的波长为360nm以上，优选为360～450nm。
作为上述热聚合引发剂，只要是可成为自由基聚合引发剂的化合物即可，可列举出例如：2，2’-偶氮双异丁腈、2，2’-偶氮双异戊腈、2，2’-偶氮双(2，4-二甲基戊腈)、4，4’-偶氮双(4-氰基戊酸)、1，1’-偶氮双(环己烷甲腈)、2，2’-偶氮双(2-甲基丙烷)、2，2’-偶氮双(2-甲基丙脒)二盐酸盐等偶氮类化合物、甲基乙基酮过氧化物、甲基异丁基酮过氧化物、环己酮过氧化物、乙酰丙酮过氧化物等酮过氧化物类、异丁基过氧化物、苯甲酰过氧化物、2，4-二氯苯甲酰过氧化物、邻甲基苯甲酰过氧化物、月桂酰过氧化物、对氯苯甲酰过氧化物等二酰基过氧化物类、2，4，4-三甲基戊基-2-过氧化氢、二异丙基苯过氧化氢、氢过氧化枯烯、叔丁基过氧化氢等过氧化氢类、过氧化二异丙苯、过氧化叔丁基异丙苯、二叔丁基过氧化物、三(叔丁基过氧化)三嗪等二烷基过氧化物类、1，1-二叔丁基过氧化环己烷、2，2-二(叔丁基过氧化)丁烷等过氧化缩酮类、过氧化新戊酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化六氢对苯二甲酸二叔丁酯、过氧化壬二酸二叔丁酯、过氧化-3，5，5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化乙酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化三甲基己二酸二叔丁酯等烷基过酸酯类、过氧化二碳酸二异丙酯、过氧化二碳酸二仲丁酯、过氧化异丙基碳酸叔丁酯等过氧化碳酸酯类。
还可以在聚合时添加上述成为式(1)所示的重复单元的原料的聚合性单体、上述成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体、上述成为式(3)所示的重复单元的原料的聚合性单体、上述成为式(4)所示的重复单元的原料的聚合性单体、含有第一官能团的聚合性单体以外的其它聚合性单体来制造高分子化合物(A)。
作为可追加使用的聚合性单体，可列举出例如：丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生物、甲基丙烯腈及其衍生物、丙烯腈及其衍生物、有机羧酸的乙烯酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物等、包含不饱和烃基的有机锗衍生物。
可追加使用的聚合性单体的种类可根据绝缘层所需要的特性适当选择。从相对于溶剂的优异的耐久性、使有机薄膜晶体管的磁滞变小的观点出发，可选择如苯乙烯、苯乙烯衍生物这样的就包含这些化合物的膜而言可形成分子密度高且硬的膜的单体。另外，从相对于栅电极、基板的表面等与绝缘层邻接的面的密合性的观点出发，可选择如甲基丙烯酸酯及其衍生物、丙烯酸酯及其衍生物这样的可赋予高分子化合物(A)以塑性的单体。
丙烯酸酯及其衍生物可以是单官能的丙烯酸酯，另外，虽然使用量受到制约，但也可以是多官能的丙烯酸酯。作为丙烯酸酯及其衍生物，可列举出例如：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丙酯、丙烯酸-2-羟基丁酯、丙烯酸-2-羟基苯基乙酯、乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇五丙烯酸酯、丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、丙烯酸2，2，3，3，3-五氟丙酯、丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、丙烯酸3-全氟丁基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、丙烯酸3-(全氟-7-甲基辛基)-2-羟基丙酯、丙烯酸1H，1H，3H-四氟丙酯、丙烯酸1H，1H，5H-八氟戊酯、丙烯酸1H，1H，7H-十二氟庚酯、丙烯酸1H，1H，9H-十六氟壬酯、丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、丙烯酸1H，1H，3H-六氟丁酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、及N-丙烯酰吗啉。
