JP2000277506A

JP2000277506A - プラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法

Info

Publication number: JP2000277506A
Application number: JP11080432A
Authority: JP
Inventors: Koji Endo; 浩二遠藤
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-03-24
Filing date: 1999-03-24
Publication date: 2000-10-06

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成にて、厚さが均一な膜を速い成膜
速度で大きな基板に容易に形成できるプラズマＣＶＤ装
置及び膜形成方法を提供する。【解決手段】ヘリコン波発生用のアンテナ６ａ，６ｂ
及び磁場発生用のコイル７ａ，７ｂを周囲に設けた２個
のベルジャ１ａ，１ｂが、成膜対象の基板４を収容した
拡散チャンバ２に連通させて並列に配設されている。両
ベルジャ１ａ，１ｂの間隔と、各ベルジャ１ａ，１ｂの
開口部の下端から基板４の上面までの距離とを等しくす
る。印加される全磁力線の数及び拡散の状況は、両ベル
ジャ１ａ，１ｂにおいて全く同じであり、厚さが均一で
ある膜が基板４に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ヘリコン波プラズ
マを利用して膜を形成するプラズマＣＶＤ装置及び膜形
成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】太陽電池，ＴＦＴ等の半導体装置におけ
るシリコン膜等の薄膜を形成する方法として、プラズマ
を利用した種々の方法が実施されている。これらの方法
に利用されるプラズマ源としては、直流放電と高周波放
電とが主なものである。この中でＭＨｚ帯の高周波を用
いたヘリコン波放電は、低圧下で高密度にプラズマを発
生できる方式とされている。このヘリコン波によるプラ
ズマ生成は、波動を利用して効率良くプラズマ中に高周
波電場が入るので、比較的低い電力で高密度（１０¹²ｃ
ｍ^-3以上）のプラズマが得られる。また、低圧のＥＣＲ
放電のようにサイクロトロン共鳴を用いないので、広い
範囲の磁場（数十〜数ｋガウス）で高密度プラズマが得
られる。

【０００３】このように、ヘリコン波によるプラズマ生
成法は、従来のプラズマ生成法である無磁場中の高周波
放電，電子サイクロトロン共鳴等に比べて、より高密度
のプラズマを生成することができる。そこで、成膜速度
の向上及び原料ガスの利用効率の向上を図るために、ヘ
リコン波プラズマを利用して太陽電池，ＴＦＴ等の半導
体装置の薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置が開発され
ている。

【０００４】図９は、ヘリコン波プラズマを利用して基
板に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置の典型的な構成を
示す断面図である。

【０００５】石英等の絶縁材からなる中空のベルジャ１
が、内部でプラズマが拡散する拡散チャンバ２に接続さ
れており、このベルジャ１と拡散チャンバ２とは相互の
内空間が連通している。ベルジャ１の周囲には、ヘリコ
ン波発生用のアンテナ６が巻付けられており、そのアン
テナ６に電源（図示せず）から高周波電力を印加するこ
とによってヘリコン波が励起されるようになっている。
また、ベルジャ１の周囲には、ソレノイド状の磁場発生
用のコイル７が配設されており、そのコイル７に電源
（図示せず）から電流を流すことによって前記内空間に
磁場が形成されるようになっている。これらのベルジャ
１，アンテナ６及びコイル７にて、ヘリコン波プラズマ
を発生するプラズマ発生部が構成される。

【０００６】拡散チャンバ２には、原料ガスを供給する
ガス供給管３が連通されており、形成する膜の原料ガス
が拡散チャンバ２内に導入されるようになっている。ま
た、拡散チャンバ２内には、成膜対象の基板４を載置す
るための基台５が設けられている。更に、拡散チャンバ
２内は、真空排気系８にて真空排気が可能である。

