JP2019102848A - 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体 - Google Patents

振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体 Download PDF

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Abstract

【課題】パッケージに配置する前に振動素子の共振周波数の調整が可能であり、製造コストの低減を図ることのできる振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】振動デバイスは、ベースと、前記ベースに取り付けられている回路素子と、前記回路素子の能動面側に位置し、前記回路素子に取り付けられている振動素子と、を有し、前記回路素子は、前記能動面の平面視で、前記能動面の前記振動素子と重ならない領域に配置され、前記振動素子の周波数調整に用いられる周波数調整用端子を有している。【選択図】図９

Description

本発明は、振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体に関するものである。
特許文献１に記載されている振動デバイスは、パッケージと、パッケージに収納されている振動素子およびＩＣチップと、を有している。そして、パッケージに振動素子およびＩＣチップを配置した状態で、振動素子にイオンビームを照射し、振動素子の周波数調整を行っている。
特開２００６−３０３９１９号公報
しかしながら、特許文献１に記載れている振動デバイスでは、振動素子およびＩＣチップがそれぞれ独立してパッケージに配置されており、これらは、パッケージの配線を介して電気的に接続されている。そのため、パッケージに振動素子およびＩＣチップを配置した状態でしか振動素子の周波数調整を行うことができない。これでは、仮に、振動素子の共振周波数が規格外であった場合には、ＩＣチップおよびパッケージが共に無駄となり、製造コストの増大を招いてしまう。
本発明の目的は、パッケージに配置する前に振動素子の共振周波数の調整が可能であり、製造コストの低減を図ることのできる振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
本適用例の振動デバイスは、ベースと、
前記ベースに取り付けられている回路素子と、
前記回路素子の能動面側に位置し、前記回路素子に取り付けられている振動素子と、を有し、
前記回路素子は、前記能動面の平面視で、前記能動面の前記振動素子と重ならない領域に配置され、前記振動素子の周波数調整に用いられる周波数調整用端子を有していることを特徴とする。
これにより、周波数調整用端子を介して振動素子の発振周波数をモニターすることができるため、パッケージに収納する前に振動素子の周波数を調整することができる。そのため、仮に、振動素子の周波数が規格外であった場合でも、少なくともパッケージが無駄になることがないため、製造コストの低減を図ることができる。
本適用例の振動デバイスでは、前記周波数調整用端子は、前記平面視で、前記振動素子の外側に位置していることが好ましい。
これにより、周波数調整用端子に対してプローブを当て易くなる。
本適用例の振動デバイスでは、前記回路素子と前記振動素子との間に位置している中継基板を有し、
前記振動素子は、前記中継基板を介して前記回路素子に取り付けられていることが好ましい。
これにより、振動素子に応力が伝わり難くなり、優れた振動特性を発揮することができる。
本適用例の振動デバイスでは、前記中継基板は、
前記ベースに取り付けられている第１部分と、
第２部分と、
第１軸上で、前記第１部分と前記第２部分とを接続している第１梁部と、
第３部分と、
前記第１軸と交差する第２軸上で、前記第２部分と前記第３部分とを接続している第２梁部と、を有し、
前記振動素子は、前記第３部分に取り付けられていることが好ましい。
これにより、振動素子に応力がより伝わり難くなる。
本適用例の振動デバイスでは、前記ベースとの間に前記振動素子および前記回路素子を収納するように前記ベースに接合されている蓋体を有していることが好ましい。
これにより、振動素子および回路素子を水分、埃、衝撃等から保護することができる。
本適用例の振動デバイスの製造方法は、振動素子の周波数調整に用いられる周波数調整用端子が能動面に配置されている回路素子を準備し、前記能動面の平面視で、前記周波数調整用端子と重ならないように前記振動素子を前記能動面に配置する工程と、
前記振動素子が有する励振電極を加工して前記振動素子の周波数を調整する工程と、を有することを特徴とする。
このように、パッケージに収納する前に振動素子の周波数を調整することで、仮に、振動素子の周波数が規格外であった場合でも、少なくともパッケージが無駄になることがないため、製造コストの低減を図ることができる。
本適用例の振動デバイスの製造方法では、前記回路素子に前記振動素子を配置する工程に先立って、
前記振動素子が形成されている基板を準備する工程と、
前記励振電極を加工して前記振動素子の周波数を調整する工程と、
前記基板から前記振動素子を離脱させる工程と、を有することが好ましい。
これにより、回路素子に配置する前に振動素子の周波数を粗調し、回路素子に配置した後に振動素子の周波数の微調を行うことができる。そのため、回路素子に配置された状態での励振電極の加工量を低減でき、回路素子へのダメージを低減することができる。
本適用例の振動デバイスの製造方法では、前記振動素子は、振動基板と、前記振動基板の一方の主面に配置されている第１励振電極と、他方の主面に配置されている第２励振電極と、を有し、
前記基板に配置された状態で前記振動素子の周波数を調整する工程では、前記第１励振電極を加工し、
前記回路素子に配置された状態で前記振動素子の周波数を調整する工程では、前記第２励振電極を加工することが好ましい。
これにより、第１、第２励振電極の質量差を小さくすることができる。
本適用例の振動デバイスの製造方法は、前記振動素子を前記回路素子に配置する工程では、中継基板を準備し、前記中継基板を介して前記振動素子を前記回路素子に配置することが好ましい。
これにより、振動素子に応力が伝わり難くなり、優れた振動特性を有する振動デバイスが得られる。
本適用例の振動デバイスは、前記回路素子に配置された状態で前記振動素子の周波数を調整する工程の後に行われ、
前記回路素子をベースに配置する工程と、
前記ベースとの間に前記回路素子および前記振動素子を収納するように、前記ベースに蓋体を接合する工程と、を有することが好ましい。
これにより、振動素子および回路素子を水分、埃、衝撃等から保護することができる。
本適用例の電子機器は、上記適用例の振動デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、上記適用例の振動デバイスの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