甲基丙烯酸酯及其衍生物可以是单官能的甲基丙烯酸酯，另外，虽然使用量受到制约，但也可以是多官能的甲基丙烯酸酯。作为甲基丙烯酸酯及其衍生物，可列举出例如：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-3-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丁酯、甲基丙烯酸-2-羟基苯基乙酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、丙二醇二甲基丙烯酸酯、1，4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇五甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2，2，3，3，3-五氟丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟丁基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟辛基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-7-甲基辛基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸1H，1H，3H-四氟丙酯、甲基丙烯酸1H，1H，5H-八氟戊酯、甲基丙烯酸1H，1H，7H-十二氟庚酯、甲基丙烯酸1H，1H，9H-十六氟壬酯、甲基丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、甲基丙烯酸1H，1H，3H-六氟丁酯、N，N-二甲基甲基丙烯酰胺、N，N-二乙基甲基丙烯酰胺、及N-丙烯酰吗啉。
作为苯乙烯及其衍生物，可列举出例如：苯乙烯、2，4-二甲基-α-甲基苯乙烯、邻甲基苯乙烯、间甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、2，4-二甲基苯乙烯、2，5-二甲基苯乙烯、2，6-二甲基苯乙烯、3，4-二甲基苯乙烯、3，5-二甲基苯乙烯、2，4，6-三甲基苯乙烯、2，4，5-三甲基苯乙烯、五甲基苯乙烯、邻乙基苯乙烯、间乙基苯乙烯、对乙基苯乙烯、邻氯苯乙烯、间氯苯乙烯、对氯苯乙烯、邻溴苯乙烯、间溴苯乙烯、对溴苯乙烯、邻甲氧基苯乙烯、间甲氧基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、邻羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、对羟基苯乙烯、2-乙烯基联苯、3-乙烯基联苯、4-乙烯基联苯、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、4-乙烯基-对三联苯、1-乙烯基蒽、c-甲基苯乙烯、邻异丙烯基甲苯、间异丙烯基甲苯、对异丙烯基甲苯、2，4-二甲基-α-甲基苯乙烯、2，3-二甲基-α-甲基苯乙烯、3，5-二甲基-c-甲基苯乙烯、对异丙基-c-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯乙烯、二乙烯基苯、二乙烯基联苯、二异丙基苯、及4-氨基苯乙烯。
作为有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物，可列举出例如：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯及己二酸二乙烯酯。
作为有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物，可列举出例如：乙酸烯丙酯、苯甲酸烯丙酯、己二酸二烯丙酯、对苯二甲酸酸二烯丙酯、间苯二甲酸二烯丙酯及邻苯二甲酸二烯丙酯。
作为富马酸的二烷基酯及其衍生物，可列举出例如：富马酸二甲酯、富马酸二乙酯、富马酸二异丙酯、富马酸二仲丁酯、富马酸二异丁酯、富马酸二正丁酯、富马酸二-2-乙基己酯及富马酸二苄酯。
作为马来酸的二烷基酯及其衍生物，可列举出例如：马来酸二甲酯、马来酸二乙酯、马来酸二异丙酯、马来酸二仲丁酯、马来酸二异丁酯、马来酸二正丁酯、马来酸二-2-乙基己酯及马来酸二苄酯。
作为衣康酸的二烷基酯及其衍生物，可列举出例如：衣康酸二甲酯、衣康酸二乙酯、衣康酸二异丙酯、衣康酸二仲丁酯、衣康酸二异丁酯、衣康酸二正丁酯、衣康酸二-2-乙基己酯及衣康酸二苄酯。
作为有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物，可列举出例如：N-甲基-N-乙烯基乙酰胺。
作为末端不饱和烃及其衍生物，可列举出例如：1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、乙烯基环己烷、氯乙烯及烯丙醇。
作为包含不饱和烃基的有机锗衍生物，可列举出例如：烯丙基三甲基锗、烯丙基三乙基锗、烯丙基三丁基锗、三甲基乙烯基锗及三乙基乙烯基锗。
从提高有机薄膜晶体管绝缘层的特性的观点出发，作为可追加使用的聚合性单体，优选为丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、及烯丙基三甲基锗。
例如，若使用腈类作为可追加使用的聚合性单体，则可在有机薄膜晶体管绝缘层的内部导入氰基，提高绝缘层的耐溶剂性及强韧性等。另外，在这种情况下，还可提高绝缘层的介电常数。
在高分子化合物(A)含有含第一官能团的重复单元的情况下，含第一官能团的聚合性单体的投入摩尔量在参与聚合的全部聚合性单体中优选为5摩尔％以上且50摩尔％以下，更优选为5摩尔％以上且40摩尔％以下。通过将含有第一官能团的聚合性单体的投入摩尔量调节至该范围，可在绝缘层的内部充分形成交联结构，使极性基团的含量保持于低水平，抑制绝缘层的极化。
高分子化合物(A)的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为3000～1000000，更优选为5000～500000。高分子化合物(A)可以为直链状，也可以为支链状，还可以为环状。
作为高分子化合物(A)，可列举出例如：聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[1’-(3’，5’-二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基]酯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环丙基甲基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-五氟苯乙烯)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(2-乙氧基乙氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(甲氧基乙氧基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(四氢吡喃基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环丙基甲氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)、以及聚(4-(环己基氧基)苯乙烯-共聚-3-甲基丙烯酰氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷-共聚-甲基丙烯酸[2-[O-(1’-甲基丙叉氨基)羧基氨基]乙基]酯-共聚-丙烯腈)。
作为本发明的电子器件绝缘层材料中所含的烷氧基钨(V)(B)，可列举出例如：甲醇钨(V)、乙醇钨(V)、异丙醇钨(V)、及丁醇钨(V)。
本发明的电子器件绝缘层材料中所含的烷氧基钨(V)(B)的添加量相对于高分子化合物(A)的重量优选为0.1重量％～30重量％，更优选为1重量％～25重量％，进一步优选为5重量％～20重量％。当烷氧基钨(V)(B)的添加量相对于高分子化合物(A)的重量低于0.1重量％时，可能会导致固化反应不进行，当超过30重量％时，可能会导致电子器件绝缘层材料的保存稳定性降低。
<电子器件绝缘层材料>
本发明的电子器件绝缘层材料可以含有用于混合、调节粘度的溶剂、用于使高分子化合物(A)交联的交联剂、与该交联剂组合使用的添加剂、烷氧基钨(V)的稳定化剂等。作为该溶剂，可列举出：四氢呋喃、乙醚等醚溶剂、己烷等脂肪族烃溶剂、环己烷等脂环式烃溶剂、戊烯等不饱和烃溶剂、二甲苯等芳香族烃溶剂、丙酮等酮溶剂、乙酸丁酯等乙酸酯溶剂、异丙醇等醇溶剂、氯仿等卤素溶剂、这些溶剂的混合溶剂。另外，作为添加剂，可列举出例如用于促进交联反应的催化剂、增敏剂、流平剂及粘度调节剂。
另外，作为稳定化剂，可列举出例如乙酰丙酮。
本发明的电子器件绝缘层材料优选为用于形成有机薄膜晶体管所含的绝缘层的有机薄膜晶体管绝缘层材料。有机薄膜晶体管绝缘层材料在有机薄膜晶体管的绝缘层中优选用于形成外敷层或栅绝缘层。有机薄膜晶体管绝缘层材料优选为有机薄膜晶体管外敷层材料及有机薄膜晶体管栅绝缘层材料，更优选为有机薄膜晶体管栅绝缘层材料。
<绝缘层的形成>
电子器件的绝缘层的形成可如下地进行：在电子器件绝缘层材料中添加溶剂来制备绝缘层涂布液，将绝缘层涂布液涂布于基材，根据需要进行干燥，使其固化。在此，所述“基材”是指，用以在其上配置绝缘层的电子器件的构成构件。作为用于该绝缘层涂布液的有机溶剂，只要能够溶解电子器件绝缘层材料，就没有特殊限制，优选为在常压下的沸点为100℃～200℃的有机溶剂。作为该有机溶剂的例子，可列举出2-庚酮(沸点151℃)、丙二醇单甲基醚乙酸酯(沸点146℃)。
在该绝缘层涂布液中可以根据需要而添加流平剂、表面活性剂、固化催化剂等。
该绝缘层涂布液可以通过旋涂、模涂、丝网印刷、喷墨等公知的方法涂布于基材上。对于所形成的涂布层，根据需要进行干燥。这里所说的干燥是指，将所涂布的树脂组合物中所含的溶剂除去。干燥可以在常温下进行，也可加热地进行。在加热地进行干燥的情况下，加热温度为120℃以下，优选为60～110℃。
接着，使干燥后的涂布层固化。固化是指，电子器件绝缘层材料发生交联。此时的交联是指，利用由烷氧基钨(V)水解而生成的钨酸，使式(1)所示的重复单元中的可借助酸而脱离的有机基团脱离并生成酚性羟基，该酚性羟基与高分子化合物(A)中的环状醚发生反应，和/或，利用该钨酸使高分子化合物(A)中的环状醚开环，从而使高分子化合物(A)聚合而形成聚合物。
这样，为了使电子器件绝缘层材料发生交联，需要使电子器件绝缘层材料中存在引发交联反应的钨酸。因此，预先使电子器件绝缘层材料中所含的烷氧基钨(V)进行水解而生成钨酸。
通过使烷氧基钨(V)与水接触而容易进行水解。因此，电子器件绝缘层材料所含的烷氧基钨(V)的水解可通过使电子器件绝缘层材料中含有水而进行。为了使电子器件绝缘层材料中含有水，使电子器件绝缘层材料吸湿、或向电子器件绝缘层材料中添加水即可。
作为用于使电子器件绝缘层材料中含有水的操作的一例，可列举出：在存在水分的气体氛围中、例如大气中进行上述绝缘层涂布液的干燥。此时，干燥可以在常温下进行，也可以例如加热至上述温度而进行。
此外，为了使电子器件绝缘层材料发生交联，需要在由烷氧基钨(V)水解而生成的钨酸的作用下，使式(1）所示的重复单元中的可借助酸而脱离的有机基团脱离，和/或，使高分子化合物(A)中的环状醚开环。
作为用于对含有水后的电子器件绝缘层材料进行加热的操作的一例，可列举出：在大气中对经干燥后的上述绝缘涂布层进行加热。绝缘涂布层的加热温度通常设为80～250℃，优选设为100～150℃。绝缘涂布层的加热时间通常设为5～120分钟，优选设为10～60分钟。若加热温度过低或加热时间过短，则有时绝缘层中的高分子化合物的交联变得不充分。若加热温度过高或加热时间过长，则有可能导致绝缘层受损。
<有机薄膜晶体管>
图1是示出本发明的电子器件的一个实施方式即底栅顶接触型有机薄膜晶体管的结构的剖面示意图。该有机薄膜晶体管具备：基板1、形成于基板1上的栅电极2、形成于栅电极2上的栅绝缘层3、形成于栅绝缘层3上的有机半导体层4、夹着槽部而形成于有机半导体层4上的源电极5和漏电极6、以及覆盖元件整体的外敷层7。
底栅顶接触型有机薄膜晶体管例如可如下地制备：在基板上形成栅电极，在栅电极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成源电极、漏电极，并形成外敷层。就本发明的有机薄膜晶体管绝缘层材料而言，作为有机薄膜晶体管栅绝缘层材料，可适用于形成栅绝缘层。另外，作为有机薄膜晶体管外敷层材料，还可用于形成外敷层。
图2是示出本发明的电子器件的一个实施方式即底栅底接触型有机薄膜晶体管的结构的剖面示意图。该有机薄膜晶体管具备：基板1、形成于基板1上的栅电极2、形成于栅电极2上的栅绝缘层3、夹着槽部而形成于栅绝缘层3上的源电极5及漏电极6、形成于源电极5及漏电极6上的有机半导体层4、以及覆盖元件整体的外敷层7。
底栅底接触型有机薄膜晶体管例如可如下地制备：在基板上形成栅电极，在栅电极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成源电极、漏电极，在源电极、漏电极上形成有机半导体层，并形成外敷层。就本发明的有机薄膜晶体管绝缘层材料而言，作为有机薄膜晶体管栅绝缘层材料，可适用于形成栅绝缘层。另外，作为有机薄膜晶体管外敷层材料，还可用于形成外敷层。
基板1、栅电极2、源电极5、漏电极6及有机半导体层4利用通常所使用的材料及方法来构成即可。基板的材料可使用树脂、塑料的板或膜、玻璃板、硅板等。电极的材料可使用铬、金、银、铝、钼等，可利用蒸镀法、溅射法、印刷法、喷墨法等公知的方法来形成电极。
作为用于形成有机半导体层4的有机半导体化合物，可使用π共轭聚合物，可使用例如聚吡咯类、聚噻吩类、聚苯胺类、聚烯丙基胺类、芴类、聚咔唑类、聚吲哚类、聚(对苯乙炔)类等。另外，可使用在有机溶剂中具有溶解性的低分子物质，例如并五苯等多环芳香族的衍生物、酞菁衍生物、苝衍生物、四硫富瓦烯衍生物、四氰基醌二甲烷衍生物、富勒烯类、纳米碳管类等。具体来说，可列举出2，1，3-苯并噻二唑-4，7-二(硼酸乙二醇酯)与2，6-二溴-(4，4-双-十六烷基-4H-环戊[2，1-b；3，4-b’]-双噻吩的缩合物、9，9-二-正辛基芴-2，7-二(硼酸乙二醇酯)与5，5’-二溴-2，2’-并噻吩的缩合物等。
有机半导体层的形成例如可如下地进行：在有机半导体化合物中根据需要添加溶剂等，制备出有机半导体涂布液，将该有机半导体涂布液涂布于栅绝缘层上，使该有机半导体涂布液干燥。在本发明中，构成栅绝缘层的树脂具有苯环，与有机半导体化合物具有亲和性。因此，通过上述涂布干燥法可在有机半导体层与栅绝缘层之间形成均匀且平坦的界面。
作为在有机半导体涂布液中使用的溶剂，只要是使有机半导体溶解或分散的溶剂，就没有特殊限制，优选为常压下的沸点为50℃～200℃的溶剂。
作为该溶剂的例子，可列举出：氯仿、甲苯、苯甲醚、2-庚酮、及丙二醇单甲基醚乙酸酯。该有机半导体涂布液可与上述绝缘层涂布液同样地通过旋涂、模涂、丝网印刷、喷墨等公知的方法涂布于栅绝缘层上。
栅绝缘层3及外敷层7可利用与前述的电子器件的绝缘层的形成方法相同的方法来形成。
可以在栅绝缘层上形成自组装化单分子膜层。该自组装化单分子膜层例如可通过利用在有机溶剂中溶解1～10重量％的烷基氯硅烷化合物或烷基烷氧基硅烷化合物而成的溶液对栅绝缘层进行处理而形成。
作为烷基氯硅烷化合物的例子，可列举出：甲基三氯硅烷、乙基三氯硅烷、丁基三氯硅烷、癸基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷。
作为烷基烷氧基硅烷化合物的例子，可列举出：甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷。
就本发明的有机薄膜晶体管而言，出于保护有机薄膜晶体管并提高表面平滑性的目的，可以利用外敷层材料进行保护。
对于使用本发明的电子器件绝缘层材料所制造的绝缘层而言，可在其上层叠平坦的膜等，可容易地形成层叠结构。另外，该绝缘层上可适于搭载有机场致发光元件。
使用本发明的电子器件绝缘层材料，可适于制作具有有机薄膜晶体管的显示器用构件。使用具有该有机薄膜晶体管的显示器用构件，可制作具备显示器用构件的显示器。
本发明的电子器件绝缘层材料还可用于形成绝缘层以外的包含于晶体管中的层、包含于有机场致发光元件中的层的用途。
实施例
以下，结合实施例对本发明进行说明，但本发明并不受到实施例的限制。
合成例1
(高分子化合物1的合成)
在50ml耐压容器(ACE制)中放入4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯(东曹有机化学制)2.25g、甲基丙烯酸缩水甘油酯(和光纯药制)2.50g、甲基丙烯酸2-(O-[1’-甲基丙叉氨基]羧基氨基]乙酯(昭和电工制、商品名“KARENZMOI-BM”)2.81g、丙烯腈(和光纯药制)0.62g、4-乙烯基苯甲醚(和光纯药制)0.79g、2，2’-偶氮双(2-甲基丙腈)0.04g、2-庚酮(东京化成制)21.04g，进行氩气鼓泡后，将该耐压容器盖严。在60℃的油浴中使其进行20小时聚合，得到溶解有高分子化合物1的粘稠的2-庚酮溶液。高分子化合物1具有下述重复单元。括号的角标数字表示重复单元的摩尔分数。
[化学式7]
所得的高分子化合物1的由标准聚苯乙烯求出的重均分子量为114000(岛津制GPC、Tskgel super HM-H1根+Tskgel super H20001根、流动相＝THF)。
合成例2
(高分子化合物2的合成)
在包含2，1，3-苯并噻二唑-4，7-二(硼酸乙二醇酯)1.88g、和2，6-二溴-(4，4-双-十六烷基-4H-环戊[2，1-b；3，4-b’]-双噻吩3.81g的80mL的甲苯中，在氮气氛围中，加入四(三苯基膦)钯0.75g、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名“Aliquat336”(注册商标))1.0g、以及2M的碳酸钠水溶液24mL。对所得混合物进行激烈的搅拌，并进行加热而使其回流24小时。将所得的粘稠的反应混合物注入到丙酮500mL中，使纤维状的黄色的聚合物沉淀。对该聚合物进行过滤，将其收集起来用丙酮进行洗涤，在真空烘箱中于60℃干燥过得。将所得的聚合物称作高分子化合物2。高分子化合物2具有下述重复单元。n表示重复单元的数量。
[化学式8]
高分子化合物2的由标准聚苯乙烯求出的重均分子量为32000(岛津制GPC、Tskgel super HM-H1根+Tskgel super H20001根、流动相＝THF)。
实施例1
(有机薄膜晶体管绝缘层材料的制备以及有机薄膜晶体管绝缘层的耐溶剂性测定)
向10ml的样品瓶中加入合成例1中得到的高分子化合物1的2-庚酮溶液1.00g、乙醇钨(V)(GELEST制)0.05g、乙酰丙酮(和光纯药制)0.04g、丙二醇单甲基醚乙酸酯(东京化成工业制)1.00g，在进行搅拌的同时使乙醇钨(V)溶解，制备出作为有机薄膜晶体管绝缘层材料的均匀的涂布溶液1。
使用孔径0.2μm的膜滤器对所得的涂布溶液1进行过滤，将其旋涂于硅晶片上后，在大气氛围中，在热板上于100℃干燥1分钟。然后，在热板上于120℃烧制30分钟，得到有机薄膜晶体管绝缘层。
将所得的有机薄膜晶体管绝缘层浸渍在丙二醇单甲基醚乙酸酯中1分钟，测定了浸渍前后的膜减薄(膜べり)。将结果示于表1。将没有发生膜减薄的情况表示为○、将发生了膜减薄的情况表示为×。
实施例2
(场效应型有机薄膜晶体管的制造以及晶体管特性的评价)
使用孔径0.2μm的膜滤器对所得涂布溶液1进行过滤，将其旋涂于带有铬电极的玻璃基板上，然后在大气氛围中，在热板上于100℃烧制1分钟。然后，在热板上于120℃烧制30分钟，得到了栅绝缘层。
接着，使高分子化合物2溶解在作为溶剂的二甲苯中，制作出浓度为0.5重量％的溶液(有机半导体组合物)，利用膜滤器对该溶液进行过滤，制备了涂布液。
将所得的涂布液通过旋涂法涂布于上述栅绝缘层上，形成具有约30nm的厚度的活性层，接着，通过使用了金属掩模的真空蒸镀法，在活性层上蒸镀氧化钼和金，形成槽长20μm、槽宽2mm的源电极及漏电极，由此，制作出场效应型有机薄膜晶体管。源电极及漏电极自活性层一侧具有氧化钼和金层叠而成的结构。
对于所制作的场效应型有机薄膜晶体管，在使栅压Vg在20～-40V、源电极-漏电极间电压Vsd在0～-40V之间变化的条件下，使用真空探针(BCT22MDC-5-HT-SCU；Nagase Electronic Equipments Service Co.，LTD制、)来测定该晶体管特性。结果示于表2。
场效应型有机薄膜晶体管的磁滞由在源电极-漏电极间电压Vsd为-40V的条件下栅压Vg从20V向-40V变化时的阂值电压Vth1与栅压Vg从-40V向20V变化时的阂值电压Vth2之间的电压差异来表示。
比较例1
(有机薄膜晶体管绝缘层材料的制备以及有机薄膜晶体管绝缘层的耐溶剂性测定、)
除了未添加乙醇钨(V)以外，与实施例1进行相同的操作，制备出有机薄膜晶体管绝缘层材料，并测定了有机薄膜晶体管绝缘层的耐溶剂性。将结果示于表1。将有机薄膜晶体管绝缘层完全地溶解于丙二醇单甲基醚乙酸酯中。于120℃对有机薄膜晶体管绝缘层材料进行加热时，未能形成耐溶剂性高的栅绝缘层。
[表1]
膜减薄
实施例1 ○
比较例1 ×
[表2]
磁滞 Vth
实施例2 1.1V 8.2V

Claims (18)

1.一种电子器件绝缘层材料，其包含高分子化合物(A)和烷氧基钨(V)(B)，所述高分子化合物(A)包含具有环状醚结构的重复单元、和式(1)所示的重复单元，
式(1)中，R5表示氢原子或甲基，Rbb表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分，R表示能够借助酸而发生脱离的有机基团，R’表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团，下角标b表示0或1的整数，下角标n表示1～5的整数，在具有多个R时，它们可以相同或不同，在具有多个R’时，它们可以相同或不同。
2.根据权利要求1所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述具有环状醚结构的重复单元为选自式(2)所示的重复单元及式(3)所示的重复单元中的至少1种重复单元，
式(2)中，R1表示氢原子或甲基，R2、R3及R4各自独立地表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团，Raa表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分，下角标a表示0或1的整数，
