CN103650137A - 功率半导体模块 - Google Patents

功率半导体模块 Download PDF

Info

Publication number
CN103650137A
CN103650137A CN201280034222.4A CN201280034222A CN103650137A CN 103650137 A CN103650137 A CN 103650137A CN 201280034222 A CN201280034222 A CN 201280034222A CN 103650137 A CN103650137 A CN 103650137A
Authority
CN
China
Prior art keywords
processed
power semiconductor
diode element
sic
switch element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280034222.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103650137B (zh
Inventor
三木隆义
中山靖
大井健史
多田和弘
井高志织
长谷川滋
小林知宏
中岛幸夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN103650137A publication Critical patent/CN103650137A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103650137B publication Critical patent/CN103650137B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/4917—Crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。

Description

功率半导体模块
技术领域
本发明涉及内置了开关元件和针对开关元件逆并联地连接的二极管元件的功率半导体模块。
背景技术
内置了开关元件和针对开关元件逆并联地连接的二极管元件的功率半导体模块在进行直流-交流、直流-直流等变换的功率变换器等中广泛使用。以往，在开关元件、二极管元件中，使用了Si（硅）半导体，但最近，应用以SiC（碳化硅）半导体为代表的宽能带隙半导体的开发得到了发展。SiC半导体相比于Si半导体，具有低损耗、可高温动作、高耐压这样的特征，通过使用SiC半导体，能够实现功率半导体模块的小型化、低损耗化，并且，能够实现在功率半导体模块中安装的冷却器的小型化、使用了功率半导体模块的功率变换器的高效化。
通过在开关元件以及二极管元件这双方中使用SiC半导体，上述那样的效果变大。但是，开关元件相比于二极管元件其构造更复杂，所以关于在开关元件中使用SiC半导体，还残留制造上的课题。因此，提出了如下半导体模块：在开关元件中使用Si半导体，仅在二极管元件中使用SiC半导体，在相同的基础板上配置了Si制开关元件以及SiC制二极管元件（参照例如专利文献1）。
专利文献1：日本特开2004-95670号公报（第10-11页、第8图）
发明内容
SiC半导体相比于Si半导体，具有低损耗、可高温动作、高耐压这样的特征，近年来，虽然SiC半导体制造技术的研究开发稳步发展，但仍为发展中途的阶段。在已经广泛普及并积极进行了研究开发的Si半导体中，以适合于商用的低成本，大量生产了超过10mm见方的大面积的开关元件、二极管元件的芯片。另一方面，在SiC半导体中，超过10mm见方的大面积的开关元件、二极管元件的芯片的成品率恶化，所以成本高，不适合于大量生产。因此，在相同的功率半导体模块内配置Si制开关元件和SiC制二极管元件的情况下，需要在考虑了相比于Si制开关元件的芯片总面积，减小SiC制二极管元件的芯片总面积，而使SiC半导体的电流密度变大的设计条件的基础之上，设为热性上最佳的芯片配置、模块构造。
在专利文献1所示的以往的半导体模块中，左右分开配置了Si制开关元件和SiC制二极管元件。Si制开关元件和SiC制二极管元件配置于不同的绝缘基板上，但受到Si制开关元件的热干涉，而在功率半导体模块的中央区域中配置的SiC制二极管元件的温度上升。因此，需要通过SiC制二极管元件的并联数的增加、芯片尺寸的增大，抑制SiC制二极管元件的发热，提高散热性，但其结果，存在SiC制二极管元件的芯片总面积增大，功率半导体模块的制造成本变高这样的问题。
本发明是为了解决上述那样的课题而完成的，得到一种功率半导体模块，在相同的功率半导体模块内配置用Si半导体制作的开关元件和用宽能带隙半导体制作的二极管元件的情况下，抑制用宽能带隙半导体制作的二极管元件的芯片总面积的增大，能够低成本地制造。
本发明的功率半导体模块具备Si半导体元件和宽能带隙半导体元件，Si半导体元件配置于功率半导体模块的中央区域，宽能带隙半导体元件配置于中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
本发明的功率半导体模块具备Si半导体元件和宽能带隙半导体元件，Si半导体元件配置于功率半导体模块的中央区域，宽能带隙半导体元件配置于中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部，所以宽能带隙半导体元件的温度上升被抑制得较低，宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大被抑制，能够低成本地制造。
附图说明
图1是本发明的实施方式1中的功率半导体模块的剖面图。
图2是示出本发明的实施方式1中的功率半导体模块的内部配置的俯视图。
图3是示出本发明的实施方式2中的功率半导体模块的内部配置的俯视图。
图4是示出本发明的实施方式3中的功率半导体模块的内部配置的俯视图。
图5是示出本发明的实施方式4中的功率半导体模块的内部配置的俯视图。
图6是本发明的实施方式5中的功率半导体模块的剖面图。
（符号说明）
1：基础板；2：绝缘基板；3：导体图案；4：Si制开关元件；5：SiC制二极管元件；6、20：导线布线；7、8：主电极；9、10：控制端子；11：壳体；12：绝缘密封材料；13、14：主电极安装点；15、16：控制端子安装点；17：安装孔；18：开关元件用绝缘基板；19：二极管元件用绝缘基板；21：开关元件用基础板；22：二极管元件用基础板；23：绝热性材料；24：高耐热绝缘密封材料；25：低耐热绝缘密封材料；100、200、300、400、500：功率半导体模块。
具体实施方式
实施方式1.