【０００７】このような構成のプラズマＣＶＤ装置にあ
って、真空排気系８にて拡散チャンバ２内を真空排気し
ながら、ガス供給管３を介して原料ガスを所定圧力で拡
散チャンバ２内に導入する。コイル７に電流を流して磁
場を発生させる。次に、アンテナ６に高周波電力を印加
してヘリコン波を励起させる。このヘリコン波は、磁力
線と平行にベルジャ１から拡散チャンバ２へ向かってこ
れらの内空間を伝播する。この結果、ヘリコン波が伝播
する空間において高密度のプラズマが生成される。この
プラズマは、拡散チャンバ２内では、磁力線の方向に拡
散する。そして、この拡散したプラズマによって、原料
ガスが分解され、その分解物が基台５上の基板４に堆積
されて、膜形成がなされる。

【０００８】太陽電池，ＴＦＴ等の半導体装置における
薄膜の形成処理では、成膜対象の基板の面積が大きけれ
ば大きいほど低コスト化を図れることになるが、基板が
大きい場合にはプラズマＣＶＤ装置もその基板の大型化
に対応できる構成を必要とする。

【０００９】基板の大型化に対応するために、大きな内
径のベルジャ１を使用することが考えられる。しかしな
がら、ヘリコン波プラズマＣＶＤ装置にあっては、均一
な厚さが得られる領域は、ベルジャ１の内径の２倍程度
以下の大きさの基板に限定される。例えば、内径が１０
ｃｍ程度のベルジャ１から拡散チャンバ２にプラズマを
拡散させることによって、直径２０ｃｍ程度の領域まで
は基板４上の厚さは一定であるが、それ以上の領域では
厚さが除々に不均一となっていく。よって、基板の大型
化に対応するためには、ベルジャ１の内径を非常に大き
くしなければならないが、あまり大きくしすぎた場合に
は、アンテナ６及びコイル７が巨大化するだけでなく、
均一で安定したプラズマ発生は困難であるという問題が
ある。

【００１０】また、ベルジャ１の内径はそのままにし
て、広い領域に均一な厚さを得るために拡散チャンバ２
を大きくしてベルジャ１と基板４との距離を十分大きく
とる構成も考えられる。しかしながら、このようにした
場合には、プラズマでの分解物が基板４に到達する前に
消滅し、成膜速度が低下してしまうという問題がある。

【００１１】以上のような問題を解決することを目的と
したヘリコン波プラズマＣＶＤ装置が、特開平１０−１
７２７８９号公報に提案されている。このプラズマＣＶ
Ｄ装置では、プラズマ発生部を複数設けて、大面積の基
板に対応するようにしており、隣合うプラズマ発生部同
士のプラズマの重なりによる膜の不均一性を解消すべ
く、見掛け上プラズマ密度が均一になるように、基板を
磁力線の方向に対して垂直に移送する設備を備えてい
る。また、装置構成が複雑化することを防止するため
に、複数のプラズマ発生部に共通の一つの大きな静磁界
発生用のコイルを設けている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】特開平１０−１７２７
８９号公報に開示されたプラズマＣＶＤ装置では、次の
ような問題がある。基板を移送させることは厚さムラの
原因となり、再現性が低い。また、ヘリコン波は静磁界
の強度に非常に敏感であり、大きなコイルではその磁界
の均一性において微妙な調整が困難である。

【００１３】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、ヘリコン波プラズマを発生する複数のプラズマ
発生部の配置を調整することにより、簡単な構成にて大
きな膜形成対象物（基板）に対応でき、厚さが均一な膜
を速い成膜速度で大きな膜形成対象物（基板）に容易に
形成できるプラズマＣＶＤ装置及び膜形成方法を提供す
ることを目的とする。

【００１４】本発明の他の目的は、隣合うプラズマ発生
部の間に磁気遮蔽部材を設けることにより、全てのプラ
ズマ発生部において均一なプラズマを発生でき、厚さが
均一な膜を速い成膜速度で大きな膜形成対象物（基板）
に容易に形成できるプラズマＣＶＤ装置及び膜形成方法
を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１に係るプラズマ
ＣＶＤ装置は、ヘリコン波プラズマを発生させる複数の
プラズマ発生部を備え、発生したヘリコン波プラズマを
利用して膜形成対象物に膜を形成するプラズマＣＶＤ装
置において、前記複数のプラズマ発生部の中の隣合うプ
ラズマ発生部間の距離が、前記複数の各プラズマ発生部
と設けられる前記膜形成対象物との間の距離に実質的に
等しくなるように、前記複数のプラズマ発生部を配置し
てあることを特徴とする。

【００１６】請求項２に係るプラズマＣＶＤ装置は、ヘ
リコン波プラズマを発生させる複数のプラズマ発生部を
備え、発生したヘリコン波プラズマを利用して膜形成対
象物に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記
複数のプラズマ発生部の隣合うプラズマ発生部の間に、
磁気遮蔽部材を設けてあることを特徴とする。

【００１７】請求項３に係る膜形成方法は、複数のプラ
ズマ発生部にて発生させたヘリコン波プラズマを利用し
て膜形成対象物に膜を形成する方法において、前記複数
のプラズマ発生部の中の隣合うプラズマ発生部間の距離
が、前記複数の各プラズマ発生部と前記膜形成対象物と
の間の距離に実質的に等しくなるように、前記複数プラ
ズマ発生部を配置して、前記膜形成対象物に膜を形成す
ることを特徴とする。

【００１８】請求項４に係る膜形成方法は、複数のプラ
ズマ発生部にて発生させたヘリコン波プラズマを利用し
て膜形成対象物に膜を形成する方法において、前記複数
のプラズマ発生部の隣合うプラズマ発生部の間に、磁気
遮蔽部材を設けて、前記膜形成対象物に膜を形成するこ
とを特徴とする。

【００１９】請求項１，３の第１発明では、複数のプラ
ズマ発生部を、互いに等しい距離を隔てて配置すると共
に、各プラズマ発生部から膜形成対象物までの距離をこ
の配置距離と同程度にする。この各プラズマ発生部から
膜形成対象物までの距離としては、形成する膜の厚さの
均一性が良好であって、しかも成膜速度があまり遅くな
らないような最適距離を設定すれば良い。このようにす
ると、各プラズマ発生部での印加磁場等の状況が同じに
なるので、均一な厚さの膜を大きな膜形成対象物に形成
できる。第１発明では、特別な構成部材を必要とするこ
となく、大きな膜形成対象物に対応できる。

【００２０】請求項２，４の第２発明では、隣合うプラ
ズマ発生部の間に、磁気遮蔽部材を設ける。よって、隣
合う他のプラズマ発生部からの影響を受けずに、各プラ
ズマ発生部にてプラズマを発生することができる。よっ
て、すべてのプラズマ発生部において均一なプラズマを
発生でき、均一な厚さの膜を大きな膜形成対象物に形成
できる。プラズマ発生部の個数は、膜形成対象物の大き
さを考慮してその全領域に対応できるように任意に設定
すれば良い。第２発明では、複数のプラズマ発生部の個
数，設置位置を特に考慮することなく、大きな膜形成対
象物に対応できる。

【００２１】第１，第２発明の何れにあっても、ヘリコ
ン波を用いたプラズマＣＶＤ装置において大きな膜形成
対象物への均一な厚さの成膜処理が可能となり、速い成
膜速度及び高いガス利用効率というヘリコン波プラズマ
ＣＶＤ装置の特徴を保持しながら、しかも膜形成対象物
（基板）の大面積化による低コスト化も実現できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面を参照して具体的に説明する。（第１実施の形態）図１，図２は、ヘリコン波プラズマ
を利用して膜形成対象物としての基板に膜形成を行う本
発明の第１実施の形態によるプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す断面図，上面図である。

【００２３】石英等の絶縁材からなる中空の２個のベル
ジャ１ａ，１ｂ（内径：φ）が、その開口部を下方に向
けて並列に配置されている。これらのベルジャ１ａ，１
ｂは、内部でプラズマを拡散する拡散チャンバ２に接続
されており、各ベルジャ１ａ，１ｂと拡散チャンバ２と
は相互の内空間が連通している。

【００２４】各ベルジャ１ａ，１ｂの周囲には、ヘリコ
ン波発生用のアンテナ６ａ，６ｂがそれぞれ巻付けられ
ており、そのアンテナ６ａ，６ｂに電源（図示せず）か
ら高周波電力を印加することによってヘリコン波が励起
されるようになっている。なお、それぞれのアンテナ６
ａ，６ｂにおけるヘリコン波の伝播方向は同一である。
また、各ベルジャ１ａ，１ｂの周囲には、ソレノイド状
の磁場発生用のコイル７ａ，７ｂがそれぞれ配設されて
おり、そのコイル７ａ，７ｂに電源（図示せず）から電
流を流すことによって前記内空間に磁場（数十〜数百ガ
ウス）が形成されるようになっている。なお、それぞれ
のコイル７ａ，７ｂで発生させる磁場の方向は、基板４
に形成される膜の厚さの均一性のために同一である。こ
れらのベルジャ１ａ（１ｂ），アンテナ６ａ（６ｂ）及
びコイル（７ｂ）にて、ヘリコン波プラズマを発生する
１個のプラズマ発生部が構成されており、図１，図２に
示す例では、２個のプラズマ発生部が、距離ｄだけ離れ
て並列に配置されている。

【００２５】拡散チャンバ２には、原料ガスを供給する
ガス供給管３が連通されており、形成する膜の原料ガス
が拡散チャンバ２内に導入されるようになっている。ま
た、拡散チャンバ２内には、成膜対象の基板４を載置す
るための基台５が設けられている。更に、拡散チャンバ
２内は、真空排気系８にて真空排気が可能である。

【００２６】第１実施の形態では、両ベルジャ１ａ，１
ｂの間隔（ｄ）と、各ベルジャ１ａ，１ｂの開口部の下
端から基板４の上面までの距離（ｄ）（図２参照）とが
等しい。

【００２７】次に、膜形成の動作について説明する。真
空排気系８にて拡散チャンバ２内を真空排気しながら、
ガス供給管３を介して原料ガスを所定圧力で拡散チャン
バ２内に導入する。コイル７ａ，７ｂに電流を流して磁
場を発生させる。次に、アンテナ６ａ，６ｂに高周波電
力を印加してヘリコン波を励起させる。このヘリコン波
は、磁力線と平行にベルジャ１ａ，１ｂから拡散チャン
バ２へ向かってこれらの内空間を伝播する。

【００２８】この結果、ヘリコン波が伝播する空間にお
いて高密度のプラズマが生成される。このプラズマは、
拡散チャンバ２内では、磁力線の方向に拡散する。そし
て、この拡散したプラズマによって、原料ガスが分解さ
れ、その分解物が基台５上の基板４に堆積されて、膜形
成がなされる。

【００２９】以下、第１実施の形態で基板４に均一な厚
さの膜を形成できる理由について説明する。

【００３０】まず、１個のプラズマ発生部による成膜特
性について説明する。図３は、ベルジャ１ａ（１ｂ）と
基板４との位置関係を示す模式図である。ベルジャ１ａ
（１ｂ）の開口部の内径はφ、その開口部の下端から基
板４の上面までの距離はｄである。このような装置を使
用し、以下に示すような条件で基板４上に形成したシリ
コン薄膜の厚さ分布を図４に示す。投入パワー：２００〜３０００Ｗ反応圧力：０．０５〜５ＰａＨ₂／ＳｉＨ₄：２〜２０倍基板温度：１００〜４００℃

【００３１】このような条件で形成された膜の厚さ分布
は、図４に示されるように、距離ｄの大きさによって大
きく変化する。但し、ｄ₁＜ｄ＜ｄ₂とする。また、厚
さが均一であって比較的プラズマ密度が高い最適な距離
ｄが存在することが分かる。この最適な距離ｄは、ベル
ジャ１ａ（１ｂ）の開口部の内径φとプラズマの発生条
件とによって決定される。この最適な距離ｄである場合
に、誤差が±５％程度の均一な厚さが得られるｘ軸方向
の長さは、略（φ＋ｄ）であることが分かっている。

【００３２】以上のような成膜特性を有する２個のプラ
ズマ発生部を図１，図２のように配置した場合の成膜特
性について考察する。１個のプラズマ発生部を設けた場
合と同じようにプラズマが拡散されると考えると、２個
のプラズマ発生部を用いて基板４に形成される膜の厚さ
は、図４で示される厚さ分布のつなぎ合わせとなり、２
個のプラズマ発生部（ベルジャ１ａ，１ｂ）間の距離
を、それらの各開口部の下端から基板４上面までの距離
と同程度にすることにより、略均一な厚さが得られる。

【００３３】しかし実際には、各プラズマ発生部におい
て、各ベルジャ１ａ，１ｂに印加される磁場、及び、拡
散チャンバ２での拡散の状況は変化する。特に、この印
加磁場については、図１に示す矢印のように、隣のプラ
ズマ発生部での印加磁場から逆方向の磁場を受ける。ヘ
リコン波プラズマにおける印加磁場の影響は非常に大き
く、僅かの変化であってもプラズマ密度が急激に変化す
る可能性がある。

【００３４】ところが、図１，図２に示す配置で２個の
プラズマ発生部（ベルジャ１ａ，１ｂ）を設けた第１実
施の形態では、印加される全磁力線の数及び拡散の状況
は、両ベルジャ１ａ，１ｂにおいて全く同じである。基
板４に形成される膜の厚さの誤差は、若干の距離ｄの調
整によって、最小限に抑えることが可能である。よっ
て、２個のプラズマ発生部（ベルジャ１ａ，１ｂ）を並
列に並べた場合でも、基板４に形成される膜の厚さの均
一性を実現できる。

【００３５】なお、上記例では、２個のプラズマ発生部
（ベルジャ）を設ける場合について説明したが、３個以
上のプラズマ発生部（ベルジャ）を設ける構成であって
も、各プラズマ発生部（ベルジャ）における印加磁場、
及び、拡散チャンバでの拡散状況が同じであるような場
合には、形成される膜の厚さの均一性を実現できる。

【００３６】図５（ａ），（ｂ）は、このような場合の
プラズマ発生部（ベルジャ）の配置例を示す上面図であ
る。図５（ａ）の例では、周囲に各アンテナ６ａ，６
ｂ，６ｃ及び各コイル７ａ，７ｂ，７ｃを設けた３個の
ベルジャ１ａ，１ｂ，１ｃが、その各ベルジャ１ａ，１
ｂ，１ｃの中心を結ぶ図形が一辺（φ＋ｄ）の正三角形
になるように、３個のプラズマ発生部が配置されてい
る。

【００３７】図５（ｂ）の例では、周囲に各アンテナ６
ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ及び各コイル７ａ，７ｂ，７ｃ，
７ｄを設けた４個のベルジャ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
が、その各ベルジャ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの中心を結
ぶ図形が一辺（φ＋ｄ）の正方形になるように、４個の
プラズマ発生部が配置されている。

【００３８】（第２実施の形態）第１実施の形態に示し
たように、複数のプラズマ発生部（ベルジャ）を配置し
て、すべてのプラズマ発生部（ベルジャ）における印加
磁場及び拡散チャンバでのプラズマ拡散状況が同じとな
るようなプラズマ発生部（ベルジャ）の個数及び配置パ
ターンは限られている。よって、複数のプラズマ発生部
（ベルジャ）を配置する場合には、ほとんどの場合で印
加磁場，プラズマ拡散状況が各プラズマ発生部（ベルジ
ャ）で異なることになる。

【００３９】例えば、図６に示すように３個のベルジャ
１ａ，１ｂ，１ｃを一列状に配置した場合、矢印で示す
ように、内部に印加される磁力線の数が両端のベルジャ
１ａ，１ｃと中央のベルジャ１ｂとで異なる。このよう
に互いのベルジャ１ａ，１ｂ，１ｃ間で磁場の強さが異
なると、各ベルジャ１ａ，１ｂ，１ｃにおいて独立的に
印加磁場の条件を調整しなければ、すべてのベルジャ１
ａ，１ｂ，１ｃにおいて同じ密度のプラズマを発生させ
ることができない。数個程度のベルジャを設置する場合
には、このような独立的な印加磁場の条件調整は可能と
考えられるが、その設置個数が多くなった場合には調整
処理は殆ど不可能となる。

【００４０】そこで、第２実施の形態では、個々のプラ
ズマ発生部（ベルジャ）を囲うように磁気遮蔽部材を設
け、隣合う他のプラズマ発生部（ベルジャ）からの磁界
を遮蔽してその影響を受けることなく、各プラズマ発生
部（ベルジャ）がプラズマを発生できるようにしてい
る。

【００４１】図７，図８は、このような第２実施の形態
によるプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図，上面図
である。

【００４２】このプラズマＣＶＤ装置は、７個のプラズ
マ発生部（ベルジャ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１
ｆ，１ｇ）を有しており、中心部に１個のプラズマ発生
部（ベルジャ１ｇ）を配設し、それを中心として周囲を
６等配した位置に残りの６個の各プラズマ発生部（各ベ
ルジャ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ）を配設さ
せた構成をなしている。

【００４３】そして、各プラズマ発生部を囲むように、
磁気遮蔽部材９が設けられている。この磁気遮蔽部材９
の材質としては、透磁率が小さくて導電率が高いものが
好ましく、一般的な材料としては純鉄，パーマロイ（Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金）を使用できる。また、磁場の遮蔽を完全
にするためには、各ベルジャの上部においても磁気遮蔽
を行うように構成した方が良いが、プラズマの発生には
熱の放出が伴うので、図７に示すように、磁気遮蔽部材
９の高さを各ベルジャの高さの１．５倍程度にしておき
熱を放射するためにその上部は開放させておくか、また
は、各ベルジャを完全に覆ってもその一部に熱放射用の
孔をあけておくか、或いはファンを設ける構成が好まし
い。

【００４４】各プラズマ発生部の構成は、第１実施の形
態でのプラズマ発生部の構成と同じであり、同様の部分
には同一の符号を付している。なお、図８では、各ベル
ジャ周囲のアンテナ及びコイルは、その図示を省略して
いる。また、拡散チャンバ２の構成も、第１実施の形態
と同じであり、同様の部分には同一の符号を付してい
る。更に、成膜処理の動作についても第１実施の形態と
同様であるので、その説明は省略する。

【００４５】第２実施の形態では、磁気遮蔽部材９の効
果により、隣合う他のプラズマ発生部からの磁場に影響
されずに、各プラズマ発生部で磁場を形成することがで
き、各プラズマ発生部において略同一の条件でヘリコン
波プラズマを発生することが可能である。この結果、基
板４上方で均一なヘリコン波プラズマが発生されて、基
板４に形成される膜の厚さは均一化する。

【００４６】なお、上記例では、７個のプラズマ発生部
（ベルジャ）を設置することにしたが、配置するプラズ
マ発生部（ベルジャ）の個数は、基板４の大きさに応じ
て任意の数に設定して良いことは勿論である。また、こ
れらの複数のプラズマ発生部（ベルジャ）配置パターン
は任意であって良い。

