CN103909345A - 晶片的加工方法以及激光加工装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶片的加工方法以及激光加工装置，能确认器件背面的粘接膜是否沿器件的外周断裂。该方法将晶片沿间隔道分割成一个个器件并将树脂膜装配到各器件背面，具有以下工序：从晶片正面侧沿间隔道形成分割槽；将保护部件粘贴到晶片正面；磨削晶片背面使分割槽在背面露出，将晶片分割成一个个器件；将粘接膜装配到晶片背面并将切割带粘贴到粘接膜侧，通过环状框架支撑切割带外周部，剥离粘贴在晶片正面的保护部件；将切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件，使激光光线从晶片正面侧穿过分割槽照射到粘接膜，由此沿分割槽分割粘接膜，在分割粘接膜的工序中检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出等离子光时的坐标值进行记录。

Description

晶片的加工方法以及激光加工装置

技术领域

本发明涉及晶片的激光加工方法以及激光加工装置，能够将在正面在通过呈格子状地形成的间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且对装配于各器件的背面的芯片结合用的粘接膜是否沿着器件的外周断裂进行确认。

背景技术

例如，在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面，在通过呈格子状地形成的分割预定线（间隔道）划分出的多个区域形成IC（集成电路）、LSI（大规模集成电路）等器件，沿着间隔道对形成有该器件的各区域进行分割，由此，制造出一个个半导体器件。作为分割半导体晶片的分割装置一般使用切割装置，该切割装置通过厚度为20μm左右的切削刀具沿着间隔道来切削半导体晶片。像这样分割出的半导体器件在封装之后被广泛利用到便携电话和个人电脑等电气设备中。

关于被分割成单个的半导体器件，在其背面装配有由聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂等形成的厚度为20～40μm的、称为芯片粘接膜（DAF，Die AttachFilm）的芯片结合用的粘接膜，通过加热而经该粘接膜结合到支撑半导体器件的芯片结合框架。作为将芯片结合用的粘接膜装配到半导体器件的背面的方法，将粘接膜粘贴到半导体晶片的背面，将半导体晶片经该粘接膜粘贴到切割带上，然后，利用切割刀具沿着形成于半导体晶片的正面的间隔道将半导体晶片与粘接膜一起切断，由此，形成了在背面装配有粘接膜的半导体器件。（例如，参照专利文献1）。

然而，根据日本特开2000-182995号公报所公开的方法，存在这样的问题：在利用切削刀具将半导体晶片和粘接膜一起切断而分割出一个个半导体器件时，在半导体器件的背面产生有缺口，或者在粘接膜产生须状的毛边从而成为引线接合时断线的原因。

近年来，便携电话和个人电脑等电气设备要求更轻量化、小型化，从而需要更薄的半导体器件。作为更薄地分割半导体器件的技术，所谓称为先切割法的分割技术被实用化了。该先切割法是这样的技术：从半导体晶片的正面沿着间隔道形成规定的深度（相当于半导体器件的完成品厚度的深度）的切削槽，然后，对在正面形成有切削槽的半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面露出从而将半导体晶片分割成一个个半导体器件，可以将半导体器件的厚度加工到50μm以下。

然而，在通过先切割法将半导体晶片分割成一个个半导体器件的情况下，在从半导体晶片的正面沿着间隔道形成了规定的深度的切削槽之后，对半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面露出，因此，不能将芯片结合用的粘接膜提前装配到半导体晶片的背面。因此，存在这样的问题：通过先切割法，在结合到支撑半导体器件的芯片结合框架时，不得不将结合剂插入到半导体器件与芯片结合框架之间，不能顺畅地实施结合作业。

为了解决这样的问题，提出了这样的半导体器件的制造方法：将芯片结合用的粘接膜装配到通过先切割法而被分割成一个个半导体器件的晶片的背面，将半导体器件隔着该粘接膜粘贴到切割带上，之后，从半导体器件的正面侧穿过各半导体器件之间的间隙向在上述间隙露出的该粘接膜的部分照射激光光线，从而除去粘接膜的在上述间隙露出的部分。（例如，参照专利文献2）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2000-182995号公报

专利文献2：日本特开2002-118081号公报

然而，在上述专利文献2所记载的加工方法中，当半导体器件间的间隙不足，或半导体器件向分割槽侧突出时，激光光线被半导体器件局部阻挡而产生有粘接膜没有被切断的部位。因此，存在这样的问题：当从切割带拾取半导体器件时，产生不能将粘接膜和半导体器件一起拾取的部位，而不能顺畅地完成拾取工序。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的发明，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法和激光加工装置，能够确认装配于器件背面的芯片结合用的粘接膜是否被沿着器件的外周断裂。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供了一种晶片的加工方法，用于将在正面的通过形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且将粘接膜装配到各器件的背面，

上述晶片的加工方法的特征在于，具有：

分割槽形成工序，从晶片的正面侧沿着间隔道形成相当于器件的完成品厚度的深度的分割槽；

保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到实施了上述分割槽形成工序的晶片的正面；

晶片分割工序，对实施了上述保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削使上述分割槽在背面露出，将晶片分割成一个个器件；

晶片支撑工序，将粘接膜装配到实施了上述晶片分割工序的晶片的背面，并且将切割带粘贴到粘接膜侧，并通过环状的框架来支撑切割带的外周部，将粘贴在晶片的正面的保护部件剥离；以及

