CN103887443A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个方式抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极；第二下部电极；隔壁；导电性高的层；发光层；以及上部电极，其中，导电性高的层的导电性高于发光层且低于第一下部电极及上部电极的每一个，隔壁具有位于第一下部电极一侧的第一斜面及位于第二下部电极一侧的第二斜面，关于位于第一斜面上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度与位于第二斜面上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有单元件或串联元件的发光装置及其制造方法。
背景技术
有机EL（Electro Luminescence：电致发光）显示器的商品化日益加速。为了使显示器能够承受在室外的使用，对显示器亮度的要求也逐年增高。另一方面，已知有机EL元件的发光亮度与电流成正比地变高且可以以高亮度发光。
但是，施加大电流会加快有机EL元件的劣化。所以，如果能够以小电流实现高亮度，就可以延长发光元件的使用寿命。于是，作为能够以小电流实现高亮度的发光元件，已提出了层叠有多个EL层的串联元件（例如，参照专利文献1）。
另外，作为有机EL元件，可以举出：在两个电极（阴极与阳极）之间具有一个包括发光层的EL层的单元件；以及在两个电极之间通过中间层层叠有两层以上的EL层的串联元件。通过在串联元件中采用层叠n个EL层的结构，可以在不使电流密度上升的状态下实现n倍的亮度。
在本说明书等中，发光层是指包含发光有机化合物的层。发光层既可以以按每个元件分离为岛状的方式形成，又可以以在多个元件中共同的方式形成。另外，电极包括下部电极、上部电极、阳极及阴极。EL层至少包括发光层，除了发光层之外，还可以适当地与空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等组合。另外，中间层包括电子注入缓冲层、电子中继层、电荷产生层。
注意，后面说明的导电性高的层是指其导电性高于发光层且低于电极的层。导电性高的层包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层及中间层。导电性高的层的材料包括有机化合物和金属氧化物的混合材料或导电高分子材料等。如此，在EL层中，包括导电性高的层和以发光层为代表的导电性低的层。
另外，中间层所具有的电子注入缓冲层也可具有极薄的厚度。此外，电子注入缓冲层的材料也可以存在于与电子注入缓冲层接触的EL层的一部分。
在包括形成有导电性高的载流子注入层（电子注入层及空穴注入层）、载流子传输层（电子传输层及空穴传输层）及中间层的单元件或串联元件的显示器中，存在串扰现象的问题。串扰现象是指，电流泄漏到隔着EL元件的导电性高的层相邻的像素的EL元件而导致发光的现象。随着显示器的高清晰化而后面说明的设置在EL元件彼此之间的隔壁的幅度减少，由此该串扰现象成为更深刻的问题。
尤其是，在串联元件中，隔着中间层层叠有多个EL层，并且，为了使驱动电压低电压化，在很多情况下使用有机化合物和金属氧化物的混合层或包含导电高分子等的导电性高的载流子注入层，因此在结构上包括导电性高的层及导电性低的层。另外，与单元件相比，在串联元件中，阳极与阴极之间的电阻高，而电流容易经过导电性高的层扩散到相邻的像素。
另外，存在串扰现象的问题的元件不局限于串联元件。即使使用单元件，如果在EL元件中设置有载流子注入层及载流子传输层等导电性高的层，则电流泄漏到相邻的像素，由此也可能导致串扰现象。
根据元件结构和泄漏发生的地方，串扰现象的原因至少可以考虑下述模式。
1．单元件的载流子注入层及载流子传输层的泄漏
2．串联元件的中间层的泄漏
3．串联元件的载流子注入层及载流子传输层的泄漏
无论载流子注入层及载流子传输层是空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任何一个，比发光层更近于下部电极一侧的泄漏都成为问题。
<1．单元件的载流子注入层及载流子传输层的泄漏>
图8是用来说明如下情况的示意图：由于导电性高的载流子注入层及载流子传输层导致的电流泄漏，在单元件中产生串扰现象，使相邻的像素发光的情况。图8是示出如下情况的截面图：在发射呈现红色（R）的光的红色单元件、发射呈现绿色（G）的光的绿色单元件及发射呈现蓝色（B）的光的蓝色单元件被设置为三个条状的发光面板中，只驱动绿色单元件。另外，除了条状之外，在马赛克状、三角形状等的排列中也可能产生串扰现象。
发光面板包括以彼此相邻的方式设置的红色单元件、绿色单元件及蓝色单元件。红色单元件设置在上部电极81与第一下部电极82之间。绿色单元件设置在上部电极81与第二下部电极83之间。蓝色单元件设置在上部电极81与第三下部电极84之间。
在红色单元件、绿色单元件及蓝色单元件的每一个中，依次层叠有空穴注入/传输层90、发光层91及电子传输/注入层92。
在使用具有透光性的上部电极81的情况下，可以在上部电极81上设置对置玻璃衬底88，并且将具有反射性的电极用作下部电极。虽然未图示，但是对置玻璃衬底88可以具有红色滤色片、绿色滤色片、蓝色滤色片。红色滤色片与第一下部电极82重叠，绿色滤色片与第二下部电极83重叠，蓝色滤色片与第三下部电极84重叠。
在上述发光面板中，当对第二下部电极83与上部电极81之间施加电压而只驱动绿色单元件时，有时电流泄漏到隔着导电性高的空穴注入/传输层90相邻的红色单元件或蓝色单元件，发光红色行（红色单元件）或蓝色行（蓝色单元件）而产生串扰现象。另外，电子按箭头93所示那样流过，空穴按箭头94所示那样流过。
<2．串联元件的中间层的泄漏>
图9是用来说明由于导电性高的中间层86的电流泄漏导致串联元件中的串扰现象发生而相邻的像素发光的示意图，并且是示出在发射呈现白色的光的串联元件被设置为三个条状的发光面板（白色面板）中，仅驱动第二串联元件时的状况的截面图。
发光面板具有被彼此相邻地配置的第一至第三串联元件。第一串联元件配置在上部电极81和第一下部电极82之间。第二串联元件配置在上部电极81和第二下部电极83之间。第三串联元件配置在上部电极81和第三下部电极84之间。
在第一至第三串联元件中分别依次层叠有第一EL层85、中间层86和第二EL层87。例如，在采用如下结构时，可以获得呈现白色的发光。该结构为：第一EL层85具有发射呈现蓝色的光的发光层且第二EL层87具有发射呈现绿色的光的发光层和发射呈现红色的光的发光层。
在采用具有透光性的上部电极81的情况下，可以在上部电极81上配置对置玻璃衬底88，可以将具有反射性的电极用于下部电极。对置玻璃衬底88具有未图示的蓝色滤光片、红色滤光片和绿色滤光片。红色滤光片重叠于第一下部电极82，蓝色滤光片重叠于第二下部电极83，绿色滤光片重叠于第三下部电极84。
在上述发光面板中对第二下部电极83和上部电极81施加电压并仅驱动蓝色行（第二串联元件）时，电流有时泄漏到隔着导电性高的中间层86相邻的第一串联元件或第三串联元件，从而使红色行（第一串联元件）或绿色行（第三串联元件）发光而产生串扰现象。
<3．串联元件的载流子注入层及载流子传输层的泄漏>
图10是用来说明由于导电性高的载流子注入层及载流子传输层（空穴注入层及空穴传输层）89的电流泄漏导致串联元件中的串扰现象发生而相邻的像素发光的示意图，并且是示出在发光面板（白色面板）中仅驱动蓝色行（第二串联元件）时的状况的图。
在第一至第三串联元件中分别依次层叠有含有导电性高的载流子注入层及载流子传输层89的第一EL层85、中间层86和第二EL层87。
另外，在串联元件中，有时同时产生导电性高的中间层86、载流子注入层及载流子传输层89、其他导电性高的层中的对相邻的像素的电流泄漏。
以下，对抑制串扰现象的发生的现有技术进行说明。
<现有技术1（参照专利文献2）>
图11是示意性地示出现有技术1的发光装置的截面图。在衬底70上形成有第一至第三下部电极82至84，在第一至第三下部电极82至84彼此之间形成有隔壁72。在隔壁72及第一至第三下部电极82至84上通过蒸镀法形成有包括导电性高的层及发光层的EL层71。在EL层71上形成有上部电极81。
在上述现有技术1中，通过增大隔壁72的斜面74的倾斜角，减薄通过蒸镀法形成在斜面74上的EL层71的厚度，由此减薄EL层71所包括的导电性高的层的厚度。就是说，与形成在第一至第三下部电极82至84上的EL层71所包括的导电性高的层的厚度，减薄形成在斜面74上的EL层71所包括的导电性高的层的厚度。由此，与形成在第一至第三下部电极82至84上的EL层71所包括的导电性高的层的电阻相比，可以增大形成在隔壁72的斜面74上的EL层71所包括的导电性高的层的电阻。其结果，可以防止电流泄漏到隔着形成在隔壁72上的导电性高的层相邻的发光元件，而可以抑制串扰现象的发生。
但是，如果增大隔壁72的斜面74的倾斜角，则形成在斜面74上的上部电极81也减薄而有时产生断开或膜的高电阻化，可能产生发光不良。
<现有技术2（参照专利文献3）>
图12是示意性地示出现有技术2的发光装置的截面图。在衬底70上形成有第一至第三下部电极82至84，在第一至第三下部电极82至84彼此之间形成有隔壁72。在第一至第三下部电极82至84上形成有层叠有导电性高的层及发光层的EL层71。在隔壁72上不形成EL层71。在隔壁72及EL层71上形成有上部电极81。
在上述现有技术2中，在隔壁72上不形成EL层71，因此电流不泄漏到隔着形成在隔壁72上的导电性高的层相邻的发光元件，其结果，可以防止串扰现象的发生。
但是，为了在隔壁72上不形成EL层71，通过使用掩模的蒸镀法或喷墨法等，需要在第一至第三下部电极82至84上选择性地形成EL层71。因此，在蒸镀法中，当制造需要高清晰面板时需要高价的高清晰掩模，有制造成本增高的缺点。另外，在喷墨法中，难以控制撞击位置，有成品率降低的缺点。
[专利文献1] 日本专利申请公开2008-234885号公报；
[专利文献2] 日本专利申请公开2009-277590号公报；
[专利文献3] 日本专利申请公开2006-302870号公报。
发明内容