【００４７】また、基板上に膜を形成する場合について
説明したが、基板に単層または複層の膜を積層してなる
積層体物等のような基板以外の膜形成対象物にも本発明
を適用できることは勿論である。

【００４８】

【発明の効果】以上のように第１発明では、隣合うプラ
ズマ発生部間の距離を各プラズマ発生部から膜形成対象
物までの距離と同程度にするようにしたので、特別な構
成部材を設けることなく簡単な構成にて大きな膜形成対
象物に対応でき、厚さが均一な膜を速い成膜速度で大き
な膜形成対象物に容易に形成することが可能である。

【００４９】また、第２発明では、隣合うプラズマ発生
部の間に磁気遮蔽部材を設けるようにしたので、他のプ
ラズマ発生部からの磁場の影響を受けることを防止し
て、全てのプラズマ発生部において均一なプラズマを発
生でき、厚さが均一な膜を速い成膜速度で大きな膜形成
対象物に容易に形成することが可能である。

【００５０】このように、第１，第２発明の何れにおい
ても、１ｍ角程度の大きな膜形成対象物（基板）への均
一な厚さの成膜処理が可能となり、速い成膜速度及び高
いガス利用効率というヘリコン波プラズマＣＶＤ装置の
特徴を保持しながら、しかも膜形成対象物（基板）の大
面積化による低コスト化も実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施の形態によるプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す断面図である。

【図２】第１実施の形態によるプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す上面図である。

【図３】ベルジャと基板との位置関係を示す模式図であ
る。

【図４】形成した薄膜の厚さ分布を示すグラフである。

【図５】第１実施の形態の変形例におけるプラズマ発生
部の配置を示す上面図である。

【図６】ベルジャの配置例を示す模式図である。

【図７】第２実施の形態によるプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す断面図である。

【図８】第２実施の形態によるプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す上面図である。

【図９】ヘリコン波プラズマを利用して膜を形成するプ
ラズマＣＶＤ装置の典型的な構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇベルジャ２拡散チャンバ３ガス供給管４基板６ａ，６ｂ，６ｃアンテナ７ａ，７ｂ，７ｃコイル９磁気遮蔽部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ヘリコン波プラズマを発生させる複数の
プラズマ発生部を備え、発生したヘリコン波プラズマを
利用して膜形成対象物に膜を形成するプラズマＣＶＤ装
置において、前記複数のプラズマ発生部の中の隣合うプ
ラズマ発生部間の距離が、前記複数の各プラズマ発生部
と設けられる前記膜形成対象物との間の距離に実質的に
等しくなるように、前記複数のプラズマ発生部を配置し
てあることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】ヘリコン波プラズマを発生させる複数の
プラズマ発生部を備え、発生したヘリコン波プラズマを
利用して膜形成対象物に膜を形成するプラズマＣＶＤ装
置において、前記複数のプラズマ発生部の隣合うプラズ
マ発生部の間に、磁気遮蔽部材を設けてあることを特徴
とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】複数のプラズマ発生部にて発生させたヘ
リコン波プラズマを利用して膜形成対象物に膜を形成す
る方法において、前記複数のプラズマ発生部の中の隣合
うプラズマ発生部間の距離が、前記複数の各プラズマ発
生部と前記膜形成対象物との間の距離に実質的に等しく
なるように、前記複数プラズマ発生部を配置して、前記
膜形成対象物に膜を形成することを特徴とする膜形成方
法。
【請求項４】複数のプラズマ発生部にて発生させたヘ
リコン波プラズマを利用して膜形成対象物に膜を形成す
る方法において、前記複数のプラズマ発生部の隣合うプ
ラズマ発生部の間に、磁気遮蔽部材を設けて、前記膜形
成対象物に膜を形成することを特徴とする膜形成方法。