粘接膜分割工序，将粘贴有实施了上述晶片支撑工序的晶片的切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件，使激光光线从晶片的正面侧穿过上述分割槽照射到上述粘接膜，由此，沿着上述分割槽分割上述粘接膜，

在上述粘接膜分割工序中，检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出由于激光光线被照射到器件上而产生的等离子光时的坐标值进行记录。

另外，根据本发明提供一种激光加工装置，其具有：被加工物保持构件，其用于保持被加工物；激光光线照射构件，其用于对保持在上述被加工物保持构件上的被加工物照射激光光线；加工进给构件，其用于使上述被加工物保持构件与上述激光光线照射构件在加工进给方向（X轴方向）相对移动；分度进给构件，其用于使上述被加工物保持构件和上述激光光线照射构件在与加工进给方向（X轴方向）垂直的分度进给方向（Y轴方向）相对移动；X轴方向位置检测构件，其用于检测上述被加工物保持构件的X轴方向位置；Y轴方向位置检测构件，其用于检测上述被加工物保持构件的Y轴方向位置；以及摄像构件，其用于对保持在上述被加工物保持构件上的晶片的待加工区域进行拍摄，

上述激光加工装置的特征在于，

上述激光加工装置具有：等离子检测构件，其用于检测由于激光光线被照射到保持于上述被加工物保持构件的被加工物上而产生的等离子光；以及控制构件，

上述控制构件具有存储器，该存储器根据来自上述等离子检测构件、上述X轴方向位置检测构件以及上述Y轴方向位置检测构件的检测信号而对由上述等离子检测构件检测出的等离子光的坐标值进行记录，当上述等离子检测构件检测出等离子光时，上述控制构件根据来自上述X轴方向位置检测构件以及上述Y轴方向位置检测构件的检测信号求出产生了等离子光的坐标值，并将产生了上述等离子光的坐标值记录到上述存储器中。

发明效果

在本发明涉及的晶片的加工方法中，使激光光线从通过所谓先切割法而被分割成一个个器件的晶片的正面侧穿过分割槽照射到粘接膜，由此，沿着分割槽分割粘接膜，在这样的粘接膜分割工序中，检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出由于激光光线被照射到器件上而产生的等离子光时的坐标值进行记录，因此，通过在以后工序即拾取工序中利用所记录的作为加工不良信息的粘接膜没有被切断部位的坐标值，能够解决如下的不良情况：不能将粘接膜与器件一起拾取。

另外，根据作为加工不良信息的粘接膜没有被切断部位的坐标值，能够对加工不良区域的器件进行拍摄从而检查出加工不良的原因。

另外，本发明涉及的激光加工装置具有：等离子检测构件，其用于检测由于激光光线被照射到保持在被加工物保持构件上的被加工物上而产生的等离子光；以及控制构件，控制构件具有存储器，该存储器根据来自等离子检测构件、X轴方向位置检测构件以及Y轴方向位置检测构件的检测信号而对由等离子检测构件检测出的等离子光的坐标值进行记录，当等离子检测构件检测出等离子光时，控制构件根据来自X轴方向位置检测构件以及Y轴方向位置检测构件的检测信号求出产生了等离子光的坐标值，并将产生了等离子光的坐标值记录到存储器，因此，通过在以后工序中利用记录在存储器中的加工信息，能够顺畅地完成下一工序。

附图说明

图1是表示利用本发明涉及的晶片的加工方法加工的半导体晶片的立体图。

图2是本发明涉及的晶片的加工方法中的分割槽形成工序的说明图。

图3是本发明涉及的晶片的加工方法中的保护部件粘贴工序的说明图。

图4是本发明涉及的晶片的加工方法中的晶片分割工序的说明图。

图5是本发明涉及的晶片的加工方法中的晶片支撑工序的说明图。

图6是表示本发明涉及的晶片的加工方法中的晶片支撑工序的第二实施方式的说明图。

图7是按照本发明而构成的激光加工装置的立体图。

图8是装备于图7所示的激光加工装置的激光光线照射构件以及等离子检测构件的方框图。

图9是装备于图7所示的激光加工装置的控制构件的结构方框图。

图10是表示实施了晶片支撑工序的晶片被保持在装备于图7所示的激光加工装置的卡盘工作台上的状态的坐标值的说明图。

图11是本发明涉及的晶片的加工方法中的膜分割工序的说明图。

标号说明

2：半导体晶片

21：间隔道

22：器件

210：分割槽

3：切削装置

31：切削装置的卡盘工作台

32：切削构件

33：摄像构件

4：保护带

5：磨削装置

51：磨削装置的卡盘工作台

52：磨削磨具

6：激光加工装置

7：卡盘工作台机构

76：卡盘工作台

77：加工进给构件

78：第一分度进给构件

8：激光光线照射单元支撑机构

82：可动支撑基座

83：第二分度进给构件

9：激光光线照射单元

92：激光光线照射构件

922：脉冲激光光线振荡构件

923：输出调整构件

924：聚光器

95：摄像构件

96：等离子检测构件

961：等离子受光构件

962：带通滤波器

963：光电检测器

10：控制构件

DAF：粘接膜

F：环状的框架

T：切割带

具体实施方式

以下，参照附图对本发明涉及的晶片的激光加工方法以及激光加工装置的最佳实施方式进行更详细的说明。

图1示出了作为晶片的半导体晶片的立体图。图1所示的半导体晶片2例如由厚度为600μm的硅晶片构成，在半导体晶片2的正面2a呈格子状地形成有多条间隔道21。并且，在半导体晶片2的正面2a在通过呈格子状地形成的多条间隔道21划分出的多个区域形成有IC、LSI等器件22。对通过先切割法将该半导体晶片2分割成一个个半导体器件的过程进行说明。

