CN101261934B - 器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种器件制造方法，能在分割成的一个个器件的背面容易地安装管芯焊接用粘接膜而不使器件品质下降。该方法中，将表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件，并在各器件背面安装粘接膜，该方法包括：晶片分割工序，沿晶片分割预定线形成预定深度的分割槽后，磨削晶片背面使分割槽露出以将晶片分割成一个个器件；粘接膜安装工序，在分割成一个个器件的晶片背面安装通过照射紫外线而硬化的粘接膜；晶片支撑工序，将晶片的粘接膜侧粘贴在切割带上；粘接膜硬化工序，从晶片表面侧照射紫外线使粘接膜的与分割槽对应的区域硬化；粘接膜分割工序，沿分割槽照射激光光线将硬化的粘接膜按每个器件分割开；和拾取工序，将器件从切割带剥离并拾取。

Description

器件制造方法
技术领域
本发明涉及器件制造方法，其将晶片沿分割预定线分割成一个个器件，并且在各器件的背面安装管芯焊接用的粘接膜，其中上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中形成有器件。
背景技术
例如，在半导体器件制造工序中，在大致为圆板形状的半导体晶片的表面上，在通过形成为格子状的间隔道(分割预定线)划分而成的多个区域中，形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scaleintegration：大规模集成电路)等器件，通过将形成有该器件的各区域沿分割预定线进行分割，来制造出一个个的器件。作为分割半导体晶片的分割装置，通常使用被称为切割装置的切削装置，该切削装置用厚度为40μm左右的切削刀具对半导体晶片沿分割预定线进行切削。如此分割出的器件被封装并在移动电话和个人计算机等电气设备中广泛使用。
分割成一个一个的器件在其背面安装有由环氧树脂等形成的厚度为70～80μm的称为芯片黏着膜(ダイアタツチフイルム)的管芯焊接用的粘接膜，并隔着该粘接膜通过加热而焊接在支撑器件的管芯焊接框架上。作为在器件的背面安装管芯焊接用的粘接膜的方法，在半导体晶片的背面上粘贴粘接膜，并隔着该粘接膜将半导体晶片粘贴在切割带上，然后沿着在半导体晶片的表面上形成的分割预定线通过切削刀具将粘接膜与半导体晶片一起切断，从而形成在背面安装有粘接膜的器件。(例如，参照专利文献1。)
专利文献1：日本特开2000-182995号公报
近年来，移动电话和个人计算机等电气设备要求进一步轻量化、小型化，这就需要更薄的器件。作为更薄地分割器件的技术，称为所谓的预先切割法(DBG：Dicing Before Grinding)的分割技术正在实用化。该预先切割法是从半导体晶片的表面沿分割预定线形成预定深度(与器件的完成厚度相当的深度)的分割槽，然后对在表面形成有分割槽的半导体晶片的背面进行磨削，使分割槽在该背面露出，从而分割成一个个器件的技术，其能够将器件的厚度加工成100μm以下。
然而，在用预先切割法将半导体晶片分割成一个个器件的情况下，在从半导体晶片的表面沿分割预定线形成预定深度的分割槽后，磨削半导体晶片的背面使分割槽在该背面露出，所以无法将管芯焊接用的粘接膜提前安装到半导体晶片的背面上。因此，在将通过预先切割法制作出的器件焊接到管芯焊接框架上时，必须是在器件和管芯焊接框架之间放入粘接剂的同时进行焊接，存在不能流畅地实施焊接作业的问题。
为了消除这样的问题，提出了以下两种半导体器件的制造方法：在用预先切割法分割成一个个器件的半导体晶片的背面，安装管芯焊接用的粘接膜，并隔着该粘接膜将半导体晶片粘贴到切割带上，然后通过化学刻蚀将在各器件之间的间隙中露出的粘接膜的部分除去；以及，对于在上述各器件之间的间隙中露出的粘接膜的部分，从器件的表面侧通过上述间隙来照射激光光线，将粘接膜的在上述间隙中露出的部分除去。(例如，参照专利文献2。)
专利文献2：日本特开2002-118081号公报
然而，要照射激光光线来切断粘接膜，需要对粘接膜照射具有吸收性的波长(例如355nm)的、平均输出为2W左右的激光光线。平均输出为2W左右的激光光线的输出比较强，当照射向粘接膜时，会有碎屑飞散，存在该飞散的碎屑附着在器件的表面上导致器件的品质下降的问题。
发明内容
本发明鉴于上述事实而完成，其主要技术课题是提供一种能够在通过预先切割法分割而成的一个个器件的背面容易地安装管芯焊接用的粘接膜而不会使器件的品质下降的器件制造方法。
