TWI525688B - A cleaning liquid generation device, a cleaning liquid generation method, a substrate cleaning device, and a substrate cleaning method - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 62
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 260
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 130
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 109
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 88
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 claims 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 14
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 8
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical group [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
本發明之實施型態係關於洗淨液產生裝置、洗淨液產生方法、基板洗淨裝置及基板洗淨方法。
基板洗淨裝置係廣泛使用於半導體裝置或液晶顯示裝置等之電子零件之製造工程中。就以該基板洗淨裝置而言，在為半導體裝置之一例的半導體裝置之製造工程中，有選擇性地對半導體基板上之氮化膜和氧化膜進行蝕刻之基板處理裝置。
在此，在製造半導體裝置之工程中，在半導體基板上疊層蝕刻對象膜之氮化膜(例如，Si3N4膜)和蝕刻停止膜之氧化膜(例如SiO2膜)。然而，當半導體裝置微細化時，因膜變薄，故必須提高蝕刻對象膜和蝕刻停止膜之選擇比。當無法充分取得該選擇比時，在蝕刻工程中蝕刻停止膜消失，此干擾到裝置製造。
在蝕刻對象膜之氮化膜的蝕刻中，雖然使用高溫之磷酸(H3PO4)水溶液，蝕刻對象膜之氮化膜和蝕刻停止膜
之氧化膜之選擇比低。此時，當磷酸水溶液中之矽濃度高時，氮化膜和氧化膜之選擇比變高之情形為眾知，一般而言，磷酸水溶液中之矽濃度變高。通常，就以提高磷酸水溶液中之矽濃度的方法而言，使用蝕刻氮化膜，再利用其蝕刻液的方法。
但是，於如上述般再利用氮化膜之蝕刻液的方法時，必須至少一次使用具有氮化膜之虛擬半導體基板而進行蝕刻處理，但是在藉由該虛擬之半導體基板再利用蝕刻液之方法中，難以取得期待之矽濃度之磷酸水溶液。因此，難以取得充分之選擇比，該干擾到裝置製造，導致製品品質下降。
本發明所欲解決之課題，為提供可以提升製品品質之洗淨液產生裝置、洗淨液產生方法、基板洗淨裝置及基板洗淨方法。
與實施型態有關之洗淨液產生裝置具備貯留磷酸水溶液之貯留部、加熱磷酸水溶液之加熱部、被浸漬於貯留部內之磷酸水溶液之第1矽材及第2矽材，和使第1矽材和第2矽材之間產生電位差的電壓施加部。
與實施型態有關之洗淨液產生方法具有：將磷酸水溶液儲存於貯留部而予以加熱，或加熱而儲存於貯留部之工程，和使被浸漬於加熱之貯留部內之磷酸水溶液的第1矽材和第2矽材之間產生電位差的工程。
與實施型態有關之基板洗淨裝置具備：貯留磷酸水溶液之貯留部、加熱磷酸水溶液之加熱部、被浸漬於貯留部內之磷酸水溶液之第1矽材及第2矽材、使第1矽材和第2矽材之間產生電位差之電壓施加部，和藉由含有從第1矽材或第2矽材溶解之矽的磷酸水溶液洗淨基板之洗淨部。
與實施型態有關之基板洗淨方法具有：將磷酸水溶液儲存於貯留部而予以加熱，或加熱而儲存於貯留部之工程，和使被浸漬於加熱之貯留部內之磷酸水溶液之第1矽材和第2矽材之間產生電位差之工程，和藉由含有從第1矽材和第2矽材溶解之矽的磷酸水溶液洗淨基板的工程。