本发明的一个方式的课题是抑制包括串联元件或单元件的发光装置的串扰现象的发生。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极及第二下部电极；形成在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；相比所述第一下部电极、所述隔壁及所述第二下部电极形成于上层的上部电极；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述第二下部电极与所述上部电极之间的导电性高的层及发光层，其中，所述导电性高的层的导电性高于所述发光层且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极及所述上部电极的每一个，所述隔壁具有位于所述第一下部电极一侧的第一斜面及位于所述第二下部电极一侧的第二斜面，并且，关于夹在所述第一下部电极、所述隔壁、所述第二下部电极与所述上部电极之间的所述导电性高的层及发光层的总厚度，垂直于所述第一斜面的方向上的总厚度与垂直于所述第二斜面的方向上的总厚度不同。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，所述斜面的总厚度中的总厚度薄的斜面的总厚度薄于垂直于所述第一下部电极、所述第二下部电极的方向上的总厚度，总厚度厚的斜面的总厚度厚于垂直于所述第一下部电极、所述第二下部电极的方向上的总厚度。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：具有第一下部电极、导电性高的层、发光层和上部电极的第一发光元件；以及具有第二下部电极、所述导电性高的层、发光层和所述上部电极的第二发光元件，其中，包括：形成在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述第一下部电极、所述隔壁及所述第二下部电极的每一个上的所述导电性高的层；位于所述第一下部电极上且相比所述导电性高的层形成于上层的所述第一发光元件的所述发光层；位于所述第二下部电极上且相比所述导电性高的层形成于上层的所述第二发光元件的所述发光层；以及相比所述第一发光元件的发光层、所述导电性高的层及所述第二发光元件的发光层形成于上层的所述上部电极，所述导电性高的层的导电性高于所述第一发光元件的发光层及所述第二发光元件的发光层的每一个且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极及所述上部电极的每一个，所述隔壁具有位于所述第一下部电极一侧的第一斜面及位于所述第二下部电极一侧的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度与位于所述第二斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极及第二下部电极；形成在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；相比所述第一下部电极、所述隔壁及所述第二下部电极的每一个形成于上层的第一发光层；相比所述第一发光层形成于上层的导电性高的层；相比所述导电性高的层形成于上层的第二发光层；以及相比所述第二发光层形成于上层的上部电极，其中，所述导电性高的层的导电性高于所述第一发光层及所述第二发光层的每一个且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极及所述上部电极的每一个，所述隔壁具有位于所述第一下部电极一侧的第一斜面及位于所述第二下部电极一侧的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度与位于所述第二斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极及第二下部电极；形成在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述第一下部电极、所述隔壁及所述第二下部电极的每一个上的第一导电性高的层；相比于所述第一导电性高的层形成于上层的第一发光层；相比所述第一发光层形成于上层的第二导电性高的层；相比所述第二导电性高的层形成于上层的第二发光层；以及相比所述第二发光层形成于上层的上部电极，其中，所述第一导电性高的层及所述第二导电性高的层的导电性高于所述第一发光层及所述第二发光层的每一个且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极及所述上部电极的每一个，所述隔壁具有位于所述第一下部电极一侧的第一斜面及位于所述第二下部电极一侧的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述第一导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度与位于所述第二斜面上的所述第一导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，位于所述第一斜面上的所述第二导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度与位于所述第二斜面上的所述第二导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，位于所述第一斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度为厚的一方的厚度的2分之1以下。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，位于所述第一斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度为位于所述第一下部电极上的所述导电性高的层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度的2分之1以下。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，位于所述第一斜面上的所述第一导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第一导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度为厚的一方的厚度的2分之1以下。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，位于所述第一斜面上的所述第一导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第一导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度为位于所述第一下部电极上的所述第一导电性高的层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度的2分之1以下。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，位于所述第一斜面上的所述第二导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第二导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度为厚的一方的厚度的2分之1以下。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，位于所述第一斜面上的所述第二导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度及位于所述第二斜面上的所述第二导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度中的薄的一方的厚度为位于所述第一下部电极上的所述第二导电性高的层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度的2分之1以下。
另外，所述第一发光元件的发光层所发射的光的颜色优选与所述第二发光元件的发光层所发射的光的颜色不同。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，将发射呈现第一颜色的光的多个所述第一发光元件配置为直线状，将发射呈现第二颜色的光的多个所述第二发光元件配置为直线状，所述多个第一发光元件的每一个具有所述第一发光元件的发光层，所述多个第二发光元件的每一个具有所述第二发光元件的发光层，在所述多个第一发光元件的每一个与所述多个第二发光元件的每一个之间配置有所述隔壁。
此外，在本发明的一个方式中，优选包括形成在所述上部电极的滤色片，所述滤色片包括与所述第一下部电极重叠的具有第一颜色的区域以及与所述第二下部电极重叠的具有第二颜色的区域，并且所述第一颜色与所述第二颜色不同。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是，将发射呈现第一颜色的光的多个第一发光元件配置为直线状，将发射呈现第二颜色的光的多个第二发光元件配置为直线状，所述多个第一发光元件的每一个具有位于所述第一下部电极与所述上部电极之间的所述第一发光层及所述第二发光层，所述多个第二发光元件的每一个具有位于所述第二下部电极与所述上部电极之间的所述第一发光层及所述第二发光层，在所述多个第一发光元件的每一个与所述多个第二发光元件的每一个之间配置有所述隔壁。
本发明的一个方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成第一下部电极及第二下部电极；准备在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间形成有隔壁的衬底；以及通过在相对于所述衬底的表面倾斜的方向上发射从蒸镀源产生的蒸镀物，在所述第一下部电极、所述隔壁及所述第二下部电极的每一个上形成导电性高的层，其中，所述导电性高的层的导电性低于所述第一下部电极及所述第二下部电极的每一个，所述隔壁具有位于所述第一下部电极一侧的第一斜面及位于所述第二下部电极一侧的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度与位于所述第二斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
本发明的一个方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上将多个第一下部电极及多个第二下部电极分别配置为直线状；准备在所述多个第一下部电极的每一个与所述多个第二下部电极的每一个之间形成有隔壁的衬底；以及通过在相对于所述衬底的表面倾斜的方向上发射从蒸镀源产生的蒸镀物，在所述多个第一下部电极、所述隔壁及所述多个第二下部电极的每一个上形成导电性高的层，其中，所述倾斜方向是与所述直线交叉的方向，所述导电性高的层的导电性低于所述多个第一下部电极及所述多个第二下部电极的每一个，所述隔壁具有位于所述多个第一下部电极的每一个一侧的第一斜面及位于所述多个第二下部电极的每一个一侧的第二斜面，并且，位于所述第一斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度与位于所述第二斜面上的所述导电性高的层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度不同。
另外，在上述本发明的一个方式中，在相对于所述衬底的表面倾斜的方向上发射所述蒸镀物优选是指如下情况：在所述蒸镀物与所述衬底之间配置具有狭缝的掩模，使用所述掩模遮蔽从所述蒸镀源产生的蒸镀物，由此在相对于所述衬底的表面倾斜的方向上发射穿过所述狭缝的蒸镀物。
另外，本发明的一个方式的发光装置的制造方法还包括如下步骤：在形成所述导电性高的层之后，在所述导电性高的层上形成位于所述第一下部电极及所述第二下部电极的每一个上的发光层，在所述发光层上形成上部电极，其中，所述导电性高的层的导电性高于所述发光层且低于所述上部电极是优选的。
通过应用本发明的一个方式，可以抑制具有单元件或串联元件的发光装置的串扰现象的发生。
附图说明
图1A是示出根据本发明的一个方式的发光装置的电路图，图1B是示意性地示出作为比较例子的发光装置的截面图，图1C是示意性地示出根据本发明的一个方式的发光装置的截面图；
图2A是用来说明根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法的截面图，图2B是图2A所示的发光装置的平面图；
图3是示出根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法的一个例子的截面图；
图4A和图4B是示出根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法的一个例子的截面图；
图5A是示出根据本发明的一个方式的单结构的发光元件的截面图，图5B是示出根据本发明的一个方式的单结构的底部发射型发光元件的截面图，图5C是示出根据本发明的一个方式的单结构的顶部发射型发光元件的截面图；
