KR100761687B1 - 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를구비한 플라즈마처리장치 - Google Patents

용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를구비한 플라즈마처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 사이즈가 증가됨에 따른 대면적 처리가 가능하고, 대면적화시 균일도와 고밀도를 달성할 수 있으며, 수율을 높일 수 있는 플라즈마 소스를 구비한 플라즈마처리장치를 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 플라즈마처리장치는 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼가 수직으로 놓이는 수직형 제1프로세스챔버와 제2프로세스챔버; 및 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 사이에 배치되며 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 내부로 플라즈마 생성을 위한 전기장을 유도하는 용량결합형 플라즈마 소스를 포함하고, 이와 같은 본 발명은 수직형 듀얼 프로세스챔버에 놓인 웨이퍼를 한꺼번에 플라즈마처리할수 있으므로 생산성 및 효율이 높은 플라즈마처리장치를 구현할 수 있는 효과가 있다.
플라즈마처리장치, 듀얼 프로세스챔버, 용량결합형 플라즈마소스, 전극, 전기장, 공통전극, 가스주입구

Description

용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치{APPARATUS FOR PLASMA TREATMENT WITH CAPACITIVE COUPLED TYPE PLASMA SOURCE AND VERTICAL DUAL PROCESS CHAMBER}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 종래기술에 따른 용량결합 플라즈마 처리장치를 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이다.
도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 구조 단면도이다.
도 3은 용량결합형 플라즈마소스의 분해사시도이다.
도 4a는 본 발명의 제2실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이다.
도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 구조 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치의 제2전극의 내부 구조를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 다 른 예를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 또다른 예를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이다.
도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이다.
도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이다.
도 12는 도 11의 공통전극의 상세도이다.
도 13는 도 11의 공통전극의 내부 구조도이다.
도 14는 본 발명의 제5실시예에 따른 공통전극에서의 가스흐름도이다.
도 15는 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 다른 예를 도시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 또다른 예를 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100a : 제1프로세스챔버 100b : 제2프로세스챔버
110 : 용량결합형 플라즈마소스 111 : 제1전극
112 : 제2전극 113 : 절연벽
본 발명은 용량 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 구체적으로는 두 개의 프로세스챔버에 대한 플라즈마 처리가 동시에 가능한 용량결합형의 플라즈마소스를 구비한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치나 평판 디스플레이 장치의 제조를 위한 기판의 미세가공공정에는 저압/저온 플라즈마를 응용한 기술이 많이 이용되고 있다. 즉, 플라즈마는 반도체 소자 제조용 웨이퍼나 LCD(Liquid Crystal Display) 제조용 기판의 표면을 식각하거나 그 표면상에 소정의 물질막을 증착하는데 널리 사용되고 있다. 특히, 높은 집적도의 반도체 소자의 제조를 위한 기판의 식각 또는 박막증착 공정에는 플라즈마를 이용하는 장비가 점차로 늘어 가고 있는 추세이다. 이에 따라, 각각의 공정에 적합한 플라즈마 처리 장치의 개발은 반도체 제조 및 장비개발에 있어 핵심적인 요소가 되고 있다.
최근 반도체 공정용 플라즈마 장비 개발에 있어서 가장 큰 주안점은 수율의 향상을 위한 기판의 대면적화에 따른 부응과 고집적화 공정의 수행능력이다. 즉, 웨이퍼의 대면적화에 따른 웨이퍼 처리공정의 균일도 향상과 아울러 높은 플라즈마 밀도의 유지는 가장 먼저 해결되어야 하는 요소기술이다. 지금까지 반도체 제조공정에 사용되어 왔던 플라즈마 장치로는 크게 CCP(Capacitive Coupled Plasma), ECR(Electron Cyclotron Resonance), Helicon, ICP(Inductively Coupled Plasma) 등이 있으며, 이들을 혼합한 복합 소스(source)들도 현재 제안되어 상용화되고 있다.
이 중에서 용량결합 플라즈마 발생장치(CCP)는 공정챔버 내부에 설치된 다수의 전극에 선택적으로 고주파 전원(Radio Frequency, RF)을 인가하고, 이를 통해 전극에 흐르는 고주파 전류에 의해 형성된 전기장에 의해 공정챔버 내부로 주입된 반응가스가 플라즈마 상태로 변형되어 웨이퍼에 대한 플라즈마 처리를 수행하게 된다.
도 1은 종래기술에 따른 용량결합 플라즈마 처리장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 용량결합 플라즈마 발생장치는 공정챔버(process chamber, 10)와, 공정챔버(10)의 상부에 설치된 제1 전극(11)과, 제1 전극(11)과 쌍을 이루며, 제1 전극(11)과 대향하는 방향으로 웨이퍼(W)가 안착되는 제2 전극(12)으로 이루어진다. 제2 전극(12)은 정전척으로서, 웨이퍼(W)를 흡입 압착한다.
