CN103714770A - 移位寄存器以及具有该移位寄存器的平板显示装置 - Google Patents

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Abstract

移位寄存器以及具有该移位寄存器的平板显示装置。本公开涉及一种移位寄存器，更具体地，涉及一种具有用于定量地测量薄膜晶体管的阈值电压偏移水平的感测电路的移位寄存器，其中，在具有采用氧化硅作为有源层的薄膜晶体管的移位寄存器中，由于被持续地施加直流(DC)电压，薄膜晶体管的阈值电压偏移水平恶化。根据示例性实施方式的移位寄存器包括：属于第一组的晶体管，其用于触发Q节点；属于第二组的晶体管，其用于对奇数QB节点和偶数QB节点进行放电；属于第三组的晶体管，其用于触发奇数QB节点和偶数QB节点并对Q节点进行放电；以及感测电路，其感测属于第三组的晶体管中的至少之一的阈值电压。

Description

移位寄存器以及具有该移位寄存器的平板显示装置
技术领域
本说明书涉及一种移位寄存器，更具体地，涉及一种具有用于定量地测量薄膜晶体管的阈值电压偏移水平的感测电路的移位寄存器以及具有该移位寄存器的平板显示装置，其中，在具有采用氧化硅作为有源层的薄膜晶体管的移位寄存器中，由于被持续地施加直流(DC)电压，薄膜晶体管的阈值电压偏移水平会不断地恶化。
背景技术
随着诸如移动电话和笔记本电脑的各种便携式设备以及诸如用于输出高分辨率和高品质的图像的HDTV的信息电子设备的发展，对于应用于这些设备上的平板显示装置的需求也逐渐增加。平板显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子显示板(PDP)、场发射显示器(FED)、有机发光二极管(OLED)等。
平板显示装置需要例如玻璃的大的基板以及薄膜晶体管(TFT)，其中，TFT被用作显示装置的切换和具有优良的性能而无需增加成本的驱动元件(组件)。其中，非晶硅TFT(a-Si TFT)是一种被广泛用作能够均匀地形成在尺寸超过2m的大型基板上且具有低成本的元件的代表性元件。
但是，随着显示装置的尺寸增大和图像质量提高的趋势，还需要高性能的元件。因此，使用展现出约0.5cm2/Vs的迁移率的常规a-Si TFT作为大型平板显示装置的元件就存在了限制。
因此，需要具有迁移率高于a-Si TFT的高性能的TFT以及其制备工艺。而且，常规的a-Si TFT的最糟糕的缺点是可靠性问题，该问题在于由于常规的a-Si TFT的元件性能在其工作时不断退化，所以无法保持其初始的性能。
持续地进行着许多用于克服a-Si TFT的限制的研究，有代表性的一种是氧化硅TFT。
氧化硅TFT展现出比a-Si TFT更高的载流子迁移率。这对于实现用于控制开关元件的驱动电路以及设置在平板显示装置上的显示板中的开关元件都是非常有利的。
图1A是示出了根据相关技术的针对平板显示装置的移位寄存器的结构的示意图，图1B是示出了在图1A中示出的移位寄存器的一级的等效电路的图。
相关技术的平板显示装置可以包括这样的移位寄存器，即，其用于将选通输出信号顺序地施加到显示板上的像素的各水平行，以通过顺序地开启显示板上的各像素来显示图像。
如图1A所示，通常的移位寄存器包括与时钟信号CLK同步地用于将输出电压Vout输出至形成于显示板(未示出)上的选通线的多个级1ST至nST。通过该配置，第一级1ST接收起始信号Vst以输出用于第一水平周期1H的高电平的第一选通输出信号Vout-1，并且第二级2ST接收第一选通输出信号Vout-1作为起始信号Vst以输出高电平的第二选通输出信号Vout-2。当第n选通输出信号Vout-n最后由第n级nST输出时，一帧的操作完成。
1ST至nST的各级包括多个晶体管。图1B示例性地示出了具有8个晶体管的移位寄存器的一级。如图1B所示，移位寄存器的一个级包括彼此以二极管方式连接的第一晶体管T1和第六晶体管T6，并且第一晶体管T1和第六晶体管T6响应于起始信号Vst而导通，使得第一晶体管T1对Q节点Q充电并且第六晶体管T6对QB节点QB放电，第五晶体管T5响应于Q节点Q的充电而导通并用于对QB节点QB放电，第二晶体管T2响应于反向时钟信号CLKB用高电位驱动电压Vdd对QB节点QB充电，第三晶体管T3响应于对QB节点QB的充电而导通，以对Q节点Q放电，第四晶体管T4响应于复位信号RST而导通，以对Q节点Q放电并对QB节点QB充电，第七晶体管T7电连接至经充电的Q节点Q的一端并响应于在Q节点Q充电的高电压而导通，以输出非反相时钟信号CLK作为在此输出的输出信号Out，第八晶体管T8由经充电的QB节点QB导通，以将通过第七晶体管T7输出的时钟信号CLK降低到低电位。
