CN103843465B - 等离子体装置和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种等离子体生成装置以及基板处理装置。等离子体生成装置包括：多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组以及第二天线组，并分别安装在所述介电管外部；第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组供应功率；第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组供应功率；以及第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组。

Description

等离子体装置和基板处理装置
技术领域
本发明大体上涉及等离子体生成装置，且更具体地涉及感性耦合等离子体生成装置。
背景技术
大面积等离子体生成装置包括感性耦合等离子体(inductively coupledplasma)生成装置、容性耦合等离子体(capacitively coupled plasma)生成装置或螺旋波等离子体(helicon plasma)生成装置。
发明内容
本发明的实施例提供了用于生成均匀螺旋波或感性耦合等离子体的等离子体生成装置。
根据本发明实施例的等离子体生成装置可包括：多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组以及第二天线组，并分别安装在所述介电管外部；第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组供应功率；第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组供应功率；以及第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组。
在本发明的一个实施例中，所述第一功率分配单元包括：第一功率分配线；以及第一导电外壳，所述第一导电外壳包封所述第一功率分配线并接地。所述第一功率分配单元的输入端子与所述第一天线组的天线之间的距离是相同的
在本发明的一个实施例中，等离子体生成装置还可包括：第二功率分配单元，所述第二功率分配单元布置在所述第二RF功率源与所述第二天线组的天线之间。所述第二功率分配单元包括：第二功率分配线；以及第二导电外壳，所述第二导电外壳包封所述第二功率分配线并接地。所述第二功率分配单元的输入端子与所述第二天线组的天线之间的距离是相同的。
在本发明的一个实施例中，等离子体生成装置还可包括：以间隔开的方式布置在所述介电管的长度方向上的圆环形永磁体。
在本发明的一个实施例中，所述等离子体生成装置还可包括：移动部件，所述移动部件固定全部或部分的所述永磁体，并且移动布置有所述永磁体的平面。
在本发明的一个实施例中，移动部件可包括：至少一个支撑柱，所述至少一个支撑柱固定地连接到所述真空容器并垂直地延伸到布置有所述介电管的平面；以及永磁体固定板，所述永磁体固定板上安装有所述永磁体，并且嵌入有所述支撑柱以能够沿所述支撑柱移动。
在本发明的一个实施例中，所述第一天线组的天线基于所述真空管容器的圆形顶板的中央对称地布置在恒定半径的圆周附近，并且所述第二天线组的天线布置在所述顶板的中央。
在本发明的一个实施例中，第一功率分配单元包括：具有同轴电缆形式的输入分支，所述输入分支从所述第一RF功率源接收功率；具有同轴电缆形式的三向分支，所述三向分支连接到所述输入分支，并分支成三路；以及具有同轴电缆形式的T形分支，所述T形分支连接到所述三向分支，并分支成两路。
在本发明的一个实施例中，所述等离子体生成装置还可包括：固定板，所述固定板用于固定所述天线并被固定到所述顶板；以及地线，所述地线连接到所述固定板以及所述T形分支的外导体。每个所述固定板的一端连接到每个所述天线的一端，并且每个所述固定板的另一端连接到所述地线的一端。针对所有所述天线，所述地线的长度相同。
在本发明的一个实施例中，所述等离子体生成装置还可包括：金属盖，每个所述金属盖安装在每个所述介电管的一端。每个所述介电管的长度(L/2=π/kz)满足如下方程式：
这里，R代表每个所述介电管的半径，e代表电子的电荷量，B0代表每个所述介电管的中央的磁通密度的强度，μ0代表磁导率，ω代表角频率，并且n0代表等离子体密度。
在本发明的一个实施例中，所述第一RF功率源的驱动频率与所述第二RF功率源的驱动频率不同。
在本发明的一个实施例中，，所述天线在所述真空容器的方形顶板上排列成矩阵。所述第一天线组的天线沿着外周布置。所述第二天线组的天线布置在由所述第一天线组的天线包围的内部。