为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供一种器件制造方法，其是将晶片沿分割预定线分割成一个个器件、并且在各器件的背面安装管芯焊接用的粘接膜的器件制造方法，其中，上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中形成有器件，其特征在于，上述器件制造方法包括以下工序：
晶片分割工序，在从晶片的表面侧沿分割预定线形成预定深度的分割槽之后，磨削晶片的背面使上述分割槽在背面露出，从而将晶片分割成一个个器件；
粘接膜安装工序，在分割成一个个器件的晶片的背面安装通过照射紫外线而硬化的粘接膜；
晶片支撑工序，将安装有上述粘接膜的晶片的上述粘接膜侧粘贴到安装于环状框架的切割带的表面上；
粘接膜硬化工序，从粘贴在上述切割带上的晶片的表面侧照射紫外线，穿过形成在晶片上的上述分割槽将紫外线照射向上述粘接膜，从而使上述粘接膜中的与上述分割槽对应的区域硬化；
粘接膜分割工序，从晶片的表面侧沿上述分割槽对上述粘接膜照射具有吸收性的波长的激光光线，沿上述分割槽将硬化了的上述粘接膜按每个器件分割开；以及
拾取工序，将安装有按每个器件分割开的上述粘接膜的器件从上述切割带剥离并进行拾取。
优选的是：在上述拾取工序中，在将安装有粘接膜的器件从切割带剥离之前，实施使切割带扩展从而使器件之间的间隙扩大的带扩展工序。
根据本发明，在实施从晶片的表面侧沿着分割槽对粘接膜照射具有吸收性的波长的激光光线、将粘接膜按每个器件分割开的粘接膜分割工序时，粘接膜通过实施上述粘接膜硬化工序而使与分割槽对应的区域硬化，所以激光光线的吸收良好。因此，由于可通过输出弱的1W左右的激光光线来切断粘接膜，所以能够抑制碎屑的产生。此外，由于激光光线照射在粘接膜硬化了的区域上，所以粘接膜沿着照射的激光光线被可靠地切断，并沿着器件被整齐地分割。
附图说明
图1是表示作为晶片的半导体晶片的立体图。
图2是本发明的器件制造方法的晶片分割工序中的分割槽形成工序的说明图。
图3是本发明的器件制造方法的晶片分割工序中的保护部件粘贴工序的说明图。
图4是本发明的器件制造方法的晶片分割工序中的分割槽露出工序的说明图。
图5是本发明的器件制造方法中的粘接膜安装工序的说明图。
图6是本发明的器件制造方法中的晶片支撑工序的说明图。
图7是本发明的器件制造方法中的粘接膜硬化工序的说明图。
图8是用于实施本发明的器件制造方法中的粘接膜分割工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图9是本发明的器件制造方法中的粘接膜分割工序的说明图。
图10是用于实施本发明的器件制造方法中的拾取工序的拾取装置的立体图。
图11是表示本发明的器件制造方法的拾取工序中的带扩展工序的说明图。
图12是本发明的器件制造方法中的拾取工序的说明图。
标号说明
2：半导体晶片；21：分割预定线；22：器件；3：切削装置；31：切削装置的卡盘工作台；32：切削构件；321：切削刀具；4：保护部件；5：磨削装置；51：磨削装置的卡盘工作台；52：磨削磨石；53：磨削构件；6：粘接膜；7：紫外线照射器；8：激光加工装置；81：激光加工装置的卡盘工作台；82：激光光线照射构件；822：聚光器；9：拾取装置；91：基座；92：第一工作台；93：第二工作台；94：第一移动构件；95：第二移动构件；96：框架保持构件；97：带扩展构件；98：转动构件；10：检测构件；11：拾取构件；F：环状框架；T：切割带。
具体实施方式
下面参照附图来对本发明的器件制造方法的优选实施方式进行详细说明。
在图1中，表示了作为晶片的半导体晶片的立体图。图1所示的半导体晶片2例如由厚度为600μm的硅晶片构成，在表面2a上呈格子状地形成有多条分割预定线21。而且，在半导体晶片2的表面2a上，在由形成为格子状的多条分割预定线21划分而成的多个区域中形成有IC、LSI等器件22。
图1所示的半导体晶片2通过实施利用所谓的预先分割法的晶片分割工序而被分割成一个个器件22。在利用预先分割法的晶片分割工序中，首先沿在半导体晶片的表面2a上形成的分割预定线21形成预定深度(与各器件的完成厚度相当的深度)的分割槽(分割槽形成工序)。使用图2(a)所示的切削装置3来实施该分割槽形成工序。图2(a)所示的切削装置3具有：具有吸附保持构件的卡盘工作台31；具有切削刀具321的切削构件32；以及摄像构件33。在实施分割槽形成工序时，在卡盘工作台31上使半导体晶片2的表面2a朝上地载置半导体晶片2。然后，通过使未图示的吸附构件工作，将半导体晶片2保持在卡盘工作台31上。这样，吸附保持有半导体晶片2的卡盘工作台31通过未图示的切削进给机构定位于摄像构件33的正下方。