图1是用于实施本发明的实施方式1中的功率半导体模块的剖面图，是将功率半导体模块的剖面简化而示出的图。在图1中，功率半导体模块100具有基础板1、绝缘基板2、导体图案3、用Si半导体制作的Si制开关元件4、用SiC半导体制作的SiC制二极管元件5、导线布线6、主电极7、8、控制端子9、10、壳体11、绝缘密封材料12等，其中SiC半导体是宽能带隙半导体。Si制开关元件4是Si半导体元件，SiC制二极管元件5是宽能带隙半导体元件。
基础板1用于将功率半导体模块100安装到外部的冷却器，在基础板1的一方的面（在图1中下侧）中从外部安装未图示的冷却器。经由基础板1，在功率半导体模块100内部发生的热向外部释放。在基础板1的另一方的面（在图1中上侧）中通过焊料等设置了绝缘基板2。绝缘基板2的一方的面（在图1中下侧）是安装到基础板1的面，但在绝缘基板2的另一方的面（在图1中上侧）中形成了成为电流路径的导体图案3。
在导体图案3上安装了Si制开关元件4和SiC制二极管元件5。Si制开关元件4只要是能够进行ON（接通）/OFF（断开）控制的半导体元件即可，使用例如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等。另外，作为SiC制二极管元件5，使用例如肖特基势垒二极管、PiN（p-intrinsic（本征）-n）二极管等。
Si制开关元件4和SiC制二极管元件5电气地逆并联连接，在作为Si制开关元件4使用例如IGBT的情况下，IGBT的集电极和SiC制二极管元件5的阴极经由导体图案3电连接。对Si制开关元件4以及SiC制二极管元件5设置导线布线6，经由导体图案3以及导线布线6电连接于主电极7、8以及控制端子9、10。主电极7、8与未图示的外部电路连接，构成功率变换器等主电路。从外部电路，对控制端子9、10提供对Si制开关元件4进行ON/OFF控制的控制信号。另外，在图1中，为了易于理解地显示功率半导体模块内的结构，将主电极7、8以及控制端子9、10简化记载。
Si制开关元件4、SiC制二极管元件5等构成功率半导体模块100的部件类收纳于壳体11内。并且，为了保持功率半导体模块100内部的绝缘，在壳体11内填充了绝缘密封材料12。
图2是示出在从图1所示的状态将主电极7、8、控制端子9、10、壳体11、以及绝缘密封材料12拆下了的状态下从上面观察了功率半导体模块100的情况的功率半导体模块的内部配置的俯视图。在图2中，附加了与图1相同的符号的部分相当于相同或者与其相当的部分，这在说明书的全文中是共通的。
图1所示的主电极7与导体图案3上的主电极安装点13连接，主电极8、控制端子9、10分别与主电极安装点14、控制端子安装点15、16连接，经由导体图案3以及导线布线6，与Si制开关元件4、SiC制二极管元件5电连接。另外，在基础板1中设置了安装孔17，利用安装孔17在外部的冷却器等中安装功率半导体模块100。
在功率半导体模块100中分别配置了多个Si制开关元件4、SiC制二极管元件5（在图2中，Si制开关元件4为16个、SiC制二极管元件5为32个）。在图2中，多个Si制开关元件4集中配置于功率半导体模块100的中央区域中。本实施方式中的、中央区域是指，从上面观察功率半导体模块100而将左右分断的带状的区域。多个SiC制二极管元件5分开配置于该中央区域的两侧的区域中（配置于功率半导体模块100的两侧）。即，Si制开关元件4被配置成夹在多个SiC制二极管元件5之间。作为一个例子，在图2中，在功率半导体模块100的两侧各分开配置了16个SiC制二极管元件5，并在其之间配置了16个Si制开关元件4。
一般，在相同的功率半导体模块内装配多个开关元件、二极管元件等半导体元件的情况下，即使假设各半导体元件的损耗相同，在功率半导体模块的中央区域中装配的半导体元件也不易散热，所以温度易于上升。另一方面，在功率半导体模块的两侧或者周边部中装配的半导体元件易于散热，温度不易上升。例如，在功率半导体模块的中央区域中装配了SiC制二极管元件的情况下，SiC制二极管元件的温度易于上升。因此，考虑通过SiC制二极管元件的并联数的增加、芯片尺寸的增大，抑制SiC制二极管元件的发热，提高散热性，但存在由于SiC制二极管元件的芯片总面积的增大而功率半导体模块的制造成本变高这样的问题。
但是，在本实施方式中，SiC制二极管元件5配置于中央区域的两侧，相比于中央区域，散热更容易，温度上升被抑制，所以无需通过SiC制二极管元件5的并联数的增加、芯片尺寸的增大，抑制SiC制二极管元件5的发热。另一方面，Si制开关元件4配置于温度易于上升的中央区域中，但能够通过Si制开关元件4的并联数的增加、芯片尺寸的增大，抑制Si制开关元件4的温度上升。Si制开关元件4能够比SiC制二极管元件5更低成本地制造，所以即使增加Si制开关元件4的芯片总面积，也能够抑制SiC制二极管元件5的芯片总面积的增大，所以能够低成本地制造功率半导体模块。
