CN103688383A - 有机电致发光元件用聚合物及使用了其的有机电致发光元件 - Google Patents

有机电致发光元件用聚合物及使用了其的有机电致发光元件 Download PDF

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Abstract

本发明提供改善元件的发光效率、且可在湿法工艺中应用的有机电致发光元件用聚合物和由其得到的有机电致发光元件。该有机电致发光元件用聚合物，在构成主链的重复单元中具有[-(Z)l--(A)m-]n所示的重复单元。另外，有机电致发光元件在层叠于基板上的阳极及阴极之间具有含有空穴传输层及发光层的有机层，在该有机层的至少一层含有上述有机电致发光元件用聚合物。在上述重复单元中，Z为N-吲哚并咔唑基，A为与Z不同的重复单元。I及m表示存在摩尔比，I为5～100摩尔%，m为0～95摩尔%，n为2～10000。

Description

有机电致发光元件用聚合物及使用了其的有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及具有在主链含有吲哚并咔唑单元的结构的有机电致发光元件用聚合物、及使用了其的有机电致发光元件。
背景技术
一般而言，在电致发光元件中，有在发光元件中使用无机化合物的无机电致发光元件和使用有机化合物的有机电致发光元件，近年来，从可得到低电压且高亮度的发光这样的特征考虑，正在积极进行有机电致发光元件的实用化研究。
有机电致发光元件的结构，基本上是在蒸镀了铟-锡氧化物(ITO)等的阳极材料的薄膜的玻璃板上形成空穴注入层、以及发光层等的有机薄膜层，进而在其上形成阴极材料的薄膜而制作的结构，有在该基本结构上适宜设置空穴传输层、电子传输层的元件。有机电致发光元件的层构成，例如为阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/阴极、阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极等。
近年来，可知通过在发光层和阳极之间引入空穴注入层及空穴传输层等的电荷传输层，可改善向发光层的空穴注入性、作为将电荷的平衡最适合化的缓冲层而发挥作用，可大地改善元件的发光效率、寿命。
在有机电致发光元件的空穴传输层中使用的空穴传输材料，若大地分类，则有低分子系空穴传输材料和高分子系空穴传输材料。
作为使用了低分子系空穴传输材料的空穴传输层的制膜方法，主要使用真空蒸镀法，作为其特征，可容易地使具有不同功能的各种材料多层化，可形成高性能的有机电致发光元件，但另一方面，难以实现伴随面板的大屏幕化、高精细化的膜厚的均匀控制、分开涂布，进而需要大规模的真空装置，因此存在制造成本增高这样的问题。
另外，作为使用了低分子系空穴传输材料的空穴传输层的制膜方法，对利用低分子系空穴传输材料的溶液涂布的制膜法也进行实用化研究，但在该手法中观察到伴随低分子化合物的结晶化的偏析、相分离，在实用化方面需要改善。
另一方面，作为高分子系空穴传输材料的制膜方法，由于大部分是不能在真空蒸镀法中进行蒸镀的材料，因此使用旋涂法、印刷法、喷墨法等的溶液涂布法。该方法容易大屏幕化，量产化优异，但另一方面，难以涂膜的层叠化，存在容易混入杂质这样的问题。因此，使用了高分子系空穴传输材料的元件，与低分子系空穴传输材料比较时，元件效率、寿命等的元件性能差。因此，要求兼备优异的空穴传输性能和良好的制膜性的高分子系空穴传输材料。
作为用于显示出这样的要求特性的尝试，例如在非专利文献1中报告了聚乙烯基咔唑、聚硅烷，在专利文献2、非专利文献2中报告了具有用亚甲基连结了乙烯基三苯基胺、三苯基胺的结构的高分子。然而，在使用了这些的有机电致发光元件中，发光效率和元件的稳定性差，无法达到充分的改善。
另外，作为提高有机电致发光元件的发光效率的方法，公开了在π共轭高分子的主链引入了吲哚并咔唑单元的高分子材料及发光元件。即，在专利文献3中公开了吲哚并咔唑的在外部位键合了的共轭系高分子，另外在专利文献4中公开了在聚亚芳基骨架上引入了吲哚并咔唑单元的共轭系高分子。但是，这些均为吲哚并咔唑骨架在外部位键合了的π共轭高分子，这些虽然电荷迁移性变好，但HOMO能量水平浅，与主体材料的能量水平之差变大，作为结果，空穴注入性变差，不能说发光效率得到充分改善。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平5-205377公报
专利文献2：特开平11-256148公报
专利文献3：特开2006-193729公报
专利文献4：专利4019042号公报
非专利文献
非专利文献1：Appl.Phys.Lett.，59，2760(1995)
非专利文献2：Synthetic Metals,55-57,4163,(1993)
发明内容
为了将聚合物有机电致发光元件中应用，需要改善元件的发光效率、且使使膜的稳定性、对于溶剂的溶解性、制膜性提高。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供能够以高发光效率在湿法工艺中应用的有机电致发光元件用的聚合物。另外本发明的目的在于提供在照明装置、图像显示装置、显示装置用背光源等中使用的使用了上述聚合物的有机电致发光元件。
本发明人进行了潜心研究，结果发现，通过使用吲哚并咔唑骨架在N位键合了的共轭及非共轭系聚合物，发光性能提高，以至完成了本发明。
本发明涉及在高分子主链中含有吲哚并咔唑骨架的有机电致发光元件用聚合物及在层叠于基板的阳极层和阴极层之间具有有机层的有机电致发光元件，其中，该有机层中的至少一层为含有该聚合物的层。
本发明涉及有机电致发光元件用聚合物，其特征在于，在构成主链的重复单元中具有由下述通式(1)表示的重复单元。
Figure BDA0000422200520000031
通式(1)中，Z为选自由下述式(1a)～(1e)表示的由吲哚并咔唑衍生的基团中的1种或2种以上的重复单元，A为与Z不同的重复单元。I及m表示存在摩尔比，将总重复单元设为100摩尔%时，I为5～100摩尔%、m为0～95摩尔%。n表示平均的重复数，为2～10000。
Figure BDA0000422200520000041
式(1a)～(1e)中，Ar1独立地为取代或者未取代的C6～C18的亚芳基、或取代或者未取代的C3～C18的杂亚芳基。R1分别独立地为氢、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C18的芳基、C6～C18的芳氧基、C7～C30的芳基烷基、C7～C30的芳基烷氧基、C3～C18的杂芳基、C3～C18的杂芳氧基、或C3～C18的环烷基。
本发明涉及有机电致发光元件用聚合物，其中，在上述通式(1)中，上述式(1a)～(1e)中，Ar1独立地为由下述式(2)表示的基团。
Figure BDA0000422200520000042
式(2)中，X分别独立地为N或C-L的任一者。L独立地表示氢原子、C6～C18的芳基、C3～C18的杂芳基、C12～C36的二芳基氨基或连接键，L中的1个为连接键。
另外，本发明涉及有机电致发光元件用聚合物，其中，在通式(1)中，A为由下述式(3)表示的重复单元。
Figure BDA0000422200520000051
在此，Ar2独立地为取代或者未取代的C6～C18的亚芳基、或取代或者未取代的C3～C18的杂亚芳基。另外，Y为C1～C12的亚烷基、O、S、NR2、CO、CO2、SO、SO2、SCO、NR2CO、CONR2CO或者单键。p及q表示0～3的整数，p及q的至少1方为1以上的整数，在p或q的1方为0的情况下，Y为单键。在此，R2为氢原子、C1～C12的烷基、C3～C18的环烷基、C6～C18的芳基、C7～C30的芳基烷基、C3～C18的杂芳基、或C4～C30的杂芳基烷基。
本发明涉及有机电致发光元件用聚合物，其中，在通式(1)中，A为由下述式(4a)或(4b)表示的重复单元。
Figure BDA0000422200520000052
在此，Y1为取代或者未取代的C1～C6的亚烷基、N-R4基、O、S或单键，Y2为C-(R4)2基、N-R4基、O、或S。R3分别独立为氢原子、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C18的芳基、C6～C18的芳氧基、C7～C30的芳基烷基、C7～C30的芳基烷基氧基、C3～C18的杂芳基、C3～C18的杂芳基氧基、或C3～C18的环烷基。R4为氢原子、C1～C12的烷基、C3～C18的环烷基、C6～C18的芳基、C7～C30的芳基烷基、C3～C18的杂芳基、或C4～C30的杂芳基烷基。
本发明涉及有机电致发光元件用聚合物，其中，在通式(1)中，重均分子量为1000～1000000。另外，本发明涉及有机电致发光元件用聚合物，其中，在通式(1)中，表示存在摩尔比的m为10～90摩尔%。进而，本发明涉及有机电致发光元件用聚合物，其为在通式(1)中作为重复单元的A及Z交替键合了的交替共聚物。
本发明涉及有机电致发光元件，其为在层叠于基板的阳极层及阴极层之间具有有机层的有机电致发光元件，其特征在于，在该有机层的至少一层中含有上述的有机电致发光元件用聚合物。作为含有上述有机电致发光元件用聚合物的有机层，可以举出空穴传输层。优选为在空穴传输层中含有的有机电致发光元件用聚合物的HOMO能量和在含有客体材料和主体材料的发光层中含有的主体材料的HOMO能量之差在±0.5eV以内的有机电致发光元件。
附图说明
图1是表示有机EL元件的结构例的剖面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施的方式详细地进行说明。本发明的有机电致发光元件用聚合物，为由通式(1)表示的低聚体或高分子。在此，本发明的有机电致发光元件用聚合物可以为均聚物，也可以为共聚物。
本发明的有机电致发光元件用聚合物，在构成主链的重复单元中具有可赋予优异的电荷传输能力、特别是空穴传输能力的吲哚并咔唑骨架。在此，构成主链的重复单元不仅为1种，也可以为2种以上。而且，作为必需的重复单元，含有Z，作为任意的重复单元含有A。
在通式(1)中，n为重复数，由重均分子量确定，作为平均(数均)的重复数为2～10000，优选为5～1000。I及m表示作为重复单元的Z及A的存在比例，表示Z的存在比例I，在将总重复单元设为100摩尔%时，为5～100摩尔%，m为0～95摩尔%。优选为10～90摩尔%，更优选为30～80摩尔%。需要说明的是，I也优选为100摩尔%。m优选为10～90摩尔%，更优选为20～70摩尔%。
另外，本发明的有机电致发光元件用聚合物，也可以含有由通式(1)表示的重复单元Z及A以外的末端基团。重复单元A，为重复单元Z以外的重复单元，可以为1种、也可以由2种以上的重复单元构成。
在通式(1)中，Z为选自由上述式(1a)～(1e)表示的由吲哚并咔唑衍生的基团中的1种或2种以上的重复单元，其为具有来自与吲哚并咔唑环的2个N进行键合的2个Ar1的连接键的2价的基团。以下，也将该2价基团称为在N位进行键合的吲哚并咔唑基。另外，该在N位进行键合的吲哚并咔唑基可以在构成吲哚并咔唑环的碳上具有取代基。
该在N位进行键合的吲哚并咔唑基，由于存在多个吲哚环和咔唑环的可缩合的位置，因此，可得到上述式(1a)～(1e)这5种结构异构体的基团，可以为任一的结构异构体。
作为通式(1)中的Z表示的在N位进行键合的吲哚并咔唑基，为选自由上述式(1a)～(1e)表示的结构组成的组中的任1个或者2个以上的吲哚并咔唑基。在为2个以上的情况下，通式(1)中的Z由2种以上的吲哚并咔唑基构成。
在上述式(1a)～(1e)中，Ar1为取代或者未取代的C6～C18的亚芳基、或取代或者未取代的C3～C18的杂亚芳基。
作为上述未取代的亚芳基及杂亚芳基的具体例，可以举出从选自苯、并环戊二烯、茚、萘、甘菊环、庚搭烯、辛搭烯、引达省、苊烯、非那烯、菲、蒽、三茚、荧蒽、醋菲烯、醋蒽烯、苯并菲、芘、□、苯并蒽、并四苯、七曜烯、苉、苝、二苯并菲、并五苯、四伸苯、胆蒽(cholanthrylene)、螺烯、己芬、玉红省、晕苯、联三萘、二苯并芬、皮蒽、卵苯、心环烯、苯并[c]苉、二苯并芘、二苯并[a,c]萘、环十轮烯、丁省并丁省、三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、呫吨、噁啉蒽、二苯并呋喃、迫呫吨并呫吨、噻吩、噻吨、噻蒽、吩噁噻、硫茚、异硫茚、并噻吩、萘并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吡唑、碲唑、硒唑、噻唑、异噻唑、噁唑、呋咱、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、吲嗪、吲哚、异吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、异喹啉、咔唑、咪唑、萘啶、酞嗪、喹唑啉、苯并二氮卓、喹喔啉、噌啉、喹啉、蝶啶、菲啶、吖啶、伯啶、邻二氮菲、吩嗪、咔啉、吩碲嗪、吩硒嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、1,8,9,-三氮杂蒽(anthyridine)、苯杂(a)芘(thebenidine)、喹叨啉、奎宁叨啉(quinindoline)、吖啶叨啉(acridoline)、酞吡呤、三苯二噻嗪、三苯二噁嗪、菲啶、二蒽并[1,2-1’,2’]哒嗪、苯并噻唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并异噁唑、或苯并异噻唑中的芳香族化合物的芳香环中除去2个氢而产生的2价的基团，但并不限定于这些。优选可举出从选自苯、萘、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、吲哚、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩中的芳香族化合物的芳香环中除去2个氢而产生的2价的基团。
另外，上述亚芳基或杂亚芳基可以具有取代基。在取代的亚芳基或杂亚芳基的情况下，取代基的总数为1～10，优选为1～6，更优选为1～4。取代基没有限定，但优选可举出C1～C12的直链、支链、环状的烷基、C6～C12的芳基或C3～C12的杂芳基等。作为取代基的具体例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环戊基、环己基、苯基、萘基、喹啉基、吲哚基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基等，在取代基为芳基或杂芳基的情况下，也可以进一步具有相同的取代基。在具有2个以上取代基的情况下，可以相同，也可以不同。需要说明的是，Ar1为2价的基团，但具有多个芳香环的情况下的2个连接键由相同的环或相同的稠环产生。
另外，在上述式(1a)～(1e)中，Ar1更优选为由上述式(2)表示的2价的基团。在式(2)中，X分别独立地为N或C-L的任一者。优选X的0～3个为N。L独立地表示氢原子、C6～C18的芳基、C3～C18的杂芳基、C12～C36的二芳基氨基或连接键，L中的1个为连接键。该连接键为式(2)中出现的2个连接键内的1个。
在此，作为优选的芳基、杂芳基、或二芳基氨基的芳基，可以举出从苯、并环戊二烯、茚、萘、甘菊环、庚搭烯、辛搭烯、引达省、苊烯、非那烯、菲、蒽、三茚、荧蒽、醋菲烯、醋蒽烯、苯并菲、芘、□、苯并蒽、并四苯、七曜烯、苉、苝、二苯并菲、并五苯、四伸苯、胆蒽、螺烯、己芬、玉红省、蒄、联三萘、二苯并芬、皮蒽、卵苯、心环烯、苯并[c]苉、二苯并芘、二苯并[a,c]萘、环十轮烯、丁省并丁省、三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、呫吨、噁蒽、二苯并呋喃、迫呫吨并呫吨、噻吩、噻吨、噻蒽、吩噁噻、硫茚、异硫茚、并噻吩、萘并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吡唑、碲唑、硒唑、噻唑、异噻唑、噁唑、呋咱、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、吲嗪、吲哚、异吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、异喹啉、咔唑、咪唑、萘啶、酞嗪、喹唑啉、苯并二氮卓、喹喔啉、噌啉、喹啉、蝶啶、菲啶、吖啶、伯啶、邻二氮菲、吩嗪、咔啉、吩碲嗪、吩硒嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、1,8,9,-三氮杂蒽、苯杂(a)芘、喹叨啉、奎宁叨啉、吖啶叨啉、酞吡呤、三苯二噻嗪、三苯二噁嗪、菲啶、二蒽并[1,2-1’,2’]哒嗪、苯并噻唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并异噁唑、或苯并异噻唑中除去氢而产生的基团、二苯基氨基、二萘基氨基等。更优选可举出从苯、萘、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、吲哚、咔唑、二苯并呋喃、或二苯并噻吩中除去氢而产生的基团、二苯基氨基。
另外，上述芳基、杂芳基、或二芳基氨基的芳基，也可以具有取代基，在具有取代基的情况下，取代基的总数为1～10，优选为1～6，更优选为1～4。作为其取代基，只要不妨碍性能就没有特别限定，优选C1～C6的烷基、C5～C10的环烷基、C6～C12的芳基或C3～C12的杂芳基，作为具体例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环戊基、环己基、苯基、萘基、喹啉基、吲哚基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基等，在取代基为芳基或杂芳基的情况下，也可以进一步具有相同的取代基。
另外，在上述式(1a)～(1e)中，R1独立地为氢原子、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C18的芳基、C6～C18的芳氧基、C7～C30的芳基烷基、C7～C30的芳基烷氧基、C3～C18的杂芳基、C3～C18的杂芳氧基、或C3～C18的环烷基，可以相同，也可以不同。在这些基团中含有烃链的情况下，可以为直链，也可以为支链，Cl、F等好卤素也可以取代。优选为氢原子、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、C6～C12的芳基、C6～C12的芳氧基、C7～C22的芳基烷基、C7～C22的芳基烷氧基、C3～C12的杂芳基、C3～C12的杂芳氧基、或C3～C12的环烷基，更优选为氢原子、C1～C6的烷基、C6～C12的芳基、或C3～C12的杂芳基。另外，这些基团也可以进一步具有取代基。作为其取代基，只要不妨碍性能就没有特别限定，优选C1～C6的烷基、C5～C10的环烷基、C6～C12的芳基或C3～C12的杂芳基，作为具体例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环戊基、环己基、苯基、萘基、喹啉基、吲哚基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基等，在取代基为芳基或杂芳基的情况下，也可以进一步具有相同的取代基。
在通式(1)中，A为与Z不同的重复单元，只要A由二价的基团构成就没有特别限定，优选为电荷传输性的基团，作为优选的A，有上述式(3)表示的二价的基团。
在式(3)中，Y为C1～C12的亚烷基、O、S、NR2、CO、CO2、SO、SO2、SCO、NR2CO、CONR2CO、或单键，优选为C1～C12的亚烷基、O、S、NR2、或单键。在这些基团中含有烃链的情况下，可以为直链，也可以为支链，Cl、F等的卤素也可以取代。另外，R2优选氢原子、C1～C6的烷基、C6～C12的芳基或C3～C12的杂芳基，作为具体例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、苯基、萘基、喹啉基、吲哚基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基等，在取代基为芳基或杂芳基的情况下，也可以进一步具有相同的取代基。另外，p及q表示0～3的整数，优选为0～2。其中，在p及q的一方为0的情况下，Y为单键。
另外，在式(3)中，Ar2分别独立地为取代或者未取代的C6～C18的亚芳基、或取代或者未取代的C3～C18的杂亚芳基。优选的Ar2与上述式(1a)～(1e)中的Ar1中说明的亚芳基、或杂亚芳基相同。另外，在亚芳基、或杂亚芳基具有取代基的情况下，也与上述式(1a)～(1e)中的Ar1中说明的亚芳基、或杂亚芳基的取代基的说明相同。
作为由式(3)表示的二价的基团，更优选上述式(4a)及(4b)表示的基团。Y1为取代或者未取代的C1～C6的亚烷基、N-R4基、O、S或单键，Y2为C-(R4)2基、N-R4基、O、或S。R3与上述式(1a)～(1e)中说明的R1相同。R4与上述式(3)中说明的R2相同。Y1的链长越长，重复单元中的电荷传输能力越降低，同时也热不稳定，因此，优选为C1～C3的亚烷基、或者O、S或单键，Y2优选为C-(R4)2基、O、或S。
本发明的在主链具有吲哚并咔唑环的有机电致发光元件用聚合物，可以通过制造提供重复单元Z、或Z和A的单体、用公知的方法聚合该单体来容易地制造。例如可以通过以下的反应式制造。聚合方法可以为缩聚、加成聚合中的任一种，但从通用的观点考虑，优选利用铃木耦合反应的缩聚。
Figure BDA0000422200520000111
上述反应例为在通式(1)中、重复单元Z为在吲哚并咔唑的2个N处R3取代了的2价的基团、A为R4、Z-A交替键合、形成重复单元的例子，但通过控制聚合反应的卤素化合物的种类、摩尔比，可控制通式(1)中的存在比例I、m。需要说明的是，上述反应例中的X指卤素。
本发明的吲哚并咔唑系聚合物的重均分子量Mw为1,000～1,000,000，优选为2,000～300,000。若Mw低于1,000，则难以形成均匀的膜，若大于1,000,000，则对于有机溶剂的溶解性极端变差，溶液涂布变难。
以下，示出本发明的具有吲哚并咔唑骨架的聚合物的一个例子，但并不限定于这些例子。
Figure BDA0000422200520000131
Figure BDA0000422200520000151
Figure BDA0000422200520000161
需要说明的是，本发明的有机电致发光元件用聚合物，可以为均聚物，也可以为共聚物。共聚物的情况下的聚合形式可以为无规，也可以为嵌段，还可以为交替，但优选如上述式所示那样交替聚合了的形式。
另外，本发明的有机电致发光元件用聚合物，通过在有机EL元件的有机层中含有，提供优异的有机电致发光元件。优选在选自发光层、空穴传输层、电子传输层及空穴阻挡层中的至少一个有机层中含有。进一步优选作为空穴传输层含有。发光层可以为含有主体材料和客体材料的荧光或磷光发光型的发光层，更优选为磷光发光型的发光层。
对本发明的有机电致发光元件用聚合物的HOMO能量而言，在空穴传输层中含有其的情况下，优选与和空穴传输层相邻的发光层中所含的主体材料的HOMO能量之差小。另外，在相邻的发光层含有多个化合物的情况下，优选与作为其主要成分的化合物之差小。有机电致发光元件用聚合物的HOMO能量和发光层中所有的化合物(在含有主体材料和客体材料的情况下是指成为作为主要成分的主体材料的化合物)的HOMO能量之差为±0.5eV以下，优选为±0.3eV以下。有机电致发光元件用聚合物的HOMO能量和发光层中所含的化合物的HOMO能量之差若超过±0.5eV，则空穴注入性变差，发光效率降低。
另外，本说明书中所谓的LUMO能量及HOMO能量的值为使用美国Gaussian公司制的作为分子轨道计算用软件的Gaussian03求出的值，定义为由B3LYP/6-31G*水平的结构优化计算算出的值。对于聚合物，三聚物以上为相同的值，因此，由三聚物的计算算出。
接着，对本发明的有机EL元件的结构参照附图进行说明，但本发明的有机EL元件的结构并不限定于任一图示。
图1为示意性地表示本发明中所使用的一般的有机EL元件的结构例的剖面图，1、2、3、4、5、6、7、8分别表示基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子及/或激子阻挡层(EB层)、发光层、电子传输层、阴极。在本发明的有机EL元件中，作为必需的层，具有阳极、空穴传输层、发光层及阴极。优选具有阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极。
另外，本发明的有机EL元件，除必需的层以外，也可以具有电子传输层、电子注入层、EB层、空穴阻挡层。进而，空穴传输层可以为具有空穴注入功能的空穴注入传输层，电子传输层可以为具有电子注入功能的电子注入传输层。
需要说明的是，本发明的有机EL元件，也可以为与图1相反的结构，即也可以在基板1上依次层叠阴极8、电子传输层7、发光层6、EB层5、空穴传输层4、阳极2，此时，也可根据需要追加层或省略层。
以下，对各部件及各层进行说明。
-基板-
本发明的有机EL元件，优选被支承于基板。该基板没有特别限制，只要为目前有机EL元件中常用的基板即可，例如可以使用由玻璃、透明塑料、石英等构成的基板。
-发光层-
发光层为含有发光材料的层，可以为荧光发光层、磷光发光层中的任一者，但优选为磷光发光层。
在发光层为荧光发光层的情况下，荧光发光材料可以单独使用至少1种荧光发光材料，但优选将荧光发光材料用作荧光发光掺杂剂、含有主体材料。
作为发光层中的荧光发光材料，可以使用由通式(1)表示的有机电致发光元件用聚合物，但在于在其它的任一有机层使用该化合物的情况下，可通过许多专利文献等得知，因此也可以从它们中进行选择。可以举出例如苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘酰亚胺衍生物、香豆素衍生物、缩合芳香族化合物、芘酮衍生物、噁二唑衍生物、噁嗪衍生物、醛连氮衍生物、吡咯烷衍生物、环戊二烯衍生物、双苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯并吡啶衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、环戊二烯衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二酮基吡咯并吡咯衍生物、芳香族二亚甲基化合物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物、吡咯甲川衍生物的金属络合物、稀土类络合物、过渡金属络合物所代表的各种金属络合物等、聚噻吩、聚亚苯基、聚亚苯基亚乙烯基等的聚合物化合物、有机硅烷衍生物等。优选可举出缩合芳香族化合物、苯乙烯基化合物、二酮基吡咯并吡咯化合物、噁嗪化合物、吡咯甲川金属络合物、过渡金属络合物、镧络合物，更优选可举出丁省、芘、□、苯并菲、苯并[c]菲、苯并[a]蒽、并五苯、苝、荧蒽、苊并荧蒽、二苯并[a,j]蒽、二苯并[a,h]蒽、苯并[a]丁省、并六苯、蒽嵌蒽、萘并[2,1-f]异喹啉、α-萘菲啶、菲并噁唑、喹啉并[6,5-f]喹啉、苯并萘并噻吩等。这些也可以具有芳基、杂芳基、二芳基氨基、烷基作为取代基。
在将上述荧光发光材料用作荧光发光掺杂剂、含有主体材料的情况下，荧光发光掺杂剂在发光层中含有的量在0.01～20重量%的范围内，优选在0.1～10重量%的范围。
通常，有机EL元件由阳极、阴极两电极向发光物质注入电荷，生成激发状态的发光物质，使其发光。在电荷注入型的有机EL元件的情况下，生成的激子中，可以说被激发为激发单重态状态的为25%，剩余75%被激发为激发三重态状态。如Applied Physics Letters98,83302(2011)表示，已知特定的荧光发光物质通过系间交叉等能量向激发三重态状态过度后，通过三重态-三重态湮灭或者热能的吸收，逆系间交叉为激发单重态状态，放射荧光，表现出热激活延迟荧光。在使用了本发明的化合物的有机EL元件中也可以表现出延迟荧光。此时，也可以包含荧光发光及延迟荧光发光这两者。其中，可以有发光的一部分或有部分地来自主体材料的发光。
另一方面，作为磷光发光材料，含有磷光发光掺杂剂和主体材料。作为磷光发光掺杂剂材料，可以包含含有选自钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂及金中的至少一种金属的有机金属络合物。这种有机金属络合物在许多的专利文献等中是公知的，可选择它们进行使用。
作为为了得到高的发光效率的磷光发光材料，可以举出具有Ir等的贵金属元素作为中心金属的Ir(ppy)3等的络合物类、Ir(bt)2·acac3等的络合物类、PtOEt3等的络合物类。以下，具体例示磷光发光材料，但并不限定于这些材料。
通过改变发光材料的种类，可以制成具有各种发光波长的有机电致发光元件。
在将上述发光材料用作掺杂剂的情况下，发光层中所含的量优选在1～50重量%的范围。更优选为5～30重量%。
作为发光层中的主体材料，可使用公知的主体材料，也可以将本发明的聚合物用作主体材料。另外，也可以并用本发明的聚合物和其它的主体材料。
作为能够使用的公知的主体化合物，优选为具有空穴输送能力、电子输送能力、且防止发光的长波长化、并且具有高的玻璃化转变温度的化合物。
这样的其它的主体材料，可通过许多专利文献等得知，因此可以从它们中选择。作为主体材料的具体例，没有特别限定，可以举出吲哚衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二亚甲基系化合物、卟啉系化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘茈等的杂环四羧酸酐、酞菁衍生物、以8-羟基喹啉衍生物的金属络合物或金属酞菁、苯并噁唑或苯并噻唑衍生物的金属络合物为代表的各种金属络合物、聚硅烷系化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩衍生物、聚亚苯基衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚芴衍生物等好高分子化合物等。
-空穴传输层-
作为形成空穴传输层的空穴传输性化合物，可有利地使用本发明的有机电致发光元件用聚合物。也可以根据需要在不损害本发明的目的的范围内例示叔胺的三苯胺衍生物、咔唑衍生物等。也可以将低分子空穴传输性化合物等作为添加剂配合1种或2种以上来用作组合物。以下，具体地例示空穴传输性化合物，但并不限定于这些化合物。
Figure BDA0000422200520000211
-电子阻挡层-
电子阻挡层具有一边传输空穴一边阻挡电子到达至空穴传输层的作用，由此可以提高发光层中的电子和空穴复合的概率。作为电子阻挡层的材料，可以举出。
-激子阻挡层-
所谓激子阻挡层，是用于阻挡因在发光层内空穴和电子复合而产生了的激子在电荷传输层中扩散的层，通过本层的插入可有效地将激子约束在发光层内，可以提高元件的发光效率。激子阻挡层可以邻接于发光层而插入阳极侧、阴极侧的任意一侧，也可以同时插入阳极侧、阴极侧。即，在阳极侧具有激子阻挡层的情况下，可以在空穴传输层和发光层之间邻接于发光层而插入该层，在插入于阴极侧的情况下，可以在发光层和阴极之间邻接于发光层而插入该层。另外，在阳极和邻接于发光层的阳极侧的激子阻挡层之间可以具有空穴注入层、电子阻挡层等，在阴极和邻接于发光层的阴极侧的激子阻挡层之间可以具有电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等。
作为能够使用的公知的激子阻挡层的材料，例如可以举出1,3-二咔唑基苯(mCP)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-联苯羟基铝(III)(BAlq)。
-电子及/或激子阻挡层(EB层)-
EB层为电子阻挡层、激子阻挡层或具有两者的功能的层，作为形成EB层的材料，可以举出1,3-二咔唑基苯(MCP)等。
-电子传输层-
作为形成电子传输层的电子传输性化合物，可例示噁二唑衍生物、咪唑衍生物、三唑衍生物等。也可以根据需要在不损害本发明的目的的范围内将低分子电子传输性化合物等作为添加剂配合1种或2种以上来用作组合物。以下，具体地例示电子传输性化合物，但并不限定于这些化合物。
Figure BDA0000422200520000231
-空穴注入层-
为了使从阳极的空穴注入效率提高，可以在阳极和空穴传输层或发光层之间放入空穴注入层。作为形成空穴注入层的空穴注入材料，可使用聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物等的导电性高分子。其中，从空穴注入效率的方面考虑，优选聚噻吩衍生物的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)。在使用空穴注入层的情况下，其厚度优选为200nm以下，更优选为100nm以下。
-阳极-
阳极向空穴注入层、空穴传输层或发光层等供给空穴，一般在玻璃基板上形成。本发明中使用的阳极材料没有特别限定，具体而言可以举出铟-锡氧化物(ITO)、锡氧化物等的导电性金属氧化物、金、银、铂等的金属。另外，也可以使用市售的带ITO的玻璃。市售的带ITO的玻璃通常在洗涤剂水溶液、溶剂清洗后，通过UV臭氧照射装置或等离子体照射装置而清洗来使用。
-阴极-
阴极向电子传输层或发光层供给电子，本发明中使用的阳极材料没有特别限定，具体而言，可以举出Li、Mg、Ca、Al等的金属、它们的合金，例如Mg-Ag合金、Mg-Al合金等。
阴极及阳极可通过公知的方法、即真空蒸镀法、溅射法来形成。阴极的厚度优选为300nm以下，更优选为200nm以下，另一方面，阳极的厚度优选为200nm以下，更优选为100nm以下。
实施例
以下，通过实施例对本发明具体地进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
实施例中合成了的化合物通过选自1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)、FD-MS、GPC、TGA、DSC、UV及IR分析中的1种以上的分析法来鉴定。
实施例1
根据下述方案来合成化合物(A-2)及化合物(B-4)，接着合成聚合物(P-1)。
Figure BDA0000422200520000241
Figure BDA0000422200520000251
在氮气氛下，在500ml茄子瓶中加入10.00g(39.1mmol)的化合物(A-1)、12.2g(42.9mmol)的1-溴-3-碘代苯、0.24g(1.2mmol)的碘化铜和33.2g(156.3mmol)的磷酸钾、200ml的1,4-二噁烷，在室温下搅拌·溶解。然后加入1.34g(11.7mmol)的反式-1,2-环己二胺，在浴温120℃下加热搅拌2.5小时。降温至室温后，过滤分离固体成分，减压蒸馏除去滤液。用硅胶柱色谱法进行精制，得到14.6g(收率91%)的白色粉末的化合物(B-1)。
接着，在氮气氛下，在具备戴氏冷凝器（ジムロート）的200ml茄子瓶中加入6.00g(14.6mmol)的化合物(B-1)、176g(623mmol)的1-溴-3-碘代苯、5.57g(29.2mmol)的碘化铜和8.1g(58.6mmol)的碳酸钾，在室温下搅拌·溶解。然后，在浴温190℃下加热搅拌7.5小时。降温至室温后，过滤分离固体成分，减压蒸馏除去过量的1-溴-3-碘代苯，得到15.1g的粗产物。用硅胶柱色谱法进行精制后，用二氯甲烷/己烷进行2次重结晶，得到3.0g(收率83%)的化合物(B-2)。
在氮气氛下将得到的2.87g(5.07mmol)的化合物(B-2)放入200ml茄子瓶中，接着，放入3.1g(12.21mmol)的双频哪醇合二硼、1.50g(15.27mmol)的醋酸钾、100ml的1,4-二噁烷而在浴温60℃下搅拌30分钟。投入0.25g(0.31mmol)的(1,1’-双(二苯基膦二茂铁))二氯化钯(II)二氯甲烷络合物，在浴温80℃下加热搅拌6.5小时。进而，追加添加2次1.55g(6.1mmol)的双频哪醇合二硼、0.25g(0.31mmol)的(1,1’-双(二苯基膦二茂铁))二氯化钯(II)二氯甲烷络合物并加热搅拌40小时。降温至室温后，过滤分离固体成分，减压蒸馏除去1,4-二噁烷，用硅胶柱色谱法精制后，得到3.00g(收率90%)的化合物(A-2)。
将化合物(A-2)的1H-NMR及FD-MS光谱示于以下。
1H-NMR(400MHz、CDCl3)：δ(ppm)；8.12-8.17(3H、m)、8.077(1H、dt、J＝8,2Hz)、8.002(1H、br d、J＝2Hz)、7.949(1H、ddd、J＝1,2,7Hz)、7.63-7.67(4H、m)、7.19-7.33(6H、m)、6.766(1H、ddd、J＝2,7,8Hz)、5.935(1H、d、J＝8Hz)、1.352(12H、s)、1.261(12H、s)
FD-MS光谱：660(M+、base)
另一方面，在氮气氛下，将32.4g(0.31mmol)的化合物(B-3)放入2000ml茄子瓶中，再加入75.3g(175mmol)的双(三氟醋酸)碘代苯、41.9g(165mmol)的碘及600ml的四氯化碳而在浴温50℃下加热搅拌2小时。降温至室温后，减压蒸馏除去四氯化碳，若加入EtOH，则固体析出、过滤分离。通过使用EtOH而对其进行2次重结晶，由此通过干燥来得到35.8g(收率48%)的化合物(B-4)。
使化合物(A-2)和化合物(B-4)聚合而合成聚合物(P-1)。具体而言，将0.66g(1.0mmol)的化合物(A-2)和0.44g(1.00mmol)的化合物(B-4)溶解于20ml甲苯中，添加作为催化剂的10mg的四(三苯基膦)钯(0)、10ml的2M的Na2CO3水溶液，在氮取代后在70℃下使其反应3小时半。降温至室温后，从反应液中分离水层后，投入243mg(2mmol)的苯基硼酸、314mg(2mmol)的溴代苯及10mg的四(三苯基膦)钯(0)，在浴温90℃下使其反应20小时来封端。降温至室温后，使用MeOH再沉淀精制。回收精制了的聚合物份，将其再次投入MeOH中重复冲洗，由此得到0.40g的聚合物(P-1)。得到的聚合物用GPC、TGA及DSC鉴定。Mw以GPC(四氢呋喃：THF)的聚苯乙烯换算计为4,700，分子量分布为1.8。
实施例2
进行实施例1中得到的聚合物(P-1)的元件评价。首先，在进行了溶剂清洗、UV臭氧处理了的膜厚150nm的带有ITO的玻璃基板上以膜厚25nm形成聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)：(イチ·シー·シュタルク株式会公司制，商品名：クレビオスPCH8000)作为空穴注入层。接着，将合成了的聚合物(P-1)溶解于THF中而调制成0.4wt%溶液，通过旋涂法制膜20nm作为空穴传输层。接着，使用真空蒸镀装置，使用三(2-(对甲苯基)吡啶)铱(III)作为发光层掺杂剂，使用4,4’-双(9H-咔唑-9-基)联苯作为发光层主体，以掺杂剂浓度为0.6wt%的方式进行共蒸镀，制膜为40nm发光层。然后，使用真空蒸镀装置，制膜35nm的三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，作为阴极制膜膜厚170nm的LiF/Al，将该元件在手套箱内密封，由此制作有机电致发光元件。
在这样得到的有机电致发光元件上连接外部电源，在施加了0～10V的直流电压时，确认到具有如表1那样的发光特性。在此亮度、电压及发光效率表示在20mA/cm2下驱动时的值。需要说明的是，元件发光光谱的极大波长为550nm，可观测到来自铱络合物的绿色发光。
实施例3
在使化合物(A-2)和化合物(B-4)聚合时，使用0.66g(1.0mmol)的化合物(A-2)和0.40g(0.9mmol)的化合物(B-4)，除此以外，与实施例1同样地得到聚合物(P-2)。该聚合物的Mw为2,500，分子量分布为1.5。另外元件评价与实施例2同样地进行。
实施例4
根据下述方案由化合物(A-2)和1,3-二碘代苯合成聚合物(P-3)。
Figure BDA0000422200520000271
具体而言，变更为0.66g(1.0mmol)的化合物(A-2)和0.33g(1.0mmol)的1,3-二碘代苯，除此以外，与实施例1同样地得到聚合物(P-3)。该聚合物的Mw为7,500，分子量分布为2.2。另外元件评价与实施例2同样地。
实施例5
根据下述方案合成化合物(B-5)，接着，由化合物(A-2)和化合物(B-5)合成聚合物(P-4)。
Figure BDA0000422200520000281
在具备温度计、回流管、氮导入管的2L四口茄子瓶中，加入50.0g(177mmol)的1-溴-3-碘代苯、35.5g(177mmol)的间溴苯硼酸、3.37g(2.92mmol)的三苯基膦钯(0)、600ml的甲苯、225ml的EtOH而溶解。在氮取代后，在其中加入112.4g(1.06mol)的碳酸钠及300ml的纯水，在浴温100℃下加热搅拌6小时。降温至室温后，移至分液漏斗而进行油水分离。清洗有机层后，用无水硫酸镁脱水，减压蒸馏除去溶剂而得到62.1g的粗产物。通过对其进行减压蒸馏，得到44.8g(收率81%)的化合物(B-5)。
接着，变更为0.66g(1.0mmol)的化合物(A-2)和0.31g(1.0mmol)的化合物(B-5)，除此以外，与实施例1同样地得到聚合物(P-4)。该聚合物的Mw为3,500，分子量分布为1.7。另外元件评价与实施例2同样地进行。
实施例6
根据下述方案由化合物(A-2)和双(4-溴苯基)醚合成聚合物(P-5)。
Figure BDA0000422200520000282
使用0.66g(1.0mmol)的化合物(A-2)和0.33g(1.0mmol)的双(4-溴苯基)醚，除此以外，与实施例1同样地进行聚合及后处理，得到0.10g的聚合物(P-5)。该聚合物的Mw为5,200，分子量分布为1.9。另外元件评价与实施例2同样地进行。
实施例7
根据下述方案由化合物(A-2)和N-丁基苯基-N,N’-双二溴二苯基胺合成聚合物(P-6)。
Figure BDA0000422200520000291
使用0.66g(1.0mmol)的化合物(A-2)和0.46g(1.0mmol)的N-丁基苯基-N,N’-双二溴二苯基胺，除此以外，与实施例1同样地进行聚合及后处理，得到0.33g的聚合物(P-6)。该聚合物的Mw为15,000，分子量分布为1.9。另外元件评价与实施例2同样地进行。
实施例8
根据下述方案由化合物(A-3)和化合物(B-4)合成聚合物(P-7)。
Figure BDA0000422200520000292
将化合物(A-1)变更为0.66g(1.0mmol)的化合物(A-3)，除此以外，与实施例1同样地进行聚合及后处理而得到0.32g的聚合物(P-7)。该聚合物的Mw为5,200，分子量分布为1.8。另外元件评价与实施例2同样地进行。
例9(比较)
根据下述方案使用化合物(B-5)来合成聚合物(EP-1)。
Figure BDA0000422200520000293
在50ml茄型烧瓶中放入0.7g(4.3mmol)的氯化铁(III)、20ml的一氯苯，在氮取代后，加入预先溶解了0.7g(1.1mmol)化合物(C-1)的10ml一氯苯溶液而在浴温50℃下聚合44小时。使用甲醇使聚合液再沉淀精制。回收精制了的聚合物份，将其移至茄型烧瓶中，投入20ml的5%氨水而搅拌，过滤沉淀物，用50ml的纯水重复清洗2次、用50ml的MeOH重复清洗3次，进行干燥，由此得到0.67g的聚合物(EP-1)。该聚合物的Mw为4,200，分子量分布为1.5。另外元件评价与实施例2同样地进行。
使用Gaussian03，通过B3LYP/6-31G*水平的结构优化计算，算出作为主体材料的4,4’-双(9H-咔唑-9-基)联苯的HOMO能量值和聚合物P-1、P-3、P-6、EP-1的三聚物单元的HOMO能量值，计算主体材料和各聚合物之差，分别示于表1。
[表1]
HOMO能量之差(eV)
P-1 0.36
P-3 0.31
P-6 0.40
EP-1 0.84
将用于元件评价的聚合物和评价结果示于表2。聚合物均用于空穴传输层。需要说明的是，元件发光光谱的极大波长为550nm，观测到来自铱络合物的绿色发光。
[表2]
Figure BDA0000422200520000301
产业上的利用的可能性
通过使用本发明的有机电致发光元件用聚合物，有机电致发光元件的空穴注入性得到改善，形成发光效率优异的元件。另外，可容易地制作利用涂布成膜法等的大面积元件。

Claims (10)

1.一种有机电致发光元件用聚合物，其特征在于，在构成主链的重复单元中具有下述通式(1)表示的重复单元，
在此，Z为选自由下述式(1a)～(1e)表示的吲哚并咔唑衍生的基团中的1种或2种以上的重复单元，A为与Z不同的1种或2种以上的重复单元，I及m表示存在摩尔比，将总重复单元设为100摩尔%时，l为5～100摩尔%、m为0～95摩尔%，n表示平均的重复数，为2～10000，
Figure FDA0000422200510000012
式(1a)～(1e)中，Ar1独立地为取代或者未取代的C6～C18的亚芳基、或取代或者未取代的C3～C18的杂亚芳基，R1分别独立地为氢、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C18的芳基、C6～C18的芳氧基、C7～C30的芳基烷基、C7～C30的芳基烷氧基、C3～C18的杂芳基、C3～C18的杂芳氧基、或C3～C18的环烷基。
2.如权利要求1所述的有机电致发光元件用聚合物，其中，在式(1a)～(1e)中，Ar1独立地为下述式(2)表示的基团，
在此，X分别独立地为N或C-L的任一者，L独立地表示氢原子、C6～C18的芳基、C3～C18的杂芳基、C12～C36的二芳基氨基或连接键，L中的1个为连接键。
3.如权利要求1所述的有机电致发光元件用聚合物，其中，在通式(1)中，A为下述式(3)表示的重复单元，
Figure FDA0000422200510000022
在此，Ar2独立地为取代或者未取代的C6～C18的亚芳基、或取代或者未取代的C3～C18的杂亚芳基，Y为C1～C12的亚烷基、O、S、NR2、CO、CO2、SO、SO2、SCO、NR2CO、CONR2CO或者单键，p及q表示0～3的整数，p及q的至少1方为1以上的整数，在p或q为0的情况下，Y为单键，在此，R2为氢原子、C1～C12的烷基、C3～C18的环烷基、C6～C18的芳基、C7～C30的芳基烷基、C3～C18的杂芳基、或C4～C30的杂芳基烷基。
4.如权利要求1所述的有机电致发光元件用聚合物，其中，在通式(1)中，A为下述式(4a)或(4b)表示的重复单元，
Figure FDA0000422200510000031
在此，Y1为取代或者未取代的C1～C6的亚烷基、N-R4基、O、S或单键，Y2为C-(R4)2基、N-R4基、O、或S，R3分别独立为氢、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C18的芳基、C6～C18的芳氧基、C7～C30的芳基烷基、C7～C30的芳基烷氧基、C3～C18的杂芳基、C3～C18的杂芳氧基、或C3～C18的环烷基，R4为氢原子、C1～C12的烷基、C3～C18的环烷基、C6～C18的芳基、C7～C30的芳基烷基、C3～C18的杂芳基、或C4～C30的杂芳基烷基。
5.如权利要求1所述的有机电致发光元件用聚合物，其中，重均分子量为1,000～1,000,000。
6.如权利要求1所述的有机电致发光元件用聚合物，其中，在通式(1)中，表示存在摩尔比的m为10～90摩尔%。
7.如权利要求1所述的有机电致发光元件用聚合物，其为在通式(1)中作为重复单元的A及Z交替键合而成的交替共聚物。
8.一种有机电致发光元件，其为在基板上所层叠的阳极层及阴极层之间具有至少含有空穴传输层和发光层及电子传输层的有机层的有机电致发光元件，其特征在于，在该有机层的至少一层中含有权利要求1～7中任一项所述的有机电致发光元件用聚合物。
9.如权利要求8所述的有机电致发光元件，其中，含有权利要求1～7中任一项所述的有机电致发光元件用聚合物的有机层为空穴传输层。
10.如权利要求9所述的有机电致发光元件，其特征在于，发光层为含有客体材料和主体材料的发光层，且空穴传输层中所含的有机电致发光元件用聚合物的HOMO能量和发光层中所含的主体材料的HOMO能量之差在±0.5eV以内。
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