CN103487044B - 电子装置、电子设备、移动体、以及电子装置的制造方法 - Google Patents

电子装置、电子设备、移动体、以及电子装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103487044B
CN103487044B CN201310225878.0A CN201310225878A CN103487044B CN 103487044 B CN103487044 B CN 103487044B CN 201310225878 A CN201310225878 A CN 201310225878A CN 103487044 B CN103487044 B CN 103487044B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
shaker arm
vibrating elements
semiconductor substrate
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310225878.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103487044A (zh
Inventor
青木信也
菊池尊行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN103487044A publication Critical patent/CN103487044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103487044B publication Critical patent/CN103487044B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/08Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/082Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5607Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
    • G01C19/5628Manufacturing; Trimming; Mounting; Housings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5607Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
    • G01C19/5621Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks the devices involving a micromechanical structure
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

本发明提供一种电子装置、电子设备、移动体、以及电子装置的制造方法,所述电子装置能够防止透过了振动元件等元件的激光对电路元件造成的损坏。所述电子装置的特征在于,具备作为元件的振动元件(20)和作为电路元件的半导体基板(10),所述振动元件(20)上设置有基部(21)、从基部(21)起延伸的支承部(27)、和作为质量调节部的调节用电极(124a、124b),振动元件(20)被配置于,在俯视观察时调节用电极(124a、124b)不与半导体基板(10)重叠的位置处,支承部(27)与半导体基板(10)相连接,从而振动元件(20)被搭载于半导体基板(10)上。

Description

电子装置、电子设备、移动体、以及电子装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子装置、使用了该电子装置的电子设备和移动体、以及电子装置的制造方法。
背景技术
一直以来,作为电子装置的一个示例,已知一种对加速度或角速度等进行检测的振动装置。振动装置具备振动元件和电路元件,所述振动元件为元件的一个示例即传感器元件,所述电路元件具有对该振动元件进行驱动的功能。
此外,作为这种振动装置,在专利文献1中公开了一种传感器装置被收纳于封装件中的振动装置,其中,所述传感器装置具备作为振动元件的陀螺振动片(也称为陀螺元件)、和设置有电路元件的半导体基板(电路元件)。
在这种结构的振动装置中,振动元件以重叠的方式搭载于半导体基板上。此外,在振动元件的振动频率的调节中,为了去除振动元件所具备的质量调节部(电极等)的至少一部分而使用了激光。
然而,在上述的振动装置中,在振动元件的振动频率的调节中所使用的激光有时会透过振动元件,而被照射到半导体基板(电路元件)上。如此,在透过了振动元件的激光被照射到半导体基板上时,存在激光对半导体基板(电路元件)造成损坏的可能性。
专利文献1:日本特开2011-179941号公报
发明内容
本发明是为了解决上述的课题中的至少一部分而被完成的,并且能够作为以下的方式或应用例而实现。
应用例1
本应用例所涉及的电子装置的特征在于,具备:元件,其上设置有质量调节部;电路元件,其上搭载有所述元件,所述元件被配置于,在俯视观察时所述质量调节部不与所述电路元件重叠的位置处。
根据本应用例的电子装置,元件被配置于,在俯视观察时质量调节部不与电路元件重叠的位置处。因此,即使例如被照射到质量调节部上的激光透过元件,也不会被照射到电路元件上。因此,能够防止激光对电路元件造成的损坏。
应用例2
上述应用例所记载的电子装置的特征在于,所述质量调节部具有金属层,所述金属层的至少一部分被去除。
根据本应用例的电子装置,能够防止激光对电路元件造成的损坏,并且能够通过利用激光的照射来去除质量调节部所具有的金属层的至少一部分,从而实施质量的调节。
应用例3
上述应用例所记载的电子装置的特征在于,所述元件具备:基部;支承部,其从所述基部起延伸;一对检测用振动臂,其从所述基部的一端起延伸;一对驱动用振动臂,其从所述基部的与所述一端相反的一侧的另一端起延伸;一对调节用振动臂,其从所述一端或所述另一端中的任意一方起延伸,并以隔着所述检测用振动臂或所述驱动用振动臂的方式而设置,所述质量调节部被设置在所述调节用振动臂上,所述支承部与所述电路元件相连接。
根据本应用例的电子装置,即使被照射到质量调节部上的激光透过元件,也不会被照射到电路元件上,从而能够防止激光对电路元件造成的损坏。