在通过先切割法将半导体晶片2分割成一个个半导体器件时，首先，在半导体晶片2的正面2a沿着形成于正面2a的间隔道21形成规定的深度（相当于各器件的完成品厚度的深度）的分割槽（分割槽形成工序）。在图示的实施方式中使用图2的（a）所示的切削装置3来实施该分割槽形成工序。图2的（a）所示的切削装置3具有：卡盘工作台31，其用于保持被加工物；切削构件32，其用于切削保持在该卡盘工作台31上的被加工物；以及摄像构件33，其用于拍摄保持在该卡盘工作台31上的被加工物。卡盘工作台31以抽吸保持被加工物的方式构成，该卡盘工作台31构成为通过未图示的切削进给机构在图2的（a）中箭头X所示的切削进给方向移动，并且通过未图示的分度进给机构在箭头Y所示的分度进给方向移动。

上述切削构件32包括：主轴壳体321，其实质上水平地配置；旋转主轴322，其在该主轴壳体321中被支撑为能够自由旋转；以及切削刀具323，其装配于该旋转主轴322的末端部，旋转主轴322构成为，通过配设于主轴壳体321内的未图示的伺服马达而向箭头322a所示的方向旋转。另外，切削刀具323的厚度在图示的实施方式中被设定为30μm。上述摄像构件33装配于主轴壳体321的末端部，并且具有：对被加工物进行照明的照明构件、对通过该照明构件照明的区域进行捕捉的光学系统、以及对通过该光学系统捕捉到的像进行拍摄的摄像元件（CCD）等，该摄像构件33将所拍摄到的图像信号输送给未图示的控制构件。

在使用上述的切削装置3来实施分割槽形成工序时，如图2的（a）所示将半导体晶片2的背面2b侧装载到卡盘工作台31上，通过使未图示的抽吸构件工作，将半导体晶片2保持在卡盘工作台31上。因此，保持在卡盘工作台31上的半导体晶片2的正面2a处于上侧。这样，抽吸保持了半导体晶片2的卡盘工作台31通过未图示的切削进给机构被定位到摄像构件33的正下方。

当卡盘工作台31被定位到摄像构件33的正下方时，执行如下的校准作业：通过摄像构件33以及未图示的控制构件沿着半导体晶片2的间隔道21检测出应该形成分割槽的切削区域。即，摄像构件33以及未图示的控制构件执行用于进行间隔道21和切削刀具323的位置对准的图像匹配等图像处理，完成切削区域的校准（校准工序），其中上述间隔道21形成于半导体晶片2的规定的方向。另外，对于形成于半导体晶片2的与上述规定的方向成直角延伸的间隔道21，也同样地完成切削区域的校准。

在如上所述地进行了对保持在卡盘工作台31上的半导体晶片2的切削区域进行检测的校准之后，将保持了半导体晶片2的卡盘工作台31移动到切削区域的切削开始位置。然后，一边使切削刀具323向图2的（a）中箭头322a所示的方向旋转，一边向下方移动切削刀具323来实施切入进给。该切入进给位置被设定为切削刀具323的外周缘从半导体晶片2的正面切入相当于器件的完成品厚度的深度的位置（例如，50μm）。这样，在实施了切削刀具323的切入进给之后，一边使切削刀具323旋转一边使卡盘工作台31向图2的（a）中箭头X所示的方向进行切削进给，由此，如图2的（b）所示，沿着间隔道21形成有分割槽210，该分割槽210的宽度为20μm且深度（例如，50μm）相当于器件的完成品厚度（分割槽形成工序）。

在通过实施上述的分割槽形成工序而在半导体晶片2的正面2a沿着间隔道21形成了规定的深度的分割槽210之后，如图3的（a）以及（b）所示将保护带4粘贴到半导体晶片2的正面2a（形成有器件22的面）（保护带粘贴工序）。

接下来，实施如下的晶片分割工序：对粘贴有保护带4的半导体晶片2的背面2b进行磨削，使分割槽210在背面2b露出从而将半导体晶片2分割成一个个器件22。使用图4的（a）所示的磨削装置5来实施该晶片分割工序。图4的（a）所示的磨削装置5具有：卡盘工作台51，其用于保持被加工物；以及磨削构件53，其具有用于对保持在该卡盘工作台51上的被加工物进行磨削的磨削磨具52。在使用该磨削装置5来实施上述晶片分割工序时，将半导体晶片2的保护带4侧装载到卡盘工作台51上，通过使未图示的抽吸构件工作，将半导体晶片2保持在卡盘工作台51上。因此，保持在卡盘工作台51上的半导体晶片2的背面2b处于上侧。这样，在将半导体晶片2保持在卡盘工作台51上之后，一边使卡盘工作台51向箭头51a所示的方向例如以300rpm旋转，一边使磨削构件53的磨削磨具52向箭头52a所示的方向例如以6000rpm旋转，同时使磨削磨具52与半导体晶片2的背面2b接触来进行磨削，如图4的（b）所示磨削到分割槽210在背面2b露出为止。通过像这样磨削到分割槽210露出为止，如图4的（c）所示半导体晶片2被分割成一个个器件22。另外，由于分割出的多个器件22的正面粘贴有保护带4，因此维持着半导体晶片2的形态而没有散乱。