제1 및 제2 전극(11, 12)에 각각 고주파 전원(RF)을 인가하면, 제1 및 제2 전극(11, 12) 간에는 전기장이 유도된다. 이와 동시에 공정챔버(10)의 상부 또는 측벽에 설치된 가스 주입구(미도시)를 통해 반응가스가 공정챔버(10) 내부로 주입되면, 공정챔버(10)의 내부에 유도된 전기장에 의해 반응가스가 플라즈마 상태로 변형된다. 이러한 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 대한 식각 또는 박막 증착공정이 이루어진다.
그러나, 종래기술에 따른 용량결합 플라즈마 발생장치는 전기장을 유도하는 제1 및 제2 전극이 상하부에 서로 대향하는 방향으로 각각 하나씩 설치됨에 따라 오직 하나의 웨이퍼만을 처리할 수 밖에 없어 웨이퍼의 처리량을 증가시키는데 그 한계가 있다.
또한, 종래기술의 플라즈마처리장치는 웨이퍼의 사이즈가 증가되는 경우 대면적 처리가 불가능하고, 대면적화시 균일도와 고밀도를 달성할 수 없으며, 이로써 수율을 높일 수 없는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 웨이퍼 사이즈가 증가됨에 따른 대면적 처리가 가능하고, 대면적화시 균일도와 고밀도를 달성할 수 있으며, 수율을 높일 수 있는 플라즈마 소스를 구비한 플라즈마처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 플라즈마처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마처리장치는 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼가 수직으로 놓이는 수직형 제1프로세스챔버와 제2프로세스챔버; 및 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 사이에 배치되며 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 내부로 플라즈마 생성을 위한 전기장을 유도하는 용량결합형 플라즈마 소스를 포함한다.
바람직하게, 상기 용량결합형 플라즈마 소스는, 상기 제1프로세스챔버측으로 대향하는 제1전극, 상기 제2프로세스챔버측으로 대향하는 제2전극 및 상기 제1전극 과 상기 제2전극 사이에 위치하는 절연벽을 포함한다.
바람직하게, 상기 제1,2전극 및 상기 절연벽은 판 형태이다.
바람직하게, 상기 제1프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제1전원을 공급하고 상기 제1전극에 제2전원을 공급하여 상기 제1프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하고, 상기 제2프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제3전원을 공급하고 상기 제2전극에 제4전원을 공급하여 상기 제2프로세스챔버 내부에 전기장을 유도한다.
또한, 바람하게, 상기 용량결합형 플라즈마 소스는, 상기 제1프로세스챔버측으로 대향하면서 상판을 관통하는 가스주입구가 구비된 제1전극, 상기 제2프로세스챔버측으로 대향하면서 상판을 관통하는 가스주입구가 구비된 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 절연벽을 포함한다.
바람직하게, 상기 제1전극과 제2전극은, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스의 플로우 공간을 제공하도록 내부가 비어 있는 상자구조이다.
바람직하게, 상기 제1전극과 상기 제2전극은, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스가 상기 제1 및 제2프로세스챔버쪽으로 확산 이동하도록 하는 복수개의 홀이 구비된다.
바람직하게, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 이웃하는 열 또는 행의 홀에 공통으로 가스가 주입되도록 하는 튜브를 구비한다.
바람직하게, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 최외각 부분에 배치되는 홀들에 공통으로 연결되는 제1튜브, 중앙부의 홀들에 공통으로 연결되는 제3튜브, 및 상기 최외각 부분과 중앙부 사이의 홀들에 공통으로 연결되는 제2튜브를 구비한다.
또한, 본 발명의 플라즈마처리장치는, 분리벽을 사이에 두고 제1프로세스챔버와 제2프로세스챔버로 구분된 수직형 듀얼 프로세스챔버; 상기 제1프로세스챔버측의 분리벽에 고정되는 제1서셉터와 상기 제1서셉터 위에 놓이는 제1웨이퍼; 상기 제2프로세스챔버측의 분리벽에 고정되는 제2서셉터와 상기 제2서셉터 위에 놓이는 제2웨이퍼; 상기 제1웨이퍼에 대해 수평으로 대향하면서 상기 분리벽과 마주보는 위치의 제1프로세스챔버의 내부 측벽에 고정된 제1전극; 및 상기 제2웨이퍼에 대해 수평으로 대향하면서 상기 분리벽과 마주보는 위치의 제2프로세스챔버의 내부 측벽에 고정된 제2전극을 포함한다.
바람직하게, 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 각각의 상판을 관통하는 가스주입구와 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 각각의 바닥을 관통하는 가스배출구를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 제1프로세스챔버에 놓인 제1웨이퍼에 제1전원을 공급하고 상기 제1전극에 제2전원을 공급하여 상기 제1프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하고, 상기 제2프로세스챔버에 놓인 제2웨이퍼에 제3전원을 공급하고 상기 제2전극에 제4전원을 공급하여 상기 제2프로세스챔버 내부에 전기장을 유도한다.
