CN102432844A - 树枝状聚合物和使用该树枝状聚合物的有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种树枝状聚合物和一种包括具有该树枝状聚合物的有机层的有机发光装置。

Description

树枝状聚合物和使用该树枝状聚合物的有机发光装置
本申请要求于2010年7月16日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0069170号韩国专利申请的权益，该申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
当前实施例涉及一种树枝状聚合物和一种包括具有该树枝状聚合物的有机层的有机发光装置。
背景技术
有机发光装置包括顺序地形成在基底上的阳极、空穴传输层、发射层、电子传输层和阴极。在这方面，空穴传输层、发射层和电子传输层是包括有机化合物的薄膜。
有机发光装置是自发射装置，其中，当将电流施加到荧光或磷光有机层时，电子在有机层中与空穴复合，由此发射光。因为有机发光装置重量轻，能够使用简单的组成元件以容易的制造工艺制造，能够实现优异的图像质量、高色纯度和动态图像，并以低功耗运行，所以正在对有机发光装置进行各种研究。除了位于阳极和阴极之间的有机发射层之外，有机发光装置还可以包括诸如空穴注入层和空穴传输层的空穴相关层以及诸如电子传输层和电子注入层的电子相关层。
可以使用沉积或湿工艺来制造有机发光装置。通常，分子量为1,000或更小的有机材料适合于沉积工艺。众所周知，通过利用沉积工艺使用诸如芴类化合物的低分子量化合物制造的有机发光装置具有优异的亮度。然而，如果通过使用湿工艺使用用于沉积的低分子量化合物(例如，芴类化合物)来制造有机发光装置，则会发生各种问题，例如在形成层之后在干燥工艺期间的晶化。当晶化开始时，作为晶种的开始点扩展，从而在有机发光装置中形成黑点。为了防止这种晶化，可以引入大尺寸取代基或不晶化的取代基，或者可以使用分子量为大约几千的有机材料来抑制分子的取向或布置。可以使用树枝状聚合物或聚合物来增加有机材料的分子量。
因为聚合物的合成和纯化是困难的，并且聚合物具有不同的分子量，所以难以调控确定发射特性的物理性能，例如能级和热性能。然而，树枝状聚合物的合成和纯化与聚合物的合成和纯化相比相对较容易，并且树枝状聚合物是分子结构容易控制的单一化合物，因此，可以调控树枝状聚合物的对有机发光装置的特性产生影响的物理性能。
因此，需要开发一种使用树枝状聚合物的有机发光装置。
发明内容
当前实施例提供了一种具有优异的电稳定性、高电荷传输能力和高发光能力的树枝状聚合物。
当前实施例提供了一种包括该树枝状聚合物的有机发光装置。
根据当前实施例的一方面，提供了一种包括核心单元、桥单元和树枝状单元的树枝状聚合物，其中，所述核心单元包括从由取代的或未取代的C1-C50脂族烃、取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的三价或四价官能团，
所述桥单元包括从由取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的二价或三价官能团，以及
所述树枝状单元包括由下式1表示的一价的芴类官能团：
式1
Figure BSA00000550648900021
其中，Z选自于由单键、
Figure BSA00000550648900031
组成的组，
Ar1和Ar2均独立地选自于由单键、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，
X1和X2均独立地选自于由氮(N)、硼(B)和磷(P)组成的组，X′选自于由氧(O)、硫(S)、SO2和CH2组成的组，
Y1、Y2、Y3、Y4、Y5和Y6均独立地选自于由单键、取代的或未取代的C1-C50亚烷基、取代的或未取代的C2-C50亚烯基、取代的或未取代的C2-C50亚炔基、取代的或未取代的C3-C50亚环烷基、取代的或未取代的C1-C50亚烷氧基、取代的或未取代的C5-C50亚芳基和取代的或未取代的C3-C50亚杂芳基组成的组，
R1、R2、R3和R4均独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、硝基、羟基、羧基、取代的或未取代的C1-C50烷基、取代的或未取代的C2-C50烯基、取代的或未取代的C2-C50炔基、取代的或未取代的C3-C50环烷基、取代的或未取代的C1-C50烷氧基、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，R′和R″均独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、硝基、羟基、羧基、取代的或未取代的C1-C50烷基、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，其中，R1、R2、R3、R4、R′和R″中的至少两个相邻的基团可以链接，以形成饱和或不饱和环，以及
*是从由Ar1、Z和芴基组成的组中选择的一个与所述桥单元之间的结合位。
所述树枝状聚合物的数均分子量可以为大约1,000至大约300,000。
所述树枝状聚合物还可以在所述树枝状单元的端部包括从由取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组中选择的表面单元。
根据当前实施例的另一方面，提供了一种有机发光装置，所述有机发光装置包括一对电极和设置在所述一对电极之间的有机层，其中，所述有机层包括树枝状聚合物。
附图说明
通过参照附图详细地描述当前实施例的示例实施例，当前实施例的以上和其它特征及优点将变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的有机发光装置的结构的示图。
具体实施方式
根据实施例的树枝状聚合物包括核心单元、桥单元和树枝状单元，其中，所述核心单元包括从由取代的或未取代的C1-C50脂族烃、取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的三价或四价官能团，所述桥单元包括从由取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的二价或三价官能团，所述树枝状单元包括由下式1表示的一价的芴类官能团：
式1
在式1中，Z选自于由单键、
Figure BSA00000550648900042
组成的组，其中，当Z链接至桥单元时，Z可以处于二价氧化态。在下文中，假设当Z链接至桥单元时，Z处于二价氧化态。
树枝状聚合物是包括从核心单元重复地延伸的分支状单元的树状高度分支聚合物。树枝状聚合物包括位于整个球形结构的中心的核心单元、从核心单元规则地且重复地延伸的桥单元以及连接至桥单元并位于核心单元的相对端的树枝状单元。
在树枝状聚合物中，处于三价或四价氧化态的核心单元位于整个球形结构的中心，当桥单元链接到核心单元时，代增加，并且树枝状单元位于桥单元的端部。
树枝状单元可以包括由式1表示的一价的芴类官能团。