应用例4
本应用例所涉及的电子设备的特征在于,具备上述应用例中的任意一例所记载的电子装置。
根据本应用例,由于使用防止了对电路元件的损坏的电子装置,因此能够提供一种特性较为稳定的、高可靠性的电子设备。
应用例5
根据本应用例的电子装置,特征在于,所述电路元件被配置在基板上,以在俯视观察所述元件时,与所述质量调节部重叠的方式,于所述基板上设置有保护层。
根据本应用例,即使被照射到质量调节部上的激光透过元件,由于保护层的存在,也不会被直接照射到基板上,从而能够防止激光对基板造成的损坏。
应用例6
本应用例所涉及的移动体的特征在于,具备上述应用例中的任意一例所记载的电子装置。
根据本应用例,由于使用防止了对电路元件的损坏的电子装置,因此能够提供一种特性较为稳定的、高可靠性的移动体。
应用例7
本应用例所涉及的电子装置的制造方法的特征在于,包括:准备设置有基部、从所述基部起延伸的支承部、和质量调节部的元件的工序;准备用于搭载所述元件的电路元件的工序;以配置于在俯视观察时所述质量调节部不与所述电路元件重叠的位置处的方式,将所述元件搭载于所述电路元件上的工序;向所述质量调节部照射激光,以实施质量调节的工序。
根据本应用例的电子装置的制造方法,以配置于在俯视观察时质量调节部不与电路元件重叠的位置处的方式,将元件搭载于电路元件上。之后即使向元件的质量调节部照射激光,以实施质量调节,也由于被配置于在俯视观察时质量调节部不与电路元件重叠的位置处,因此即使照射到质量调节部上的激光透过元件,也不会照射到电路元件上。以此种方式,能够提供一种可防止激光对电路元件造成的损坏的电子装置的制造方法。
附图说明
图1模式化地表示作为实施方式所涉及的电子装置的振动装置,(a)为俯视图,(b)为主剖视图。
图2为将作为实施方式所涉及的电子装置的振动装置的、质量调节部的一部分放大表示的局部剖视图。
图3为对作为实施方式所涉及的元件的振动元件(陀螺元件)的动作进行说明的图。
图4为表示实施方式所涉及的振动装置的制造工序的流程图。
图5为表示作为电子设备的一个示例的便携式个人计算机的结构的立体图。
图6为表示作为电子设备的一个示例的移动电话的结构的立体图。
图7为表示作为电子设备的一个示例的数码照相机的结构的立体图。
图8为表示作为移动体的一个示例的汽车的结构的立体图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外,在以下所示的各个图中,为了将各个结构要素设为在附图上可识别的程度的大小,而存在以使各个结构要素的尺寸或比例与实际的结构要素适当不同的方式进行记载的情况。此外,对XYZ正交坐标系进行设定,并参照该XYZ正交坐标系来对各个部分的位置关系进行说明。将铅直面内的预定方向设为X轴方向,将在铅直面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向,将与X轴方向以及Y轴方向均正交的方向设为Z轴方向。此外,以重力方向为基准,将重力方向设为下方,并将反方向设为上方。
在作为本发明所涉及的电子装置的一个示例的、本实施方式的振动装置中,在设置有驱动电路元件的半导体基板的有源面、即第一面上重叠设置有振动元件。
作为本发明所涉及的电子装置的一个示例,使用了振动装置,并参照图1、图2、图3来对实施方式进行说明。
图1模式化地图示了本实施方式所涉及的振动装置的概要结构,(a)为俯视图,(b)为主剖视图。图2为将振动装置的质量调节部的一部分放大表示的局部剖视图。图3为对作为振动装置中所使用的元件的振动元件(陀螺元件)的动作进行说明的概要图。
如图1所示,作为本实施方式的电子装置的一个示例的振动装置1具备:作为电路元件的半导体基板10;作为元件的振动元件(陀螺元件)20;底基板(封装件)80。
振动元件的结构
本实施方式的振动元件(陀螺元件)20使用作为压电体材料的水晶,以作为基材(构成主要部分的材料)。水晶中,作为结晶轴,具有被称为电轴的X轴、被称为机械轴的Y轴以及被称为光轴的Z轴。在本实施方式中,对将所谓的水晶Z板作为基材而使用的示例进行说明,所述水晶Z板沿着由水晶的结晶轴中正交的X轴以及Y轴所规定的平面而被切割出,并被加工成平板状,且在与平面正交的Z轴方向上具有预定的厚度。另外,这里所说的预定的厚度是根据振荡频率(共振频率)、外形尺寸、加工性等而适当设定的。此外,在形成振动元件20的平板中,对于X轴、Y轴以及Z轴中的每一个轴,能够在一定的范围内容许自水晶的切出角度的误差。例如,可以使用以X轴为中心在0度到2度的范围内旋转切割出的平板。对于Y轴和Z轴也是相同的。虽然在本实施方式中,振动元件20使用了水晶,但是也可以将其他的压电材料(例如,钽酸锂、锆钛酸铅等)作为基材而使用。
振动元件20通过使用了光刻技术的蚀刻(湿蚀刻或者干蚀刻)而形成。另外,能够从一枚水晶片中获得多个振动元件20。
本实施方式的振动元件20为,被称为所谓的H型的结构的陀螺元件。振动元件20具有通过对基材进行加工从而一体形成的如下部分,所述部分包括:基部21;作为振动部的驱动用振动臂22a、22b;检测用振动臂23a、23b;调节用振动臂24a、24b。还形成有从基部21的一端起延伸的第一连结部25a、从第一连结部25a起延伸的第一延伸部25b、从基部21的另一端起延伸的第二连结部26a、从第二连结部26a起延伸的第二延伸部26b。而且,第一延伸部25b和第二延伸部26b分别延伸并连结在一起,从而形成支承部27。支承部27以与驱动用振动臂22a、22b对置的方式而设置,并且设置有用于将振动元件20固定在半导体基板10上的、未图示的电极。而且,通过使设置在支承部27上的电极、和半导体基板10被固定,从而使振动元件20在取得电导通的同时,被搭载于半导体基板10上。
在振动元件20的调节用振动臂24a、24b上,形成有作为质量调节部的调节用电极(金属层)124a、124b。此外,调节用电极124a、124b在振动元件20的频率调节时被利用。对于频率调节,通过利用向调节用振动臂24a、24b照射激光的方法等,来去除调节用电极124a、124b的一部分,从而使质量发生变化(减少)并使调节用振动臂24a、24b的频率发生变化(上升),进而调节为所需的频率(详细内容将在后文中进行叙述)。
在振动元件20的检测用振动臂23a、23b上,形成有未图示的检测电极。此外,在驱动用振动臂22a、22b上,形成有未图示的驱动电极。振动元件20通过检测用振动臂23a、23b而构成了对角速度等进行检测的检测振动系统,并通过驱动用振动臂22a、22b和调节用振动臂24a、24b而构成了对振动元件20进行驱动的驱动振动系统。