또한, 본 발명의 플라즈마처리장치는 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼가 수직으로 놓이는 수직형 제1프로세스챔버와 제2프로세스챔버; 및 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 사이에 배치되며 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 내부로 플라즈마 생성을 위한 전기장을 공통으로 유도하는 용량결 합형 플라즈마 소스 역할을 하는 공통전극를 포함한다.
바람직하게, 상기 공통전극은, 판 형태이다.
바람직하게, 상기 공통전극은, 자신의 상판을 관통하는 가스주입구를 구비하고, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스의 플로우 공간을 제공하도록 내부가 비어 있는 상자구조이다.
바람직하게, 상기 공통전극은, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스가 상기 제1 및 제2프로세스챔버쪽으로 확산 이동하도록 하는 복수개의 홀이 양측판에 구비된다.
바람직하게, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 이웃하는 열 또는 행의 홀에 공통으로 가스가 주입되도록 하는 튜브를 구비한다.
바람직하게, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 최외각 부분에 배치되는 홀들에 공통으로 연결되는 제1튜브, 중앙부의 홀들에 공통으로 연결되는 제3튜브, 및 상기 최외각 부분과 중앙부 사이의 홀들에 공통으로 연결되는 제2튜브를 구비한다.
바람직하게, 상기 제1프로세스챔버에 놓인웨이퍼에 제1전원을 공급하고 상기 제2프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제2전원을 공급하며, 상기 공통전극에 공통의 제3전원을 공급하여 상기 제1 및 제2프로세스챔버 내부에 공통으로 전기장을 유도한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도 면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써,본 발명의 플라즈마처리장치를 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 구조 단면도이며, 도 3은 용량결합형 플라즈마소스의 분해사시도이다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 플라즈마처리장치는 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼(101a, 102a)가 수직으로 놓이는 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)를 갖는다. 여기서, 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)는 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구성한다. 그리고, 웨이퍼(101a, 102a)는 수직형 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)의 내부에 위치하는 서셉터(101b, 102b) 위에 수직으로 놓이고, 서셉터(101b, 102b)는 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)에서 진공흡착방식 또는 정전방식으로 고정되어 있으며, 그리고, 제1프로세스챔버(100a)과 제2프로세스챔버(100b)의 일측에는 가스배출을 위한 배기구(103a, 103b)가 각각 구비된다. 여기서, 배기구(103a, 103b)는 서셉터(101b, 102b)의 아래에 배치된다. 그리고, 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)의 전면에는 웨이퍼(101a, 102a)의 언로딩 및 로딩을 위한 슬릿밸브(104a, 104b)가 구비되고, 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)의 상판에는 가스주입을 위한 가스주입구(105a, 105b)가 구비된다.
그리고, 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b) 사이에 용량결합형 플라즈마소스(110)가 배치되는데, 여기서, 용량결합형플라즈마소스(110)는 제1프로세스챔버(100a)에 위치한 웨이퍼(101a)와 대향하도록 배치된 제1전극(111), 제2프로세스챔버(100b)에 위치한 웨이퍼에 대향하도록 배치된 제2전극(112), 그리고 제1전극(111)과 제2전극(112) 사이의 절연을 위한 절연벽(113)으로 이루어진다. 그리고, 제1전극(111), 제2전극(112) 및 절연벽(113)의 상단과 하단에는 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)의 재질과 동일한 물질로 된 상판(114)과 하판(115)이 구비된다. 그리고, 도 3에 도시된 것처럼, 제1전극(111)과 제2전극(112)은 판(plate) 형태이다.
여기서, 용량결합형 플라즈마소스(110)의 제1전극(111)과 접촉하는 제1프로세스챔버(100a)의 일측면은 개방되어 제1전극(111)의 노출면이 제1프로세스챔버(100a) 내부에 위치한 웨이퍼쪽으로 대향하고 있고, 이러한 제1전극(111)과 유사하게, 용량결합형 플라즈마소스(110)의 제2전극(112)과 접촉하는 제2프로세스챔버(100b)의 일측면은 개방되어 제2전극(112)의 노출면이 제2프로세스챔버(100b) 내부에 위치한 웨이퍼(102a)쪽으로 대향하고 있다. 상기 제1 및 제2프로세스챔버(100a, 100b)와 용량결합형 플라즈마소스(110)는 진공-링(도시 생략)을 통해 결합되므로 써, 제1 및 제2프로세스챔버(100a, 100b) 내부의 진공을 유지할 수 있다.
