KR20000035704A - 파워 전자 장치 - Google Patents

파워 전자 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000035704A
KR20000035704A KR1019990052867A KR19990052867A KR20000035704A KR 20000035704 A KR20000035704 A KR 20000035704A KR 1019990052867 A KR1019990052867 A KR 1019990052867A KR 19990052867 A KR19990052867 A KR 19990052867A KR 20000035704 A KR20000035704 A KR 20000035704A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
busbar
conductive
electronic device
power electronic
substrate
Prior art date
Application number
KR1019990052867A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100578441B1 (ko
Inventor
메르메-기에네미셸
Original Assignee
알스톰 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알스톰 홀딩스 filed Critical 알스톰 홀딩스
Publication of KR20000035704A publication Critical patent/KR20000035704A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100578441B1 publication Critical patent/KR100578441B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/071—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Abstract

장치는, 접속 단자를 갖는 다이오드와 IGBT로 형성된 반도체 회로의 제1면 구성부가 그 상부에 배치되어 있는 도전성 기판을 포함한다. 이 장치는, 적어도 하나의 반도체 회로의 제2면 구성부를 포함하는데, 상기 2개의 인접한 면 구성부들은 제1면 구성부 회로의 단자에 접속되는 적어도 하나의 도전성 및 열 소산성 버스바를 포함하는 평면형 도체 어레이에 의해 분리되고, 상기 버스바는 또한 제2면 구성부의 회로를 지지하고, 상기 버스바로부터 전기적으로 절연된 적어도 하나의 도전성 부재가 상기 제1면 구성부의 회로의 다른 단자에 접속되고 상기 버스바의 체적 내에 배치된다.

Description

파워 전자 장치{POWER ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 파워 장치에 관한 것이다.
레일 트랙션(rail traction) 용으로 특별히 고안된 전자 파워 장치는 통상, 예를 들면, 열 전달 및 절전 기능을 갖는 도체-절연체-도체의 복합 구조물이 부착된, 구리로 만들어진 도전성 기판을 포함한다. 각 복합 구조물의 도전성 상부층은 다이오드와 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터(IGBT)가 관련된 전자 장치의 특성에 따라 변하는 구성으로 그 상부에 배치되는 기판을 구성한다. 파워 반도체 회로는 주석-납 또는 주석-납-은 소프트 쏠더에 의해 고정된다.
다이오드와 IGBT의 자유면은, 하나 이상의 접속 단자에 의해 덮여지고, 이 접속 단자들 각각에는 통상 380 내지 500 마이크론 정도의 직경을 갖는 알루미늄 와이어가 쏠더링된다. 각 와이어의 다른 단부는 인버터 아암을 형성하는 복합 구조물중 하나의 상부 도전성 기판에 쏠더링된다.
그러나, 당 기술에 잘 알려진 상기 디자인에는 몇가지 결점이 있다. 위의 파워 전자 장치는 많은 수의 알루미늄 와이어를 포함하기 때문에 제조하기가 복잡하다. 또한, 이 파워 장치들의 전체 표면적이 비교적 크고, 그럼으로써 조립된 장치의 전체 체적이 증가되며 또한 장치의 전기 동작을 위협하는 의사 인덕턴스(spurious inductance) 현상을 야기시킨다.
본 발명의 목적은, 위에서 언급한 종래 기술에 있어서의 결점을 완화할 수 있는 전자 파워 장치를 제공하는 것이다. 이러한 목적을 달성하기 위해, 다이오드와 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터로 형성되고 접속 단자를 갖는 반도체 회로의 제1면 구성부가 그 상부에 배치되는 도전성 기판을 포함하는 파워 전자 장치를 구성하는데, 이 장치는, 적어도 하나의 반도체 회로의 제2면 구성부를 포함하고, 상기 2개의 인접한 면 구성부는 제1면 구성부의 회로 단자에 접속되는 적어도 하나의 도전성 및 열 소산성 버스바를 포함하는 평면형 도체 어레이에 의해 분리되고, 상기 버스바는 또한 기판에 대향하는 면에서 제2면 구성부의 회로를 지지하며, 버스바로부터 전기적으로 절연된 적어도 하나의 도전성 부재가 상기 제1면 구성부 회로의 다른 단자에 접속되고 버스바의 체적 내에 배치된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면:
반도체 회로의 단면 구성부가, 이 단면 구성부의 회로 단자에 접속되는 적어도 하나의 도전성 및 열 소산성 단부 버스바를 포함하는 단면 도체 어레이에 의해 덮여지고, 상기 단부 버스바로부터 전기적으로 절연된 적어도 하나의 단부 도체 부재가 상기 단면 구성부의 회로의 다른 단자에 접속되고 버스바의 체적 내에 배치되며;
- 상기 면 구성부의 단자들은 적어도 하나의 주석-납-은 보스를 쏠더링함으로써 각 면 어레이들에 고정되고;
- 상기 단자들은, 특히 티타늄-니켈-골드 퇴적물로된 코팅을 보스 또는 각 보스에 고착시킴으로써 보스 또는 각 보스로부터 분리되고;
- 상기 적어도 하나의 도전성 버스바는 적어도 하나의 숄더(shoulder)를 가짐으로써 상기 기판에 평행한 면에서 포괄적으로 연장되고;
- 상기 기판과 상기 단부 버스바는 각 열 전달 및 절연성 복합 구조물의 일부이고;
- 상기 도전성 버스바는 상기 도전성 부재를 수용하는 노치(notch)를 갖고;
- 장치는, 인버터 아암을 형성하고 동일한 제1 및 제2 면 구성부와 제1 및 제2 면 도체 어레이를 포함하고;
- 상기 면 어레이(38B) 각각은 일련의 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터의 행에 공통인 적어도 하나의 게이트를 포함하고;
- 상기 제1면 어레이와 상기 제2면 어레이의 상기 도전성 버스바는 상기 제1면 구성부와 상기 제2면 구성부 각각의 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터에 공통인 에미터를 형성한다.
도 1은 본 발명에 따른 인버터 아암(inverter arm)의 구성 부품을 도시하는 절단된 사시도.
도 2는 축방향의 최종 인버터 아암을 도시하는 도면.
도 3은 도 2의 라인 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절취한 단면의 부분도.
도 4는 본 발명의 인버터 아암의 다이오드에 도전성 버스바(conductive busbar)를 고정시킨 도면.
도 5는 이전 도면에 도시된 인버터 아암의 회로도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 인버터 아암
2 : 기판
4, 104 : 다이오드
6 : 106 : IGBT
8, 10 : 쏠더층
12, 112 : 단자
14 : 중앙 단자
16, 116 : 측면 단자, 주변 단자
18 : 버스바
20 : 버스바의 얇은 부분
22 : 버스바의 두꺼운 부분
24A : 상부 숄더
24B : 하부 숄더
26 : 노치
38A, 38B : 로드
도면은, 본 발명에 따른 인버터 아암(inverter arm; 1)의 제조를 도시한다. 반도체 회로의 제1면 구성부를 형성하는 다이오드(4)와 IGBT(6)를, 예를 들면, 구리로 만들어진 하부 기판(2) 상에 배치한다. 다이오드(4)와 IGBT(6)를, 주석-납으로 이루어진 각각의 쏠더층(8 및 10)에 의해, 공지된 방식으로, 기판(2)에 고정시킨다. 각 다이오드(4)에는, 종래의 방식대로, 단일 접속 단자(12)가 제공되고 각 IGBT는 중앙 단자(14)와 복수의 주변 단자(16)를 포함한다. 도시된 예에서는, 기판이 9개의 다이오드와 4개의 IGBT를 지지하고 있으나, 당 기술자들은 완성된 인버터 아암의 필요 특성에 따라 회로의 수를 달리 선택할 수 있다.
도전성 버스바(18)는 반도체 회로(4, 6)의 단자(12, 14, 16)의 자유면 상에 놓여진다. 버스바(18)는 얇은 단부 부분(20)과 두꺼운 주요 부분(22)으로 되어 있는데, 이 두 부분은 상부 숄더 및 하부 숄더(24A 및 24B) 각각에 의해 분리된다. 상부 숄더(24A)의 크기는, 버스바(18)가 회로(4, 6) 상에 기판(2)에 대하여 실질적으로 평행한 면에 있도록 되어 있다.
다이오드(104)와 IGBT(106)가 얇은 부분(20)과 주요 부분(22)의 상면에 배치되어 상술한 제1 구성부와 동일한 반도체 회로의 제2 구성부를 구성한다. 다이오드(104)와 IGBT(106)는 각각의 쏠더층(108, 110)에 의해 고정된다. 다이오드는 단일 단자(112)를 갖고 IGBT는 중앙 단자(114)와 측면 단자(116)를 갖는다. 상부 숄더(24A)의 크기는, 단자(112, 114, 116)의 상면이 기판(2)에 대하여 실질적으로 평행한 공통면 상에 있도록 되어 있다.
버스바(18)의 주요 부분(22)의 하부면에 2개의 노치(26)가 형성된다. 노치(26)는 전기적으로 배선된 로드(28A 및 28B) 형태의 2개의 도전성 부재를 수용한다. 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 로드(28A)는 일렬로 배치된 IGBT의 제1행(R1)의 중앙 단자(114)를 덮고 제2 로드(28B)는 IGBT의 제2행(R2)의 중앙 단자를 덮는다. 그 다음, 로드(28A, 28B)는 병렬로된 IGBT의 2개의 행 (R1, R2)을 접속하는 2개의 게이트를 구성한다.
인버터 아암이 조립되었을 때, 버스바(18) 내의 노치(26)의 에지가 각 IGBT(6)의 측면 단자(16) 상에 있게된다. 따라서, 버스바(18)는 모든 IGBT의 공통 에미터를 구성한다. 노치(26)와 로드(28) 각각의 크기는 로드(28)가 버스바(18)로부터 전기적으로 절연되는 크기로 되어 있다는 점에 유의한다. 따라서, 로드(28)와 버스바(18)의 저면은 상호 절연된 도체 부재의 평면 어레이를 형성한다.
버스바(18)의 얇은 부분(20)이 어떻게 기판(2)에 의해 지지되는 다이오드(4)에 고정되는지를 도 4를 참조하여 설명한다.
제1 단계는, 예를 들면, 다이오드(4)의 단자(12)의 자유면에 약 0.8 마이크로미터 두께의 티타늄-니켈-골드의 다층 코팅(30)을 스프레이법에 의해 퇴적한다.
크기가 단자(12)에 대응하는 주석-납-은 보스(32)를 상기 다층 코팅(30) 상에 배치한다. 이 예에서는, 보스가 약 2%의 주석, 95.5%의 납 및 2.5%의 은을 함유한다. 다층 코팅(30)은 보스(32)의 단자(12)에 대한 우수한 기계적 고착력을 갖는다는 점에 유의한다.
다음 단계는, 버스바(18)의 얇은 부분(20)의 저면을 각 보스(32)와 접촉하게 하고 각 보스를, 예를 들면, 약 330℃에서 10초간 가열하여 녹인다. 이렇게 하여 버스바(18)에 단자(12)를 고정시킨다.
설명하고 도시한 예는, 단지 다이오드(4)의 단자(12)에 버스바(18)의 얇은 부분(20)을 고정시키는 것에만 대한 것이다. 물론, 버스바(18)의 주요 부분(22)은 IGBT(6)의 측면 단자(16)에 고정되고 로드(28A 및 28B)는 유사한 공정을 통해 IGBT(6)의 중앙 단자(14)에 고정된다.
인버터 아암(1)의 제조에서 마지막 단계는, 버스바(18)의 기판(2)에 대향하는 단부에 의해 지지되는 도전성 회로(104, 106) 상에 추가의 도전성 버스바(34)를 부착한다. 버스바(34)는 이전에 설명한 로드(28A 및 28B)와 유사한 도전성 로드(28A 및 38B)를 수용하는 노치(36)를 갖는다. 전기적으로 상호접속되는 로드(38A 및 38B)는 기판(2) 반대측 상에 추가의 도전성 소자를 구성한다.
도 4 및 6을 참조하여 상술한 바와 유사한 방식으로, 추가의 도전 버스바(34)는, 인버터 아암이 조립되었을 때, 다이오드(104)의 단자(112) 및 IGBT(106)의 주변 단자(116) 모두를 덮는다. 따라서, 버스바(34)는 모든 IGBT의 공통 에미터를 구성한다. 또한, 제1의 추가 로드(38A)는 IGBT의 제1행 (R'1)의 중앙 단자(114)를 덮고 제2의 추가 로드(38B)는 IGBT의 제2 행(R'2)의 중앙 단자 상에 배치되며, 그 결과 각 로드는 동일한 행의 IGBT에 대하여 공통인 게이트를 구성한다. 노치(36) 및 로드(38)의 각 크기는 버스바(34)와 로드(38)가 서로 접촉하지 않고 상호 절연된 도전성 부재의 평면 어레이를 구성하도록 되어있다.
도 5는 인버터 아암(1)의 전자 회로도이다. 특히, 도 1 및 도 2와 비교하면, 기판(2)이 네거티브 공급 레일 AN을 형성하고 추가 버스바(34)가 포지티브 공급 레일 AP를 형성한다는 것이 명백해질 것이다.
다이오드(4) 셋트와 다이오드(104) 셋트는 도 5에서 각각 등가의 다이오드 D 및 D'을 구성한다.
유사하게, IGBT(6) 및 IGBT(106)는 도 5에서 각각 등가의 트랜지스터 T 및 T'을 구성한다. 결국, 중간의 도전성 버스바(20)는 인버터(1)의 페이즈 라인 P를 형성한다.
상술한 공정에 의해서 조립했을 때 인버터 아암은 유전체액에 침수됨으로써 냉각될 수 있다. 모두 도전성인 기판(2) 및 버스바(18 및 34)는, 추가로 열소산 기능을 갖는다.
열전달 및 절전의 2가지 복합 구조의 기판(2) 및 버스바(34)를 포함할 수 있다. 이를 위해서, 절연층(42) 및 도전층(44)을, 체인-도트 아웃라인으로 도시된 바와 같이, 기판(2) 하부에 배치할 수 있고, 그렇게 하여 기판(2)이 결과 구조물(46)의 상층을 구성한다. 마찬가지로, 도전성 버스바(34)의 상부에 각각의 절연 및 도전층(48 및 50)을 탑재하여, 버스바(34)가 결과 복합 구조물(52)의 하부층을 구성할 수 있다.
그 다음, 복합 구조물(46, 52)의 도전성 단부층(44, 50)을, 도시되지 않은, 냉각 부재와 접촉시킴으로써 인버터 아암(1)을 냉각시킨다. 이는, 종래의 방식대로. 수냉판(water-cooled plate), 에어 히트 익스체인저(air heat exchanger) 또는 "caloduc" 증발기 노즐일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 인버터 아암은 그 상면과 하면 둘다로부터 냉각된다.
본 발명은 상술한 목적을 성취한다. 본 발명에 따른 전자 파워 장치의 3차원 구조가 주목할만 하게 작아진다. 당 기술에 잘 알려진 파워 장치와 비교해 볼 때, 본 발명은 장치의 최종 전체 체적을 상당히 감소시키고 또한 의사 인덕턴스(spurious inductance) 현상도 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는 종래 기술에서 사용하는 알루미늄 와이어를 없앨 수 있다. 제조를 단순화하는 것은 그렇다 치더라도, 알루미늄 와이어 파열의 원인이 도리 수 있는 열적 사이클링(thermal cycling)시에 알루미늄 와이어가 심각한 오동작을 일으킬 수 있다는 점에서 신뢰도를 향상시킨다.
또한, 이러한 일루미늄 와이어가 없음으로 해서, 본 발명에 따른 파워 장치는 종래 기술의 장치보다 냉각하기가 쉽다. 알루미늄 와이어는, 이들을 흐르는 전류의 제곱에 비례하여 가열되기 때문에, 냉각에 대하여 제한 계수를 형성하고, 따라서 냉각하기가 어렵다. 이런 점에서 기판과 도전성 버스바가 보장하는 열 소산이 제안된다.
향상된 냉각으로 인해, 본 발명은 사용된 소정량의 반도체 재료에 대한 파워 장치의 전류 용량을 증가시킴에 따라서 소정 단위 가격이 저감되며, 또한 체적을 감소시킴에 따라서 소정의 공칭 전류에 대한 전체 단위 가격이 저감된다.
향상된 냉각은, 도전성 기판과 기판 반대측의 도전성 버스바가 모두 열 전달 및 절전의 복합 구조의 일부인 경우 특히 유리하다. 파워 장치를 구성하는 반도체 회로 셋트를 상부면 및 하부면 둘다에서부터 동시에 냉각한다.

Claims (10)

  1. 다이오드와 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터로 형성되고 접속 단자를 갖는 반도체 회로의 제1면 구성부가 그 상부에 배치되어 있는 도전성 기판을 포함하는 파워 전자 장치에 있어서,
    상기 장치는 적어도 하나의 반도체 회로의 제2면 구성부를 포함하고, 2개의 인접한 면 구성부들은 상기 제1면 구성부의 회로의 단자에 접속된 적어도 하나의 도전성 및 열 소산성 버스바를 포함하는 평면 도체 어레이에 의해 분리되고, 상기 버스바는 또한 상기 기판에 대향하는 면에서 제2 면 구성부의 회로를 지지하고, 버스바로부터 전기적으로 절연된 적어도 하나의 도전성 부재가 상기 제1 구성부의 회로의 다른 단자에 접속되고 버스바의 체적 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 회로의 단면 구성부는, 상기 단면 구성부의 회로의 단자에 접속되는 적어도 하나의 도전성 및 열 소산성 단부 버스바를 포함하는 단면 도체 어레이에 의해 덮여지고, 적어도 하나의 단부 도체 부재가 상기 단면 구성부의 회로의 다른 단자에 접속된 상기 단면 버스바로부터 전기적으로 절연되고 상기 버스바의 체적 내에 있는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 면 구성부의 단자는 적어도 하나의 주석-납-은 보스를 쏠더링함으로써 각 어레이 구성부에 고정되는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 단자들은 보스 또는 각 보스에 고착된, 특히 티타늄-니켈-골드 퇴적물로된 코팅에 의해 보스 또는 각 보스로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도전성 버스바는 적어도 하나의 숄더를 가짐으로써 상기 기판과 평행만 면에서 포괄적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 기판 및 상기 단부 버스바는 각 열 전달 및 절전 복합 구조물의 일부인 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 도전성 버스바는 상기 도전성 부재를 수용하는 노치를 갖는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  8. 제2항에 있어서, 인버터 아암을 형성하고 동일한 제1 및 제2 면 구성부와 제1 및 제2 면 도체 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  9. 제8항에 있어서, 각각의 상기 면 어레이들은 일련의 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터의 행에 공통인 적어도 하나의 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1면 어레이와 상기 제2면 어레이의 상기 도전성 버스바는 상기 제1면 구성부와 상기 제2면 구성부 각각의 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터에 공통인 에미터를 형성하는 것을 특징으로 하는 파워 전자 장치.
KR1019990052867A 1998-11-27 1999-11-26 파워 전자 장치 KR100578441B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9815157A FR2786655B1 (fr) 1998-11-27 1998-11-27 Dispositif electronique de puissance
FR9815157 1998-11-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000035704A true KR20000035704A (ko) 2000-06-26
KR100578441B1 KR100578441B1 (ko) 2006-05-11

Family

ID=9533443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990052867A KR100578441B1 (ko) 1998-11-27 1999-11-26 파워 전자 장치

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6278179B1 (ko)
EP (1) EP1005089B1 (ko)
JP (1) JP2000164798A (ko)
KR (1) KR100578441B1 (ko)
CN (1) CN1187821C (ko)
AT (1) ATE381781T1 (ko)
AU (1) AU764576B2 (ko)
CA (1) CA2290801C (ko)
DE (1) DE69937781T2 (ko)
DK (1) DK1005089T3 (ko)
ES (1) ES2299235T3 (ko)
FR (1) FR2786655B1 (ko)
PT (1) PT1005089E (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482399B1 (ko) * 2001-06-15 2005-04-14 가부시키가이샤 덴소 스위칭 회로
KR100967251B1 (ko) * 2002-01-17 2010-07-01 알스톰 전기 에너지 변환용 매트릭스 변환기

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703707B1 (en) * 1999-11-24 2004-03-09 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure
JP2002026251A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Toshiba Corp 半導体装置
JP2002324875A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体パッケージ基台および半導体パッケージ
DE10202095A1 (de) * 2002-01-21 2003-07-24 Siemens Ag Elektrisches Gerät
CN1653297B (zh) * 2002-05-08 2010-09-29 佛森技术公司 高效固态光源及其使用和制造方法
US6680532B1 (en) * 2002-10-07 2004-01-20 Lsi Logic Corporation Multi chip module
US7042086B2 (en) 2002-10-16 2006-05-09 Nissan Motor Co., Ltd. Stacked semiconductor module and assembling method of the same
JP2005094842A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Toshiba Corp インバータ装置及びその製造方法
JP4491244B2 (ja) * 2004-01-07 2010-06-30 三菱電機株式会社 電力半導体装置
US7210304B2 (en) * 2005-02-09 2007-05-01 General Motors Corporation Cooling arrangements for integrated electric motor-inverters
JP4478049B2 (ja) * 2005-03-15 2010-06-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2008218688A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Denso Corp 半導体装置
JP4580036B1 (ja) * 2009-06-12 2010-11-10 株式会社神戸製鋼所 バスバーおよびコネクタ
CN101944835B (zh) * 2009-07-03 2013-08-28 王小云 高功率大电流输出的模块电源
JP5242629B2 (ja) * 2010-05-10 2013-07-24 株式会社東芝 電力用半導体素子
CN102264200B (zh) * 2011-07-01 2014-03-26 江苏宏微科技有限公司 智能功率模块
US8987777B2 (en) * 2011-07-11 2015-03-24 International Rectifier Corporation Stacked half-bridge power module
CN102435428A (zh) * 2011-09-30 2012-05-02 广州高澜节能技术股份有限公司 一种模拟igbt模块发热的测试模块
US8752875B1 (en) 2011-12-22 2014-06-17 Michael J. Gerhardt Electronic device holding system
CN202799522U (zh) * 2012-07-28 2013-03-13 中山大洋电机制造有限公司 一种电机控制器结构
US9673162B2 (en) * 2012-09-13 2017-06-06 Nxp Usa, Inc. High power semiconductor package subsystems
JP6102297B2 (ja) * 2013-02-06 2017-03-29 富士電機株式会社 半導体装置
US9825437B2 (en) 2014-06-04 2017-11-21 Hamilton Sundstrand Corporation Three-dimensional power distribution interconnect structure
US9532448B1 (en) * 2016-03-03 2016-12-27 Ford Global Technologies, Llc Power electronics modules
FR3060845B1 (fr) * 2016-12-19 2019-05-24 Institut Vedecom Circuits electroniques de puissance equipes de bus barres formant dissipateurs thermiques et procede d’integration
GB2563186A (en) 2017-01-30 2018-12-12 Yasa Motors Ltd Semiconductor arrangement
GB2559180B (en) 2017-01-30 2020-09-09 Yasa Ltd Semiconductor cooling arrangement
WO2022088179A1 (en) * 2020-11-02 2022-05-05 Dynex Semiconductor Limited High power density 3d semiconductor module packaging
DE102021206935B4 (de) * 2021-07-01 2024-01-25 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungshalbbrückenmodul, Leistungsinverter, Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbbrückenmoduls

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019946A (en) * 1988-09-27 1991-05-28 General Electric Company High density interconnect with high volumetric efficiency
DE4403996A1 (de) * 1994-02-09 1995-08-10 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung für einen Drehstromgenerator
US5532512A (en) * 1994-10-03 1996-07-02 General Electric Company Direct stacked and flip chip power semiconductor device structures
WO1998015005A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482399B1 (ko) * 2001-06-15 2005-04-14 가부시키가이샤 덴소 스위칭 회로
US6884953B2 (en) 2001-06-15 2005-04-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Switching circuit
KR100967251B1 (ko) * 2002-01-17 2010-07-01 알스톰 전기 에너지 변환용 매트릭스 변환기

Also Published As

Publication number Publication date
DK1005089T3 (da) 2008-05-05
EP1005089B1 (fr) 2007-12-19
DE69937781T2 (de) 2008-12-04
KR100578441B1 (ko) 2006-05-11
ATE381781T1 (de) 2008-01-15
AU5960999A (en) 2000-06-01
ES2299235T3 (es) 2008-05-16
EP1005089A1 (fr) 2000-05-31
CN1187821C (zh) 2005-02-02
CN1255749A (zh) 2000-06-07
PT1005089E (pt) 2008-03-27
US6278179B1 (en) 2001-08-21
AU764576B2 (en) 2003-08-21
FR2786655B1 (fr) 2001-11-23
DE69937781D1 (de) 2008-01-31
FR2786655A1 (fr) 2000-06-02
JP2000164798A (ja) 2000-06-16
CA2290801A1 (fr) 2000-05-27
CA2290801C (fr) 2006-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100578441B1 (ko) 파워 전자 장치
US9530707B2 (en) Semiconductor module
CN104160504B (zh) 半导体装置和半导体装置的制造方法
US5038194A (en) Semiconductor device
EP3544168B1 (en) Circuit layout, redistribution board, module and method of fabricating a half-bridge circuit
KR950000203B1 (ko) 전력용 반도체 장치
US20230171909A1 (en) Semiconductor device with stacked terminals
AU755407B2 (en) Power electronic componenet including cooling means
US6538878B1 (en) Bus bar assembly
JP2001160632A (ja) 熱電モジュール
US4209799A (en) Semiconductor mounting producing efficient heat dissipation
US6292368B1 (en) Electrical power component mounted by brazing on a support and corresponding mounting process
US10199365B2 (en) Semiconductor module
KR20120073302A (ko) 회로 장치 및 그의 제조 방법
EP0076802A4 (en) PACKAGE FOR HIGH CURRENT POWER WITH LADDERS ON MULTIPLE LEVELS.
CN215644461U (zh) 一种功率模块及电子设备
EP0181975B1 (en) Semiconductor device comprising a support body
JPS5935001Y2 (ja) 光双方向性サイリスタ
CN110875266A (zh) 半导体晶圆的连接结构
JPS62265744A (ja) 半導体装置
CN116525603A (zh) 一种三相全桥电路的功率封装模块
WO2000051141A1 (en) Bus bar assembly
JPH11513199A (ja) 絶縁パッケージを有する半導体デバイス
JPS63208262A (ja) 半導体実装体
JPH03132066A (ja) 電力変換装置用トランジスタモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130426

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140425

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150428

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160422

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170421

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180420

Year of fee payment: 13