另外，SiC制二极管元件5具有可高温利用这样的特征，考虑配置于温度易于上升的中央区域而高温利用，但如果高温利用则存在如下那样的恶劣影响。即，存在由于高温的热扩散，处于SiC制二极管元件5的周边的Si制开关元件4等部件、功率半导体模块的周边部件的温度上升，针对热循环的可靠性降低的危险。即使在与Si制开关元件4相同的温度范围内使用SiC制二极管元件5，也能够发挥低损耗、高耐压这样的SiC制二极管元件5的特征。另外，关于绝缘密封材料、焊料等二极管元件周边部件，也能够使用能够在与Si制开关元件4相同的温度范围内使用的部件，针对热循环的可靠性不会损耗。但是，能够在上述高温利用中的恶劣影响不成为问题的范围内高温利用SiC制二极管元件5。即便在此时应用本发明，只要将SiC制二极管元件5配置于中央区域的两侧，则也能够抑制SiC制二极管元件5的芯片总面积的增大，低成本地制造功率半导体模块。
但是，在本实施方式中的功率半导体模块100中，将Si制开关元件4和SiC制二极管元件5配置于相同的基础板1、相同的绝缘基板2上。在将Si制开关元件、SiC制二极管元件分别配置于不同的绝缘基板、基础板上的情况下，具有热干涉的影响被抑制这样的优点。但是，有开关元件的损耗变大的运转条件和二极管元件的损耗变大的运转条件不同的情况。例如，在将功率半导体模块作为逆变器而用于马达驱动的情况下，在从逆变器侧对马达侧供给能量的动力运转中，相比于二极管元件，开关元件的通电时间变长，开关元件的损耗变大，在从马达侧向逆变器侧供给能量的再生运转中，相比于开关元件，二极管元件的通电时间变长，二极管元件的损耗变大。
因此，在相比于Si制开关元件4而SiC制二极管元件5的损耗更大的运转条件中，来自Si制开关元件4的热干涉的影响小，能够使用绝缘基板2、基础板1整体将SiC制二极管元件5的发热进行散热，所以在相同的基础板1、绝缘基板2上配置了Si制开关元件4和SiC制二极管元件5时，功率半导体模块100整体的散热性提高。另外，在相同的基础板1、绝缘基板2上配置了Si制开关元件4和SiC制二极管元件5时，具有部件数减少、布线也容易这样的优点。
本实施方式中的功率半导体模块的结构是一个例子，Si制开关元件4配置于功率半导体模块100的中央区域中，SiC制二极管元件5配置于中央区域的两侧即可，所以在构成功率半导体模块100的其他部件类的配置等中没有特别制约。例如，关于主电极7、8、控制电极9、10与Si制开关元件4、SiC制二极管元件5之间的连接，也是电连接即可，也可以对主电极7、8直接通过导线布线连接、或者设为不使用导线布线而使用了母线的布线。在这样的情况下，有功率半导体模块100内部的Si制开关元件4、SiC制二极管元件5的配置多少变化的可能性，但Si制开关元件4配置于功率半导体模块100的中央区域中，SiC制二极管元件5配置于中央区域的两侧即可。
如以上那样，将用Si半导体制作的Si制开关元件4配置于温度易于上升的功率半导体模块100的中央区域中，将用作为宽能带隙半导体的SiC半导体制作的SiC制二极管元件5配置于温度不易上升的功率半导体模块100的两侧，所以能够提高SiC制二极管元件5的散热性，成本比Si制开关元件4更高的SiC制二极管元件5的芯片总面积的增大被抑制，能够得到能够低成本地制造的功率半导体模块100。
另外，在内置于处理大电流的功率变换装置中的功率半导体模块中，需要根据该功率变换装置处理的大电流增大半导体元件的芯片尺寸、或者增大并联数，但估计包含半导体晶片的缺陷的概率变高，制造时的成品率恶化。制造时的成品率的恶化成为制造成本的上升，所以需要内置了半导体元件的芯片尺寸小、且并联数少的功率半导体模块的功率变换装置。特别是，宽能带隙半导体元件相比于Si半导体元件，晶片缺陷相对多，所以成品率的恶化程度比Si半导体元件相对大，所以即使是耐热温度相对高的宽能带隙半导体元件，通过减小芯片尺寸，每单位面积的发热量也增加。但是，如本实施方式那样，将用Si半导体制作的Si制开关元件4配置于温度易于上升的功率半导体模块100的中央区域中，将用作为宽能带隙半导体的SiC半导体制作的SiC制二极管元件5配置于温度不易上升的功率半导体模块100的两侧，所以能够提高SiC制二极管元件5的散热性，能够减小宽能带隙半导体元件的芯片尺寸。
