CN104115387A - 直流－直流转换装置 - Google Patents

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鹢头政和
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Abstract

本发明能够减小直流－直流转换装置的半导体开关的断路电流，防止高输入电压时的功率转换效率的下降。作为直流－直流转换装置中的变压器(2)的一次侧的电路，使用利用了四个半导体开关元件(101～104)的全桥结构的电路。在该结构中，通过增大变压器(2)的一次绕组(21)和二次绕组(22)的匝数比，能够增大一次绕组(21)中产生的电压(V21)，减小流过变压器(2)的一次绕组(21)的电流，从而减小半导体开关元件(101～104)的断路电流。因此，尤其能防止在来自直流电源(1)的输入直流电压较高、因输入电压检测电路(9)和振荡电路(8)的动作而使得半导体开关元件(101～104)的开关频率变高的情况下的功率转换效率的下降。

Description

直流-直流转换装置
技术领域
本发明涉及一种直流－直流转换装置，在该直流－直流转换装置中，基于来自直流电源的输入直流电压使变压器的一次绕组中产生交流电压，并对该变压器的二次绕组中产生的交流电压进行整流和平滑，从而产生直流电压。
背景技术
图3是表示这种直流－直流转换装置的现有结构例的电路图。在该直流－直流转换装置中，直流电源1与将半导体开关元件101和102串联连接而成的串联桥臂并联连接。这里，半导体开关元件101与二极管111及电容器121并联连接，半导体开关元件102与二极管112及电容器122并联连接。而且，在半导体开关元件101和102间的共同节点与直流电源1的负极之间，串联地插入谐振用电抗器3、变压器2的一次绕组21、以及谐振用电容器4。
在变压器2的二次侧，作为用于对变压器2的二次绕组22中产生的交流电压进行整流的单元，连接有由二极管131～134构成的全桥结构的全波整流电路13。该全波整流电路13的输出电压经由平滑用电容器5进行平滑后，从直流－直流转换装置输出。
输出电压检测电路6、脉宽调制控制电路7、振荡电路8及输入电压检测电路9构成为用于控制成使得直流－直流转换装置输出的直流电压的电压值维持为目标值的控制单元。
更详细而言，输出电压检测电路6是检测直流－直流转换装置的输出电压的电路。振荡电路8是对脉宽调制控制电路7输出周期性同步信号的电路。脉宽调制控制电路7是如下电路：在每次从振荡电路8提供同步信号时，产生使半导体开关元件101导通的第1脉冲，之后，直到下一次提供同步信号为止的期间，产生使半导体开关元件102导通的第2脉冲。该脉宽调制控制电路7具有脉宽调制功能，根据由输出电压检测电路6检测出的输出电压相对于目标值的增减，进行导通占空比(ON duty)控制，从而将直流－直流转换装置的输出电压值维持在目标值，其中，导通占空比是第1脉冲的脉宽相对于第1和第2脉冲的周期所占的比率。输入电压检测电路9是对从直流电源1提供给直流－直流转换装置的输入直流电压进行检测的电路。而且，振荡电路8采用如下结构：由输入电压检测电路9检测出的输入直流电压越高，则越是提高同步信号的频率，该电压值越低，则越是降低同步信号的频率。
图4(a)是表示从直流电源1提供的输入直流电压是较低的低输入电压时的直流－直流转换装置的动作例的波形图，图4(b)是表示该输入直流电压是较高的高输入电压时的直流－直流转换装置的动作例的波形图。在该图4(a)和图4(b)的各波形图中分别示出了半导体开关元件101的漏极－源极间电压V101、半导体开关元件102的漏极－源极间电压V102、半导体开关元件101的漏极电流I101、半导体开关元件102的漏极电流I102、谐振用电容器4的电压V4、变压器2的一次绕组21的电压V21、分别流过二极管131、132、133、134的电流I131、I132、I133、I134的各个波形。以下，参照该图4(a)和图4(b)，对图3所示的直流－直流转换装置的动作进行说明。
如上所述，脉宽调制控制电路7交替地产生使半导体开关元件101导通的第1脉冲、以及使半导体开关元件102导通的第2脉冲。若半导体开关元件101导通，则经由直流电源1－半导体开关元件101－谐振用电抗器3－变压器2的一次绕组21－谐振用电容器4这样的路径而流过谐振电流，通过该谐振电流对谐振用电容器4进行充电。在此期间，在变压器2的一次绕组21与谐振用电抗器3上施加了来自直流电源1的输入直流电压与谐振用电容器4的电压V4之间的差电压。然后，在变压器2的二次绕组22上产生与一次绕组21的电压V21相应的电压，利用该电压经由二极管131和134对平滑用电容器5进行充电。然后，由该平滑用电容器5向未图示的负载提供直流电。
接着，若半导体开关元件101变为截止，则到目前为止流过的谐振电流换流至电容器121、122，半导体开关元件101、102的漏极－源极间电压V101、V102缓缓地上升或下降。
若变为截止的半导体开关元件101的漏极－源极间电压V101达到来自直流电源1的输入直流电压，则谐振电流换流至二极管112。此时，通过使半导体开关元件102变为导通，使得经由谐振用电容器4－变压器2的一次绕组21－谐振用电抗器3－半导体开关元件102这样的路径而流过谐振电流I102，由此对谐振用电容器4进行放电。此时，在变压器2的一次绕组21和谐振用电抗器3上施加了谐振用电容器4的电压V4。然后，在变压器2的二次绕组22上产生与一次绕组21的电压V21相应的电压，利用该电压经由二极管133和132对平滑用电容器5进行充电。然后，由该平滑用电容器5向未图示的负载提供直流电。
接着，若半导体开关元件102变为截止，则到目前为止流过的谐振电流换流至电容器121、122，半导体开关元件101、102的漏极－源极间电压V101、V102缓缓地上升或下降。
若变为截止的半导体开关元件102的漏极－源极间电压V102达到来自直流电源1的输入直流电压，则谐振电流换流至二极管111。此时，通过使半导体开关元件101变为导通，使得经由直流电源1－半导体开关元件101－谐振用电抗器3－变压器2的一次绕组21－谐振用电容器4这样的路径而流过谐振电流，利用该谐振电流对谐振用电容器4进行充电。
通过重复这种动作，基于来自直流电源1的输入直流电，生成与直流电源1绝缘的其他的直流电，并通过平滑用电容器5提供给未图示的负载。
这里，在低输入电压时，如图4(a)所示，半导体开关元件101和102分别以0.5左右的导通占空比进行动作，流过半导体开关元件101的电流I101和流过半导体开关元件102的电流I102分别变化为正弦波形状。
在负载状态发生变化、使直流－直流电压转换装置的输出电压值偏离目标值的情况下，脉宽调制控制电路7改变使半导体开关元件101导通的第1脉冲以及使半导体开关元件102导通的第2脉冲的各脉冲宽度(导通占空比)，从而使得直流－直流电压转换装置的输出电压值回到目标值。
在高输入电压时，如图4(b)所示，半导体开关元件101和102分别以0.5左右的导通占空比进行动作。这点与低输入电压时相同。
然而，在高输入电压时，振荡电路8会提高分别使半导体开关元件101和102导通的第1和第2脉冲的频率。其结果是，在流过半导体开关元件101的电流I101到达正弦波的峰值附近的时刻、以及流过半导体开关元件102的电流I102到达正弦波的峰值附近的时刻，分别发生半导体开关元件101从导通向截止的切换、以及半导体开关元件102从导通向截止的切换。因此，变为截止的半导体开关元件101、102中流过的断路电流比低输入电压时要大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2002-209382号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
如上所述，在现有的直流－直流转换装置中，尤其是在高电压输入时，存在变压器的一次侧电路的半导体开关的断路电流变大，功率转换效率下降的问题。
本发明是鉴于以上所说明的情况而完成的，其目的在于提供一种能够使流过变压器的一次侧电路的半导体开关的断路电流变小，尤其是能够防止在高电压输入时的直流－直流转换装置的功率转换效率下降的技术手段。
解决技术问题的技术方案
本发明提供一种直流－直流转换装置，在该直流－直流转换装置中，基于由直流电源提供的输入直流电压，在变压器的一次绕组中产生交流电压，对所述变压器的二次绕组中产生的交流电压进行整流和平滑，从而输出直流电压，所述直流－直流转换装置的特征在于，包括：第1串联桥臂，该第1串联桥臂由第1半导体开关元件和第2半导体开关元件串联连接而成，所述第1半导体开关元件设置在所述直流电源的正极侧，所述第2半导体开关元件设置在所述直流电源的负极侧；第2串联桥臂，该第2串联桥臂由第3半导体开关元件和第4半导体开关元件串联连接而成，所述第3半导体开关元件设置在所述直流电源的正极侧，所述第4半导体开关元件设置在所述直流电源的负极侧；第1电容器～第4电容器，该第1电容器～第4电容器与所述第1半导体开关元件～第4半导体开关元件并联连接；第1二极管～第4二极管，该第1二极管～第4二极管与所述第1半导体开关元件～第4半导体开关元件并联连接；谐振用电抗器和谐振用电容器，该谐振用电抗器和谐振用电容器与所述变压器的一次绕组一起串联地插入在所述第1半导体开关元件和第2半导体开关元件间的共同节点、与所述第3半导体开关元件和第4半导体开关元件间的共同节点之间；以及脉冲产生单元，该脉冲产生单元是交替地且周期性地产生使所述第1半导体开关元件和第4半导体开关元件导通的第1脉冲、以及使所述第2开关元件和第3开关元件导通的第2脉冲的单元，基于所述输入电压检测电路中对输入直流电压的检测结果，在所述输入直流电压较高的情况下，提高所述第1脉冲和第2脉冲的频率，在所述输入直流电压较低的情况下，降低所述第1脉冲和第2脉冲的频率，从而从所述直流－直流转换装置输出一定的直流电压而不依赖于所述输入直流电压。
根据本发明，通过使第1和第4半导体开关元件的组、与第2和第3半导体开关元件的组交替地导通，从而在变压器的一次绕组上施加交流电压。这里，在第1和第4半导体开关元件的组处于导通的期间、以及在第2和第3半导体开关元件的组处于导通的期间，以彼此相反的方向对谐振用电容器进行充电。因此，在该直流－直流转换装置中，通过增大变压器的一次绕组的匝数相对于二次绕组的匝数的比即匝数比，能够增大一次绕组中产生的电压。这里，流过变压器一次绕组的电流与变压器的匝数比的倒数成比例。因此，根据本发明，通过增大变压器的匝数比，能够减小流过变压器的一次绕组的电流，由此能够减小流过第1～第4半导体开关元件的断路电流。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的直流－直流转换装置的结构的电路图。
图2是表示该直流－直流转换装置的各部分的波形的波形图。
图3是表示现有的直流－直流转换装置的结构的电路图。
图4是表示该直流－直流转换装置的各部分的波形的波形图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示本发明的一个实施方式的直流－直流转换装置的结构的电路图。图1中，设置于变压器2的二次侧的全波整流电路13和平滑用电容器5的结构、输出电压检测电路6、脉宽调制控制电路7、振荡电路8及输入电压检测电路9的结构与上文揭示的图3的结构相同。
在本实施方式的直流－直流转换装置中，直流电源1与将半导体开关元件101和102串联连接而成的第1串联桥臂并联连接，并且还与将半导体开关元件103和104串联连接而成的第2串联桥臂并联连接。这里，在第1和第2串联桥臂中，半导体开关元件101和103分别设置在直流电源1的正极侧，半导体开关元件102和104分别设置在直流电源1的负极侧。
此外，半导体开关元件101分别与二极管111及电容器121并联连接，半导体开关元件102分别与二极管112及电容器122并联连接，半导体开关元件103分别与二极管113及电容器123并联连接，半导体开关元件104分别与二极管114及电容器124并联连接。这里，二极管111、112、113和114以使得来自直流电源1的输入直流电压作为各自的反向偏置而进行动作的方式分别与半导体开关元件101、102、103和104并联连接。
而且，在半导体开关元件101和102间的共同节点、与半导体开关元件103和104间的共同节点之间，串联地插入了谐振用电抗器3、变压器2的一次绕组21、以及谐振用电容器4。这样，本实施方式的直流－直流转换装置利用由半导体开关元件101～104构成的全桥，对来自直流电源1的输入直流电压进行开关，并将交流电压提供给变压器2的一次绕组21。
在图1所示的示例中，半导体开关元件101、102、103和104为功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；金属－氧化膜－半导体结构的场效应晶体管)，但也可以是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor；绝缘栅双极型晶体管)、双极型晶体管等根据控制信号来切换导通/截止的其他半导体开关元件。
脉宽调制控制电路7在每次从振荡电路8提供了同步信号时，产生使半导体开关元件101和104导通的第1脉冲，之后，直到下一次提供了同步信号为止的期间，产生使半导体开关元件102和103导通的第2脉冲。振荡电路8及该脉宽调制控制电路7构成为交替地产生第1和第2脉冲的脉冲产生单元。
与上文所揭示的图3相同，输出电压检测电路6是检测直流－直流转换装置的输出电压的电路。此外，脉宽调制控制电路7根据由输出电压检测电路6检测出的输出电压相对于目标值的增减，使第1脉冲的脉冲宽度减少，并使第2脉冲的脉冲宽度增加相应的量，或者，使第1脉冲的脉冲宽度增加，并使第2脉冲的脉冲宽度减少相应的量，由此将直流－直流转换装置的输出电压值维持在目标值。此外，振荡电路8中，由输入电压检测电路9检测出的提供给直流－直流转换装置的输入电压值越大，则越是提高同步信号的频率，该输入电压值越小，越是降低同步信号的频率。
图2是表示低输入电压时的直流－直流转换装置的动作例的波形图。在该图2中分别示出了半导体开关元件101的漏极－源极间电压V101、半导体开关元件102的漏极－源极间电压V102、半导体开关元件101的漏极电流I101、半导体开关元件102的漏极电流I102、谐振用电容器4的电压V4、变压器2的一次绕组21的电压V21、分别流过二极管131、132、133、134的电流I131、I132、I133、I134的各个波形。以下，参照该图2说明本实施方式的动作。
若脉宽调制控制电路7产生第1脉冲，则第1串联桥臂中设置于直流电源1的正极侧的半导体开关元件101、和第2串联桥臂中设置于直流电源1的负极侧的半导体开关元件104变为导通。由此，若半导体开关元件101和104导通，则经由直流电源1－半导体开关元件101－谐振用电抗器3－变压器2的一次绕组21－谐振用电容器4－半导体开关元件104这样的路径而流过谐振电流I101，利用该谐振电流I101对谐振用电容器4进行充电。在此期间，在变压器2的一次绕组21与谐振用电抗器3上施加了来自直流电源1的输入直流电压与谐振用电容器4的电压V4之间的差电压。然后，在变压器2的二次绕组22上产生与一次绕组21的电压V21相应的电压，利用该电压经由二极管131和134对平滑用电容器5进行充电。然后，由该平滑用电容器5向未图示的负载提供直流电。
接着，脉宽调制控制电路7使第1脉冲下降，使第2脉冲上升。若第1脉冲下降，半导体开关元件101和104变为截止，则到目前为止流过的谐振电流换流至电容器121、122、123、124，半导体开关元件101、102、103、104的漏极－源极间电压缓缓地上升或下降。
若变为截止的半导体开关元件101和104的漏极－源极间电压V101和V104达到来自直流电源1的输入直流电压，则谐振电流换流至二极管112、113。此时，若第2脉冲上升，则第1串联桥臂中设置于直流电源1的负极侧的半导体开关元件102、和第2串联桥臂中设置于直流电源1的正极侧的半导体开关元件103变为导通。其结果是，经由谐振用电容器4－变压器2的一次绕组21－谐振用电抗器3－半导体开关元件102－直流电源1－半导体开关元件103这样的路径而流过谐振电流I102，利用该谐振电流I102对谐振用电容器4进行放电(或进行与第1脉冲上升时相反方向的充电)。在此期间，在变压器2的一次绕组21上施加了来自直流电源1的输入直流电压与谐振用电容器4的电压V4之间的差电压。然后，在变压器2的二次绕组22上产生与一次绕组21的电压V21相应的电压，利用该电压经由二极管132和133对平滑用电容器5进行充电。然后，由该平滑用电容器5向未图示的负载提供直流电。
接着，脉宽调制控制电路7使第2脉冲下降，第1脉冲上升。若第2脉冲下降，半导体开关元件102和103变为截止，则到目前为止流过的谐振电流换流至电容器121、122、123、124，半导体开关元件101、102、103、104的漏极－源极间电压缓缓地上升或下降。
若变为截止的半导体开关元件102和103的漏极－源极间电压V102和V103达到来自直流电源1的输入直流电压，则谐振电流换流至二极管111、114。此时，若第1脉冲上升，则第1串联桥臂中设置于直流电源1的正极侧的半导体开关元件101、和第2串联桥臂中设置于直流电源1的负极侧的半导体开关元件104变为导通。其结果是，经由直流电源1－半导体开关元件101－谐振用电抗器3－变压器2的一次绕组21－谐振用电容器4－半导体开关元件104这样的路径而流过谐振电流I101，利用该谐振电流I101对谐振用电容器4进行充电。
通过重复这种动作，基于直流电源1输出的直流电，生成与直流电源1绝缘的其他的直流电，并通过平滑用电容器5提供给未图示的负载。
与上文揭示的图3的直流－直流转换装置相同，在本实施方式的直流－直流转换装置中，在高输入电压时，振荡电路8提高使半导体开关元件101、104导通的第1脉冲、使半导体开关元件102、103导通的第2脉冲的频率。其结果是，在流过半导体开关元件101的电流I101到达正弦波的峰值附近的时刻、以及流过半导体开关元件102的电流I102到达正弦波的峰值附近的时刻，分别发生半导体开关元件101、104从导通向截止的切换、以及半导体开关元件102、103从导通向截止的切换。但是，此时变为截止的半导体开关元件101、104中流过的断路电流、以及变为截止的半导体开关元件102、103中流过的断路电流小于上文所揭示的图3中所流过的断路电流。其理由如下所述。
在上文揭示的图3的直流－直流转换装置中，谐振用电容器4的一个电极与直流电源1的负极相连接，经由半导体开关元件101对谐振用电容器4进行充电，经由半导体开关元件102对谐振用电容器4进行放电。因此，谐振用电容器4的电压V4如图4所示那样，在0V以上的区域内反复上升和下降。因此，用于使变压器2的一次绕组21中所产生的电压V21的振幅增大的余量较小。
与此相对地，在本实施方式的直流－直流转换装置中，谐振用电容器4插入在半导体开关元件101和102间的共同节点、与半导体开关元件103和104间的共同节点之间。并且，交替地反复进行以下动作：半导体开关元件101和104导通从而电流流过谐振用电容器4的动作、以及半导体开关元件102和103导通从而电流流过谐振用电容器4的动作。
这里，在半导体开关元件101和104处于导通的期间内流过谐振用电容器4的电流、与在半导体开关元件102和103处于导通的期间内流过谐振用电容器4的电流的极性相反。因此，谐振用电容器4的电压V4成为图2所示那样以0V为中心、沿正负两个方向振动的波形。并且，在本实施方式中，输入直流电压与该电压V4之间的差电压被施加到变压器2的一次绕组21和谐振用电抗器3。由此，本实施方式的直流－直流转换装置中，从其结构上来看，能够使变压器2的一次绕组21中所产生的电压V21大于上文揭示的图3的直流－直流转换装置。
因此，根据本实施方式，在设为输出与上文揭示的图3的直流－直流转换装置相同的直流电压的情况下，增大变压器2的一次绕组21的匝数n21与二次绕组22的匝数n22的匝数比n＝n21/n22，能够增大一次绕组21中产生的电压V21。这里，流过变压器2的一次绕组21的电流与变压器2的匝数比n的倒数成比例。因此，在本实施方式中，通过增大变压器2的匝数比n，能够减小流过变压器2的一次绕组21的电流。由此，能够减小半导体开关元件101和104变为截止时流过半导体开关元件101和104的断路电流、以及半导体开关元件102和103变为截止时流过半导体开关元件102和103的断路电流。而且，根据本实施方式，能够减小流过半导体开关元件101、102、103、104的断路电流，因此尤其能够减少在高输入电压时的半导体开关元件101、102、103、104的开关损耗，进而能防止转换效率的下降。此外，根据本实施方式，能够减小流过变压器2的一次绕组21的电流，从而能够减小变压器2的铜损。此外，根据本实施方式，能够减小流过谐振用电容器4的有效电流，因此能够使用额定有效电流较小、且价格低廉的谐振用电容器4来构成直流－直流转换装置。
<其他实施方式>
上文对本发明的一个实施方式进行了说明，但除此以外，本发明还可考虑采用其他实施方式。例如，如下所述。
(1)二极管111、112、113、114可以用介于半导体开关元件101、102、103、104的漏极或源极与成为其背景的半导体基板之间的寄生二极管来代替。
(2)电容器121、122、123、124可以用介于半导体开关元件101、102、103、104的漏极或源极与成为其背景的半导体基板之间的寄生电容来代替。
(3)谐振用电抗器3可以用变压器2的漏电感来代替。
标号说明
1……直流电源、101，102，103，104……半导体开关元件、111，112，113，114，131，132，133，134……二极管、121，122，123，124……电容器、2……变压器、21……一次绕组、22……二次绕组、3……谐振用电抗器、4……谐振用电容器、13……全波整流电路、5……平滑用电容器、6……输出电压检测电路、7……脉宽调制控制电路、8……振荡电路、9……输入电压检测电路。

Claims (6)

1.一种直流－直流转换装置，在该直流－直流转换装置中，基于由直流电源提供的输入直流电压，在变压器的一次绕组中产生交流电压，对所述变压器的二次绕组中产生的交流电压进行整流和平滑，从而输出直流电压，所述直流－直流转换装置的特征在于，包括：
第1串联桥臂，该第1串联桥臂由第1半导体开关元件和第2半导体开关元件串联连接而成，所述第1半导体开关元件设置在所述直流电源的正极侧，所述第2半导体开关元件设置在所述直流电源的负极侧；
第2串联桥臂，该第2串联桥臂由第3半导体开关元件和第4半导体开关元件串联连接而成，所述第3半导体开关元件设置在所述直流电源的正极侧，所述第4半导体开关元件设置在所述直流电源的负极侧；
第1电容器～第4电容器，该第1电容器～第4电容器与所述第1半导体开关元件～所述第4半导体开关元件并联连接；
第1二极管～第4二极管，该第1二极管～第4二极管与所述第1半导体开关元件～所述第4半导体开关元件并联连接；
谐振用电抗器和谐振用电容器，该谐振用电抗器和谐振用电容器与所述变压器的一次绕组一起串联地插入在所述第1半导体开关元件和所述第2半导体开关元件间的共同节点、与所述第3半导体开关元件和所述第4半导体开关元件间的共同节点之间；
输入电压检测电路，该输入电压检测电路对从所述直流电源提供给所述直流－直流转换装置的输入直流电压进行检测；以及
脉冲产生单元，该脉冲产生单元是交替地且周期性地产生使所述第1半导体开关元件和所述第4半导体开关元件导通的第1脉冲、以及使所述第2开关元件和所述第3开关元件导通的第2脉冲的单元，基于所述输入电压检测电路中对输入直流电压的检测结果，在所述输入直流电压较高的情况下，提高所述第1脉冲和所述第2脉冲的频率，在所述输入直流电压较低的情况下，降低所述第1脉冲和所述第2脉冲的频率，从而从所述直流－直流转换装置输出一定的直流电压而不依赖于所述输入直流电压。
2.如权利要求1所述的直流－直流转换装置，其特征在于，
所述脉冲产生单元具备振荡频率可变、且通过振荡来输出同步信号的振荡电路，根据所述振荡电路输出的同步信号，产生所述第1脉冲和所述第2脉冲，基于所述输入电压检测电路中对输入直流电压的检测结果，在所述输入直流电压较高的情况下，提高所述振荡电路的振荡频率，在所述输入直流电压较低的情况下，降低所述振荡电路的振荡频率。
3.如权利要求2所述的直流－直流转换装置，其特征在于，
具备对由所述直流－直流转换装置输出的直流电压进行检测的输出电压检测电路，
所述脉冲产生单元是根据所述振荡电路输出的同步信号来产生所述第1脉冲和所述第2脉冲的单元，且具备脉宽调制控制电路，该脉宽调制控制电路基于所述输出电压检测电路中对直流电压的检测结果，对所述第1脉冲和所述第2脉冲的各脉冲宽度进行控制，以将所述直流－直流转换装置输出的直流电压维持在目标值。
4.如权利要求1至3中任一项所述的直流－直流转换装置，其特征在于，
所述第1电容器～所述第4电容器是存在于所述第1半导体开关元件～所述第4半导体开关元件中的寄生电容。
5.如权利要求1至3中任一项所述的直流－直流转换装置，其特征在于，
所述第1二极管～所述第4二极管是存在于所述第1半导体开关元件～所述第4半导体开关元件中的寄生二极管。
6.如权利要求1至3中任一项所述的直流－直流转换装置，其特征在于，
所述谐振用电抗器是所述变压器的漏电感。
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