图6A是示出根据本发明的一个方式的串联结构的发光元件的截面图，图6B是示出根据本发明的一个方式的串联结构的底部发射型发光元件的截面图，图6C是示出根据本发明的一个方式的串联结构的顶部发射型发光元件的截面图；
图7A是示出根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法的一个例子的截面图，图7B是图7A的平面图，图7C是图7A所示的蒸镀源301的平面图；
图8是用来说明由于导电性高的载流子注入层及载流子传输层的电流泄漏导致单元件中的串扰现象而相邻的像素发光的情况的示意图；
图9是用来说明导电性高的中间层导致串扰现象的情况的示意图；
图10是用来说明导电性高的载流子注入层及载流子传输层导致串扰现象的情况的示意图；
图11是示意性地示出现有技术1的发光装置的截面图；
图12是示意性地示出现有技术2的发光装置的截面图。
本发明的选择图为图5A至图5C。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
实施方式1
图1A是示出根据本发明的一个方式的发光装置的电路图，图1B是示意性地示出作为比较例子的发光装置的截面图，图1C是示意性地示出根据本发明的一个方式的发光装置的截面图。图2A是用来说明根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法的截面图，图2B是图2A所示的发光装置的平面图。
图1A所示的发光装置包括发射呈现红色的光的有机EL元件（OLED元件）R、发射呈现绿色的光的有机EL元件（OLED元件）G以及发射呈现蓝色的光的有机EL元件（OLED元件）B，有机EL元件R、有机EL元件G及有机EL元件B的每一个与晶体管401、402、403连接。
图1B和图1C所示的发光装置具有衬底101，在该衬底101上形成有晶体管，在其上形成有第一下部电极102a、第二下部电极102b及第三下部电极102c作为夹着层间绝缘膜且使用透明电极等连接电极与晶体管电连接的下部电极（例如，阳极）。在第一下部电极102a、第二下部电极102b及第三下部电极102c的彼此之间形成有隔壁103，它们以分离为岛状的方式形成，而彼此电分离。在隔壁103及第一下部电极102a、第二下部电极102b及第三下部电极102c上通过蒸镀法形成有包括导电性高的层及发光层的EL层71。在EL层71上通过蒸镀法形成有上部电极110（例如，阴极）。
因为EL层71通过蒸镀法形成在衬底101的整个面，所以如图1B所示，形成在隔壁103上的EL层71具有几乎一定的厚度。因此，根据EL层71中的导电性高的层的电阻率，与OLED元件R、G、B的电阻Roled相比，相邻的像素之间的电阻Rrg小得不能忽略，泄漏电流Irg流过相邻的像素之间（参照图1A）。例如，当使OLED元件R发射红色光时，泄漏电流Irg流过相邻的像素之间，由此导致相邻的OLED元件G也发射绿色光的串扰现象（参照图1A和图1B）。
于是，如图1C及图2A所示，在相对于所述衬底101的表面倾斜的方向（箭头305a）上发射从蒸镀源产生的蒸镀物，由此形成可能成为电流路径的导电性高的层。
在此，不被隔壁103遮蔽的部分的斜面（即，图1C的隔壁103的左侧的斜面）为第一斜面，形成在第一斜面上的包括发光层和导电性高的层的EL层的垂直于第一斜面的方向上的厚度为第一总厚度。另外，被隔壁103遮蔽的部分的斜面（即，图1C的隔壁103的右侧的斜面）为第二斜面，形成在第二斜面上的EL层的垂直于第二斜面的方向上的厚度为第二总厚度。此外，形成在第一下部电极102a、第二下部电极102b及第三下部电极102c上的EL层的垂直于下部电极的方向上的厚度为第三总厚度。
此时，通过在相对于衬底101的表面倾斜的方向（箭头305a）上发射从蒸镀源产生的蒸镀物，可以将第二总厚度设定为薄于第一总厚度、第三总厚度的每一个的厚度。另外，可以将第一总厚度设定为厚于第三总厚度的厚度。换言之，可以将第一总厚度、第二总厚度及第三总厚度设定为彼此不同的厚度。
更详细地，可以采用如下结构：形成在第一斜面上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度为第一厚度。另外，形成在第二斜面上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度为第二厚度。此外，形成在第一下部电极102a、第二下部电极102b及第三下部电极102c上的导电性高的层的垂直于下部电极的方向上的厚度为第三厚度。此时，可以将第二厚度设定为薄于第一厚度和第三厚度的每一个的厚度。另外，可以将第一厚度设定为厚于第三厚度的厚度。
更优选的是，第二总厚度或第二厚度设定为第一总厚度或第一厚度及第三总厚度或第三厚度的每一个的2分之1以下。由此，与OLED元件的电阻Roled相比，相邻的像素之间的电阻Rrg大得可以忽略，所以可以抑制对于相邻的像素之间的电流的泄漏Irg。
其结果，可以抑制串扰现象的发生，可以提高显示品质。注意，在本说明书中，垂直于斜面的方向上的厚度是指该斜面上的最大的厚度。
如上所述，从倾斜方向（箭头305a）上蒸镀EL层71中的导电性高的层诸如空穴注入层和中间层，将导电性高的层的隔壁斜面的厚度设定为薄，由此可以在隔壁斜面上使导电性高的层高电阻化，抑制串扰现象的发生。并且，通过将这种发光装置用于有机EL显示器，可以制造实现串扰对策的有机EL显示器。
如图2B所示，当有机EL显示器的像素具有条状结构时，从斜面蒸镀的方向优选为箭头305a的方向。就是说，当具有多个红色的像素R及它们的像素R每一个的下部电极被配置为直线状，多个绿色的像素G及它们的像素G每一个的下部电极被配置为直线状，多个蓝色的像素B及它们的像素B每一个的下部电极被配置为直线状的条状结构时，蒸镀方向（箭头305a）优选为与所述直线交叉的方向。由此，可以抑制横方向的串扰（不同颜色之间的串扰），可以抑制NTSC比的降低。另一方面，从箭头305b的方向（不与所述直线交叉的方向）的斜面蒸镀虽然可以抑制纵方向的串扰（相同颜色之间的串扰），但是不能抑制横方向的串扰，所以发生混色，NTSC比降低。
另外，作为EL层71的结构可以采用各种结构，具体而言也，可以采用如下结构。例如，既可以采用具有适当地层叠导电性高的层、发光层等的EL层71的单元件，又可以采用隔着中间层层叠有包括导电性高的层的多个EL层的串联元件。
另外，优选的是，从衬底101的正面方向形成EL层71中的导电性低的层或电压的降低成为问题的上部电极110，来防止隔壁斜面的层的高低电阻化。
图3是示出根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法的一个例子的截面图。图3示出从相对于衬底101倾斜方向上形成导电性高的层时的隔壁的角度与蒸镀角度之间的关系。另外，为了容易理解，将图3的蒸镀源301倾斜地表示。
当使蒸镀物的发射角度单纯化为Φ，并且将隔壁103的斜面上的导电性高的层的厚度设定为t时，满足下述算式（1）。
t=R sin（Φ-θ）  …（1）
R：蒸镀源301垂直于衬底101时的导电性高的层的厚度
Φ：蒸镀方向（箭头305）与衬底101之间的角度
θ：相对于第一下部电极102a、第二下部电极102b或衬底101的隔壁103的斜面的角度
在将能够抑制串扰现象的发生的导电性高的层的厚度设定为α的情况下，上述算式（1）成为下述算式（2）、（3）。
R sin（Φ-θ） ＜ α …（2）
sin（Φ-θ） ＜ α/R …（3）
换言之，设定满足上述算式（3）的条件的蒸镀角度Φ和隔壁斜面的角度θ，一边将衬底101在箭头304的方向上移动一边在箭头305的方向上从蒸镀源301发射蒸镀物。如此，通过蒸镀法在隔壁103及第一下部电极102a、第二下部电极102b上形成导电性高的层。由此，可以减薄导电性高的层，即电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层及中间层的隔壁103在一个斜面上的厚度。另外，导电性高的层的厚度的上述关系与包括导电性高的层的EL层的厚度的关系同样。
另外，根据所使用的材料或元件结构，可以任意设定能够抑制串扰现象的发生的导电性高的层的厚度α。
图4A和图4B是根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法的一个例子的截面图。如图4A和图4B所示，也可以在蒸镀源301以垂直于衬底101的方式立起来的状态下，在衬底101与蒸镀源301之间配置掩模302a或掩模302b，由此进行成膜。
在图4A中，在蒸镀源301与衬底101之间配置有遮蔽蒸镀物的一部分的掩模302a。由此，在相对于衬底101的表面倾斜的方向（箭头305）上发射从蒸镀源301产生的蒸镀物。并且，通过在掩模302a上将衬底101在水平方向（箭头304）上移动，可以只将倾斜方向的某个范围的角度发射的蒸镀物附着于衬底上。由此，可以减薄所形成的导电性高的隔壁103在一个斜面的厚度。
另外，为了更均匀地形成蒸镀物，如图4B所示，也可以配置具有狭缝的掩模302b。通过在蒸镀源301与衬底101之间配置具有狭缝的掩模302b，可以只将倾斜方向的某个角度发射的蒸镀物附着于衬底上，可以将蒸镀物更均匀地形成在衬底101上。
实施方式2
参照图5A、图5B和图5C以及图6A、图6B和图6C对根据本发明的一个方式的发光装置的一个例子进行说明。
<单结构的发光元件>
作为单元件的一个例子，图5A示出发光元件201。发光元件201在作为阳极的电极102与作为阴极的上部电极110之间包括一层的EL层151。EL层151从电极102一侧依次包括空穴注入层104、空穴传输层105、发光层106、电子传输层107、电子注入层108。为了简化附图，在图5B及图5C中，将电子传输层107和电子注入层108合并表示为层109。
<单结构的底部发射型发光元件、空穴注入层的倾斜蒸镀>
图5B示出底部发射型发光装置211中的第一发光元件201a、第二发光元件201b及第三发光元件201c的部分的截面。第一发光元件201a、第二发光元件201b及第三发光元件201c发射各不相同的颜色的光，分别包括发光层106a、发光层106b及发光层106c。另外，第一发光元件201a、第二发光元件201b及第三发光元件201c包括依次层叠的彼此分离为岛状的第一下部电极102a、第二下部电极102b及第三下部电极102c、共同的空穴注入层104、空穴传输层105、层109（电子传输层107、电子注入层108）及上部电极110。发光层106a、发光层106b及发光层106c分别位于第一下部电极102a、第二下部电极102b、第三下部电极102c上。共同的空穴注入层104、空穴传输层105、层109（电子传输层107、电子注入层108）及上部电极110也形成在隔壁103的顶面及斜面上，由隔壁103分离在各发光元件。
更具体而言，在第一发光元件201a中，在衬底101上依次层叠有分离为岛状的第一下部电极102a、与其他发光元件共同的空穴注入层104、与其他发光元件共同的空穴传输层105、发光层106a、与其他发光元件共同的层109（电子传输层107、电子注入层108）、与其他发光元件共同的上部电极110。与此同样，在第二发光元件201b中，在衬底101上依次层叠有分离为岛状的第二下部电极102b、与其他发光元件共同的空穴注入层104、与其他发光元件共同的空穴传输层105、发光层106b、与其他发光元件共同的层109（电子传输层107、电子注入层108）、与其他发光元件共同的上部电极110。与此同样，在第三发光元件201c中，在衬底101上依次层叠有分离为岛状的第三下部电极102c、与其他发光元件共同的空穴注入层104、与其他发光元件共同的空穴传输层105、发光层106c、与其他发光元件共同的层109（电子传输层107、电子注入层108）、与其他发光元件共同的上部电极110。另外，可以使发光层106a、发光层106b及发光层106c发射彼此不同的颜色的光，例如可以采用发光层106a、发光层106b及发光层106c分别发射R、G、B的结构（不局限于R、G、B，也可以具有不同的波长）。