另外，在本实施方式中，说明了将Si制开关元件4配置于功率半导体模块100的中央区域中，将SiC制二极管元件5配置于功率半导体模块100的两侧的情况。但是，也可以使用用SiC半导体制作的SiC制开关元件以及用Si半导体制作的Si制二极管元件，将Si制二极管元件配置于功率半导体模块的中央区域中，将SiC制开关元件配置于功率半导体模块的两侧。在该情况下，根据SiC制开关元件以及Si制二极管元件的配置，导体图案、导线布线、主电极、控制端子等也被恰当地配置。这样，将Si制二极管元件配置于温度易于上升的功率半导体模块的中央区域中，将SiC制开关元件配置于温度不易上升的功率半导体模块的两侧，所以即便Si制二极管元件的芯片总面积增大，成本比Si制二极管元件更高的SiC制开关元件的芯片总面积的增大也被抑制，能够得到能够低成本地制造的功率半导体模块。
实施方式2.
图3是示出用于实施本发明的实施方式2中的功率半导体模块的内部配置的俯视图。与图2同样地，是在将主电极、控制端子、壳体、以及绝缘密封材料拆下的状态下从上面观察了功率半导体模块200的图。在实施方式1中，Si制开关元件4配置于功率半导体模块100的中央区域中，SiC制二极管元件5配置于中央区域的两侧，但在本实施方式中，SiC制二极管元件5配置于包围中央区域的周边部（配置于功率半导体模块200的周边部）的点与实施方式1不同。
在功率半导体模块200中分别配置了多个Si制开关元件4、SiC制二极管元件5（在图3中，Si制开关元件4为16个、SiC制二极管元件5为32个）。在图3中，多个Si制开关元件4集中配置于功率半导体模块200的中央区域中。本实施方式中的、中央区域是指，从上面观察功率半导体模块200时中心部的区域。多个SiC制二极管元件5配置于包围该中央区域的周边部。即，以被SiC制二极管元件5包围的方式，将Si制开关元件4配置于功率半导体模块200的中央区域中。作为一个例子，在图3中，以形成外周的方式，配置了32个SiC制二极管元件5，以被32个SiC制二极管元件5包围的方式，配置了16个Si制开关元件4。另外，伴随Si制开关元件4以及SiC制二极管元件5的配置变更，导线布线6、导体图案3等也被变更。
根据本实施方式，将SiC制二极管元件5配置于包围功率半导体模块200的中央区域的周边部，相比于实施方式1的结构，SiC制二极管元件5的散热性更良好，能够抑制SiC制二极管元件5的温度上升。另外，SiC制二极管元件5具有可高温利用这样的特征，但无需一定在高温下使用，也可以在与Si制开关元件4相同的温度范围内使用。
本实施方式中的功率半导体模块的结构是一个例子，Si制开关元件4配置于功率半导体模块200的中央区域中，SiC制二极管元件5配置于包围中央区域的周边部即可，所以与实施方式1同样地，在构成功率半导体模块200的其他部件类的配置等中没有特别制约。例如，关于主电极7、8、控制电极9、10与Si制开关元件4、SiC制二极管元件5之间的连接，也是电连接即可，也可以对主电极7、8直接通过导线布线连接、或者设为不使用导线布线而使用了母线的布线。在这样的情况下，有功率半导体模块200内部的Si制开关元件4、SiC制二极管元件5的配置多少变化的可能性，但Si制开关元件4配置于功率半导体模块200的中央区域中，SiC制二极管元件5配置于包围中央区域的周边部即可。
如以上那样，将用Si半导体制作的Si制开关元件4配置于温度易于上升的功率半导体模块200的中央区域中，将用作为宽能带隙半导体的SiC半导体制作的SiC制二极管元件5配置于温度不易上升的功率半导体模块200的周边部，所以即便Si制开关元件4的芯片总面积增大，成本比Si制开关元件4更高的SiC制二极管元件5的芯片总面积的增大也被抑制，能够得到能够低成本地制造的功率半导体模块200。
另外，在本实施方式中，说明了将Si制开关元件4配置于功率半导体模块200的中央区域中，将SiC制二极管元件5配置于功率半导体模块200的周边部的情况。但是，也可以使用用SiC半导体制作的SiC制开关元件以及用Si半导体制作的Si制二极管元件，将Si制二极管元件配置于功率半导体模块的中央区域中，将SiC制开关元件配置于功率半导体模块的周边部。在该情况下，根据SiC制开关元件以及Si制二极管元件的配置，导体图案、导线布线、主电极、控制端子等也被恰当地配置。这样，将Si制二极管元件配置于温度易于上升的功率半导体模块的中央区域中，将SiC制开关元件配置于温度不易上升的功率半导体模块的周边部，所以即便Si制二极管元件的芯片总面积增大，成本比Si制二极管元件更高的SiC制开关元件的芯片总面积的增大也被抑制，能够得到能够低成本地制造的功率半导体模块。
实施方式3.
图4是示出用于实施本发明的实施方式3中的功率半导体模块的内部配置的俯视图。与图2同样地，是在将主电极、控制端子、壳体、以及绝缘密封材料拆下了的状态下从上面观察了功率半导体模块300的图。在本实施方式中，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5安装于不同的绝缘基板18、19上的点与实施方式1不同。Si制开关元件4安装于开关元件用绝缘基板18中，SiC制二极管元件5安装于二极管元件用绝缘基板19中。另外，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配在不同的绝缘基板18、19中，所以另外设置对开关元件用绝缘基板18的导体图案和二极管元件用绝缘基板19的导体图案进行电连接的导线布线20。另外，即使不使用导线布线，只要电连接即可，例如，也可以对主电极7、8直接通过导线布线连接、或者设为不使用导线布线而使用了母线的布线。
在如实施方式1、2中的功率半导体模块那样，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于相同的绝缘基板2上的情况下，Si制开关元件4与SiC制二极管元件5的热干涉大。本实施方式用于减轻这样的热干涉的影响，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于不同的绝缘基板18、19上。在Si制开关元件4和SiC制二极管元件5同时发热的动作条件下，SiC制二极管元件5不易受到来自Si制开关元件4的热干涉的影响，能够抑制SiC制二极管元件5的温度上升。另外，在高温利用SiC制二极管元件5的情况下，还得到减小向Si制开关元件4的SiC制二极管元件5的热干涉的效果。
另外，开关元件用绝缘基板18和二极管元件用绝缘基板19可以是相同的材质，在高温下利用SiC制二极管元件5的情况下，也可以考虑耐热性、热循环性来使用不同的材质。
另外，在使用用SiC半导体制作的SiC制开关元件以及用Si半导体制作的Si制二极管元件，将Si制二极管元件配置于功率半导体模块的中央区域中，将SiC制开关元件配置于功率半导体模块的周边部的情况下，Si制二极管元件装配于绝缘基板18上，SiC制开关元件装配于绝缘基板19上。
如以上那样，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于不同的绝缘基板18、19上，所以SiC制二极管元件5不易受到来自Si制开关元件4的热干涉的影响，能够抑制SiC制二极管元件5的温度上升。
实施方式4.
图5是示出用于实施本发明的实施方式4中的功率半导体模块的内部配置的俯视图。与图2同样地，是在将主电极、控制端子、壳体、以及绝缘密封材料拆下了的状态下从上面观察了功率半导体模块400的图。在本实施方式中，装配了Si制开关元件4的开关元件用绝缘基板18和装配了SiC制二极管元件5的二极管元件用绝缘基板19安装于不同的基础板21、22上的点与实施方式3不同。装配了Si制开关元件4的开关元件用绝缘基板18安装于开关元件用基础板21中，装配了SiC制二极管元件5的二极管元件用绝缘基板19安装于二极管元件用基础板22中。在图5中，在开关元件用基础板21的两侧设置了二极管元件用基础板22。通过树脂等绝热性材料23连接开关元件用基础板21与二极管元件用基础板22之间。另外，在各基础板21、22中，设置了安装孔17。
在如实施方式1～3中的功率半导体模块那样，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于相同的基础板1上的情况下，Si制开关元件4与SiC制二极管元件5的热干涉大。本实施方式用于减轻这样的热干涉的影响，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于不同的基础板21、22上。在Si制开关元件4和SiC制二极管元件5同时发热的动作条件下，SiC制二极管元件5不易受到来自Si制开关元件4的热干涉的影响，能够抑制SiC制二极管元件5的温度上升。另外，在高温利用SiC制二极管元件5的情况下，还得到减小向Si制开关元件4的SiC制二极管元件5的热干涉的效果。
另外，在使用用SiC半导体制作的SiC制开关元件以及用Si半导体制作的Si制二极管元件，将Si制二极管元件配置于功率半导体模块的中央区域中，将SiC制开关元件配置于功率半导体模块的周边部的情况下，Si制二极管元件装配于基础板21上，SiC制开关元件装配于基础板22上。
如以上那样，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于不同的基础板21、22上，所以SiC制二极管元件5不易受到来自Si制开关元件4的热干涉的影响，能够抑制SiC制二极管元件5的温度上升。
实施方式5.
图6是用于实施本发明的实施方式5中的功率半导体模块的剖面图，是将功率半导体模块的剖面简化而示出的图。在图6中，未示出主电极以及控制端子。在本实施方式中的功率半导体模块500中，不将在壳体11内填充的绝缘密封材料设为1种，而使用高耐热绝缘密封材料24以及低耐热绝缘密封材料25这2种的点与实施方式1～4不同。在SiC制二极管元件5的周边使用了高耐热绝缘密封材料24，在其以外的部分的Si制开关元件4的周边等，使用了耐热性比高耐热密封材料24低的低耐热绝缘密封材料25。
作为高耐热绝缘密封材料24，使用例如氟系树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、环氧树脂，进而使用通过提高交联密度或者添加金属氧化物而提高了耐热性的硅系树脂。作为低耐热绝缘密封材料25，使用硅凝胶、硅橡胶等。高耐热绝缘密封材料24优选覆盖SiC制二极管元件5和与SiC制二极管元件5连接的导线布线6，为了确保针对热循环的可靠性，优选是导线布线不跨越不同的2种绝缘密封材料24、25之间。
这样，通过在SiC制二极管元件5的周边使用高耐热绝缘密封材料24，能够将SiC制二极管元件5利用至高温为止。另外，在Si制开关元件4的周边等其以外的部分中使用了低耐热绝缘密封材料25，但低耐热绝缘密封材料25比高耐热绝缘密封材料24更廉价，所以相比于仅使用高耐热绝缘密封材料24的情况，能够抑制成本。另外，根据氟系树脂、聚酰亚胺、聚酰胺等高耐热绝缘密封材料，还有厚膜化困难的情况，通过如本实施方式那样以仅覆盖SiC制二极管元件5周边的方式，限定高耐热绝缘密封材料24，还能够使用厚膜化困难的高耐热绝缘密封材料。
图6示出了Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于不同的基础板21、22、不同的绝缘基板18、19的情况，但在如实施方式1～3中的功率半导体模块那样，Si制开关元件4和SiC制二极管元件5装配于在相同的基础板1中安装的相同的绝缘基板2中的情况、装配于虽然基础板1相同但独立的绝缘基板18、19上的情况等下也能够应用。
如以上那样，覆盖配置了SiC制二极管元件5的区域的高耐热绝缘密封材料24具有比覆盖配置了Si制开关元件4的区域的低耐热绝缘密封材料25更高的耐热特性，所以能够将SiC制二极管元件5利用至高温为止，无需增加SiC制二极管元件5的并联数，SiC制二极管元件5的芯片总面积的增大被抑制，能够得到能够低成本地制造的功率半导体模块500。
另外，在所有实施方式中，说明了在二极管元件中使用SiC半导体的情况，但相比于Si制开关元件，二极管元件具有低损耗、可高温利用这样的特征即可，也可以例如在二极管元件中使用氮化镓系材料、或者金刚石等其他宽能带隙半导体。

Claims (11)

1.一种功率半导体模块，具备Si半导体元件和宽能带隙半导体元件，其特征在于，
所述Si半导体元件配置于所述功率半导体模块的中央区域，
所述宽能带隙半导体元件配置于所述中央区域的两侧或者包围所述中央区域的周边部。
2.一种功率半导体模块，具备Si半导体元件、和宽能带隙半导体元件，其特征在于，
所述Si半导体元件被配置在多个所述宽能带隙半导体元件之间、或者被多个所述宽能带隙半导体元件包围。
3.根据权利要求1或者2所述的功率半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件是开关元件，所述宽能带隙半导体元件是二极管元件。
4.根据权利要求1或者2所述的功率半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件是二极管元件，所述宽能带隙半导体元件是开关元件。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的功率半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件以及所述宽能带隙半导体元件装配于相同的绝缘基板中。
6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的功率半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件以及所述宽能带隙半导体元件分别装配于不同的绝缘基板中。
7.根据权利要求5或者6所述的功率半导体模块，其特征在于，
装配了所述Si半导体元件的绝缘基板以及装配了所述宽能带隙半导体元件的绝缘基板设置于相同的基础板上。
8.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于，
装配了所述Si半导体元件的绝缘基板以及装配了所述宽能带隙半导体元件的绝缘基板分别设置于不同的基础板上。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的功率半导体模块，其特征在于，
覆盖配置了所述宽能带隙半导体元件的区域的绝缘密封材料具有比覆盖配置了所述Si半导体元件的区域的绝缘密封材料高的耐热特性。
10.根据权利要求1至8中的任意一项所述的功率半导体模块，其特征在于，
覆盖配置了所述宽能带隙半导体元件的区域的绝缘密封材料由氟系树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、环氧树脂、高耐热硅系树脂中的某一个形成，覆盖配置了所述Si半导体元件的区域的绝缘密封材料由硅凝胶或者硅橡胶形成。
11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的功率半导体模块，其特征在于，
所述宽能带隙半导体元件是用碳化硅、氮化镓系材料、或者金刚石制作的。
CN201280034222.4A 2011-07-11 2012-07-05 功率半导体模块 Active CN103650137B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011153020 2011-07-11
JP2011-153020 2011-07-11
PCT/JP2012/004356 WO2013008424A1 (ja) 2011-07-11 2012-07-05 電力用半導体モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103650137A true CN103650137A (zh) 2014-03-19
CN103650137B CN103650137B (zh) 2017-09-29

Family

ID=47505733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280034222.4A Active CN103650137B (zh) 2011-07-11 2012-07-05 功率半导体模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9299628B2 (zh)
EP (1) EP2733743B1 (zh)
JP (2) JP6253409B2 (zh)
CN (1) CN103650137B (zh)
WO (1) WO2013008424A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105871328A (zh) * 2016-06-03 2016-08-17 浙江人和光伏科技有限公司 一种太阳能电池用接线盒
CN106252307A (zh) * 2015-06-10 2016-12-21 富士电机株式会社 半导体装置
WO2018232570A1 (zh) * 2017-06-19 2018-12-27 华为技术有限公司 一种注册及会话建立的方法、终端和amf实体

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014014012A1 (ja) * 2012-07-19 2014-01-23 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
KR101917558B1 (ko) * 2013-05-29 2018-11-09 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치
US10770985B2 (en) 2014-07-18 2020-09-08 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle auxiliary power supply device
US10224810B2 (en) * 2015-03-16 2019-03-05 Cree, Inc. High speed, efficient SiC power module
US10680518B2 (en) 2015-03-16 2020-06-09 Cree, Inc. High speed, efficient SiC power module
EP3279935B1 (en) 2016-08-02 2019-01-02 ABB Schweiz AG Power semiconductor module
JP6834815B2 (ja) * 2017-07-06 2021-02-24 株式会社デンソー 半導体モジュール
JP6402813B2 (ja) * 2017-09-20 2018-10-10 三菱電機株式会社 半導体装置
US11251161B2 (en) * 2017-09-28 2022-02-15 Mitsubishi Electric Corporation 2-in-1 type chopper module
DE112019000595T5 (de) * 2018-09-20 2020-11-26 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
WO2020170553A1 (ja) * 2019-02-18 2020-08-27 富士電機株式会社 半導体装置
US20220238459A1 (en) * 2019-08-20 2022-07-28 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device, power conversion device and moving body
JP7351209B2 (ja) 2019-12-17 2023-09-27 富士電機株式会社 半導体装置
JP7484156B2 (ja) 2019-12-18 2024-05-16 富士電機株式会社 半導体装置
EP4120336A1 (en) * 2021-07-15 2023-01-18 Infineon Technologies Austria AG A semiconductor power module with two different potting materials and a method for fabricating the same
EP4270454A3 (en) * 2022-04-28 2023-11-22 Infineon Technologies AG Power semiconductor module comprising a first and a second compartment and method for fabricating the same
EP4270453A1 (en) * 2022-04-28 2023-11-01 Infineon Technologies AG Method for fabricating a power semiconductor module comprising an encapsulation material with a high thermostability and power semiconductor module
WO2024018810A1 (ja) * 2022-07-21 2024-01-25 ローム株式会社 半導体装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03126055A (ja) * 1989-10-11 1991-05-29 Seiko Epson Corp 電子写真記録装置の現像器ユニット
JPH03126055U (zh) * 1990-03-30 1991-12-19
JPH11274482A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP2000353777A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Yazaki Corp パワー半導体モジュール及びその製造方法
JP2001245479A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュール
US20020167825A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power converter system
US20040007772A1 (en) * 2002-07-15 2004-01-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Power semiconductor device
US20040188706A1 (en) * 2003-03-27 2004-09-30 Jie Chang High-power, integrated AC switch module with distributed array of hybrid devices
JP2006303306A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Nissan Motor Co Ltd パワーモジュール
JP2010124607A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Toyota Motor Corp 電力変換装置
US20100244092A1 (en) * 2009-03-30 2010-09-30 Hitachi, Ltd. Power semiconductor apparatus
CN102017140A (zh) * 2008-05-08 2011-04-13 丰田自动车株式会社 半导体装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112362A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0722364Y2 (ja) 1988-08-31 1995-05-24 株式会社村上開明堂 ミラーの水滴除去装置
JPH05347377A (ja) * 1992-06-16 1993-12-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JP3256636B2 (ja) * 1994-09-15 2002-02-12 株式会社東芝 圧接型半導体装置
JP3588503B2 (ja) * 1995-06-20 2004-11-10 株式会社東芝 圧接型半導体装置
SE9502249D0 (sv) * 1995-06-21 1995-06-21 Abb Research Ltd Converter circuitry having at least one switching device and circuit module
JP3433279B2 (ja) * 1995-11-09 2003-08-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH09186287A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置
JP2000340896A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Kyocera Corp 配線基板モジュール
JP2004095670A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Toshiba Corp 半導体装置
US20070152309A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Para Light Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP2008060430A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Daikin Ind Ltd 電力変換装置
JP2009021395A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Panasonic Corp 半導体装置
JP2009159184A (ja) 2007-12-26 2009-07-16 Hitachi Ltd フリーホイールダイオードとを有する回路装置、及び、ダイオードを用いた回路装置とそれを用いた電力変換器
JP5550553B2 (ja) * 2008-07-10 2014-07-16 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP2010040569A (ja) 2008-07-31 2010-02-18 Aisin Aw Co Ltd 電子部品モジュール
KR101375502B1 (ko) 2010-01-15 2014-03-18 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력용 반도체 모듈
US8519519B2 (en) * 2010-11-03 2013-08-27 Freescale Semiconductor Inc. Semiconductor device having die pads isolated from interconnect portion and method of assembling same

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03126055A (ja) * 1989-10-11 1991-05-29 Seiko Epson Corp 電子写真記録装置の現像器ユニット
JPH03126055U (zh) * 1990-03-30 1991-12-19
JPH11274482A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP2000353777A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Yazaki Corp パワー半導体モジュール及びその製造方法
JP2001245479A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュール
US20020167825A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power converter system
US20040007772A1 (en) * 2002-07-15 2004-01-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Power semiconductor device
US20040188706A1 (en) * 2003-03-27 2004-09-30 Jie Chang High-power, integrated AC switch module with distributed array of hybrid devices
JP2006303306A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Nissan Motor Co Ltd パワーモジュール
CN102017140A (zh) * 2008-05-08 2011-04-13 丰田自动车株式会社 半导体装置
JP2010124607A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Toyota Motor Corp 電力変換装置
US20100244092A1 (en) * 2009-03-30 2010-09-30 Hitachi, Ltd. Power semiconductor apparatus

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106252307A (zh) * 2015-06-10 2016-12-21 富士电机株式会社 半导体装置
CN106252307B (zh) * 2015-06-10 2021-10-22 富士电机株式会社 半导体装置
CN105871328A (zh) * 2016-06-03 2016-08-17 浙江人和光伏科技有限公司 一种太阳能电池用接线盒
WO2018232570A1 (zh) * 2017-06-19 2018-12-27 华为技术有限公司 一种注册及会话建立的方法、终端和amf实体
US10425987B2 (en) 2017-06-19 2019-09-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Registration method, session establishment method, terminal, and AMF entity
US10582565B2 (en) 2017-06-19 2020-03-03 Huawei Technologies Co., Ltd. Registration method, session establishment method, terminal, and AMF entity
US10973082B2 (en) 2017-06-19 2021-04-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Registration method, session establishment method, terminal, and AMF entity
US11523465B2 (en) 2017-06-19 2022-12-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Registration method, session establishment method, terminal, and AMF entity

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013008424A1 (ja) 2015-02-23
WO2013008424A1 (ja) 2013-01-17
JP6230660B2 (ja) 2017-11-15
JP6253409B2 (ja) 2017-12-27
US20140138707A1 (en) 2014-05-22
US9299628B2 (en) 2016-03-29
EP2733743B1 (en) 2022-03-16
EP2733743A1 (en) 2014-05-21
EP2733743A4 (en) 2015-03-18
CN103650137B (zh) 2017-09-29
JP2016167635A (ja) 2016-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103650137A (zh) 功率半导体模块
CN109166833B (zh) 电力用半导体模块
JP7208966B2 (ja) 半導体装置
TWI573240B (zh) 低電磁干擾電路之封裝組態
JP4884830B2 (ja) 半導体装置
JP2014128066A (ja) 半導体モジュール
US11961828B2 (en) Semiconductor device
US9520369B2 (en) Power module and method of packaging the same
US11183589B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
CN108964480B (zh) 电力转换器
CN102187456A (zh) 半导体装置的冷却结构及具备该冷却结构的电力变换装置
CN112420633B (zh) 半导体装置及逆变器
KR20050081845A (ko) 절연게이트 바이폴라 트랜지스터 모듈
US20190181254A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
Majumdar et al. Review of integration trends in power electronics systems and devices
US10964630B2 (en) Semiconductor device having a conductor plate and semiconductor elements
US20230197581A1 (en) Power semiconductor module and method of manufacturing the same
CN113725209A (zh) 一种SiC/Si Cascode器件用多芯片并联结构
JP2013013179A (ja) ノイズ低減回路
JP2015126136A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant