CN103715985B - 振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路 - Google Patents

振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路 Download PDF

Info

Publication number
CN103715985B
CN103715985B CN201310434956.8A CN201310434956A CN103715985B CN 103715985 B CN103715985 B CN 103715985B CN 201310434956 A CN201310434956 A CN 201310434956A CN 103715985 B CN103715985 B CN 103715985B
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitance
circuit
voltage
sensitivity
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310434956.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103715985A (zh
Inventor
板坂洋佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN103715985A publication Critical patent/CN103715985A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103715985B publication Critical patent/CN103715985B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/028—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/025—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an electronic switch for switching in or out oscillator elements
    • H03B2201/0258—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an electronic switch for switching in or out oscillator elements the means comprising a diode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J2200/00—Indexing scheme relating to tuning resonant circuits and selecting resonant circuits
    • H03J2200/10—Tuning of a resonator by means of digitally controlled capacitor bank

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

本发明提供振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路，与现有技术相比可进行高精度的频率控制电压灵敏度调整和频率控制电压灵敏度波动校正。振荡电路（1）包含T1端子、T2端子、一端与T1端子连接且电容值根据频率控制信号发生变化的可变电容元件（20）、一端与T2端子连接且电容值根据频率控制信号发生变化的可变电容元件（22）、与T1端子连接的负载电容电路（30）、与T2端子连接的负载电容电路（40），且使振荡元件（3）以与频率控制信号对应的频率振荡。振荡电路（1）能够根据设定信息，调整负载电容电路（30）的电容值、负载电容电路（40）的电容值、基准电压VREFB（T1端子的电位）和基准电压VREFC（T2端子的电位）。

Description

振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路
技术领域
本发明涉及振荡电路、振动器件、电子设备、移动体、振动器件的调整方法以及灵敏度调整电路。
背景技术
能够根据控制电压改变振荡频率的电压控制型振荡器（VCO：Voltage ControlledOscillator）被广泛公知且被用于各种用途。其中，使用了石英振子的电压控制型石英振荡器（VCXO：Voltage Controlled X’tal Oscillator）的频率稳定度高，被用于各种用途。
一般而言，在电压控制型振荡器（VCO）中，在被定义为相对于频率控制电压（Vc）变化量的频率变化量的频率控制电压灵敏度（Vc灵敏度）过高时，频率调整的分解度劣化，当Vc灵敏度过低时，可进行频率调整的范围不足，因此要求Vc灵敏度是期望的大小。但是，实际上各个电压控制型振荡器的Vc灵敏度由于制造原因等而不同，因此需要按照每个电压控制型振荡器进行Vc灵敏度的调整。
此外，在能够对应振子灵敏度不同的多种振子的情况下也需要调整Vc灵敏度。振子灵敏度SXtal、频率控制电压灵敏度（Vc灵敏度）SV、调整频率ΔF分别用以下的式（1）～（3）计算。
在式（1）～（3）中，C0是振子并联电容，C1是振子串联电容，CL是振荡器负载电容，VC是频率调整电压。
根据式（1）～（3），在要与振子灵敏度不同的多种振子对应时，需要进行频率控制电压Vc的增益调整、CL的调整或者ΔCL/ΔVc的调整。
以往，例如专利文献1所记载那样，通常进行的是，通过变更与振子的输入侧和输出侧连接的负载电容的值来变更CL的大小，由此调整Vc灵敏度。
图19（A）和图19（B）分别是使用了反相器或双极晶体管作为放大元件的以往的振荡器的电路图。在任意一个情况下，都在振子的两端（放大元件的两端）连接有电容值根据频率控制电压Vc变化的可变电容元件（变容二极管）、以及由多个电容元件和多个开关构成的电容组，通过根据存储器所存储的设定值调整电容组的电容值，将Vc灵敏度调整为期望的大小。
相对于可变电容元件两端的电位差变化量的电容值的变化量在两端的电位差为某个电位差Vt时最大。因此，放大元件的输入侧的可变电容元件的Vc灵敏度在控制电压Vc与放大元件的输入侧电位V1偏离Vt时最大。另一方面，放大元件的输出侧的可变电容元件的Vc灵敏度在控制电压Vc与放大元件的输出侧电位V2偏离Vt时最大。振荡器整体的Vc灵敏度是对这两个Vc灵敏度进行合成而得到的，具有和V1与V2的电位差对应的特性。另外，Vt根据可变电容元件的特性发生变化，但以下为了使得说明简单，作为Vt＝0进行说明。
图20（A）是表示使用振子灵敏度高的振子时的Vc灵敏度调整前后的频率控制电压Vc与调整频率之间的关系的一例的图，图20（B）是表示与图20（A）对应的、频率控制电压Vc与Vc灵敏度之间的关系的一例的图。
在图20（A）和图20（B）的例子中，通过增大负载电容调整Vc灵敏度，使得在频率控制电压Vc以0.9V为中心在ΔV的范围内变化时，频率相对于标称频率在－15ppm～+15ppm的范围内变化。如图20（B）所示，放大元件的输入侧和输出侧的各可变电容元件的Vc灵敏度分别在频率控制电压Vc为V1和V2时变为峰值，但调整后的峰值比调整前的峰值低。由此，能够在频率控制电压Vc的变动范围ΔV内，将作为振荡器整体的Vc灵敏度设为目标值50ppm/V附近的值。由此，根据以往的调整方法，在使用振子灵敏度高的振子的情况下，能够通过与振子灵敏度变高对应地增大负载电容值，将Vc灵敏度调整为目标值。
【专利文献1】日本特开平9-102714号公报
另外，电压控制振荡器（VCO）的输出信号中的相位噪声用由下式（4）给出的SSB相位噪声换算式计算。
在式（4）中，f0是谐振频率，f1是失谐频率，QL是有负载的Q值，fα是转角频率，F是噪声系数，K是波尔兹曼常数，T是周围温度，P0是振荡功率，Vcnoise是Vc噪声。
根据式（4），在将Vc噪声（Vcnoise）设为恒定时，Vc灵敏度（SV）越低，相位噪声越小，因此最近还存在为了降低相位噪声而将振荡器调整为低Vc灵敏度来进行使用的用途，有时需要调整到低Vc灵敏度。
图21（A）是表示以低Vc灵敏度使用振荡器时的Vc灵敏度调整前后的频率控制电压Vc与调整频率之间的关系的一例的图，图21（B）是表示与图21（A）对应的、频率控制电压Vc与Vc灵敏度之间的关系的一例的图。
在图21（A）和图21（B）的例子中，在调整前，Vc灵敏度为50ppm/V，在使频率控制电压Vc以0.9V为中心在ΔVA的范围内变化时，频率相对于标称频率在－15ppm～+15ppm的范围内变化。在通过增大负载电容而将Vc灵敏度调整为降低至目标值40ppm时，在调整后，使频率控制电压Vc以0.9V为中心在ΔVB的范围内变化时，频率相对于标称频率在－15ppm～+15ppm的范围内变化。即，在降低Vc灵敏度时，为了恒定保持频率调整范围，需要增大频率控制电压Vc的变动范围。如图21（B）所示，针对频率控制电压Vc的变动范围ΔVB，在其中心的0.9V附近能够将Vc灵敏度设为目标值40ppm/V附近的值，但低电压侧和高电压侧的Vc灵敏度的降低变大。由此，根据以往的调整方法，在以低Vc灵敏度使用振荡器时，即使通过增大负载电容值而降低Vc灵敏度，在频率控制电压Vc的期望范围内，Vc灵敏度也不恒定而发生波动。该Vc灵敏度的波动成为妨碍振荡器的稳定动作和C/N等的特性劣化的主要原因。
并且，还存在输入输出的振幅电压由于振子特性和振荡级电流的偏差等按照每个振荡器而不同的情况、和为了实现振荡器的低功耗化而减小振荡振幅来使用振荡器的情况，要求不论振荡振幅的大小如何都能够高精度地进行Vc灵敏度的调整。