另外，在衬底101与第一下部电极102a之间优选设置有滤色片162a。当通过衬底101取出光时，可以提高颜色的纯度。与此同样，优选的是，在衬底101与第二下部电极102b之间设置有滤色片162b，在衬底101与第三下部电极102c之间设置有滤色片162c。此外，在各滤色片之间优选设置有遮光层161。可以使滤色片162a、162b、162c的颜色彼此不同，例如可以采用滤色片162a、162b、162c分别对应于R、G、B的结构（不局限于R、G、B，也可以具有不同的波长）。
在本实施方式中，导电性高的层是形成在下部电极及隔壁与发光层之间的空穴注入层104、空穴传输层105以及形成在发光层（发光层106a、106b、106c）与上部电极110之间的电子传输层107、电子注入层108。隔壁103具有位于第一下部电极一侧的第一斜面（区域104a）及位于第二下部电极一侧的第二斜面（区域104b）。位于第一斜面（区域104a）上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度与位于第二斜面（区域104b）上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。另外，它们的厚度也与垂直于下部电极的方向（区域104c）上的厚度不同。在本实施方式中，从厚到薄的厚度的顺序是区域104a、区域104c、区域104b。以下，使用空穴注入层104进行具体的说明。
在此，隔壁103的第一发光元件201a一侧的接触于第一斜面的区域104a的空穴注入层104的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度、隔壁103的第二发光元件201b一侧的接触于第二斜面的区域104b的空穴注入层104的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度、接触于第二下部电极102b的区域104c的空穴注入层104的垂直于第二下部电极102b的方向上的厚度满足以下关系。
区域104a＞区域104c＞区域104b
区域104a=R sin(Φ+θ)
区域104c=R sinΦ
区域104b=R sin(Φ-θ)
从上述算式，
tanΦ＜sinθ/（1-cosθ）
设定满足上述算式的蒸镀角度Φ和隔壁斜面的角度θ即可。例如，当隔壁斜面的角度为20°时将蒸镀角度设定为80°以下，当隔壁斜面的角度为40°时将蒸镀角度设定为70°以下，当隔壁斜面的角度为50°时将蒸镀角度设定为65°以下，当隔壁斜面的角度为55°时将蒸镀角度设定为62.5°以下，即可。
另外，如下所述，区域104b的空穴注入层104的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度优选为区域104c的空穴注入层104的垂直于第二下部电极102b的方向上的厚度的2分之1以下。区域104b的空穴注入层104的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度优选为区域104a的空穴注入层104的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度的2分之1以下。此外，在区域104b中，也可以存在不形成空穴注入层104的区域（也称为空穴注入层104的断开）。
区域104a/2＞区域104c/2＞区域104b
区域104a=R sin(Φ+θ)
区域104c=R sinΦ
区域104b=R sin(Φ-θ)
从上述算式，
tanΦ＜sinθ/（cosθ-1/2）＆sinθ/（1-cosθ）
设定满足上述算式的蒸镀角度Φ和隔壁斜面的角度θ即可。例如，当隔壁斜面的角度为20°时将蒸镀角度设定为38°以下，当隔壁斜面的角度为40°时将蒸镀角度设定为68°以下，当隔壁斜面的角度为50°时将蒸镀角度设定为65°以下，当隔壁斜面的角度为55°时将蒸镀角度设定为62.5°以下，即可。
如此，通过减薄区域104b的空穴注入层104的厚度，可以增大发光元件之间（在此情况下，第一发光元件201a与第二发光元件201b之间）的电阻Rrg。由此，与发光元件的电阻Roled相比，Rrg的电阻大得可以认为发光元件之间的电阻Rrg为绝缘，所以可以抑制对于其他发光元件的电流的泄漏。
虽然上述是空穴注入层104的厚度的说明，但是其他导电性高的层，即电子注入层108、电子传输层107、空穴传输层105及后面说明的中间层142的厚度也是同样的。
<单结构的顶部发射型发光元件、空穴注入层的倾斜蒸镀>
另外，虽然在图5B中说明底部发射型发光元件，但是如图5C，也可以将本发明的一个方式应用于顶部发射型发光元件。当使用顶部发射型发光元件的情况下，优选在第一下部电极102a、第二下部电极102b、第三下部电极102c上设置根据发射不同的颜色的光的元件厚度不同的透明导电层112a、112b。例如，在图5C中，发光装置212中的第一发光元件201a、第二发光元件201b、第三发光元件201c的每一个中，第一发光元件201a为发射最长波长的光的元件，第二发光元件201b为发射第一发光元件201a与第三发光元件201c之间的波长的光的元件，第三发光元件201c为发射最短波长的光的元件。在此情况下，优选的是，在第一发光元件201a的第一下部电极102a上设置透明导电层112a，在第二发光元件201b的第二下部电极102b上设置薄于透明导电层112a的透明导电层112b。在第三发光元件201c的第三下部电极102c上既可以设置薄于透明导电层112b的透明导电层，又可以如图5C那样不设置透明导电层。
另外，除了设置上述透明导电层112a、112b之外，图5C所示的顶部发射型发光元件具有与图5B所示的底部发射型发光元件同样的结构。
通过按每个发射不同颜色的光的元件来设置厚度不同的透明导电层，可以将各发光元件的厚度设定为与所希望的颜色的波长共振的厚度。由此，可以提高各发光元件的颜色纯度。
另外，虽然未图示，优选在重叠于各发光元件的对置玻璃衬底上设置滤色片。通过设置对应于各发光元件的颜色彼此不同的滤色片，当将光取出到对置衬底一侧时可以提高颜色的纯度。
另外，具有根据本发明的一个方式的单结构的发光元件的发光装置也可以具有如下结构：多个第一发光元件201a配置为直线状，多个第二发光元件201b配置为直线状，多个第三发光元件201c配置为直线状，在多个第一发光元件201a的每一个与多个第二发光元件201b的每一个之间配置有隔壁103，在多个第二发光元件201b的每一个与多个第三发光元件201c的每一个之间配置有隔壁103。
<串联结构的发光元件>
图6A示出发光元件201作为串联元件的一个例子。发光元件201在作为阳极的电极102与作为阴极的上部电极110之间具有两层的EL层，即EL层152及EL层153。在EL层152与EL层153之间具有中间层142。与单结构不同，在串联结构中，在相邻的发光元件之间不将发光层分离为岛状，而也可以在多个元件中共同使用发光层。
EL层152包括空穴注入层114、空穴传输层115、第一发光层116及电子传输层117。为了简化附图，在图6B和图6C中，将空穴注入层114及空穴传输层115合并而表示为层140。另外，将第一发光层116及电子传输层117合并而表示为层141。
中间层142具有电子注入缓冲层121、电子中继层122及电荷产生层123。为了简化附图，在图6B及图6C中，将电子注入缓冲层121、电子中继层122及电荷产生层123合并而表示为中间层142。
EL层153包括空穴传输层135、第二发光层136、电子传输层137及电子注入层138。为了简化附图，在图6B及图6C中，将空穴传输层135、第二发光层136、电子传输层137及电子注入层138合并而表示为EL层153。例如，第一发光层116为蓝色，第二发光层136为绿色及红色的发光层（不局限于蓝色、绿色及红色，也可以具有不同的波长）。
图6B示出底部发射型发光装置213中的第一发光元件201a、第二发光元件201b及第三发光元件201c的部分的截面。第一发光元件201a、第二发光元件201b及第三发光元件201c包括依次层叠的彼此分离为岛状额第一下部电极102a（或第二下部电极102b、第三下部电极102c）、共同的层140（空穴注入层114及空穴传输层115）、层141（第一发光层116及电子传输层117）、中间层142、EL层153及上部电极110。共同的空穴注入层114、层141（第一发光层116及电子传输层117）、中间层142、EL层153及上部电极110也形成在隔壁103的顶面及斜面，由隔壁103分离在各发光元件。
在本实施方式中，导电性高的层是形成在下部电极及隔壁与发光层之间的空穴注入层114及空穴传输层115以及形成在第一发光层116与上部电极110之间的电子传输层117、中间层142（电子注入缓冲层121、电子中继层122及电荷产生层123）、空穴传输层135、电子传输层137及电子注入层138。
如本实施方式那样，当层叠多个导电性高的层时，例如也可以将空穴注入层114及空穴传输层115合并而称为第一导电性高的层，将中间层142称为第二导电性高的层。
隔壁103具有位于第一下部电极一侧的第一斜面（区域142a）及位于所述第二下部电极一侧的第二斜面（区域142b）。位于第一斜面（区域142a）上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度与位于第二斜面（区域142b）上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。另外，它们的厚度也与垂直于下部电极的方向（区域142c）上的厚度不同。在本实施方式中，从厚到薄的厚度的顺序是区域142a、区域142c、区域142b。
以下，使用中间层142进行具体的说明。在此，设置在隔壁103的第一发光元件201a一侧的第一斜面的区域142a的中间层142的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度、设置在隔壁103的第二发光元件201b一侧的第二斜面的区域142b的中间层142的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度、设置在第二下部电极102b上的区域142c的中间层142的垂直于第二下部电极102b的方向上的厚度满足以下关系。
区域142a＞区域142c＞区域142b
区域142a=R sin(Φ+θ)
区域142c=R sinΦ
区域142b=R sin(Φ-θ)
从上述算式，
tanΦ＜sinθ/（1-cosθ）
设定满足上述算式的蒸镀角度Φ和隔壁斜面的角度θ即可。例如，当隔壁斜面的角度为20°时将蒸镀角度设定为80°以下，当隔壁斜面的角度为40°时将蒸镀角度设定为70°以下，当隔壁斜面的角度为50°时将蒸镀角度设定为65°以下，当隔壁斜面的角度为55°时将蒸镀角度设定为62.5°以下，即可。
另外，如下所述，区域142b的中间层142的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度优选为区域142c的中间层142的垂直于第二下部电极102b的方向上的厚度的2分之1以下。区域142b的中间层142的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度优选为区域142a的中间层142的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度的2分之1以下。此外，在区域142b中，也可以存在不形成中间层142的区域（也称为中间层142的断开）。
区域142a/2＞区域142c/2＞区域142b
区域142a=R sin(Φ+θ)