위와 같이 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b) 사이에 용량결합형 플라즈마소스(110)를 구비하는 플라즈마처리장치는, 제1전극(111)에 제1전원(RF1)을 공급하고 제1전극(111)에 대향하는 웨이퍼(101a)에 제3전원(RF3)을 공급하여 제1전극(111)과 웨이퍼(101a) 사이에 전기장(E1)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E1)은 가스주입구(105a)로 공급되는 가스를 이온화시켜 제1프로세스챔버(100a) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
아울러, 제2전극(112)에 제2전원(RF1)을 공급하고 제2전극(112)에 대향하는 웨이퍼(102a)에 제4전원(RF4)을 공급하여 제2전극(112)과 웨이퍼(102a) 사이에 전기장(E2)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E2)은 가스주입구(105b)로 공급되는 가스를 이온화시켜 제2프로세스챔버(100b) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
전술한 제1실시예에 따른 플라즈마처리장치는, 수직형 듀얼프로세스챔버를 구성하는 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b) 사이에 용량결합형 플라즈마소스(110)를 구비하고, 용량결합형 플라즈마소스(110)에 구비된 제1전극(111)과 제2전극(112)을 이용하여 제1프로세스챔버(100a)와 제2프로세스챔버(100b)에 각각 위치하는 웨이퍼(101a, 102a)에 대해 동시에 플라즈마처리할 수 있다.
도 4a는 본 발명의 제2실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조사시도이고, 도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 구조 단면도이며, 도 5는 용량결합형 플라즈마소스의 사시도이다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치는 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼(201b, 202b)가 수직으로 놓이는 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)를 갖는다. 여기서, 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)는 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구성한다. 그리고, 웨이퍼(201b, 202b)는 수직형 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)의 내부에 위치하는 서셉터(201b, 202b) 위에 수직으로 놓이고, 서셉터(201a, 202a)는 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)에서 진공흡착방식 또는 정전방식으로 고정되어 있으며, 그리고, 제1프로세스챔버(200a)과 제2프로세스챔버(200b)의 일측에는 가스배출을 위한 배기구(203a, 203b)가 각각 구비된다. 여기서, 배기구(203a, 203b)는 서셉터(201a, 202a)의 아래에 배치된다. 그리고, 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)의 전면에는 웨이퍼(201b, 202b)의 언로딩 및 로딩을 위한 슬릿밸브(204a, 204b)가 구비된다.
그리고, 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b) 사이에 용량결합 플라즈마소스(220)가 배치되는데, 여기서, 용량결합형 플라즈마소스(220)는 제1프로세스챔버(200a)에 위치한 웨이퍼(201b)와 대향하도록 배치된 제1전극(221), 제2프로세스챔버(200b)에 위치한 웨이퍼(202b)에 대향하도록 배치된 제2전극(222), 그리고 제1전극(221)과 제2전극(222) 사이의 절연을 위한 절연벽(223)으로 이루어진다. 그리고, 도 5에 도시된 것처럼, 제1전극(221)과 제2전극(222)은 내부가 비어있는 상자(Case) 형태이며, 제1전극(221)과 제2전극(222)의 상판에는 가스주입구(214, 215)가 각각 구비되어 제1전극(221)과 제2전극(22)의 내부로 가스를 공급하고, 제1전극(221)과 제2전극(222)의 노출면은 가스주입구(214, 215)로부터 공급된 가스가 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)쪽으로 이동하도록 하는 복수개의 홀(224)이 구비된다.
여기서, 용량결합형 플라즈마소스(220)의 제1전극(221)과 접촉하는 제1프로세스챔버(200a)의 일측면은 개방되어 제1전극(221)의 노출면이 제1프로세스챔버(200a) 내부에 위치한 웨이퍼(201b)쪽으로 대향하고 있고, 이러한 제1전극(221)과 유사하게, 용량결합형 플라즈마소스(220)의 제2전극(222)과 접촉하는 제2프로세스챔버(200b)의 일측면은 개방되어 제2전극(222)의 노출면이 제2프로세스챔버(200b) 내부에 위치한 웨이퍼(202b)쪽으로 대향하고 있다. 상기 제1 및 제2프로세스챔버(200a, 200b)와 용량결합형 플라즈마소스(220)는 진공-링(도시 생략)을 통해 결합되므로써, 제1 및 제2프로세스챔버(200a, 200b) 내부의 진공을 유지할 수 있다.
결국, 제1전극(221)과 제2전극(222)의 상판에 구비된 가스주입구(214, 215)를 통해 제1 및 제2전극(221, 222)의 비어있는 내부공간으로 공급되는 가스는 다운스트림(Downstream) 방식으로 공급되어 복수개의 홀(224)을 통해 제1 및 제2프로세스챔버(200a, 200b)쪽으로 이동하게 된다.
위와 같이 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b) 사이에 용량결합형 플라즈마소스(220)를 구비하는 플라즈마처리장치는, 제1전극(221)에 제1전원(RF1)을 공급하고 제1전극(221)에 대향하는 웨이퍼(201b)에 제3전원(RF3)을 공급하여 제1전극(221)과 웨이퍼(201b) 사이에 전기장(E1)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E1)은 가스주입구(214)로부터 공급되는 가스를 이온화시켜 제1프로세스챔버(200a) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
아울러, 제2전극(222)에 제2전원(RF1)을 공급하고 제2전극(222)에 대향하는 웨이퍼(202b)에 제4전원(RF4)을 공급하여 제2전극(222)과 웨이퍼(202b) 사이에 전기장(E2)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E2)은 가스주입구(215)로 공급되는 가스를 이온화시켜 제2프로세스챔버(200b) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
전술한 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치는, 수직형 듀얼프로세스챔버를 구성하는 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b) 사이에 용량결합형 플라즈마소스(220)를 구비하고, 용량결합형 플라즈마소스(220)에 구비된 제1전극(221)과 제2전극(222)을 이용하여 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)에 각각 위치하는 웨이퍼(201b, 202b)에 대해 동시에 플라즈마처리할 수 있다.