在实施了上述的晶片分割工序之后，实施如下的晶片支撑工序：将芯片结合用的粘接膜装配到被分割成一个个器件22的半导体晶片2的背面2b，并且将切割带粘贴到该粘接膜侧，并通过环状的框架来支撑切割带的外周部，将粘贴在半导体晶片2的正面的保护部件剥离。在该晶片支撑工序的第一实施方式中，如图5的（a）以及（b）所示将粘接膜（DAF）装配到被分割成一个个器件22的半导体晶片2的背面2b（粘接膜装配工序）。此时，一边以80～200℃的温度来加热粘接膜（DAF），一边将粘接膜（DAF）按压装配到半导体晶片2的背面2b。另外，粘接膜（DAF）由膜材料形成，该膜材料由环氧系树脂形成且厚度为20μm。在像这样将粘接膜（DAF）装配到半导体晶片2的背面2b之后，如图5的（c）所示将装配有粘接膜（DAF）的半导体晶片2的粘接膜（DAF）侧粘贴到切割带T上，上述切割带T装配于环状的框架F且能够扩张。因此，粘贴于半导体晶片2的正面2a的保护带4处于上侧。然后，将粘贴在半导体晶片2的正面2a的保护带4剥离。另外，在图5的（a）至（c）所示的实施方式中示出了这样的例子：将装配有粘接膜（DAF）的半导体晶片2的粘接膜（DAF）侧粘贴到装配于环状的框架F的切割带T，但是也可以将切割带T粘贴到装配有粘接膜（DAF）的半导体晶片2的粘接膜（DAF）侧，并且同时将切割带T的外周部装配到环状的框架F。

参照图6对上述的晶片支撑工序的其他实施方式进行说明。

图6所示的实施方式使用在切割带T的表面预先粘贴有粘接膜（DAF）的带粘接膜的切割带。即，如图6的（a）、（b）所示，将被分割成一个个器件22的半导体晶片2的背面2b装配到在切割带T的表面所粘贴的粘接膜（DAF）上，上述切割带T的外周部以覆盖环状的框架F的内侧开口部的方式装配。此时，一边以80～200℃的温度来加热粘接膜（DAF）一边将粘接膜（DAF）按压装配到半导体晶片2的背面2b。另外，上述切割带T在图示的实施方式中由厚度为95μm的聚烯烃片构成。在像这样使用带粘接膜的切割带时，通过将半导体晶片2的背面2b装配到粘贴于切割带T的表面的粘接膜（DAF）上，能够利用装配于环状的框架F的切割带T来支撑装配有粘接膜（DAF）的半导体晶片2。并且，如图6的（b）所示将粘贴于半导体晶片2的正面2a的保护带4剥离。另外，在图6的（a）、（b）所示的实施方式中示出了这样的例子：将半导体晶片2的背面2b装配到在切割带T（外周部已装配于环状的框架F）的表面所粘贴的粘接膜（DAF）上，但是也可以将粘贴于切割带T的粘接膜（DAF）装配到半导体晶片2的背面2b，并且同时将切割带T的外周部装配到环状的框架F。

在实施了上述的晶片支撑工序之后，实施如下的粘接膜分割工序：将粘贴有实施了晶片支撑工序的半导体晶片2的切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件上，通过使激光光线从半导体晶片2的正面侧穿过分割槽210照射到粘接膜（DAF），从而沿着分割槽210来分割粘接膜（DAF）。使用图7所示的激光加工装置来实施该粘接膜分割工序。图7所示的激光加工装置6具有：静止基座60；卡盘工作台机构7，其保持被加工物且以能够沿箭头X所示的加工进给方向（X轴方向）移动的方式配设在该静止基座60上；激光光线照射单元支撑机构8，其以能够在与上述箭头X所示的方向（X轴方向）垂直的箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）移动的方式配设在静止基座60上；以及激光光线照射单元9，其以能够在箭头Z所示的方向（Z轴方向）移动的方式配设在该激光光线照射单元支撑机构8上。

上述卡盘工作台机构7具有：一对导轨71、71，其沿着箭头X所示的加工进给方向（X轴方向）平行地配设于静止基座60上；第一滑块72，其以能够在箭头X所示的加工进给方向（X轴方向）移动的方式配设在该导轨71、71上；第二滑块73，其以能够在箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）移动的方式配设在该第一滑块72上；罩工作台75，其通过圆筒部件74支撑于该第二滑块73上；以及作为被加工物保持构件的卡盘工作台76。该卡盘工作台76具有由多孔性材料形成的吸附卡盘761，该卡盘工作台76构成为通过未图示的抽吸构件将作为被加工物的例如圆盘状的半导体晶片保持在吸附卡盘761上。像这样构成的卡盘工作台76通过配设于圆筒部件74内的未图示的脉冲马达而旋转。另外，在卡盘工作台76配设有后述的用于固定环状的框架的夹紧装置762。

上述第一滑块72在其下表面设置有与上述一对导轨71、71配合的一对被引导槽721、721，并且在其上表面设置有沿着箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）平行地形成的一对导轨722、722。像这样构成的第一滑块72构成为通过被引导槽721、721与一对导轨71、71配合，而能够沿着一对导轨71、71在箭头X所示的加工进给方向（X轴方向）移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构7具有加工进给构件77，该加工进给构件77用于使第一滑块72沿着一对导轨71、71在箭头X所示的加工进给方向（X轴方向）移动。该加工进给构件77包括：与一对导轨71、71平行地配设于上述一对导轨71、71之间的外螺纹杆771、以及用于旋转驱动该外螺纹杆771的脉冲马达772等驱动源。外螺纹杆771的一端能够自由旋转地支撑于轴承块773，外螺纹杆771的另一端与上述脉冲马达772的输出轴传动连接，上述轴承块773固定于上述静止基座60。另外，外螺纹杆771与形成于未图示的内螺纹块的贯穿内螺纹孔螺合，上述内螺纹块设置为在第一滑块72的中央部下表面突出。因此，通过利用脉冲马达772对外螺纹杆771进行正转以及反转驱动，使第一滑块72沿着导轨71、71在箭头X所示的加工进给方向（X轴方向）移动。

图示的实施方式中的激光加工装置具有用于对上述卡盘工作台76的加工进给量即X轴方向位置进行检测的X轴方向位置检测构件774。X轴方向位置检测构件774由以下部分构成：沿着导轨71配设的线性标度尺774a；以及读取头774b，其配设于第一滑块72并且与第一滑块72一起沿着线性标度尺774a移动。该X轴方向位置检测构件774的读取头774b在图示的实施方式中每隔1μm将1脉冲的脉冲信号输送给后述的控制构件。并且，后述的控制构件对输入的脉冲信号进行计数，由此检测出卡盘工作台76的加工进给量即X轴方向的位置。另外，在使用脉冲马达772作为上述加工进给构件77的驱动源时，通过对将驱动信号输出给脉冲马达772的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数，也能够检测出卡盘工作台76的加工进给量即X轴方向的位置。另外，在使用伺服马达作为上述加工进给构件77的驱动源时，将检测伺服马达的转速的旋转编码器输出的脉冲信号输送给后述的控制构件，控制构件对输入的脉冲信号进行计数，由此，也能够检测出卡盘工作台76的加工进给量即X轴方向的位置。

上述第二滑块73构成为，在其下表面设置有与一对导轨722、722（设置于上述第一滑块72的上表面）配合的一对被引导槽731、731，通过将该被引导槽731、731与一对导轨722、722配合，上述第二滑块73能够在箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构7具有第一分度进给构件78，该第一分度进给构件78用于使第二滑块73沿着设置于第一滑块72的一对导轨722、722在箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）移动。该第一分度进给构件78包括：与一对导轨722、722平行地配设于上述一对导轨722与722之间的外螺纹杆781、以及用于旋转驱动该外螺纹杆781的脉冲马达782等驱动源。外螺纹杆781的一端能够自由旋转地支撑于轴承块783，外螺纹杆781的另一端与上述脉冲马达782的输出轴传动连接，上述轴承块783固定于上述第一滑块72的上表面。另外，外螺纹杆781与形成于未图示的内螺纹块的贯穿内螺纹孔螺合，上述内螺纹块设置为在第二滑块73的中央部下表面突出。因此，通过利用脉冲马达782对外螺纹杆781进行正转以及反转驱动，使第二滑块73沿着导轨722、722在箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）移动。

图示的实施方式中的激光加工装置具有用于对上述第二滑块73的分度加工进给量即Y轴方向位置进行检测的Y轴方向位置检测构件784。该Y轴方向位置检测构件784由以下部分构成：沿着导轨722配设的线性标度尺784a；以及读取头784b，其配设于第二滑块73并且与第二滑块73一起沿着线性标度尺784a移动。该Y轴方向位置检测构件784的读取头784b在图示的实施方式中每隔1μm将1脉冲的脉冲信号输送给后述的控制构件。并且，后述的控制构件对输入的脉冲信号进行计数，由此，检测出卡盘工作台76的分度进给量即Y轴方向的位置。另外，在使用脉冲马达782作为上述第一分度进给构件78的驱动源时，通过对将驱动信号输出给脉冲马达782的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数，也能够检测出卡盘工作台76的分度进给量即Y轴方向的位置。另外，在使用伺服马达作为上述第一分度进给构件78的驱动源时，将检测伺服马达的转速的旋转编码器输出的脉冲信号输送给后述的控制构件，控制构件对输入的脉冲信号进行计数，由此，也能够检测出卡盘工作台76的分度进给量即Y轴方向的位置。

上述激光光线照射单元支撑机构8具有：一对导轨81、81，其沿着箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）平行地配设于静止基座60上；以及可动支撑基座82，其以能够在箭头Y所示的方向移动的方式配设在该导轨81、81上。该可动支撑基座82由以下部分构成：移动支撑部821，其能够移动地配设在导轨81、81上；以及装配部822，其安装于该移动支撑部821。装配部822在一侧面平行地设置有沿箭头Z所示的方向（Z轴方向）延伸的一对导轨823、823。图示的实施方式中的激光光线照射单元支撑机构8具有第二分度进给构件83，该第二分度进给构件83用于使可动支撑基座82沿着一对导轨81、81在箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）移动。该第二分度进给构件83包括：与一对导轨81、81平行地配设于上述一对导轨81、81之间的外螺纹杆831、以及用于旋转驱动该外螺纹杆831的脉冲马达832等驱动源。外螺纹杆831的一端能够自由旋转地支撑于未图示的轴承块，外螺纹杆831的另一端与上述脉冲马达832的输出轴传动连接，上述轴承块固定于上述静止基座60。另外，外螺纹杆831与形成于未图示的内螺纹块的内螺纹孔螺合，上述内螺纹块设置为在构成可动支撑基座82的移动支撑部821的中央部下表面突出。因此，通过利用脉冲马达832对外螺纹杆831进行正转以及反转驱动，使可动支撑基座82沿着导轨81、81在箭头Y所示的分度进给方向（Y轴方向）移动。

图示的实施方式中的激光光线照射单元9具有：单元支架91、和安装在该单元支架91的激光光线照射构件92。单元支架91设置有与一对导轨823、823（设置于上述装配部822）能够滑动地配合的一对被引导槽911、911，通过使该被引导槽911、911与上述导轨823、823配合，上述单元支架91被支撑为能够在Z轴方向移动。

图示的实施方式中的激光光线照射单元9具有用于使单元支架91沿着一对导轨823、823在Z轴方向移动的聚光点位置调整构件93。聚光点位置调整构件93包括：配设于一对导轨823、823之间的外螺纹杆（未图示）、和用于旋转驱动该外螺纹杆的脉冲马达932等驱动源，通过利用脉冲马达932来对未图示的外螺纹杆进行正转以及反转驱动，使单元支架91和激光光线照射构件92沿着导轨823、823在Z轴方向移动。另外，在图示的实施方式构成为，通过正转驱动脉冲马达932使激光光线照射构件92向上方移动，通过反转驱动脉冲马达932使激光光线照射构件92向下方移动。

图示的激光光线照射构件92包括固定于上述单元支架91且实质上水平延伸的圆筒形的外壳921。参照图8对该激光光线照射构件92进行说明。

图示的激光光线照射构件92具有：配设于上述外壳921内的脉冲激光光线振荡构件922；输出调整构件923，其对通过该脉冲激光光线振荡构件922振荡出的脉冲激光光线的输出进行调整；以及聚光器924，其将通过该输出调整构件923调整了输出的脉冲激光光线照射到保持在上述卡盘工作台76的保持面上的被加工物W。

上述脉冲激光光线振荡构件922由以下部分构成：脉冲激光光线振荡器922a，其用于振荡出脉冲激光光线；以及重复频率设定构件922b，其用于对脉冲激光光线振荡器922a振荡出的脉冲激光光线的重复频率进行设定。上述输出调整构件923将从脉冲激光光线振荡构件922振荡出的脉冲激光光线的输出调整为规定的输出。这些脉冲激光光线振荡构件922的脉冲激光光线振荡器922a、重复频率设定构件922b以及输出调整构件923被未图示的后述的控制构件控制。

上述聚光器924具有：方向变换镜924a，其使从脉冲激光光线振荡构件922振荡出且通过输出调整构件923而被调整了输出的脉冲激光光线朝向卡盘工作台76的保持面进行方向变换；以及聚光透镜924b，其对通过该方向变换镜924a进行了方向变换的脉冲激光光线进行聚光并照射到保持在卡盘工作台76上的被加工物W。这样构成的聚光器924如图7所示装配于外壳921的末端。

在构成上述激光光线照射构件92的外壳921的末端部配设有摄像构件95，该摄像构件95如图7所示对应该通过激光光线照射构件92来进行激光加工的加工区域进行检测。该摄像构件95由显微镜和CCD照相机等光学构件等构成，并将所拍摄到的图像信号输送给后述的控制构件。

参照图8继续进行说明，图示的实施方式中的激光加工装置6安装于构成激光光线照射单元9的激光光线照射构件92的外壳921，并且具有等离子检测构件96，该等离子检测构件96对由于激光光线被从激光光线照射构件92照射到保持在卡盘工作台76上的被加工物而产生的等离子进行检测。该等离子检测构件96由以下部分构成：等离子受光构件961，其用于对由于从激光光线照射构件92的聚光器924照射出的激光光线被照射到保持在卡盘工作台76上的被加工物W而产生的等离子进行受光（接收）；带通滤波器962，其使被该等离子受光构件961进行了受光（接收）的等离子光中的、与设定的物质（例如硅（si））的等离子的波长（251nm）对应的波长为245～255nm的光通过；以及光电检测器963，其对通过了该带通滤波器962的光进行受光（接收）并输出光强度信号。上述等离子受光构件961由聚光透镜961a和收纳该聚光透镜961a的透镜壳961b构成，透镜壳961b如图8所示安装于激光光线照射构件92的外壳921。像这样构成的等离子检测构件96的光电检测器963将与接收到的光的强度对应的电压信号输出给后述的控制构件。