如图22（A）和图22（B）所示，振荡振幅的大小对Vc灵敏度的特性产生影响。图22（A）是表示改变振荡振幅时的可变电容元件的两端电位差与电容之间的关系的一例的图，图22（B）是表示改变振荡振幅时的频率控制电压Vc与Vc灵敏度之间的关系的一例的图。
如图22（A）所示，振荡振幅越小，可变电容元件的电容变化的倾斜度越大，其结果，如图22（B）所示，振荡振幅越小，Vc灵敏度越大，而线性变差。
图23（A）是表示以小振荡振幅使用振荡器时的Vc灵敏度调整前后的频率控制电压Vc与调整频率之间的关系的一例的图，图23（B）是表示与图23（A）对应的、频率控制电压Vc与Vc灵敏度之间的关系的一例的图。
在图23（A）和图23（B）的例子中，通过增大负载电容进行调整，使得在频率控制电压以0.9V为中心在ΔV的范围内变化时，频率相对于标称频率在－15ppm～+15ppm的范围内变化。如图23（B）所示，在频率控制电压Vc的变动范围ΔV内，能够将Vc灵敏度降低为目标值50ppm/V附近的值，但线性没有提高。由此，根据以往的调整方法，在振荡振幅小时，即使通过增大负载电容值而降低Vc灵敏度，在频率控制电压Vc的期望范围内，Vc灵敏度也不恒定而发生波动。该Vc灵敏度的波动成为妨碍振荡器的稳定动作和C/N等的特性劣化的主要原因。
发明内容
本发明正是鉴于以上问题点而完成的，根据本发明的几个方式，能够提供一种与现有技术相比可进行高精度的频率控制电压灵敏度调整和频率控制电压灵敏度波动校正的振荡电路、振动器件、电子设备、移动体、振动器件的调整方法以及灵敏度调整电路。
本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的振荡电路具有：振荡单元；第1控制单元，其根据频率控制信号和设定信息控制所述振荡单元的频率控制电压灵敏度的线性；以及第2控制单元，其根据所述设定信息控制所述振荡单元的所述频率控制电压灵敏度的大小。
本应用例的振荡电路能够根据设定信息，由第1控制单元控制振荡单元的频率控制电压灵敏度的线性，由第2控制单元控制振荡单元的频率控制电压灵敏度的大小。因此，包含本应用例的振荡电路的振动器件的频率控制电压灵敏度的调整与仅调整负载电容电路的电容值的以往方法相比，调整的自由度高、且能够进行更高精度的调整。
[应用例2]
本应用例的振荡电路用于使振荡元件以基于频率控制信号的频率进行振荡，在该振荡电路中，包含：负载电容电路；以及第1可变电容元件，其电容值根据施加到一端的第1电压和施加到另一端的所述频率控制信号发生变化，所述负载电容电路的电容值和所述第1电压根据设定信息被控制。
设定信息可以被存储在振荡电路内部的存储部中，也可以从振荡电路的外部端子输入。
本应用例的振荡电路能够根据设定信息，不仅对负载电容电路的电容值、还对施加到第1可变电容元件的一端的第1电压进行调整。因此，包含本应用例的振荡电路的振动器件的频率控制电压灵敏度的调整与仅调整负载电容电路的电容值的以往方法相比，调整的自由度高、且能够进行更高精度的调整。
[应用例3]
上述应用例的振荡电路可以具有根据所述设定信息生成所述第1电压的基准电压调整电路。
本应用例的振荡电路具有基准电压调整电路，该基准电压调整电路根据设定信息，不仅对负载电容电路的电容值、还对施加到第1可变电容元件的一端的作为基准电压的第1电压进行调整。由此，通过设为能够调整提供到可变电容元件的基准电压，容易使得频率控制电压的期望范围内的频率控制电压灵敏度恒定。由此，与以往方法相比能够进行更高精度的频率控制电压灵敏度调整和频率控制电压灵敏度波动校正。
[应用例4]
在上述应用例的振荡电路中，可以根据所述设定信息，独立控制所述负载电容电路的电容值和所述第1电压。
根据本应用例的振荡电路，能够更灵活地进行包含本应用例的振荡电路的振动器件的频率控制电压调整，因此即使该振动器件的使用条件变化也能够进行高精度的频率控制电压灵敏度调整和频率控制电压灵敏度波动校正。
[应用例5]
在上述应用例的振荡电路中，可以根据所述设定信息，联动控制所述负载电容电路的电容值和所述第1电压。
根据本应用例的振荡电路，能够分别针对包含本应用例的振荡电路的振动器件的预先决定的多个使用条件，仅通过变更设定值得到最佳频率控制电压灵敏度特性。此外，能够削减设定信息的位数。
[应用例6]
在上述应用例的振荡电路中，可以包含电容值根据施加到一端的第2电压、施加到另一端的所述频率控制信号发生变化的第2可变电容元件，根据所述设定信息控制所述第2电压。
根据本应用例的振荡电路，不仅能够调整负载电容电路的电容值，还能够调整施加到第1可变电容元件的一端的第1电压、和施加到第2可变电容元件的一端的第2电压。因此，包含本应用例的振荡电路的振动器件的频率控制电压灵敏度的调整与仅调整负载电容电路的电容值的以往方法相比，调整的自由度高、且能够进行更高精度的调整。
[应用例7]
在上述应用例的振荡电路中，可以具有根据所述设定信息生成所述第1电压和所述第2电压的基准电压调整电路。
根据本应用例的振荡电路，具有基准电压调整电路，该基准电压调整电路根据设定信息，不仅调整负载电容电路的电容值，还调整施加到第1可变电容元件的一端的作为基准电压的第1电压、和施加到第2可变电容元件的一端的作为基准电压的第2电压。由此，通过设为能够调整提供到两个可变电容元件的基准电压，容易使得频率控制电压的期望范围内的频率控制电压灵敏度恒定。由此，与以往方法相比能够进行更高精度的频率控制电压灵敏度调整和频率控制电压灵敏度波动校正。
[应用例8]
在上述应用例的振荡电路中，可以根据所述设定信息，独立控制所述负载电容电路的电容值、所述第1电压和所述第2电压。
根据本应用例的振荡电路，能够更灵活地进行包含本应用例的振荡电路的振动器件的频率控制电压调整，因此即使该振动器件的使用条件变化也能够进行高精度的频率控制电压灵敏度调整和频率控制电压灵敏度波动校正。
[应用例9]
在上述应用例的振荡电路中，可以根据所述设定信息，联动控制所述负载电容电路的电容值、所述第1电压和所述第2电压。
根据本应用例的振荡电路，能够分别针对包含本应用例的振荡电路的振动器件的预先决定的多个使用条件，仅通过变更设定值得到最佳频率控制电压灵敏度特性。此外，能够削减设定信息的位数。
[应用例10]
本应用例的灵敏度调整电路包含可变电容元件和负载电容元件，用于调整由于所述可变电容元件的电容值改变而频率发生变化的振动器件的频率控制电压灵敏度，所述可变电容元件的电容值根据施加到一端的第1电压和施加到另一端的频率控制信号发生变化，在所述灵敏度调整电路中，根据设定信息控制所述负载电容电路的电容值和所述第1电压。
根据本应用例的灵敏度调整电路，能够根据设定信息，不仅对负载电容电路的电容值、还对施加到可变电容元件的一端的第1电压进行调整。因此，包含本应用例的灵敏度调整电路的振动器件的频率控制电压灵敏度的调整与仅调整负载电容电路的电容值的以往方法相比，调整的自由度高、且能够进行更高精度的调整。
[应用例11]
本应用例的振动器件包含：上述的任意一个振荡电路；以及通过该振荡电路进行振荡的振荡元件。
振动器件例如是具有振子作为振荡元件的振荡器、或具有振动型的感测元件作为振荡元件的物理量传感器等。
根据本应用例的振动器件，能够根据各种使用条件，分别得到最佳频率控制电压灵敏度特性。
[应用例12]
本应用例的电子设备包含上述的任意一个振荡电路。
[应用例13]
本应用例的移动体包含上述的任意一个振荡电路。
[应用例14]
在本应用例的振动器件的调整方法中，所述振动器件具有振荡元件和振荡电路，所述振荡电路包含负载电容电路、和电容值根据施加到一端的第1电压和施加到另一端的频率控制信号发生变化的可变电容元件，所述振荡电路用于使所述振荡元件以基于所述频率控制信号的频率进行振荡，在所述振动器件的调整方法中，包含：频率测定步骤，针对所述频率控制信号的3点以上的信号值分别测定所述振动器件的频率；灵敏度计算步骤，根据所述频率测定步骤的测定结果，针对所述3点以上的信号值分别计算所述振动器件的频率控制电压灵敏度；以及灵敏度调整步骤，根据在所述灵敏度计算步骤中得到的计算结果，调整所述负载电容电路的电容值和所述第1电压中的至少1个，使得所述振动器件的频率控制电压灵敏度包含在允许范围内。
根据本应用例的振动器件的调整方法，使用针对频率控制信号的3点以上的信号值计算出的频率控制电压灵敏度，调整负载电容电路的电容值和施加到可变电容元件的一端的第1电压中的至少1个，由此使得频率控制电压灵敏度包含在允许范围中，因此与以往方法相比，调整的自由度高、且能够进行更高精度的调整。
附图说明
图1是本实施方式的振荡电路的概略功能框图。
图2是以低Vc灵敏度使用振荡器时的Vc灵敏度调整的说明图。
图3是以小振荡振幅使用振荡器时的Vc灵敏度调整的说明图。
图4是示出第1实施方式的振荡电路的结构例的图。
图5是示出第1实施方式中的Vc灵敏度的调整方法的一例的流程图。
图6是振荡器的频率测定的说明图。
图7是示出计算最佳调整值的方法的一例的流程图。
图8是Vc灵敏度调整中的基准电压和负载电容的修正方法的说明图。
图9是Vc灵敏度调整中的基准电压和负载电容的修正方法的说明图。
图10是示出第2实施方式的振荡电路的结构例的图。
图11是示出第2实施方式的振荡电路中的Vc灵敏度调整的模式设定例的图。
图12是示出振动器件的结构例的图。
图13是本实施方式的电子设备的功能框图。
图14是示出本实施方式的电子设备的外观的一例的图。
图15是示出本实施方式的移动体的一例的图。
图16是示出计算最佳调整值的方法的变形例的流程图。
图17是变形例的振荡电路的概略功能框图。
图18是变形例的振荡电路的概略功能框图。
图19是以往的振荡器的电路图。
图20是使用振子灵敏度高的振子时的以往的Vc灵敏度调整的说明图。
图21是以低Vc灵敏度使用振荡器时的以往的Vc灵敏度调整的说明图。
图22是振荡器的振荡振幅与Vc灵敏度之间的关系的说明图。
图23是以小振荡振幅使用振荡器时的以往的Vc灵敏度调整的说明图。
标号说明