도 6은 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치의 제2전극의 내부 구조를 도시한 도면으로서, 제2전극(222)은 내부가 비어있는 상자구조를 갖고, 제2전극(222)의 상판에는 가스공급을 위한 가스주입구(215)가 구비되고, 제2전극(222)의 제2프로세스챔버(200b)쪽으로 노출된 면에 복수개의 홀(224)이 구비된다.
도 7은 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 다른 예를 도시한 도면으로서, 이웃하는 열의 홀(224)에 공통으로 연결된 튜브들(251, 252, 253)을 구비하여, 이 튜브들(251, 252, 253)을 통해 가스를 공급한다.
도면에 도시하지 않았지만, 상기 튜브들은 복수개의 홀(224) 중에서 이웃하는 행의 홀에 공통으로 연결될 수도 있다.
도 8은 제2실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 또다른 예를 도시한 도면으로서, 복수개의 홀(224) 중에서 최외각 부분에 배치되는 홀들에 공통 으로 제1튜브(261)가 구비되고, 중앙부의 홀들에 공통으로 제3튜브(263)가 구비되며, 최외각 부분과 중앙부 사이의 홀들에 공통으로 제2튜브(262)가 구비된다. 즉, 동심원 형태의 가스공급구조를 갖는다.
이처럼, 가스공급은 일정 갯수의 홀(224)들을 묶어서 한꺼번에 공급할 수 있고, 각 튜브를 통한 가스공급은 밸브의 개폐를 통해 이루어진다.
도 7 및 도 8에 도시된 가스공급구조를 이용하면, 단순히 내부가 비어있는 제1전극(221)과 제2전극(222)의 내부로 가스를 공급하는 구조에 비해 가스공급의 효율을 높일 수 있고, 이로써 제1프로세스챔버(200a)와 제2프로세스챔버(200b)에서 발생하는 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 분리벽(310)을 사이에 두고 제1프로세스챔버(300a)와 제2프로세스챔버(300b)로 구분된 수직형 듀얼 프로세스챔버, 제1프로세스챔버(300a)측의 분리벽(310)에 고정되는 제1서셉터(301a)와 제1서셉터(301) 위에 놓이는 제1웨이퍼(301b), 제2프로세스챔버(300b)측의 분리벽(310)에 고정되는 제2서셉터(302a)와 제2서셉터(302a) 위에 놓이는 제2웨이퍼(302), 제1웨이퍼(301a)에 대해 수평으로 대향하면서 제1프로세스챔버(300a)의 내부 측벽(내부 측벽은 분리벽과 마주보는 위치의 측벽)에 고정된 제1전극(311)과 제2웨이퍼(302a)에 대해 수평으로 대향하면서 제2프로세스챔버(300b)의 내부 측벽에 고정된 제2전극(312)으로 이루어진 용량결합형 플라즈마소스를 포함한다.
그리고, 제1 및 제2서셉터(301b, 302b)는 분리벽(310)에 진공흡착방식 또는 정전방식으로 고정되어 있으며, 제1프로세스챔버(300a)와 제2프로세스챔버(300b)의 전면에는 웨이퍼(301a, 302a)의 언로딩 및 로딩을 위한 슬릿밸브(도시 생략)가 구비되고, 제1프로세스챔버(300a)와 제2프로세스챔버(300b)의 상판에는 가스주입을 위한 가스주입구(305a, 305b)가 구비된다. 그리고, 가스배출을 위한 배기구(303a, 303b)는 제1프로세스챔버(300a)와 제2프로세스챔버(300b)의 바닥에 구비된다.
제3실시예에 따른 플라즈마처리장치는 제1 및 제2실시예와 다르게, 서셉터(301a, 301b)가 듀얼 프로세스챔버의 중앙부에 위치하는 분리벽(310)에 고정되고, 용량결합형 플라즈마소스가 되는 제1전극(311)과 제2전극(312)이 분리벽(310)과 마주보는 위치의 제1프로세스챔버(300a)와 제2프로세스챔버(300b)의 내부 측벽에 고정된다.