在式1中，Ar1和Ar2均独立地选自于由单键、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组。在这方面，如果Ar1链接至桥单元，则Ar1处于二价氧化态，并可以选自于由C5-C50亚芳基和取代的或未取代的C3-C50亚杂芳基组成的组。在下文中，假设当Ar1链接至桥单元时，Ar1处于二价氧化态。
Ar1和Ar2均独立地选自于由单键、苯基、卤代亚苯基、氰基亚苯基、苯氧基苯基、C1-C15烷基苯基、二(C1-C15烷基)苯基、C1-C15烷氧基苯基、二(C1-C15烷氧基)苯基、C5-C15芳基苯基、二(C5-C15芳基)苯基、萘基、卤代萘基、氰基萘基、苯氧基萘基、C1-C15烷基萘基、二(C1-C15烷基)萘基、C1-C15烷氧基萘基、二(C1-C15烷氧基)萘基、C5-C15芳基萘基、二(C5-C15芳基)萘基、蒽基、卤代蒽基、氰基蒽基、苯氧基蒽基、C1-C15烷基蒽基、二(C1-C15烷基)蒽基、C1-C15烷氧基蒽基、二(C1-C15烷氧基)蒽基、C5-C15芳基蒽基、二(C5-C15芳基)蒽基、菲基、卤代菲基、氰基菲基、苯氧基菲基、C1-C15烷基菲基、二(C1-C15烷基)菲基、C1-C15烷氧基菲基、二(C1-C15烷氧基)菲基、C5-C15芳基菲基、二(C5-C15芳基)菲基、芴基、卤代芴基、氰基芴基、苯氧基芴基、C1-C15烷基芴基、二(C1-C15烷基)芴基、C1-C15烷氧基芴基、二(C1-C15烷氧基)芴基、C5-C15芳基芴基、二(C5-C15芳基)芴基、吡啶基、卤代吡啶基、氰基吡啶基、苯氧基吡啶基、C1-C15烷基吡啶基、二(C1-C15烷基)吡啶基、C1-C15烷氧基吡啶基、二(C1-C15烷氧基)吡啶基、C5-C15芳基吡啶基、二(C5-C15芳基)吡啶基、芘基、卤代芘基、氰基芘基、苯氧基芘基、C1-C15烷基芘基、二(C1-C15烷基)芘基、C1-C15烷氧基芘基、二(C1-C15烷氧基)芘基、C5-C15芳基芘基、二(C5-C15芳基)芘基、菲咯啉基、卤代菲咯啉基、氰基菲咯啉基、苯氧基菲咯啉基、C1-C15烷基菲咯啉基、二(C1-C15烷基)菲咯啉基、C1-C15烷氧基菲咯啉基、二(C1-C15烷氧基)菲咯啉基、C5-C15芳基菲咯啉基、二(C5-C15芳基)菲咯啉基、喹啉基、卤代喹啉基、氰基喹啉基、苯氧基喹啉基、C1-C15烷基喹啉基、二(C1-C15烷基)喹啉基、C1-C15烷氧基喹啉基、二(C1-C15烷氧基)喹啉基、C5-C15芳基喹啉基、二(C5-C15芳基)喹啉基、咔唑基、卤代咔唑基、氰基咔唑基、苯氧基咔唑基、C1-C15烷基咔唑基、二(C1-C15烷基)咔唑基、C1-C15烷氧基咔唑基、二(C1-C15烷氧基)咔唑基、C5-C15芳基咔唑基和二(C5-C15芳基)咔唑基组成的组。
例如，Ar1和Ar2均可以独立地为单键、苯基、卤代亚苯基、氰基亚苯基、联苯基、二甲基芴基、咔唑基和二苯基咔唑基。
在式1中，X1和X2均可以独立地选自于由氮(N)、硼(B)和磷(P)组成的组。例如，X1和X2均可以为氮(N)。
另外，X′可以选自于由氧(O)、硫(S)、SO2和CH2组成的组。例如，X′可以为硫(S)。
在式1中，Y1至Y6均可以独立地选自于由单键、取代的或未取代的C1-C50亚烷基、取代的或未取代的C2-C50亚烯基、取代的或未取代的C2-C50亚炔基、取代的或未取代的C3-C50亚环烷基、取代的或未取代的C1-C50亚烷氧基、取代的或未取代的C5-C50亚芳基和取代的或未取代的C3-C50亚杂芳基组成的组。
Y1至Y6均可以独立地选自于由单键、亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丁基、亚仲丁基、亚苯基、亚甲基苯基、亚乙基苯基、亚邻氟苯基、亚间氟苯基和亚对氟苯基、亚二氯苯基、亚氰基苯基、亚二氰基苯基、亚三氟甲氧基苯基、亚联苯基、亚卤代联苯基、亚氰基联苯基、亚甲基联苯基、亚乙基联苯基、亚甲氧基联苯基和亚乙氧基联苯基组成的组。
例如，Y1至Y6均可以独立地为单键、亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丁基、亚仲丁基、亚苯基或亚联苯基。
在式1中，R1至R4均可以独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、硝基、羟基、羧基、取代的或未取代的C1-C50烷基、取代的或未取代的C2-C50烯基、取代的或未取代的C2-C50炔基、取代的或未取代的C3-C50环烷基、取代的或未取代的C1-C50烷氧基、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，R′和R″均可以独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、硝基、羟基、羧基、取代的或未取代的C1-C50烷基、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，其中，R1、R2、R3、R4、R′和R″中的至少两个相邻的基团可以链接，以形成饱和或不饱和环。
R1、R2、R3、R4、R′和R″均可以独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、苯基、甲基苯基、乙基苯基、邻氟苯基、间氟苯基和对氟苯基、二氯苯基、氰基苯基、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、联苯基、卤代联苯基、氰基联苯基、甲基联苯基、乙基联苯基、甲氧基联苯基和乙氧基联苯基组成的组。
例如，R1、R2、R3、R4、R′和R″均可以独立地为氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、苯基或联苯基。
在式1中，*是从由Ar1、Z和芴基组成的组中选择的一个与桥单元之间的结合位。例如，*可以是式1的Ar1与桥单元之间、Z与桥单元之间或者芴基与桥单元之间的结合位。
由式1表示的一价的芴类官能团可以具有至少一个芴基和一个吩噻嗪基，并可以用于有机发光装置的有机层。
根据作为EML形成材料或空穴传输材料的X′(O、S、SO2或CH2)，吩噻嗪基具有不同的带隙。因此，包括吩噻嗪基的化合物在有机发光装置中展现出优异的电特性，并且包括该化合物的有机发光装置具有优异的亮度和长寿命。另外，在化合物中链接至氨基的咔唑基有效地用于注入和传输空穴，并具有优异的电稳定性。芴基有助于单线态激子的传输。因此，如果在有机发光装置的发射层中使用包括芴基的化合物，则荧光的强度增加，从而提高了亮度。如果包括芴基的化合物用作荧光或磷光掺杂剂的主体材料，则传输到掺杂剂的能量增加，从而提高了亮度。另外，根据R1和R2，芴基在溶剂中具有不同的溶解度，因此可以有效地用在湿工艺中。
例如，树枝状单元可以包括从由式2至式5表示的官能团组成的组中选择的一种。
式2
Figure BSA00000550648900071
式3
Figure BSA00000550648900081
式4
式5
Figure BSA00000550648900083
在式2至式5中，*是与桥单元的结合位。
在树枝状聚合物中，桥单元通过结合位链接至树枝状单元，从而增加代。
桥单元处于二价或三价氧化态，并可以通过结合位链接至相邻的核心单元或树枝状单元。如果连续地连接多个桥单元，则桥单元可以链接至另一桥单元。
桥单元可以是在与包括芴类官能团的树枝状单元的反应期间在不引起副反应的情况下能够链接相邻单元的任何二价或三价链接基团。桥单元可以包括O和S，以提高最终产物的稳定性。
桥单元可以包括从由取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的二价或三价官能团，例如，可以包括含有咔唑基的C3-C50杂芳香烃，其中，至少一个氢原子被氧(O)原子或氮(N)原子取代。
例如，桥单元可以包括从由式6至式9表示的官能团组成的组中选择的一种。
式6  式7
Figure BSA00000550648900091
式8  式9
Figure BSA00000550648900092
在式6至式9中，**是与相邻单元的结合位。**可以是与核心单元、树枝状单元或桥单元的结合位。如果**是与桥单元的结合位，则桥单元彼此连续地链接。
根据实施例的树枝状聚合物在整个球形结构的中心包括核心单元，以连接至桥单元。
核心单元可以处于三价或四价氧化态，并可以通过结合位链接至桥单元。
核心单元可以包括从由取代的或未取代的C1-C50脂族烃、取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的三价或四价官能团，
例如，核心单元可以包括从由式10至式12表示的官能团组成的组中选择的一种。
式10  式11  式12
Figure BSA00000550648900093
在式10至式12中，***是与桥单元的结合位。
包括核心单元、桥单元和树枝状单元的树枝状聚合物的数均分子量可以为大约1,000至大约300,000。
树枝状聚合物的支化度是指树枝状单元和核心单元的总数量与核心单元、桥单元和树枝状单元的总数量之比。例如，如果支化度为0，则树枝状聚合物是仅具有桥单元而没有核心单元和树枝状单元的直链分子。如果支化度为1，则桥单元不存在，因此，树枝状单元也不存在。可以基于核心单元、桥单元和树枝状单元的核磁共振(NMR)光谱的峰的积分值的比来计算支化度。树枝状聚合物的支化度可根据反应温度、反应时间、溶剂等而改变。
树枝状聚合物还可以包括选自于由取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组的表面单元。
例如，树枝状聚合物还可以包括连接至由下式18表示的芴类官能团的表面单元：
式18
Figure BSA00000550648900101
在式18中，Z选自于由单键、
Figure BSA00000550648900102
Figure BSA00000550648900103
组成的组，Ar1、Ar2、X1、X2、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、R1、R2、R3、R4、R′和R″如上面参照式1所述。在这方面，*和****中的一个是与桥单元的结合位，另一个是与表面单元的结合位。
表面单元，即，独立地连接至树枝状单元且位于树枝状单元的端部(表面)处的单元，表面单元可以选自于由取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组。
例如，表面单元可以为苯基、卤代苯基、氰基苯基、联苯基、二甲基芴基、咔唑基或二苯基咔唑基。
包括核心单元、桥单元和含有由式1表示的官能团的树枝状单元的树枝状聚合物可以是树枝状聚合物1至5。然而，树枝状聚合物不限于下式。
树枝状聚合物1
Figure BSA00000550648900111
树枝状聚合物2
Figure BSA00000550648900112
树枝状聚合物3
Figure BSA00000550648900121
树枝状聚合物4
树枝状聚合物5
这里使用的未取代的C1-C50烷基可以是直链或支链基团。未取代的C1-C50烷基的示例包括、但不限于：甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、辛基、壬基和十二烷基。C1-C50烷基的至少一个氢原子可以被氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、脒基、硝基、羟基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C5-C20芳基、C3-C20杂芳基、-N(Q1)(Q2)或-Si(Q3)(Q4)(Q5)。这里，Q1至Q5均可以独立地为氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、脒基、硝基、羟基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C5-C20芳基或C3-C20杂芳基。
这里使用的未取代的C2-C50烯基是指在未取代的C2-C50烷基的中心或在端部具有至少一个碳碳双键的烃链。未取代的C2-C50烯基的示例包括乙烯基、丙烯基、丁烯基等。未取代的C2-C50烯基中的至少一个氢原子可以被结合取代的C1-C50烷基描述的取代基取代。
这里使用的未取代的C2-C50炔基是指在以上定义的C2-C50烷基的中心或在端部具有至少一个碳碳三键的烃链。未取代的C2-C20炔基的示例包括乙炔基、丙炔基、苯乙炔基、萘乙炔基、异丙基乙炔基、叔丁基乙炔基和二苯基乙炔。未取代的C2-C20炔基中的至少一个氢原子可以被上面结合C1-C50烷基描述的取代基取代。
这里使用的未取代的C3-C50环烷基是指C3-C50环烷基，其中，C3-C50环烷基中的至少一个氢原子可以被上面结合C1-C50烷基描述的取代基取代。
这里使用的未取代的C1-C50烷氧基是具有-OA结构的基团，其中，A是如上描述的未取代的C1-C50烷基。未取代的C1-C50烷氧基的示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基和戊氧基。C1-C50烷氧基的至少一个氢原子可以被上面结合C1-C50烷基描述的相同取代基取代。
这里使用的未取代的C5-C50芳基是指含有至少一个环的碳环芳香体系。至少两个环可以彼此稠合，或可以通过单键彼此链接。术语“芳基”是指芳香体系，例如苯基、萘基或蒽基。C5-C50芳基中的至少一个氢原子可以被上面结合C1-C50烷基描述的取代基取代。取代的或未取代的C5-C50芳基的示例包括、但不限于：苯基、C1-C10烷基苯基(例如，乙基苯基)、卤代苯基(例如，邻氟苯基、间氟苯基和对氟苯基、二氯苯基)、氰基苯基、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、联苯基、卤代联苯基、氰基联苯基、C1-C10烷基联苯基、C1-C10烷氧基联苯基、邻甲苯基、间甲苯基和对甲苯基、邻异丙苯基、间异丙苯基和对异丙苯基、莱基、苯氧基苯基、(α，α-二甲基苯)苯基、(N，N′-二甲基)氨基苯基、(N，N′-二苯基)氨基苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、卤代萘基(例如，氟代萘基)、C1-C10烷基萘基(例如，甲基萘基)、C1-C10烷氧基萘基(例如，甲氧基萘基)、氰基萘基、蒽基、薁基、庚搭烯基、苊基、周萘基(phenalenyl group)、芴基、蒽醌基、甲基蒽基、菲基、苯并[9，10]菲基、芘基、
Figure BSA00000550648900141
基、乙基-
Figure BSA00000550648900142
基、苉基、苝基、氯代苝基、戊芬基、并五苯基、四邻亚苯基、六苯基、并六苯基、玉红省基(rubicenyl group)、蒄基、联三萘基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基(pyranthrenyl group)和卵苯基。
这里使用的未取代的C3-C50杂芳基包括从N、O、P和S中选择的一个、两个、三个或更多个杂原子。至少两个环可以彼此稠合，或可以通过单键彼此链接。未取代的C3-C50杂芳基的示例可以包括吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、吲哚基、喹啉基和异喹啉基。C3-C50杂芳基中的至少一个氢原子可以被上面结合C1-C50烷基描述的取代基取代。
未取代的C1-C50脂族烃官能团可以是直链或支链C1-C50烷基。未取代的C1-C50脂族烃的示例包括、但不限于：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基和十二烷基。C1-C50脂族烃官能团的至少一个氢原子可以被氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、脒基、硝基、羟基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C2-C30烯基和C2-C30炔基取代。
这里使用的未取代的C5-C50芳香烃官能团与C5-C50芳基相同，并可以被上面结合C1-C50烷基描述的取代基取代。
这里使用的未取代的C3-C50杂芳香烃官能团与C3-C50杂芳基相同，并可以被上面结合C1-C50烷基描述的取代基取代。
在整个说明书中，通过链接至少两个相邻的取代基所形成的饱和环或不饱和环是指包括通过至少一个芳香环和/或至少一个非芳香环的稠合所形成的至少两个环的取代基。该取代基的示例包括上面结合芳基或杂芳基描述的一些取代基。
根据另一实施例的有机发光装置包括：第一电极；第二电极，设置为与第一电极相对；有机层，位于第一电极和第二电极之间，其中，有机层包括如上所述的含有由式1表示的树枝状单元的树枝状聚合物。
在下文中，将描述根据实施例的包括树枝状聚合物的有机发光装置。
图1是根据实施例的有机发光装置的结构的示图。
首先，在基底上沉积或溅射具有高逸出功的阳极形成材料，以形成阳极。基底可以是传统上在有机发光装置中使用的基底，并可以包括例如玻璃基底或透明塑料基底，该玻璃基底或透明塑料基底具有良好的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整性、处理便利性和耐水性。阳极形成材料可以是透明的且高导电的ITO、IZO、SnO2或ZnO。
然后，通过使用真空沉积、旋涂、浇铸或Langmuir-Blodgett(LB)方法在阳极上形成空穴注入层(HIL)。然而，当使用真空沉积形成HIL时，HIL可以是均匀的，并可以抑制出现针孔。当通过真空沉积形成HIL时，沉积条件可根据用于形成HIL的化合物并根据将要形成的HIL的结构和热性能而改变。然而，通常用于真空沉积的条件可以包括范围为大约50℃至大约500℃的沉积温度、范围为大约10-8托至大约10-3托的压力、范围为大约
Figure BSA00000550648900151
/秒至大约
Figure BSA00000550648900152
/秒的沉积速度和范围为大约
Figure BSA00000550648900153
至大约5μm的层厚。用于形成HIL的材料可以是任何已知的空穴注入材料，例如在第4,356,429号美国专利中公开的酞菁化合物(例如铜酞菁)或在Advanced Material(先进材料)(第6期，第677页(1994))中公开的星型胺衍生物(例如，TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB)。
可以通过使用真空沉积、旋涂、浇铸或LB方法在HIL上形成空穴传输层(HTL)。然而，当使用真空沉积形成HTL时，HTL可以是均匀的，并可以抑制出现针孔。当使用真空沉积形成HTL时，虽然沉积和涂覆条件可以根据用于形成HTL的材料而改变，但是沉积条件可以与用于形成HIL的沉积条件类似。用于形成HTL的材料可以是任何已知的空穴传输材料，例如含有由式1表示的树枝状单元的树枝状聚合物化合物。HTL形成材料的示例包括、但不限于：咔唑衍生物，例如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑；具有芳香缩合环的胺衍生物，例如N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯基]-4，4’-二胺(TPD)和N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(α-NPD)。HTL的厚度可以为大约
Figure BSA00000550648900161
至大约例如大约
Figure BSA00000550648900163
至大约
Figure BSA00000550648900164
当HTL的厚度在以上范围内时，HTL可以具有优异的空穴传输特性，而不会显著增大驱动电压。
可以通过使用真空沉积、旋涂、浇铸或LB沉积在HTL上形成发射层(EML)。然而，当使用真空沉积形成EML时，EML可以是均匀的，并可以抑制出现针孔。当使用真空沉积形成EML时，虽然沉积条件可以根据用于形成EML的材料而改变，但是沉积条件可以与用于形成HIL的沉积条件类似。作为EML形成材料，含有由式1表示的树枝状单元的树枝状聚合物化合物可以单独使用或作为主体，但是EML形成材料不限于此。
如果含有由式1表示的树枝状单元的树枝状聚合物化合物用作发射主体，则可以使用树枝状聚合物化合物与磷光掺杂剂或荧光掺杂剂作为EML。在这方面，荧光掺杂剂可以是购自于Idemitsu的IDE102或IDE105。绿色磷光掺杂剂的示例可以包括、但不限于：Ir(ppy)3(其中，“ppy”表示苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3和C545T。蓝色磷光掺杂剂的示例包括、但不限于：F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴、4，4’-二(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)和2，5，8，11-四叔丁基苝(TBPe)。红色磷光掺杂剂的示例可以包括、但不限于：八乙基卟啉铂(II)(PtOEP)、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、DCJTB和由UDC生产的RD61。
Figure BSA00000550648900171
掺杂剂的掺杂浓度不受具体限制。基于100重量份的主体，掺杂剂的含量可以为大约0.01重量份至大约15重量份。如果掺杂剂的含量在以上范围内，则EML可以具有优异的发光特性，并可以基本上防止浓度猝灭。当EML包括磷光掺杂剂时，还可以在EML上沉积或旋涂空穴阻挡材料，以防止三线态激子或空穴扩散到电子传输层(ETL)中。在这种情况下，空穴阻挡材料可以是在本领域中通常使用的任何已知材料，而不受限制。例如，空穴阻挡材料可以包括噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、在日本特开平11-329734(A1)(通过引用将其内容并入本文)中公开的空穴阻挡材料和例如由下式表示的Balq以及菲咯啉(例如，由UDC生产的BCP)。
Figure BSA00000550648900181
EML的厚度可以为大约
Figure BSA00000550648900182
至大约
Figure BSA00000550648900183
例如大约
Figure BSA00000550648900184
至大约
Figure BSA00000550648900185
当EML的厚度在这些范围内时，EML可以具有优异的发光性能，而不会显著增大驱动电压。
可选地，当EML含有磷光掺杂剂时，出于将空穴阻挡材料加入到EML的相同目的，可以在EML上形成含有空穴阻挡材料的HBL(在图1中未示出)，以防止三线态激子或空穴扩散到ETL中。
可以通过使用真空沉积、旋涂、浇铸等(例如，真空沉积)在EML上形成ETL。ETL形成材料可以是能够稳定地传输从电子注入电极(阴极)注入的电子的任何材料，例如喹啉衍生物，具体地为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。另外，可以使用允许电子容易地从阴极注入的任何材料在ETL上形成电子注入层(EIL)。EIL可以包括LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO等。ETL的厚度可以在大约
Figure BSA00000550648900186
至大约
Figure BSA00000550648900187
的范围内，例如在大约
Figure BSA00000550648900188
至大约
Figure BSA00000550648900189
的范围内。当ETL的厚度在以上范围内时，ETL可以具有优异的电子传输特性，而不会显著增大驱动电压。
虽然沉积条件可以根据用于形成HBL、ETL和EIL的材料而改变，但是用于形成HBL、ETL和EIL的沉积条件与用于形成HIL的沉积条件类似。
最后，通过使用真空沉积或溅射在EIL上形成阴极形成金属，以形成阴极。阴极形成材料的示例包括金属、合金和导电化合物以及它们的混合物。这种材料的示例包括锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)。另外，可以使用包括ITO或IZO的透明阴极来制造顶部发射发光装置。
根据实施例，有机发光装置可以具有图1的结构，在该结构中，阳极、HIL、HTL、EML、ETL、EIL和阴极依次堆叠。然而，有机发光装置可以具有各种结构中的任何结构。例如，如果需要，则有机发光装置还可以包括一个或两个中间层。HIL、EIL和HBL不是必需的，但是可以提高发射效率。
在下文中，将参照下面的合成示例和示例更充分地描述包括由式1表示的芴类官能团且具有至少一个芴基和一个吩噻嗪基作为侧链的树枝状聚合物。然而，下面的示例仅用于举例说明的目的，并不旨在限制实施例的范围。树枝状聚合物具有优异的发射和空穴传输能力，并可以用作蓝色发射材料、绿色和红色磷光主体材料、绿色和红色荧光主体材料以及空穴传输材料。
合成示例1
树枝状聚合物2的合成
Figure BSA00000550648900191
在氮气氛中，将包括18.3g(100.0mmol)10H-吩噁嗪、21.6g(200.0mmol)溴代乙烷、12.0g(120.0mmol)Et3N和600mL THF的混合物在60℃搅拌12小时。将200mL水加入到反应混合物，并使用500mL乙酸乙酯使反应混合物经历两次萃取。将有机层干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行分离，从而获得18.2g浅黄色液体形式的化合物C-1，产率为86％。使用高分辨率质谱(HR-MS)来识别化合物C-1的结构。(计算的：211.0997，发现的：211.0986)
将400mL乙酸加入到包括21.1g(100.0mmol)化合物C-1、13.4g(50.3mmol)碘和2.2g(10.0mmol)高碘酸的混合物，并将混合物在80℃保持4小时。将500mL冷水加入到反应混合物，并搅拌并过滤反应混合物。使用冷水将通过过滤获得的固相清洗若干次。然后，将固相溶于400mL乙醚中，干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行分离，从而获得25.2g淡黄色固体形式的化合物C-2，产率为75.1％。使用HR-MS来识别化合物C-2的结构。(计算的：33.9964，发现的：336.9952)
将100mL甲苯加入到包括10.1g(30.0mmol)化合物C-2、10.1g(39.0mmol)和化合物C-3、4.3g(45.0mmol)NaOtBu、1.4g(1.5mmol)Pd2(dba)3和0.30g(1.5mmol)PtBu3的混合物，然后将混合物在氮气氛中在90℃保持6小时。将反应混合物冷却至室温，进一步将30mL水加入到反应混合物，并使用200mL二氯甲烷使反应混合物经历两次萃取。将有机层干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行分离，从而获得8.38g浅黄色固体形式的化合物C-4，产率为62％。使用HR-MS来识别化合物C-4的结构。(计算的：467.1998，发现的：467.1987)
将100mL甲苯加入到包括14.0g(30.0mmol)化合物C-4、15.6g(39.0mmol)化合物C-5、4.3g(45.0mmol)NaOtBu、1.4g(1.5mmol)Pd2(dba)3和0.30g(1.5mmol)PtBu3的混合物，然后将混合物在氮气氛中在90℃保持6小时。将反应混合物冷却至室温，进一步将30mL水加入到反应混合物，并使用200mL二氯甲烷使反应混合物经历两次萃取。将有机层干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行分离，从而获得17.1g浅黄色固体形式的化合物C-6，产率为77％。使用HR-MS来识别化合物C-6的结构。(计算的：737.2042，发现的：737.2032)
将100mL甲苯加入到包括22.1g(30.0mmol)化合物C-6、9.1g(36.0mmol)联硼酸频哪醇酯(bis(pinacolato)diboron)、1.2g(0.05摩尔％)Pd(dppf)Cl2和3.5g(36.0mmol)KOtBu的混合物，然后将混合物在氮气氛中在90℃保持6小时。将反应混合物冷却至室温，进一步将50mL水加入到反应混合物，并使用300mL二氯甲烷使反应混合物经历两次萃取。将有机层干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行分离，从而获得13.2g浅黄色固体形式的化合物C-7，产率为56％。使用HR-MS来识别化合物C-7的结构。(计算的：785.3789，发现的：785.3774)
将100mL四氢呋喃(THF)加入到包括1.56g(30mmol)化合物C-8、12.7g(14.0mmol)化合物C-7、0.69g(5摩尔％)Pd(PPh3)4、4.8g(120mmol)NaOH和30mL水的混合物，然后将混合物在氮气氛中在70℃保持36小时。将反应混合物冷却至室温，进一步将50mL水加入到反应混合物，并使用300mL二氯甲烷使反应混合物经历两次萃取。将有机层干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行再结晶，从而获得2.97g浅黄色固体形式的树枝状聚合物2，产率为35％。使用核磁共振(NMR)谱来识别树枝状聚合物2的结构。1H-NMR(CDCl3，400MHz)δ(ppm)；1.24(t，18H)，1.87(s，36H)，3.32(q，12H)，6.87-7.96(m，162H)。
合成示例2
树枝状聚合物3的合成
按照与树枝状聚合物2的合成方式相同的方式，使用3.9g(5.0mmol)化合物C-7和0.54g(1.0mmol)化合物C-9来合成浅黄色固体形式的树枝状聚合物3。使用NMR谱来识别树枝状聚合物3的结构。1H-NMR(CDCl3，400MHz)δ(ppm)；1.28(t，9H)，1.77(s，18H)，3.23(q，6H)，6.87-7.96(m，90H)。
合成示例3
树枝状聚合物4的合成
Figure BSA00000550648900212
Figure BSA00000550648900221
树枝状聚合物4
在-30℃将包括11.2mL(32.0g，220mmol)溴和80mL CH2Cl2的溶液加入到包括16.7g(100.0mmol)咔唑和300mL CH2Cl2的溶液，历时30分钟，并将混合物在0℃搅拌5小时。将200mL 10％NaHCO3水溶液加入到反应混合物，并使用300mL二氯甲烷使反应混合物经历两次萃取。将有机层干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行分离，从而获得21.2g白色固体形式的化合物C-9，产率为65％。使用HR-MS来识别化合物C-9的结构。(计算的：322.8945，发现的：322.8945)
将包括16.5g(50.0mmol)化合物C-9、44.0g(200.0mmol)4-碘苯酚、0.48g(0.05摩尔％)CuI、0.66g(0.05摩尔％)18-C-6(产品名称)和400mLDMF的混合物在130℃搅拌12小时。
将反应混合物冷却至室温，进一步将400mL二氯甲烷加入到反应混合物，并使用500mL水将反应混合物清洗三次。将有机层干燥、过滤、浓缩，然后使用柱色谱进行分离，从而获得12.1g浅黄色固体形式的化合物C-10，产率为58％。使用HR-MS来识别化合物C-10的结构。(计算的：414.9270，发现的：414.9270)
按照与化合物C-4的合成方式相同的方式，使用20.9g(100.0mmol)化合物C-11和33.7g(100.0mmol)化合物C-2来合成32.6g浅黄色固体形式的化合物C-12，产率为78％。使用HR-MS来识别化合物C-12的结构。(计算的：418.2045，发现的：418.2032)
按照与化合物C-6的合成方式相同的方式，使用8.4g(20.0mmol)化合物C-10和18.4g(44.0mmol)化合物C-12来合成13.5g浅黄色固体形式的化合物C-13，产率为62％。使用HR-MS来识别化合物C-13的结构。(计算的：1091.4774，发现的：1091.4762)
将80mL THF加入到包括10.9g(10.0mmol)化合物C-13、770mg(2.0mmol)四溴化季戊四醇和480mg(20.0mmol)95％NaH的混合物，并将混合物在室温下搅拌1小时，并在50℃保持6小时。将反应混合物冷却至室温，进一步将30mL水加入到反应混合物，并使用100mL二氯甲烷使反应混合物经历两次萃取。将有机层干燥、过滤、浓缩，使用柱色谱进行分离，并进行再结晶，从而获得3.20g浅黄色固体形式的树枝状聚合物4，产率为46％。使用NMR谱来识别树枝状聚合物4的结构。1H-NMR(CDCl3，400MHz)δ(ppm)；1.15(t，24H)，1.82(s，48H)，3.22(q，16H)，3.45(s，8H)，6.47-7.88(m，152H)。
合成示例4
Figure BSA00000550648900231
按照与树枝状聚合物4的合成方式相同的方式，使用5.5g(5.0mmol)化合物C-13和0.35g(1.0mmol)化合物C-14来合成浅黄色固体形式的树枝状聚合物5，产率为55％。使用NMR谱来识别树枝状聚合物5的结构。1H-NMR(CDCl3，400MHz)δ(ppm)；1.18(t，18H)，1.82(s，36H)，3.33(q，12H)，5.53(s，6H)，6.87-7.96(m，117H)。
示例1
为了制造阳极，将Corning 15Ω/cm2
Figure BSA00000550648900232
ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，然后在异丙醇和纯水中分别将玻璃基底超声波处理5分钟，然后照射紫外(UV)射线30分钟并暴露于臭氧来进行清洗。将得到的玻璃基底安装到真空沉积设备中。
在基底上通过旋涂PEDOT/PSS水溶液(由H.C.Starck生产)至40nm的厚度来形成HIL。然后，在HIL上通过旋涂树枝状聚合物2至80nm的厚度来形成HTL。然后，在HTL上以98∶2的重量比同时沉积绿色荧光主体(Alq3)和绿色荧光掺杂剂(C545T)，从而形成厚度为大约
Figure BSA00000550648900233
的EML。
然后，在EML上沉积Alq3，从而形成厚度为大约
Figure BSA00000550648900234
的ETL，然后在ETL上沉积LiF(其为卤代碱金属)，从而形成厚度为大约的EIL。然后，在EIL上真空沉积Al至大约
Figure BSA00000550648900236
的厚度，从而形成LiF/Al电极(阴极)，由此完成有机发光装置的制造。
该有机发光装置在50mA/cm2的电流密度下具有5.23V的驱动电压、8,774cd/m2的高亮度、(0.315，0.682)的色坐标和17.11cd/A的发光效率。
示例2
除了代替树枝状聚合物2而使用树枝状聚合物3来形成HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。
该有机发光装置在50mA/cm2的电流密度下具有5.67V的驱动电压、8,445cd/m2的高亮度、(0.310，0.643)的色坐标和16.89cd/A的发光效率。
示例3
除了代替树枝状聚合物2而使用树枝状聚合物4来形成HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。
该有机发光装置在50mA/cm2的电流密度下具有5.52V的驱动电压、8,623cd/m2的高亮度、(0.301，0.665)的色坐标和17.24cd/A的发光效率。
示例4
除了代替树枝状聚合物2而使用树枝状聚合物5来形成HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。
该有机发光装置在50mA/cm2的电流密度下具有5.24V的驱动电压、8,551cd/m2的高亮度、(0.301，0.663)的色坐标和17.10cd/A的发光效率。
示例5
在HIL(PEDOT/PSS)上以98∶2的重量比同时旋涂树枝状聚合物2和绿色荧光掺杂剂(C545T)来代替HTL，以形成厚度为30nm的EML。然后，在EML上沉积Alq3，以形成厚度为大约的ETL，然后在ETL上沉积LiF(其为卤代碱金属)，以形成厚度为大约
Figure BSA00000550648900242
的EIL。然后，在EIL上真空沉积Al至大约的厚度，从而形成LiF/Al电极(阴极)，由此完成有机发光装置的制造。
该有机发光装置在50mA/cm2的电流密度下具有6.25V的驱动电压、7,725cd/m2的高亮度、(0.320，0.643)的色坐标和15.45cd/A的发光效率。
对比示例1
除了未形成HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。
该有机发光装置在50mA/cm2的电流密度下具有7.55V的驱动电压、6,002cd/m2的高亮度、(0.319，0.652)的色坐标和12.0cd/A的发光效率。
在下面的表1中示出了有机发光装置的诸如色坐标、亮度和发光效率的特性。
表1
Figure BSA00000550648900251
根据示例1至示例5制造的有机发光装置的驱动电压比根据对比示例1制造的有机发光装置的驱动电压低1V以上，并且根据示例1至示例5制造的有机发光装置显示出具有高发光效率的优异的I-V-L特性。具体地说，根据示例1至示例4制造的有机发光装置的寿命比根据对比示例1制造的有机发光装置的寿命长100％以上。另外，如果在有机发光装置中使用树枝状聚合物化合物来形成EML，则有机发光装置具有低驱动电压和高发射效率，但是寿命未改变。
因为根据实施例的树枝状聚合物具有高的电稳定性、优异的电荷传输能力和高发射能力，所以其可以溶于有机溶剂中，以形成有机发光装置的HIL或HTL。
根据另一实施例，使用树枝状聚合物制造的有机发光装置具有高发射效率和优异的亮度。
虽然已经参照当前实施例的示例实施例具体示出并描述了当前实施例，但本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由权利要求书限定的当前实施例的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节方面的各种改变。

Claims (21)

1.一种树枝状聚合物，所述树枝状聚合物包括核心单元、桥单元和树枝状单元，其中，所述核心单元包括从由取代的或未取代的C1-C50脂族烃、取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的三价或四价官能团，
其中，所述桥单元包括从由取代的或未取代的C5-C50芳香烃和取代的或未取代的C3-C50杂芳香烃组成的组中选择的二价或三价官能团，以及
其中，所述树枝状单元包括由下式1表示的一价的芴类官能团：
式1
Figure FSA00000550648800011
其中，Z选自于由单键、
Figure FSA00000550648800012
Figure FSA00000550648800013
组成的组，
Ar1和Ar2均独立地选自于由单键、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，
X1和X2均独立地选自于由氮、硼和磷组成的组，X′选自于由氧、硫、SO2和CH2组成的组，
Y1、Y2、Y3、Y4、Y5和Y6均独立地选自于由单键、取代的或未取代的C1-C50亚烷基、取代的或未取代的C2-C50亚烯基、取代的或未取代的C2-C50亚炔基、取代的或未取代的C3-C50亚环烷基、取代的或未取代的C1-C50亚烷氧基、取代的或未取代的C5-C50亚芳基和取代的或未取代的C3-C50亚杂芳基组成的组，
R1、R2、R3和R4均独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、硝基、羟基、羧基、取代的或未取代的C1-C50烷基、取代的或未取代的C2-C50烯基、取代的或未取代的C2-C50炔基、取代的或未取代的C3-C50环烷基、取代的或未取代的C1-C50烷氧基、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，R′和R″均独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、硝基、羟基、羧基、取代的或未取代的C1-C50烷基、取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组，以及
*是从由Ar1、Z和芴基组成的组中选择的一个与所述桥单元之间的结合位。
2.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，Ar1和Ar2均独立地选自于由单键、苯基、卤代亚苯基、氰基亚苯基、苯氧基苯基、C1-C15烷基苯基、二(C1-C15烷基)苯基、C1-C15烷氧基苯基、二(C1-C15烷氧基)苯基、C5-C15芳基苯基、二(C5-C15芳基)苯基、萘基、卤代萘基、氰基萘基、苯氧基萘基、C1-C15烷基萘基、二(C1-C15烷基)萘基、C1-C15烷氧基萘基、二(C1-C15烷氧基)萘基、C5-C15芳基萘基、二(C5-C15芳基)萘基、蒽基、卤代蒽基、氰基蒽基、苯氧基蒽基、C1-C15烷基蒽基、二(C1-C15烷基)蒽基、C1-C15烷氧基蒽基、二(C1-C15烷氧基)蒽基、C5-C15芳基蒽基、二(C5-C15芳基)蒽基、菲基、卤代菲基、氰基菲基、苯氧基菲基、C1-C15烷基菲基、二(C1-C15烷基)菲基、C1-C15烷氧基菲基、二(C1-C15烷氧基)菲基、C5-C15芳基菲基、二(C5-C15芳基)菲基、芴基、卤代芴基、氰基芴基、苯氧基芴基、C1-C15烷基芴基、二(C1-C15烷基)芴基、C1-C15烷氧基芴基、二(C1-C15烷氧基)芴基、C5-C15芳基芴基、二(C5-C15芳基)芴基、吡啶基、卤代吡啶基、氰基吡啶基、苯氧基吡啶基、C1-C15烷基吡啶基、二(C1-C15烷基)吡啶基、C1-C15烷氧基吡啶基、二(C1-C15烷氧基)吡啶基、C5-C15芳基吡啶基、二(C5-C15芳基)吡啶基、芘基、卤代芘基、氰基芘基、苯氧基芘基、C1-C15烷基芘基、二(C1-C15烷基)芘基、C1-C15烷氧基芘基、二(C1-C15烷氧基)芘基、C5-C15芳基芘基、二(C5-C15芳基)芘基、菲咯啉基、卤代菲咯啉基、氰基菲咯啉基、苯氧基菲咯啉基、C1-C15烷基菲咯啉基、二(C1-C15烷基)菲咯啉基、C1-C15烷氧基菲咯啉基、二(C1-C15烷氧基)菲咯啉基、C5-C15芳基菲咯啉基、二(C5-C15芳基)菲咯啉基、喹啉基、卤代喹啉基、氰基喹啉基、苯氧基喹啉基、C1-C15烷基喹啉基、二(C1-C15烷基)喹啉基、C1-C15烷氧基喹啉基、二(C1-C15烷氧基)喹啉基、C5-C15芳基喹啉基、二(C5-C15芳基)喹啉基、咔唑基、卤代咔唑基、氰基咔唑基、苯氧基咔唑基、C1-C15烷基咔唑基、二(C1-C15烷基)咔唑基、C1-C15烷氧基咔唑基、二(C1-C15烷氧基)咔唑基、C5-C15芳基咔唑基和二(C5-C15芳基)咔唑基组成的组。
3.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，Ar1和Ar2均独立地选自于由单键、苯基、卤代亚苯基、氰基亚苯基、联苯基、二甲基芴基、咔唑基和二苯基咔唑基组成的组。
4.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，X1和X2为氮。
5.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，Y1、Y2、Y3、Y4、Y5和Y6均独立地选自于由单键、亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丁基、亚仲丁基、亚苯基、亚甲基苯基、亚乙基苯基、亚邻氟苯基、亚间氟苯基和亚对氟苯基、亚二氯苯基、亚氰基苯基、亚二氰基苯基、亚三氟甲氧基苯基、亚联苯基、亚卤代联苯基、亚氰基联苯基、亚甲基联苯基、亚乙基联苯基、亚甲氧基联苯基和亚乙氧基联苯基组成的组。
6.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，Y1、Y2、Y3、Y4、Y5和Y6均独立地选自于由单键、亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丁基、亚仲丁基、亚苯基和亚联苯基组成的组。
7.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，R1、R2、R3、R4、R′和R″均独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、苯基、甲基苯基、乙基苯基、邻氟苯基、间氟苯基和对氟苯基、二氯苯基、氰基苯基、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、联苯基、卤代联苯基、氰基联苯基、甲基联苯基、乙基联苯基、甲氧基联苯基和乙氧基联苯基组成的组。
8.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，R1、R2、R3、R4、R′和R″均独立地选自于由氢原子、氘、氚、卤素原子、氰基、氨基、甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、苯基和联苯基组成的组。
9.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，芴类官能团选自于由下面的式2至式5表示的官能团组成的组：
式2
Figure FSA00000550648800041
式3
Figure FSA00000550648800042
式4
式5
Figure FSA00000550648800044
其中，*是与所述桥单元的结合位。
10.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，所述桥单元包括从由下面的式6至式9表示的官能团组成的组中选择的官能团：
式6  式7
Figure FSA00000550648800051
式8  式9
其中，**是与相邻单元的结合位。
11.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，所述核心单元包括从由下面的式10至式12表示的官能团组成的组中选择的官能团：
式10  式11  式12
Figure FSA00000550648800053
其中，***是与所述桥单元的结合位。
12.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，所述树枝状聚合物的数均分子量为1,000至300,000。
13.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，所述树枝状聚合物还在所述树枝状单元的端部包括表面单元，所述表面单元选自于由取代的或未取代的C5-C50芳基和取代的或未取代的C3-C50杂芳基组成的组。
14.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，所述树枝状聚合物选自于由树枝状聚合物1至5表示的化合物组成的组，并具有1,000至30,000的数均分子量：
树枝状聚合物1
Figure FSA00000550648800061
树枝状聚合物2
Figure FSA00000550648800062
树枝状聚合物3
Figure FSA00000550648800071
树枝状聚合物4
Figure FSA00000550648800072
树枝状聚合物5
Figure FSA00000550648800081
15.根据权利要求1所述的树枝状聚合物，其中，R1、R2、R3、R4、R′和R″中的至少两个相邻的基团链接，以形成饱和或不饱和环。
16.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括一对电极和设置在所述一对电极之间的有机层，其中，所述有机层包括根据权利要求1所述的树枝状聚合物。
17.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括一对电极和设置在所述一对电极之间的有机层，其中，所述有机层包括根据权利要求9所述的树枝状聚合物。
18.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括一对电极和设置在所述一对电极之间的有机层，其中，所述有机层包括根据权利要求14所述的树枝状聚合物。
19.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，所述有机层包括从由发射层、空穴注入层和空穴传输层组成的组中选择的至少一种。
20.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，所述有机层包括发射层。
21.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，所述树枝状聚合物用作绿色掺杂剂或红色掺杂剂的主体。
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