图示的实施方式中的激光加工装置具有图9所示的控制构件10。控制构件10通过计算机构成，该控制构件10具有：中央处理装置（CPU）101，其按照控制程序进行运算处理；只读存储器（ROM）102，其用于存储控制程序等；能够读写的随机存取存储器（RAM）103，其对后述的控制图、被加工物的设计值的数据、运算结果等进行存储；输入接口104以及输出接口105。来自上述X轴方向位置检测构件774、Y轴方向位置检测构件784、摄像构件95、等离子检测构件96的光电检测器963等的检测信号被输入到控制构件10的输入接口104。并且，从控制构件10的输出接口105向上述脉冲马达772、脉冲马达782、脉冲马达832、脉冲马达932、构成激光光线照射构件92的脉冲激光光线振荡构件922的脉冲激光光线振荡器922a、重复频率设定构件922b以及输出调整构件923、显示构件100等输出控制信号。另外，随机存取存储器（RAM）103具有存储被加工物中的加工不良部位的坐标值的加工不良信息存储区域103a。

图示的实施方式中的激光加工装置6被如上所述地构成，对粘接膜分割工序进行说明，粘接膜分割工序中，使用该激光加工装置6沿着分割槽210对装配于实施了上述晶片支撑工序的半导体晶片2的背面的粘接膜（DAF）进行分割。

关于实施了晶片支撑工序且经切割带T被支撑在环状的框架F上的半导体晶片2，将切割带T侧装载到图7所示的激光加工装置6的卡盘工作台76上。然后，通过使未图示的抽吸构件工作，半导体晶片2被隔着切割带T抽吸保持在卡盘工作台76上。因此，半导体晶片2被保持为以正面为上侧。另外，环状的框架F被夹紧装置762固定。

如上所述地抽吸保持了半导体晶片2的卡盘工作台76通过加工进给构件77被定位于摄像构件95的正下方。当卡盘工作台76被定位到摄像构件95的正下方时，卡盘工作台76上的半导体晶片2处于被定位于图10所示的坐标位置的状态。该状态下，使摄像构件95工作，并且使加工进给构件77以及第一分度进给构件78工作使卡盘工作台76移动，检测出形成于半导体晶片2（保持在卡盘工作台76上）的所有分割槽210，控制构件10根据来自上述X轴方向位置检测构件774以及Y轴方向位置检测构件784的检测信号，将所有分割槽210的坐标值存储到随机存取存储器（RAM）103中（校准工序）。

接下来，如图11的（a）所示将隔着切割带T被抽吸保持在卡盘工作台76上的半导体晶片2移动到聚光器924所在的激光光线照射区域，将规定的分割槽210定位到聚光器924的正下方。接下来，控制构件10一边将控制信号输出给激光光线照射构件92，来从聚光器924向粘接膜（DAF）照射相对于粘接膜（DAF）具有吸收性的波长的脉冲激光光线，一边控制加工进给构件77以使卡盘工作台76在图11的（a）中箭头X1所示的方向以规定的加工进给速度移动。然后，在分割槽210的另一端如图11的（b）所示到达聚光器924的正下方位置之后，停止照射脉冲激光光线并且停止移动卡盘工作台76。其结果为，脉冲激光光线穿过规定的分割槽210照射到粘接膜DAF，在粘接膜DAF如图11的（c）所示沿着分割槽210形成有切断槽G（粘接膜分割工序）。

例如以如下的方式来设定上述粘接膜分割工序中的加工条件。

光源           ：LD激励Q开关Nd：YVO4脉冲激光

波长           ：355nm

重复频率       ：50kHz

平均输出       ：2W

聚光点直径     ：

加工进给速度   ：300mm/秒

在实施上述粘接膜分割工序时，当形成于半导体晶片2的分割槽210的间隙不充足，或器件22向分割槽210侧突出时，激光光线被器件22局部阻挡而产生有粘接膜（DAF）没有被切断部位。为了掌握该粘接膜（DAF）没有被切断部位，控制装置10在实施粘接膜分割工序时使上述等离子检测构件96工作。在该粘接膜分割工序中，从等离子检测构件96的光电检测器963向控制构件10输入光强度信号。在粘接膜分割工序中，当从聚光器924照射出的脉冲激光光线穿过分割槽210照射到粘接膜（DAF）时，由于脉冲激光光线照射到粘接膜（DAF）而产生的等离子光的波长是被等离子受光构件961接收但在通过带通滤波器962的245～255nm以外的波长，因此，该等离子光不能通过带通滤波器962。另一方面，当器件22向分割槽210侧突出而使脉冲激光光线照射到器件22时，由于器件22由硅形成，因此产生波长为251nm的等离子光。因此，通过等离子受光构件961被接收的波长为251nm的等离子光通过带通滤波器962而到达光电检测器963，因此，光电检测器963将与接收到的光强度对应的电压信号输送给控制构件10。控制构件10判定为从光电检测器963输送的信号是基于由硅晶片构成的器件22的等离子的信号。并且，控制构件10根据来自上述X轴方向位置检测构件774以及Y轴方向位置检测构件784的检测信号，将输出电压信号期间的坐标值作为加工不良坐标值存储到随机存取存储器（RAM）103（加工不良坐标值检测工序），其中上述电压信号与从光电检测器963接收到的光强度对应。