위와 같이 제1프로세스챔버(300a)와 제2프로세스챔버(300b)의 내부 측벽에 고정되는 제1전극(311)과 제2전극(312)을 구비하는 플라즈마처리장치는, 제1전극(311)에 제3전원(RF3)을 공급하고 제1전극(311)에 대향하는 웨이퍼(301a)에 제1전원(RF1)을 공급하여 제1전극(311)과 웨이퍼(301a) 사이에 전기장(E1)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E1)은 가스주입구(305a)로 공급되는 가스를 이온화시켜 제1프로세스챔버(300a) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
아울러, 제2전극(312)에 제4전원(RF4)을 공급하고 제2전극(312)에 대향하는 웨이퍼(302a)에 제2전원(RF2)을 공급하여 제2전극(312)과 웨이퍼(302a) 사이에 전기장(E2)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E2)은 가스주입구(305b)로 공급되는 가스를 이온화시켜 제2프로세스챔버(300b) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼(401b, 402b)가 수직으로 놓이는 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b)를 갖는다. 여기서, 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b)는 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구성한다. 그리고, 웨이퍼(401b, 402b)는 수직형 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b)의 내부에 위치하는 서셉터(401a, 402a) 위에 수직으로 놓이고, 서셉터(401a, 402a)는 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b)에서 진공흡착방식 또는 정전방식으로 고정되어 있으며, 그리고, 제1프로세스챔버(400a)과 제2프로세스챔버(400b)의 일측에는 가스배출을 위한 배기구(403a, 403b)가 각각 구비된다. 여기서, 배기구(403a, 403b)는 서셉터(401a, 402a)의 아래에 배치된다. 그리고, 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b)의 전면에는 웨이퍼(401b, 402b)의 언로딩 및 로딩을 위한 슬릿밸브(도시 생략)가 구비되고, 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b)의 상판에는 가스주입을 위한 가스주입구(405a, 405b)가 구비된다.
그리고, 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b) 사이에 용량결합 플라즈마소스(411)가 배치되는데, 여기서, 용량결합형 플라즈마소스(411)는 제1프로세스챔버(400a)에 위치한 웨이퍼(401b)와 대향하면서 제2프로세스챔버(400b)에 위치한 웨이퍼(402b)에 대향하도록 배치된 공통전극(Common electrode)이다.
즉, 제1실시예와 다르게, 제4실시예는 절연벽이 없이 하나의 공통전극으로만 구성되는 용량결합형 플라즈마소스(411)를 구비한다. 여기서, 공통전극인 용량결합형 플라즈마소스(411)는 판(plate) 형태이다.
따라서, 용량결합형 플라즈마소스(411)의 일측면과 제1프로세스챔버(400a) 내부에 위치한 웨이퍼(401b)가 서로 마주보면서 대향하고, 더불어 용량결합형 플라즈마소스(411)의 타측면과 제2프로세스챔버(400b) 내부에 위치한 웨이퍼(402b)가 서로 마주보면서 대향한다.
위와 같이 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b) 사이에 하나의 공통전극 형상을 갖는 용량결합형 플라즈마소스(411)를 구비하는 플라즈마처리장치는, 공통전극인 용량결합형 플라즈마소스(411)에 제1전원(RF1)을 공급하고 웨이퍼(401b, 402b)에 제2, 3전원(RF2,3)을 공급하여 용량결합형 플라즈마소스(411)과 웨이퍼(401b, 402b) 사이에 공통으로 전기장(E)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E)은 가스주입구(405a, 405b)로 공급되는 가스를 이온화시켜 제1,2프로세스챔버(400a, 400b) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
전술한 제4실시예에 따른 플라즈마처리장치는, 수직형 듀얼프로세스챔버를 구성하는 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b) 사이에 공통전극 형상의 용량결합형 플라즈마소스(411)를 구비하고, 용량결합형 플라즈마소스(410)를 이용하여 제1프로세스챔버(400a)와 제2프로세스챔버(400b)에 각각 위치하는 웨이퍼(401b, 402b)에 대해 동시에 플라즈마처리할 수 있다.
도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀 얼 프로세스챔버를 구비한 플라즈마처리장치의 구조도이고, 도 12는 도 11의 공통전극의 상세도이며, 도 13는 도 11의 공통전극의 내부 구조도이다.
도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼(501b, 502b)가 수직으로 놓이는 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)를 갖는다. 여기서, 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)는 수직형 듀얼 프로세스챔버를 구성한다. 그리고, 웨이퍼(501b, 502b)는 수직형 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)의 내부에 위치하는 서셉터(501a, 502a) 위에 수직으로 놓이고, 서셉터(501a, 502a)는 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)에서 진공흡착방식 또는 정전방식으로 고정되어 있으며, 그리고, 제1프로세스챔버(500a)과 제2프로세스챔버(500b)의 일측에는 가스배출을 위한 배기구(503a, 503b)가 각각 구비된다. 여기서, 배기구(503a, 503b)는 서셉터(501a, 502a)의 아래에 배치된다. 그리고, 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)의 전면에는 웨이퍼(501b, 502b)의 언로딩 및 로딩을 위한 슬릿밸브(도시 생략)가 구비된다.