本適用例の移動体は、上記適用例の振動デバイスを備えることを特徴とする移動体。
これにより、上記適用例の振動デバイスの効果を享受でき、信頼性の高い移動体が得られる。
本発明の第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。 図１の振動デバイスを示す上面図である。 中継基板を示す上面図である。 中継基板を示す下面図である。 振動素子を示す上面図である。 振動素子を示す下面図である。 水晶のカット角を説明する図である。 中継基板と振動素子の結晶軸の関係を示す斜視図である。 回路素子を示す下面図である。 図１に示す振動デバイスの製造工程を示すフローチャートである。 振動デバイスの製造方法を説明するための平面図である。 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。 振動デバイスの製造方法を説明するための側面図である。 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。 振動デバイスの製造に用いられる治具を示す斜視図である。 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。 振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。 本発明の第３実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第４実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第５実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第６実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
以下、本発明の振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図２は、図１の振動デバイスを示す上面図である。図３は、中継基板を示す上面図である。図４は、中継基板を示す下面図である。図５は、振動素子を示す上面図である。図６は、振動素子を示す下面図である。図７は、水晶のカット角を説明する図である。図８は、中継基板と振動素子の結晶軸の関係を示す斜視図である。図９は、回路素子を示す下面図である。図１０は、図１に示す振動デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図１１は、振動デバイスの製造方法を説明するための平面図である。図１２は、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。図１３は、振動デバイスの製造方法を説明するための側面図である。図１４は、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。図１５は、振動デバイスの製造に用いられる治具を示す斜視図である。図１６は、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。図１７は、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」とも言い、下側を「下」とも言う。また、水晶の結晶軸をＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光軸）として説明する。
図１および図２に示すように、振動デバイス１は、振動素子２と、中継基板３と、回路素子４と、これらを収納するパッケージ５と、を有している。パッケージ５内では、回路素子４の下方に中継基板３が位置し、中継基板３の下方に振動素子２が位置し、回路素子４、中継基板３および振動素子２がパッケージ５の厚さ方向に重なって配置されている。このように、回路素子４、中継基板３および振動素子２を重ねて配置することで、振動デバイス１の平面的な広がりを抑えることができ、振動デバイス１の小型化を図ることができる。また、振動素子２は、中継基板３に取り付けられており、中継基板３は、回路素子４に取り付けられており、回路素子４は、パッケージ５に取り付けられている。このように、パッケージ５と振動素子２との間に回路素子４および中継基板３を介在させることで、例えば、パッケージ５の熱撓み等による変形（応力）が振動素子２に伝わり難くなり、振動素子２の振動特性の低下を抑制することができる。以下、振動デバイス１の各部について順次詳細に説明する。
［パッケージ］
図１に示すように、パッケージ５は、内側に収納空間Ｓを有しており、この収納空間Ｓに振動素子２、中継基板３および回路素子４が収納されている。そのため、パッケージ５によって振動素子２、中継基板３および回路素子４を衝撃、埃、熱、湿気（水分）等から好適に保護することができる。このようなパッケージ５は、振動素子２、中継基板３および回路素子４を取り付けるベース５１と、ベース５１との間に収納空間Ｓを形成するようにベース５１の上面に接合されたリッド５２と、を有している。
ベース５１は、その上面に開口する凹部５１１を有するキャビティ状である。また、凹部５１１は、ベース５１の上面に開口する第１凹部５１１ａと、第１凹部５１１ａの底面に開口する第２凹部５１１ｂと、を有している。一方、リッド５２は、板状であり、凹部５１１の開口を塞ぐようにしてベース５１の上面に接合されている。このように、凹部５１１の開口をリッド５２で塞ぐことで収納空間Ｓが形成され、この収納空間Ｓに振動素子２、中継基板３および回路素子４が収納されている。収納空間Ｓは、気密封止されており、減圧状態（好ましくはより真空に近い状態）となっている。これにより、振動素子２を安定して駆動させることができる。ただし、収納空間Ｓの雰囲気は、特に限定されず、例えば、大気圧となっていてもよい。
ベース５１の構成材料としては特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム等の各種セラミックスを用いることができる。この場合、セラミックシート（グリーンシート）の積層体を焼成することでベース５１を製造することができる。一方、リッド５２の構成材料としては特に限定されないが、ベース５１の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。例えば、ベース５１の構成材料を前述のようなセラミックスとした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。
また、ベース５１は、第１凹部５１１ａの底面に配置された複数の内部端子５３と、ベース５１の底面に配置された複数の外部端子５４と、を有している。複数の内部端子５３は、それぞれ、ベース５１の内部に形成された図示しない内部配線を介して所定の外部端子５４と電気的に接続されている。また、複数の内部端子５３は、導電性の接続バンプＢ１を介して回路素子４と電気的に接続されている。