若藉由上述洗淨液產生裝置、洗淨液產生方法、基板洗淨裝置或基板洗淨方法時，則可以提升製品品質。
1‧‧‧基板洗淨裝置
2‧‧‧洗淨液產生裝置
3‧‧‧洗淨液循環部
4‧‧‧洗淨部
5‧‧‧控制部
4a‧‧‧旋轉機構
4b‧‧‧噴嘴
11‧‧‧貯留部
11a‧‧‧溫度檢測部
12‧‧‧加熱部
13‧‧‧第1矽材
14‧‧‧第2矽材
15‧‧‧電壓施加部
15a‧‧‧電源
15c‧‧‧電壓計
15b‧‧‧電流計
16‧‧‧供給配管
16a‧‧‧泵
21‧‧‧儲槽
21a‧‧‧檢測部
22‧‧‧循環配管
22a‧‧‧泵
22b‧‧‧加熱器
22c‧‧‧過濾器
23‧‧‧吐出配管
24‧‧‧連接配管
24a‧‧‧泵
24b‧‧‧排出配管
V1~V4‧‧‧開關閥
圖1為表示與實施之一型態有關的基板洗淨裝置之概略構成的圖示。
圖2為表示圖1所示之基板洗淨裝置具備之洗淨液產生裝置之概略構成的圖示。
圖3為表示圖1所示之基板洗淨裝置進行的基板洗淨工程(也包含洗淨液產生工程)之流程的流程圖。
針對實施之一型態，參考圖面而作說明。
如圖1所示般，與實施型態有關之基板洗淨裝置1係藉由產生洗淨液之洗淨液產生裝置2、使藉由其洗淨液產生裝置2所產生之洗淨液循環之洗淨液循環部3、藉由從其洗淨液循環部3被供給之洗淨液洗淨基板W之洗淨部4，和藉由控制各部之控制部5而構成。
洗淨液產生裝置2如圖2所示般，具備：貯留磷酸水溶液之貯留部11、加熱其貯留部11內之磷酸水溶液之加熱部12、被浸漬於貯留部11內之磷酸水溶液之第1矽材13及第2矽材14，和使該些第1矽材13和第2矽材14之間產生電位差之電壓施加部15。
貯留部11為貯留磷酸水溶液之上部開放之儲槽。該貯留部11係藉由例如氟之樹脂或石英等之材料而形成。
在貯留部11之內部，設置有檢測出貯留在其內部之磷酸水溶液之溫度的溫度檢測部11a。該溫度檢測部11a連接於控制部5，將檢測出之磷酸水溶液之溫度輸出至控制部5(參照圖1)。再者，貯留部11連接有與其內部相連的供給配管16。在其供給配管16之途中，設置有成為供給驅動源之泵16a(參照圖1)。該泵16a電性連接於控制部5，因應藉由其控制部5之控制，使貯留部11內之磷酸水溶液流至供給配管16。並且，於泵16a之驅動停止後，貯留部11內之磷酸水溶液之量減少，但是常溫之磷酸水溶液從其上部開口部被供給至貯留部11內，貯留部11內之磷酸水溶液之量被保持一定。
加熱部12係以支撐貯留部11之支撐台被設置在其貯
留部11之下部，形成能夠加熱貯留部11。該加熱部12係電性連接於控制部5(參照圖1)，因應藉由其控制部5之控制，與貯留部11同時加熱其貯留部11內之磷酸水溶液。就以加熱部12而言，例如，可以使用加熱器。液之溫度在例如150℃~160℃之範圍內(150℃以上160℃以下之範圍內)被設定。此時，控制部5使用藉由溫度檢測部11a所檢測出之貯留部11內之磷酸水溶液之溫度，控制加熱部12，即是加熱器功率，使矽溶解中之磷酸水溶液之溫度維持一定。並且，即使加熱部12使用線內加熱器，設置在貯留部11內亦可。
第1矽材13及第2矽材14係以可浸漬於貯留部11內之磷酸水溶液並且互相間隔開之方式被設置在貯留部11內。該些第1矽材13及第2矽材14係當作一對電極發揮功能。在本實施型態中，第1矽材13成為正極(陽極)，第2矽材14成為負極(陰極)。
並且，就以第1矽材13及第2矽材14而言，例如為了提升電傳導性，以使用摻雜硼或磷之低電阻(就以一例而言，1Ω．cm以下之低電阻)之矽材為佳。硼及磷為半導體經常使用之元素，由於對半導體裝置之製造過程的影響少而被使用，但是並不限定於此，若能將矽材設為低電阻，即使使用其他元素亦可。再者，即使第1矽材13及第2矽材14之雙方使用相同元素或不同元素亦可。並且，當考慮液中之電子之收授反應時(直流之時)，就以正極而言，以使用摻雜磷之矽材，就以負極而言，以使用
摻雜硼之矽材為佳。
電壓施加部15係如圖2所示般，具備有在第1矽材13和第2矽材14之間施加電壓之直流電源15a，和測量流通於第1矽材13及第2矽材14之電流的電流計15b，和測量被供給至第1矽材13及第2矽材14之電壓的電壓計15c。該電壓施加部15係被電性連接於控制部5(參照圖1)，因應其控制部5之控制而施加電壓。再者，電壓施加部15係將藉由電流計15b所測量之電流值和藉由電壓計15c所測量之電壓值輸出至控制部5(參照圖1)。
該電壓施加部15係於藉由加熱部12被加熱之貯留部11內之磷酸水溶液之溫度成特定溫度之時，在第1矽材13和第2矽材14之間施加電壓使電流流通，當詳細敘述時，控制部5根據藉由溫度檢測部11a所檢測出之磷酸水溶液之溫度，判斷藉由加熱部12被加熱之貯留部11內之磷酸水溶液之溫度是否成為特定溫度，當判斷其磷酸水溶液之溫度成為特定溫度之時，則對電壓施加部15輸出實行電壓施加之主旨的指示。接受該指示，電壓施加部15對第1矽材13和第2矽材14之間施加電壓。
並且，施加於第1矽材13和第2矽材14之電極間的電壓以在0.3V~5.0V之範圍內(0.3V以上5.0V以下之範圍內)被設定為佳。該係因為當電壓(電位)小於0.3V時，難以從第1矽材13及第2矽材14溶解矽，當大於5.0V時，因第1矽材13或第2矽材14之兩表面容易氧化之故。但是，依第1矽材13及第2矽材14之各電阻
值，所施加的電壓之最佳值不同。
當藉由如此之電壓施加部15，在第1矽材13和第2矽材14中產生電位差時，矽藉由電解而成為離子，溶解於磷酸水溶液。此時，藉由使用電流計15b隨時檢測(監視)流通於第1矽材13之電流值，可以從法拉第之電解定律(在電解中，與流入之電量和生成物質之質量有關的定律)掌握磷酸水溶液中之矽濃度(矽溶解濃度)。並且，法拉第之電解定律係指在電解中，所析出之物質的量與流通之電量呈比例，藉由相同之電量所析出的物質之量與物質之化學當量呈比例的定律。
因此，控制部5係使用藉由電流計15b所測量之電流值而算出磷酸水溶液中之矽濃度。於該磷酸水溶液中之矽濃度成為特定濃度之時，驅動泵16a將貯留部11內之磷酸水溶液經供給配管16而供給至洗淨液循環部3。並且，特定之矽濃度係例如在20ppm~150ppm之範圍內(20ppm以上150ppm以下之範圍內)被設定，尤其以在30ppm~100ppm之範圍內(30ppm以上100ppm以下之範圍內)被設定為佳。
返回圖1，洗淨液循環部3具備有貯留從洗淨液產生裝置2被供給之特定的矽濃度之磷酸水溶液的緩衝槽等之儲槽21，和與其儲槽21相連的循環配管22，和與其循環配管22相連的吐出特定矽濃度之磷酸水溶液之吐出配管23，和使洗淨後之磷酸水溶液返回至儲槽21之連接配管24。
儲槽21係貯留從洗淨液產生裝置2經供給配管16被供給之特定矽濃度之磷酸水溶液的儲槽。在該儲槽21設置有檢測出被貯留於其內部之磷酸水溶液之量和矽濃度之檢測部21a。該檢測部21a連接於控制部5，將所檢測出之磷酸水溶液之量及矽濃度輸出至控制部5。並且，儲槽21連接有洗淨液產生裝置2之供給配管16、循環配管22及連接配管24。
循環配管22以儲槽21內之磷酸水溶液在循環配管22流動而再次返回至儲槽21內之方式被連接。在該循環配管22之途中，設置有成為循環驅動源之泵22a、加熱在循環配管22流動之磷酸水溶液的加熱器22b、從在循環配管22流通之磷酸水溶液除去異物的過濾器22c，和開關循環配管22之開關閥V1。
泵22a被電性連接於控制部5，因應其控制部5之控制，使儲槽21內之磷酸水溶液流至循環配管22。再者，加熱器22b係電性連接於控制部5，因應其控制部5之控制以一定溫度加熱在循環配管23流通之磷酸水溶液。加熱器溫度係在例如150℃~160℃之範圍內(150℃以上160℃以下之範圍內)被設定。開關閥V1係被電性連接於控制部5，因應其控制部5之控制而開關循環配管22。
吐出配管23係被連接於在循環配管22中之過濾器22c和開關閥V1之間，吐出特定矽濃度之磷酸水溶液之配管，其吐出側之前端部朝向基板W之表面而被設置。在該吐出配管23之途中，設置有開關吐出配管23之開關
閥V2。該開關閥V2係被電性連接於控制部5，因應其控制部5之控制而開關吐出配管23。控制部5係藉由檢測部21a所檢測出之矽濃度為特定濃度之情況下，當接受洗淨開始之指示時，將循環配管22途中之開關閥V1設為關閉狀態，將吐出配管23途中之開關閥V2設為開啟狀態，使特定濃度之磷酸水溶液從循環配管22流至吐出配管23。
連接配管24被設置成連接洗淨部4和儲槽21。在該連接配管24之途中，設置有成為驅動源之泵24a，和開關連接配管24之開關閥V3。泵24a被電性連接於控制部5，因應其控制部5之控制，使洗淨部4內之使用後之洗淨液流至連接配管24。開關閥V3係被電性連接於控制部5，因應其控制部5之控制而開關連接配管24。再者，在較連接配管24之途中之開關閥V3下游側，連接有洗淨液排出用之排出配管24b。即使在該排出配管24b之途中，也設置有開關其排出配管24b之開關閥V4。開關閥V4係被電性連接於控制部5，因應其控制部5之控制而開關排出配管24b。
洗淨部4係使用特定之矽濃度之磷酸水溶液而對氧化膜選擇性蝕刻除去半導體基板等之基板W之表面上之氮化膜的洗淨裝置。該洗淨部4具備有使基板W旋轉之旋轉機構4a，和對藉由其旋轉機構4a而旋轉之基板W上供給特定矽濃度之磷酸水溶液之噴嘴4b。該噴嘴4b係吐出配管23之一端部，從其噴嘴4b吐出特定矽濃度之磷酸水
溶液以作為洗淨液。即是，洗淨部4藉由從噴嘴4b朝向旋轉之基板W之表面供給特定矽濃度之磷酸水溶液以作為洗淨液，選擇性地除去基板W之表面上之氮化膜。並且，在基板W上，疊層蝕刻對象膜之氮化膜(例如，Si3N4膜)，和蝕刻停止膜之氧化膜(例如，SiO2膜)。
在此，從基板W之表面流至洗淨部4之底面的洗淨液，在與其底面連接之連接配管24流動而藉由泵24a之驅動被回收至儲槽21。此時，開關閥V3為開啟狀態，開關閥V4為關閉狀態。但是，當基板W上之氮化膜被蝕刻，矽濃度超過特定範圍時，洗淨液不被回收至儲槽21，從排出配管24b被排出。此時，開關閥V3為開啟狀態，開關閥V4為關閉狀態。
控制部5具備集中性控制各部之微電腦，還有記憶與洗淨液產生及基板洗淨有關之各種處理資訊或各種程式等之記憶部。該控制部5係根據各種處理資訊或各種程式，進行如下述般之全體控制，即藉由洗淨液產生裝置2產生特定矽濃度之磷酸水溶液以當作洗淨液，利用使所產生之特定矽濃度之磷酸水溶液循環而進行加熱，將其溫度維持在特定溫度，之後，因應洗淨開始之指示而使用特定矽濃度之磷酸水溶液，藉由洗淨部4而洗淨基板W。
接著，針對上述基板洗淨裝置1所進行之基板洗淨工程(也包含產生洗淨液之洗淨液產生工程)，參照圖3而予以說明。
如圖3所示般，與實施型態有關之基板洗淨工程具有
在電極間施加電壓而產生特定矽濃度之磷酸水溶液之工程(步驟S1)，和維持儲槽21內之磷酸水溶液之量、磷酸水溶液之溫度及矽濃度之工程(步驟S2)，和藉由特定矽濃度之磷酸水溶液洗淨基板之工程(步驟S3)，和最後水洗基板而進行乾燥之工程(步驟S4)。
當予以詳敘時，在步驟S1中，藉由加熱部12貯留部11內之磷酸水溶液被加熱，當藉由溫度檢測部11a被檢測出之磷酸水溶液之溫度成為特定溫度(例如，150℃~160℃)時，電壓藉由電壓施加部15被施加至貯留部11內之第1矽材13和第2矽材14之間。依此，因在第1矽材13和第2矽材14之間產生電位差，故矽藉由電解而成為離子，溶解於磷酸水溶液中。
此時，貯留部11內之磷酸水溶液中之矽濃度使用藉由電流計15b所檢測出之電流值，藉由控制部5而被算出。當該磷酸水溶液中之矽濃度成為特定濃度時，泵16a藉由控制部5被驅動，貯留部11內具有特定矽濃度之磷酸水溶液經供給配管16被供給至儲槽21。之後，當藉由檢測部21a被檢測出之儲槽21內之磷酸水溶液之量成為特定量時，泵16a之驅動藉由控制部5被停止。
在步驟S2中，洗淨液循環部3之泵22a藉由控制部5被驅動，儲槽21內之磷酸水溶液在循環配管22循環。此時，循環配管22途中之開關閥V1為開啟狀態，吐出配管23途中之關閥閥V2為關閉狀態。在循環配管22流動之磷酸水溶液藉由加熱器22b被加熱至一定溫度(例如，
150℃~160℃)，並且從在循環配管22流動之磷酸水溶液藉由過濾器22c除去異物(雜質)。該磷酸水溶液之循環被進行至藉由洗淨部4之洗淨開始。
在步驟S3中，當洗淨之開始被指示，藉由檢測部21a所檢測之矽濃度成為特定濃度時，循環配管22途中之開關閥V1成為關閉狀態，吐出配管23途中之開關閥V2成為開啟狀態，特定之矽濃度之磷酸水溶液從循環配管22流至吐出配管23。該磷酸水溶液在吐出配管23移動，從屬於吐出配管23之前端部的噴嘴4b朝向基板W之表面吐出，藉由特定矽濃度之磷酸水溶液，選擇性除去基板W上之氮化膜。於該洗淨時，基板W藉由旋轉機構4a，在平面內以一定旋轉數旋轉。於特定處理時間後，循環配管22途中之開關閥V1成為開啟狀態，吐出配管23途中之開關閥V2成為關閉狀態。依此，停止從吐出配管23吐出磷酸水溶液，再次開始對在循環配管22循環之磷酸水溶液進行循環。
洗淨中，從基板W表面流落至洗淨部4之底面的磷酸水溶液藉由泵24a之驅動，在連接配管24流動而被回收至儲槽21。此時，當藉由檢測部21a被檢測出之儲槽21內之磷酸水溶液之矽濃度下降時，泵16a藉由控制部5被驅動，貯留部11內具有特定矽濃度之磷酸水溶液經供給配管16被供給至儲槽21。之後，當藉由檢測部21a被檢測出之儲槽21內之磷酸水溶液中之矽濃度成為特定濃度時，泵16a之驅動藉由控制部5被停止。
在步驟S4中，上述磷酸水溶液之吐出停止後(洗淨完成後)，使用超純水或被加熱之超純水的噴嘴(無圖示)，藉由超純水或被加熱之超純水，水洗基板W，於其水洗後，乾燥而被搬運至下一個製造工程。並且，在乾燥中，能使用藉由洗淨部4之旋轉機構4a使基板W旋轉而藉由其離心力甩掉基板W上之水的乾燥方法，或塗佈具有速乾性之有機溶劑(例如，IPA：異丙醇)後與上述相同甩掉基板W上之有機溶劑之乾燥方法等。
如上述說明般，若藉由實施型態時，加熱貯留部11內之磷酸水溶液，使被浸漬於貯留部11內之磷酸水溶液之第1矽材13及第2矽材14之間產生電位差。依此，因在第1矽材13和第2矽材14之間產生電位差，故矽藉由電解而成為離子，溶解於磷酸水溶液中。因此，容易取得期待之矽濃度之磷酸水溶液，並能夠取得充分之選擇比，故可以防止干擾到半導體裝置之製造而使得製品品質下降之情形，而提升製品品質。
再者，第1矽材13及第2矽材14之雙方或一方由於為摻雜硼或磷的矽材，故可以使第1矽材13或第2矽材14成為低電阻而提升其電傳導性。再者，因硼或磷係在半導體中經常使用之元素，故可以抑制對半導體裝置之製造過程所造成的影響。
再者，藉由使第1矽材13和第2矽材14之間在0.3V以上5.0V以下之範圍內產生電位差，從第1矽材13和第2矽材14溶解矽變得容易，並且可防止第1矽材13
或第2矽材14之兩表面之氧化膜(具有絕緣性)形成。因此，可以確實取得期待之矽濃度之磷酸水溶液。
再者，藉由電流計15b檢測出在第1矽材13及第2矽材14流通的電流值，從電流依法拉第之電解的定律，可以容易且正確取得貯留部11內之磷酸水溶液之矽濃度。
並且，在上述實施型態中，使用藉由電流計15b所檢測出之電流值，算出貯留部11內之磷酸水溶液中之矽濃度，但是就以該電流值之使用而言，除此之外，例如即使使用藉由電流計15b所檢測出之電流值，控制電壓施加部15，即是流通於第1矽材13及第2矽材14之電流值，以抑制第1矽材13之表面之氧化及第2矽材14之表面之氧化亦可。此時，因能夠防止第1矽材13或第2矽材14之兩表面之氧化膜形成，故可以確實取得期待之矽濃度的磷酸水溶液。再者，因藉由控制流通於第1矽材13及第2矽材14之電流值，也可控制矽對貯留部11內之磷酸水溶液的溶解量，故可以更確實地取得期待之矽濃度之磷酸水溶液。
再者，在上述實施型態中，雖然將第1矽材13之電位設為正的電位，將第2矽材14之電位設為負的電位，固定各電位之正負，但是並不限定於此，即使重複替換第1矽材13和第2矽材14之互相的電位的正負亦可。此時，因能夠防止第1矽材13及第2矽材14之兩表面的氧化膜形成，故可以確實取得期待之矽濃度之磷酸水溶液。
並且，就以電位之正負之替換方法而言，電源15a能夠使用交流電源以代替直流電源，或是也可使用替換電壓用脈衝之正負的方法。
再者，在上述之實施型態中，貯留部11為上部開放之儲槽，但是並不限定於此，例如即使設置具有以不加壓貯留部11之內部而進行排氣之捕集構造的蓋體，使用抑制磷酸水溶液之水分蒸發的構造亦可。
再者，在上述實施型態中，雖然藉由加熱部12加熱貯留部11內之磷酸水溶液，但是並不限定於此，例如即使不設置其加熱部12，在供給磷酸水溶液之供給處，藉由其他加熱部，加熱磷酸水溶液後供給至貯留部11內，將與第1矽材13及第2矽材14接觸之磷酸水溶液之溫度設為較常溫高之溫度亦可。即是，將磷酸水溶液儲存在貯留部11後進行加熱，或將磷酸水溶液加熱後儲存於貯留部11中之任一者皆可。但是，加熱貯留部11內之磷酸水溶液之一方可以將磷酸水溶液之濃度維持一定，尤其，即使在從第1矽材13及第2矽材14溶解矽中，亦可以調整磷酸水溶液之溫度。
再者，在上述之實施型態中，雖然在吐出配管23之途中無設置有泵，但是並不限定於此，例如，因從吐出配管23以一定之流量吐出磷酸水溶液，故在吐出配管23之途中設置定量泵，藉由該定量泵之驅動，吐出磷酸水溶液亦可。
再者，在上述實施型態中，雖然將吐出配管23之噴
嘴4b設為固定狀態，但是並不限定於此，例如即使沿著藉由旋轉機構4a旋轉之基板W之表面(例如，圓板狀之基板W之半徑方向)而使吐出配管23之噴嘴4b往返移動亦可。
再者，在上述實施型態中，雖然使用一片一片處理基板W的單片式洗淨方法，但是並不限定於此，即使使用例如同時將複數片基板W浸漬於處理槽而進行處理的批量式洗淨方法亦可。在該批量式洗淨方法中，將吐出特定之矽濃度之磷酸水溶液的吐出配管23連接於批量式之處理槽，對其處理槽內供給特定矽濃度之磷酸水溶液。於對特定處理槽供給磷酸水溶液之後，使處理槽內之磷酸水溶液流通於與其處理槽相連的循環系統配管並使循環，藉由加熱器保持一定溫度。之後，藉由機械人使複數片之基板W一次浸漬於該處理槽內之磷酸水溶液，選擇性除去該些基板W上之各氮化膜。於特定處理時間後，藉由機械人從處理槽內之磷酸水溶液拉起所有基板W，立即浸漬於旁邊的超純水槽或溫超純水槽，藉由流水充分水洗後進行乾燥。
以上，雖然說明本發明之幾個實施型態，但是該些實施型態係以例之方式被表示，並無限定發明之範圍的意圖。該些新實施型態可以其他各種型態來實施，只要在不脫離發明之主旨的範圍下，可做各種省略、置換及變更。該些實施型態或其變型當然也包含在發明範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明和其均等之範圍
中。
2‧‧‧洗淨液產生裝置
11‧‧‧貯留部
11a‧‧‧溫度檢測部
12‧‧‧加熱部
13‧‧‧第1矽材
14‧‧‧第2矽材
15‧‧‧電壓施加部
15a‧‧‧電源
15c‧‧‧電壓計
15b‧‧‧電流計
16‧‧‧供給配管
Claims (9)
- 一種洗淨液產生裝置，其特徵為具備：貯留部，其係用以貯留磷酸水溶液；加熱部，其係用以加熱上述磷酸水溶液；第1矽材及第2矽材，其係被浸漬於上述貯留部內之磷酸水溶液；及電壓施加部，其係使上述第1矽材和上述第2矽材之間產生電位差，藉由上述電壓施加部，在上述第1矽材和上述第2矽材之間產生上述電位差，使矽從上述第1矽材或上述第2矽材溶解於上述貯留部內之磷酸水溶液中。
- 如申請專利範圍第1項所記載之洗淨液產生裝置，其中上述第1矽材及上述第2矽材之雙方或一方，為被摻雜硼或磷的矽材。
- 如申請專利範圍第1或2項所記載之洗淨液產生裝置，其中上述電壓施加部係在0.3V以上5.0V以下之範圍內產生上述電位差。
- 如申請專利範圍第1或2項所記載之洗淨液產生裝置，其中上述電壓施加部具備檢測出流通於上述第1矽材及上述第2矽材之電流值的電流計。
- 如申請專利範圍第4項所記載之洗淨液產生裝置， 其中又具備控制部，其係使用藉由上述電流計所檢測出之上述電流值，控制上述電壓施加部，以抑制上述第1矽材之表面的氧化及上述第2矽材之表面的氧化。
- 如申請專利範圍第1或2項所記載之洗淨液產生裝置，其中上述電壓施加部係重複替換上述第1矽材和上述第2矽材之互相電位的正負。
- 一種洗淨液產生方法，其特徵為具有：將磷酸水溶液儲存於貯留部而予以加熱，或是加熱而儲存於貯留部的工程；和使被浸漬於加熱的上述貯留部內之磷酸水溶液的第1矽材和第2矽材之間產生電位差的工程，在上述第1矽材和上述第2矽材之間產生上述電位差，使矽從上述第1矽材或上述第2矽材溶解於上述貯留部內之磷酸水溶液中。
- 一種基板洗淨裝置，其特徵為具有：貯留部，其係用以貯留磷酸水溶液；加熱部，其係用以加熱上述磷酸水溶液；第1矽材及第2矽材，其係被浸漬於上述貯留部內之磷酸水溶液；電壓施加部，其係使上述第1矽材和上述第2矽材之間產生電位差；及洗淨部，其係藉由含有從上述第1矽材或上述第2矽 材溶解之矽的磷酸水溶液洗淨基板，藉由上述電壓施加部，在上述第1矽材和上述第2矽材之間產生上述電位差，使矽從上述第1矽材或上述第2矽材溶解於上述貯留部內之磷酸水溶液中。
- 一種基板洗淨方法，其特徵為具有：將磷酸水溶液儲存於貯留部而予以加熱，或是加熱而儲存於貯留部的工程；和使被浸漬於加熱的上述貯留部內之磷酸水溶液之第1矽材和第2矽材之間產生電位差的工程；和藉由包含從上述第1矽材或上述第2矽材溶解之矽的磷酸水溶液洗淨基板之工程，在上述第1矽材和上述第2矽材之間產生上述電位差，使矽從上述第1矽材或上述第2矽材溶解於上述貯留部內之磷酸水溶液中。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012177335A JP6009268B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | 洗浄液生成装置、洗浄液生成方法、基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201421563A TW201421563A (zh) | 2014-06-01 |
| TWI525688B true TWI525688B (zh) | 2016-03-11 |
Family
ID=50050545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102127627A TWI525688B (zh) | 2012-08-09 | 2013-08-01 | A cleaning liquid generation device, a cleaning liquid generation method, a substrate cleaning device, and a substrate cleaning method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6009268B2 (zh) |
| KR (1) | KR101494969B1 (zh) |
| CN (1) | CN103579055B (zh) |
| TW (1) | TWI525688B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103878145B (zh) * | 2014-04-17 | 2015-12-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法 |
| JP6440111B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2018-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05299014A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 探針走査型顕微鏡用探針の製造方法 |
| JPH06349808A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 窒化シリコン膜除去液およびそれを用いた半導体製造装置 |
| JP3629716B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 配線膜の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US6399517B2 (en) * | 1999-03-30 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
| DE19914905A1 (de) * | 1999-04-01 | 2000-10-05 | Bosch Gmbh Robert | Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers |
| JP2001023948A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Canon Inc | 半導体基板の製造方法 |
| JP2001316893A (ja) * | 2000-05-01 | 2001-11-16 | Shimonoseki Mekki Kk | 不溶性陽極を使用する表面処理方法及びその装置 |
| KR200268883Y1 (ko) | 2001-12-14 | 2002-03-16 | 이태구 | 은콜로이드 용액 제조기 |
| CN1209499C (zh) * | 2002-08-01 | 2005-07-06 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比上的应用 |
| EP1939143A4 (en) * | 2005-09-27 | 2011-05-25 | Tanah Process Ltd | METHOD FOR CONTROLLING ION CONCENTRATION AND APPARATUS THEREFOR |
| JP2007258405A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4358259B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JP2009185383A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-08-20 | Mitsubishi Materials Corp | 銅めっき液供給機構並びにそれを用いた銅めっき装置および銅皮膜形成方法 |
| JP5358303B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-12-04 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 電解硫酸による洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010109064A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Tosoh Corp | エッチング方法 |
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177335A patent/JP6009268B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-01 TW TW102127627A patent/TWI525688B/zh active
- 2013-08-01 KR KR20130091438A patent/KR101494969B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-09 CN CN201310346630.XA patent/CN103579055B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140020754A (ko) | 2014-02-19 |
| KR101494969B1 (ko) | 2015-02-23 |
| JP6009268B2 (ja) | 2016-10-19 |
| CN103579055A (zh) | 2014-02-12 |
| JP2014036155A (ja) | 2014-02-24 |
| CN103579055B (zh) | 2016-07-06 |
| TW201421563A (zh) | 2014-06-01 |
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