当这样配置的移位寄存器的TFT用氧化硅TFT来实现时，期望凭借高迁移率而大大地改善性能。但是，考虑到氧化硅TFT的特性，根据位置不规律地观察到起始阈值电压(起始阈值)特性，并且某些TFT的起始阈值电压会偏移。特别是连接到QB节点QB的、在大部分驱动时间内被连续地施加高电平直流电压的第三晶体管T3会退化。因此，T3的器件特征会改变。
因此，连接到第三晶体管T3的Q节点Q的电位会变化，因而选通输出电压Vout-n由于错误的操作而无法规律地输出。
发明内容
因此，为了克服相关技术的缺陷，详细描述的一个方面在于在使用氧化硅TFT的显示装置中提供了一种移位寄存器以及具有该移位寄存器的平板显示装置，其中，该移位寄存器具有用于感测特性下降了的TFT的阈值电压偏移水平并对偏移的电压进行补偿的单元。
为了获得这些及其它的优势并依据该说明书的目的，如在此具体实施并广泛描述的，提供了一种移位寄存器，该移位寄存器包括：属于第一组的晶体管，所述属于第一组的晶体管用于触发Q节点；属于第二组的晶体管，所述属于第二组的晶体管用于对奇数QB节点和偶数QB节点进行放电；以及属于第三组的晶体管，所述属于第三组的晶体管用于触发所述奇数QB节点和所述偶数QB节点并对Q节点进行放电，其中，所述移位寄存器还包括感测电路，所述感测电路用于感测属于第三组的至少一个晶体管的阈值电压。
所述第一组的晶体管可以包括：第一晶体管，所述第一晶体管连接在电源电压端和Q节点之间，用以响应于起始信号或前级输出信号将电源电压施加到Q节点；以及第六晶体管，所述第六晶体管连接在时钟信号端和输出信号端之间，用以在Q节点被充入高电平电压时输出时钟信号作为选通输出信号。
所述第一组的晶体管还可以包括6N晶体管，所述6N晶体管连接在所述时钟信号端和进位信号端之间，用以在Q节点被充入高电平电压时输出所述时钟信号作为进位信号。
所述第二组的晶体管可以包括：4A_O晶体管，所述4A_O晶体管以二极管方式连接，并连接在奇数电源电压端和4Q_O晶体管之间，在所述4A_O晶体管被施加了高电平的奇数电源电压时，4A_O晶体管将4_O晶体管导通；4_O晶体管，所述4_O晶体管连接在所述奇数电源电压端和所述奇数QB节点之间，当从4A_O晶体管施加了高电平的奇数电源电压时，4_O晶体管用高电平电压对所述奇数QB节点充电；4Q_O晶体管，所述4Q_O晶体管连接在4A_O晶体管和接地电压端之间，当Q节点被充入高电平电压时，4Q_O晶体管将4A_O晶体管关断；4A_E晶体管，所述4A_E晶体管以二极管方式连接，并连接在偶数电源电压端和4Q_E晶体管之间，当所述4A_E晶体管被施加了高电平的偶数电源电压时，4A_E晶体管将4_E晶体管导通；4_E晶体管，所述4_E晶体管连接在所述偶数电源电压端和所述偶数QB节点之间，当从4A_E晶体管施加了高电平的偶数电源电压时，4_E晶体管用高电平电压对所述偶数QB节点充电；4Q_E晶体管，所述4Q_E晶体管连接在4A_E晶体管和所述接地电压端之间，当Q节点被充入高电平电压时，4Q_E晶体管关断4A_E晶体管；5Q_O晶体管，所述5Q_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，当Q节点被充入高电平电压时，5Q_O晶体管对所述奇数QB节点放电；5_O晶体管，所述5_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，当所述5_O晶体管被施加了起始信号时，5_O晶体管对所述奇数QB节点放电；5Q_E晶体管，所述5Q_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，当Q节点被充入高电平电压时，5Q_E晶体管对所述偶数QB节点放电；以及5_E晶体管，所述5_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，当所述5_E晶体管被施加了起始信号时，5_E晶体管对所述奇数QB节点放电。