在本发明的一个实施例中，所述等离子体生成装置还可包括：第二功率分配单元，所述第二功率分配单元布置在所述第二天线组的天线与所述第二RF功率源之间，以将来自所述第二RF功率源的功率分配到所述第二天线组的天线。
根据本发明另一个实施例的基板处理装置，其可包括：多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组和第二天线组，并且分别安装在所述介电管外部；第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组的天线供应功率；第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组的天线供应功率；以及第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组的天线与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组的天线。
在本发明的一个实施例中，所述基板处理装置还可包括：栅格，所述栅格分别布置在所述通孔的下部处。
附图说明
鉴于附图以及伴随的具体说明，本发明将变得更加明显。通过示例而非通过限制的方式来提供记载于本文的实施例，其中，相同的附图标记表示相同或相似的元件。附图并不必要依照比例来决定，而是将重点放在对本发明的方面进行说明。
图1是根据本发明的实施例的等离子体生成装置的立体图。
图2是示出了图1中的介电管的布置关系的俯视图。
图3是图1中的等离子体生成装置的概念图。
图4是图1中的等离子体生成装置的电路图。
图5示出了图1中的介电管。
图6A是图1中的功率分配单元的立体图。
图6B是沿图6A中的线I-I'的剖视图。
图6C是沿图6A中的线II-II'的剖视图。
图6D是沿图6A中的线III-III'的剖视图。
图7是根据本发明的另一实施例的等离子体生成装置的俯视图。
图8是图7中的等离子体生成装置的电路图。
图9示出了根据本发明的另一实施例的等离子体生成装置。
具体实施方式
为了生成大面积的等离子体，单个功率源可以向并联连接的多个天线供应功率。可以将功率分配单元布置在天线与功率源之间以向各个天线供应相同的功率。
例如，将七个天线布置在真空容器的圆形顶板上。将其中一个天线布置在圆形顶板的中央，并将其它的天线相对于圆形顶板的中央对称地布置在预定圆周上。可以经由功率分配单元将七个天线连接到单个功率源。
然而，如果天线生成等离子体，则对称地位于圆周上的天线的阻抗与位于中央的天线的阻抗不同。因此，功率集中于部分天线上，从而阻止了生成均匀的等离子体。
由此，在根据本发明实施例的等离子体生成装置中，基于布置对称性将天线划分为多个天线组，并且可以将天线组连接到不同的功率源以在各个天线组之间供应独立的功率。
此外，功率分配单元具有同轴电缆的形式，其中每个天线组中的所有天线具有相同的长度。相应地，每个天线组中的所有天线可在相同条件下操作。
通常，感性耦合等离子体生成装置在数十mTorr(毫托)或以上的压强下生成高密度等离子体。然而，感性耦合等离子体生成装置难以在数个毫托的低压强下生成高密度等离子体。由此，不能在单个真空容器中执行低压强处理和高压强处理。
随着半导体器件集成度的提高，需要能够控制氧化层的沉积速率并且能够沉积高纯度氧化层且在低压强下具有高密度的等离子体的生成装置。
然而，在低压强(数个毫托)下生成常规的感性耦合等离子体是困难的。由此，可以使用螺旋波等离子体，在使用永磁体时，即使在低压强的情况下也能够生成具有高密度的螺旋波等离子体。如果要在低压强下具有高密度的等离子体，那么，高纯度氧化层可以通过尽可能多地离解注入气体(例如，O2)来形成。在低压强下生成等离子体以均匀地沉积高纯度的氧化层之后，等离子体生成装置可以在高压强下沉积氧化层以调节氧化类型(拓扑的)特性。
现在，将参照附图更全面地说明本发明的示例性实施例，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明的示例性实施例可以被实施为不同形式且不应该被解释为对这里陈述的实施例的限制。相反，提供这些本发明的示例性实施例以便对本领域技术人员来说本说明书将是彻底而完整的并且充分传达了本发明的示例性实施例的概念。在附图中，为了清楚起见，元件的大小和相对大小可以被夸大。相同的附图标记自始至终是指相同的元件。
图1是根据本发明实施例的等离子体生成装置的立体图。
图2是示出了图1中的介电管的布置关系的俯视图。
图3是图1中的等离子体生成装置的概念图。
图4是图1中的等离子体生成装置的电路图。
图5示出了图1中的介电管。
图6A是图1中的功率分配单元的立体图。
图6B是沿图6A中的线I-I'的剖视图。
