JPH05347377A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05347377A JPH05347377A JP15548592A JP15548592A JPH05347377A JP H05347377 A JPH05347377 A JP H05347377A JP 15548592 A JP15548592 A JP 15548592A JP 15548592 A JP15548592 A JP 15548592A JP H05347377 A JPH05347377 A JP H05347377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- terminal lead
- chip mount
- power
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁基板に形成した同じチップマウント部に複
数個のパワーチップを並置搭載した半導体装置を対象
に、各パワーチップに対する主端子導出部との間の配線
抵抗を平均化して分担電流のバランスが図れるようにし
た半導体装置を提供する。 【構成】金属ベース１上に載置の絶縁基板２に形成した
導体パターン３の同じチップマウント部３ａに複数個の
パワートランジスタ４を並置搭載し、該チップマウント
部に設けたコレクタ，エミッタ端子導出部７，８の主端
子導出部と外囲ケースに装備の外部導出端子との間を接
続してなる半導体装置において、前記チップマウント部
３ａに複数のコレクタ端子導出部７をパワートランジス
タ４の配列に対して幾何学的な対称位置に分散して設け
る。
数個のパワーチップを並置搭載した半導体装置を対象
に、各パワーチップに対する主端子導出部との間の配線
抵抗を平均化して分担電流のバランスが図れるようにし
た半導体装置を提供する。 【構成】金属ベース１上に載置の絶縁基板２に形成した
導体パターン３の同じチップマウント部３ａに複数個の
パワートランジスタ４を並置搭載し、該チップマウント
部に設けたコレクタ，エミッタ端子導出部７，８の主端
子導出部と外囲ケースに装備の外部導出端子との間を接
続してなる半導体装置において、前記チップマウント部
３ａに複数のコレクタ端子導出部７をパワートランジス
タ４の配列に対して幾何学的な対称位置に分散して設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワートランジスタモ
ジュールなどを対象とした半導体装置、特にその内部配
線構造に関する。
ジュールなどを対象とした半導体装置、特にその内部配
線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、ダーリントン接続のパワートラン
ジスタモジュールを例に、従来の組立構造を図２に示
す。図において、１は放熱板を兼ねた金属ベース、２は
金属ベース１の上に積層した絶縁基板（銅貼りセラミッ
ク基板）、３は絶縁基板２に形成した導体パターン、４
は導体パターン３のうちの同じチップマウント部３ａに
一列に並べて搭載した複数個のパワートランジスタチッ
プ、５はダイオードであり、各トランジスタチップの電
極部と導体パターンとの間は図示のようにボンディング
ワイヤ６で相互接続されている。また、７はチップマウ
ント部３ａに設けたコレクタ端子導出部（半田付けラン
ド）、８はエミッタ端子導出部であり、これらの主端子
導出部は金属ベース１に組み合わせた外囲ケース（図示
せず）に装備の主外部導出端子と半田付けして内部配線
されている。
ジスタモジュールを例に、従来の組立構造を図２に示
す。図において、１は放熱板を兼ねた金属ベース、２は
金属ベース１の上に積層した絶縁基板（銅貼りセラミッ
ク基板）、３は絶縁基板２に形成した導体パターン、４
は導体パターン３のうちの同じチップマウント部３ａに
一列に並べて搭載した複数個のパワートランジスタチッ
プ、５はダイオードであり、各トランジスタチップの電
極部と導体パターンとの間は図示のようにボンディング
ワイヤ６で相互接続されている。また、７はチップマウ
ント部３ａに設けたコレクタ端子導出部（半田付けラン
ド）、８はエミッタ端子導出部であり、これらの主端子
導出部は金属ベース１に組み合わせた外囲ケース（図示
せず）に装備の主外部導出端子と半田付けして内部配線
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２のよう
に複数個のパワーチップ４を並置搭載した導体パターン
３のチップマウント部３ａに対して、コレクタ端子導出
部８をチップマウント部の隅に１箇所だけ設けた内部配
線構造では、端子導出部８と各パワーチップ４との間の
通電距離，したがって主回路の配線抵抗が個々に異な
る。このために、パワーチップのコレクタ電流に不平衡
がが生じて各チップの電流分担に悪影響を与える。
に複数個のパワーチップ４を並置搭載した導体パターン
３のチップマウント部３ａに対して、コレクタ端子導出
部８をチップマウント部の隅に１箇所だけ設けた内部配
線構造では、端子導出部８と各パワーチップ４との間の
通電距離，したがって主回路の配線抵抗が個々に異な
る。このために、パワーチップのコレクタ電流に不平衡
がが生じて各チップの電流分担に悪影響を与える。
【０００４】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は絶縁基板に形成した同じチップマウ
ント部に複数個のパワーチップを並置搭載した半導体装
置を対象に、各パワーチップに対する主端子導出部との
間の配線抵抗を平均化して分担電流のバランスが図れる
ようにした半導体装置、特にその内部配線構造を提供す
ることにある。
であり、その目的は絶縁基板に形成した同じチップマウ
ント部に複数個のパワーチップを並置搭載した半導体装
置を対象に、各パワーチップに対する主端子導出部との
間の配線抵抗を平均化して分担電流のバランスが図れる
ようにした半導体装置、特にその内部配線構造を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置においては、複数個のパワーチ
ップを並置搭載したチップマウント部に対し、複数の主
端子導出部を分散して設けて構成するものとする。ま
た、前記構成は具体的に、チップマウント部に並置搭載
した複数個のパワーチップ列に対して主端子導出部を幾
何学的な対称位置に分散して設けるのがよく、特に複数
個のパワーチップを一列に並べてチップマウント部に搭
載したものでは、主端子導出部を両端に並ぶパワーチッ
プから等距離離れた対称位置に設けて実施することがで
きる。
に、本発明の半導体装置においては、複数個のパワーチ
ップを並置搭載したチップマウント部に対し、複数の主
端子導出部を分散して設けて構成するものとする。ま
た、前記構成は具体的に、チップマウント部に並置搭載
した複数個のパワーチップ列に対して主端子導出部を幾
何学的な対称位置に分散して設けるのがよく、特に複数
個のパワーチップを一列に並べてチップマウント部に搭
載したものでは、主端子導出部を両端に並ぶパワーチッ
プから等距離離れた対称位置に設けて実施することがで
きる。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、複数の主端子導出部とチ
ップマウント部に並ぶ複数個の各パワーチップとの間の
幾何学的な距離が平均化されるので、導体パターン上で
の主回路の配線抵抗，したがって各チップの分担電流が
バランスし、定格一杯の電流をとることができるように
なる。
ップマウント部に並ぶ複数個の各パワーチップとの間の
幾何学的な距離が平均化されるので、導体パターン上で
の主回路の配線抵抗，したがって各チップの分担電流が
バランスし、定格一杯の電流をとることができるように
なる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例を示すものであり、図
２に対応する同一部品には同じ符号が付してある。すな
わち、図２の構成においては、３個のパワートランジス
タ４を一列に並べて並置搭載した導体パターン３のチッ
プマウント部３ａに対して、コレクタ端子導出部７が２
箇所に分散して設けてある。ここで、２箇所に分散配備
した前記のコレクタ端子導出部７は、パワートランジス
タ４の配列に対する幾何学的な対称位置に設置され、具
体的には図示のように一列の両端に並ぶパワートランジ
スタ４から同じ距離だけ外側へ離れた位置に設けてあ
る。
２に対応する同一部品には同じ符号が付してある。すな
わち、図２の構成においては、３個のパワートランジス
タ４を一列に並べて並置搭載した導体パターン３のチッ
プマウント部３ａに対して、コレクタ端子導出部７が２
箇所に分散して設けてある。ここで、２箇所に分散配備
した前記のコレクタ端子導出部７は、パワートランジス
タ４の配列に対する幾何学的な対称位置に設置され、具
体的には図示のように一列の両端に並ぶパワートランジ
スタ４から同じ距離だけ外側へ離れた位置に設けてあ
る。
【０００８】上記構成によれば、２箇所のコレクタ端子
導出部７と各パワートランジスタ４との間の幾何学的な
平均距離が同じとなるので、これにより、各パワートラ
ンジスタ４に対する導体パワー３の配線抵抗が等しく、
したがってコレクタ電流の分担電流も各トランジスタの
間でバランスする。
導出部７と各パワートランジスタ４との間の幾何学的な
平均距離が同じとなるので、これにより、各パワートラ
ンジスタ４に対する導体パワー３の配線抵抗が等しく、
したがってコレクタ電流の分担電流も各トランジスタの
間でバランスする。
【０００９】
【発明の効果】以上述べたように本発明の構成によれ
ば、絶縁基板に形成した導体パターンの同じチップマウ
ント部に並置搭載した複数個のパワーチップに対して、
外部導出端子との間の主回路の配線抵抗を平均化して各
チップの電流分担をバランスさせることができ、これに
より動作特性の改善が図れる。
ば、絶縁基板に形成した導体パターンの同じチップマウ
ント部に並置搭載した複数個のパワーチップに対して、
外部導出端子との間の主回路の配線抵抗を平均化して各
チップの電流分担をバランスさせることができ、これに
より動作特性の改善が図れる。
【図１】本発明実施例の組立構造図
【図２】従来における半導体装置の組立構造図
１ 金属ベース ２ 絶縁基板 ３ 導体パターン ３ａ チップマウント部 ４ パワートランジスタ ７ コレクタ端子導出部 ８ エミッタ端子導出部
Claims (3)
- 【請求項１】金属ベース上に載置の絶縁基板に形成した
導体パターンの同じチップマウント部に複数個のパワー
チップを並置搭載し、該チップマウント部の主端子導出
部と外囲ケースに装備の外部導出端子との間を接続して
なる半導体装置において、前記チップマウント部に複数
の主端子導出部を分散して設けたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、チッ
プマウント部に並置搭載した複数個のパワーチップ列に
対して、主端子導出部を幾何学的な対称位置に分散して
設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】請求項１または２記載の半導体装置におい
て、一列に並べてチップマウント部に搭載した複数個の
パワーチップに対し、主端子導出部を両端に並ぶパワー
チップから等距離離れた対称位置に設けたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548592A JPH05347377A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548592A JPH05347377A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347377A true JPH05347377A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15607080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15548592A Pending JPH05347377A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347377A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767579A (en) * | 1995-12-21 | 1998-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having an electrical connection between a control electrode and a resistive layer |
| WO2011149017A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 京セラ株式会社 | 半導体モジュール基板および半導体モジュール |
| JP2011249394A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2013062551A (ja) * | 2013-01-09 | 2013-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2014033118A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール対および半導体装置 |
| JPWO2013008424A1 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-02-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP15548592A patent/JPH05347377A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767579A (en) * | 1995-12-21 | 1998-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having an electrical connection between a control electrode and a resistive layer |
| JP2011249394A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2011149017A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 京セラ株式会社 | 半導体モジュール基板および半導体モジュール |
| JPWO2013008424A1 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-02-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
| JP2014033118A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール対および半導体装置 |
| JP2013062551A (ja) * | 2013-01-09 | 2013-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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