所述第三组的晶体管可以包括：3N晶体管，所述3N晶体管连接在Q节点和接地电压端之间，3N晶体管响应于从后续的级施加的下一信号对Q节点放电；3_O晶体管，所述3_O晶体管连接在Q节点和所述接地电压端之间，当所述奇数QB节点转换为高电平时，3_O晶体管对Q节点放电；3_E晶体管，所述3_E晶体管连接在Q节点和所述接地电压端之间，当所述偶数QB节点转换为高电平时，3_E晶体管对Q节点放电；5Q_O晶体管，所述5Q_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，当Q节点被充入高电平电压时，5Q_O晶体管对所述奇数QB节点放电；5_O晶体管，所述5_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，在所述5_O晶体管被施加了起始信号时，5_O晶体管对所述奇数QB节点放电；5Q_E晶体管，所述5Q_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，当Q节点被充入高电平电压时，5Q_E晶体管对所述偶数QB节点放电；5_E晶体管，所述5_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，在所述5_E晶体管被施加了起始信号时，5_E晶体管对所述奇数QB节点放电；7N_O晶体管，所述7N_O晶体管连接在进位信号端和所述接地电压端之间，当所述奇数QB节点被充入高电平电压时，7N_O晶体管停止进位信号的输出；7N_E晶体管，所述7N_E晶体管连接在所述进位信号端和所述接地电压端之间，当所述偶数QB节点被充入高电平电压时，7N_E晶体管停止所述进位信号的输出；7_O晶体管，所述7_O晶体管连接在输出信号端和所述接地电压端之间，当所述奇数QB节点转换为高电平时，7_O晶体管输出低电平的选通输出信号；以及7_E晶体管，所述7_E晶体管连接在所述输出信号端和所述接地电压端之间，当所述偶数QB节点转换为高电平时，7_E晶体管输出低电平的选通输出信号。
所述奇数电源电压和所述偶数电源电压可以是基于由所述感测电路所感测到的阈值电压偏移水平进行了补偿的电压信号。
所述感测电路可以包括：第一ST晶体管，所述第一ST晶体管连接在所述奇数QB节点和目标晶体管的一个电极之间，第一ST晶体管允许响应于第二感测控制信号将所述目标晶体管以二极管方式连接；第二ST晶体管，所述第二ST晶体管连接在所述目标晶体管的一个电极和接地电压端之间，第二ST晶体管响应于第一感测控制信号将所述目标晶体管与所述接地电压端的电连接断开；第三ST晶体管，所述第三ST晶体管连接在所述目标晶体管和第二ST晶体管之间，第三ST晶体管响应于所述第二感测控制信号将所述目标晶体管电连接到恒流源；以及第四ST晶体管，所述第四ST晶体管连接在所述目标晶体管的另一电极和所述接地电压端之间，所述第四ST晶体管响应于所述第二感测控制信号允许流经所述目标晶体管的电流被施加到所述感测电路。
所述目标晶体管可以被电连接到与所述奇数QB节点和所述偶数QB节点相连接的晶体管中的至少一个上。
为了实现这些优点以及其它优点并依据该说明书的目的，如在此具体实施并广泛描述的，提供了一种平板显示装置，所述平板显示装置包括：显示板，所述显示板具有多条选通线和多条数据线，所述多条选通线和多条数据线彼此交叉从而在交叉点上定义像素；选通驱动单元，所述选通驱动单元安装在所述显示板的一侧，并且所述选通驱动单元包括移位寄存器，所述移位寄存器具有用以将选通输出信号输出至所述多条选通线的多个级；以及数据驱动单元，所述数据驱动单元设置在所述显示板的一侧，用以响应于输出信号向将数据电压输出至所述多条数据线；其中，所述移位寄存器可以包括：属于第一组的晶体管，所述属于第一组的晶体管用于触发Q节点；属于第二组的晶体管，所述属于第二组的晶体管用于对奇数QB节点和偶数QB节点进行放电；属于第三组的晶体管，所述属于第三组的晶体管用于触发所述奇数QB节点和所述偶数QB节点并对Q节点进行放电，其中，所述属于第三组的晶体管中的至少一个晶体管可以被连接至感测电路，用以感测阈值电压偏移水平。
本装置还可以包括补偿感测单元，所述补偿感测单元用于向所述感测电路提供与选通高电平电压和选通低电平电压相对应的第一感测控制信号和第二感测控制信号，并且通过计算由所述感测电路感测到的所述阈值电压偏移水平向所述移位寄存器提供经补偿的奇数电源电压和偶数电源电压。
根据本公开的优选的实施方式，还可以将感测晶体管连接到形成在显示板上的构成移位寄存器的TFT，以感测阈值电压偏移水平，并且可以根据感测结果划分为奇数和偶数间隔(周期)来驱动移位寄存器，从而解决了由于器件性能的下降而导致的错误操作的问题。
根据下面给出的具体描述，本申请可应用的进一步的范围将变得更加清楚。但是，应当理解的是，在指示本发明的优选的实施方式时，仅通过例示给出详细的说明和具体的示例，因为在本发明的精神和范围内的各种变化和修改根据该具体说明对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步的理解，附图被并入并组成本说明书的一部分，附图例示了示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1A是示出了用于根据相关技术的平板显示装置的移位寄存器的结构的示意图；
图1B是图1A所示的移位寄存器的一级的等效电路图；
图2是示出了具有根据一种示例性实施方式的移位寄存器的平板显示装置的总体结构的图；
图3是示出了根据一种示例性实施方式的移位寄存器的图；并且
图4是示出了包括在图3的移位寄存器中的一级的等效电路图。
具体实施方式
现在将根据示例性实施方式并参照附图具体描述移位寄存器以及具有该移位寄存器的平板显示装置。为了参照附图进行简要说明，将向相同或等效的元件提供相同的标号，并且其描述也将不再重复。
附图2示出了具有根据一种示例性实施方式的移位寄存器的平板显示装置的总体结构，其示出了用于平板显示装置的广泛使用的液晶显示装置的一个示例。
如图2所示，具有根据本公开的移位寄存器的LCD装置可以包括：液晶面板100，其具有用于显示图像的多个像素；选通驱动单元120，其安装在液晶面板100的一侧上，用于将选通输出电压施加到选通线GL1至GLn中的各条选通线；数据驱动单元130，其用于将数据电压施加到每个像素；电源单元140，其用于产生和供应对液晶面板100和驱动单元120和130进行驱动所必需的各种驱动电压；以及补偿感测单元150，其连接到选通驱动单元120，以感测每个TFT的阈值电压偏移水平，并根据感测结果通过调整施加到选通驱动单元120的部分电压而有规律地驱动退化的晶体管。
液晶面板100可以包括多条选通线GL1至GLn以及多条数据线DL1至DLm，多条选通线GL1至GLn以及多条数据线DL1至DLm在玻璃或塑料基板上以矩阵形式彼此交叉，以在交叉点处限定多个像素区域。多个像素分别与三原色RBG相对应，并可以以矩阵模式形成在液晶面板100的各像素区域上。每个像素可以包括至少一个TFT T以及液晶电容器LC来显示图像。
在TFT T中，栅极可连接到选通线GL1～GLn，源极可连接到数据线DL1～DLm，漏极可连接到与公共电极相面对的像素电极以定义一个像素。TFT T具有底部栅极结构，其中，栅极形成在有源层的下面。非晶硅被广泛地用作TFT T的有源层的材料。但是，根据本公开的LCD装置的TFT T的有源层可以优选地由氧化硅制成。
选通驱动单元120可以是移位寄存器，选通驱动单元120位于液晶面板100的像素区域的一个外围区域处，并且具有各自包括多个TFT的多个级。选通驱动单元120可通过相同的工艺与液晶面板100的像素区域上的TFT同时形成。因此，可以由氧化硅TFT实现移位寄存器。选通驱动单元120具有将所安装的TFT分为奇数和偶数间隔以分别在各自的定时内进行驱动的结构。
每种状态的移位寄存器还可以包括用于感测针对特定的TFT的阈值电压偏移水平的感测电路125。感测电路125可连接到稍后将说明的补偿感测单元150。
选通驱动单元120可以响应于从定时控制器(未示出)输入的选通控制信号GCS通过形成在液晶面板100上的选通线GL1至GLn在每一水平周期(间隔)1H顺序地输出选通高电平输出电压VGH。不输出选通高电平输出电压VGH的其它选通线可以针对一帧间隔保持选通低电平输出电压VGL。
选通控制信号可以包括选通起始脉冲(GSP)、选通移位时钟(GSC)、选通输出使能(GOE)等。
因此，连接到相应的选通线GL1～GLn的TFT T可以导通，并且可以同时将从数据驱动单元130提供的具有模拟波形的数据电压通过数据线DL1～DLm施加到连接至TFT的像素。
数据驱动单元130可从定时控制器(未示出)接收数据控制信号DCS和数字图像信号RGB。数据驱动单元130可以接着响应于数据控制信号DCS并根据基准电压将图像信号RGB转换成模拟形式的数据电压，以通过数据线DL1～DLm将模拟数据电压施加到各像素。这里，数据驱动单元130可以响应于选通输出信号来针对设置在一个水平行上的每个像素输出数据电压。
数据控制信号DCS可以包括源起始脉冲(SSP)、源偏移时钟(SSC)、源输出使能(SOE)等。
同样，数据驱动单元130可被配置为以TAB或OOG方式附接到液晶面板100的非显示区域上的单独的集成电路(IC)，以通过数据线DL1～DLm在垂直方向上连接到各像素。
电源单元140可产生并提供电源电压VDD、接地电压VSS以及公共电压Vcom，用于驱动液晶面板100以及选通驱动单元120和数据驱动单元130。具体地，电源单元140可产生用于定义选通输出电压的上限和下限的选通高电平电压VGH和选通低电平电压VGL，以提供给选通驱动单元120和补偿感测单元150。
补偿感测单元150可连接到选通驱动单元120。选通驱动单元120的每一级可以包括用于感测TFT的阈值偏移水平的感测电路125。补偿感测单元150可基于第一感测控制信号Vcon1和第二感测控制信号Vcon2以及恒定电流CC来控制感测电路125并接收感测结果信号SC。补偿感测单元150可根据接收到的感测结果信号来感测选通驱动单元120的TFT的阈值偏移水平。具体地，当通过分为奇数周期和偶数周期来驱动选通驱动单元120时，补偿感测单元150可通过经偏移的阈值电压值对分开驱动所需的奇数电源电压VDD_o和偶数电源电压VDD_e的电压电平进行补偿，并且将经补偿的电压提供至选通驱动单元120。
根据具有移位寄存器的LCD装置的配置，补偿感测单元150可感测移位寄存器的各TFT的阈值电压偏移水平，并根据感测到的结果通过改变对移位寄存器进行驱动所需的两种电源电压来补偿退化的TFT。
下面将参照附图描述根据一种示例性实施方式的移位寄存器及其感测电路。
图3是示出了根据一种示例性实施方式的移位寄存器的图。
如图3所示，根据本公开的移位寄存器可以包括多个级1ST～nST，这些级用于与时钟信号CLK同步地将选通输出电压Vout输出至选通线。
虽然未示出，但是移位寄存器可以包括多个级，各级等效为一个上拉晶体管、一个下拉晶体管和一个触发器，并且将移位寄存器配置为响应于至少一个时钟信号和起始信号在一个水平周期(1H)顺序地输出选通高电平电压VGH。而且，多个级中的每一个级可设置有用于感测针对特定的晶体管的阈值电压偏移水平的感测电路。多个具有不同的相位的时钟信号可用作时钟信号CLK。
可以向各级1ST～nST提供通过将一帧划分为奇数周期和偶数周期来对移位寄存器进行驱动的奇数电源电压VDD_o和偶数电源电压VDD_e，以及通常的电源电压VDD和接地电压VSS。总的起始信号Vst可被输入到第一级1ST，并且前级的选通输出信号可作为起始信号输入到除第一级1ST之外的其它级2ST～nST。另外，第一感测控制信号Vcon1和第二感测控制信号Vcon2用于内部感测电路的控制，并且施加到感测电路的恒定电流信号CC可以被提供至每一级1ST～nST。指示电流改变的感测结果信号SC可被输出至补偿感测单元。在移位寄存器中，除第一级1ST之外的后续的级2ST～nST可从前级接收选通输出信号作为起始信号。
图4是构成图3的移位寄存器的一个级的等效电路图。
如图4所示，可由多个氧化硅TFT实现移位寄存器的一个级。
每个TFT可划分为：第一晶体管T1和第六晶体管T6，T1和T6属于第一组，并被配置为触发Q节点Q，以在当前级中输出高电平的选通输出信号Vout-n；第二晶体管T2，T2用于复位操作；第四晶体管T4和第五晶体管T5，T4和T5属于第二组，并被配置为对奇数QB节点QB_ODD和偶数QB节点QB_EVEN放电；以及第三晶体管T3和第七晶体管T7，T3和T7属于第三组，并被配置为触发奇数QB节点QB_ODD和偶数QB节点QB_EVEN，以在当前级中输出低电平的选通输出信号Vout-n，并对Q节点Q放电。第三晶体管T3和第七晶体管T7可根据其功能被划分为预定数量的晶体管。
可以将第一晶体管T1连接到电源电压(VDD)端和Q节点Q，并且响应于起始信号Vst或前级输出信号Vout n-1将电源电压VDD施加至Q节点Q。
可以将第二晶体管T2连接在Q节点Q和接地电压(VSS)端之间，并响应于复位信号RST对施加到Q节点Q的电压进行放电。
可以将第三晶体管T3N连接在Q节点Q和接地电压(VSS)端之间，并响应于下一信号Vnext对从后续的级施加至Q节点Q的电压进行放电。下一信号Vnext可以是选通输出信号Vout n+1或后续的级的进位信号。
可以将3_O晶体管T3_O连接在第一晶体管T1和第三晶体管T3N之间，也就是在Q节点Q的延长线和接地电压端之间，并在奇数QB节点QB_ODD转换为高电平时对Q节点Q进行放电。
可以将3_E晶体管T3_E连接在第一晶体管T1和第三晶体管T3N之间，也就是在Q节点Q的延长线和接地电压端之间，并在偶数QB节点QB_EVEN转换为高电平电压时对Q节点Q进行放电。
可以将4A_O晶体管T4A_O以二极管方式连接，并连接在奇数电源电压(VDD_O)端和4Q_O晶体管T4Q_O之间。在施加高电平的奇数电源电压VDD_O时，4A_O晶体管T4A_O可以将4_O晶体管T4_O导通。
可以将4_O晶体管T4_O连接在奇数电源电压(VDD_O)端和奇数QB节点QB_ODD之间，并在从4A_O晶体管T4A_O处施加高电平的奇数电源电压VDD_O时，用高电平电压对奇数QB节点QB_ODD进行充电。
可以将4Q_O晶体管T4Q_O连接在4A_O晶体管T4A_O和接地电压端之间，并当Q节点Q被充入高电平电压时关断4A_O晶体管T4A_O。
4A_E晶体管T4A_E可以以二极管方式连接，并连接在偶数电源电压(VDD_E)端和4Q_E晶体管T4Q_E之间。当施加高电平的偶数电源电压VDD_E时，4A-E晶体管T4A_E将4_E晶体管T4_E导通。
可以将4-E晶体管T4_E连接在偶数电源电压端和偶数QB节点QB_EVEN之间，并当从4A_E晶体管T4A_E施加高电平的偶数电源电压VDD_E时用高电平电压对偶数QB节点QB_EVEN进行充电。
可以将4Q_E晶体管T4Q_E连接在4A_E晶体管T4A_E和接地电压端之间，并当Q节点Q被充入高电平电压时关断4A_E晶体管T4A_E。
可以将5Q_O晶体管T5Q_O连接在奇数QB节点QB_ODD和接地电压端之间，并当Q节点Q被充入高电平电压时对奇数QB节点QB_ODD进行放电。
可以将5_O晶体管T5_O连接在奇数QB节点QB_ODD和接地电压端之间，并当施加起始信号Vst时对奇数QB节点QB_ODD进行放电。
可以将5Q_E晶体管T5Q_E连接在偶数QB节点QB_EVEN和接地电压端之间，并当Q节点Q被充入高电平电压时对偶数QB节点QB_EVEN进行放电。
可以将5_E晶体管T5_E连接在偶数QB节点QB_EVEN和接地电压(VSS)端之间，并在施加了起始信号Vst时对偶数QB节点QB_EVEN进行放电。
可以将第六晶体管T6连接在时钟信号(CLK)端和输出信号(Vout n)端之间，当Q节点Q被充入高电平电压时输出时钟信号CLK作为选通输出信号Vout N。
可以将6N晶体管T6N连接在时钟信号(CLK)端和进位信号端之间，当Q节点Q被充入高电平电压时输出时钟信号CLK作为进位信号。
可以将7N_O晶体管T7N_O连接在进位信号端和接地电压(VSS)端之间，并在奇数QB节点QB_ODD被充入高电平电压时停止进位信号的输出。
可以将7N_E晶体管T7N_E连接在进位信号端和接地电压(VSS)端之间，并在QB节点QB_EVEN被充入高电平电压时停止进位信号的输出。
可以将7_O晶体管T7_O连接在输出信号(Vout n)端和接地电压(VSS)端之间，并当奇数QB节点QB_ODD转换为高电平电压时输出低电平的选通输出信号(Vout n)。
可以将7_E晶体管T7_E连接在输出信号(Vout n)端和接地电压(VSS)端之间，并在偶数QB节点QB_EVEN转换为高电平电压时输出低电平的选通输出信号(Vout n)。
在具有上述配置的移位寄存器中，奇数电源电压VDD_O和偶数电源电压VDD_E可具有彼此相反的相位。因此，当移位寄存器被驱动后，可以用具有不同的相位的电压对奇数QB节点QB_ODD和偶数QB节点QB_EVEN交替地进行充电和放电。这样避免了栅极与奇数QB节点QB_ODD和偶数QB节点QB_EVEN相连接的TFT的退化。
但是，由于长期的驱动会导致TFT的预定的阈值电压偏移。因此，根据本公开的移位寄存器还可以包括感测电路，该感测电路用于感测每个TFT的阈值电压偏移水平以提高装置的可靠性，并在TFT出现退化时进行补偿。
感测电路可以包括第一ST晶体管ST1至第四ST晶体管ST4。
第一ST晶体管ST1至第四ST晶体管ST4可电连接到3_O晶体管T3_O、3_E晶体管T3_E、7N_O晶体管T7N_O、7N_E晶体管T7N_E、7_O晶体管T7_O和7_E晶体管T7_E中的至少一个，其中，这些晶体管由于被连接到奇数QB节点QB_ODD和偶数QB节点QB_EVEN而容易退化。附图示意性地示出了感测电路被连接到3_O晶体管T3_O。
如所示出的，可以将感测电路的第一ST晶体管ST1连接在奇数QB节点QB_ODD和3_O晶体管T3_O的一个电极之间，并响应于第二感测控制信号Vcon2以二极管方式连接3_O晶体管T3_O。
可以将第二ST晶体管ST2连接在3_O晶体管T3_O的一个电极和接地电压(VSS)端之间，并响应于第一感测控制信号Vcon1使3_O晶体管T3_O与接地电压(VSS)端的电连接断开。
可以将第三ST晶体管ST3连接在3_O晶体管T3_O和第二ST晶体管ST2之间，并响应于第二感测控制信号Vcon2将3_O晶体管T3_O电连接到恒流源CC。
可以将第四ST晶体管ST4连接在3_O晶体管T3_O的另一电极和接地电压(VSS)端之间，并响应于第二感测控制信号Vcon2允许流经3_O晶体管T3_O的电流被施加到补偿感测单元150。
根据该配置，在一般地驱动移位寄存器时，补偿感测单元150可以施加高电平的第一感测控制信号Vcon1并施加低电平的第二感测控制信号Vcon2。
当感测移位寄存器的TFT的阈值电压偏移水平时，补偿感测单元150可在Q节点Q的放电时期内施加低电平的第一感测控制信号Vcon1和高电平的第二感测控制信号Vcon2。而且，恒流源CC可向第三ST晶体管ST3施加约10uA的电流。因此，可以将第一ST晶体管ST1导通以允许3_O晶体管T3_O被以二极管方式连接，可以将第二ST晶体管ST2关断以阻止接地电压VSS被施加到3_O晶体管T3_O的一个电极。而且，由于第四ST晶体管ST4导通，所以补偿感测单元150可以接收根据3_O晶体管T3_O的阈值电压而偏移的电流，并根据偏移量来计算阈值电压偏移水平。
同样，响应于计算出的阈值电压偏移水平，奇数电源电压VDD_O和偶数电源电压VDD_E的电压电平可以被调整到移位寄存器可以被稳定地驱动的范围内，解决了由阈值电压偏移所导致的错误操作的问题。
前述的实施方式和优点只是示例性的，并不被解读为对本公开的限制。可容易地将本教导应用于其它类型的装置中。该说明书旨在用于说明，并不限制权利要求的范围。许多替代、修改以及变化对于本领域技术人员而言将是明显的。可以通过各种方式对本文所描述的示例性实施方式的特征、结构、方法以及其它特点进行组合，以获得附加的和/或另选的示例性实施方式。
在不脱离本发明的特征的情况下，现有的特征可以实现为各种形式，还应当理解的是，除非另有说明，否则以上描述的实施方式不被以上描述的任何细节所限定，而应在由所附权利要求所限定的范围内进行宽广的解释，因此所附权利要求旨在包括落入权利要求的范围或这种范围的等同物内的所有的改变和修改，或者因此这种界限和范围的等效物用于包括在附加的权利要求中。

Claims (10)

1.一种移位寄存器，所述移位寄存器包括：
属于第一组的晶体管，所述属于第一组的晶体管用于触发Q节点；
属于第二组的晶体管，所述属于第二组的晶体管用于对奇数QB节点和偶数QB节点进行放电；以及
属于第三组的晶体管，所述属于第三组的晶体管用于触发所述奇数QB节点和所述偶数QB节点并对所述Q节点进行放电，
其中，所述移位寄存器还包括感测电路，所述感测电路用于感测属于第三组的至少一个晶体管的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器，其中，所述第一组的晶体管包括：
第一晶体管，所述第一晶体管连接在电源电压端和所述Q节点之间，用以响应于起始信号或前级输出信号将电源电压施加到所述Q节点；以及
第六晶体管，所述第六晶体管连接在时钟信号端和输出信号端之间，用以在所述Q节点被充入高电平电压时输出时钟信号作为选通输出信号。
3.根据权利要求2所述的移位寄存器，其中，所述第一组的晶体管还包括6N晶体管，所述6N晶体管连接在所述时钟信号端和进位信号端之间，用以在所述Q节点被充入高电平电压时输出所述时钟信号作为进位信号。
4.根据权利要求1所述的移位寄存器，其中，所述第二组的晶体管包括：
4A_O晶体管，所述4A_O晶体管以二极管方式连接，并连接在奇数电源电压端和4Q_O晶体管之间，在4A_O晶体管被施加了高电平的奇数电源电压时，所述4A_O晶体管将4_O晶体管导通；
4_O晶体管，所述4_O晶体管连接在所述奇数电源电压端和所述奇数QB节点之间，当从4A_O晶体管施加了高电平的奇数电源电压时，4_O晶体管用高电平电压对所述奇数QB节点充电；
4Q_O晶体管，所述4Q_O晶体管连接在所述4A_O晶体管和接地电压端之间，当Q节点被充入高电平电压时，所述4Q_O晶体管将所述4A_O晶体管关断；
4A_E晶体管，所述4A_E晶体管以二极管方式连接，并连接在偶数电源电压端和4Q_E晶体管之间，当所述4A_E晶体管被施加了高电平的偶数电源电压时，所述4A_E晶体管将4_E晶体管导通；
4_E晶体管，所述4_E晶体管连接在所述偶数电源电压端和所述偶数QB节点之间，当从4A_E晶体管施加了高电平的偶数电源电压时，所述4_E晶体管用高电平电压对所述偶数QB节点充电；
4Q_E晶体管，所述4Q_E晶体管连接在4A_E晶体管和所述接地电压端之间，当所述Q节点被充入高电平电压时，所述4Q_E晶体管关断所述4A_E晶体管；
5Q_O晶体管，所述5Q_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，当所述Q节点被充入高电平电压时，所述5Q_O晶体管对所述奇数QB节点放电；
5_O晶体管，所述5_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，当所述5_O晶体管被施加了起始信号时，所述5_O晶体管对所述奇数QB节点放电；
5Q_E晶体管，所述5Q_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，当所述Q节点被充入高电平电压时，5Q_E晶体管对所述偶数QB节点放电；以及
5_E晶体管，所述5_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，当所述5_E晶体管被施加了起始信号时，5_E晶体管对所述奇数QB节点放电。