半导体基板的结构
半导体基板10在半导体基板10的有源面10a上具有有源区域,所述有源区域内形成有省略了图示的晶体管或存储器元件等半导体元件、以及以包括电路配线在内的方式而构成的集成电路(驱动电路)等有源元件(未图示)。
在形成于该有源区域内的有源元件中,具备用于使振动元件20驱动振动的驱动电路、对在施加了角速度等时于振动元件20上所产生的检测振动进行检测的检测电路等。
此外,在有源面10a上设置有应力缓和层(在图1和图2中省略了图示),所述应力缓和层对由于热膨胀(收缩)而在半导体基板10和振动元件20之间产生的应力进行缓和。
半导体的电极结构
在半导体基板10上设置有,被设于有源面10a侧的第一电极13。第一电极13以与被设置在半导体基板10上的集成电路直接导通的方式而形成。此外,在有源面10a上,形成有成为钝化膜的第一绝缘膜(未图示),在该第一绝缘膜上,于第一电极13上方形成有开口部(未图示)。此外,在应力缓和层上,于第一电极13上方也形成有开口部(未图示)。根据这种结构,第一电极13处于在各个开口部内露出于外部的状态。
在第一电极13上,设置有连接端子12。该连接端子12成为例如通过金球凸块而形成的突起电极。另外,连接端子12除了通过金球凸块以外,还能够通过铜、铝或焊锡球等其他导电性材料而形成。此外,连接端子12也可以通过将银粉或铜粉等导电性填充物与合成树脂等混合在一起而形成的导电性粘合剂形成。
根据这种结构,半导体基板10和振动元件20通过形成于半导体基板10上的第一电极13以及连接端子12,而与被设置在振动元件20上的支承部27的未图示的电极电连接。
此时,由于连接端子12成为突起电极,因此在振动元件20与半导体基板10之间设置有间隙。
此外,在半导体基板10的有源面10a侧,具有与连接端子12相同程度的厚度的元件保持部15被设置在,与振动元件20的第一连结部25a和第二连结部26a对置的位置处。元件保持部15优选通过柔软的材料,例如聚酰亚胺类树脂、硅类树脂,氨基甲酸乙酯类树脂等而形成。
元件保持部15可靠地保持了半导体基板10与振动元件20之间的空隙,并且作为防止如下情况的所谓的缓冲材料而发挥功能,所述情况为,因向振动装置1施加冲击等而使振动元件20挠曲,与半导体基板10发生碰撞,从而使振动元件20破损的情况。
另外,虽然在本实施方式中,通过形成有保持部15的示例进行了说明,但只要在振动元件20和半导体基板10之间设置有足够的间隙,则也可以采用不设置元件保持部15的结构。
此外,在设置于半导体基板10上的集成电路上,除了第一电极13以外还设置有未图示的电极、以及与这些电极相连接的配线。集成电路通过这些电极或者配线等而与配线用端子(焊盘电极)14相连接。配线用端子14被形成为用于实现电连接或者机械连接的焊盘状。配线用端子14例如通过使用金(Au)、铝(Al)等引线31的、所谓的引线接合,而与设置于底基板80上的连接部82相连接。另外,虽然在本示例中,对配线用端子14与底基板80(连接部82)之间的连接使用引线31的结构进行了说明,但也可以代替引线31而使用柔性配线基板(FPC:Flexible Printed Circuits,柔性印刷电路)等来进行连接。
底基板(封装件)
接下来,对构成振动装置1的底基板80进行说明。
在底基板(封装件)80的底面83上,接合(连接)有半导体基板10。对于半导体基板10与底面83的接合,与半导体基板10的有源面10a成为表面和背面关系的、半导体基板10的无源面10b,通过未图示的粘合剂等接合部件而与底面83相接合。
底基板80例如由陶瓷这样的绝缘性材料所形成。在与半导体基板10相接合的底基板80的底面83上,形成有连接部82。在该连接部82上,形成有金(Au)、银(Ag)等的金属覆膜。此外,底基板80的连接部82与设置于半导体基板10上的配线用端子14通过引线31而相连接。另外,连接部82通过省略了图示的配线而与设置在底基板80上的外部端子相连接。
底基板80在四周具有侧壁81,中央部形成凹形状的封装件(收纳容器)。收纳于底基板80内(封装件内)的半导体基板10和振动元件20等,通过盖体85而被气密性地密封。盖体85使用金属制的盖等,并且通过密封圈84而与封装件的侧壁81的端面相接合。
振动元件的配置
振动元件20以在俯视观察振动装置1时,设置于调节用振动臂24a,24b上的作为质量调节部的调节用电极124a、124b不与半导体基板10重叠的方式,被配置于半导体基板10的有源面10a侧。换言之,在俯视观察振动装置1时,振动元件20以调节用电极124a、124b与底基板80的底面83对置的方式而配置。
振动元件20通过支承部27经由连接端子12而与设置在半导体基板10上的第一电极13相连接,从而被搭载于半导体基板10上。
如图2所示,从图中箭头标记的方向照射的激光L在去除调节用电极(金属层)124a(124b)的同时,激光L的光轴在水平方向上进行移动。在去除了调节用电极124a(124b)的部分124a'处,激光L透过调节用振动臂24a、24b。因此,在振动元件20如前文所述那样被配置的情况下,在后述的频率调节工序S600中,透过了调节用振动臂24a、24b的激光L将照射在底基板80的底面83上。
通过采用这种结构,从而即使照射到调节用电极124a(124b)上的激光L透过振动元件20,也不会照射在半导体基板10的有源面10a上。由此,可以防止激光L对半导体基板10造成的损坏。
本实施方式的振动装置1的底基板80如前文所述那样,由陶瓷等材料形成,从而因照射激光而被熔融的可能性较小。然而,在即使是较少的熔融,也存在对例如底基板80的强度造成影响的可能性的情况下,如图2所示,可以在底基板80上可能被照射激光L的区域内,设置激光保护层86。激光保护层86可以通过钨(W)、镍(Ni)、铬(Cr)等金属层,或者在金属层上实施了金(Au)等的电镀的结构而形成。
通过将该激光保护层86设置在底基板80的底面83上,从而透过了调节用振动臂24a、24b的激光L不会直接照射到底基板80的底面83上,由此能够防止激光L对底基板的底面83造成的损坏。
振动元件的动作
在此,对搭载于振动装置1上的振动元件(陀螺元件)20的动作进行说明。图3为表示构成振动装置1的振动元件20的动作的图。
首先,从设置在半导体基板10上的驱动电路向振动元件20施加激励驱动信号。通过在使被施加了预定的激励驱动信号的驱动用振动臂22a、22b振动的状态下,向振动元件20施加绕Z轴的角速度ω,从而在检测用振动臂23a、23b上产生基于科里奥利力的振动。通过该检测用振动臂23a、23b的振动,从而调节用振动臂24a、24b被激励。而且,振动装置1能够通过被设置在检测用振动臂23a、23b上的检测电极(在图1中未图示)对由于振动而产生的、作为振动元件20的基材的水晶(压电材料)的变形进行检测,从而求出角速度。
传感器装置的制造方法
在此,对本实施方式的振动装置1的制造方法进行说明。
另外,在本说明中,对在图1所示的振动装置1中,使用具有凹部的封装件以作为底基板80,并将振动装置1接合在该封装件内,且利用盖体85来进行密封的方式的振动装置1的制造方法进行说明。图4为表示振动装置1的制造工序的流程图(flow chart)。另外,在使用图4的同时,参照图1并使用该图的符号来进行以下的说明。
如图4所示,振动装置1的制造方法包括:底基板准备工序S100、半导体基板形成工序S200、半导体基板连接工序S300、振动元件形成工序S400、振动元件连接工序S500、频率调节工序S600、密封工序S700、烘干工序S800、特性检查工序S900。
底基板准备工序
底基板准备工序S100为准备底基板80的工序。在底基板准备工序S100中,准备由陶瓷等形成的底基板80。另外,在作为底基板80的一个面的底面83上,形成有用于实施与半导体基板10的电连接的连接部82。
半导体基板形成工序
半导体基板形成工序S200为,形成用于搭载振动元件20的半导体基板10的工序。半导体基板形成工序S200包括硅晶片制造工序S210和切割工序S220。
在硅晶片制造工序S210中,使用半导体制造工艺,而在硅晶片上一次性形成多个具备有源元件的半导体基板10。在该工序中,在形成于硅晶片上的各个半导体基板10的有源面10a上的、成为集成电路的导电部的位置处,形成第一电极13、配线用端子14、以及未图示的其他电极。此外,在半导体基板10的有源面10a侧,形成未图示的应力缓和层、第一绝缘膜和保护层。
接下来,通过光刻法以及蚀刻法来去除应力缓和层和第一绝缘膜的一部分,从而形成开口部。由此,使第一电极13、其他的电极(未图示)、以及配线用端子14在这些开口部内露出。
通过在配线用端子14的表面上实施镍(Ni)、金(Au)电镀,从而增高引线接合时的接合性。另外,也可以实施镀锡、预焊等表面处理。
此外,在硅晶片制造工序S210中,在第一电极13上,形成由金球凸块形成的连接端子12。另外,连接端子12除了金球凸块之外,还能够由铜、铝(Al)、锡球、焊锡膏等其他的导电性材料形成。
此外,在硅晶片制造工序S210中,也可以在有源面10a侧形成元件保持部15。元件保持部15通过聚酰亚胺类树脂、硅类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂等而形成。
切割工序S220为,对在硅晶片上形成的多个半导体基板10进行分片化的工序。在切割工序S220中,首先通过斜边切割法,来实施对保护层的切断以及对半导体基板10的一部分的切断(半切断)。接下来,使用切割设备等,通过其旋转刃,来实施对半导体基板10的切断。
在对保护层进行切断(切开)的斜边切割中,通过将V字形形状的刃具压贴到作为被切断物的保护层和半导体基板10上,从而将保护层和半导体基板10切开为与刃具相同的V字形形状。
接下来,在切割工序S220中,将旋转刃插入到,通过斜边切割法使保护层和半导体基板10的一部分被切开而显现出半导体基板10的部分中,以对硅晶片进行切断,从而使半导体基板10分片化。
半导体基板连接工序
半导体基板连接工序S300为,通过粘合剂等的接合部件(未图示)而将半导体基板10的无源面10b侧接合于底基板80的底面83上的工序。此外,在半导体基板连接工序S300中,通过引线接合法,而使用引线31对半导体基板10的配线用端子14和底基板80的连接部82进行连接。
振动元件形成工序
振动元件形成工序S400为,形成作为振动元件的振动元件20的工序。振动元件形成工序S400包括:外形形成工序S410、电极形成工序S420、失调频率调节工序S430、断开工序S440。
振动元件20能够使用未图示的振动元件用晶片而形成多个。
首先,外形形成工序S410为,通过使用了光刻法技术的蚀刻而在振动元件用晶片上形成多个振动元件20的外形的工序。
接下来,电极形成工序S420为,使用光刻技术而将通过阴极真空喷镀或蒸镀而形成于振动元件20的原料上的金属层形成为,驱动电极或检测电极等电极、配线的工序。在该电极形成工序S420中,在振动元件20中的调节用振动臂24a、24b上形成作为质量调节部的调节用电极124a、124b,在检测用振动臂23a、23b上形成省略了图示的检测电极,并在驱动用振动臂22a、22b上形成省略了图示的驱动电极。
失调频率调节工序
失调频率调节工序S430为,使用激光来实施振动元件20的失调频率调节的工序。
在失调频率调节工序S430中,实施对调节用振动臂24a、24b与驱动用振动臂22a、22b之间的弯曲振动频率之差进行观察,并对该差进行补正的平衡调节(调谐),并且可以在振动元件用晶片的状态下实施。换言之,可以在后述的断开工序S440之前实施。
向被设置于调节用振动臂24a、24b上的调节用电极124a、124b照射聚光的激光,从而实施调谐。被照射了激光的调节用电极124a、124b通过激光的能量而使其一部分熔融并蒸发。由于该调节用电极124a、124b的熔融和蒸发,从而调节用振动臂24a、24b的质量发生变化。因此,由于驱动用振动臂22a、22b和调节用振动臂24a、24b的共振频率发生变化,所以能够实施各个振动臂的平衡调节(调谐)。在振动元件20被搭载于半导体基板10上之后,通过频率调节工序S600而再次实施调谐。
振动元件断开工序
断开工序S440为,实施将振动元件用晶片断开(切断)而得到单片的振动元件20的分片化的工序。分片化能够通过预先在外形形成工序S410中于振动元件用晶片的振动元件20的外形的一部分连结部分处形成孔线或槽,从而沿着孔线或槽而进行切断的方式来实施。
振动元件连接工序
振动元件连接工序S500为,将振动元件20载置于半导体基板10上,并通过连接端子12而对半导体基板10的第一电极13、和设置于振动元件20的支承部27上的未图示的电极进行连接的工序。
此时,振动元件20以在俯视观察振动装置1时,设置在调节用振动臂24a、24b上的作为质量调节部的调节用电极124a、124b不与半导体基板10重叠的方式而配置。换言之,以在俯视观察振动装置1时,调节用电极124a、124b与底基板80的底面83对置的方式,配置振动元件20,并将振动元件20搭载于半导体基板10上。
频率调节工序