当卡盘工作台31定位于摄像构件33的正下方时，通过摄像构件33及未图示的控制构件来执行检测半导体晶片2的应形成分割槽的切削区域的对准作业。即，摄像构件33及未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，完成切削区域的对准(对准工序)，其中上述图案匹配等图像处理用于对形成在半导体晶片2的预定方向上的分割预定线21与切削刀具321进行对位。此外，对于在半导体晶片2上形成的与上述预定方向成直角地延伸的分割预定线21，也同样地完成切削区域的对准。
在这样进行保持在卡盘工作台31上的半导体晶片2的切削区域的对准之后，使保持有半导体晶片2的卡盘工作台31移动到切削区域的切削开始位置。然后，使切削刀具321向图2(a)中箭头321a所示的方向旋转，并同时向下方移动实施预定量的切入进给。该切入进给位置设定为切削刀具321的外周缘自半导体晶片2的表面起相当于器件的完成厚度的深度位置(例如，110μm)。在这样实施了切削刀具321的切入进给之后，使切削刀具321旋转并同时对卡盘工作台31在图2(a)中箭头X所示的方向上进行切削进给，从而如图2(b)所示沿分割预定线21形成了深度(例如，110μm)相当于器件的完成厚度的分割槽210(分割槽形成工序)。沿在半导体晶片2上形成的全部分割预定线21实施该分割槽形成工序。
在通过上述分割槽形成工序在半导体晶片2的表面2a上沿分割预定线21形成了预定深度的分割槽210之后，如图3(a)和(b)所示在半导体晶片2的表面2a(形成有器件22的面)上粘贴磨削用的保护部件4(保护部件粘贴工序)。再有，保护部件4在图示实施方式中使用厚度为150μm的聚烯烃片。
接着，对在表面上粘贴有保护部件4的半导体晶片2的背面2b进行磨削，使分割槽210在背面2b露出，从而分割成一个个器件(分割槽露出工序)。该分割槽露出工序如图4(a)所示那样利用具有卡盘工作台51和磨削构件53的磨削装置5来进行，磨削构件53具有磨削磨石52。即，在卡盘工作台51上保持半导体晶片2使其背面2b朝上，例如，在使卡盘工作台51向箭头51a所示的方向以300rpm旋转的同时，使磨削构件53的磨削磨石52向箭头52a所示的方向以6000rpm转动，并通过与半导体晶片2的背面2b接触来进行磨削，如图4(b)所示那样磨削到分割槽210露出到背面2b。通过这样磨削到分割槽210露出，如图4(c)所示，半导体晶片2分割成一个个器件22。再有，分割而成的多个器件22在其表面上由于粘贴有保护部件4，所以不会散乱而保持半导体晶片2的形态。
在通过实施利用上述预先切割法的晶片分割工序来将半导体晶片2分割成一个个器件22之后，实施粘接膜安装工序，在该粘接膜安装工序中，在分割成一个个器件22的半导体晶片2的背面2b安装通过照射紫外线而硬化的管芯焊接用的粘接膜。即，如图5(a)和(b)所示那样将粘接膜6安装在分割成一个个器件22的半导体晶片2的背面2b上。此时，如上所述，在80～200℃的温度下进行加热，并同时将粘接膜6按压粘贴到半导体晶片2的背面2b上。再有，作为通过照射紫外线而硬化的粘接膜，可使用例如日本特开平2-32181号公报所公开的粘接膜。
在如上述那样实施了粘接膜安装工序之后，如图6所示那样实施晶片支撑工序，在该晶片支撑工序中，将安装有粘接膜6的半导体晶片2的粘接膜6侧粘贴到安装于环状框架F上的切割带T的表面上。然后，将粘贴在半导体晶片2的表面2a上的保护部件4剥离(保护部件剥离工序)。再有，在使用在切割带的表面上预先粘贴有粘接膜的带粘接膜的切割带的情况下，在通过实施上述的晶片分割工序而分割成了一个个器件22的半导体晶片2的背面2b上，安装粘贴在切割带表面上的粘接膜。然后，实施上述保护部件剥离工序。
接下来，实施粘接膜硬化工序，在该粘接膜硬化工序中，切割带T安装在环状框架F上，通过从粘贴在切割带T上的半导体晶片2的表面2a侧照射紫外线，穿过形成在半导体晶片2上的分割槽210向粘接膜6照射紫外线，来使粘接膜6中的与分割槽210对应的区域硬化。即，如图7(a)所示那样利用紫外线照射器7从安装于环状框架F上的切割带T上所粘贴的半导体晶片2的表面2a侧照射紫外线。再有，紫外线照射器7具有金属卤化物灯，照射5秒钟的、波长为365nm、辉度为40mW/cm2、照度为200mJ/cm2的紫外线。其结果为，穿过在半导体晶片2上形成的分割槽210来向粘接膜6照射紫外线，如图7(b)所示，粘接膜6中的与分割槽210对应的区域6a硬化。