그리고, 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b) 사이에 용량결합 플라즈마소스(511)가 배치되는데, 여기서, 용량결합형 플라즈마소스(511)는 제1프로세스챔버(500a)에 위치한 웨이퍼(501b)와 대향하면서 제2프로세스챔버(500b)에 위치한 웨이퍼(502b)에 대향하도록 배치된 공통전극(Common electrode)이다. 이하, 용량결합형 플라즈마소스(511)를 '공통전극(511)'이라고 약칭하기로 한다.
즉, 제4실시예와 다르게, 제5실시예는 공통전극(511)이 판 형태가 아니라 내 부가 비어있는 상자 형태이고, 상판을 관통하는 가스주입구(505)가 구비되어 공통전극(511)의 내부로 가스를 공급하고, 공통전극(511)의 양측 노출면은 가스주입구(505)로부터 공급된 가스가 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)쪽으로 확산 이동하도록 하는 복수개의 홀(512)이 구비된다(도 12 및 도 13 참조).
따라서, 공통전극(511)의 일측면과 제1프로세스챔버(500a) 내부에 위치한 웨이퍼(501b)가 서로 마주보면서 대향하고, 더불어 공통전극(511)의 타측면과 제2프로세스챔버(500b) 내부에 위치한 웨이퍼(502b)가 서로 마주보면서 대향한다. 그리고, 공통전극(511)의 상판을 관통하는 가스주입구(505)를 통해 공통전극(511)의 비어있는 내부공간으로 공급되는 가스는 다운스트림(Downstream) 방식으로 공급되어 복수개의 홀(512)을 통해 제1 및 제2프로세스챔버(500a, 500b)쪽으로 이동하게 된다.
도 14는 본 발명의 제5실시예에 따른 공통전극에서의 가스흐름도로서, 가스주입구(505)로부터 주입된 가스는 공통전극(5110의 내부공간을 통해 외부로 확산이동하는데, 이때 복수개의 홀(512)을 통해 제1 및 제2프로세스챔버쪽으로 확산이동하게 된다.
전술한 바와 같이, 제5실시예에 따른 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b) 사이에 하나의 공통전극(511)을 구비하는 플라즈마처리장치는, 공통전극(511)에 제1전원(RF1)을 공급하고 웨이퍼(501b, 502b)에 제2, 3전원(RF2,3)을 공급하여 공통전극(511)과 웨이퍼(501b, 502b) 사이에 공통으로 전기장(E)을 발생시킨다. 이러한 전기장(E)은 가스주입구(505)로 공급되는 가스를 이온화시켜 제1,2프 로세스챔버(500a, 500b) 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
전술한 제5실시예에 따른 플라즈마처리장치는, 수직형 듀얼프로세스챔버를 구성하는 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b) 사이에 공통전극(511)의 용량결합형 플라즈마소스를 구비하고, 공통전극(511)을 이용하여 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)에 각각 위치하는 웨이퍼(501b, 502b)에 대해 동시에 플라즈마처리할 수 있다.
도 15는 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 다른 예를 도시한 도면으로서, 이웃하는 열의 홀(512)에 공통으로 연결된 튜브들(551, 552, 553)을 구비하여, 이 튜브들(551, 552, 553)을 통해 가스를 공급한다.
도면에 도시하지 않았지만, 복수개의 홀(512) 중에서 이웃하는 행의 홀(512)에 공통으로 튜브들(551, 552, 553)을 연결할 수도 있다.
도 16은 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마처리장치의 가스공급구조의 또다른예를 도시한 도면으로서, 복수개의 홀(512) 중에서 최외각 부분에 배치되는 홀들에 공통으로 제1튜브(561)가 구비되고, 중앙부의 홀들에 공통으로 제3튜브(563)가 구비되며, 최외각 부분과 중앙부 사이의 홀들에 공통으로 제2튜브(562)가 구비된다.
이처럼, 가스공급은 일정 갯수의 홀(512)들을 묶어서 한꺼번에 공급할 수 있고, 각 가스주입구의 가스공급은 밸브의 개폐를 통해 이루어진다.
도 15 및 도 16에 도시된 가스공급구조를 이용하면, 단순히 내부가 비어있는 공통전극(511)의 내부로 가스를 공급하는 구조에 비해 가스공급의 효율을 높일 수 있고, 이로써 제1프로세스챔버(500a)와 제2프로세스챔버(500b)에서 발생하는 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 용량결합형 플라즈마소스를 구비한 플라즈마처리장치에 의하면, 수직형 듀얼 프로세스챔버에 놓인 웨이퍼를 한꺼번에 플라즈마처리할수 있으므로 생산성 및 효율이 높은 플라즈마처리장치를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 용량결합형 플라즈마소스를 판 형태(또는 판을 갖는 상자 구조)로 형성하므로써 대면적화가 용이하고, 높은 균일도와 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 한번에 두 챔버에 놓인 웨이퍼를 처리하는 이중 처리 구조를 구현하므로서 고속 플라즈마처리가 가능한 효과가 있다.

Claims (21)

  1. 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼가 수직으로 놓이는 수직형 제1프로세스챔버와 제2프로세스챔버; 및
    상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 사이에 배치되며 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 내부로 플라즈마 생성을 위한 전기장을 유도하는 용량결합형 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 용량결합형 플라즈마 소스는 상기 제1프로세스챔버측으로 대향하는 제1전극; 상기 제2프로세스챔버측으로 대향하는 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 절연벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2전극 및 상기 절연벽은 판 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제1전원을 공급하고 상기 제1전극에 제2전원을 공급하여 상기 제1프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하고, 상기 제2프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제3전원을 공급하고 상기 제2전극에 제4전원을 공급하여 상기 제2프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  5. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 각각의 상판을 관통하는 가스주입구가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 용량결합형 플라즈마 소스는, 상기 제1프로세스챔버측으로 대향하면서 상판을 관통하는 가스주입구가 구비된 제1전극, 상기 제2프로세스챔버측으로 대향하면서 상판을 관통하는 가스주입구가 구비된 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 절연벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1전극과 제2전극은, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스의 플로우 공간을 제공하도록 내부가 비어 있는 상자구조인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제2전극은, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스가 상기 제1 및 제2프로세스챔버쪽으로 확산 이동하도록 하는 복수개의 홀이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 이웃하는 열 또는 행의 홀에 공통으로 가스가 주입되도록 하는 튜브를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 최외각 부분에 배치되는 홀들에 공통으로 연결되는 제1튜브, 중앙부의 홀들에 공통으로 연결되는 제3튜브, 및 상기 최외각 부분과 중앙부 사이의 홀들에 공통으로 연결되는 제2튜브를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제1프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제1전원을 공급하고 상기 제1전극에 제2전원을 공급하여 상기 제1프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하고, 상기 제2프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제3전원을 공급하고 상기 제2전극에 제4전원을 공급하여 상기 제2프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  12. 분리벽을 사이에 두고 제1프로세스챔버와 제2프로세스챔버로 구분된 수직형 듀얼 프로세스챔버;
    상기 제1프로세스챔버측의 분리벽에 고정되는 제1서셉터와 상기 제1서셉터 위에 놓이는 제1웨이퍼;
    상기 제2프로세스챔버측의 분리벽에 고정되는 제2서셉터와 상기 제2서셉터 위에 놓이는 제2웨이퍼;
    상기 제1웨이퍼에 대해 수평으로 대향하면서 상기 분리벽과 마주보는 위치의 제1프로세스챔버의 내부 측벽에 고정된 제1전극; 및
    상기 제2웨이퍼에 대해 수평으로 대향하면서 상기 분리벽과 마주보는 위치의 제2프로세스챔버의 내부 측벽에 고정된 제2전극
    을 포함하는 플라즈마처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 각각의 상판을 관통하는 가스주입구와 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 각각의 바닥을 관통하는 가스배출구를 더 포함하는 플라즈마처리장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1프로세스챔버에 놓인 제1웨이퍼에 제1전원을 공급하고 상기 제1전극에 제2전원을 공급하여 상기 제1프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하고, 상기 제2프로세스챔버에 놓인 제2웨이퍼에 제3전원을 공급하고 상기 제2전극에 제4전원을 공급하여 상기 제2프로세스챔버 내부에 전기장을 유도하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  15. 각각 플라즈마처리가 이루어질 웨이퍼가 수직으로 놓이는 수직형 제1프로세스챔버와 제2프로세스챔버; 및
    상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 사이에 배치되며 상기 제1프로세스챔버와 상기 제2프로세스챔버 내부로 플라즈마 생성을 위한 전기장을 공통으로 유도하는 용량결합형 플라즈마 소스 역할을 하는 공통전극을 포함하되,
    상기 공통전극은 자신의 상판을 관통하는 가스주입구를 구비하고, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스의 플로우 공간을 제공하도록 내부가 비어 있는 상자구조인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제15항에 있어서, 상기 공통전극은, 상기 가스주입구로부터 주입된 가스가 상기 제1 및 제2프로세스챔버쪽으로 확산 이동하도록 하는 복수개의 홀이 양측판에 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 이웃하는 열 또는 행의 홀에 공통으로 가스가 주입되도록 하는 튜브를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 가스주입구는, 상기 복수개의 홀 중에서 최외각 부분에 배치되는 홀들에 공통으로 연결되는 제1튜브, 중앙부의 홀들에 공통으로 연결되는 제3튜브, 및 상기 최외각 부분과 중앙부 사이의 홀들에 공통으로 연결되는 제2튜브를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  21. 제15항, 제18항 및 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1프로세스챔버에 놓인웨이퍼에 제1전원을 공급하고 상기 제2프로세스챔버에 놓인 웨이퍼에 제2전원을 공급하며, 상기 공통전극에 공통의 제3전원을 공급하여 상기 제1 및 제2프로세스챔버 내부에 공통으로 전기장을 유도하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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