1：振荡电路；2：灵敏度调整电路；3：振荡元件；10：放大电路；11：电流源电路；12：电阻；13：电阻；14：电容器；15：放大元件；16：电容器；20：可变电容元件；22：可变电容元件；30：负载电容电路；31：电容器；32－1～32－m：电容器；33：开关电路；40：负载电容电路；41：电容器；42－1～42－n：电容器；43：开关电路；50：基准电压调整电路；60：电阻；62：电阻；64：电阻；66：电容器；70：存储器；80：频率控制电压生成电路；100：可变电容电路；102：可变电容电路；110：控制电压调整电路；120：电平移位电路；122：电平移位电路；200：振动器件；210：振荡电路；220：温度传感器；230：振荡元件；240：传感器元件；250：检测电路；300：电子设备；310：振动器件；312：振荡电路；320：CPU；330：操作部；340：ROM；350：RAM；360：通信部；370：显示部；380：声音输出部；400：移动体；410：振荡电路；420、430、440：控制器；450：电池；460：备用电池。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式不对权利要求所记载的本发明的内容进行不合理限定。并且，以下说明的所有结构并非都是本发明的必要结构要件。
1.振荡电路
1-1.概要
图1是概略地示出本实施方式的振荡电路的功能框图。如图1所示，本实施方式的振荡电路1是包含T1端子（第1端子）、T2端子（第2端子）、放大电路10、可变电容元件20（第1可变电容元件）、可变电容元件22（第2可变电容元件）、负载电容电路30（第1负载电容电路）、负载电容电路40（第2负载电容电路）和基准电压调整电路50的电压控制型的振荡电路。另外，本实施方式的振荡电路1也可以省略或变更这些要素的一部分，或者设为追加了其他要素的结构。
在振荡电路1的T1端子与T2端子之间连接有振荡元件3。
作为振荡元件3，例如可使用SAW（Surface Acoustic Wave：表面声波）谐振器、AT切石英振子、SC切石英振子、音叉型石英振子、其他压电振子和MEMS（Micro ElectroMechanical Systems：微电子机械系统）振子等。作为振荡元件3的基板材料，可使用石英、钽酸锂、铌酸锂等的压电单晶体，锆钛酸铅等的压电陶瓷等的压电材料或者硅半导体材料等。作为振荡元件3的激励方法，可以使用利用压电效应的激励，也可以使用利用库仑力的静电驱动。
放大电路10以输入端子处于T1端子侧、输出端子处于T2端子侧的方式连接在T1端子与T2端子之间。可以根据需要，在放大电路10的输入端子与T1端子之间以及放大电路10的输出端子与T2端子之间，设置DC截止用的电容元件。
作为放大电路10具有的放大元件，可使用双极晶体管、场效应晶体管（FET：FieldEffect Transistor）、金属氧化膜型场效应晶体管（MOSFET：Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor）、可控硅等。
基准电压调整电路50生成放大电路10的输入侧的基准电压VREFB（第1电压）、和高于VREFB的放大电路的输出侧的基准电压VREFC（第2电压），将基准电压VREFB提供到T1端子，并且将基准电压VREFC提供到T2端子。
可变电容元件20的一端与T1端子连接，电容值根据输入到另一端的频率控制信号发生变化。可变电容元件22的一端与T2端子连接，电容值根据输入到另一端的频率控制信号发生变化。作为频率控制信号，能够使用AFC（Automatic Frequency Control：自动频率控制）电压、温度补偿电压和频率偏移电压。另外，可变电容元件20和可变电容元件22的各电容值的变化量在两端的电位差为某个电位差Vt时最大，但以下为了使得说明简单，作为Vt＝0进行说明。
作为可变电容元件20和可变电容元件22，能够使用变容二极管（也被称作可变电容二极管）等。
负载电容电路30被连接在T1端子与地面之间，负载电容电路40被连接在T2端子与接地之间。
并且，本实施方式的振荡电路1构成为能够根据设定信息，调整负载电容电路30的电容值、负载电容电路40的电容值、VREFB（T1端子的电位）和VREFC（T2端子的电位）。具体而言，负载电容电路30和负载电容电路40变为与设定信息（例如位设定值）对应的电容值，基准电压调整电路50生成具有与设定信息对应的电位差的VREFB和VREFC。该设定信息可以被存储在振荡电路1的内部存储器（图1中未图示）中，也可以从振荡电路1的外部经由端子输入。
根据这种结构的本实施方式的振荡电路1，如以下将说明那样，相比以往，能够更高精度地调整作为包含振荡电路1和振荡元件3的振荡器（广义上指振动器件）整体的频率控制电压灵敏度（Vc灵敏度）（被定义为相对于频率控制信号的电压（频率控制电压Vc）变化量的频率变化量）。
首先，在使用振子灵敏度高的振子的情况下，能够与在图20（A）和图20（B）中说明的以往方法同样，通过使负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值均增大，在频率控制电压Vc的变动范围内，将作为振荡器整体的Vc灵敏度设为目标值附近的值。
接着，说明以低Vc灵敏度使用振荡器时的调整方法的一例。图2（A）是表示以低Vc灵敏度使用振荡器时的Vc灵敏度调整前后的频率控制电压Vc与调整频率之间的关系的一例的图，图2（B）是表示与图2（A）对应的、频率控制电压Vc与Vc灵敏度之间的关系的一例的图。
在图2（A）和图2（B）的例子中，在调整前，Vc灵敏度为50ppm/V，在使频率控制电压Vc以0.9V为中心在ΔVA的范围内变化时，频率相对于标称频率在－15ppm～+15ppm的范围内变化。在将Vc灵敏度调整为降低至目标值40ppm时，在调整后，使频率控制电压Vc以0.9V为中心在ΔVB的范围内变化时，频率相对于标称频率在－15ppm～+15ppm的范围内变化。
在本实施方式中，例如调整为使负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值均增大，降低VREFB且增高VREFC。如图2（B）所示，通过增大负载电容电路30的电容值，可变电容元件20的电容值占振荡器负载电容CL的比例变小，因此基于可变电容元件20的Vc灵敏度的峰值降低。此外，通过降低VREFB，基于可变电容元件20的Vc灵敏度的峰值向低电压侧移动。同样，通过增大负载电容电路40的电容值，可变电容元件22的电容值占振荡器负载电容CL的比例变小，因此基于可变电容元件22的Vc灵敏度的峰值降低。此外，通过增高VREFC，基于可变电容元件22的Vc灵敏度的峰值向高电压侧移动。
能够通过这种调整，将对基于可变电容元件20的Vc灵敏度和基于可变电容元件30的Vc灵敏度进行合成后的作为振荡器整体的Vc灵敏度降低至目标值40ppm/V附近，并且使其在频率控制电压Vc的变动范围ΔVB内大致平坦。
接着，说明以小振荡振幅使用振荡器时的调整方法的一例。图3（A）是表示以小振荡振幅使用振荡器时的Vc灵敏度调整前后的频率控制电压Vc与调整频率之间的关系的一例的图，图3（B）是表示与图3（A）对应的、频率控制电压Vc与Vc灵敏度之间的关系的一例的图。
在图3（A）和图3（B）的例子中，调整为使得在频率控制电压以0.9V为中心在ΔV的范围内变化时，频率相对于标称频率在－15ppm～+15ppm的范围内变化。
在本实施方式中，例如调整为使负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值均增大，增高VREFB且降低VREFC。如图3（B）所示，通过增大负载电容电路30的电容值，基于可变电容元件20的Vc灵敏度的峰值降低，通过增高VREFB，基于可变电容元件20的Vc灵敏度的峰值向高电压侧移动。同样，通过增大负载电容电路40的电容值，基于可变电容元件30的Vc灵敏度的峰值降低，通过降低VREFC，基于可变电容元件30的Vc灵敏度的峰值向低电压侧移动。
能够通过这种调整，将对基于可变电容元件20的Vc灵敏度和基于可变电容元件30的Vc灵敏度进行合成后的作为振荡器整体的Vc灵敏度降低至目标值50ppm/V附近，并且在频率控制电压Vc的变动范围ΔVB内，提高线性。
由此，在本实施方式中，包含负载电容电路30、负载电容电路40和基准电压调整电路50的电路作为能够高精度地调整包含振荡电路1和振荡元件3的振荡器的Vc灵敏度的灵敏度调整电路2发挥功能。
接着，对振荡电路1的更具体实施方式进行详细说明。
1-2.第1实施方式
[结构]
图4是示出第1实施方式的振荡电路的结构例的图。在图4中，对于与图1的各结构要素对应的结构要素标注与图1相同的标号。
如图4所示，第1实施方式的振荡电路1包含放大电路10、电容器14、16、可变电容元件20、22、负载电容电路30、负载电容电路40、基准电压调整电路50、电阻60、62、64、电容器66、存储器70和频率控制电压生成电路80。另外，本实施方式的振荡电路1也可以省略或变更这些要素的一部分，或者设为追加了其他要素的结构。
在振荡电路1的T1端子与T2端子之间连接有振荡元件3。在本实施方式中，振荡元件3是石英振子。
放大电路10构成为包含电流源电路11、两个电阻12、13和放大元件15。放大元件15是双极晶体管，基极端子经由DC截止用的电容器14与T1端子连接，集电极端子经由电阻13和DC截止用的电容器16与T2端子连接，发射极端子被接地。此外，在放大元件15的基极端子与电阻13之间连接有电阻12，从电流源电路11向放大元件15提供电流。另外，可以构成使用了CMOS反相器作为放大元件的放大电路10。例如，经由DC截止用的电容器14将CMOS反相器的输入端子连接到T1端子，并且经由DC截止用的电容器16将CMOS反相器的输出端子连接到T2端子，还在CMOS反相器的输出端子与输入端子之间连接反馈电阻，由此能够构成放大电路10。
基准电压调整电路50生成基准电压VREFB、和高于VREFB的基准电压VREFC，经由电阻60将基准电压VREFB提供到T1端子，并且经由电阻62将基准电压VREFC提供到T2端子。
可变电容元件20是变容二极管，阴极端子被连接到T1端子，并被施加基准电压VREFB。同样，可变电容元件22是变容二极管，阴极端子被连接到T2端子，并被施加基准电压VREFC。
频率控制电压生成电路80生成与从T3端子输入的信号对应的电压的频率控制电压Vc。频率控制电压Vc通过由电阻64和电容器66构成的低通滤波器去除（准确而言是减少）高频噪声，并被输入到可变电容元件20的阳极端子和可变电容元件22的阳极端子。
因此，可变电容元件20的电容值根据频率控制电压Vc与基准电压VREFB的电位差发生变化，可变电容元件22的电容值根据频率控制电压Vc与基准电压VREFC的电位差发生变化。即，本实施方式的振荡电路1是振荡频率根据从T3端子输入的信号发生变化的电压控制型石英振荡电路。
存储器70是可改写的非易失性的存储器，例如通过EEPROM（ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory：电可擦除可编程只读存储器）等实现。在本实施方式中，存储器70可存储4种调整值（与图1的设定信息对应）。N1位的调整值VBSENS_ADJ被用于负载电容电路30的电容值的调整。N2位的调整值VCSENS_ADJ被用于负载电容电路40的电容值的调整。N3位的调整值VREFB_ADJ被用于基准电压VREFB的调整。N4位的调整值VREFC_ADJ被用于基准电压VREFC的调整。
负载电容电路30构成为包含多个电容器31、32－1～32－m（m≧1）和开关电路33的电容组。开关电路33由分别用于连接或切断电容器32－1～32－m与T1端子之间的m个开关元件构成，各开关元件根据调整值VBSENS_ADJ进行接通或断开。并且，根据调整值VBSENS_ADJ而与T1端子连接的电容器成为振荡元件3的输出侧（放大电路10的输入侧）的负载电容。另一方面，电容器31被连接到T1端子，始终成为振荡元件3的输出侧（放大电路10的输入侧）的负载电容。
同样，负载电容电路40构成为包含多个电容器41、42－1～42－n（n≧1）和开关电路43的电容组。开关电路43由分别用于连接或切断电容器42－1～42－n与T2端子之间的n个开关元件构成，各开关元件根据调整值VCSENS_ADJ进行接通或断开。并且，根据调整值VCSENS_ADJ而与T2端子连接的电容器成为振荡元件3的输入侧（放大电路10的输出侧）的负载电容。另一方面，电容器41被连接到T2端子，始终成为振荡元件3的输入侧（放大电路10的输出侧）的负载电容。
基准电压调整电路50生成与调整值VREFB_ADJ对应电位的基准电压VREFB，并且生成与调整值VREFC_ADJ对应电位的基准电压VREFC。
在本实施方式中，能够分别根据各调整值VBSENS_ADJ、VCSENS_ADJ、VREFB_ADJ、VREFC_ADJ独立调整负载电容电路30的电容值、负载电容电路40的电容值、基准电压VREFB、基准电压VREFC，如后所述，能够通过独立调整这些值，进行包含振荡电路1和振荡元件3的振荡器的Vc灵敏度的高精度调整。即，包含负载电容电路30、负载电容电路40、基准电压调整电路50和存储器70的电路作为能够高精度地调整振荡器的Vc灵敏度的灵敏度调整电路2发挥功能。
另外，振荡电路1的一部分或全部可以实现为基于CMOS工艺等的集成电路（IC）。例如，可以用两个IC芯片分开实现灵敏度调整电路2和其他电路。该情况下，可以在灵敏度调整电路2的IC芯片中，包含可变电容元件20和可变电容元件22等、振荡电路1及其他结构要素的一部分。
此外，振荡电路1可以组合与各结构要素对应的分离部件来构成。
［Vc灵敏度调整方法］
接着，说明使用了本实施方式的振荡电路1的振荡器的Vc灵敏度的调整方法。图5是示出本实施方式中的Vc灵敏度的调整方法的一例的流程图。
如图5所示，首先，将各调整值VBSENS_ADJ、VCSENS_ADJ、VREFB_ADJ、VREFC_ADJ的默认值写入到存储器（S10）。
接着，在3点以上的频率控制电压Vc处测定振荡器的频率（S20）。
例如，如图6（A）所示，可以在相比使得成为标称频率（或频率调整后的频率）Fnom的频率控制电压Vc的电压值Va足够低的电压值V1、比Va稍高的电压值V2、相比Va足够高的电压值V3的3点处测定振荡器的频率。
此外，例如，如图6（B）所示，可以在相比使得成为标称频率（或频率调整后的频率）Fnom的频率控制电压Vc的电压值Va足够低的两个电压值V1和V2、比Va稍高的电压值V3、相比Va足够高的两个电压值V4和V5的5点处测定振荡器的频率。
接着，根据步骤S20中的频率的测定结果，计算3点以上的频率控制电压Vc的Vc灵敏度和Vc灵敏度的平均值（S30）。
例如，在图6（A）的例子中，能够使用电压值V1、V2、V3处的频率的各测定值F1、F2、F3和标称频率（或频率调整后的频率）Fnom，通过以下的式（5）～（8），近似计算电压值（Va+V1）/2、（V2+Va）/2、（V3+V2）/2处的各Vc灵敏度S1、S2、S3和Vc灵敏度的平均值Sa。
此外，例如，在图6（B）的例子中，能够使用电压值V1、V2、V3、V4、V5处的频率的各测定值F1、F2、F3、F4、F5和标称频率（或频率调整后的频率）Fnom，通过以下的式（9）～（11），近似计算电压值（V2+V1）/2、（V3+Va）/2、（V5+V4）/2处的各Vc灵敏度S1、S2、S3。此外，能够通过上述式（8）近似计算Vc灵敏度的平均值Sa。
然后，根据步骤S30中的Vc灵敏度的计算结果计算最佳调整值（S40）。该步骤S40的计算方法的详细情况将后述。
并且，在需要调整值的变更的情况下（S50的是），将变更后的调整值（S40的计算结果的调整值）写入到存储器70（S60），并再次执行步骤S20之后的步骤。另一方面，在不需要调整值的变更的情况下（S50的否），结束Vc灵敏度的调整。
关于是否需要该步骤S50中的调整值的变更的判断，例如，对步骤S40的计算结果的各调整值与写入到存储器的当前调整值进行比较，如果存在差异，则判断为需要变更，如果没有差异，则判断为不需要变更。
利用该图5的流程图的Vc灵敏度调整例如在最终检査工序等中针对各个振荡器进行，成为按照每个振荡器在存储器70中写入了最佳调整值的状态。
另外，在图5的流程图中，在将各调整值（VBSENS_ADJ、VCSENS_ADJ、VREFB_ADJ，VREFC_ADJ）写入到存储器70的同时进行了Vc灵敏度的调整，但例如可以在振荡电路1中设置调整模式（测试模式），在该调整模式中，替代存储器70而将写入到了寄存器（图4中未图示）的各调整值提供到负载电容电路30、负载电容电路40和基准电压调整电路50。由此，能够通过使用寄存器高速进行各调整值的改写，因此能够缩短Vc灵敏度的调整时间。
图7是示出根据3点的Vc灵敏度S1、S2、S3和Vc灵敏度的平均值Va计算最佳调整值的方法（图5的步骤S40的计算方法）的一例的流程图。
在图7的例子中，首先判定S1、S2、S3是否全部处于Sa－A与Sa+B之间（S100）。这里，A是S1、S2、S3与Sa的偏差的下限允许值，B是S1、S2、S3与Sa的偏差的上限允许值。
在步骤S100中，在S1、S2、S3的至少1个不处于Sa－A与Sa+B之间的情况下（S100的否），接着判定S1和S3是否均在S2以下（S102）。
在步骤S102中S1和S3均在S2以下的情况下（S102的是），如果S1＜S3（S104的是），则变更调整值VREFB_ADJ进行降低放大电路10的输入侧的基准电压VREFB的修正1（S120）。图8（A）是示出该修正1的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
此外，如果S1＝S3（S104的否且S106的否），则使调整值VREFB_ADJ和VREFC_ADJ均变更来进行使放大电路10两侧的基准电压VREFB、VREFC相隔的修正2（S122）。图8（B）是示出该修正2的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
此外，如果S1＞S3（S104的否且S106的是），则变更调整值VREFC_ADJ来进行提高放大电路10的输出侧的基准电压VREFC的修正3（S124）。图8（C）是示出该修正3的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
另一方面，在步骤S102中S1和S3的至少一方大于S2的情况下（S102的否），接着判定S1和S3是否均为S2以上（S108）。
在步骤S108中S1和S3的至少一方小于S2的情况下（S108的否），如果S1≧S3（S110的否）且S2＞Sa（S112的否），则变更调整值VCSENS_ADJ进行减轻放大电路10的输出侧的负载电容（减小负载电容电路40的电容值）的修正4（S126）。图8（D）是示出了该修正4的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
此外，如果S1≧S3（S110的否）且S2≦Sa（S112的是），则变更调整值VREFC_ADJ来进行提高放大电路10的输出侧的基准电压VREFC的修正5（S128）。图8（E）是示出该修正5的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
此外，如果S1＜S3（S110的是）且S2＞Sa（S114的否），则变更调整值VBSENS_ADJ来进行减轻放大电路10的输入侧的负载电容（减小负载电容电路30的电容值）的修正6（S130）。图8（F）是示出该修正6的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
此外、如果S1＜S3（S110的是）且S2≦Sa（S114的是），则变更调整值VREFB_ADJ进行降低放大电路10的输入侧的基准电压VREFB的修正7（S132）。图9（A）是示出该修正7的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
另一方面，在步骤S108中S1和S3均在S2以上的情况下（S108的是），如果S1＜S3（S116的是），则变更调整值VREFB_ADJ进行提高放大电路10的输入侧的基准电压VREFB的修正8（S134）。图9（B）是示出该修正8的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
此外，如果S1＝S3（S116的否且S118的否），则使调整值VREFB_ADJ和VREFC_ADJ均变更来进行使放大电路10两侧的基准电压VREFB、VREFC接近的修正9（S136）。图9（C）是示出该修正9的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
此外，如果S1＞S3（S116的否且S118的是），则变更调整值VREFC_ADJ来进行降低放大电路10的输出侧的基准电压VREFC的修正10（S138）。图9（D）是示出该修正10的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
在S1、S2、S3全部处于Sa－A与Sa+B之间的情况下（S100的是）、或者进行了修正1～修正10（S120～S138）中的任意一个后，接着判定Sa是否处于Smin与Smax之间（S140）。这里，Smin是Sa的下限允许值、Smax是Sa的上限允许值。
在步骤S140中Sa不处于Smin与Smax之间的情况下（S140的否），如果Sa＜Smin（S142的否），则使调整值VBSENS_ADJ和VCSENS_ADJ均变更来进行减轻放大电路10两侧的负载电容（使负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值均减小）的修正11（S144）。图9（E）是示出该修正11的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
另一方面，如果Smax＜Sa（S142的是），则使调整值VBSENS_ADJ和VCSENS_ADJ均变更来进行加重放大电路10两侧的负载电容（使负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值均增大）的修正12（S146）。图9（F）是示出了该修正12的情形的图，实线是修正前的Vc灵敏度的曲线图的图像，虚线是修正后的Vc灵敏度的曲线图的图像。
在Sa处于Smin与Smax之间的情况下（S140的是）、或者进行了修正11或修正12（S144或S146）后，结束调整值的计算，转移到之前所说明的图5的步骤S50。
另外，修正1～修正12中所需的调整值的变更例如可以通过对当前的调整值加上或减去预定值来进行，也可以通过使用预定的计算式根据S1、S2、S3、Sa、A、B、Smin、Smax的值的一部分或全部计算调整值来进行。
如以上所说明那样，根据第1实施方式的振荡电路，构成为能够分别独立地变更放大电路的输入侧的基准电压、放大电路的输出侧的基准电压、放大电路的输入侧的负载电容、放大电路的输出侧的负载电容的各调整值，因此能够针对振荡元件的灵敏度、Vc灵敏度的大小、振荡器的振荡振幅等各种条件，更灵活地进行Vc灵敏度调整。由此，根据第1实施方式的振荡电路，与现有技术相比能够进行高精度的Vc灵敏度调整和Vc灵敏度波动校正。
尤其是，即使在通过以往方法难以进行适当的Vc灵敏度调整的、以低Vc灵敏度或小振荡振幅使用振荡器的情况下，根据第1实施方式的振荡电路，也能够进行高精度的Vc灵敏度调整和Vc灵敏度波动校正。
1-3.第2实施方式
[结构]
图10是示出第2实施方式的振荡电路的结构例的图。在图10中，对于与图1和图4的结构要素对应的结构要素标注与图1和图4相同的标号。
如图10所示，第2实施方式的振荡电路1与第1实施方式的振荡电路1（图4）相同，包含放大电路10、电容器14、16、可变电容元件20、22、负载电容电路30、负载电容电路40、基准电压调整电路50、电阻60、62、64、电容器66、存储器70和频率控制电压生成电路80。另外，本实施方式的振荡电路1也可以构成为省略或变更这些要素的一部分，或者追加其他要素。
第2实施方式的振荡电路1与第1实施方式不同，构成为基准电压VREFB、基准电压VREFC、负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值这4个参数全部联动地被变更。
具体而言，在存储器70中存储有N位的调整值VCSENS_ADJ，在变更VCSENS_ADJ时，联动变更这4个参数。因此，成为最大仅能够进行2N种模式下的Vc灵敏度调整的结构。例如，在VCSENS_ADJ为2位的情况下，能够进行例如图11所示的4个模式下的Vc灵敏度调整。
在图11的例子中，VCSENS_ADJ［1：0］为“00”时，使用类型1的振子，联动设定上述4个参数，使得在振荡器以Vc灵敏度为50ppm/V、振荡振幅为1.2V的状态进行动作的模式（模式1）下Vc灵敏度最佳。
此外，在VCSENS_ADJ［1：0］为“01”时，使用振子灵敏度高的类型2的振子，联动设定上述4个参数，使得在振荡器以Vc灵敏度为50ppm/V、振荡振幅为1.2V的状态进行动作的模式（模式2）下Vc灵敏度最佳。
此外，在VCSENS_ADJ［1：0］为“10”时，使用类型1的振子，联动设定上述4个参数，使得在振荡器以Vc灵敏度为40ppm/V、振荡振幅为1.2V的状态进行动作的模式（模式3）下Vc灵敏度最佳。
此外，在VCSENS_ADJ［1：0］为“11”时，使用类型1的振子，联动设定上述4个参数，使得在振荡器以Vc灵敏度为50ppm/V、振荡振幅为0.8V的状态进行动作的模式（模式4）下Vc灵敏度最佳。
预先在设计阶段进行各种计算或仿真，决定上述4个参数在各模式下的最佳设定值，以能够得到最佳Vc灵敏度。例如，可以通过与在第1实施方式（图7）中说明的方法相同的方法修正基准电压VREFB、基准电压VREFC、负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值来求出最佳设定值。并且，在使用振荡器时，能够通过根据使用的模式改写存储器70的调整值VCSENS_ADJ，自动得到与该模式对应的最佳Vc灵敏度特性。
第2实施方式的振荡电路1中的其他结构与第1实施方式相同，因此省略其说明。
如以上所说明那样，根据第2实施方式的振荡电路，根据使用振荡器的模式，联动变更放大电路两侧的负载电容和基准电压，以能够得到最佳Vc灵敏度特性。由此，根据第2实施方式的振荡电路，能够根据所选择的模式，进行高精度的Vc灵敏度调整和Vc灵敏度波动校正。
此外，根据第2实施方式的振荡电路，联动变更放大电路两侧的负载电容和基准电压，因此能够削减存储器所存储的调整值的位数。
2.振动器件
本实施方式的振动器件包含电压控制型的振荡电路、和通过该振荡电路进行振荡的振荡元件（振动体）。作为振动器件，例如可列举具有振子作为振荡元件的振荡器、或具有振动型的感测元件作为振荡元件的物理量传感器等。
图12（A）示出作为振动器件的一例的振荡器的结构例。图12（A）所示的振动器件200（振荡器）是温度补偿型振荡器，包含振荡电路210、温度传感器220和石英振子等振荡元件230。
振荡电路210通过在内部生成与温度传感器220的输出信号对应的频率控制电压Vc，根据温度变化改变可变电容元件的电容值，在补偿振荡元件230的频率温度特性的同时使其以恒定的频率振荡。可以应用上述各实施方式的振荡电路1作为该振荡电路210。
作为本实施方式的振动器件即振荡器，除了温度补偿型振荡器（TCXO等）以外，还可列举电压控制型振荡器（VCXO或VCSO等）、电压控制温度补偿型振荡器（VC-TCXO等）和恒温型振荡器（OCXO等）等。此外，这种振荡器不依赖于振荡元件的材质和激励方法，可以是压电振荡器（石英振荡器等）、SAW振荡器、硅振荡器、原子振荡器等。
图12（B）示出作为振动器件的一例的物理量传感器的结构例。图12（B）所示的振动器件200（物理量传感器）包含振荡电路210、温度传感器220、以石英等为材料的传感器元件240和检测电路250。
振荡电路210通过在内部生成与温度传感器220的输出信号对应的频率控制电压Vc，根据温度变化改变可变电容元件的电容值，在补偿传感器元件240的频率温度特性的同时使其以恒定的频率振荡。可以应用上述各实施方式的振荡电路1作为该振荡电路210。
传感器元件240在以恒定的频率振动的同时，输出与所施加的物理量（例如角速度和加速度等）的大小对应的检测信号。
检测电路250进行传感器元件240的检测信号的检波和直流化，生成信号电平与施加到传感器元件240的物理量大小对应的物理量信号并输出。另外，检测电路250可以根据温度传感器220的输出信号，补偿电路元件的温度特性和传感器元件240的温度特性，从而对物理量信号的振动电平进行调整。
作为本实施方式的振动器件即物理量传感器，可列举角速度传感器（陀螺仪传感器）或加速度传感器等。
根据本实施方式，能够通过振荡电路210高精度地调整振动器件200的Vc灵敏度，因此能够提供振荡精度高的振动器件200。
3.电子设备
图13是本实施方式的电子设备的功能框图。此外，图14是示出作为本实施方式的电子设备的一例的智能手机的外观的一例的图。
本实施方式的电子设备300构成为包含振动器件310、CPU（Central ProcessingUnit：中央处理单元）320、操作部330、ROM（Read Only Memory：只读存储器）340、RAM（Random Access Memory：随机存取存储器）350、通信部360、显示部370和声音输出部380。另外，本实施方式的电子设备也可以构成为省略或变更图13的结构要素（各部件）的一部分，或者附加其他结构要素。
振动器件310是包含振荡电路312的振荡器或振动型的传感器等。可以应用上述各实施方式的振荡电路1和振动器件200作为振荡电路312和振动器件310。
CPU320依照存储在ROM340等中的程序，使用振动器件310生成的信号进行各种计算处理和控制处理。另外，CPU320进行与来自操作部330的操作信号对应的各种处理、为了与外部进行数据通信而控制通信部360的处理、发送用于使各种信息显示在显示部370上的显示信号的处理、使声音输出部380输出各种声音的处理等。
操作部330是由操作键、按钮开关等构成的输入装置，将与用户操作对应的操作信号输出到CPU320。
ROM340存储有用于CPU320进行各种计算处理和控制处理的程序和数据等。
RAM350被用作CPU320的工作区域，暂时存储从ROM340读出的程序和数据、从操作部330输入的数据、CPU320依照各种程序执行的运算结果等。
通信部360进行用于建立CPU320与外部装置之间的数据通信的各种控制。
显示部370是由LCD（Liquid Crystal Display：液晶显示器）等构成的显示装置，根据从CPU320输入的显示信号显示各种信息。可以在显示部370上设置作为操作部330发挥功能的触摸面板。
声音输出部380是扬声器等输出声音的装置。
能够通过组装上述本实施方式的振荡电路1作为振荡电路312，实现可靠性更高的电子设备。
作为这种电子设备300，考虑各种电子设备，例如可列举个人计算机（例如移动型个人计算机、膝上型个人计算机、平板型个人计算机）、移动电话机等移动终端、数字静态照相机、喷墨式排出装置（例如喷墨打印机）、路由器或开关等存储区域网络设备、局域网设备、移动终端的基站用设备、电视、摄像机、录像机、车载导航装置、寻呼机、电子记事本（也包含通信功能）、电子辞典、计算器、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、视频电话、防盗用电视监视器、电子双筒镜、POS终端、医疗设备（例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜）、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类（例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类）、飞行模拟器、头戴式显示器、运动追踪器、运动跟踪器、运动控制器、PDR（步行者位置方位计测）等。
4.移动体
图15是示出本实施方式的移动体的一例的图（俯视图）。图15所示的移动体400构成为包含振荡电路410、发动机系统、制动系统、无匙门禁系统等进行各种控制的控制器420、430、440、电池450和备用电池460。另外，本实施方式的移动体可以省略或变更图15的一部分结构要素（各个部件），还可以设为附加了其他结构要素的结构。
可以应用上述各实施方式的振荡电路1作为振荡电路410。另外，振荡电路410可以置换为包含振荡电路1的振动器件（振荡器或物理量传感器等）。虽然省略了其他结构要素的详细说明，但也要求较高的可靠性，以便进行移动体的移动所需的控制。例如，除电池450以外，还设置备用电池460，由此来提高可靠性。
关于振荡电路410的振荡频率，无论温度等环境变化如何，都需要是预定的频率。作为振荡电路410，能够通过应用上述各实施方式的振荡电路1，预先进行与各种环境条件下对应的高精度的Vc灵敏度调整，因此能够确保高可靠性。
作为这样的移动体400，可以考虑各种移动体，例如可列举出汽车（也包含电动汽车）、喷气式飞机、直升飞机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
5.变形例
本发明不限于本实施方式，能够在本发明的主旨范围内进行各种变形实施。
[变形例1]
在第1实施方式的振荡电路中，可以对Vc灵敏度调整方法中的计算最佳调整值的图7的流程图步骤进行变形。
图16是示出计算最佳调整值的方法（图5的步骤S40的计算方法）的变形例的流程图。在图16中，针对与图7相同的步骤标注相同标号。
在图16的例子中，首先判定S1和S3是否均为S2以下（S102）。
在步骤S102中S1和S3均为S2以下的情况下（S102的是），接着判定S1和S2是否均大于Sa－C、且S2是否小于Sa+D（S103）。这里，C是S1、S2与Sa的偏差的允许值，D是S3与Sa的偏差的允许值。
在步骤S103中S1或S2在Sa－C以下、或者S2在Sa+D以上的情况下（S103的否），如果S1＜S3（S104的是），则进行修正1（图8（A））（S120），如果S1＝S3（S104的否且S106的否），则进行修正2（图8（B））（S122），如果S1＞S3（S104的否且S106的是），则进行修正3（图8（C））（S124）。
另一方面，在步骤S102中S1和S3的至少一方大于S2的情况下（S102的否），则与图7同样地进行修正4～修正10（图8（D）～图8（F）、图9（A）～图9（D））（S126～S138）。
在步骤S103中S1和S2均大于Sa－C、且S2小于Sa+D的情况下（S103的是），或者进行了修正1～修正10（S120～S138）中的任意一个后，接着判定Sa是否处于Smin与Smax之间（S140）。之后，在与图7同样地根据需要进行了修正11（图9（E）或修正12（图9（F））后（S144，146），结束调整值的计算，转移到之前说明的图5的步骤S50。
[变形例2]
在本实施方式的振荡电路中，构成为能够变更放大电路的输入侧的基准电压、放大电路的输出侧的基准电压、放大电路的输入侧的负载电容和放大电路的输出侧的负载电容这4个参数，但可以变形为能够变更进一步增加放大电路的输入侧的可变电容元件和放大电路的输出侧的可变电容元件后的6个参数。
图17是概略地示出本变形例的振荡电路的功能框图。在图17中，针对与图1相同的结构要素标注相同标号并省略其说明。如图17所示，本变形例的振荡电路1构成为能够根据设定信息变更基准电压VREFB、基准电压VREFC、负载电容电路30的电容值、负载电容电路40的电容值、可变电容电路100的电容值和可变电容电路102的电容值。
可变电容电路100和可变电容电路102例如构成为包含多个可变电容元件和多个开关元件的可变电容组，通过根据设定信息接通或断开各开关，选择连接到T1端子或T2端子的可变电容元件，由此可变电容值发生变化。
可变更的6个参数可以分别独立地进行变更，也可以联动地进行变更。关于本变形例的振荡电路的更具体的结构例，能够通过适当变更图4和图10的结构例而容易地得到，因此省略其图示和说明。
根据本变形例的振荡电路，能够进行更细致的Vc灵敏度调整。
[变形例3]
在本实施方式的振荡电路中，向可变电容元件20和可变电容元件22输入独立的基准电压，并且输入公共的频率控制信号，但也可以变形为输入独立的频率控制信号并且输入公共的基准电压。
图18是概略地示出本变形例的振荡电路的功能框图。在图18中，针对与图1相同的结构要素标注相同标号并省略其说明。如图18所示，本变形例的振荡电路1针对图1的振荡电路追加了控制电压调整电路110和电平移位电路120、122。
控制电压调整电路110根据设定信息调整电平移位电路120、122的输出电平。
电平移位电路120输出的频率控制电压Vc1被输入到可变电容元件20，电平移位电路122输出的频率控制电压Vc2被输入到可变电容元件22。
此外，基准电压调整电路50根据设定信息调整基准电压VREF，并将其公共地提供给可变电容元件20的T1端子和T2端子。
即，本变形例的振荡电路构成为能够根据设定信息变更基准电压VREF、频率控制电压Vc1、频率控制电压Vc2、负载电容电路30的电容值和负载电容电路40的电容值这5个参数。
该可变更的5个参数可以分别独立地进行变更，也可以联动地进行变更。关于本变形例的振荡电路的更具体的结构例，能够通过适当变更图4和图10的结构例而容易地得到，因此省略其图示和说明。
根据本变形例的振荡电路，能够进行与本实施方式的振荡电路同样的高精度的Vc灵敏度调整。
[变形例4]
在第1实施方式的振荡电路中，构成为能够依照存储器70所存储的各调整值，相互独立地变更放大电路的输入侧的基准电压、放大电路的输出侧的基准电压、放大电路的输入侧的负载电容、放大电路的输出侧的负载电容这4个参数；在第2实施方式的振荡电路中，构成为联动变更全部这4个参数，但可以变形为这4个参数的一部分可独立进行变更并且其他部分联动进行变更。
例如，负载电容电路30的电容值以及负载电容电路40的电容值的至少一方、和基准电压VREFB（T1端子的电位）以及基准电压VREFC（T2端子的电位）的至少一方可以根据设定信息联动或独立地进行变更。
由此，相比第1实施方式，能够削减存储器70所存储的调整值的位数，并且相比第2实施方式，能够进行灵活且高精度的Vc灵敏度调整。因此，能够在满足Vc灵敏度调整的要求精度的范围内实现更低成本的振荡器。
另外，在上述实施方式和变形例中，说明了作为振动器件的一例的振荡器的Vc灵敏度调整方法，但关于物理量传感器等的其他振动器件，也能够应用与本实施方式同样的Vc灵敏度调整方法。
上述实施方式和变形例是一个例子，且不限于此。例如，还能够适当组合各实施方式和各变形例。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质相同的结构（例如，功能、方法和结果相同的结构，或者目的和效果相同的结构）。此外，本发明包含对实施方式中说明的结构的非本质部分进行置换后的结构。此外，本发明包含能够起到与在实施方式中说明的结构相同作用效果的结构或达到相同目的的结构。此外，本发明包含对在实施方式中说明的结构附加了公知技术后的结构。

Claims (9)

1.一种振荡电路，其用于使振荡元件以基于频率控制信号的频率进行振荡，在该振荡电路中，包含：
负载电容电路；
第1可变电容元件，其电容值根据施加到一端的第1电压、和施加到另一端的所述频率控制信号发生变化；以及
第2可变电容元件，其电容值根据施加到一端的第2电压、和施加到另一端的所述频率控制信号发生变化，
所述负载电容电路的电容值、所述第1电压和所述第2电压根据设定信息被控制。
2.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
所述振荡电路具有根据所述设定信息生成所述第1电压和所述第2电压的基准电压调整电路。
3.根据权利要求1或2所述的振荡电路，其中，
所述负载电容电路的电容值、所述第1电压和所述第2电压根据所述设定信息被独立控制。
4.根据权利要求1或2所述的振荡电路，其中，
所述负载电容电路的电容值、所述第1电压和所述第2电压根据所述设定信息被联动控制。
5.一种灵敏度调整电路，其包含第1可变电容元件、第2可变电容元件和负载电容电路，用于调整由于所述第1可变电容元件的电容值和所述第2可变电容元件的电容值改变而频率发生变化的振动器件的频率控制电压灵敏度，所述第1可变电容元件的电容值根据施加到一端的第1电压和施加到另一端的频率控制信号发生变化，所述第2可变电容元件的电容值根据施加到一端的第2电压和施加到另一端的所述频率控制信号发生变化，在所述灵敏度调整电路中，
所述负载电容电路的电容值、所述第1电压和所述第2电压根据设定信息被控制。
6.一种振动器件，其包含：
权利要求1或2所述的振荡电路；以及
通过该振荡电路进行振荡的振荡元件。
7.一种电子设备，其中，该电子设备包含权利要求1或2所述的振荡电路。
8.一种移动体，其中，该移动体包含权利要求1或2所述的振荡电路。
9.一种振动器件的调整方法，所述振动器件具有振荡元件和振荡电路，所述振荡电路包含负载电容电路、和电容值根据施加到一端的第1电压和施加到另一端的频率控制信号发生变化的可变电容元件，所述振荡电路用于使所述振荡元件以基于所述频率控制信号的频率进行振荡，在所述振动器件的调整方法中，包含：
频率测定步骤，针对所述频率控制信号的3点以上的信号值分别测定所述振动器件的频率；
灵敏度计算步骤，根据所述频率测定步骤的测定结果，针对所述3点以上的信号值分别计算所述振动器件的频率控制电压灵敏度；以及
灵敏度调整步骤，根据在所述灵敏度计算步骤中得到的计算结果，调整所述负载电容电路的电容值和所述第1电压中的至少1个，使得所述振动器件的频率控制电压灵敏度包含在允许范围内。
CN201310434956.8A 2012-09-28 2013-09-22 振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路 Active CN103715985B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012217440A JP6315164B2 (ja) 2012-09-28 2012-09-28 発振回路、振動デバイス、電子機器、移動体、振動デバイスの調整方法及び感度調整回路
JP2012-217440 2012-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103715985A CN103715985A (zh) 2014-04-09
CN103715985B true CN103715985B (zh) 2019-05-31

Family

ID=50384590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310434956.8A Active CN103715985B (zh) 2012-09-28 2013-09-22 振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9252789B2 (zh)
JP (1) JP6315164B2 (zh)
CN (1) CN103715985B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6123983B2 (ja) 2012-09-28 2017-05-10 セイコーエプソン株式会社 発振回路、半導体集積回路装置、振動デバイス、電子機器、および移動体
JP6123982B2 (ja) * 2012-09-28 2017-05-10 セイコーエプソン株式会社 発振回路、電子機器、及び移動体
JP6315164B2 (ja) 2012-09-28 2018-04-25 セイコーエプソン株式会社 発振回路、振動デバイス、電子機器、移動体、振動デバイスの調整方法及び感度調整回路
US9749751B2 (en) * 2013-02-27 2017-08-29 Kyocera Corporation Electronic device
US20190115883A1 (en) * 2015-01-09 2019-04-18 Mitsutoshi Sugawara Analogue signal output circuit
US10454420B2 (en) 2017-06-30 2019-10-22 Silicon Laboratories Inc. Crystal driver circuit configurable for daisy chaining
US20190007005A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 Silicon Laboratories Inc. Crystal amplifier with resistive degeneration
US10367462B2 (en) 2017-06-30 2019-07-30 Silicon Laboratories Inc. Crystal amplifier with additional high gain amplifier core to optimize startup operation
US10536115B2 (en) 2017-06-30 2020-01-14 Silicon Laboratories Inc. Crystal driver circuit with external oscillation signal amplitude control
US10574185B2 (en) 2017-06-30 2020-02-25 Silicon Laboratories Inc. Crystal driver circuit with core amplifier having unbalanced tune capacitors
US10601369B2 (en) 2018-07-11 2020-03-24 Silicon Laboratories Inc. Crystal oscillator startup time optimization
US10491157B1 (en) 2018-07-11 2019-11-26 Silicon Laboratories Inc. Crystal oscillator adaptive startup energy minimization
US11516042B2 (en) * 2018-07-19 2022-11-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. In-vehicle detection system and control method thereof
CN109709999B (zh) * 2018-12-27 2020-12-01 普冉半导体(上海)股份有限公司 控制输出频率温度系数的实现方法及电路
JP7310180B2 (ja) * 2019-03-15 2023-07-19 セイコーエプソン株式会社 回路装置、発振器、電子機器及び移動体
JP7310193B2 (ja) * 2019-03-20 2023-07-19 セイコーエプソン株式会社 回路装置、発振器、電子機器及び移動体
JP2022171126A (ja) * 2021-04-30 2022-11-11 セイコーエプソン株式会社 回路装置および発振器
US20230396215A1 (en) * 2022-06-01 2023-12-07 Mediatek Inc. Reconfigurable crystal oscillator and method for reconfiguring crystal oscillator
CN116007780A (zh) * 2023-02-20 2023-04-25 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 温度传感器、温度测量方法及微机电系统振荡器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009124215A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Epson Toyocom Corp 電圧制御型発振器
JP2010219738A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Seiko Epson Corp 温度補償型圧電発振器及び電子機器

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3222366B2 (ja) 1995-10-05 2001-10-29 旭化成マイクロシステム株式会社 電圧制御発振器
JP3742197B2 (ja) * 1997-06-25 2006-02-01 シチズン時計株式会社 可変容量回路およびこの回路を用いた水晶発振回路
US6040744A (en) 1997-07-10 2000-03-21 Citizen Watch Co., Ltd. Temperature-compensated crystal oscillator