5.根据权利要求1所述的移位寄存器，其中，所述第三组的晶体管包括：
3N晶体管，所述3N晶体管连接在Q节点和接地电压端之间，所述3N晶体管响应于从后续的级施加的下一信号对所述Q节点放电；
3_O晶体管，所述3_O晶体管连接在所述Q节点和所述接地电压端之间，当所述奇数QB节点转换为高电平时，所述3_O晶体管对所述Q节点放电；
3_E晶体管，所述3_E晶体管连接在所述Q节点和所述接地电压端之间，当所述偶数QB节点转换为高电平时，所述3_E晶体管对Q节点放电；
5Q_O晶体管，所述5Q_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，当所述Q节点被充入高电平电压时，所述5Q_O晶体管对所述奇数QB节点放电；
5_O晶体管，所述5_O晶体管连接在所述奇数QB节点和所述接地电压端之间，在所述5_O晶体管被施加了起始信号时，所述5_O晶体管对所述奇数QB节点放电；
5Q_E晶体管，所述5Q_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，当所述Q节点被充入高电平电压时，所述5Q_E晶体管对所述偶数QB节点放电；
5_E晶体管，所述5_E晶体管连接在所述偶数QB节点和所述接地电压端之间，在所述5_E晶体管被施加了起始信号时，所述5_E晶体管对所述奇数QB节点放电；
7N_O晶体管，所述7N_O晶体管连接在进位信号端和所述接地电压端之间，当所述奇数QB节点被充入高电平电压时，所述7N_O晶体管停止进位信号的输出；
7N_E晶体管，所述7N_E晶体管连接在所述进位信号端和所述接地电压端之间，当所述偶数QB节点被充入高电平电压时，所述7N_E晶体管停止所述进位信号的输出；
7_O晶体管，所述7_O晶体管连接在输出信号端和所述接地电压端之间，当所述奇数QB节点转换为高电平时，所述7_O晶体管输出低电平的选通输出信号；以及
7_E晶体管，所述7_E晶体管连接在所述输出信号端和所述接地电压端之间，当所述偶数QB节点转换为高电平时，所述7_E晶体管输出低电平的选通输出信号。
6.根据权利要求4和5中任意一项所述的移位寄存器，其中，所述奇数电源电压和所述偶数电源电压是基于由所述感测电路所感测到的阈值电压偏移水平进行了补偿的电压信号。
7.根据权利要求1所述的移位寄存器，其中，所述感测电路包括：
第一ST晶体管，所述第一ST晶体管连接在所述奇数QB节点和目标晶体管的一个电极之间，第一ST晶体管允许响应于第二感测控制信号将所述目标晶体管以二极管方式连接；
第二ST晶体管，所述第二ST晶体管连接在所述目标晶体管的一个电极和接地电压端之间，第二ST晶体管响应于第一感测控制信号将所述目标晶体管与所述接地电压端的电连接断开；
第三ST晶体管，所述第三ST晶体管连接在所述目标晶体管和第二ST晶体管之间，第三ST晶体管响应于所述第二感测控制信号将所述目标晶体管电连接到恒流源；以及
第四ST晶体管，所述第四ST晶体管连接在所述目标晶体管的另一电极和所述接地电压端之间，所述第四ST晶体管响应于所述第二感测控制信号允许流经所述目标晶体管的电流被施加到所述感测电路。
8.根据权利要求7所述的移位寄存器，其中，所述目标晶体管被电连接到与所述奇数QB节点和所述偶数QB节点相连接的晶体管中的至少一个上。
9.一种平板显示装置，所述平板显示装置包括：
显示板，所述显示板具有多条选通线和多条数据线，所述多条选通线和多条数据线彼此交叉从而在交叉点上定义像素；
选通驱动单元，所述选通驱动单元安装在所述显示板的一侧，并且所述选通驱动单元包括移位寄存器，所述移位寄存器具有用以将选通输出信号输出至所述多条选通线的多个级；以及
数据驱动单元，所述数据驱动单元设置在所述显示板的一侧，用以响应于输出信号向将数据电压输出至所述多条数据线；
其中，所述移位寄存器包括：
属于第一组的晶体管，所述属于第一组的晶体管用于触发Q节点；
属于第二组的晶体管，所述属于第二组的晶体管用于对奇数QB节点和偶数QB节点进行放电；以及
属于第三组的晶体管，所述属于第三组的晶体管用于触发所述奇数QB节点和所述偶数QB节点并对所述Q节点进行放电，
其中，所述属于第三组的晶体管中的至少一个晶体管被连接至感测电路，用以感测阈值电压偏移水平。
10.根据权利要求9所述的装置，所述装置还包括补偿感测单元，所述补偿感测单元用于向所述感测电路提供与选通高电平电压和选通低电平电压相对应的第一感测控制信号和第二感测控制信号，并且通过计算由所述感测电路感测到的所述阈值电压偏移水平来向所述移位寄存器提供经补偿的奇数电源电压和偶数电源电压。
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