再有，粘接膜硬化工序也可穿过分割槽210向粘接膜6照射具有紫外线区域的波长的激光光线，来使粘接膜6中的与分割槽210对应的区域6a硬化。
在实施上述的粘接膜硬化工序之后，实施粘接膜分割工序，在该粘接膜分割工序中，从半导体晶片2的表面2b侧沿分割槽210对粘接膜6照射具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割槽210将硬化了的粘接膜6按照每个器件分割开。该粘接膜分割工序使用图8所示的激光加工装置8来实施。图8所示的激光加工装置8具有：保持被加工物的卡盘工作台81；向保持在该卡盘工作台81上的被加工物照射激光光线的激光光线照射构件82；以及对保持在卡盘工作台81上的被加工物进行摄像的摄像构件83。卡盘工作台81构成为吸附保持被加工物，其通过未图示的移动机构在图8中在箭头X所示的加工进给方向和箭头Y所示的分度进给方向上移动。
上述激光光线照射构件62包括实质上水平配置的圆筒形状的壳体821。在壳体821内配置了脉冲激光光线振荡构件，该脉冲激光光线振荡构件具有由未图示的YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光光线振荡器和重复频率设定构件。在上述壳体821的前端部，安装有聚光器822，该聚光器822用于对从脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行会聚。摄像构件83安装在构成激光光线照射构件82的壳体821的前端部，该摄像构件83在图示实施方式中由利用可视光线进行摄像的普通摄像元件(CCD：Charge-Coupled Device，电荷耦合器件)等构成，摄像构件83将摄像得到的图像信号发送给未图示的控制构件。
在使用上述激光加工装置8来实施上述粘接膜分割工序时，首先在上述图8所示的激光加工装置8的卡盘工作台81上载置粘贴了半导体晶片2的粘接膜6侧的切割带T。然后，通过使未图示的吸附构件工作，来隔着切割带T将半导体晶片2保持在卡盘工作台81上。再有，虽然在图8中省略了安装有切割带T的环状框架F来进行表示，但环状框架F由配设在卡盘工作台81上的适当的框架保持构件保持。吸附保持有半导体晶片2的卡盘工作台81通过未图示的移动机构而定位到摄像构件83的正下方。
当卡盘工作台81定位于摄像构件83的正下方时，通过摄像构件83和未图示的控制构件来执行检测半导体晶片2的应进行激光加工的加工区域的对准作业。即，摄像构件83和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，完成激光光线照射位置的对准(对准工序)，其中上述图案匹配等图像处理用于对沿着分割预定线21形成的分割槽210和沿着分割槽210照射激光光线的激光光线照射构件82的聚光器822进行对位，上述分割预定线21形成在晶片2的预定方向上。此外，对于沿着半导体晶片2上形成的与上述预定方向成直角地延伸的分割预定线21而形成的分割槽210，也同样地完成激光光线照射位置的对准。
如上述那样检测沿着分割预定线21形成的分割槽210来进行激光光线照射位置的对准，其中上述分割预定线21形成在保持于卡盘工作台81的半导体晶片2上，之后，如图9(a)所示那样使卡盘工作台81向照射激光光线的激光光线照射构件的聚光器822所处的激光光线照射区域移动，并使预定的分割槽210的一端(图9(a)中的左端)定位于聚光器822的正下方。然后，从聚光器822穿过在半导体晶片2上形成的分割槽210将脉冲激光光线照射向粘接膜6，并同时使卡盘工作台81向图9(a)中箭头X1所示的方向以预定的进给速度移动，在分割槽230的另一端(图9(a)中的右端)到达聚光器822的照射位置之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台81的移动。此时，从激光光线照射构件82的聚光器822照射出的脉冲激光光线在图示实施方式中，使聚光点P(形成聚光光斑直径的点)对准粘接膜6的上表面而照射。再有，该激光光线的波长设定为被构成粘接膜6的、混合了环氧系树脂和丙烯酸系树脂的膜材料吸收的355nm。其结果为，如图9(b)所示，粘接膜6通过激光光线的能量而沿分割槽210形成了激光加工槽60，从而按照一个个器件22的每个分割开。
再有，上述粘接膜分割工序中的加工条件例如如下述那样设定。
激光光线的种类：LD激励Q开关YAG激光器
波长：355nm
重复频率：100kHz
平均输出：1W
聚光光斑直径：
Figure 200810082925X_0