区域142c=R sinΦ
区域142b=R sin(Φ-θ)
从上述算式，
tanΦ＜sinθ/（cosθ-1/2）＆sinθ/（1-cosθ）
设定满足上述算式的蒸镀角度Φ和隔壁斜面的角度θ即可。例如，当隔壁斜面的角度为20°时将蒸镀角度设定为38°以下，当隔壁斜面的角度为40°时将蒸镀角度设定为68°以下，当隔壁斜面的角度为50°时将蒸镀角度设定为65°以下，当隔壁斜面的角度为55°时将蒸镀角度设定为62.5°以下，即可。
如此，通过减薄区域142b的中间层142的厚度，可以增大发光元件之间（在此情况下，第一发光元件201a与第二发光元件201b之间）的电阻Rrg。由此，与发光元件的电阻Roled相比，Rrg的电阻大得可以认为发光元件之间的电阻Rrg为绝缘，所以可以抑制对于其他发光元件的电流的泄漏。
另外，中间层142所包括的电子注入缓冲层121和电子中继层122中的至少一个具有上述厚度，即可。通过它们中的至少一个的厚度满足上述关系，可以抑制对于其他发光元件的电流的泄漏。
虽然上述是中间层142的厚度的说明，但是其他泄漏成为问题的导电性高的层，即空穴注入层114、空穴传输层115的厚度也是同样的。
如此，通过减薄区域142b的导电性高的层的厚度，可以增大发光元件之间（在此情况下，第一发光元件201a与第二发光元件201b之间）的电阻Rrg。由此，与发光元件的电阻Roled相比，Rrg的电阻大得可以认为发光元件之间的电阻Rrg为绝缘，所以可以抑制对于其他发光元件的电流的泄漏。
另外，在衬底101与第一下部电极102a之间设置滤色片162a。与此同样，在衬底101与第二下部电极102b之间设置滤色片162b，在衬底101与第三下部电极102c之间设置滤色片162c。此外，在各滤色片之间优选设置有遮光层161。可以使滤色片162a、162b、162c的颜色彼此不同，例如可以采用滤色片162a、162b、162c分别对应于R、G、B的结构（不局限于R、G、B，也可以具有不同的波长）。
<串联结构的顶部发射型发光元件、中间层+空穴注入层的倾斜蒸镀>
另外，虽然在图6B中说明底部发射型发光元件，但是如图6C，也可以将本发明的一个方式应用于顶部发射型发光元件。当使用顶部发射型发光元件的情况下，优选在第一下部电极102a、第二下部电极102b、第三下部电极102c上设置厚度不同的透明导电层112a、112b。例如，在图6C中，发光装置214中的第一发光元件201a、第二发光元件201b、第三发光元件201c的每一个中，第一发光元件201a为想要取出最长波长的光的元件，第二发光元件201b为想要取出第一发光元件201a与第三发光元件201c之间的波长的光的元件，第三发光元件201c为想要取出最短波长的光的元件。在此情况下，优选的是，在第一发光元件201a的第一下部电极102a上设置透明导电层112a，在第二发光元件201b的第二下部电极102b上设置薄于透明导电层112a的透明导电层112b。在第三发光元件201c的第三下部电极102c上既可以设置薄于透明导电层112b的透明导电层，又可以如图6C那样不设置透明导电层。
另外，虽然未图示，在重叠于各发光元件的对置玻璃衬底上设置滤色片。
另外，除了设置上述透明导电层112a、112b之外，图6C所示的顶部发射型发光元件具有与图6B所示的底部发射型发光元件同样的结构。
通过按每个想要取出不同的颜色的光的元件来设置厚度不同的透明导电层，可以将各发光元件的厚度设定为与想要取出的所希望的颜色的波长共振的厚度。
另外，虽然在图6B和图6C中，中间层142及层140（空穴注入层114及空穴传输层115）都根据区域而厚度不同，但是不局限于此。既可以只中间层142根据区域而厚度不同，又可以只层140（空穴注入层114及空穴传输层115）根据区域而厚度不同。
另外，具有根据本发明的一个方式的串联结构的发光元件的发光装置也可以具有如下结构：多个第一发光元件201a配置为直线状，多个第二发光元件201b配置为直线状，多个第三发光元件201c配置为直线状，在多个第一发光元件201a的每一个与多个第二发光元件201b的每一个之间配置有隔壁103，在多个第二发光元件201b的每一个与多个第三发光元件201c的每一个之间配置有隔壁103。
以下，对发光元件的各构成要素进行说明。
<能够用于衬底的材料>
作为衬底101，当从衬底一侧取出光时可以使用透明衬底或半透明衬底，当从与衬底相反一侧取出光时可以使用不透明衬底。作为衬底材料，可以适当地使用选自玻璃、塑料、陶瓷、半导体材料、在表面进行绝缘处理的金属材料等的材料，也可以使用柔性材料。
<能够用于隔壁的材料>
隔壁103的材料例如可以使用聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等，作为制造方法可以使用丝网印刷法、狭缝涂布（Slit Coating）法等。另外，也可以使用氧化硅（SiOx）等无机绝缘材料。
<可以用于阳极的材料>
作为阳极的电极102优选使用功函数大（具体而言，优选为4.0eV以上）的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体而言，例如可以举出铟锡氧化物（ITO：Indium Tin Oxide）、含有硅或氧化硅的铟锡氧化物、铟锌氧化物（Indium Zinc Oxide）、含有氧化钨及氧化锌的氧化铟等。
此外，可以举出下述物质：金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）、钨（W）、铬（Cr）、钼（Mo）、铁（Fe）、钴（Co）、铜（Cu）、钯（Pd）、钛（Ti）、金属材料的氮化物（例如氮化钛等）、钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物、钛氧化物等。
但是，当以与电极102接触的方式设置后面说明的复合材料时，可以不考虑功函数地将各种导电材料用于电极102。具体而言，不仅可以使用功函数大的材料，还可以使用功函数小的材料。
<可以用于阴极的材料>
虽然作为阴极的上部电极110优选使用功函数小（具体地低于4.0eV）的材料，但是通过将复合材料以与上部电极110接触的方式设置在上部电极110与发光层之间，上部电极110可以与功函数的大小无关地使用各种导电材料。
另外，使用使可见光透过的导电膜形成上部电极110和电极102中的至少取出光一侧的一方。作为使可见光透过的导电膜，例如可以举出含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物、含有氧化钛的铟锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等。此外，也可以使用能够透过光的厚度（优选为5nm以上且30nm以下左右）的金属薄膜。
<可以用于EL层的材料>
以下示出可以用于构成上述EL层的各层的材料的具体例子。
<空穴注入层>
空穴注入层是包含具有高空穴注入性物质的层。作为高空穴注入性物质，例如可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。此外，还可以使用酞菁类化合物如酞菁（简称：H2Pc）或酞菁铜（简称：CuPc）、高分子如聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS）等形成空穴注入层。
另外，作为空穴注入层可以使用复合材料。当使用复合材料时，如上所述，可以不考虑功函数地使用各种导电材料作为电极102。
复合材料是包含空穴传输性高的物质和受主物质的材料。另外，由复合材料构成的空穴注入层，既可以含有空穴传输性高的物质和受主物质，又可以层叠有包含空穴传输性高的物质的层和包含受主物质的层。
另外，优选的是，在复合材料中，以受主物质与空穴传输性高的物质的质量比为0.1以上且4.0以下的比率添加受主物质。
作为用于复合材料的受主物质，优选使用过渡金属氧化物，尤其是属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。具体而言，氧化钼是特别优选的。另外，氧化钼具有吸湿性低的特征。
此外，作为用于复合材料的高空穴传输性物质，可以使用各种有机化合物诸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烃、高分子化合物（包括低聚物、树状聚合物、聚合体）等。具体而言，优选使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，使用上述以外的物质也可以。
<空穴传输层>
空穴传输层是包含空穴传输性高的物质的层。空穴传输层不限于单层，也可以层叠两层以上的包含高空穴传输性物质的层。作为空穴传输层使用空穴传输性高于电子传输性的物质即可。因为可以降低发光元件的驱动电压，所以尤其优选使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。
<发光层>
发光层是包含发光物质的层。发光层不限于单层，也可以为层叠有两层以上的包含发光物质的层的叠层。作为发光物质，可以使用荧光化合物或磷光化合物。将磷光化合物用于发光物质可以提高发光元件的发光效率，所以是优选的。
优选将发光物质分散在施主材料中使用。作为施主材料，优选使用其激发能量大于发光物质的激发能量的材料。
<电子传输层>
电子传输层是包含电子传输性高的物质的层。电子传输层不局限于单层结构，也可以是层叠两层以上的包含电子传输性高的物质的层的结构。作为电子传输层使用电子传输性高于空穴传输性的物质即可。因为可以降低发光元件的驱动电压，所以特别优选使用具有10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。
<电子注入层>
电子注入层是包含电子注入性高的物质的层。电子注入层不限于单层，也可以是层叠两层以上的包含电子注入性高的物质的层的叠层。通过采用设置电子注入层的结构，可以提高来自上部电极110的电子注入效率而降低发光元件的驱动电压，所以是优选的。
作为电子注入性高的物质，例如可以举出锂（Li）、铯（Cs）、钙（Ca）、氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、氟化钙（CaF2）等碱金属、碱土金属或它们的化合物。另外，还可以使用其中含有碱金属、碱土金属、镁（Mg）或它们的化合物的具有电子传输性的物质，例如，其中含有镁（Mg）的Alq等。
<可以用于中间层的材料>
以下示出可以用于构成上述中间层的各层的材料的具体例子。
<可以用于电荷产生层的材料>
电荷产生层是包含空穴传输性高的物质和受主物质的层，可以使用上述复合材料。
<可以用于电子中继层的材料>
电子中继层122是能够快速接收由受主物质在电荷产生层中抽出的电子的层。因此，电子中继层122是包含高电子传输性物质的层，并且其LUMO能级位于电荷产生层中的受主物质的受主能级与发光层的LUMO能级之间。具体而言，优选设定为-5.0eV以上且-3.0eV以下。
作为用于电子中继层122的物质，例如，可以举出二萘嵌苯衍生物和含氮稠环芳香化合物。另外，因为含氮稠环芳香化合物是稳定的化合物，所以作为用于电子中继层122的物质是优选的。再者，通过使用含氮稠环芳香化合物中的具有氰基或氟等电子吸引基的化合物，能够使电子中继层122中的电子接受变得更容易，所以是优选的。
<可以用于电子注入缓冲层的材料>
电子注入缓冲层121是使电子容易从电荷产生层注入到发光层的层。通过在电荷产生层和发光层之间设置电子注入缓冲层121，可以缓和两者的注入势垒。
电子注入缓冲层121可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及它们的化合物（碱金属化合物（包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐）、碱土金属化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐）或稀土金属的化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐））等高电子注入性物质。
另外，在电子注入缓冲层121包含高电子传输性物质和施主物质而形成的情况下，优选以施主物质与高电子传输性物质的质量比为0.001以上且0.1以下的比率添加施主物质。另外，作为施主物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和它们的化合物（碱金属化合物（包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐）、碱土金属化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐）或稀土金属的化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐））以外，还可以使用四硫并四苯（tetrathianaphthacene）（简称：TTN）、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外，作为高电子传输性物质，可以使用与以上说明的可以形成在EL层中的一部分的电子传输层的材料同样的材料来形成。
例如，在图5B的发光装置211所具有的第一发光元件201a中，当对第一下部电极102a与上部电极110之间施加高于第一发光元件201a的阈值电压的电压时，空穴从第一下部电极102a一侧通过空穴注入层104及空穴传输层105注入到发光层中，电子从下部电极110一侧通过电子注入层108及电子传输层107注入到发光层中。被注入的空穴和电子在发光层中重新结合，包含在第一发光元件201a的发光层106a中的发光有机化合物发光。
另外，也可以采用不设置空穴传输层105而空穴注入层104兼用作空穴传输层105的结构。此外，也可以采用不设置电子传输层107而电子注入层108兼用作空穴传输层107的结构。
另外，如图6B和图6C的发光装置213、214那样，在采用串联结构的发光装置的情况下，第一发光元件201a在EL层152与EL层153之间具有中间层142。
此外，设置在阳极与阴极之间的EL层的个数不局限于两个。例如，在阳极与阴极之间设置n（n为2以上的自然数）层的EL层的情况下，采用在第m（m为自然数，1以上（n-1）以下）EL层与第（m+1）EL层之间分别设置中间层的结构。
接着，参照图7A至图7C对在像素被配置为条状的衬底101上形成导电性高的层的方法进行说明。
准备如图7B所示的具有条状结构的衬底101，其中多个第一颜色的像素配置为直线状，多个第二颜色的像素配置为直线状，多个第三颜色的像素配置为直线状。
接着，如图7A所示那样，在蒸镀源301以垂直于衬底101的方式立起来的状态下，在衬底101与蒸镀源301之间配置具有狭缝的掩模302b，在该掩模302b与衬底101之间配置掩模303，由此进行成膜。另外，如图7C所示，蒸镀源301也可以是将多个点源311配置为直线状的蒸镀源。
就是说，如图7A所示，在蒸镀源301与衬底101之间配置具有狭缝的掩模302b，使用掩模302b遮蔽从蒸镀源301产生的蒸镀物，由此在相对于衬底101的表面倾斜的方向（箭头305）上发射穿过狭缝的蒸镀物。并且，通过在狭缝上将衬底101在水平方向（箭头304）上移动，可以只将某个规定的角度发射的蒸镀物附着于衬底上。由此，可以减薄所形成的导电性高的隔壁的一方的斜面的厚度。
符号说明
71  EL层
72  隔壁
74  斜面
81  上部电极
82～84  下部电极
85  EL层
86  中间层
87  EL层
88  对置玻璃衬底
89  载流子传输层
90  空穴注入/传输层
91  发光层
92  电子注入/传输层
93、94  箭头
101  衬底
102  电极（下部电极）
102a  第一下部电极
102b  第二下部电极
102c  第三下部电极
103  隔壁
104  空穴注入层
104a、104b、104c  区域
105  空穴传输层
106、106a、106b、106c  发光层
107  电子传输层
108  电子注入层
109  层
110  上部电极
112a、112b  透明导电层
114  空穴注入层
115  空穴传输层
116  第一发光层
117  电子传输层
121  电子注入缓冲层
123  电荷产生层
135  空穴传输层
136  第二发光层
137  电子传输层
138  电子注入层
140～141  层
142  中间层
142a、142b、142c  区域
151～153  EL层
161  遮光层
162a、162b、162c  滤色片
201、201a、201b、201c  发光元件
211～214  发光装置
301  蒸镀源
302a、302b、302c  掩模
304、305、305a、305b  箭头
311  点源
401～403  晶体管。

Claims (17)

1. 一种发光装置，包括：
第一下部电极和第二下部电极；
所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；
所述第一下部电极、所述隔壁和所述第二下部电极上的上部电极；以及
所述上部电极与所述第一下部电极、所述隔壁、所述第二下部电极之间的导电层和发光层,
其中，所述导电层的导电性高于所述发光层的导电性且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极和所述上部电极的每一个的导电性，
所述隔壁包括位于第一下部电极一侧的第一斜面和位于第二下部电极一侧的第二斜面，
并且，位于所述第一斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一斜面的方向上的总厚度大于位于所述第二斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第二斜面的方向上的总厚度。
2. 根据权利要求1所述的发光装置，
其中位于所述第二斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的所述总厚度小于位于所述第一下部电极上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一下部电极的方向上的总厚度，
并且位于所述第一斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一斜面的所述方向上的所述总厚度大于位于所述第一下部电极上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一下部电极的所述方向上的所述总厚度。
3. 根据权利要求1所述的发光装置，其中位于所述第二斜面上的所述导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述导电层的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之1。
4. 根据权利要求1所述的发光装置，其中位于所述第二斜面上的所述导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部电极上的所述导电层的垂直于所述第一下部电极的所述方向上的厚度的2分之1。
5. 一种发光装置，包括：
第一下部电极和第二下部电极；
所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；
所述第一下部电极、所述隔壁和所述第二下部电极的每一个上的第一发光层；
所述第一发光层上的第一导电层；
所述第一导电层上的第二发光层；以及
所述第二发光层上的上部电极，
其中，所述第一导电层的导电性高于所述第一发光层和所述第二发光层的每一个的导电性且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极和所述上部电极的每一个的导电性，
所述隔壁包括位于第一下部电极一侧的第一斜面和位于第二下部电极一侧的第二斜面，
并且，位于所述第一斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度大于位于所述第二斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度。
6. 根据权利要求5所述的发光装置，其中位于所述第二斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之1。
7. 根据权利要求5所述的发光装置，其中位于所述第二斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部电极上的所述第一导电层的垂直于所述第一下部电极的所述方向上的厚度的2分之1。
8. 根据权利要求5所述的发光装置，还包括所述上部电极上的滤色片，
其中所述滤色片包括与所述第一下部电极重叠的具有第一颜色的区域以及与所述第二下部电极重叠的具有第二颜色的区域，
并且所述第一颜色与所述第二颜色不同。
9. 根据权利要求5所述的发光装置，
其中发射第一颜色的光的多个第一发光元件配置为线状，
发射第二颜色的光的多个第二发光元件配置为线状，
所述多个第一发光元件的每一个包括位于所述第一下部电极与所述上部电极之间的所述第一发光层和所述第二发光层，
所述多个第二发光元件的每一个包括位于所述第二下部电极与所述上部电极之间的所述第一发光层和所述第二发光层，
并且所述隔壁设置在所述多个第一发光元件的每一个与所述多个第二发光元件的每一个之间。
10. 根据权利要求5所述的发光装置，还包括：所述第一下部电极、所述隔壁和所述第二下部电极的每一个的上方且所述第一发光层的下方的第二导电层。
11. 根据权利要求10所述的发光装置，其中位于所述第一斜面上的所述第二导电层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度大于位于所述第二斜面上的所述第二导电层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度。
12. 根据权利要求10所述的发光装置，其中位于所述第二斜面上的所述第二导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述第二导电层的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之1。
13. 根据权利要求10所述的发光装置，其中位于所述第二斜面上的所述第二导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部电极上的所述第二导电层的垂直于所述第一下部电极的所述方向上的厚度的2分之1。
14. 一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：
准备具有多个第一下部电极、多个第二下部电极和所述多个第一下部电极的每一个与所述多个第二下部电极的每一个之间的隔壁的衬底；以及
以在相对于所述衬底的表面倾斜的方向上发射从蒸镀源蒸镀的蒸镀物的方式，在所述多个第一下部电极、所述隔壁和所述多个第二下部电极的每一个上形成导电层，
其中，所述导电层的导电性低于所述多个第一下部电极和所述多个第二下部电极的每一个的导电性，
所述隔壁各包括位于第一下部电极一侧的第一斜面和位于第二下部电极一侧的第二斜面，
并且，位于所述第一斜面上的所述导电层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度大于位于所述第二斜面上的所述导电层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度。
15. 根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，
其中所述多个第一下部电极和所述多个第二下部电极各配置为线状，
并且所述倾斜的方向是交叉所述线的方向。
16. 根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中相对于所述衬底的所述表面倾斜的所述方向上的所述蒸镀物的发射是指如下情况：从所述蒸镀源蒸镀的所述蒸镀物被设置在所述蒸镀源与所述衬底之间的具有狭缝的掩模遮蔽，并且在相对于所述衬底的所述表面倾斜的所述方向上发射穿过所述狭缝的所述蒸镀物。
17. 根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，还包括如下步骤：
在形成所述导电层之后，在所述导电层上形成位于所述第一下部电极和所述第二下部电极的每一个上的发光层；以及
在所述发光层上形成上部电极，
其中所述导电层的导电性高于所述发光层的导电性且低于所述上部电极的导电性。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107146808A (zh) * 2017-05-15 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件制造方法、oled器件及显示面板
CN110379831A (zh) * 2019-06-11 2019-10-25 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110649078A (zh) * 2019-09-30 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用基板及显示装置
CN110783480A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 苹果公司 具有结构化电极的有机发光二极管显示器
CN111755610A (zh) * 2019-03-26 2020-10-09 株式会社日本显示器 显示装置
CN112002817A (zh) * 2020-08-25 2020-11-27 合肥视涯技术有限公司 一种有机发光显示面板
US12127420B2 (en) 2019-02-15 2024-10-22 Sony Semiconductor Solutions Corpporation Display device, method for manufacturing display device, and electronic apparatus

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN109742262B (zh) 2014-08-08 2022-11-22 株式会社半导体能源研究所 发光装置、电子设备以及照明装置
JP2016072250A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2016085969A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
KR102314655B1 (ko) * 2017-05-17 2021-10-20 애플 인크. 측방향 누설이 감소된 유기 발광 다이오드 디스플레이
WO2020166511A1 (ja) * 2019-02-15 2020-08-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
JP7478007B2 (ja) 2020-03-27 2024-05-02 キヤノン株式会社 電子デバイスおよびその製造方法、電子装置ならびに移動体
CN111463357B (zh) 2020-04-23 2022-09-09 视涯科技股份有限公司 一种显示面板、显示装置及制备方法
JP2022074751A (ja) * 2020-11-05 2022-05-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434669A (zh) * 2002-01-25 2003-08-06 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US20040021413A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-05 Nobuyuki Ito Electroluminescent display and process for producing the same
US8093612B2 (en) * 2008-10-08 2012-01-10 Hitachi Displays, Ltd. Organic EL display device and manufacturing method thereof
CN102334384A (zh) * 2010-02-22 2012-01-25 松下电器产业株式会社 发光装置及其制造方法
US20120018770A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 Min-Hao Michael Lu Oled light source having improved total light emission
US20120205678A1 (en) * 2011-02-11 2012-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device and Manufacturing Method Thereof, Lighting Device, and Display Device

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6472557A (en) 1987-09-11 1989-03-17 Seiko Instr & Electronics Image sensor
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
US6592933B2 (en) 1997-10-15 2003-07-15 Toray Industries, Inc. Process for manufacturing organic electroluminescent device
JP2848383B1 (ja) * 1997-11-26 1999-01-20 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP3328297B2 (ja) 1998-03-17 2002-09-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法
JP3078257B2 (ja) * 1998-04-15 2000-08-21 ティーディーケイ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
JPH11339958A (ja) 1998-05-22 1999-12-10 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
KR100697413B1 (ko) 1998-07-30 2007-03-19 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 액정 표시 장치, 영상 디스플레이 장치, 정보 처리 장치, 및 그 제조 방법
US6469439B2 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
TW459275B (en) 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP3809758B2 (ja) 1999-10-28 2006-08-16 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
EP1096568A3 (en) 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
JP4776769B2 (ja) 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2001148291A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
US6821827B2 (en) 1999-12-28 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4132528B2 (ja) 2000-01-14 2008-08-13 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW484238B (en) 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US20010030511A1 (en) 2000-04-18 2001-10-18 Shunpei Yamazaki Display device
TW451601B (en) * 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
TW522752B (en) 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
JP3695308B2 (ja) 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2002208484A (ja) 2001-01-12 2002-07-26 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法
US6720198B2 (en) 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP4801278B2 (ja) 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2003059671A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Sony Corp 表示素子及びその製造方法
JP2003123969A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
US6852997B2 (en) 2001-10-30 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
SG143063A1 (en) 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2004145244A (ja) * 2002-01-25 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2003243171A (ja) 2002-02-18 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3481232B2 (ja) 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
US7094684B2 (en) 2002-09-20 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2004200027A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Rohm Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
US7792489B2 (en) 2003-12-26 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device
JP4664604B2 (ja) 2004-02-18 2011-04-06 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006185719A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Shin Sti Technology Kk 封止構造体、カラーフィルタ及び有機ｅｌディスプレイ
US8026531B2 (en) 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5078267B2 (ja) 2005-03-22 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
EP1760776B1 (en) 2005-08-31 2019-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate
EP1770676B1 (en) 2005-09-30 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2007141821A (ja) 2005-10-17 2007-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI460851B (zh) 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US20070194321A1 (en) 2006-02-17 2007-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
JP2008223067A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Seiko Epson Corp 成膜用マスク部材、成膜用マスク部材の製造方法、マスク成膜方法、および成膜装置
JP2008234885A (ja) 2007-03-19 2008-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
US7834543B2 (en) 2007-07-03 2010-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same
JP4977561B2 (ja) * 2007-09-05 2012-07-18 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
WO2009128522A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method for manufacturing the same
KR101635625B1 (ko) 2008-04-18 2016-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 그 제작 방법
JP4678421B2 (ja) 2008-05-16 2011-04-27 ソニー株式会社 表示装置
KR101310917B1 (ko) 2008-07-17 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
JP2011014347A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Casio Computer Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
US9093648B2 (en) * 2009-07-02 2015-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL element, method for manufacturing the same, and organic EL display device
JP2011108531A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Seiko Epson Corp 表示装置および電子機器
WO2011162105A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
WO2012115016A1 (en) 2011-02-25 2012-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using light-emitting device
KR101920374B1 (ko) 2011-04-27 2018-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
US9142598B2 (en) * 2011-06-24 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting panel, light-emitting device using the light-emitting panel, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR101933952B1 (ko) 2011-07-01 2018-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6124584B2 (ja) 2012-12-21 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434669A (zh) * 2002-01-25 2003-08-06 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US20040021413A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-05 Nobuyuki Ito Electroluminescent display and process for producing the same
US8093612B2 (en) * 2008-10-08 2012-01-10 Hitachi Displays, Ltd. Organic EL display device and manufacturing method thereof
CN102334384A (zh) * 2010-02-22 2012-01-25 松下电器产业株式会社 发光装置及其制造方法
US20120018770A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 Min-Hao Michael Lu Oled light source having improved total light emission
US20120205678A1 (en) * 2011-02-11 2012-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device and Manufacturing Method Thereof, Lighting Device, and Display Device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107146808A (zh) * 2017-05-15 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件制造方法、oled器件及显示面板
US10784321B2 (en) 2017-05-15 2020-09-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing OLED device, OLED device and display panel
CN110783480A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 苹果公司 具有结构化电极的有机发光二极管显示器
US11211587B2 (en) 2018-07-30 2021-12-28 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with structured electrode
CN110783480B (zh) * 2018-07-30 2024-04-05 苹果公司 具有结构化电极的有机发光二极管显示器
US12127420B2 (en) 2019-02-15 2024-10-22 Sony Semiconductor Solutions Corpporation Display device, method for manufacturing display device, and electronic apparatus
CN111755610A (zh) * 2019-03-26 2020-10-09 株式会社日本显示器 显示装置
CN111755610B (zh) * 2019-03-26 2023-08-29 株式会社日本显示器 显示装置
CN110379831A (zh) * 2019-06-11 2019-10-25 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110649078A (zh) * 2019-09-30 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用基板及显示装置
CN112002817A (zh) * 2020-08-25 2020-11-27 合肥视涯技术有限公司 一种有机发光显示面板
US11871620B2 (en) 2020-08-25 2024-01-09 SeeYa Optronics, Ltd. OLED display panel having fence structure under anode

Also Published As

Publication number Publication date
US20140175470A1 (en) 2014-06-26
JP6155020B2 (ja) 2017-06-28
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US9093404B2 (en) 2015-07-28

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