频率调节工序S600为,使用激光来实施振动元件20的频率调节(平衡调谐)的工序。与前文所述的失调频率调节工序S430相同地,通过向被设置在振动元件20的调节用振动臂24a、24b上的调节用电极124a、124b照射聚光的激光,从而实施平衡调谐。被照射了激光的调节用电极124a、124b通过激光的能量而熔融并蒸发,通过利用该质量变化而使调节用振动臂24a、24b的共振频率发生变化,从而能够实施驱动用振动臂22a、22b的平衡调节(调谐)。具体而言,通过对被设置在调节用振动臂24a、24b上的作为质量调节部的调节用电极124a、124b的质量调节,来实施频率调节,以在未向振动装置1(振动元件20)上施加有角速度的状态下对驱动用振动臂22a、22b进行激励而使其振动时,检测用振动臂23a、23b不进行振动。
此时,虽然存在使调节用电极124a、124b熔融并蒸发的激光透过振动元件20的情况,但在本示例的结构中,在俯视观察振动装置1时,设置在调节用振动臂24a、24b上的作为质量调节部的调节用电极124a、124b被配置为,不与半导体基板10重叠。由此,在激光透过了调节用振动臂24a、24b(振动元件20)的情况下,该激光将被照射到底基板80的底面83、或者设置于底基板80的底面83上的激光保护层86上,而不会被直接照射在半导体基板10上。由此,能够避免如下情况,即,以包括被设置在半导体基板10上的有源元件和配线等在内的方式而构成的集成电路熔融从而导致特性被损坏的情况。
密封工序
密封工序S700为,通过将盖体85接合在底基板(封装件)80上,从而将接合有半导体基板10以及振动元件20的、底基板80的凹部密封的工序。在本示例中,使用金属制的盖85以作为盖体。在密封工序S700中,能够通过利用由例如铁(Fe)镍(Ni)合金等构成的密封圈84来进行缝焊,从而对盖85进行接合。此时,能够根据需要,而将通过底基板80的凹部和盖85而形成的腔室设为减压空间、或者惰性气体气氛,并进行封闭和密封。此外,作为盖85的其他的接合方法,也可以通过焊锡等金属焊料而将盖85接合在底基板80上,或者,使用玻璃制的盖85,并利用低熔点玻璃等而将玻璃制的盖85接合在底基板80上。
烘干工序、特性检查工序
烘干工序S800为,实施将振动装置1投入到预定温度的烘箱内预定时间,以对振动装置1中所包含的水分进行排湿的烘干的工序。
此外,特性检查工序S900为,实施电特性检查或外观检查等特性检查,以去除规格外的不良品的工序。
当特性检查工序S900完成时,一系列的振动装置1的制造工序将结束。
根据上述的实施方式的振动装置1,可获得以下的效果。
被设置在振动装置1的调节用振动臂24a、24b上的作为质量调节部的调节用电极124a、124b以不与半导体基板10重叠,而与底基板80的底面83对置的方式被配置。因此,在频率调节工序S600中,透过了调节用振动臂24a、24b的激光L被照射在底基板80的底面83上,而不会被照射在半导体基板10的有源面10a上。由此,能够防止激光L对半导体基板10造成的损坏。
此外,根据上述的振动装置1的制造方法,可获得以下的效果。
在振动装置1的制造方法中,以在俯视观察振动装置1时,调节用电极124a、124b配置于不与半导体基板10的有源面10a重叠的位置处的方式,将振动元件20搭载于半导体基板10上。之后,向调节用电极124a、124b照射激光,以实施质量调节。因此,即使被照射在调节用电极124a、124b上的激光透过振动元件20,也不会被照射在半导体基板10上。以此种方式,能够提供一种可防止激光对半导体基板10造成的损坏的振动装置1的制造方法。
虽然在前述的实施方式中,以使用了所谓的H型的陀螺元件作为元件的陀螺传感器为例进行了说明,但作为电子装置并不限定于此。作为其他的电子装置,例如也可以为:使用了WT型、或者音叉型的陀螺元件以作为元件的陀螺传感器;使用了水晶振动元件(振动片)的定时装置(水晶振子、水晶振荡器等);使用了压敏元件的压力传感器等。
电子设备
接下来,根据图5至图7,对应用了本发明的一个实施方式所涉及的电子装置的电子设备进行详细说明。
图5为表示作为具备本发明的一个实施方式所涉及的振动元件的电子设备的、便携式(或者笔记本式)个人计算机的结构的概要的立体图。在该图中,个人计算机1100通过具备键盘1102的主体部1104、和具备显示部100的显示单元1106而构成,并且显示单元1106以能够通过铰链结构部而相对于主体部1104进行转动的方式被支承。在这样的个人计算机1100中内置有作为滤波器、谐振器、基准时钟等而发挥功能的电子装置(定时装置)1。
图6为表示作为具备本发明的一个实施方式所涉及的电子装置的电子设备的、移动电话(也包含PHS:Personal Handy-phone System,个人移动电话系统)的结构的概要的立体图。在该图中,移动电话1200具备多个操作按钮1202、听筒1204以及话筒1206,并且在操作按钮1202与听筒1204之间配置有显示部100。在这样的移动电话1200中内置有作为滤波器、谐振器、角速度传感器等而发挥功能的电子装置(定时装置、陀螺传感器)1。
图7为表示作为具备本发明的一个实施方式所涉及的振动元件的电子设备的、数码照相机的结构的概要的立体图。另外,在该图中,还简单地图示了与外部设备之间的连接。在此,通常的照相机通过被摄物体的光学图像而使银盐感光胶片感光,与此相对,数码照相机1300通过CCD(Charge Coupled Device:电荷耦合装置)等摄像元件而对被摄物体的光学图像进行光电转换,从而生成摄像信号(图像信号)。
在数码照相机1300的壳体(主体)1302的背面设置有显示部100,并且成为根据CCD的摄像信号而进行显示的结构,显示部100作为将被摄物体显示为电子图像的取景器而发挥功能。此外,在壳体1302的正面侧(图中背面侧),设置有包括光学镜片(摄像光学系统)和CCD等在内的受光单元1304。
当摄影者对被显示在显示部100上的被摄物体图像进行确认,并按下快门按钮1306时,该时间点的CCD的摄像信号将被传送并存储于存储器1308中。此外,在该数码照相机1300中,在壳体1302的侧面设置有影像信号输出端子1312、和数据通信用的输入输出端子1314。而且,如图所示,根据需要,而在影像信号输出端子1312上连接有影像监视器1430,在数据通信用的输入输出端子1314上连接有个人计算机1440。而且,成为如下的结构,即,通过预定的操作,从而使存储于存储器1308中的摄像信号向影像监视器1430或个人计算机1440输出。在这样的数码照相机1300中内置有作为滤波器、谐振器、角速度传感器等而发挥功能的电子装置(定时装置、陀螺传感装置)1。
另外,本发明的一个实施方式所涉及的振动装置1除了能够应用于图5的个人计算机(便携式个人计算机)、图6的移动电话、图7的数码照相机中之外,还能够应用于如下的装置中,例如,喷墨式喷出装置(例如,喷墨式打印机)、膝上型个人计算机、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本(也包括带有通信功能的产品)、电子词典、台式电子计算机、电子游戏机、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用视频监控器、电子双筒望远镜、POS(Point of Sale:销售点)终端、医疗设备(例如,电子体温计、血压计、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如,车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等电子设备。
移动体
图8为概要性地表示作为移动体的一个示例的汽车的立体图。在汽车106中搭载有,本发明所涉及的具有振动元件的振子或具有陀螺元件的陀螺传感器等振动装置1。例如,如该图所示,在作为移动体的汽车106中,内置有振动装置1并对轮胎109进行控制的电子控制单元108被搭载于车身107上。此外,振动装置1还能够广泛应用于智能无匙进入系统、发动机防盗锁止装置、汽车导航系统、汽车空调、防抱死制动系统(ABS)、安全气囊、轮胎压力监测系统(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、发动机控制、混合动力汽车或电动汽车的电池监控器、车身姿态控制系统等的电子控制单元(ECU:electronic controlunit)中。
符号说明
1…作为电子装置的振动装置(陀螺传感器);10…作为电路元件的半导体基板;10a…有源面;10b…无源面;12…连接端子;13…第一电极;14…配线用端子(焊盘电极);15…元件保持部;20…作为元件的振动元件(陀螺元件);21…基部;22a、22b…驱动用振动臂;23a、23b…检测用振动臂;24a、24b…调节用振动臂;25a…第一连结部;25b…第一延伸部;26a…第二连结部;26b…第二延伸部;27…支承部;31…引线;80…底基板(封装件);81…侧壁;82…连接部;83…底面;84…密封圈;85…作为盖体的盖;86…激光保护层;106…作为移动体的汽车;124a、124b…调节用电极(金属层);1100…作为电子设备的便携式个人计算机;1200…作为电子设备的移动电话;1300…作为电子设备的数码照相机;L…激光。

Claims (7)

1.一种电子装置,其特征在于,具备:
基板;
元件,其上设置有质量调节部;
电路元件,其被配置在所述基板上,并且搭载有所述元件,
所述元件被配置于,在俯视观察时所述质量调节部不与所述电路元件重叠的位置处,
以在俯视观察所述元件时,与所述质量调节部重叠的方式,于所述基板上设置有保护层。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,
所述质量调节部具有金属层,所述金属层的至少一部分被去除。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,
所述元件具备:
基部;
支承部,其从所述基部起延伸;
一对检测用振动臂,其从所述基部的一端起延伸;
一对驱动用振动臂,其从所述基部的与所述一端相反的一侧的另一端起延伸;
一对调节用振动臂,其从所述一端或所述另一端中的任意一方起延伸,并以隔着所述检测用振动臂或所述驱动用振动臂的方式而设置,
所述质量调节部被设置在所述调节用振动臂上,
所述支承部与所述电路元件相连接。
4.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,
所述元件具备:
基部;
支承部,其从所述基部起延伸;
一对检测用振动臂,其从所述基部的一端起延伸;
一对驱动用振动臂,其从所述基部的与所述一端相反的一侧的另一端起延伸;
一对调节用振动臂,其从所述一端或所述另一端中的任意一方起延伸,并以隔着所述检测用振动臂或所述驱动用振动臂的方式而设置,
所述质量调节部被设置在所述调节用振动臂上,
所述支承部与所述电路元件相连接。
5.一种电子设备,其特征在于,
具备权利要求1至权利要求4中任一项所述的电子装置。
6.一种移动体,其特征在于,
具备权利要求1至权利要求4中任一项所述的电子装置。
7.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备基板的工序;
准备设置有质量调节部的元件的工序;
以配置于在俯视观察时所述质量调节部不与电路元件重叠的位置处的方式,将所述元件搭载于所述电路元件上的工序;
在所述基板上配置搭载有所述元件的所述电路元件的工序;
以在俯视观察所述元件时,与所述质量调节部重叠的方式,在所述基板上设置保护层的工序;
向所述质量调节部照射激光,以实施质量调节的工序。
CN201310225878.0A 2012-06-08 2013-06-07 电子装置、电子设备、移动体、以及电子装置的制造方法 Active CN103487044B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-130480 2012-06-08
JP2012130480A JP2013253895A (ja) 2012-06-08 2012-06-08 電子デバイス、電子機器、移動体、および電子デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103487044A CN103487044A (zh) 2014-01-01
CN103487044B true CN103487044B (zh) 2018-05-15

Family

ID=49714710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310225878.0A Active CN103487044B (zh) 2012-06-08 2013-06-07 电子装置、电子设备、移动体、以及电子装置的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9159905B2 (zh)
JP (1) JP2013253895A (zh)
CN (1) CN103487044B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6484968B2 (ja) 2014-09-16 2019-03-20 セイコーエプソン株式会社 物理量検出デバイス、電子機器、移動体
JP2016085177A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6507565B2 (ja) * 2014-10-28 2019-05-08 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6492535B2 (ja) * 2014-10-28 2019-04-03 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6464667B2 (ja) * 2014-10-30 2019-02-06 セイコーエプソン株式会社 ジャイロ素子、ジャイロセンサー、電子機器、および移動体
JP7024349B2 (ja) * 2017-11-24 2022-02-24 セイコーエプソン株式会社 センサーユニット、センサーユニットの製造方法、慣性計測装置、電子機器、および移動体
JP2019102848A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体
JP7396346B2 (ja) * 2019-02-26 2023-12-12 Agc株式会社 光学フィルタ、光学フィルタの搬送支持体、光学フィルタの製造方法
CN110349209A (zh) * 2019-04-28 2019-10-18 西安交通大学 基于双目视觉的振捣棒定位方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3969640A (en) * 1972-03-22 1976-07-13 Statek Corporation Microresonator packaging and tuning
US7536768B2 (en) * 2002-04-23 2009-05-26 Piedek Technical Laboratory Method for manufacturing quartz crystal unit, quartz crystal oscillator and electronic apparatus
JP2012079753A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、センサーモジュール、電子機器
CN102445197A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 精工爱普生株式会社 传感器装置、运动传感器、以及电子设备
CN102478401A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 精工爱普生株式会社 振动片、传感器单元及其制造方法、电子设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4035673A (en) * 1974-12-24 1977-07-12 Citizen Watch Co. Limited Hermetically sealed mount for a piezoelectric tuning fork
JPH07113645A (ja) * 1993-10-15 1995-05-02 Toyota Motor Corp 振動ジャイロ
US20020074897A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Qing Ma Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radient energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition
JP2002185286A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Pioneer Electronic Corp 水晶振動子及び水晶振動子の周波数調整方法
JP2002246706A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板とそのトリミング方法
JP2006105614A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Seiko Epson Corp 振動型ジャイロスコープ、及び振動型ジャイロスコープの製造方法
JP4852850B2 (ja) * 2005-02-03 2012-01-11 セイコーエプソン株式会社 圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、周波数安定化方法、及び圧電振動子の製造方法
JP5107399B2 (ja) 2005-03-04 2012-12-26 ソニー株式会社 振動型ジャイロセンサ
JP5037819B2 (ja) 2005-03-04 2012-10-03 ソニー株式会社 電子機器
JP4694380B2 (ja) * 2006-02-06 2011-06-08 株式会社日立製作所 薄膜音叉型屈曲振動子及び電気信号処理素子
JP2008157856A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Sony Corp 角速度センサ、角速度センサの製造方法及び電子機器
JP2008301222A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Murata Mfg Co Ltd 誘電体多層基板および共振器および共振器の周波数調整方法
US8410868B2 (en) * 2009-06-04 2013-04-02 Sand 9, Inc. Methods and apparatus for temperature control of devices and mechanical resonating structures
JP5428241B2 (ja) 2008-08-22 2014-02-26 セイコーエプソン株式会社 ジャイロ振動子及びジャイロ振動子の製造方法
JP5226791B2 (ja) * 2008-08-27 2013-07-03 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動子の製造方法
JP2010118784A (ja) 2008-11-11 2010-05-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電振動子の製造方法、圧電振動子及び電子部品
JP5737848B2 (ja) 2010-03-01 2015-06-17 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイス、センサーデバイスの製造方法、モーションセンサー及びモーションセンサーの製造方法
JP5250075B2 (ja) 2011-04-18 2013-07-31 日本電波工業株式会社 圧電振動子の製造方法、圧電振動子及び電子部品
JP5838689B2 (ja) * 2011-09-26 2016-01-06 セイコーエプソン株式会社 センサー素子、センサー素子の製造方法、センサーデバイスおよび電子機器
JP5838695B2 (ja) * 2011-09-29 2016-01-06 セイコーエプソン株式会社 センサー素子、センサー素子の製造方法、センサーデバイスおよび電子機器
JP5970698B2 (ja) * 2012-03-29 2016-08-17 セイコーエプソン株式会社 振動片、センサーユニット、電子機器
JP6010968B2 (ja) 2012-03-29 2016-10-19 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス及び振動デバイスの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3969640A (en) * 1972-03-22 1976-07-13 Statek Corporation Microresonator packaging and tuning
US7536768B2 (en) * 2002-04-23 2009-05-26 Piedek Technical Laboratory Method for manufacturing quartz crystal unit, quartz crystal oscillator and electronic apparatus
JP2012079753A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、センサーモジュール、電子機器
CN102445197A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 精工爱普生株式会社 传感器装置、运动传感器、以及电子设备
CN102478401A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 精工爱普生株式会社 振动片、传感器单元及其制造方法、电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US9159905B2 (en) 2015-10-13
CN103487044A (zh) 2014-01-01
JP2013253895A (ja) 2013-12-19
US20130328444A1 (en) 2013-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103487044B (zh) 电子装置、电子设备、移动体、以及电子装置的制造方法
US8310317B2 (en) Vibrating member, vibrating device, and electronic apparatus
CN103575261B (zh) 振动片及其制法、振子、电子装置、电子设备及移动体
JP6641859B2 (ja) 振動デバイス、発振器、電子機器、および移動体
CN103017747B (zh) 传感器元件及其制造方法、传感器装置以及电子设备
US9414489B2 (en) Electronic component, manufacturing method for electronic component, electronic apparatus, and moving object
US11239407B2 (en) Frequency adjustment method of vibrator element
CN110071701A (zh) 振动元件及其制造方法、物理量传感器、惯性计测装置
CN103363968B (zh) 传感器装置、传感器装置的制造方法及电子设备
CN104242859B (zh) 振动片、振子、电子器件、电子设备以及移动体
CN105306001B (zh) 电子部件、电子部件的制造方法、电子设备以及移动体
CN111669127A (zh) 振动器件、电子设备以及移动体
CN109842394A (zh) 振动器件、振动器件的制造方法、电子设备以及移动体
CN104596495A (zh) 角速度传感器、电子设备以及移动体
CN105322953B (zh) 振动器件、电子设备以及移动体
JP6543931B2 (ja) 振動デバイス、電子機器、および移動体
US10381978B2 (en) Electronic-component package, oscillator, electronic apparatus, and vehicle
CN105424018A (zh) 物理量检测装置、电子设备、移动体
CN104596494A (zh) 角速度传感器、电子设备以及移动体
CN104579225B (zh) 振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体
JP2018201138A (ja) 電子部品、および電子機器
JP2016130646A (ja) ジャイロ素子、ジャイロ素子の製造方法、ジャイロセンサー、電子機器および移動体
JP6222327B2 (ja) 電子デバイスの製造方法
CN105548597A (zh) 电子装置、电子设备以及移动体
CN110034743A (zh) 振动器件、振动器件的制造方法、电子设备以及移动体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant