CN103579055A - 清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置及基板清洗方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种能够使制品品质提高的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置及基板清洗方法。实施方式的清洗液生成装置（2）具备：储存磷酸水溶液的储存部（11），将磷酸水溶液加热的加热部（12），浸渍在储存部（11）内的磷酸水溶液中的第1硅部件（13）及第2硅部件（14），以及使第1硅部件（13）与第2硅部件（14）之间产生电位差的电压施加部（15）。
Description
技术领域
本发明涉及清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置及基板清洗方法。
背景技术
基板清洗装置在半导体装置、液晶显示装置等电子部件的制造工序中被广泛地使用。作为该基板清洗装置，有在作为半导体装置一例的半导体器件的制造工序中、对半导体基板上的氮化膜和氧化膜有选择地进行刻蚀的基板处理装置。
这里，在制造半导体器件的工序中，在半导体基板上层叠有刻蚀对象膜的氮化膜（例如Si3N4膜）和刻蚀阻挡膜的氧化膜（例如SiO2膜）。但是，若半导体器件微细化，则膜本身成为薄膜，所以需要提高刻蚀对象膜与刻蚀阻挡膜之间的选择比。若不能足够取得该选择比，则在刻蚀工序中刻蚀阻挡膜消失，这会对器件制造带来妨碍。
在作为刻蚀对象膜的氮化膜的刻蚀中，使用高温的磷酸（H3PO4）水溶液，刻蚀对象膜的氮化膜与刻蚀阻挡膜的氧化膜之间的选择比低。此时，已知若磷酸水溶液中的硅浓度变高则氮化膜与氧化膜之间的选择比变高，通常，使磷酸水溶液中的硅浓度变高。通常，作为使磷酸水溶液中的硅浓度变高的方法，采用将氮化膜刻蚀、对其刻蚀液进行再利用的方法。
但是，在如上述那样地采用将氮化膜的刻蚀液再利用的方法的情况下，需要至少一次使用具有氮化膜的伪（dummy）半导体基板进行刻蚀处理，但在将该伪半导体基板产生的刻蚀液再利用的方法中，难以得到希望的硅浓度的磷酸水溶液。因此，难以得到足够的选择比，这存在对器件制造带来妨碍的情况，制品品质下降。
发明内容
本发明要解决的课题在于，提供一种能够使制品品质提高的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置及基板清洗方法。
实施方式的清洗液生成装置具备：储存部，储存磷酸水溶液；加热部，将磷酸水溶液加热；第1硅部件及第2硅部件，浸渍在储存部内的磷酸水溶液中；电压施加部，使第1硅部件与第2硅部件之间产生电位差。
实施方式的清洗液生成方法具有以下工序：将磷酸水溶液积存在储存部中后进行加热、或将磷酸水溶液加热后积存到储存部中的工序；使浸渍在加热后的储存部内的磷酸水溶液中的第1硅部件与第2硅部件之间产生电位差的工序。
实施方式的基板清洗装置具备：储存部，储存磷酸水溶液；加热部，将磷酸水溶液加热；第1硅部件及第2硅部件，浸渍在储存部内的磷酸水溶液中；电压施加部，使第1硅部件与第2硅部件之间产生电位差；清洗部，通过含有从第1硅部件或第2硅部件溶解的硅的磷酸水溶液将基板清洗。
实施方式的基板清洗方法具有以下工序：将磷酸水溶液积存在储存部中后进行加热、或将磷酸水溶液加热后积存在储存部中的工序；使浸渍在加热后的储存部内的磷酸水溶液中的第1硅部件与第2硅部件之间产生电位差的工序；通过含有从第1硅部件或第2硅部件溶解的硅的磷酸水溶液将基板清洗的工序。
根据上述清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置或基板清洗方法，能够使制品品质提高。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板清洗装置的概略结构的图。
图2是表示图1所示的基板清洗装置具备的清洗液生成装置的概略结构的图。
图3是表示图1所示的基板清洗装置进行的基板清洗工序（还包括清洗液生成工序）的流程的流程图。
具体实施方式
参照附图对一实施方式进行说明。
如图1所示，实施方式的基板清洗装置1包括：清洗液生成装置2，生成清洗液；清洗液循环部3，使由该清洗液生成装置2生成的清洗液循环；清洗部4，用从该清洗液循环部3供给的清洗液将基板W清洗；以及控制部5，对各部进行控制。
清洗液生成装置2如图2所示，具备：储存部11，储存磷酸水溶液；加热部12，将该储存部11内的磷酸水溶液加热；第1硅部件13及第2硅部件14，浸渍在储存部11内的磷酸水溶液中；以及电压施加部15，使这些第1硅部件13与第2硅部件14之间产生电位差。
储存部11是储存磷酸水溶液的上部开放的箱。该储存部11例如由氟类的树脂或石英等材料形成。在储存部11的内部，设有对储存在该内部中的磷酸水溶液的温度进行检测的温度检测部11a。该温度检测部11a连接于控制部5，将检测出的磷酸水溶液的温度向控制部5输出（参照图1）。此外，储存部11连接有与其内部相连的供给管道16。在该供给管道16的中途，设有作为供给驱动源的泵16a（参照图1）。该泵16a电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，使储存部11内的磷酸水溶液向供给管道16流动。另外，在泵16a的驱动停止后，虽然储存部11内的磷酸水溶液的量减少，但常温的磷酸水溶液从储存部11的上部开口部供给到储存部11内，储存部11内的磷酸水溶液的量保持一定。
加热部12作为对储存部11进行支撑的支撑台而设在该储存部11的下部，形成得能够将储存部11加热。该加热部12电连接于控制部5（参照图1），根据该控制部5的控制，与储存部11一起将该储存部11内的磷酸水溶液加热。作为加热部12，例如可以使用加热器。液体的温度在例如150℃～160℃的范围内（150℃以上160℃以下的范围内）设定。此时，控制部5使用由温度检测部11a检测出的储存部11内的磷酸水溶液的温度，对加热部12即加热器功率进行控制，以使得将硅溶解中的磷酸水溶液的温度维持一定。另外，也可以将加热部12使用联机（inline）加热器而设置到储存部11内。
第1硅部件13及第2硅部件14以能够浸渍到储存部11内的磷酸水溶液中且相互分离的方式设在储存部11内。这些第1硅部件13及第2硅部件14作为一对电极而发挥功能。在本实施方式中，第1硅部件13为正极（阳极），第2硅部件14为负极（阴极）。
另外，作为第1硅部件13及第2硅部件14，例如为了使电传导性提高，优选使用掺杂了硼或磷的低电阻（作为一例，是1Ω·cm以下的低电阻）的硅部件。硼及磷是在半导体中经常使用的元素，由于对半导体装置的制造工艺的影响少而被使用，但并不限定于此，只要能够使硅部件为低电阻，也可以使用其他元素。此外，第1硅部件13及第2硅部件14这两者既可以使用相同的元素也可以使用不同的元素。另外，如果考虑液体中的电子的交换反应（直流的情况），则优选的是作为正极而使用掺杂了磷的硅部件、作为负极而使用掺杂了硼的硅部件。
电压施加部15如图2所示，具备：向第1硅部件13与第2硅部件14之间施加电压的直流的电源15a，对流到第1硅部件13及第2硅部件14的电流进行计测的电流计15b，和对供给到第1硅部件13及第2硅部件14的电压进行计测的电压计15c。该电压施加部15电连接于控制部5（参照图1），根据该控制部5的控制而施加电压。此外，电压施加部15将由电流计15b计测出的电流值及由电压计15c计测出的电压值向控制部5输出（参照图1）。
该电压施加部15，在由加热部12加热后的储存部11内的磷酸水溶液的温度成为规定的温度的情况下，向第1硅部件13与第2硅部件14之间施加电压而流过电流。详细地讲，控制部5基于由温度检测部11a检测出的磷酸水溶液的温度，判断由加热部12加热后的储存部11内的磷酸水溶液的温度是否成为了规定的温度，在判断为该磷酸水溶液的温度已成为规定的温度的情况下，对电压施加部15输出执行电压施加的指示。接受该指示，电压施加部15向第1硅部件13与第2硅部件14之间施加电压。
另外，向第1硅部件13与第2硅部件14的电极间施加的电压优选设定在0.3V～5.0V的范围内（0.3V以上5.0V以下的范围内）。这是因为，如果电压（电位）比0.3V小，则利用第1硅部件13及第2硅部件14难以实现硅溶解，如果比5.0V大，则第1硅部件13或第2硅部件14的两表面容易氧化。此外，根据第1硅部件13及第2硅部件14的各电阻值，施加的电压的最优值不同。
当通过这样的电压施加部15在第1硅部件13与第2硅部件14间产生电位差时，硅通过电分解而成为离子，溶解到磷酸水溶液中。此时，通过始终使用电流计15b检测（监视）流过第1硅部件13的电流值，能够根据法拉第的电分解法则（在电分解中关于流过的电量与生成物质的质量的法则）来掌握磷酸水溶液中的硅浓度（硅溶解浓度）。另外，法拉第的电分解法则是这样的法则，即：在电分解中，析出的物质的量与流过的电量成比例，由相同的电量析出的物质的量与物质的化学当量成比例。
因而，控制部5利用由电流计15b计测出的电流值，计算磷酸水溶液中的硅浓度。在该磷酸水溶液中的硅浓度成为规定的浓度的情况下，驱动泵16a而将储存部11内的磷酸水溶液经供给管道16向清洗液循环部3供给。另外，规定的硅浓度例如设定在20ppm～150ppm的范围内（20ppm以上150ppm以下的范围内），特别优选的是设定在30ppm～100ppm的范围内（30ppm以上100ppm以下的范围内）。
回到图1，清洗液循环部3具备：缓冲箱等箱21，储存从清洗液生成装置2供给的规定的硅浓度的磷酸水溶液；与该箱21相连的循环管道22；与该循环管道22相连、将规定的硅浓度的磷酸水溶液喷出的喷出管道23；以及连接管道24，使清洗后的磷酸水溶液返回箱21。
箱21是储存从清洗液生成装置2经供给管道16供给的规定硅浓度的磷酸水溶液的箱。该箱21设有对储存在其内部中的磷酸水溶液的量和硅浓度进行检测的检测部21a。该检测部21a连接于控制部5，将检测出的磷酸水溶液的量及硅浓度向控制部5输出。另外，箱21连接有清洗液生成装置2的供给管道16、循环管道22及连接管道24。
循环管道22以使箱21内的磷酸水溶液流过循环管道22并再次向箱21内返回的方式进行连接。在该循环管道22的中途，设有：作为循环驱动源的泵22a；将流过循环管道22的磷酸水溶液加热的加热器22b；从流过循环管道22的磷酸水溶液中将异物除去的过滤器22c；和将循环管道22开闭的开闭阀V1。
泵22a电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，使箱21内的磷酸水溶液流向循环管道22。此外，加热器22b电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，将流过循环管道22的磷酸水溶液在一定温度下加热。加热器温度例如设定在150℃～160℃的范围内（150℃以上160℃以下的范围内）。开闭阀V1电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，将循环管道22开闭。
喷出管道23连接在循环管道22的过滤器22c与开闭阀V1之间，是将规定的硅浓度的磷酸水溶液喷出的管道，其喷出侧的前端部朝向基板W的表面而设置。在该喷出管道23的中途，设有将喷出管道23开闭的开闭阀V2。该开闭阀V2电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，将喷出管道23开闭。控制部5，若在由检测部21a检测出的硅浓度是规定的浓度的情况下接受到清洗开始的指示，则使循环管道22中途的开闭阀V1成为闭状态，使喷出管道23中途的开闭阀V2成为开状态，从循环管道22向喷出管道23流过规定的硅浓度的磷酸水溶液。
连接管道24以将清洗部4与箱21连接的方式而设置。在该连接管道24的中途，设有作为驱动源的泵24a、和将连接管道24开闭的开闭阀V3。泵24a电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，使清洗部4内的使用后的清洗液流向连接管道24。开闭阀V3电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，将连接管道24开闭。此外，在连接管道24中途的开闭阀V3的下游侧，连接有清洗液排出用的排出管道24b。在该排出管道24b的中途，还设有将该排出管道24b开闭的开闭阀V4。开闭阀V4电连接于控制部5，根据该控制部5的控制，将排出管道24b开闭。
清洗部4是使用规定的硅浓度的磷酸水溶液、将半导体基板等基板W的表面上的氮化膜相对于氧化膜有选择地刻蚀而除去的清洗装置。该清洗部4具备：使基板W旋转的旋转机构4a；以及喷嘴4b，将规定的硅浓度的磷酸水溶液供给到通过该旋转机构4a而旋转的基板W上。该喷嘴4b是喷出管道23的一端部，从该喷嘴4b将规定的硅浓度的磷酸水溶液作为清洗液喷出。即，清洗部4将规定的硅浓度的磷酸水溶液从喷嘴4b作为清洗液朝向旋转的基板W的表面供给，从而将基板W的表面上的氮化膜有选择地除去。另外，在基板W上，层叠有刻蚀对象膜的氮化膜（例如Si3N4膜）、和刻蚀阻挡膜的氧化膜（例如SiO2膜）。
这里，从基板W的表面流到清洗部4的底面的清洗液，流过与该底面连接的连接管道24，通过泵24a的驱动而被回收到箱21中。此时，开闭阀V3是开状态，开闭阀V4是闭状态。但是，基板W上的氮化膜被刻蚀，硅浓度超过规定的范围时，清洗液不被回收到箱21中而从排出管道24b排出。此时，开闭阀V3是闭状态，开闭阀V4是开状态。
控制部5具备将各部集中控制的微型计算机、以及存储与清洗液生成及基板清洗有关的各种处理信息及各种程序等的存储部。该控制部5基于各种处理信息及各种程序，进行整体控制，即：由清洗液生成装置2生成规定的硅浓度的磷酸水溶液作为清洗液，使生成的规定的硅浓度的磷酸水溶液循环并加热而将其温度维持为规定温度，然后，根据清洗开始的指示，使用规定的硅浓度的磷酸水溶液，由清洗部4对基板W进行清洗。
接着，参照图3对上述基板清洗装置1进行的基板清洗工序（也包括生成清洗液的清洗液生成工序）进行说明。
如图3所示，实施方式的基板清洗工序具有：对电极间施加电压而生成规定的硅浓度的磷酸水溶液的工序（步骤S1）、维持箱21内的磷酸水溶液的量、磷酸水溶液的温度及硅浓度的工序（步骤S2）、通过规定的硅浓度的磷酸水溶液对基板进行清洗的工序（步骤S3）、最后将基板水洗并干燥的工序（步骤S4）。
详细地讲，在步骤S1中，由加热部12将储存部11内的磷酸水溶液加热，当由温度检测部11a检测出的磷酸水溶液的温度成为规定的温度（例如150℃～160℃）时，由电压施加部15向储存部11内的第1硅部件13与第2硅部件14之间施加电压。由此，在第1硅部件13与第2硅部件14之间产生电位差，所以通过电分解，硅成为离子，溶解到磷酸水溶液中。
此时，储存部11内的磷酸水溶液中的硅浓度，使用由电流计15b检测出的电流值由控制部5来计算。如果该磷酸水溶液中的硅浓度成为规定的浓度，则通过控制部5将泵16a驱动，将储存部11内的具有规定的硅浓度的磷酸水溶液经供给管道16向箱21供给。然后，当由检测部21a检测出的箱21内的磷酸水溶液的量成为规定量时，由控制部5停止泵16a的驱动。
在步骤S2中，将清洗液循环部3的泵22a通过控制部5驱动，箱21内的磷酸水溶液在循环管道22中循环。此时，循环管道22中途的开闭阀V1是开状态，喷出管道23中途的开闭阀V2是闭状态。在循环管道22中流动的磷酸水溶液被加热器22b加热到一定温度（例如150℃～160℃），并且，由过滤器22c从在循环管道22中流动的磷酸水溶液中将异物（杂质）去除。该磷酸水溶液的循环进行到清洗部4的清洗开始为止。
在步骤S3中，指示清洗的开始，由检测部21a检测出的硅浓度是规定的浓度时，使循环管道22中途的开闭阀V1成为闭状态，使喷出管道23中途的开闭阀V2成为开状态，从循环管道22向喷出管道23流过规定的硅浓度的磷酸水溶液。该磷酸水溶液在喷出管道23中前进，从该喷出管道23的前端部即喷嘴4b朝向基板W的表面喷出，由规定的硅浓度的磷酸水溶液将基板W上的氮化膜有选择地除去。在该清洗时，基板W利用旋转机构4a在平面内以一定的转速旋转。在规定的处理时间后，使循环管道22中途的开闭阀V1成为开状态，使喷出管道23中途的开闭阀V2成为闭状态。由此，停止从喷出管道23喷出磷酸水溶液，在循环管道22中循环的磷酸水溶液的循环再次开始。
在清洗中，从基板W的表面向清洗部4的底面流下的磷酸水溶液，通过泵24a的驱动而在连接管道24中流动，被回收到箱21。此时，当由检测部21a检测出的箱21内的磷酸水溶液的硅浓度下降时，泵16a被控制部5驱动，储存部11内的具有规定的硅浓度的磷酸水溶液经供给管道16被向箱21供给。然后，当由检测部21a检测出的箱21内的磷酸水溶液中的硅浓度成为规定的浓度时，泵16a的驱动被控制部5停止。
在步骤S4中，在上述磷酸水溶液的喷出停止后（清洗完成后），使用喷出超纯水或加热后的超纯水的喷嘴（未图示），用超纯水或加热后的超纯水将基板W水洗，基板W在该水洗后被干燥并被向接下来的制造工序运送。另外，在干燥中，可以采用如下干燥方法等，即：通过清洗部4的旋转机构4a使基板W旋转，通过其离心力将基板W上的水甩掉的干燥方法、或在涂敷具有速干性的有机溶剂（例如IPA：异丙醇）后与上述同样地将基板W上的有机溶剂甩掉的干燥方法等。
如以上说明的那样，根据实施方式，将储存部11内的磷酸水溶液加热，使浸渍到储存部11内的磷酸水溶液中的第1硅部件13与第2硅部件14之间产生电位差。由此，第1硅部件13与第2硅部件14产生电位差，通过电分解，硅成为离子，溶解到磷酸水溶液中。因此，容易得到希望的硅浓度的磷酸水溶液，能够得到足够的选择比，所以能够防止对半导体装置的制造带来妨碍从而制品品质下降，使制品品质提高。
此外，由于第1硅部件13及第2硅部件14中的双方或一方是掺杂了硼或磷的硅部件，所以能够使第1硅部件13或第2硅部件14为低电阻而使电传导性提高。此外，由于硼或磷是在半导体中经常使用的元素，所以能够抑制对半导体装置的制造工艺的影响。
此外，通过使第1硅部件13与第2硅部件14之间在0.3V以上5.0V以下的范围内产生电位差，来自第1硅部件13与第2硅部件14的硅溶解变得容易，还能够防止第1硅部件13或第2硅部件14的两表面的氧化膜（具有绝缘性）形成。因此，能够可靠地得到希望的硅浓度的磷酸水溶液。
此外，通过将流过第1硅部件13及第2硅部件14的电流值用电流计15b检测，根据该电流，按照法拉第的电分解法则，能够容易且正确地得到储存部11内的磷酸水溶液的硅浓度。
另外，在上述实施方式中，使用由电流计15b检测出的电流值，计算储存部11内的磷酸水溶液中的硅浓度，但作为该电流值的使用，除此以外例如也可以是，使用由电流计15b检测出的电流值，控制电压施加部15、即流过第1硅部件13及第2硅部件14的电流值，以使得抑制第1硅部件13的表面的氧化及第2硅部件14的表面的氧化。在此情况下，由于能够防止第1硅部件13或第2硅部件14的两表面的氧化膜形成，所以能够可靠地得到希望的硅浓度的磷酸水溶液。此外，通过控制流过第1硅部件13及第2硅部件14的电流值，还能够控制硅对储存部11内的磷酸水溶液的溶解量，所以能够更可靠地得到希望的硅浓度的磷酸水溶液。
此外，在上述实施方式中，使第1硅部件13的电位为正的电位，使第2硅部件14的电位为负的电位，来将各电位的正负固定，但并不限定于此，也可以反复切换第1硅部件13和第2硅部件14相互的电位的正负。在此情况下，由于能够防止第1硅部件13及第2硅部件14的两表面的氧化膜形成，所以能够可靠地得到希望的硅浓度的磷酸水溶液。另外，作为电位正负的切换方法，除了直流电源以外还可以使用交流电源作为电源15a，或者也可以使用将电压用脉冲的正负进行切换的方法。
此外，在上述实施方式中，储存部11是上部开放的箱，但并不限定于此，例如也可以使用这样的结构，即：设置进行排气以使得不将储存部11的内部加压的具有疏水阀（トラップ）结构的盖，抑制磷酸水溶液的水分蒸发。
此外，在上述实施方式中，将储存部11内的磷酸水溶液用加热部12加热，但并不限定于此，例如也可以不设置该加热部12，在供给磷酸水溶液的供给源用其他加热部将磷酸水溶液加热后供给到储存部11内，使接触于第1硅部件13及第2硅部件14的磷酸水溶液的温度成为比常温高的温度。即，既可以将磷酸水溶液积存在储存部11中后进行加热，也可以将磷酸水溶液加热后积存在储存部11中。但是，将储存部11内的磷酸水溶液加热能将磷酸水溶液的温度维持一定，特别是，在第1硅部件13及第2硅部件14的硅溶解中也能够调整磷酸水溶液的温度。
此外，在上述实施方式中，在喷出管道23的中途没有设置泵，但并不限定于此，例如也可以是，为了从喷出管道23以一定的流量将磷酸水溶液喷出，在喷出管道23的中途设置定量泵，通过该定量泵的驱动来将磷酸水溶液喷出。
此外，在上述实施方式中，使喷出管道23的喷嘴4b为固定状态，但并不限定于此，例如也可以沿着利用旋转机构4a而旋转的基板W的表面（例如圆板状的基板W的半径方向）使喷出管道23的喷嘴4b往复移动。
此外，在上述实施方式中，使用对基板W一个个地进行处理的单片式清洗方法，但并不限定于此，例如也可以使用将多个基板W同时浸渍在处理槽中进行处理的批量式清洗方法。在该批量式清洗方法中，将喷出规定的硅浓度的磷酸水溶液的喷出管道23连接于批量式的处理槽，向该处理槽内供给规定的硅浓度的磷酸水溶液。在将磷酸水溶液以规定量供给到处理槽中之后，使处理槽内的磷酸水溶液流到与该处理槽相连的循环系统管道中并循环，通过加热器保持为一定温度。然后，将多个基板W通过自动装置（robot）一次浸渍到该处理槽内的磷酸水溶液中，将这些基板W上的各氮化膜有选择地除去。在规定的处理时间后，通过自动装置从处理槽内的磷酸水溶液中将全部的基板W捞起，并立即浸渍到旁边的超纯水槽或温超纯水槽中，通过流水充分水洗后进行干燥。
以上，说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，并不意味着限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围及主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等价的范围中。
Claims (9)
1.一种清洗液生成装置，其特征在于，具备：
储存部，储存磷酸水溶液；
加热部，将上述磷酸水溶液加热；
第1硅部件及第2硅部件，浸渍在上述储存部内的磷酸水溶液中；以及
电压施加部，使上述第1硅部件与上述第2硅部件之间产生电位差。
2.如权利要求1所述的清洗液生成装置，其特征在于，
上述第1硅部件及上述第2硅部件双方或一方是掺杂了硼或磷的硅部件。
3.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于，
上述电压施加部在0.3V以上5.0V以下的范围内产生上述电位差。
4.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于，
上述电压施加部具备电流计，该电流计检测流过上述第1硅部件及上述第2硅部件的电流值。
5.如权利要求4所述的清洗液生成装置，其特征在于，
该清洗液生成装置还具备控制部，该控制部使用由上述电流计检测出的上述电流值来控制上述电压施加部，以使得抑制上述第1硅部件的表面的氧化及上述第2硅部件的表面的氧化。
6.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于，
上述电压施加部反复切换上述第1硅部件和上述第2硅部件的相互的电位的正负。
7.一种清洗液生成方法，其特征在于，具有以下工序：
将磷酸水溶液积存在储存部中后进行加热、或将磷酸水溶液加热后积存在储存部中的工序；以及
使浸渍在加热后的上述储存部内的磷酸水溶液中的第1硅部件与第2硅部件之间产生电位差的工序。
8.一种基板清洗装置，其特征在于，具备：
储存部，储存磷酸水溶液；
加热部，将上述磷酸水溶液加热；
第1硅部件及第2硅部件，浸渍在上述储存部内的磷酸水溶液中；
电压施加部，使上述第1硅部件与上述第2硅部件之间产生电位差；以及
清洗部，通过含有从上述第1硅部件或上述第2硅部件溶解的硅的磷酸水溶液将基板清洗。
9.一种基板清洗方法，其特征在于，具有以下工序：
将磷酸水溶液积存在储存部中后进行加热、或将磷酸水溶液加热后积存在储存部中的工序；
使浸渍在加热后的上述储存部内的磷酸水溶液中的第1硅部件与第2硅部件之间产生电位差的工序；以及
通过含有从上述第1硅部件或上述第2硅部件溶解的硅的磷酸水溶液将基板清洗的工序。
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