JP2011086926A - 光架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 46
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 34
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 169
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 43
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 7
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 5
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical group C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 125000004970 halomethyl group Chemical group 0.000 abstract description 8
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- -1 dimethylphenylene group Chemical group 0.000 description 40
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 38
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 34
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 18
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 13
- 238000011907 photodimerization Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 8
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C=C)C(F)=C1F LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 6
- HMDQPBSDHHTRNI-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-3-ethenylbenzene Chemical compound ClCC1=CC=CC(C=C)=C1 HMDQPBSDHHTRNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZRZHXNCATOYMJH-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-ethenylbenzene Chemical compound ClCC1=CC=C(C=C)C=C1 ZRZHXNCATOYMJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- SLBOQBILGNEPEB-UHFFFAOYSA-N 1-chloroprop-2-enylbenzene Chemical compound C=CC(Cl)C1=CC=CC=C1 SLBOQBILGNEPEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGWWQZSCLBZOGK-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC=C1C=C VGWWQZSCLBZOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARHOUOIHKWELMD-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C=C)=C1 ARHOUOIHKWELMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CEWDRCQPGANDRS-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=C(C=C)C=C1 CEWDRCQPGANDRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGMSGZZPTQNTIK-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1C OGMSGZZPTQNTIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXTQHVKTTBLFRI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C)=C1 XXTQHVKTTBLFRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBGUKBSLNOTVCD-UHFFFAOYSA-N 1-methylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C RBGUKBSLNOTVCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIDIFDCCFHVZOR-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(C)C=C1C QIDIFDCCFHVZOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBSXSAXOLABXMF-UHFFFAOYSA-N 4-Vinylaniline Chemical compound NC1=CC=C(C=C)C=C1 LBSXSAXOLABXMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LYJHVEDILOKZCG-UHFFFAOYSA-N Allyl benzoate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 LYJHVEDILOKZCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUUVPOWQJOLRAS-UHFFFAOYSA-N Diphenyl disulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SSC1=CC=CC=C1 GUUVPOWQJOLRAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- MMSLOZQEMPDGPI-UHFFFAOYSA-N p-Mentha-1,3,5,8-tetraene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(C)C=C1 MMSLOZQEMPDGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N vinyl benzoate Chemical compound C=COC(=O)C1=CC=CC=C1 KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- WRXCBRHBHGNNQA-UHFFFAOYSA-N (2,4-dichlorobenzoyl) 2,4-dichlorobenzenecarboperoxoate Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)OOC(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1Cl WRXCBRHBHGNNQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVQMJJQUGGVLEP-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy 2-ethylhexaneperoxoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)OOOC(C)(C)C FVQMJJQUGGVLEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCXVPNKIBYLBIT-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy 3,5,5-trimethylhexaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)CC(C)CC(=O)OOOC(C)(C)C HCXVPNKIBYLBIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C1=CC=CC=C1 QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDGNCLDCOVTOCS-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy propan-2-yl carbonate Chemical compound CC(C)OC(=O)OOC(C)(C)C KDGNCLDCOVTOCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCXZWVLJCYXHDV-UHFFFAOYSA-N (4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-heptadecafluoro-2-hydroxyundecyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DCXZWVLJCYXHDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAEIFBGPFDVHNR-UHFFFAOYSA-N (4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-heptadecafluoro-2-hydroxyundecyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DAEIFBGPFDVHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEEMGMOJBUUPBY-UHFFFAOYSA-N (4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-tridecafluoro-2-hydroxynonyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F GEEMGMOJBUUPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYKVVLTXXXVRT-UHFFFAOYSA-N (4-chlorobenzoyl) 4-chlorobenzenecarboperoxoate Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)OOC(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 OXYKVVLTXXXVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- FMQPBWHSNCRVQJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C(F)(F)F)C(F)(F)F FMQPBWHSNCRVQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNSWITGNWZSAMC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(C(F)(F)F)OC(=O)C=C MNSWITGNWZSAMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QERNPKXJOBLNFM-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentane Chemical compound CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F QERNPKXJOBLNFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKIJMTKJEMUCQG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C)=C1C FKIJMTKJEMUCQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCWDBNBNYVVARF-UHFFFAOYSA-N 1,3,2-dioxaborolane Chemical compound B1OCCO1 NCWDBNBNYVVARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CORMBJOFDGICKF-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethoxy 2-vinyl benzene Natural products COC1=CC(OC)=C(C=C)C(OC)=C1 CORMBJOFDGICKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IURLOHPODYBNSY-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethyl-5-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC(C)=CC(C)=C1 IURLOHPODYBNSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMCNZCCURGYSDQ-UHFFFAOYSA-N 1-(1-Methylethenyl)-4-(1-methylethyl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(C)=C)C=C1 XMCNZCCURGYSDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UICXTANXZJJIBC-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hydroperoxycyclohexyl)peroxycyclohexan-1-ol Chemical compound C1CCCCC1(O)OOC1(OO)CCCCC1 UICXTANXZJJIBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYMDJPGTQFHDSA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethenoxyethoxy)-2-ethoxyethane Chemical compound CCOCCOCCOC=C AYMDJPGTQFHDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCJSNUJPWSKNE-UHFFFAOYSA-N 1-(bromomethyl)-3-ethenylbenzene Chemical compound BrCC1=CC=CC(C=C)=C1 WFCJSNUJPWSKNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPQLJUADNBKRM-UHFFFAOYSA-N 1-(bromomethyl)-4-ethenylbenzene Chemical compound BrCC1=CC=C(C=C)C=C1 VTPQLJUADNBKRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSZOCHFYWWVSAI-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1C=C SSZOCHFYWWVSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQJQPCJDKBKSLV-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=CC(C=C)=C1 KQJQPCJDKBKSLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=C(C=C)C=C1 WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOVQCIDBZXNFEJ-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=C)=C1 BOVQCIDBZXNFEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=C(C=C)C=C1 KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHAFIUUYXQFJEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC(=C)C1=CC=CC=C1 XHAFIUUYXQFJEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFMLLTODLZCTMW-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C=C)C(C)=C1C UFMLLTODLZCTMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVGCCRAIYFQZQM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C=C)C=C1C SVGCCRAIYFQZQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C(C)=C1 OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C=C VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNQXOOPPJWSXMW-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1C=C YNQXOOPPJWSXMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMDZVINHIFHLY-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3,5-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=C)=C1 XKMDZVINHIFHLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=C)=C1 XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJSKEGAHBAHFON-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(C=C)=C1 ZJSKEGAHBAHFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PECUPOXPPBBFLU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C=C)=C1 PECUPOXPPBBFLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXAHWXPRKVGCM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZMXAHWXPRKVGCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYSVFZBXZVPIFA-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(4-ethenylphenyl)benzene Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=C(C=C)C=C1 IYSVFZBXZVPIFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCJFUXHMKAGYFV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(4-phenylphenyl)benzene Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 HCJFUXHMKAGYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(C=C)C=C1 WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVTWJNGILGLAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=C(C=C)C=C1 JWVTWJNGILGLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMAUULKNZLEMGN-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-3,5-dimethylbenzene Chemical compound CCC1=CC(C)=CC(C)=C1 LMAUULKNZLEMGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 2,2'-bithiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC=CC=2)=C1 OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)F QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBHXIMACZBQHPX-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)COC(=O)C=C VBHXIMACZBQHPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDVGNKIUXZQTFD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)COC(=O)C=C JDVGNKIUXZQTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAENZTGUQXVFPQ-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9-hexadecafluorononyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F XAENZTGUQXVFPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXDKTLFTMZTCKT-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9-hexadecafluorononyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)COC(=O)C=C QXDKTLFTMZTCKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJKHMSPWWGBKTN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-dodecafluoroheptyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F YJKHMSPWWGBKTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJEJDNMGOWJONG-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-dodecafluoroheptyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)COC(=O)C=C QJEJDNMGOWJONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJXRXXJPIFFAO-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoropentyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F ZNJXRXXJPIFFAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSVZYSKAPMBSMY-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)F RSVZYSKAPMBSMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHJHZYSXJKREEE-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)C(F)(F)COC(=O)C=C VHJHZYSXJKREEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFVPUWGVOPDJTC-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,4,4,4-hexafluorobutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)C(F)(F)F DFVPUWGVOPDJTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQOVXPHOJANJBR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(tert-butylperoxy)butane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(CC)OOC(C)(C)C HQOVXPHOJANJBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTLWTRLYHAQCAM-UHFFFAOYSA-N 2-[(1-cyano-2-methylpropyl)diazenyl]-3-methylbutanenitrile Chemical compound CC(C)C(C#N)N=NC(C#N)C(C)C MTLWTRLYHAQCAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGIJCMNGQCUTPI-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethyl prop-2-enoate Chemical compound NCCOC(=O)C=C UGIJCMNGQCUTPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXNCMLQAQIGJDO-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-5-(5-bromothiophen-2-yl)thiophene Chemical compound S1C(Br)=CC=C1C1=CC=C(Br)S1 SXNCMLQAQIGJDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISRGONDNXBCDBM-UHFFFAOYSA-N 2-chlorostyrene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=C ISRGONDNXBCDBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDELBHCVXBSVPJ-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C=C)C(C)=C1 PDELBHCVXBSVPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWRKXOZFTROHSH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C=C OWRKXOZFTROHSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBWWINQJTZYDFK-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C=C)=C1 DBWWINQJTZYDFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJHDSTMSMCBWAA-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1-(2-ethenyl-4-methylphenoxy)-4-methylbenzene Chemical compound C=CC1=CC(C)=CC=C1OC1=CC=C(C)C=C1C=C JJHDSTMSMCBWAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORTIUQNDDLUXHF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1-[2-ethenyl-4-(trifluoromethyl)phenoxy]-4-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound C(=C)C1=C(C=CC(=C1)C(F)(F)F)OC1=C(C=C(C=C1)C(F)(F)F)C=C ORTIUQNDDLUXHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-2-ene Chemical group CC=C(C)C BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C=C CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCPOKPFKMYZWBC-UHFFFAOYSA-N 2-octoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCCCCCCCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 QCPOKPFKMYZWBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIISIZOQPWZPPS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylperoxypropan-2-ylbenzene Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 BIISIZOQPWZPPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 2-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=C)=CC=C21 KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYNRPOFACABVSI-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F TYNRPOFACABVSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYUPEJSTJSFVRR-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C GYUPEJSTJSFVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDXFIRXEAJABAZ-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CDXFIRXEAJABAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBZFBSFGXQBQTB-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HBZFBSFGXQBQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQHLOOOXLDQLPF-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-henicosafluorododecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F FQHLOOOXLDQLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-henicosafluorododecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUROFEVDCUGKHD-UHFFFAOYSA-N 3-bromoprop-1-enylbenzene Chemical compound BrCC=CC1=CC=CC=C1 RUROFEVDCUGKHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=C)=C1 YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCYBPSQLUMHABO-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-2-en-2-ylgermanium Chemical compound CC(C)=C(C)[Ge] KCYBPSQLUMHABO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 4,4'-azobis(4-cyanopentanoic acid) Chemical compound OC(=O)CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CCC(O)=O)C#N VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVIDTCAFIMQJAZ-UHFFFAOYSA-N 4,5,6-tris(tert-butylperoxy)triazine Chemical compound CC(C)(C)OOC1=NN=NC(OOC(C)(C)C)=C1OOC(C)(C)C CVIDTCAFIMQJAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXTVPMWCUMEVSZ-UHFFFAOYSA-N 4-amino-3,5-diiodobenzoic acid Chemical compound NC1=C(I)C=C(C(O)=O)C=C1I WXTVPMWCUMEVSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCTFMVJQPRXEII-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxyaniline Chemical compound NC1=CC=C(OC=C)C=C1 QCTFMVJQPRXEII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZXJPLGCUVUDN-UHFFFAOYSA-N 4-ethenyl-1,2-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1C PMZXJPLGCUVUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033806 Alpha-protein kinase 3 Human genes 0.000 description 1
- 101710082399 Alpha-protein kinase 3 Proteins 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLMMTSXVOREMM-UHFFFAOYSA-N CCC([Ge])=C(CC)CC Chemical compound CCC([Ge])=C(CC)CC WSLMMTSXVOREMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQOJURWUCUWKGA-UHFFFAOYSA-N CCC1(C2)C=C(C)C=CC2C=C1 Chemical compound CCC1(C2)C=C(C)C=CC2C=C1 VQOJURWUCUWKGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N [(1s,3s,4s)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@@H](OC(=O)C(=C)C)C[C@H]1C2(C)C IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N 0.000 description 1
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTPONRIHDUNNPD-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,10,10,10-hexadecafluoro-9-(trifluoromethyl)decyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F KTPONRIHDUNNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGIJZPXLSMRDCW-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,10,10,10-hexadecafluoro-9-(trifluoromethyl)decyl] prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C QGIJZPXLSMRDCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAIYGCOTLRCBJP-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,5,6,6,7,8,8,8-dodecafluoro-7-(trifluoromethyl)octyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F SAIYGCOTLRCBJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJVSEYUFBWZQI-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,6,6,6-octafluoro-2-hydroxy-2-methyl-5-(trifluoromethyl)hexyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C)(O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F ATJVSEYUFBWZQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVXKXDSDYDRTQ-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,6,6,6-octafluoro-5-(trifluoromethyl)hexyl] prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C UXVXKXDSDYDRTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPDBRTLKDYJCCE-UHFFFAOYSA-N [4,4,5,5,6,6,7,7,8,9,9,9-dodecafluoro-2-hydroxy-8-(trifluoromethyl)nonyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F RPDBRTLKDYJCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEAPLXCRUNAADY-UHFFFAOYSA-N [4,4,5,5,6,6,7,7,8,9,9,9-dodecafluoro-2-hydroxy-8-(trifluoromethyl)nonyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F LEAPLXCRUNAADY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZKRGSPBGVICLV-UHFFFAOYSA-N [4,4,5,5,6,7,7,7-octafluoro-2-hydroxy-6-(trifluoromethyl)heptyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F LZKRGSPBGVICLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMWCHHTXFDYJDZ-UHFFFAOYSA-N [4,4,5,5,6,7,7,7-octafluoro-2-hydroxy-6-(trifluoromethyl)heptyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F UMWCHHTXFDYJDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N abcn Chemical compound C1CCCCC1(C#N)N=NC1(C#N)CCCCC1 KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methoxymethane Chemical compound COC.CC(O)=O TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Natural products CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- FTWHFXMUJQRNBK-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylen-gamma-aminobuttersaeure Natural products NCCC(=C)C(O)=O FTWHFXMUJQRNBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N bis[4-(diethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004799 bromophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- SQHOHKQMTHROSF-UHFFFAOYSA-N but-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CCC(=C)C1=CC=CC=C1 SQHOHKQMTHROSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZSLXFILXLDQRJ-UHFFFAOYSA-N but-1-ene;pent-1-ene Chemical compound CCC=C.CCCC=C OZSLXFILXLDQRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)CC=C PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSGQRLUGQNBHLD-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl butan-2-yloxycarbonyloxy carbonate Chemical compound CCC(C)OC(=O)OOC(=O)OC(C)CC NSGQRLUGQNBHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N butyl(trichloro)silane Chemical compound CCCC[Si](Cl)(Cl)Cl FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical compound NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004976 cyclobutylene group Chemical group 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1CCCCC1 KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000004980 cyclopropylene group Chemical group 0.000 description 1
- GTBGXKPAKVYEKJ-UHFFFAOYSA-N decyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GTBGXKPAKVYEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N decyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C=C FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012933 diacyl peroxide Substances 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- CIKJANOSDPPCAU-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl cyclohexane-1,4-dicarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1CCC(C(=O)OOC(C)(C)C)CC1 CIKJANOSDPPCAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- NHOGGUYTANYCGQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxybenzene Chemical compound C=COC1=CC=CC=C1 NHOGGUYTANYCGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDCYKCDXXPQIK-UHFFFAOYSA-N ethenoxymethylbenzene Chemical compound C=COCC1=CC=CC=C1 AZDCYKCDXXPQIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQIKTKVPUSYZKH-UHFFFAOYSA-N ethenyl 2-methylbenzoate Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)OC=C WQIKTKVPUSYZKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJLOYRHKABUCSJ-UHFFFAOYSA-N ethenyl 3-methylbenzoate Chemical compound CC1=CC=CC(C(=O)OC=C)=C1 UJLOYRHKABUCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPHRYEFAPDIEIZ-UHFFFAOYSA-N ethenyl 4-methylbenzoate Chemical compound CC1=CC=C(C(=O)OC=C)C=C1 HPHRYEFAPDIEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKIRSCKRJJUCNI-UHFFFAOYSA-N ethyl 7-bromo-1h-indole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC(Br)=C2NC(C(=O)OCC)=CC2=C1 FKIRSCKRJJUCNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LNCPIMCVTKXXOY-UHFFFAOYSA-N hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C(C)=C LNCPIMCVTKXXOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229940119545 isobornyl methacrylate Drugs 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- SNZRPPBWRSEVIU-UHFFFAOYSA-N methyl 4-chloropyridine-3-carboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CN=CC=C1Cl SNZRPPBWRSEVIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QRWZCJXEAOZAAW-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C(C)=C QRWZCJXEAOZAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMCVCHBBHPFWBF-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C(C)=C JMCVCHBBHPFWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C=C OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088644 n,n-dimethylacrylamide Drugs 0.000 description 1
- YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C=C YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNLUGRYDUHRLOF-UHFFFAOYSA-N n-ethenyl-n-methylacetamide Chemical compound C=CN(C)C(C)=O PNLUGRYDUHRLOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N o-Vinylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C=C SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZIDBRBFGPQCRY-UHFFFAOYSA-N octyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C(C)=C NZIDBRBFGPQCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940065472 octyl acrylate Drugs 0.000 description 1
- ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N octyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C=C ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N p-Vinylbiphenyl Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M pent-4-enoate Chemical compound [O-]C(=O)CCC=C HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005005 perfluorohexyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 150000004978 peroxycarbonates Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N phenyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=CC=CC=C1 QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRAQQYDMVSCOTE-UHFFFAOYSA-N phenyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1=CC=CC=C1 WRAQQYDMVSCOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- POSICDHOUBKJKP-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoxybenzene Chemical compound C=CCOC1=CC=CC=C1 POSICDHOUBKJKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C)=C BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C=C LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWJUFXUULUEGMA-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl propan-2-yloxycarbonyloxy carbonate Chemical compound CC(C)OC(=O)OOC(=O)OC(C)C BWJUFXUULUEGMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- MYGFXCLXHGITIQ-UHFFFAOYSA-N quinolin-4-ylhydrazine Chemical compound C1=CC=C2C(NN)=CC=NC2=C1 MYGFXCLXHGITIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- OPQYOFWUFGEMRZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C(C)(C)C OPQYOFWUFGEMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQHTYHLJYNSTG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 9-tert-butylperoxy-9-oxononanoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)CCCCCCCC(=O)OC(C)(C)C VEQHTYHLJYNSTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethaneperoxoate Chemical compound CC(=O)OOC(C)(C)C SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GSECCTDWEGTEBD-UHFFFAOYSA-N tert-butylperoxycyclohexane Chemical compound CC(C)(C)OOC1CCCCC1 GSECCTDWEGTEBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical class CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical class N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical class S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N trichloro(decyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004205 trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
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Abstract
【課題】高温での処理を行わないで架橋構造を形成することが可能であり、ゲート絶縁層を形成するのに用いた場合に有機薄膜トランジスタの閾値電圧(Vth)の絶対値が小さくなる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である。フッ素原子を含む基の好ましい例は、水素原子がフッ素で置換されたアリール基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルアリール基、特に水素原子がフッ素で置換されたフェニル基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルフェニル基である。光二量化反応性基の好ましい例は、水素原子がハロメチル基で置換されたアリール基、特に水素原子がハロメチル基で置換されたフェニル基である。
【選択図】なし
【解決手段】フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である。フッ素原子を含む基の好ましい例は、水素原子がフッ素で置換されたアリール基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルアリール基、特に水素原子がフッ素で置換されたフェニル基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルフェニル基である。光二量化反応性基の好ましい例は、水素原子がハロメチル基で置換されたアリール基、特に水素原子がハロメチル基で置換されたフェニル基である。
【選択図】なし
Description
本発明は、絶縁層を形成するための材料に関し、特に有機薄膜トランジスタの絶縁層を形成するための材料に関する。
有機薄膜トランジスタは、無機半導体からなるトランジスタよりフレキシブルであり、低温プロセスで製造できるため、基板としてプラスチック基板やフィルムを用いることができ、軽量で壊れにくい素子となる。また、有機材料を含む溶液の塗布や印刷法を用いた成膜により素子作製が可能な場合があり、大面積の基板に多数の素子を低コストで製造することが可能である。
さらに、トランジスタの検討に用いることができる材料の種類が豊富であるため、分子構造の異なる材料を検討に用いれば、幅広い範囲の特性のバリエーションを有する素子を製造することができる。
有機薄膜トランジスタの1種である電界効果型有機薄膜トランジスタでは、ゲート電極に印加される電圧がゲート絶縁層を介して半導体層に作用して、ドレイン電流のオン、オフを制御する。そのため、ゲート電極と半導体層の間にはゲート絶縁層が形成される。
また、電界効果型有機薄膜トランジスタに用いられる有機半導体化合物は、湿度、酸素等の環境の影響を受けやすく、トランジスタ特性が、湿度、酸素等に起因する経時劣化を起こしやすい。
そのため、有機半導体化合物が剥き出し状態になるボトムゲート型有機薄膜トランジスタ素子構造では、素子構造全体を覆うオーバーコート層を形成して有機半導体化合物を外気との接触から保護することが必須となっている。一方、トップゲート型有機薄膜トランジスタ素子構造では、有機半導体化合物はゲート絶縁層によりコートされて保護されている。
このように、有機薄膜トランジスタでは、有機半導体層を覆うオーバーコート層及びゲート絶縁層等を形成するために、絶縁層材料が用いられる。本願明細書では、上記オーバーコート層及びゲート絶縁層のような有機薄膜トランジスタの絶縁層又は絶縁膜を有機薄膜トランジスタ絶縁層という。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成するのに用いる材料を有機薄膜トランジスタ絶縁層材料という。尚、ここでいう材料は、高分子化合物、高分子化合物を含む組成物、樹脂及び樹脂組成物のような無定形材料を含む概念である。
有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、薄膜にしたときに高い絶縁破壊強度を発現すること、有機半導体と密着した界面を形成するように有機半導体との親和性が高いこと、有機半導体上に膜を形成するときに、該半導体との界面における膜表面の平坦さが高くなること等の特性が要求される。
これまで、有機薄膜トランジスタに用いられる絶縁層材料については、種々の材料について検討が行われてきたが、近年では、絶縁層形成に高温条件や複雑な設備を必要としない有機材料を利用する技術が注目されている。
例えば、非特許文献1には、有機電界効果トランジスタにおけるゲート絶縁層として、ポリ(4−ビニルフェニル−コ−メチルメタクリレート)(PVP−PMMA)を含む層が報告されている。しかしながら、上記樹脂を絶縁層に用いた有機電界効果トランジスタでは、閾値電圧(Vth)の絶対値が十分に小さくないという課題がある。
そのため、有機電界効果トランジスタに用いた場合に閾値電圧(Vth)の絶対値が小さい有機トランジスタを与え、低温で架橋することにより絶縁層を含む有機層の積層構造を容易に形成することが可能な有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が望まれている。
Appl.Phys.Lett.92,183306(2008)
本発明は上記従来の問題を解決するものであり、その目的とするところは、高温での処理を行わないで架橋構造を形成することが可能であり、ゲート絶縁層を形成するのに用いた場合に有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値が小さくなる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供することである。
以上の課題に鑑み、種々検討を行った結果、特定の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いることにより、上記課題が解決されることを見出し、本発明に到った。
即ち、本発明は、式
[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Raaは、炭素数1〜20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0〜20の整数を表し、bは、1〜5の整数を表す。Raaが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]
で表される繰り返し単位と、式
で表される繰り返し単位と、式
[式中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1〜20の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rbbは、炭素数1〜20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0〜20の整数を表し、dは、1〜5の整数を表す。Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Rbbが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Xが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]
で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供する。
で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供する。
ある一形態においては、式(1)中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Rは水素原子を表し、Rfはフッ素原子を表し、aは0を表し、bは3〜5の整数を表す。
ある一形態においては、式(2)中、R2は水素原子又はメチル基を表し、R’は水素原子を表し、cは0を表し、dは1を表し、Xは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。
ある一形態においては、高分子化合物は、繰り返し単位として、アリール基又はフェニル基を有するエチレン部分を更に有する。
ある一形態においては、高分子化合物中、式(2)で表される繰り返し単位のモル分率が0.01〜0.95である。
本発明は、上記いずれかの有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液体を基材上に塗布して塗布層を形成する工程;及び
該塗布層に対して光又は電子線を照射して有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋する工程;
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。
該塗布層に対して光又は電子線を照射して有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋する工程;
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。
ある一形態においては、上記光は紫外線である。
本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
ある一形態においては、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層はゲート絶縁層である。
本発明は、上記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を提供する。
本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は感光性であり、架橋構造を形成するために高温で加熱する必要がない。そのため、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて絶縁層を形成する過程はトランジスタ特性に悪影響を与えない。更に、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いてゲート絶縁層を形成すると、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値が小さくなる。
本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる2量体もこれに含まれる。一方、「低分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。
<有機薄膜トランジスタ絶縁層材料>
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、フッ素原子を含み、高温での処理を行わないで架橋構造を形成しうる基を含む、高分子化合物又は高分子化合物を含む組成物である。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、フッ素原子を含み、高温での処理を行わないで架橋構造を形成しうる基を含む、高分子化合物又は高分子化合物を含む組成物である。
有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素が導入されることにより、形成される絶縁層は全体として極性が低く、電圧が印加されても分極し易い成分が少なく、絶縁層の分極が抑制される。また、絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、分子構造の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、例えばゲート絶縁層として用いた場合に有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値が低下して、動作精度が向上する。
フッ素原子は高分子化合物の主鎖の水素原子に置換するのではなく、側鎖又は側基(ペンダント基)の水素原子に置換することが好ましい。フッ素原子が側鎖又は側基に置換していると有機半導体のような他の有機材料に対する親和性が低下せず、絶縁層の露出面に接して層を形成し易くなる。
有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる架橋構造を形成しうる基は、例えば相互に反応して二量化しうる基であればよい。相互に反応して二量化しうる基は2個の基が結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。
相互に反応して二量化しうる基は、光エネルギー又は電子エネルギーを吸収して二量化反応を起こす官能基(本明細書中「光二量化反応性基」という。)であることが好ましい。その理由は、ゲート絶縁層材料を架橋させるために高温で長時間熱処理を行う必要が無く、絶縁層を形成する過程においてトランジスタ特性が低下し難いからである。
光二量化反応性基が吸収する光は、あまり低エネルギーであると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を光重合法によって形成する際に光二量化反応性基も反応してしまう場合があるため、高エネルギーの光が好ましい。光二量化反応性基が吸収するのに好ましい光は、紫外線、例えば波長が360nm以下、好ましくは150〜300nmの光である。
ここでいう二量化とは、有機化合物の分子2個が化学的に結合することをいう。結合する分子同士は同種でも異種でもよい。2個の分子中の官能基同士の化学構造も同一であっても異なっていてもよい。但し、当該官能基は、触媒及び開始剤等の反応助剤を用いることなく光二量化反応を生じる構造、および組合せであることが好ましい。反応助剤の残基に接触すると周辺の有機材料が劣化する可能性があるからである。
フッ素原子を含む基の好ましい例は、水素原子がフッ素で置換されたアリール基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルアリール基、特に水素原子がフッ素で置換されたフェニル基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルフェニル基である。光二量化反応性基の好ましい例は、水素原子がハロメチル基で置換されたアリール基、特に水素原子がハロメチル基で置換されたフェニル基である。繰り返し単位の側基の基本骨格がアリール基又はフェニル基であると、有機半導体のような他の有機材料に対する親和性が向上し、絶縁層の露出面に接して平坦な層を形成し易くなる。
水素原子がハロメチル基で置換されたアリール基及び水素原子がハロメチル基で置換されたフェニル基は、紫外線又は電子線を照射するとハロゲンが脱離して、ベンジル型のラジカルが生成する。生成した2個のラジカルが結合すると、炭素炭素結合が形成されて(ラジカルカップリング)、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋される。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の好ましい実施形態は、上記式(1)で表される繰り返し単位と上記式(2)で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物(以下、「本発明の高分子化合物」ということがある。)である。
式(1)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Raaは、炭素数1〜20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0〜20の整数を表し、bは、1〜5の整数を表す。Raaが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。
炭素数1〜20の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば、炭素数1〜20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の環状脂肪族炭化水素基、水素原子がアルキル基等で置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基が挙げられ、炭素数1〜6の直鎖状炭化水素基、炭素数3〜6の分岐状炭化水素基、炭素数3〜6の環状炭化水素基、水素原子がアルキル基等で置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基が好ましい。
脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピルレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などが挙げられる。
炭素数6〜20の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基、エチルアンスリレン基などが挙げられる。
ある一形態では、Raaはエチレン基である。
炭素数1〜20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。
炭素数1〜20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1〜20の直鎖状炭化水素基、炭素数3〜20の分岐状炭化水素基、炭素数3〜20の環状炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1〜6の直鎖状炭化水素基、炭素数3〜6の分岐状炭化水素基、炭素数3〜6の環状炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基などが挙げられる。
炭素数6〜20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
炭素数1〜20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1〜20の直鎖状炭化水素基、炭素数3〜20の分岐状炭化水素基、炭素数3〜20の環状炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1〜6の直鎖状炭化水素基、炭素数3〜6の分岐状炭化水素基、炭素数3〜6の環状炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基などが挙げられる。
炭素数6〜20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
Rが炭素数1〜20の一価の有機基である場合、該炭素数1〜20の一価の有機基はフッ素原子を有さない。該炭素数1〜20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基などが挙げられる。
Rfで表されるフッ素原子を有する炭素数1〜20の一価の有機基の具体例としては、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。
式(2)中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Rbbは、炭素数1〜20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0〜20の整数を表し、dは、1〜5の整数を表す。Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Rbbが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Xが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。
R’で表される炭素数1〜20の一価の有機基の定義、具体例は、前述のRで表される炭素数1〜20の一価の有機基の定義、具体例と同じである。Rbbで表される炭素数1〜20の二価の有機基の定義、具体例は、前述のRaaで表される炭素数1〜20の二価の有機基の定義、具体例と同じである。
ある一形態では、Rbbはエチレン基である。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー及び式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて重合させる方法により製造することが出来る。中でも、熱重合開始剤を用いて前記モノマーを重合させる方法が好ましい。
式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、2−フルオロスチレン、3−フルオロスチレン、4−フルオロスチレン、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン、2−トリフルオロメチルスチレン、3−トリフルオロメチルスチレン、4−トリフルオロメチルスチレン等が挙げられる。
式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、3−クロロメチルスチレン、4−クロロメチルスチレン、3−ブロモメチルスチレン、4−ブロモメチルスチレン等が挙げられる。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、式(1)で表される繰り返し単位、および式(2)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含有する共重合体であってもよい。該共重合体は、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとこれらとは異なる重合性モノマー(以下、「追加の重合性モノマー」ということがある。)とを共重合させことにより製造することが出来る。
追加の重合性モノマーとしては、ビニル酢酸、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルベンゾエート、ビニル−2−メチルベンゾエート、ビニル−3−メチルベンゾエート、ビニル−4−メチルベンゾエート、ビニル−2−トリフルオロメチルベンゾエート、ビニル−3−トリフルオロメチルベンゾエート、ビニル−4−トリフルオロメチルベンゾエート、ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルプロピルエーテル、ビニルブチルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルベンジルエーテル、ビニル−4−メチルフェニルエーテル、ビニル−4−トリフルオロメチルフェニルエーテル、スチレン、α−メチルスチレン、2,4−ジメチル−α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、2,4−ジメチルスチレン、2,5−ジメチルスチレン、2,6−ジメチルスチレン、3,4−ジメチルスチレン、3,5−ジメチルスチレン、2,4,6−トリメチルスチレン、2,4,5−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o−エチルスチレン、m−エチルスチレン、p−エチルスチレン、o−クロロスチレン、m−クロロスチレン、p−クロロスチレン、o−ブロモスチレン、m−ブロモスチレン、p−ブロモスチレン、o−メトキシスチレン、m−メトキシスチレン、p−メトキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、2−ビニルビフェニル、3−ビニルビフェニル、4−ビニルビフェニル、1−ビニルナフタレン、2−ビニルナフタレン、4−ビニル−p−ターフェニル、1−ビニルアントラセン、o−イソプロペニルトルエン、m−イソプロペニルトルエン、p−イソプロペニルトルエン、2,4−ジメチル−α−メチルスチレン、2,3−ジメチル−α−メチルスチレン、3,5−ジメチル−α−メチルスチレン、p−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、4−アミノスチレン、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン、2−トリフルオロメチルスチレン、3−トリフルオロメチルスチレン、4−トリフルオロメチルスチレン、アクリロニトリル、酢酸アリル、安息香酸アリル、N−メチル−N−ビニルアセトアミド、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、トリエチルビニルゲルマニウム、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−n−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸−n−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−sec−ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−2−エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、N,N−ジメチルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸−n−プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸−n−ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸−sec−ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸−2−エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、N,N−ジメチルメタアクリルアミド、N,N−ジエチルメタアクリルアミド、N−アクリロイルモルフォリン、2,2,2−トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアクリレート、2−(パーフルオロブチル)エチルアクリレート、3−パーフルオロブチル−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−(パーフルオロヘキシル)エチルアクリレート、3−パーフルオロヘキシル−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−(パーフルオロオクチル)エチルアクリレート、3−パーフルオロオクチル−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−(パーフルオロデシル)エチルアクリレート、2−(パーフルオロ−3−メチルブチル)エチルアクリレート、3−(パーフルオロ−3−メチルブチル)−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−(パーフルオロ−5−メチルヘキシル)エチルアクリレート、2−(パーフルオロ−3−メチルブチル)−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、3−(パーフルオロ−5−メチルヘキシル)−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−(パーフルオロ−7−メチルオクチル)エチルアクリレート、3−(パーフルオロ−7−メチルオクチル)−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、1H,1H,3H−テトラフルオロプロピルアクリレート,1H,1H,5H−オクタフルオロペンチルアクリレート、1H,1H,7H−ドデカフルオロヘプチルアクリレート、1H,1H,9H−ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチルアクリレート、1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチルアクリレート、2,2,2−トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、2−(パーフルオロブチル)エチルメタアクリレート、3−パーフルオロブチル−2−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2−(パーフルオロヘキシル)エチルメタアクリレート、3−パーフルオロヘキシル−2−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2−(パーフルオロオクチル)エチルメタアクリレート、3−パーフルオロオクチル−2−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2−(パーフルオロデシル)エチルメタアクリレート、2−(パーフルオロ−3−メチルブチル)エチルメタアクリレート、3−(パーフルオロ−3−メチルブチル)−2−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2−(パーフルオロ−5−メチルヘキシル)エチルメタアクリレート、2−(パーフルオロ−3−メチルブチル)−2−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3−(パーフルオロ−5−メチルヘキシル)−2−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2−(パーフルオロ−7−メチルオクチル)エチルメタアクリレート、3−(パーフルオロ−7−メチルオクチル)−2−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、1H,1H,3H−テトラフルオロプロピルメタアクリレート、1H,1H,5H−オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1H,1H,7H−ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、1H,1H,9H−ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチルメタアクリレート、1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチルメタアクリレート等を挙げることができる。
これらの中でも、追加の重合性モノマーとして好ましいものは、スチレン、ビニルベンゾエート、ビニルフェニレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、安息香酸アリル等のアリール基を有するビニルモノマーであり、特に好ましいものは、スチレン、ビニルベンゾエート、ビニルナフタレン等のフェニル基を有するビニルモノマーである。この場合、アリール基又はフェニル基は置換基として炭素数1〜20のアルキル基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基等を有していてもよい。
また、この場合、本発明の高分子化合物は、式(1)で表される繰り返し単位、および式(2)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、アリール基又はフェニル基を有するエチレン部分を更に有する。本発明の高分子化合物中にフェニル基又はアリール基が増加すると、有機半導体のような他の有機材料に対する親和性が向上し、絶縁層の露出面に接して平坦な層を形成し易くなる。
光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、4−イソプロピル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、4,4'−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル(o−ベンゾイル)ベンゾエート、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。
共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、360nm以上、好ましくは360〜450nmである。
熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となるものであればよく、例えば、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル、2,2'−アゾビスイソバレロニトリル、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、4,4’−アゾビス(4−シアノバレリックアシッド)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロパン)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)2塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキシド、o−メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、p−クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、2,4,4−トリメチルペンチル−2−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、t−ブチルパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、t−ブチルクミルパーオキシド、ジ−t−ブチルパーオキシド、トリス(t−ブチルパーオキシ)トリアジン等のジアルキルパーオキシド類、1,1−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2−ジ(t−ブチルパーオキシ)ブタン等のパーオキシケタール類、t−ブチルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−t−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−t−ブチルパーオキシアゼレート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−t−ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーオキシエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−sec−ブチルパーオキシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、重量平均分子量が3000〜1000000であることが好ましく、5000〜500000であることがより好ましい。該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の製造において、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの使用量は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に導入されるフッ素原子の量が適量になるように調節される。
有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に導入されるフッ素原子の量は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の質量に対して、好ましくは1〜60質量%、より好ましくは5〜50質量%、さらに好ましくは5〜40質量%である。フッ素原子の量が1質量%未満であると有機電界効果トランジスタの閾値電圧の絶対値を低下させる効果が不十分となることがあり、60質量%を超えると他の有機材料に対する親和性が低下して、絶縁層の露出面に接して層を形成することが困難になることがある。
一般に、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、5モル%以上95モル%以下であり、より好ましくは10モル%以上90モル%以下であり、更に好ましくは20モル%以上80モル%以下である。
例えば、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーが3〜5個のフッ素原子を有するものである場合、好ましい一形態では、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、10モル%以上70モル%以下であり、より好ましくは15モル%以上50モル%以下であり、更に好ましくは25モル%以上35モル%以下である。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の製造において、式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの使用量は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋密度が適量になるように調節される。
式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、好ましくは1モル%以上95モル%以下であり、より好ましくは5モル%以上80モル%以下であり、更に好ましくは10モル%以上70モル%以下である。
例えば、式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーが1個の光二量化反応性基を有するものである場合、好ましい一形態では、式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、2モル%以上50モル%以下であり、より好ましくは3モル%以上25モル%以下であり、更に好ましくは5モル%以上15モル%以下である。
式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量が1モル%より少ない場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が、充分な耐溶剤性を得られない場合があり、また、95モル%より大きい場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の保存安定性が悪い場合がある。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料としては、例えば、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−3−クロロメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−4−クロロメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−3−クロロメチルスチレン)、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−3−クロロメチルスチレン}、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−3−クロロメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−メチルメタクリレート−コ−3−クロロメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−3−クロロメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−4−クロロメチルスチレン)、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−4−クロロメチルスチレン)、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−4−クロロメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−メチルメタクリレート−コ−4−クロロメチルスチレン)、ポリ(ペンタフルオロスチレン−コ−3−クロロメチルスチレン)、ポリ(ペンタフルオロスチレン−コ−4−クロロメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−3−ブロモメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−4−ブロモメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−3−ブロモメチルスチレン)、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−3−ブロモメチルスチレン}、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−3−ブロモメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−メチルメタクリレート−コ−3−ブロモメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−3−ブロモメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−4−ブロモメチルスチレン)、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−4−ブロモメチルスチレン)、ポリ(ビニルベンゾエート−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−アクリロニトリル−コ−4−ブロモメチルスチレン)、ポリ(スチレン−コ−ペンタフルオロスチレン−コ−メチルメタクリレート−コ−4−ブロモメチルスチレン)、ポリ(ペンタフルオロスチレン−コ−3−ブロモメチルスチレン)、ポリ(ペンタフルオロスチレン−コ−4−ブロモメチルスチレン)等が挙げられる。
本発明の式(1)で表される繰り返し単位と式(2)で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物は、分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物と混合し、有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物として用いてもよい。アミノ基はハロメチル基と比較的低温で4級アンモニウム化反応を起こすため、分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物は本発明の高分子化合物の架橋剤として機能する。
<分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物>
本発明に用いることができる分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物は、高分子化合物であっても低分子化合物であってもよい。
本発明に用いることができる分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物は、高分子化合物であっても低分子化合物であってもよい。
分子内に2個以上のアミノ基を有する高分子化合物は、アミノ基を有する重合性モノマーを単独重合、または、追加の重合性モノマーと共重合させることにより製造することができる。
該アミノ基を有する重合性モノマーとしては、例えば、4−アミノスチレン、4−アリルアニリン、4−アミノフェニルビニルエーテル、4−(N−フェニルアミノ)フェニルアリルエーテル、4−(N−メチルアミノ)フェニルアリルエーテル、4−アミノフェニルアリルエーテル、アリルアミン、2−アミノエチルアクリレート等が挙げられる。
該アミノ基を有する重合性モノマーとしては、例えば、4−アミノスチレン、4−アリルアニリン、4−アミノフェニルビニルエーテル、4−(N−フェニルアミノ)フェニルアリルエーテル、4−(N−メチルアミノ)フェニルアリルエーテル、4−アミノフェニルアリルエーテル、アリルアミン、2−アミノエチルアクリレート等が挙げられる。
また、前記アミノ基を有する重合性モノマーと共重合させる重合性モノマーとしては、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと同様の重合性モノマーや、式(1)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと式(2)で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと共重合させる前記追加の重合性モノマーと同様の重合性モノマーが挙げられる。
分子内に2個以上のアミノ基を有する低分子化合物としては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェミレンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、1,3-ビス(3’−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジトリフルオロメチルベンジジン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリス(トリメチルシロキシ)シラン等が挙げられる。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、適宜有機溶剤で希釈することが出来る。有機溶剤としては、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に対して良溶媒であり、且つ、有機半導体化合物に対して貧溶媒であるものであれば特に制限はなく、例えば、酢酸ブチル、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。
また、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物として用いる場合、前記有機溶媒は、分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物に対して良溶媒であることが好ましい。
また、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物として用いる場合、前記有機溶媒は、分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物に対して良溶媒であることが好ましい。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物において、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の重量と分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物の重量を100重量部とした場合、有機溶剤の重量は50〜1000重量部であることが好ましい。
また、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物において、式(1)で表される繰り返し単位及び式(2)で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物の重量部を100重量部とした場合、分子内に2個以上のアミノ基を有する化合物の重量は0.1〜50重量部であることが好ましい。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、必要に応じ、レベリング剤、界面活性剤等を添加することが出来る。
<有機薄膜トランジスタ>
図1は、本発明の一実施形態であるボトムゲート型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、素子全体を覆うオーバーコート層7とが、備えられている。
図1は、本発明の一実施形態であるボトムゲート型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、素子全体を覆うオーバーコート層7とが、備えられている。
ボトムゲート型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、これらの上にオーバーコート層を形成することで製造することができる。
図2は、本発明の他の実施形態であるトップゲート型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、これら電極の上にチャンネル部を挟んで形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上に形成された素子全体を覆うゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3の表面上に形成されたゲート電極2とが、備えられている。
トップゲート型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することで製造することができる。
ゲート絶縁層又はオーバーコート層の形成は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に要すれば溶媒などを添加して絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、ゲート絶縁層又はオーバーコート層の下に位置する層の表面に塗布、乾燥、硬化させることにより行う。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、高分子化合物ならびに架橋剤を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が100℃〜200℃の有機溶媒である。該有機溶媒としては、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。
該絶縁層塗布液は公知のスピンコート、ダイコート、スクリーン印刷、インクジェット等によりゲート電極上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物の溶媒を除去することを意味する。
乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋することを意味する。トランジスタ絶縁層材料の架橋は、例えば、2個の光二量化反応性基が結合することにより、実現する。
光二量化反応性基がハロメチル基で置換されたアリール基又はフェニル基である場合、これらの基は光又は電子線、好ましくは紫外線又は電子線を照射することにより相互に結合する。照射する光の波長は360nm以下、好ましくは150〜300nmである。照射する光の波長が360nmを越えると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋が不十分になる場合がある。
紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やUV硬化性樹脂を硬化させるために使用されているUVランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。加熱はヒーター及びオーブンなどを用いて行うことができる。その他の照射条件及び加熱条件は、光二量化反応性基の種類及び量等に応じて適宜決定される。
ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成しても良い。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を1〜10重量%溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。
該アルキルクロロシラン化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等が挙げられる。
該アルキルアルコキシシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
基板1、ゲート電極2、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層4は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。例えば、基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等公知の方法で形成する。
有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが広く用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ(p−フェニレンビニレン)類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジ(エチレンボロネート)と、5,5’−ジブロモ−2,2’−バイチオフェンとの縮合物等があげられる。
有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、これを塗布、乾燥させることにより行う。本発明では、絶縁層を構成する樹脂がフェニル部分又はカルボニル部分を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層と絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。
使用される溶媒としては有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が50℃〜200℃のものである。該溶媒としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様に公知のスピンコート、ダイコート、スクリーン印刷、インクジェット等により塗布することができる。
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。
本発明の有機薄膜トランジスタを用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを好適に作製できる。
式(1)で表される繰り返し単位と式(2)で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例により限定されるものでないことは言うまでもない。
<実施例1>
(高分子化合物1の合成)
スチレン(和光純薬製)20.00g、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)18.66g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)4.89g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.22g、2−ヘプタノン(和光純薬製)65.65gを、125ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物1の粘稠な溶液を得た。高分子化合物1は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物1は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
(高分子化合物1の合成)
スチレン(和光純薬製)20.00g、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)18.66g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)4.89g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.22g、2−ヘプタノン(和光純薬製)65.65gを、125ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物1の粘稠な溶液を得た。高分子化合物1は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物1は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
得られた高分子化合物1の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、84000であった。(島津製GPC、Tskgel super HM−H 1本+Tskgel super H2000 1本、移動相=THF)
(有機薄膜トランジスタ絶縁層材料と有機溶媒とを含む塗布溶液の調製)
高分子化合物1の2−ヘプタノン溶液3.00g、2−ヘプタノン3.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
高分子化合物1の2−ヘプタノン溶液3.00g、2−ヘプタノン3.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
得られた塗布溶液を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、高分子化合物1の塗布溶液を調製した。
(電界効果型有機薄膜トランジスタの作製)
F8T2(9,9−ジオクチルフルオレン:ビチオフェン=50:50(モル比)の共重合体;ポリスチレン換算の重量平均分子量=69,000)を溶媒であるクロロホルムに溶解して、濃度が0.5質量%である溶液(有機半導体組成物)を作製し、これをメンブランフィルターでろ過して有機半導体塗布液を調製した。
F8T2(9,9−ジオクチルフルオレン:ビチオフェン=50:50(モル比)の共重合体;ポリスチレン換算の重量平均分子量=69,000)を溶媒であるクロロホルムに溶解して、濃度が0.5質量%である溶液(有機半導体組成物)を作製し、これをメンブランフィルターでろ過して有機半導体塗布液を調製した。
高分子化合物1の塗布溶液をクロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、ホットプレート上で150℃で1時間焼成し、窒素雰囲気でUV/オゾンストリッパー(サムコ製、UV−1)を用いて室温(25℃)で2分間UV照射し、約390nmの厚さを有するゲート絶縁層を得た。高分子化合物1は低温で架橋するため、低温でゲート絶縁層を形成することができた。
次に、有機半導体塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約60nmの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長20μm、チャネル幅2mmのソース電極及びドレイン電極(活性層側から、酸化モリブデン、金の順番で積層構造を有する)を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。
<電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性>
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Vsdが−40Vで、ゲート電圧Vgを0V→−40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを−40V→0Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。結果を表1に示す。
<実施例2>
(高分子化合物2の合成)
2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)4.00g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)0.79g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.10g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(和光純薬製)19.53gを、50ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物2の粘稠な溶液を得た。高分子化合物2は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物2は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
(高分子化合物2の合成)
2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)4.00g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)0.79g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.10g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(和光純薬製)19.53gを、50ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物2の粘稠な溶液を得た。高分子化合物2は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物2は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
得られた高分子化合物2の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、17000であった。(島津製GPC、Tskgel super HM−H 1本+Tskgel super H2000 1本、移動相=THF)
(有機薄膜トランジスタ絶縁層材料と有機溶媒とを含む塗布溶液の調製)
高分子化合物2のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液2.00g、2−ヘプタノン4.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
高分子化合物2のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液2.00g、2−ヘプタノン4.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
得られた塗布溶液を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、高分子化合物2の塗布溶液を調製した。
(電界効果型有機薄膜トランジスタの作製)
高分子化合物2の塗布溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ゲート絶縁層の厚みは、430nmであった。
高分子化合物2の塗布溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ゲート絶縁層の厚みは、430nmであった。
<電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性>
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Vsdが−40Vで、ゲート電圧Vgを0V→−40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを−40V→0Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。結果を表1に示す。
<実施例3>
(高分子化合物3の合成)
2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)5.00g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)3.93g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.04g、2−ヘプタノン(和光純薬製)13.46gを、50ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物3の粘稠な溶液を得た。高分子化合物3は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物3は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
(高分子化合物3の合成)
2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)5.00g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)3.93g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.04g、2−ヘプタノン(和光純薬製)13.46gを、50ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物3の粘稠な溶液を得た。高分子化合物3は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物3は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
得られた高分子化合物3の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、136000であった。(島津製GPC、Tskgel super HM−H 1本+Tskgel super H2000 1本、移動相=THF)
(有機薄膜トランジスタ絶縁層材料と有機溶媒とを含む塗布溶液の調製)
高分子化合物3の2−ヘプタノン溶液2.00g、2−ヘプタノン4.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
高分子化合物3の2−ヘプタノン溶液2.00g、2−ヘプタノン4.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
得られた塗布溶液を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、高分子化合物3の塗布溶液を調製した。
(電界効果型有機薄膜トランジスタの作製)
高分子化合物3の塗布溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ゲート絶縁層の厚みは、260nmであった。
高分子化合物3の塗布溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ゲート絶縁層の厚みは、260nmであった。
<電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性>
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Vsdが−40Vで、ゲート電圧Vgを0V→−40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを−40V→0Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。結果を表1に示す。
<実施例4>
(高分子化合物4の合成)
2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)2.00g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)6.92g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.04g、2−ヘプタノン(和光純薬製)12.49gを、50ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物4の粘稠な溶液を得た。高分子化合物4は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物4は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
(高分子化合物4の合成)
2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)2.00g、ビニルベンジルクロライド(アルドリッチ製、3−クロロメチルスチレンと4−クロロメチルスチレンの混合物)6.92g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.04g、2−ヘプタノン(和光純薬製)12.49gを、50ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物4の粘稠な溶液を得た。高分子化合物4は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物4は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
得られた高分子化合物4の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、111000であった。(島津製GPC、Tskgel super HM−H 1本+Tskgel super H2000 1本、移動相=THF)
(有機薄膜トランジスタ絶縁層材料と有機溶媒とを含む塗布溶液の調製)
高分子化合物4の2−ヘプタノン溶液2.00g、2−ヘプタノン4.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
得られた塗布溶液を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、高分子化合物4の塗布溶液を調製した。
高分子化合物4の2−ヘプタノン溶液2.00g、2−ヘプタノン4.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。
得られた塗布溶液を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、高分子化合物4の塗布溶液を調製した。
(電界効果型有機薄膜トランジスタの作製)
高分子化合物4の塗布溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ゲート絶縁層の厚みは、220nmであった。
高分子化合物4の塗布溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ゲート絶縁層の厚みは、220nmであった。
<電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性>
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20〜−40V、ソース・ドレイン間電圧Vsdを0〜−40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ(BCT22MDC−5−HT−SCU;Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD製)を用いて測定した。
有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Vsdが−40Vで、ゲート電圧Vgを0V→−40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを−40V→0Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。結果を表1に示す。
<比較例1>
(電界効果型有機薄膜トランジスタの作製)
ポリビニルフェノール−コ−ポリメチルメタクリレート(アルドリッチ製、Mn=6700)1.00g、N,N,N’,N’,N’’,N’’−ヘキサメトキシメチルメラミン(住友化学製)0.163g、熱酸発生剤(みどり化学(株)製、商品名:TAZ-108)0.113g、2−ヘプタノン7.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布液を調製した。
(電界効果型有機薄膜トランジスタの作製)
ポリビニルフェノール−コ−ポリメチルメタクリレート(アルドリッチ製、Mn=6700)1.00g、N,N,N’,N’,N’’,N’’−ヘキサメトキシメチルメラミン(住友化学製)0.163g、熱酸発生剤(みどり化学(株)製、商品名:TAZ-108)0.113g、2−ヘプタノン7.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布液を調製した。
ゲート絶縁層の形成にこの塗布液を用い、200℃で焼成したこと以外は実施例1と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定し、評価した。結果を表1に示す。
1…基板、
2…ゲート電極、
3…ゲート絶縁層、
4…有機半導体層、
5…ソース電極、
6…ドレイン電極。
2…ゲート電極、
3…ゲート絶縁層、
4…有機半導体層、
5…ソース電極、
6…ドレイン電極。
Claims (11)
- 式
[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Raaは、炭素数1〜20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0〜20の整数を表し、bは、1〜5の整数を表す。Raaが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]
で表される繰り返し単位と、式
[式中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1〜20の一価の有機基を表す。Rbbは、炭素数1〜20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0〜20の整数を表し、dは、1〜5の整数を表す。Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Rbbが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Xが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]
で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 式(1)中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Rは水素原子を表し、Rfはフッ素原子を表し、aは0を表し、bは3〜5の整数を表す請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
- 式(2)中、R2は水素原子又はメチル基を表し、R’は水素原子を表し、cは0を表し、dは1を表し、Xは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す請求項1又は2に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
- 高分子化合物は、繰り返し単位として、アリール基又はフェニル基を有するエチレン部分を更に有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
- 高分子化合物中、式(2)で表される繰り返し単位のモル分率が0.01〜0.95である請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液体を基材上に塗布して塗布層を形成する工程;及び
該塗布層に対して光又は電子線を照射して有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋する工程;
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。 - 前記光が紫外線である請求項6に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である請求項8に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項8又は9に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材。
- 請求項10に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206205A JP2011086926A (ja) | 2009-09-15 | 2010-09-15 | 光架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009213200 | 2009-09-15 | ||
JP2010206205A JP2011086926A (ja) | 2009-09-15 | 2010-09-15 | 光架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011086926A true JP2011086926A (ja) | 2011-04-28 |
Family
ID=43758670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010206205A Withdrawn JP2011086926A (ja) | 2009-09-15 | 2010-09-15 | 光架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120235148A1 (ja) |
EP (1) | EP2479791A4 (ja) |
JP (1) | JP2011086926A (ja) |
KR (1) | KR20120069716A (ja) |
CN (1) | CN102484141A (ja) |
TW (1) | TW201126606A (ja) |
WO (1) | WO2011034069A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253990A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器 |
WO2013094495A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 住友化学株式会社 | 電子デバイス絶縁層材料、及び電子デバイス |
WO2013129406A1 (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-06 | 住友化学株式会社 | 電子デバイス絶縁層及び電子デバイス絶縁層の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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- 2010-09-14 TW TW099131003A patent/TW201126606A/zh unknown
- 2010-09-15 CN CN2010800404397A patent/CN102484141A/zh active Pending
- 2010-09-15 US US13/395,771 patent/US20120235148A1/en not_active Abandoned
- 2010-09-15 JP JP2010206205A patent/JP2011086926A/ja not_active Withdrawn
- 2010-09-15 EP EP10817182.8A patent/EP2479791A4/en not_active Withdrawn
- 2010-09-15 KR KR1020127009430A patent/KR20120069716A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-09-15 WO PCT/JP2010/065895 patent/WO2011034069A1/ja active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120069716A (ko) | 2012-06-28 |
US20120235148A1 (en) | 2012-09-20 |
CN102484141A (zh) | 2012-05-30 |
EP2479791A1 (en) | 2012-07-25 |
TW201126606A (en) | 2011-08-01 |
WO2011034069A1 (ja) | 2011-03-24 |
EP2479791A4 (en) | 2013-06-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130606 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20140213 |