［回路素子］
回路素子４は、例えば、シリコン基板上に各種回路要素が作り込まれた半導体回路基板であり、図１に示すように、能動面４０を下側に向けてパッケージ５内に配置されている。そして、回路素子４は、パッケージ５の第１凹部５１１ａの上面に、導電性の接続バンプＢ１を介して固定されている。また、回路素子４は、能動面４０に配置された複数の端子４１、４２を有しており、このうち、複数の端子４１は、それぞれ、接続バンプＢ１を介して所定の内部端子５３と電気的に接続されている。このような回路素子４には、例えば、振動素子２を発振させる発振回路が含まれている。
なお、接続バンプＢ１としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ等の各種金属バンプを用いることが好ましい。これにより、接続バンプＢ１からのアウトガスが防止され、収納空間Ｓ内の環境変化（特に圧力の上昇）を効果的に抑制することができる。
［中継基板］
図１に示すように、中継基板３は、回路素子４と振動素子２との間に介在している。このような中継基板３は、主に、パッケージ５や回路素子４の変形により生じる応力を振動素子２に伝わり難くする機能を有している。
図３および図４に示すように、中継基板３は、基板３１と、基板３１に配置された一対の配線３８、３９と、を有している。基板３１は、ジンバル形状となっている。具体的には、基板３１は、回路素子４に固定された枠状の支持部３２と、支持部３２の内側に位置する枠状の第１揺動部３３と、第１揺動部３３の内側に位置し、振動素子２が固定された第２揺動部３４と、支持部３２と第１揺動部３３とを接続する一対の梁部３５と、第１揺動部３３と第２揺動部３４とを接続する一対の梁部３６と、を有している。
支持部３２は、矩形の枠状となっており、４つの縁部３２１、３２２、３２３、３２４を有している。そして、支持部３２は、互いに対向する（中心Ｏに対して反対側に位置する）縁部３２１、３２２の延在方向の中央部において、それぞれ２つの接続バンプＢ２を介して回路素子４の能動面４０に固定されている。このように、支持部３２の両側を回路素子４に固定することで、中継基板３の姿勢が安定し、中継基板３の不要な変位、振動等を抑制することができる。ただし、接続バンプＢ２の数や配置としては、特に限定されず、例えば、支持部３２の各角部に配置されていてもよい。
なお、接続バンプＢ２としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ等の各種金属バンプを用いることが好ましい。これにより、接続バンプＢ２からのアウトガスが防止され、収納空間Ｓ内の環境変化（特に圧力の上昇）を効果的に抑制することができる。
また、支持部３２の内側に位置する第１揺動部３３は、矩形の枠状となっており、４つの縁部３３１、３３２、３３３、３３４を有している。また、第１揺動部３３の内側に位置する第２揺動部３４は、矩形の板状となっており、４つの縁部３４１、３４２、３４３、３４４を有している。そして、第２揺動部３４の下面に導電性を有する接続バンプＢ３を介して振動素子２が固定されている。
また、一対の梁部３５は、第１揺動部３３の両側に位置し、第１揺動部３３を両持ち支持するように、第１揺動部３３と支持部３２とを接続している。具体的には、一方の梁部３５は、縁部３２３、３３３の延在方向の中央部同士を接続し、他方の梁部３５は、縁部３２４、３３４の延在方向の中央部同士を接続している。そのため、第１揺動部３３は、支持部３２に対して、一対の梁部３５で形成される第１軸Ｌ１（一対の梁部３５を結ぶ線分）まわりに揺動可能となっている。
また、一対の梁部３６は、第２揺動部３４の両側に位置し、第２揺動部３４を両持ち支持するように、第２揺動部３４と第１揺動部３３とを接続している。具体的には、一方の梁部３６は、縁部３３１、３４１の延在方向の中央部同士を接続し、他方の梁部３６は、縁部３３２、３４２の延在方向の中央部同士を接続している。そのため、第２揺動部３４は、第１揺動部３３に対して、一対の梁部３６で形成され、第１軸Ｌ１と交差する第２軸Ｌ２（一対の梁部３６を結ぶ線分）まわりに揺動可能となっている。
このような構成の基板３１によれば、回路素子４に固定されている支持部３２から振動素子２が固定されている第２揺動部３４までの応力の伝達経路を蛇行させることができるため、前記伝達経路をなるべく長く確保することができる。そのため、パッケージ５や回路素子４の変形により生じる応力が支持部３２から第２揺動部３４までの間に効果的に吸収・緩和され、第２揺動部３４上の振動素子２に伝わってしまうことを効果的に抑制することができる。そのため、振動素子２の駆動特性の変化（特に共振周波数の変動）が起き難く、振動素子２は、優れた振動特性を発揮することができる。
特に、本実施形態では、中継基板３の平面視で、第１軸Ｌ１と第２軸Ｌ２と、が直交しており、さらには、第１軸Ｌ１と第２軸Ｌ２との交点が基板３１の中心Ｏと一致している。これにより、第１揺動部３３が支持部３２にバランスよく支持され、第２揺動部３４が第１揺動部３３にバランスよく支持される。その結果、第２揺動部３４に固定された振動素子２の揺れを効果的に抑制することができる。
このような基板３１は、水晶基板をエッチング（特にウェットエッチング）によりパターニングすることで形成されている。本実施形態では、基板３１は、Ｚカット水晶基板から形成されおり、基板３１の両主面の法線が水晶の結晶軸であるＺ軸（光軸）と一致している。Ｚ軸（光軸）は、水晶の他の結晶軸であるＸ軸（電気軸）およびＹ軸（機械軸）と比べて優先的にエッチングが進むため、Ｚカット水晶基板から基板３１を形成することで、エッチング時間を短縮することができる。また、エッチング面（エッチングにより形成された側面）がより急峻となるため、優れた寸法精度で中継基板３を形成することもできる。
なお、基板３１としては、特に限定されず、Ｚカット水晶基板以外の水晶基板、例えば、Ｘカット水晶基板、Ｙカット水晶基板、ＡＴカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板等から形成されていてもよい。また、基板３１としては、水晶基板から形成されたものに限定されず、例えば、水晶以外の圧電体基板、シリコン基板、樹脂基板、金属基板、セラミックス基板等から形成されていてもよい。
配線３８は、支持部３２と第２揺動部３４とに亘って引き回され、その一端部が支持部３２に位置する端子３８１となっており、他端部が第２揺動部３４に位置する端子３８２となっている。同様に、配線３９は、支持部３２と第２揺動部３４とに亘って引き回され、その一端部が支持部３２に位置する端子３９１となっており、他端部が第２揺動部３４に位置する端子３９２となっている。そして、端子３８１、３９１は、それぞれ、接続バンプＢ２を介して回路素子４の端子４２と電気的に接続されており、端子３８２、３９２は、それぞれ、導電性の接続バンプＢ３を介して振動素子２と電気的に接続されている。このように、中継基板３が配線３８、３９を有することで、振動素子２と回路素子４との電気的な接続が容易となる。
以上、中継基板３について説明したが、中継基板３の構成としては、上述の構成に限定されない。例えば、基板３１は、第１揺動部３３および梁部３５が省略され、第２揺動部３４が梁部３６を介して支持部３２に接続された構成となっていてもよい。また、基板３１は、ジンバル形状でなく単板状となっていてもよい。また、支持部３２および第１揺動部３３は、それぞれ、環状をなしているが、その周方向の一部が欠損していてもよい。また、第１、第２軸Ｌ１、Ｌ２は、直交していなくてもよい（すなわち、９０°以外の角度で交差していてもよい）し、第１、第２軸Ｌ１、Ｌ２の交点は、基板３１の中心Ｏと一致していなくてもよい。また、一対の梁部３５の一方を省略してもよいし、一対の梁部３６の一方を省略してもよい。また、本実施形態では、第１揺動部３３が支持部３２に対して揺動可能であり、第２揺動部３４が第１揺動部３３に対して揺動可能であるが、これに限定されず、例えば、梁部３５が硬く、実質的に、第１揺動部３３が支持部３２に対して揺動できなくてもよいし、梁部３６が硬く、実質的に、第２揺動部３４が第１揺動部３３に対して揺動できなくてもよい。
［振動素子］
振動素子２は、図５および図６に示すように、振動基板２１と、振動基板２１に配置されている電極２２と、を有している。また、振動基板２１は、圧電材料で構成されており、特に、本実施形態では水晶で構成されている。これにより、他の圧電材料と比較して優れた周波数温度特性を有する振動素子２が得られる。なお、圧電材料としては、水晶に限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、リン酸ガリウム（ＧａＰＯ４）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ、Ｚｎ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＰＯ３）、ニオブ酸ナトリウムカリウム（（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３）、ビスマスフェライト（ＢｉＦｅＯ３）、ニオブ酸ナトリウム（ＮａＮｂＯ３）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）、チタン酸ビスマスナトリウム（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５ＴｉＯ３）等であってもよい。
振動基板２１は、厚みすべり振動モードを有しており、本実施形態では、ＡＴカット水晶基板から形成されている。図７に示すように、ＡＴカット水晶基板は、ＸＺ面をＸ軸の回りに角度θ（＝３５°１５’）回転させた平面に沿って切り出された「回転Ｙカット水晶基板」である。ＡＴカット水晶基板は、三次の周波数温度特性を有しているため、ＡＴカット水晶基板から振動基板２１を形成することで、優れた温度特性を有する振動素子２となる。なお、以下では、角度θに対応してＸ軸まわりに回転したＹ軸およびＺ軸を、Ｙ’軸およびＺ’軸とする。すなわち、振動基板２１は、Ｙ’軸方向に厚みを有し、ＸＺ’面方向に広がりを有する。
電極２２は、振動基板２１の上面（一方の主面）に配置された励振電極２２１と、下面（他方の主面）に励振電極２２１と対向して配置された励振電極２２２と、を有している。また、電極２２は、振動基板２１の上面に配置された一対の端子２２３、２２４と、端子２２３と励振電極２２１とを電気的に接続する配線２２５と、端子２２４と励振電極２２２とを電気的に接続する配線２２６と、を有している。そして、励振電極２２１、２２２間に駆動信号（交番電圧）を印加することで、振動基板２１が厚みすべり振動する。
このような振動素子２は、導電性を有する一対の接続バンプＢ３を介して中継基板３の第２揺動部３４に固定されている。また、振動素子２の端子２２３と中継基板３の端子３８２とが一方の接続バンプＢ３を介して電気的に接続されており、振動素子２の端子２２４と中継基板３の端子３９２とが他方の接続バンプＢ３を介して電気的に接続されている。そのため、振動素子２は、中継基板３の配線３８、３９を介して回路素子４と電気的に接続されている。
以上、振動素子２について説明したが、振動素子２の構成は、上述の構成に限定されない。例えば、振動素子２は、振動基板２１の振動領域（励振電極２２１、２２２に挟まれた領域）がその周囲から突出したメサ型となっていてもよいし、逆に、振動領域がその周囲から凹没した逆メサ型となっていてもよい。また、振動基板２１の周囲を研削するベベル加工や、上面および下面を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。また、振動素子２としては、厚みすべり振動モードで振動するものに限定されず、例えば、複数の振動腕が面内方向に屈曲振動（音叉振動）する振動素子２であってもよいし、複数の振動腕が面外方向に屈曲振動（ウォーク振動）する振動素子２であってもよい。
前述したように、中継基板３の基板３１および振動素子２の振動基板２１は、共に水晶から構成されているが、振動デバイス１では、図８に示すように、基板３１の結晶軸と、振動基板２１の結晶軸と、が互いにずれている。すなわち、基板３１のＸ軸は、振動基板２１のＸ軸と異なる方向に延び、基板３１のＹ軸は、振動基板２１のＹ軸と異なる方向に延び、基板３１のＺ軸は、振動基板２１のＺ軸と異なる方向に延びている。これにより、例えば、振動基板２１と基板３１との結晶軸が一致している場合と比べて、振動基板２１と基板３１との機械的共振点（共振周波数）を離間させることができる。そのため、振動素子２の振動に共鳴するようにして中継基板３に意図しない振動が発生してしまうことを抑制でき、中継基板３の振動によって振動素子２の振動特性が低下してしまうことを効果的に抑制することができる。
特に、本実施形態では、基板３１のＸ軸は、振動基板２１のＸ軸に対してＹ軸およびＺ軸の両軸まわりに傾斜しており、基板３１のＹ軸は、振動基板２１のＹ軸に対してＸ軸およびＺ軸の両軸まわりに傾斜しており、基板３１のＺ軸は、振動基板２１のＺ軸に対してＸ軸およびＹ軸の両軸まわりに傾斜している。すなわち、基板３１の結晶軸と、振動基板２１の結晶軸と、が捩じれの関係にある。そのため、上述した効果がより顕著となり、振動基板２１と基板３１との機械的共振点（共振周波数）をより大きく離間させることができる。したがって、振動素子２の振動に共鳴するようにして中継基板３に意図しない振動が発生してしまうことをより効果的に抑制でき、中継基板３の振動によって振動素子２の振動特性が低下してしまうことをより効果的に抑制することができる。
なお、基板３１と振動基板２１との結晶軸の関係は、特に限定されず、例えば、基板３１のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸のうちの２つの軸が振動基板２１の対応する軸に対して傾斜していれば、残りの１つの軸同士は、一致していてもよい。また、基板３１のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が、それぞれ、振動基板２１のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸と一致していてもよい。
回路素子４について再び説明すると、図９に示すように、回路素子４は、能動面４０に配置された複数の端子４３を有している。複数の端子４３は、それぞれ、振動素子２の周波数調整に用いられる周波数調整用端子として機能する。このように、回路素子４に周波数調整用の端子４３を配置することで、例えば、振動素子２を回路素子４に中継基板３を介して接合した状態で、端子４３を用いて振動素子２を駆動させることができるため（発振周波数をモニターすることができるため）、この状態で振動素子２の周波数を調整することができる。そのため、パッケージ５に配置する前に振動素子２の周波数調整を終えることができ、振動素子２の周波数が規格外であった場合でもパッケージ５が無駄となることがない。そのため、振動デバイス１によれば、製造コストの低減を図ることができる。
また、複数の端子４３は、回路素子４の平面視で、能動面４０の振動素子２および中継基板３と重ならない領域に配置されている。これにより、振動素子２の周波数を調整する際に、能動面４０側から端子４３にプローブを押し当て易くなる。そのため、振動素子２の共振周波数の調整を容易に行うことができる。なお、回路素子４の平面視で、振動素子２が中継基板３に内包されているため、複数の端子４３は、能動面４０の中継基板３と重ならない領域に配置されているとも言える。特に、複数の端子４３は、平面視で、中継基板３（振動素子２）の外側に位置している。そのため、端子４３にプローブをより押し当て易くなる。なお、本実施形態では、４つの端子４３が能動面４０の各角部に配置されているが、端子４３の数や配置は、特に限定されない。
以上、本実施形態の振動デバイス１について説明した。このような振動デバイス１は、前述したように、ベース５１と、ベース５１に取り付けられている回路素子４と、回路素子４の能動面４０側に位置し、回路素子４に取り付けられている振動素子２と、を有している。また、回路素子４は、能動面４０の平面視で、能動面４０の振動素子２と重ならない領域に配置され、振動素子２の周波数調整に用いられる端子４３（周波数調整用端子）を有している。このような構成によれば、端子４３を介して振動素子２の発振周波数をモニターすることができるため、パッケージ５に振動素子２を収納する前に振動素子２の周波数を調整することができる。そのため、仮に、振動素子２の周波数が規格外であった場合でも、少なくともパッケージ５が無駄になることがない。したがって、振動デバイス１によれば、製造コストの低減を図ることができる。また、端子４３を有することで、振動素子２の周波数調整時に端子４１を用いなくてもよい。そのため、端子４１の汚染が抑制され、端子４１と内部端子５３との電気的な接続を良好なものとすることができる。
また、前述したように、端子４３は、平面視で、振動素子２の外側に位置している。これにより、振動素子２の周波数を調整する際に、端子４３に対してプローブを当て易くなる。
また、前述したように、振動デバイス１は、回路素子４と振動素子２との間に位置している中継基板３を有している。そして、振動素子２は、中継基板３を介して回路素子４に取り付けられている。これにより、例えば、パッケージ５や回路素子４の変形により生じる応力が振動素子２に伝わり難くなる。そのため、振動素子２は、優れた振動特性を発揮することができる。
また、前述したように、中継基板３は、ベース５１に取り付けられている支持部３２（第１部分）と、第１揺動部３３（第２部分）と、第１軸Ｌ１上で、支持部３２と第１揺動部３３とを接続している梁部３５（第１梁部）と、第２揺動部３４（第３部分）と、第１軸Ｌ１と交差する第２軸Ｌ２上で、第１揺動部３３と第２揺動部３４とを接続している梁部３６（第２梁部）と、を有している。そして、振動素子２は、第２揺動部３４に支持されている。これにより、支持部３２から第２揺動部３４までの応力の伝搬距離を効果的に長くすることができ、パッケージ５や回路素子４の変形により生じる応力が振動素子２により伝わり難くなる。
また、前述したように、振動デバイス１は、ベース５１との間に振動素子２、中継基板３および回路素子４を収納するようにベース５１に接合されているリッド５２（蓋体）を有している。これにより、振動素子２、中継基板３および回路素子４を水分、埃、衝撃等から保護することができる。
次に、上述した振動デバイス１の製造方法（振動素子２の周波数調整方法）について説明する。振動デバイス１の製造方法は、図１０に示すように、振動素子２が形成されたウエハ２０を準備するウエハ準備工程Ｓ１と、ウエハ２０の状態で振動素子２の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ２と、ウエハ２０から振動素子２を離脱させる離脱工程Ｓ３と、中継基板３を介して振動素子２を回路素子４に配置する振動素子配置工程Ｓ４と、振動素子２の周波数を調整する第２周波数調整工程Ｓ５と、回路素子４をベース５１に配置する回路素子配置工程Ｓ６と、ベース５１にリッド５２を接合するリッド接合工程Ｓ７と、を有している。以下、これら各工程について順次説明する。
［ウエハ準備工程Ｓ１］
まず、ＡＴカット水晶板からなる薄板状のウエハ２０を準備し、ウエハ２０をエッチング（ドライエッチング、ウェットエッチング等）によってパターニングすることで、ウエハ２０内に複数の振動基板２１を形成する。次に、振動基板２１の表面に金属膜を成膜し、金属膜をエッチング（ドライエッチング、ウェットエッチング等）によりパターニングすることで、振動基板２１上に電極２２を形成する。これにより、図１１に示すように、複数の振動素子２が形成されたウエハ２０が得られる。なお、ウエハ２０の状態では、振動素子２を支えているフレームの部分に振動素子２から電極２２が引き出されており、当該部分にプローブ（電極ピン）を当てることで、ウエハ２０上で振動素子２を駆動できるようになっている。
［第１周波数調整工程Ｓ２］
次に、ウエハ２０上で各振動素子２の周波数を調整する。具体的には、図１２に示すように、マスクＭを介して励振電極２２１にイオンビームＩＢを照射し、励振電極２２１の一部を除去（膜厚を薄く）することで振動素子２の周波数を調整する。イオンビームＩＢの照射は、プローブを介して振動素子２に駆動信号を印加し、振動素子２を駆動させ、振動素子２の共振周波数を測定しつつ行うことが好ましい。これにより、振動素子２の共振周波数を所定値に合わせ込み易くなる。なお、振動素子２の共振周波数の測定方法としては、特に限定されないが、例えば、振動素子２へ印加する駆動信号の周波数をＦＦＴアナライザーにより変更しながら、振動素子２の振幅を周波数ＬＤＶ（レーザードップラーベロシティ流速計）で測定することにより、振動素子２の共振周波数を測定することができる。
本工程による振動素子２の周波数調整量としては、特に限定されないが、例えば、調整前の振動素子２の共振周波数と目的の共振周波数との差がΔｆ［Ｈｚ］であった場合、０．２５Δｆ以上０．７５Δｆ以下であることが好ましく、０．４Δｆ以上０．６Δｆ以下であることがより好ましく、０．５Δｆであることがさらに好ましい。これにより、本工程において、十分に振動素子２の周波数を調整することができる。また、本工程での周波数調整のし過ぎが防止され、後に行う第２周波数調整工程Ｓ５において、より確実に、振動素子２の周波数を目的の周波数に合わせ込むことができる。
なお、本実施形態では、イオンビームＩＢを励振電極２２１に照射して励振電極２２１の一部を除去することで振動素子２の周波数を調整しているが、これに限定されず、イオンビームＩＢを励振電極２２２に照射して励振電極２２２の一部を除去することで振動素子２の周波数を調整してもよいし、イオンビームＩＢを励振電極２２１、２２２の両方に照射して励振電極２２１、２２２の一部をそれぞれ除去することで振動素子２の周波数を調整してもよい。また、本実施形態では、振動素子２の共振周波数を測定しつつ励振電極２２１にイオンビームＩＢを照射しているが、これに限定されず、例えば、振動素子２の共振周波数を測定する工程と、励振電極２２１にイオンビームＩＢを照射する工程と、を交互に繰り返してもよい。
［離脱工程Ｓ３］
次に、ウエハ２０から振動素子２を折り取って、ウエハ２０から振動素子２を離脱させる。ただし、ウエハ２０から振動素子２を離脱させる方法としては、特に限定されず、例えば、切り取ってもよい。
［振動素子配置工程Ｓ４］
次に、図１３に示すように、接続バンプＢ３を介して振動素子２を中継基板３に固定すると共に接続バンプＢ２を介して中継基板３を回路素子４に固定する。これにより、回路素子４、中継基板３および振動素子２の積層体１０が得られる。なお、振動素子２は、励振電極２２１が回路素子４側を向くようにして中継基板３に固定される。これにより、後の第２周波数調整工程Ｓ５において、励振電極２２２にイオンビームＩＢを照射できるようになるため、第１、第２周波数調整工程Ｓ２、Ｓ５によって、励振電極２２１、２２２をバランスよく加工することができる。
［第２周波数調整工程Ｓ５］
次に、積層体１０の状態で振動素子２の周波数を調整する。なお、例えば、第１周波数調整工程Ｓ２において振動素子２の周波数を所定値に調整し終えないのは、振動素子２を中継基板３に固定することで、振動素子２の周波数が変化する場合があるためであり、本工程を行うことで、振動素子２の周波数をより精度よく調整することができる。
本工程では、図１４に示すように、マスクＭを介して励振電極２２２にイオンビームＩＢを照射し、励振電極２２２の一部を除去（膜厚を薄く）することで振動素子２の周波数を調整する。また、本工程は、例えば、図１５に示すような治具９に積層体１０を載置した状態で行われる。治具９は、プローブ９１を有しており、治具９に積層体１０を載置すると、回路素子４の各端子４３にプローブ９１が接触するようになっている。また、治具９は、中継基板３および振動素子２との接触を避けるための開口部９２を有している。このような治具９によれば、プローブ９１を介して振動素子２に駆動信号を印加することができる。なお、前述したように、端子４３は、能動面４０の振動素子２および中継基板３と重ならない領域に配置されているため、端子４３にプローブ９１を接触させ易い構造となっている。
イオンビームＩＢの照射は、プローブ９１を介して振動素子２に駆動信号を印加し、振動素子２を駆動させ、振動素子２の共振周波数を検出しつつ行うことが好ましい。これにより、振動素子２の共振周波数を所定値に合わせ込み易くなる。なお、振動素子２の共振周波数の検出方法としては、特に限定されず、例えば、前述した第１周波数調整工程Ｓ２と同じ方法を用いることができる。
ここで、第１周波数調整工程Ｓ２において振動素子２の周波数をある程度調整しているため、本工程での周波数調整量が減り、その分、イオンビームＩＢによる回路素子４へのアタックが減る。そのため、回路素子４のダメージを低減することができ、回路素子４の破損（故障）を効果的に抑制することができる。特に、本実施形態では、回路素子４と振動素子２との間に中継基板３が配置されており、中継基板３が振動素子２よりも大きく形成され、かつ、平面視で振動素子２を内包している。そのため、中継基板３によってイオンビームＩＢを遮蔽することができ、イオンビームＩＢによる回路素子４へのダメージをより低減することができる。
また、第１周波数調整工程Ｓ２では励振電極２２１を加工しており、第２周波数調整工程Ｓ５では励振電極２２２を加工している。これにより、励振電極２２１、２２２をバランスよく加工することができ、励振電極２２１、２２２の質量差を小さく抑えることができる。そのため、安定した駆動が可能な振動素子２が得られる。特に、第１周波数調整工程Ｓ２において、０．５Δｆ程度の周波数調整を行い、第２周波数調整工程において、残りの０．５Δｆ程度の周波数調整を行うことで、励振電極２２１、２２２の質量差をさらに小さく抑えることができる。
なお、本実施形態では、イオンビームＩＢを励振電極２２２に照射して励振電極２２２の一部を除去することで振動素子２の周波数を調整しているが、これに限定されず、イオンビームＩＢを励振電極２２１に照射して励振電極２２１の一部を除去することで振動素子２の周波数を調整してもよい。この場合は、振動素子配置工程Ｓ４において、励振電極２２２が回路素子４側を向くように、振動素子２を中継基板３に固定すればよい。また、本実施形態では、振動素子２の共振周波数を測定しつつ励振電極２２２にイオンビームＩＢを照射しているが、これに限定されず、例えば、振動素子２の共振周波数を測定する工程と、励振電極２２２にイオンビームＩＢを照射する工程と、を交互に繰り返してもよい。
［回路素子配置工程Ｓ６］
次に、図１６に示すように、接続バンプＢ１を介して回路素子４をベース５１に固定する。なお、前述したように、中継基板３を介して振動素子２が回路素子４に固定されているため、ベース５１や回路素子４からの応力が振動素子２に加わり難い。そのため、回路素子４をベース５１に固定することによる振動素子２の周波数が変化し難く（変化しても微量であり）、ベース５１に回路素子４を固定した後に、さらに振動素子２の周波数を調整する必要が無い。したがって、ベース５１に振動素子２を固定する前に振動素子２の周波数を調整し終えることができ、仮に、振動素子２の周波数が規格外であった場合でも、積層体１０の段階で破棄等することができ、少なくともベース５１が無駄になることがない。したがって、このような製造方法によれば、振動デバイス１の製造コストの低減を図ることができる。
［リッド接合工程Ｓ７］
次に、図１７に示すように、ベース５１にリッド５２を接合する。これにより、積層体１０を収納するパッケージ５が形成され、振動デバイス１が得られる。
以上、振動デバイス１の製造方法について説明した。このような振動デバイス１の製造方法は、前述したように、振動素子２の周波数調整に用いられる端子４３（周波数調整用端子）が能動面４０に配置されている回路素子４を準備し、能動面４０の平面視で、端子４３と重ならないように振動素子２を能動面４０に配置する振動素子配置工程Ｓ４と、振動素子２が有する励振電極２２２を加工して振動素子２の周波数を調整する第２周波数調整工程Ｓ５と、を有している。このような方法によれば、ベース５１に振動素子２を固定する前に振動素子２の周波数を調整し終えることができ、仮に、振動素子２の周波数が規格外であった場合でも、ベース５１に固定する前に破棄等することができ、少なくともベース５１が無駄になることがない。したがって、このような製造方法によれば、振動デバイス１の製造コストの低減を図ることができる。また、端子４３を有することで、第２周波数調整工程Ｓ５において端子４１を用いなくてもよい。そのため、端子４１の汚染が抑制され、回路素子配置工程Ｓ６において、より確実にかつ低抵抗で、端子４１と内部端子５３とを電気的に接続することができる。
また、前述したように、振動デバイス１の製造方法は、回路素子４に振動素子２を配置する振動素子配置工程Ｓ４に先立って、振動素子２が形成されているウエハ２０（基板）を準備するウエハ準備工程Ｓ１と、励振電極２２１を加工して振動素子２の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ２と、ウエハ２０から振動素子２を離脱させる離脱工程Ｓ３と、を有している。これにより、第２周波数調整工程Ｓ５での周波数調整量が減り、その分、イオンビームＩＢによる中継基板３や回路素子４へのアタックが減る。そのため、第２周波数調整工程Ｓ５で受ける中継基板３や回路素子４のダメージを低減することができ、中継基板３や回路素子４の破損（故障）を効果的に抑制することができる。
また、前述したように、振動素子２は、振動基板２１と、振動基板２１の一方の主面に配置されている励振電極２２１（第１励振電極）と、他方の主面に配置されている励振電極２２２（第２励振電極）と、を有している。そして、ウエハ２０に配置された状態で振動素子２の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ２では、励振電極２２１を加工し、回路素子４に配置された状態で振動素子２の周波数を調整する第２周波数調整工程Ｓ５では、励振電極２２２を加工している。これにより、励振電極２２１、２２２をバランスよく加工することができ、励振電極２２１、２２２の質量差を小さく抑えることができる。そのため、安定した駆動が可能な振動素子２が得られる。
また、前述したように、振動素子２を回路素子４に配置する振動素子配置工程Ｓ４では、中継基板３を準備し、中継基板３を介して振動素子２を回路素子４に配置している。これにより、ベース５１や回路素子４の変形等により生じる応力が振動素子２に伝達され難くなり、優れた振動特性を有する振動デバイス１が得られる。また、ベース５１に固定した後の振動素子２の周波数変化を抑制することができ、所望の周波数を有する振動デバイス１が得られる。
また、前述したように、振動デバイス１の製造方法は、回路素子４に配置された状態で振動素子２の周波数を調整する第２周波数調整工程Ｓ５の後に行われ、回路素子４をベース５１に配置する回路素子配置工程Ｓ６と、ベース５１との間に回路素子４、中継基板３および振動素子２を収納するように、ベース５１にリッド５２（蓋体）を接合するリッド接合工程Ｓ７と、を有している。これにより、回路素子４、中継基板３および振動素子２を水分、埃、衝撃等から保護することができる。
＜第２実施形態＞
図１８は、本発明の第２実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
本実施形態に係る振動デバイスは、主に、中継基板３が省略されていること以外は、前述した第１実施形態の振動デバイスと同様である。なお、以下の説明では、第２実施形態の振動デバイスに関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１８では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図１８に示すように、本実施形態の振動デバイス１では、前述した第１実施形態から中継基板３が省略されており、振動素子２が接続バンプＢ３を介して回路素子４の能動面４０に固定されている。また、接続バンプＢ３を介して電極２２が端子４２と電気的に接続されている。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電子機器について説明する。
図１９は、本発明の第３実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図１９に示すモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューター１１００は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に取り付けられている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００（電子機器）は、振動デバイス１を有している。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。
図２０は、本発明の第４実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図２０に示す携帯電話機１２００（ＰＨＳも含む）は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。
このような携帯電話機１２００（電子機器）は、振動デバイス１を有している。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子機器について説明する。
図２１は、本発明の第５実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図２１に示すデジタルスチールカメラ１３００は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。ケース（ボディー）１３０２の背面には表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。そして、撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押すと、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。
このようなデジタルスチールカメラ１３００（電子機器）は、振動デバイス１を有している。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の電子機器は、前述したパーソナルコンピューター、携帯電話機およびデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に適用することができる。
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る移動体について説明する。
図２２は、本発明の第６実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
図２２に示す自動車１５００は、本発明の振動デバイスを備える移動体を適用した自動車である。自動車１５００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。振動デバイス１は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
このような自動車１５００（移動体）は、振動デバイス１を有している。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、移動体としては、自動車１５００に限定されず、例えば、飛行機、船舶、ＡＧＶ（無人搬送車）、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。
以上、本発明の振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、前述した実施形態では、振動デバイスを発振器に適用した構成について説明したが、これに限定されず、例えば、振動デバイスを加速度、角速度等の物理量を検出可能な物理量センサーに適用してもよい。この場合、振動素子２として駆動振動モードと、受けた物理量に応じて励振される検出振動モードと、を有する素子を用い、回路素子４には、振動素子２を駆動振動モードで駆動させるための駆動回路と、振動素子２の検出振動モードから得られる信号に基づいて物理量を検出する検出回路と、を形成すればよい。
１…振動デバイス、１０…積層体、２…振動素子、２０…ウエハ、２１…振動基板、２２…電極、２２１、２２２…励振電極、２２３、２２４…端子、２２５、２２６…配線、３…中継基板、３１…基板、３２…支持部、３２１、３２２、３２３、３２４…縁部、３３…第１揺動部、３３１、３３２、３３３、３３４…縁部、３４…第２揺動部、３４１、３４２、３４３、３４４…縁部、３５、３６…梁部、３８…配線、３８１、３８２…端子、３９…配線、３９１、３９２…端子、４…回路素子、４０…能動面、４１、４２、４３…端子、５…パッケージ、５１…ベース、５１１…凹部、５１１ａ…第１凹部、５１１ｂ…第２凹部、５２…リッド、５３…内部端子、５４…外部端子、９…治具、９１…プローブ、９２…開口部、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３…接続バンプ、ＩＢ…イオンビーム、Ｌ１…第１軸、Ｌ２…第２軸、Ｍ…マスク、Ｏ…中心、Ｓ…収納空間、Ｓ１…ウエハ準備工程、Ｓ２…第１周波数調整工程、Ｓ３…離脱工程、Ｓ４…振動素子配置工程、Ｓ５…第２周波数調整工程、Ｓ６…回路素子配置工程、Ｓ７…リッド接合工程、θ…角度

Claims (12)

  1. ベースと、
    前記ベースに取り付けられている回路素子と、
    前記回路素子の能動面側に位置し、前記回路素子に取り付けられている振動素子と、を有し、
    前記回路素子は、前記能動面の平面視で、前記能動面の前記振動素子と重ならない領域に配置され、前記振動素子の周波数調整に用いられる周波数調整用端子を有していることを特徴とする振動デバイス。
  2. 前記周波数調整用端子は、前記平面視で、前記振動素子の外側に位置している請求項１に記載の振動デバイス。
  3. 前記回路素子と前記振動素子との間に位置している中継基板を有し、
    前記振動素子は、前記中継基板を介して前記回路素子に取り付けられている請求項１または２に記載の振動デバイス。
  4. 前記中継基板は、
    前記ベースに取り付けられている第１部分と、
    第２部分と、
    第１軸上で、前記第１部分と前記第２部分とを接続している第１梁部と、
    第３部分と、
    前記第１軸と交差する第２軸上で、前記第２部分と前記第３部分とを接続している第２梁部と、を有し、
    前記振動素子は、前記第３部分に取り付けられている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  5. 前記ベースとの間に前記振動素子および前記回路素子を収納するように前記ベースに接合されている蓋体を有している請求項１ないし４のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  6. 振動素子の周波数調整に用いられる周波数調整用端子が能動面に配置されている回路素子を準備し、前記能動面の平面視で、前記周波数調整用端子と重ならないように前記振動素子を前記能動面に配置する工程と、
    前記振動素子が有する励振電極を加工して前記振動素子の周波数を調整する工程と、を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
  7. 前記回路素子に前記振動素子を配置する工程に先立って、
    前記振動素子が形成されている基板を準備する工程と、
    前記励振電極を加工して前記振動素子の周波数を調整する工程と、
    前記基板から前記振動素子を離脱させる工程と、を有する請求項６に記載の振動デバイスの製造方法。
  8. 前記振動素子は、振動基板と、前記振動基板の一方の主面に配置されている第１励振電極と、他方の主面に配置されている第２励振電極と、を有し、
    前記基板に配置された状態で前記振動素子の周波数を調整する工程では、前記第１励振電極を加工し、
    前記回路素子に配置された状態で前記振動素子の周波数を調整する工程では、前記第２励振電極を加工する請求項７に記載の振動デバイスの製造方法。
  9. 前記振動素子を前記回路素子に配置する工程では、中継基板を準備し、前記中継基板を介して前記振動素子を前記回路素子に配置する請求項６ないし８のいずれか１項に記載の振動デバイスの製造方法。
  10. 前記回路素子に配置された状態で前記振動素子の周波数を調整する工程の後に行われ、
    前記回路素子をベースに配置する工程と、
    前記ベースとの間に前記回路素子および前記振動素子を収納するように、前記ベースに蓋体を接合する工程と、を有する請求項６ないし９のいずれか１項に記載の振動デバイスの製造方法。
  11. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
  12. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする移動体。
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