15μm
加工进给速度：100mm/秒
这样，通过对沿着在半导体晶片2上形成的所有分割预定线21而形成的分割槽210实施上述粘接膜分割工序，粘接膜6按照一个个器件22的每个被分割开。在实施该粘接膜分割工序时，粘接膜6通过实施上述粘接膜硬化工序，与分割槽210对应的区域6a如上述那样被紫外线照射而硬化，所以不会为了使与分割槽210对应的区域6a硬化而使用激光光线，激光光线是为了烧蚀而使用，所以吸收良好。因此，由于能够利用输出弱的1W左右的激光光线来切断粘接膜6，所以能够抑制碎屑的产生。此外，由于向粘接膜6硬化的区域6a来照射激光光线，所以粘接膜6沿着所照射的激光光线被可靠地切断，从而沿器件22被整齐地分割。
在实施了上述的粘接膜分割工序之后，实施拾取工序，在该拾取工序中，将安装有按照每个器件22分割开的粘接膜6的器件22从切割带T剥离并进行拾取。该拾取工序使用图10所示的拾取装置来实施。图10所示的拾取装置9具有：基座91；第一工作台92，其可在箭头Y所示的方向上移动地配设在该基座91上；以及第二工作台93，其可在与箭头Y正交的箭头X所示的方向上移动地配设在该第一工作台92上。基座91形成为矩形形状，在其两侧部上表面，在箭头Y所示的方向上相互平行地配设有两个导轨911、912。再有，在两个导轨中的一个导轨911上，在其上表面形成有截面为V字状的导引槽911a。
上述第一工作台92形成为在中央部具有矩形形状的开口921的窗框状。在该第一工作台92的一个侧部下表面，设有被引导轨922，该被引导轨922可滑动地与导引槽911a配合，该导引槽911a形成在设置于上述基座91上的一个导轨911上。此外，在第一工作台92的两侧部上表面，在与上述被引导轨922正交的方向上相互平行地配设有两个导轨923、924。再有，在两个导轨中的一个导轨923上，在其上表面形成有截面为V字状的导引槽923a。这样构成的第一工作台92，使被引导轨922与导引槽911a配合，该导引槽911a形成在设置于基座91的一个导轨911上，并且第一工作台92将另一侧部下表面载置于设置在基座91上的另一导轨912上。图示实施方式中的拾取装置9具有使第一工作台92沿设置在基座91上的导轨911、912在箭头Y所示方向上移动的第一移动构件94。
上述第二工作台93形成为矩形形状，在一个侧部下表面设有被引导轨932，该被引导轨932可滑动地与导引槽923a配合，该导引槽923a形成在设置于上述第一工作台92上的一个导轨923上。这样构成的第二工作台93，使被引导轨932与导引槽923a配合，该导引槽923a形成在设置于第一工作台92的一个导轨923上，并且第二工作台93将另一侧部下表面载置于设置在第一工作台92上的另一导轨924上。图示实施方式中的拾取装置9具有使第二工作台93沿设置在第一工作台92上的导轨923、924在箭头X所示的方向上移动的第二移动构件95。
图示实施方式中的拾取装置9具有：保持上述环状框架F的框架保持构件96；和使安装在保持于上述框架保持构件96的环状框架F上的切割带T扩展的带扩展构件97。框架保持构件96由环状的框架保持部件961和在该框架保持部件961的外周配设的作为固定构件的多个夹紧器962构成。框架保持部件961的上表面形成载置环状框架F的载置面961a，在该载置面961a上载置环状框架F。然后，载置在载置面961a上的环状框架F通过夹紧器962固定在框架保持部件961上。这样构成的框架保持构件96配设于第二工作台93的上方，并由后述的带扩展构件97在上下方向上可进退地支撑。
带扩展构件97具有配设在上述环状框架保持部件961的内侧的扩展轮970。该扩展轮970具有：比环状框架F的内径小、且比在安装于该环状框架F上的切割带T上所粘贴的半导体晶片2的外径大的内径和外径。此外，扩展轮970在下端部具有与设于上述第二工作台93的孔(未图示)的内周面可转动地配合的安装部，并且在该安装部的上侧外周面具有在径向上突出形成的支撑凸缘971。图示实施方式的带扩展构件97具有使上述环状框架保持部件961可在上下方向上进退的支撑构件972。该支撑构件972由在上述支撑凸缘971上配设的多个空气缸973构成，其活塞杆974与上述环状的框架保持部件961的下表面连接。如此般由多个空气缸973构成的支撑构件972有选择地向基准位置和扩展位置移动，在上述基准位置，如图10和图11(a)所示，环状框架保持部件961的载置面961a与扩展轮970的上端为大致相同的高度，在上述扩展位置，如图11(b)所示，环状框架保持部件961的载置面961a从扩展轮970的上端在图中向下方离开预定量。
图示实施方式中的拾取装置9如图10所示具有使上述扩展轮970和框架保持部件961转动的转动构件98。该转动构件98由以下部件构成：配设在上述第二工作台93上的脉冲电动机981；安装在该脉冲电动机981的旋转轴上的滑轮982；以及卷绕在该滑轮982和扩展轮970的支撑凸缘971上的环状带983。通过驱动脉冲电动机981，这样构成的转动构件98通过滑轮982和环状带983使扩展轮970转动。
图示实施方式中的拾取装置9具有检测构件10，该检测构件10用于检测半导体晶片2的分割成一个一个的器件22，上述半导体晶片2通过切割带T支撑于在上述环状框架保持部件961上保持的环状框架F上。检测构件10安装在配置于基座91的L字状的支撑柱101上。该检测构件10由光学系统及摄像元件(CCD)等构成，其对通过切割带T支撑在保持于上述环状框架保持部件961的环状框架F上的半导体晶片2的、分割成一个一个的器件22进行摄像，并将其转换为电信号发送至未图示的控制构件。
此外，图示实施方式中的拾取装置9具有从切割带T上拾取分割成一个一个的器件22的拾取构件11。该拾取构件11由在基座91上配设的回转臂111和安装在该回转臂111的前端的拾取夹头112构成，回转臂111通过未图示的驱动构件而回转。再有，回转臂111构成为可上下活动，安装在前端的拾取夹头112能够拾取在切割带T上粘贴的分割成一个一个的器件22。
图示实施方式中的拾取装置9如上述那样构成，主要参照图11及图12来对使用该拾取装置9实施的拾取工序进行说明。
将通过切割带T支撑有实施了上述粘接膜分割工序并在背面安装有粘接膜6的一个个器件22的环状框架F，如图11(a)所示那样载置在构成框架保持构件96的框架保持部件961的载置面961a上，并通过夹紧器962固定在框架保持部件961上(框架保持工序)。此时，框架保持部件961定位在图11(a)所示的基准位置上。
在如图11(a)所示那样定位于基准位置的框架保持部件961上，固定了通过切割带T支撑有在背面安装了粘接膜6的一个个器件22的环状框架F之后，使作为构成带扩展构件97的支撑构件972的多个空气缸973工作，使环状框架保持部件961下降到图11(b)所示的扩展位置。因此，由于固定在框架保持部件961的载置面961a上的环状框架F也下降，所以如图11(b)所示，安装在环状框架F上的切割带T与扩展轮970的上端缘抵接并扩展(带扩展工序)。其结果为，由于在粘贴于切割带T的粘接膜6上呈放射状地作用拉伸力，所以粘接膜6在上述粘接膜分割工序中没有沿一个个器件22完全切断的情况下，通过实施该带扩展工序而沿着一个个器件22被完全切断。而且，安装有粘接膜6的一个个器件22之间的间隙S变大。
在如上述那样实施带扩展工序之后，使第一移动构件94和第二移动构件95工作，使第一工作台92向箭头Y所示的方向(参照图10)移动，并且使第二工作台93向箭头X所示的方向(参照图10)移动，使一个个器件22定位于检测构件10的正下方，其中所述一个个器件22通过粘接膜6粘贴在切割带T上，所述切割带T安装在保持于框架保持部件961的环状框架F上。然后，使检测构件10工作，并确认一个个器件22之间的间隙是否与箭头Y所示的方向或箭头X所示的方向一致。如果一个个器件22之间的间隙与箭头Y所示的方向或箭头X所示的方向偏离，则使转动构件98工作使框架保持构件96转动以使其一致。接下来，使第一工作台92向箭头Y所示的方向(参照图10)移动，并且使第二工作台93向箭头X所示的方向(参照图10)移动，同时如图12所示使拾取构件11工作通过拾取夹头112来吸附定位于预定位置上的器件22(在背面安装有粘接膜6)，从切割带T进行剥离并拾取(拾取工序)，并搬送至未图示的托盘或管芯焊接工序。在该拾取工序中，如上所述由于安装有粘接膜6的一个个器件22之间的间隙S变大，所以能够不与相邻的器件22接触地容易地进行拾取。

Claims (2)

1. 一种器件制造方法，其是将晶片沿分割预定线分割成一个个器件、并且在各器件的背面安装管芯焊接用的粘接膜的器件制造方法，其中，上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中形成有器件，其特征在于，上述器件制造方法包括以下工序：
晶片分割工序，在从晶片的表面侧沿分割预定线形成预定深度的分割槽之后，磨削晶片的背面使上述分割槽在背面露出，从而将晶片分割成一个个器件；
粘接膜安装工序，在分割成一个个器件的晶片的背面安装通过照射紫外线而硬化的粘接膜；
晶片支撑工序，将安装有上述粘接膜的晶片的上述粘接膜侧粘贴到安装于环状框架的切割带的表面上；
粘接膜硬化工序，从粘贴在上述切割带上的晶片的表面侧照射紫外线，穿过形成在晶片上的上述分割槽将紫外线照射向上述粘接膜，从而使上述粘接膜中的与上述分割槽对应的区域硬化；
粘接膜分割工序，从晶片的表面侧沿上述分割槽对上述粘接膜照射具有吸收性的波长的激光光线，沿上述分割槽将硬化了的上述粘接膜按每个器件分割开；以及
拾取工序，将安装有按每个器件分割开的上述粘接膜的器件从上述切割带剥离并进行拾取。
2. 根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于，
在上述拾取工序中，在将安装有上述粘接膜的器件从切割带剥离之前，实施使切割带扩展从而使器件之间的间隙扩大的带扩展工序。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235650A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP5155030B2 (ja) * 2008-06-13 2013-02-27 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの分割方法
FR2943176B1 (fr) * 2009-03-10 2011-08-05 3D Plus Procede de positionnement des puces lors de la fabrication d'une plaque reconstituee
US8609512B2 (en) * 2009-03-27 2013-12-17 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates
JP2011077429A (ja) * 2009-10-01 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd ワーク分割方法
JP5993845B2 (ja) 2010-06-08 2016-09-14 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆
CN101882586B (zh) * 2010-07-21 2013-03-20 中山市汉仁电子有限公司 一种集成电路芯片的贴装方法
JP2012069747A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Teramikros Inc 半導体装置およびその製造方法
JP2014511560A (ja) 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるダイシングテープ上のアンダーフィル膜
JP2014511559A (ja) 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるアンダーフィル膜
JP5582314B2 (ja) * 2011-10-11 2014-09-03 Ｔｄｋ株式会社 チップ部品支持装置及びその製造方法
JP6029307B2 (ja) * 2012-04-05 2016-11-24 株式会社ディスコ 加工方法
JP2014003156A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
US8969177B2 (en) * 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
JP6211884B2 (ja) * 2013-10-10 2017-10-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US8993412B1 (en) * 2013-12-05 2015-03-31 Texas Instruments Incorporated Method for reducing backside die damage during die separation process
DE102015100827B4 (de) * 2015-01-21 2024-10-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats
JP6519077B2 (ja) * 2015-05-25 2019-05-29 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2017147361A (ja) * 2016-02-18 2017-08-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6887313B2 (ja) * 2017-05-31 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019075504A (ja) * 2017-10-18 2019-05-16 株式会社ディスコ ウェーハ及び接着フィルムの分割方法
JP7281873B2 (ja) 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7166718B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-08 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7164411B2 (ja) * 2018-11-15 2022-11-01 株式会社ディスコ 積層体の加工方法
CN109801863B (zh) * 2019-01-17 2021-04-06 广州兴森快捷电路科技有限公司 用于加工封装基板内槽的治具及加工方法
JP7431545B2 (ja) * 2019-09-19 2024-02-15 株式会社ディスコ ピックアップ方法、ピックアップ装置、及び、試験装置
JP2023046922A (ja) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社ディスコ 板状物の加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574235A (zh) * 2003-06-24 2005-02-02 株式会社迪斯科 用于制造半导体芯片的方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000182995A (ja) 1998-12-14 2000-06-30 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4109823B2 (ja) * 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP4664005B2 (ja) * 2004-05-11 2011-04-06 リンテック株式会社 接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP4923398B2 (ja) * 2004-09-21 2012-04-25 日立化成工業株式会社 接着剤層付き半導体素子の製造方法
JP4690697B2 (ja) * 2004-11-01 2011-06-01 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法
JP2006222142A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Renesas Technology Corp 半導体素子の製造方法
JP4630689B2 (ja) * 2005-03-01 2011-02-09 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2006245209A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
JP4630692B2 (ja) * 2005-03-07 2011-02-09 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2006332078A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP2008235650A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574235A (zh) * 2003-06-24 2005-02-02 株式会社迪斯科 用于制造半导体芯片的方法

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