式(3)中，R12表示氢原子或甲基，R13、R14、R15、R16及R17各自独立地表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团，Rdd表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分，下角标d表示0或1的整数。
3.根据权利要求1所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述高分子化合物(A)是进一步包含含有下述第一官能团的重复单元的高分子化合物，所述第一官能团是能够在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第二官能团的官能团。
4.根据权利要求2所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述高分子化合物(A)是进一步包含含有下述第一官能团的重复单元的高分子化合物，
所述第一官能团是能够在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第二官能团的官能团。
5.根据权利要求3所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述第一官能团为选自经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基中的至少一种基团。
6.根据权利要求4所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述第一官能团为选自经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基中的至少一种基团。
7.根据权利要求5所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基为式(5)所示的基团，
式(5)中，Xa表示氧原子或硫原子，R7及R8各自独立地表示氢原子或碳原子数1～20的一价有机基团。
8.根据权利要求6所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基为式(5)所示的基团，
式(5)中，Xa表示氧原子或硫原子，R7及R8各自独立地表示氢原子或碳原子数1～20的一价有机基团。
9.根据权利要求5所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基为式(6)所示的基团，
式(6)中，Xb表示氧原子或硫原子，R9、R10及R11各自独立地表示氢原子或碳原子数1～20的一价有机基团。
10.根据权利要求6所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基为式(6)所示的基团，
式(6)中，Xb表示氧原子或硫原子，R9、R10及R11各自独立地表示氢原子或碳原子数1～20的一价有机基团。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述高分子化合物(A)是进一步包含式(4)所示的重复单元的高分子化合物，
式(4)中，R6表示氢原子或甲基，Rf表示氟原子或可以具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团，Rcc表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分，下角标c表示0或1的整数，下角标m表示1～5的整数，在具有多个Rf时，它们可以相同或不同，并且，至少一个Rf是氟原子或具有氟原子的碳原子数1～20的一价有机基团。
12.根据权利要求1～10中任一项所述的电子器件绝缘层材料，其为有机薄膜晶体管绝缘层材料。
13.根据权利要求11所述的电子器件绝缘层材料，其为有机薄膜晶体管绝缘层材料。
14.一种电子器件绝缘层的形成方法，其包括：
将包含权利要求1～13中任一项所述的电子器件绝缘层材料的液体涂布于基材，从而在该基材上形成涂布层的工序；以及
对该涂布层施加热的工序。
15.一种电子器件，其具有电子器件绝缘层，该电子器件绝缘层是使用权利要求1～13中任一项所述的电子器件绝缘层材料而形成的。
16.根据权利要求15所述的电子器件，其中，所述电子器件绝缘层是有机薄膜晶体管栅绝缘层。
17.一种显示器用构件，其包含权利要求15或16所述的电子器件。
18.一种显示器，其包含权利要求17所述的显示器用构件。
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