在粘接膜分割工序中使脉冲激光光线穿过形成于规定的方向的所有分割槽210而照射到粘接膜（DAF），在粘接膜（DAF）沿着分割槽210形成切断槽G，如上所述地实施了该粘接膜分割工序后，控制构件10使第一分度进给构件78工作，使卡盘工作台76在图7中箭头Y所示的方向移动，将相邻的分割槽210定位到聚光器924的正下方来实施上述粘接膜分割工序。在像这样实施了将脉冲激光光线穿过形成于规定的方向的分割槽210而照射到粘接膜（DAF）的粘接膜分割工序之后，实施如下的粘接膜分割工序：使卡盘工作台76转动90度，使脉冲激光光线穿过形成于与上述规定的方向垂直的方向的分割槽210而照射到粘接膜（DAF）。在像这样实施了使脉冲激光光线穿过形成于半导体晶片2的所有分割槽210而照射到粘接膜（DAF）的粘接膜分割工序时，如上所述地实施加工不良坐标值检测工序，将粘接膜（DAF）没有被切断部位的坐标值存储到随机存取存储器（RAM）103的加工不良信息存储区域103a。另外，存储于随机存取存储器（RAM）103的加工不良信息存储区域103a的、粘接膜（DAF）没有被切断部位的坐标值被作为加工不良信息显示到显示构件100。

通过在后面的工序即拾取工序中利用如上所述显示于显示构件100的作为加工不良信息的粘接膜（DAF）没有被切断部位的坐标值，能够消除如下的不良情况：不能将器件与粘接膜一起进行拾取。

另外，根据显示于显示构件100的作为加工不良信息的粘接膜（DAF）没有被切断部位的坐标值，能够对该加工不良区域的器件进行拍摄从而能够检查出加工不良的原因。

以上，根据图示的实施方式对本发明进行了说明，但是本发明并非仅限于实施方式，在本发明的宗旨范围内可以进行各种变形。例如，上述实施方式示出了这样的例子：等离子检测构件包括：等离子受光构件961，其用于对通过激光光线被照射到被加工物W而产生的等离子进行受光；带通滤波器962，其只使所设定的波长的等离子的光通过；以及光电检测器963，其对通过了该带通滤波器962的光进行受光并输出光强度信号，但是也可以使用以下的检测方法。

（1）不使用上述带通滤波器，在通过光电检测器检测出的等离子的光强度达到规定值时判定为异常。

（2）在上述（1）的方法中，由于照射出的激光的振荡波长会产生妨碍，因此将光电检测器配设到只对照射的激光的波长（例如355nm）进行阻挡的滤波器的后面来检测等离子。

（3）与照射的脉冲激光的脉冲的振荡定时错开来检测等离子。另外，在该方法中照射的激光的影响减轻，但是优选，将只对照射的激光的波长（例如355nm）进行阻挡的滤波器配设到光电检测器的前面。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，用于将在正面的通过形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且将粘接膜装配到各器件的背面，

上述晶片的加工方法的特征在于，具有：

分割槽形成工序，从晶片的正面侧沿着间隔道形成相当于器件的完成品厚度的深度的分割槽；

保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到实施了上述分割槽形成工序的晶片的正面；

晶片分割工序，对实施了上述保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削使上述分割槽在背面露出，将晶片分割成一个个器件；

晶片支撑工序，将粘接膜装配到实施了上述晶片分割工序的晶片的背面，并且将切割带粘贴到粘接膜侧，并通过环状的框架来支撑切割带的外周部，将粘贴在晶片的正面的保护部件剥离；以及

粘接膜分割工序，将粘贴有实施了上述晶片支撑工序的晶片的切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件，使激光光线从晶片的正面侧穿过上述分割槽照射到上述粘接膜，由此，沿着上述分割槽分割上述粘接膜，

在上述粘接膜分割工序中，检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出由于激光光线被照射到器件上而产生的等离子光时的坐标值进行记录。

2.一种激光加工装置，其具有：被加工物保持构件，其用于保持被加工物；激光光线照射构件，其用于对保持在上述被加工物保持构件上的被加工物照射激光光线；加工进给构件，其用于使上述被加工物保持构件与上述激光光线照射构件在加工进给方向即X轴方向相对移动；分度进给构件，其用于使上述被加工物保持构件和上述激光光线照射构件在与作为加工进给方向的X轴方向垂直的分度进给方向即Y轴方向相对移动；X轴方向位置检测构件，其用于检测上述被加工物保持构件的X轴方向位置；Y轴方向位置检测构件，其用于检测上述被加工物保持构件的Y轴方向位置；以及摄像构件，其用于对保持在上述被加工物保持构件上的晶片的待加工区域进行拍摄，

上述激光加工装置的特征在于，

上述激光加工装置具有：等离子检测构件，其用于检测由于激光光线被照射到保持于上述被加工物保持构件的被加工物上而产生的等离子光；以及控制构件，

上述控制构件具有存储器，该存储器根据来自上述等离子检测构件、上述X轴方向位置检测构件以及上述Y轴方向位置检测构件的检测信号而对由上述等离子检测构件检测出的等离子光的坐标值进行记录，当上述等离子检测构件检测出等离子光时，上述控制构件根据来自上述X轴方向位置检测构件以及上述Y轴方向位置检测构件的检测信号求出产生了等离子光的坐标值，并将产生了上述等离子光的坐标值记录到上述存储器中。