图6C是沿图6A中的线II-II'的剖视图。
图6D是沿图6A中的线III-III'的剖视图。
参照图1至5以及图6A至6D，等离子体生成装置100包括：多个介电管112a～112f和212，它们分别安装在形成于真空容器152中的多个通孔111a～111f和211中；天线116a～116f以及216，基于它们在真空容器152中的布置对称性，它们被划分成第一天线组116和第二天线组216，并分别安装在介电管112a～112f以及212外部；第一RF功率源162，它用于向第一天线组116供应功率；第二RF功率源164，它用于向第二天线组216供应功率；以及第一功率分配单元122，它布置在第一天线组116与第一RF功率源162之间以将来自第一RF功率源162的功率分配至第一天线组116。
真空容器152可具有圆柱形状或方形容器形状。真空容器152可包括用于供应气体的气体供应部以及用于排出气体的气体排出部。真空容器152可包括基板支承台154以及安装在基板支承台154上的基板156。真空容器152可包括顶板153。顶板153可以是真空容器152的盖子。顶板153可由金属或合金制成。顶板153可布置在x-y平面上。
顶板153可具有多个通孔111a～111f以及211。介电管112a～112f以及212可以分别布置在通孔111a～111f以及211上。介电管112a～112f以及212的真空状态可以由布置在通孔上部附近的O形环保持。介电管112a～112f以及212中的每者可以具有无盖钟罩(lidless bell jar)的形式。介电管112a～112f以及212中的每者可包括垫圈形的支撑部以及圆柱形的圆筒部。
介电管112a～112f以及212中的每者可以由玻璃、石英、氧化铝，蓝宝石或陶瓷制成。介电管112a～112f以及212的一端可以连接到真空容器152的通孔，而它们的另一端可以连接到金属盖114a～114f以及214。金属盖114a～114f以及214可包括用于引入气体的气体入口部115。金属盖114a～114f和214可以反射螺旋波以引起相长干涉。介电管112a～112f以及212中的每者可以具有数厘米至数十厘米的长度。介电管112a～112f以及212中每者的长度可以由介电管的半径(R)、磁通密度的强度(B0)、等离子体密度(n0)以及天线频率(f)来确定。
当半径是R时，假设介电管中的等离子体是均匀的，针对其中m=0的螺旋模式，介电管112a～112f和212的管壁上的径向电流密度是零。介电管112a～112f以及212中每者的长度(L/2=π/kz)对应于半波长并且通过以下的方程式(1)给出(kz是螺旋波的波数)。
方程式(1)
这里，e代表电子的电荷量，B0代表磁通密度的强度，μ0代表磁导率，ω代表角频率，并且n0代表等离子体密度。
当频率f=13.56MHz，B0=90高斯，且n0=4×1012cm-3时，则L=11.3cm。
天线116a～116f以及216可基于几何对称性被划分成第一天线组116和第二天线组216。第一天线组116的天线可以具有相同的结构。同样，第二天线组216的天线可以具有相同的结构。天线116a～116f以及216中的每者可以是圆柱形或矩形导电管。在天线116a～116f以及216内部可流动有冷却剂。
第一天线组116的天线116a～116f可基于顶板153的中央对称地布置在预定半径的圆周附近。第一天线组可包括六个天线116a～116f，并且第二天线组216可以只包括一个天线。天线116a～116f以及216中的每者可以是3匝的天线。天线116a～116f以及216可结合永磁体132a～132g在数毫托的低压强下生成螺旋波等离子体。当真空容器152的压强是数十毫托时，可以与永磁体无关地生成感性耦合等离子体。
第一RF功率源162可以输出第一频率的正弦波。可经由第一阻抗匹配网络163将第一RF功率源162的功率供应到第一功率分配单元122。第一RF功率源162的频率从数百kHz至数百MHz。
第一功率分配单元122可以将经由第一阻抗匹配网络163接收的功率分配至第一天线组116的天线116a～116f。第一功率分配单元122可包括第一功率分配线122c以及第一导电外壳122a，第一导电外壳122a包封第一功率分配线122c并接地。第一功率分配单元122的输入端子N1与第一天线组116的天线116a～116f之间的距离可彼此相等。在第一功率分配线122c与第一导电外壳122a之间可布置有第一绝缘部。
第一功率分配单元122可包括：输入分支123，它具有同轴电缆形式并从第一RF功率源162接收功率；三向分支124，它具有同轴电缆形式，连接到输入分支123并分成支三路；以及T型分支125，它具有同轴电缆形式，连接到三向分支124并分支成两路。
输入分支123可以是圆柱形的。输入分支123可以具有同轴电缆结构。输入分支123可包括圆柱形内导体123c、用于包封内导体123c的圆柱形绝缘体123b以及用于包封绝缘体123b的圆柱形外导体123a。冷却剂可以流入到内导体123c内。
输入分支123的一端可以连接到第一阻抗匹配网络163，并且其另一端可以连接到三向分支124(其以120度的规则角度分支)。三向分支124可以具有沿轴线切开的方形柱的形式。三向分支124可以布置在沿z轴方向与顶板153间隔开的xy平面上。三向分支124可以具有同轴电缆结构。三向分支124可包括圆柱形内导体124c、用于包封内导体124c的切开方管形的绝缘体124b以及用于包封绝缘体124b的方管形导体124a。经由输入分支123的内导体123c供应的冷却剂可流入到三向分支124的内导体124c中。
T形分支125可以连接到三向分支124以将功率分配到两个分支。T形分支125可以具有切开的方形管的形式。T形分支125中的每者可以具有同轴电缆结构。T形分支125中的每者可包括具有圆柱形形式的内导体125c、用于包封内导体125c的绝缘体125b以及用于包封绝缘体125b的外导体125a。冷却剂可以流入到内导体125c中。T形分支125可以具有相同长度的臂。
T形分支125中的每者可以向一对天线116a，116b供应功率。T形分支125可以具有相同的形状。内导体125c可以连续地连接到天线116a，116b以同时供应功率和冷却剂。经由三向分支124的内导体124c供应的冷却剂可以流入到T形分支125的内导体125c。
固定板113可以用于固定天线116a～116f以及216，并且可以固定到顶板153。固定板113中每者的一端可以连接到天线116a～116f以及216中每者的一端以接地。固定板113中每者的另一端可以连接到地线119的一端以接地。
地线119可以将固定板113连接到T形分支125的外导体125a。地线119的一端连接到固定板113的另一端，并且地线119的另一端可以连接到T形分支125的外导体125a。针对第一天线组116的天线116a～116f，地线119可以具有相同的长度。由此，所有的第一天线组116的天线116a～116f可以具有相同的阻抗。
气体分配单元172可以向介电管供应气体。气体分配单元172可以具有与第一功率分配单元122相似的结构并且可以将气体均等地分配给介电管。气体分配单元172可以布置在金属盖214处。气体分配单元172可以布置在金属盖114a～114f处并具有相同的长度。更具体地，气体分配单元172可以在第二天线组的金属盖214处分支成三路并且可以再次以T形的方式分支以连接到第一天线组的金属盖114a～114f。
第二RF功率源164可以向第二天线组216供应功率。为了使第一RF功率源162与第二RF功率源164之间的干扰最小化，第一RF功率源162的第一频率可以不同于第二RF功率源164的第二频率。例如，第一频率可以是13.56MHz，并且第二频率可以是12MHz。
永磁体132a～132g可以具有圆环形状。永磁体132a～132g中的每者可以具有方形或圆形截面。永磁体的磁化方向可以与布置有永磁体的平面垂直。
第二RF功率源164可以直接连接到第二天线组216的天线。
永磁体132a～132g可以嵌入到永磁体固定板141中。永磁体可布置成沿z轴方向与天线的中央间隔开。
移动部件140可以固定地连接到顶板153。移动部件140可包括至少一个垂直地延伸到布置有介电管112a～112f和212的平面(xy平面)的支撑柱142。永磁体固定板141可以嵌入有支撑柱142以沿支撑柱142移动。通孔143可形成在永磁体固定板141的中央。输入分支123可以经由通孔143连接到第一阻抗匹配网络163。
永磁体固定板141可以是用于固定永磁体132a～132g的装置。永磁体132a～132g可以布置成沿z轴方向与天线对准。永磁体132a～132g可嵌入到永磁体固定板141中以被固定。移动部件140可以调整介电管中的磁通密度的强度(B0)以建立螺旋模式。例如，移动部件140可以按如下方式移动，即，磁通量密度(B0)与等离子体密度(n0)之比(B0/n0)在给定条件(L、ω以及R)下不变。由此，可生成均匀的等离子体。
图7是根据本发明的另一实施例的等离子体生成装置的俯视图。
图8是图7中的等离子体生成装置的电路图。
参照图7和图8，等离子体生成装置400包括：多个介电管312a～312l以及412a～412d，它们分别安装在多个形成于真空容器453处的通孔中；天线316a～316l以及416a～416d，基于它们在真空容器453中的布置对称性它们被划分为第一天线组和第二天线组，并分别安装在介电管312a～312l以及412a～412d外部；第一RF功率源162，它用于向第一天线组316的天线供应功率；第二RF功率源164，它用于向第二天线组416的天线供应功率；以及第一功率分配单元322，它布置在第一天线组316与第一RF功率源162之间以将来自第一RF功率源162的功率分配到第一天线组316。
天线316a～316l以及416a～416d可以在真空容器453的方形顶板上排列成4×4的矩阵。第一天线组316的天线可以沿着周边布置。第二天线组416的天线可以布置在由第一天线组316的天线围绕的内部。
第一功率分配单元322可包括第一功率分配线322c以及用于包封第一功率分配线322c并接地的第一导电外壳322a。第一功率分配单元322的输入端子N1与第一天线组316的天线之间的距离可以相同。
第二功率分配单元422可以布置在第二RF功率源164与第二天线组416的天线之间。第二功率分配单元422可包括第二功率分配线422c以及用于包封第二功率分配线422c并被接地的第二导电外壳422a。第二功率分配单元422的输入端子N2与第二天线组416的天线之间的距离可以相同。
天线316a～316l以及416a～416d可以经由地线接地到真空容器453。
永磁体可布置在天线316a～316l以及416a～416d上。移动部件可以调整永磁体与天线316a～316l、416a～416d之间的距离。
图9示出了根据本发明另一实施例的等离子体生成装置。在图9中，将广泛地说明不同于图1的部分以避免重复说明。
参照图9，等离子体生成装置100a可包括：多个介电管112a～112f以及212，它们分别安装在多个形成于真空容器152处的通孔111a～111f以及211中；天线116a～116f以及216，它们安装在介电管112a～112f以及212外并被划分成第一天线组116以及第二天线组216；第一RF功率源162，它用于向第一天线组116供应功率；第二RF功率源164，它用于向第二天线组216供应功率；以及第一功率分配单元122，它布置在第一天线组116与第一RF功率源162之间以将来自第一RF功率源162的功率分配到第一天线组116。
气体分配单元172可以向介电管112a～112f以及212供应气体。气体分配单元172可以布置在金属盖214处。针对内部布置有介电管112a～112f的第一天线组116的天线116a～116f，气体分配单元172可以形成为具有相同的长度。
永磁体可以被划分为对应于第一天线组116的第一组永磁体以及对应于第二天线组216的第二组永磁体。移动部件可包括第一移动部件以及第二移动部件。第一移动部件可包括第一支撑柱以及用于固定第一组永磁体的第一永磁体固定板。第一永磁体固定板可以沿着第一支撑柱在z轴方向上移动。第二移动部件可包括第二支撑柱以及用于固定第二组永磁体的第二永磁体固定板。第二永磁体固定板可以沿着第二支撑柱在z轴方向上移动。
可以在通孔的下部处分别布置有栅格。每个栅格可以由导电材料制成。相应地，介电管内部放电的等离子体可以被限制在介电管的内部。因此，可以在不使其直接暴露于等离子体的情况下来处理基板。
如目前为止的说明，根据本发明实施例的等离子体生成装置可以生成在空间上均匀的螺旋波等离子体。
虽然结合附图中所示的本发明的实施例对本发明进行了说明，但是，本发明并不限于此。对于本领域技术人员来说，明显的是，可以在不偏离本发明的精神与范围的情况下做出不同的替代、变形以及改变。

Claims (12)

1.一种等离子体生成装置，其包括：
多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；
天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组以及第二天线组，并分别安装在所述介电管外部；
第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组供应功率；
第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组供应功率；以及
第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组，
其中，所述第一天线组的天线基于所述真空管容器的圆形顶板的中央对称地布置在恒定半径的圆周附近，并且
其中，所述第二天线组的天线布置在所述顶板的中央，
其中，所述第一功率分配单元包括：
具有同轴电缆形式的输入分支，所述输入分支从所述第一RF功率源接收功率；
具有同轴电缆形式的三向分支，所述三向分支连接到所述输入分支，并分支成三路；以及
具有同轴电缆形式的T形分支，所述T形分支连接到所述三向分支，并分支成两路，
所述等离子体生成装置还包括：
固定板，所述固定板用于固定所述天线并被固定到所述顶板；以及
地线，所述地线连接到所述固定板以及所述T形分支的外导体，
其中，每个所述固定板的一端连接到每个所述天线的一端，并且每个所述固定板的另一端连接到所述地线的一端，并且
其中，针对所有所述天线，所述地线的长度相同。
2.如权利要求1所述的等离子体生成装置，
其中，所述第一功率分配单元包括：
第一功率分配线；以及
第一导电外壳，所述第一导电外壳包封所述第一功率分配线并接地，并且
其中，所述第一功率分配单元的输入端子与所述第一天线组的天线之间的距离是相同的。
3.如权利要求1所述的等离子体生成装置，其还包括：
以间隔开的方式布置在所述介电管的长度方向上的圆环形永磁体。
4.如权利要求3所述的等离子体生成装置，其还包括：
移动部件，所述移动部件固定全部或部分的所述永磁体，并且移动布置有所述永磁体的平面。
5.如权利要求4所述的等离子体生成装置，其中，所述移动部件包括：
至少一个支撑柱，所述至少一个支撑柱固定地连接到所述真空容器并垂直地延伸到布置有所述介电管的平面；以及
永磁体固定板，所述永磁体固定板上安装有所述永磁体，并且嵌入有所述支撑柱以能够沿所述支撑柱移动。
6.如权利要求1所述的等离子体生成装置，其还包括：
金属盖，每个所述金属盖安装在每个所述介电管的一端，
其中，每个所述介电管的长度L/2满足如下方程式：
L/2＝π/kz，和
k z 4 + ( 3.83 R ) 2 k z 2 - ( eμ 0 n 0 ω B 0 ) 2 = 0
这里，R代表每个所述介电管的半径，e代表电子的电荷量，B0代表每个所述介电管的中央的磁通密度的强度，μ0代表磁导率，ω代表角频率，并且n0代表等离子体密度。
7.如权利要求1所述的等离子体生成装置，其中，所述第一RF功率源的驱动频率与所述第二RF功率源的驱动频率不同。
8.如权利要求1所述的等离子体生成装置，
其中，所述天线在所述真空容器的方形顶板上排列成矩阵，
其中，所述第一天线组的天线沿着外周布置，并且
其中，所述第二天线组的天线布置在由所述第一天线组的天线包围的内部。
9.如权利要求7所述的等离子体生成装置，其还包括：
第二功率分配单元，所述第二功率分配单元布置在所述第二天线组的天线与所述第二RF功率源之间，以将来自所述第二RF功率源的功率分配到所述第二天线组的天线。
10.一种基板处理装置，其包括：
多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；
天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组和第二天线组，并且分别安装在所述介电管外部；
第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组的天线供应功率；
第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组的天线供应功率；以及
第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组的天线与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组的天线，
其中，所述天线在所述真空容器的方形顶板上排列成4×4的矩阵，
所述第一天线组的天线沿着所述方形顶板的周边布置，
其中，所述第二天线组的天线布置在由所述第一天线组的天线围绕的内部，
其中，所述第一功率分配单元包括：
第一功率分配线；以及
第一导电外壳，所述第一导电外壳包封所述第一功率分配线并接地，并且
其中，所述第一功率分配单元的输入端子与所述第一天线组的天线之间的距离是相同的，
所述基板处理装置还包括：
固定板，所述固定板用于固定所述天线并被固定到所述顶板；以及
地线，所述地线连接到所述固定板以及所述第一导电外壳，
其中，每个所述固定板的一端连接到每个所述天线的一端，并且每个所述固定板的另一端连接到所述地线的一端，并且
其中，针对所有所述天线，所述地线的长度相同。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其还包括：
栅格，所述栅格分别布置在所述通孔的下部处。
12.如权利要求10所述的基板处理装置，其还包括：
第二功率分配单元，所述第二功率分配单元布置在所述第二RF功率源与所述第二天线组的天线之间，
其中，所述第二功率分配单元包括：
第二功率分配线；以及
第二导电外壳，所述第二导电外壳包封所述第二功率分配线并接地，并且
其中，所述第二功率分配单元的输入端子与所述第二天线组的天线之间的距离是相同的。
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