JP4233634B2 (ja) * 1997-07-10 2009-03-04 シチズンホールディングス株式会社 温度補償型水晶発振器
US6239662B1 (en) 1998-02-25 2001-05-29 Citizen Watch Co., Ltd. Mis variable capacitor and temperature-compensated oscillator using the same
JP3829525B2 (ja) * 1998-04-02 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 容量アレイユニット及び発振回路
JP3512676B2 (ja) * 1999-04-30 2004-03-31 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電圧制御発振器
US6559730B1 (en) * 2000-07-05 2003-05-06 Cts Corporation Electronic switch with static control voltage for dynamically switching capacitance in a frequency-adjustable crystal oscillator
DE60142055D1 (de) * 2000-08-31 2010-06-17 Citizen Holdings Co Ltd Temperaturkompensationsoszillator
JP2002217643A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶発振器の温度補償電圧発生回路
CN1543703A (zh) * 2001-08-29 2004-11-03 精工爱普生株式会社 振荡器及通信设备
JP2003115720A (ja) * 2001-10-09 2003-04-18 Nippon Precision Circuits Inc 温度補償型発振器とその調整方法及び温度補償型発振用集積回路
JP2005027044A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Citizen Watch Co Ltd 圧電発振器及び温度補償型圧電発振器
WO2005013475A1 (ja) * 2003-08-05 2005-02-10 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. 圧電発振器
JP2007019565A (ja) 2003-11-10 2007-01-25 Epson Toyocom Corp 水晶発振器
US7212076B1 (en) * 2004-09-17 2007-05-01 Cypress Semiconductor Corpoartion Mixed signal method and system for tuning a voltage controlled oscillator
JP5027472B2 (ja) * 2005-11-09 2012-09-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 発振器およびそれを用いた情報機器
JP2007318203A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Epson Toyocom Corp 発振装置及び容量調整装置
US7986194B2 (en) * 2007-01-30 2011-07-26 Epson Toyocom Corporation Oscillator
US7532079B2 (en) 2007-06-18 2009-05-12 Nanoamp Solutions, Inc. (Cayman) Digital tuning of crystal oscillators
US7639092B2 (en) * 2007-08-10 2009-12-29 Nanoamp Solutions Inc. (Cayman) Crystal oscillator frequency tuning circuit
JP2009124530A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Epson Toyocom Corp 圧電発振器
JP2010161437A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Epson Toyocom Corp 温度補償型圧電発振器
JP6123983B2 (ja) 2012-09-28 2017-05-10 セイコーエプソン株式会社 発振回路、半導体集積回路装置、振動デバイス、電子機器、および移動体
JP6315164B2 (ja) 2012-09-28 2018-04-25 セイコーエプソン株式会社 発振回路、振動デバイス、電子機器、移動体、振動デバイスの調整方法及び感度調整回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009124215A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Epson Toyocom Corp 電圧制御型発振器
JP2010219738A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Seiko Epson Corp 温度補償型圧電発振器及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US9252789B2 (en) 2016-02-02
CN103715985A (zh) 2014-04-09
JP2014072715A (ja) 2014-04-21
US20140091872A1 (en) 2014-04-03
JP6315164B2 (ja) 2018-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103715985B (zh) 振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路
US9444467B2 (en) Oscillator, electronic device and moving object
CN104348415B (zh) 振荡电路的控制方法、振荡电路、振荡器、设备和移动体
CN104753485B (zh) 振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体
US9065383B2 (en) Oscillation circuit, semiconductor integrated circuit device, vibrating device, electronic apparatus, and moving object
JP6536780B2 (ja) 半導体回路装置、発振器、電子機器および移動体
JP6540943B2 (ja) 半導体回路装置、発振器、電子機器および移動体
CN208316684U (zh) 温度补偿型振荡器及电子设备
US10069499B2 (en) Method of manufacturing oscillator, oscillator, electronic apparatus, and moving object
US10075171B2 (en) Oscillator, electronic apparatus, and moving object
CN107483016A (zh) 温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移动体
US20160285463A1 (en) Oscillator, electronic apparatus, and moving object
JP2013211654A (ja) 発振器、電子機器及び発振器の温度補償方法
JP6759777B2 (ja) 温度補償型発振回路、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法
CN103716041A (zh) 集成电路和切换方法、振动器件、电子设备、移动体
CN105991128A (zh) 振荡器、电子设备以及移动体
CN104467671A (zh) 振荡电路、电子设备、移动体以及振荡电路的制造方法
CN104682870A (zh) 振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体
US10749533B2 (en) Oscillator, electronic apparatus and vehicle
JP5971467B2 (ja) 温度補償情報作成方法及び電子部品の製造方法
JP6217904B2 (ja) 発振回路、振動デバイス、電子機器、移動体および振動デバイスの製造方法
US9987662B2 (en) Drive circuit, vibrator device, electronic apparatus, and moving object
CN105846815B (zh) 振荡器、电子设备以及移动体
JP2020005298A (ja) 発振器、電子機器及び移動体
JP2016152540A (ja) 発振回路の調整方法、発振回路、電子機器及び移動体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant